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CN103459659A - 用于原子层沉积的设备与工艺 - Google Patents

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CN103459659A
CN103459659A CN2012800172276A CN201280017227A CN103459659A CN 103459659 A CN103459659 A CN 103459659A CN 2012800172276 A CN2012800172276 A CN 2012800172276A CN 201280017227 A CN201280017227 A CN 201280017227A CN 103459659 A CN103459659 A CN 103459659A
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plate
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Applied Materials Inc
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Abstract

本发明提供原子层沉积设备与方法，所述设备与方法包括气体缓冲板，所述气体缓冲板包含多个开口，所述多个开口配置成在气体缓冲板附近建立气体缓冲，使得衬底能移动穿过处理腔室。

Description

用于原子层沉积的设备与工艺
背景
本发明的实施例大体上关于用于沉积材料的设备与方法。更具体地，本发明的实施例涉及一种原子层沉积腔室，所述腔室具有气体缓冲板以用于建立能够移动衬底的气体缓冲。
在半导体处理、平板显示器处理或其它电子器件处理的领域中，气相沉积工艺已经在沉积材料于衬底上扮演重要的角色。随着电子器件的几何大小持续缩小，且组件密度持续增加，特征结构的尺寸与深宽比变得愈来愈具竞争性，例如特征结构的尺寸为0.07μm，而纵横比为10以上。因此，共形沉积材料以形成这些器件变得逐渐重要。
原子层沉积(ALD)工艺期间，反应物气体依序导进含有衬底的工艺腔室。大体而言，第一反应物被导进工艺腔室并且吸附在衬底表面上。第二反应物随后被导进工艺腔室并且与第一反应物反应而形成沉积材料。可在递送各反应物气体之间执行净化步骤，以确保仅有的所发生的反应是在衬底表面上。净化步骤可以是在递送反应物气体之间的具有载气的连续净化或是脉冲净化。
藉由使用梭动机构(shuttle)、基座(susceptor)与传送系统，使衬底移动穿过处理区域。这些机构包括许多移动零件，这些零件可能会磨损且需要维修。因此，在此技术领域中当前正需要改良的移动衬底穿过工艺腔室的设备与方法。
概述
本发明的实施例涉及原子层沉积系统，所述系统包含处理腔室，所述处理腔室配置成沉积材料于衬底上。面向衬底的第一表面的气体分配板位在处理腔室内。气体缓冲板经定位以面对衬底的第二表面。所述气体缓冲板包含多个开口，所述多个开口配置成在气体缓冲板与衬底之间建立气体缓冲，使得衬底不会接触气体缓冲板，且所述多个开口配置成使衬底移动穿过所述处理腔室。特定实施例的所述沉积系统包括至少一个连接至处理腔室的装载闭锁室(1oadlock chamber)。
在详细实施例中，所述气体缓冲板位在气体分配板下方，且所述气体缓冲板在气体缓冲板上方建立气体缓冲。在一些实施例中，所述气体缓冲板位在气体分配板上方，且所述气体缓冲板在气体缓冲板下方建立气体缓冲。
沉积系统的一些实施例进一步包含基座，所述基座具有顶部表面以搭载衬底且具有底部表面以面向气体缓冲板。所述气体缓冲板配置成建立足以抬高基座与衬底的气体缓冲。详细实施例中，基座的顶部表面具有凹部，所述凹部配置成接受衬底。在特定实施例中，衬底的第一表面大约与基座的顶部表面等高。
在详细实施例中，气体缓冲板中的多个开口包含多个喷嘴。特定实施例中，多个喷嘴可倾斜以使衬底沿气体缓冲移动。
沉积系统的一些实施例中进一步包含气体源，所述气体源与气体缓冲板流体连通。所述气体源适于提供足够压力的气流，使得在气体缓冲板上方的衬底不会接触气体缓冲板。在详细实施例中，气体源是惰性气体。
特定实施例中，气体分配板包含多个气体通口，所述气体通口配置成输送一个或多个气体串流(stream)至衬底，并且所述气体分配板包含多个真空通口，所述多个真空通口设置在每一气体通口之间并且配置成输送所述气体串流离开所述处理腔室。
本发明的额外实施例涉及处理衬底的方法。具有第一表面与第二表面的衬底设置在处理腔室中位于邻近气体分配板处，所述气体分配板界定所述衬底的第一表面与所述气体分配板之间的工艺间隙。衬底的第二表面邻近气体缓冲板。气体缓冲是建立在衬底与气体缓冲板之间。在详细实施例中，改变所述气体缓冲以使衬底沿着所述气体缓冲板移动。
一个或多个实施例中，气体缓冲是建立在气体缓冲板上方，并且足以使衬底在气体缓冲板上方被抬高。
一些实施例中，衬底设置在基座上，并且气体缓冲是建立在基座下方。气体缓冲足以使衬底与基座在气体缓冲板上方被抬高。详细实施例中，衬底设置在基座的凹部中，使得衬底的第一表面不会突出于基座的顶部表面上方。
一些实施例中，所述方法进一步包含倾斜处理腔室，以使衬底在处理腔室内移动。
附图简述
藉由参考实施例(一些实施例说明于附图中)，可获得于以上中简要总结的本发明的更特定的说明，而能详细了解于以上记载的本发明的特征。然而应注意附图仅说明此发明的典型实施例，因而不应将所述附图视为限制本发明的范畴，因为本发明可容许其它等效实施例。
图1图示根据本发明一个或多个实施例的原子层沉积腔室的概略视图；
图2图示根据本发明一个或多个实施例的原子层沉积腔室的概略视图；
图3A与图3B图示根据本发明实施例的气体缓冲板；
图4图示根据本发明一个或多个实施例的原子层沉积腔室的顶视图；
图5A与图5B图示根据本发明一个或多个实施例的原子层沉积腔室的概略视图；以及
图6图示根据本发明一个或多个实施例的基座。
详细描述
本发明的实施例涉及提供改良的衬底移动的原子层沉积设备与方法。本发明的特定实施例涉及结合气体缓冲板的原子层沉积设备(亦称为循环沉积)，所述气体缓冲板配置成建立气体缓冲，衬底可飘浮在所述气体缓冲上及/或在所述气体缓冲上受到导引。
图1是根据本发明一个或多个实施例的原子层沉积系统100或反应器的概略顶视图。系统100包括装载闭锁室10以及处理腔室20。所述处理腔室20大体上是可密封的包壳，所述处理腔室可在真空下或至少低压下操作。处理腔室20通过隔离阀15与装载闭锁室10隔离。所述隔离阀15处于关闭位置时将处理腔室20密封而隔离装载闭锁室10，而处于开启位置时使衬底60得以从装载闭锁室10传送穿过阀至处理腔室20(反之亦可)。
系统100包括气体分配板30，所述气体分配板30能够遍及衬底60分配一种或多种气体。所述气体分配板30可以是本领域技术人员已知的任何适合的分配板，且不应将在此描述的特定气体分配板视为对本发明范畴的限制。气体分配板30面向衬底60的第一表面61。气体缓冲板70定位在处理腔室20中面向衬底60的第二表面62。气体缓冲板70包含多个开口71，所述多个开口71配置成在气体缓冲板70与衬底60之间建立气体缓冲72。
图1图示气体分配板30定位在衬底60上方且气体缓冲板70位在衬底60下方的直立走向。在此，气体缓冲板70在衬底60下方建立气体缓冲72，所述气体缓冲能够确保衬底60不会接触气体缓冲板70或气体分配板30。由气体缓冲板70所生成的气体缓冲72能够受到控制以在处理腔室内浮置(1evitate)衬底60，且也能够在处理腔室内移动衬底。气体缓冲72中所需的气体压力可取决于许多因素而有所不同，所述因素包括但不限于衬底的尺寸与重量以及来自气体分配板30的气体压力。
用于本发明实施例的衬底可以是任何适合的衬底。在详细实施例中，所述衬底是刚性、分立(discrete)、大体上平坦的衬底。如此说明书以及所附权利要求书中所使用的，术语“分立”在涉及衬底时，意味着所述衬底具有固定的尺寸。特定实施例的衬底是半导体晶圆，诸如200mm或300mm直径的硅晶圆。
图2图示反转走向的本发明的实施例。装载闭锁室10与隔离阀15从图2中略去，但应了解可纳入这些部件。在此，气体分配板30定位在衬底60下方而气体缓冲板70位在衬底上方。在此实施例中，衬底60飘浮在气体分配板30上方，这是由于来自气体分配板30的气体压力所致。气体分配板70导引气流朝向衬底的第二表面62，在此实例中，第二表面是衬底的顶部表面。气体缓冲72可经控制以维持衬底60的第一表面61与气体分配板30之间的均等距离。气体缓冲72也可经控制以使衬底在处理腔室内移动(例如平移或旋转)。
至少一个气体源201与气体缓冲板70或多个开口71流体连通。所述至少一个气体源201可以是任何适合的气体且在特定实施例中，所述至少一个气体源201是惰性气体。在详细实施例中，气体源适于提供充分压力的气流使得气体缓冲板上方的衬底将不会接触气体缓冲板。
可用各种方式设置气体缓冲板70中的多个开口71。一些实施例中，多个开口71是气体缓冲板70的前表面中的简单孔洞且与所述气体缓冲板70的前表面齐平。其它实施例中，所述多个开口71包含多个喷嘴，所述多个喷嘴从气体缓冲板的表面延伸，如图1与图2所示。可倾斜及旋转所述喷嘴以影响气体缓冲72，因而使衬底60得以沿着气体缓冲72移动。可独立控制或群组式控制所述喷嘴。在详细实施例中，可倾斜所述喷嘴一角度，所述角度高达约15度。各实施例中，可倾斜所述喷嘴一角度，所述角度高达约10度或高达约5度。倾斜所述喷嘴可使重力得以驱动衬底60的移动(或基座65的移动，这在下文中讨论)。可透过改变喷嘴的倾斜角度而控制衬底60的速度。可藉由改变喷嘴的角度与旋转而控制衬底的方向。
除了喷嘴之外，多个开口71可包含一系列通道，所述一系列通道形成于气体缓冲板70表面中。所述通道可垂直于气体缓冲板70的表面，或者以一角度倾斜所述通道，以驱动衬底60横越气体缓冲板的表面。所述通道也可包含关节接合(articulating)的侧边，使得通道相对于气体缓冲板70的表面的角度可以动态地受到改变。
此外，喷嘴或开口可隔离成多个区块，这些区块具有有别于相邻区块的控制与气流。喷嘴的控制(例如旋转、倾斜与气流)可由计算机(图中未示)控制，以使气体缓冲72的效能最大化，而影响衬底60的稳定性。图3A与图3B图示区块化开口的实施例的简化视图。图3A图示具有多个开口71的气体缓冲板70的实施例，所述多个开口71分成第一区块71a与第二区块71b。第一区块71a连接至第一气体源201a，而第二区块71b连接至第二气体源201b。虽然图中未示，应可了解第一气体源201a与第二气体源201b可以通过至少一个气体调节器或计量装置连接。
图3B图示多个开口71分成第一区块71a与第二区块71b的气体缓冲板70的替代性实施例。在此实施例中，单一气体源201连接至第一调节器202a与第二调节器202b。第一调节器202a与开口的第一区块71a流体连通，而第二调节器202b与开口的第二区块71b流体连通。虽然图3A与图3B的实施例图示为具有两个区块，应了解气体缓冲板70中的多个开口71可以分隔成所需求的任何数目的区块。此外，图中所示的实施例含有两行开口71。这仅是为了说明，不应视为对本发明范围的限制。气体缓冲板70中的开口71图案可用在任何适合的排列方式中。
在详细的实施例中，构成气体缓冲72的气流的角度与压力可在处理期间被动态地调整。此举可通过使用开口71的任何配置方式完成，但可特别地与图1与图2中所示的喷嘴一并使用。个别的喷嘴倾斜且压力可被改变以使衬底60移动得较快、更靠近气体分配板30、或旋转。
在具有类似图1的直立走向的实施例中，可调整气体缓冲72中的压力以确保衬底60(在一个或多个实施例中，所述衬底为刚性半导体衬底或晶圆)飘浮在气体缓冲板70上方。使衬底飘浮所需的压力至少大约等于克服重力所需的压力量，但不可太多以致在无法控制的情况下举升衬底。在详细实施例中，气体缓冲72中的压力至少比克服重力所需的压力高大约5torr(托)。在特定实施例中，气体缓冲72中的压力至少比克服气体分配板30生成的压力与重力结合的冲击力所需的压力高大约5torr。也可由一区块至一区块变化气体缓冲72的压力，使得衬底60的移动与稳定度在处理期间可得以受到控制。
一些实施例的气体分配板30包含多个气体通口，所述多个气体通口配置成输送一个或多个气体串流至衬底60，所述气体分配板30还包含多个真空通口，所述多个真空通口设置在各气体通口之间并且配置成输送气体串流离开处理腔室20。图1与图2的详细实施例中，气体分配板30包含第一前驱物注射器120、第二前驱物注射器130以及净化气体注射器140。所述注射器120、130、140可由系统计算机(图中未示)控制，或由腔室专属控制器控制，所述系统计算机诸如为主框架，所述腔室专属控制器诸如为可编程逻辑控制器。前驱物注射器120配置成将化合物A的反应性前驱物的连续(或脉冲)串流穿过多个气体通口125注入处理腔室20。前驱物注射器130配置成将化合物B的反应性前驱物的连续(或脉冲)串流穿过多个气体通口135注入处理腔室20。净化气体注射器140配置成将非反应性气体或净化气体的串流穿过多个气体通口145注入处理腔室20。净化气体配置成从处理腔室20移除反应性材料与反应性副产物。净化气体一般是惰性气体，诸如氮气、氩气与氦气。气体通口145设置在气体通口125与气体通口135之间，以便将化合物A的前驱物与化合物B的前驱物分开，因此避免前驱物之间的交叉污染。
另一方面中，在将前驱物注入处理腔室20之前，远程等离子体源(图中未示)可连接至前驱物注射器120与前驱物注射器130。可通过施加电场至远程等离子体源内的化合物而生成反应性物种的等离子体。可使用能够活化所期望的化合物的任何电源。例如，可使用采用基于DC、射频(RF)与微波(MW)之类的放电技术的电源。倘若使用RF电源，所述电源可以用电容式或感应式耦合。也可通过热类技术、气体裂解技术、高强度光源(例如UV能量)或暴露至x射线源而生成活化。示范性远程等离子体源可购自诸如MKS Instruments，Inc.(MKS仪器公司)与Advanced Energy Industries，Inc(先进能源工业公司)之类的厂商。
系统100进一步包括泵送系统150，所述泵送系统150连接至处理腔室20。所述泵送系统150大体上配置成从处理腔室20透过一个或多个真空通口155排空气体串流。真空通口155设置在每一气体通口之间，以便在气体串流与衬底表面反应后从处理腔室20排空气体串流，并且进一步限制前驱物之间的交叉污染。
图标于图1与图2的系统100包括多个隔件160，所述多个隔件设置在处理腔室20上位于各通口之间。每一隔件的下部延伸至靠近衬底60处，例如，离衬底表面约0.5mm或更多。以此方式，隔件160的下部与衬底表面分隔一段距离，所述距离足以在气体串流与衬底表面反应后使气体串流流于下部周围而朝向真空通口155。箭号198指示气体串流的方向。既然隔件160在操作上如对气体串流的物理阻障，隔件也限制了前驱物之间的交叉污染。所示的排列方式仅是说明性质，不应将所述排列方式视为对本发明范围的限制。本领域技术人员将了解，所示的气体分配系统只是一种可能的分配系统，而可运用其它类型的喷头与气体缓冲板。
为了操作图1中所示的直立走向，(例如通过机器人)将衬底60递送到装载闭锁室10并且放在能够移动衬底60的系统上。图示于图1的能够移动衬底60的系统是滚轮12，但可运用其它机构，所述其它机构包括推动器或所述气体缓冲板的延伸部。隔离阀15开启而使衬底60得以设置在处理腔室20中。图示于图1的滚轮13在从装载闭锁室10转移衬底至处理腔室20时可以是相当有帮助的，但并非必须。衬底60(在详细实施例中，是刚性分立衬底)具有第一表面61与第二表面62，并且定位成邻近气体分配板30。工艺间隙68界定在衬底60的第一表面61与气体分配板30之间。衬底60的第二表面62邻近气体缓冲板70。气体缓冲72是在衬底60下方建立，以使衬底沿着气体缓冲板70移动。在特定实施例中，气体缓冲72具有一压力，所述压力比举升衬底所需的压力大至少约5torr。
当衬底60移动穿过处理腔室20时，衬底60的表面重复地暴露至来自气体通口125的化合物A的前驱物与来自气体通口135的化合物B的前驱物，以及暴露至来自在前述二通口之间的气体通口145的净化气体。净化气体的注入是设计成用以在将衬底表面110暴露至下一前驱物之前从先前前驱物移除未反应的材料。在每一次暴露至各气体串流(例如前驱物或净化气体)之后，藉由泵送系统150通过真空通口155排空气体串流。因为真空通口可设置在每一气体通口的两侧上，气体串流是通过两侧上的真空通口155排空。因此，气体串流从各别气体通口垂直向下朝向衬底表面110流动，横越衬底表面110并且围绕隔件160的下部，而最后向上朝真空通口155流动。以此方式，每一气体可均匀地遍及衬底表面110分配。箭号198指示气流方向。也可在衬底60暴露至各气体串流的同时旋转衬底60。在防止在形成层中形成条带时，旋转衬底可为相当实用的。旋转衬底可以是连续或分立的步骤。
在处理腔室20的端部大体上提供足够的空间，以便确保由处理腔室20中最后一个气体通口完成的完整暴露。一旦衬底60抵达处理腔室20的端部(即衬底表面110已经完整暴露至处理腔室20内的每一气体通口)，衬底60以朝向装载闭锁室10的方向返回。当衬底60朝装载闭锁室10往回移动，衬底表面可以再度暴露至化合物A的前驱物、净化气体以及化合物B的前驱物，上述次序与第一次暴露相反。
衬底表面110暴露至每一气体的程度可通过例如各气体离开气体通口的流速以及衬底60的移动速率决定。一个实施例中，每一气体的流速经配置以便不从衬底表面110移除吸附的前驱物。每一隔件之间的宽度、配置在处理腔室20上的气体通口的数目以及衬底来回传递的次数也可决定衬底110暴露至各气体的程度。结果，沉积膜的量与质量可通过变化前述参考因子而最优化。
另一实施例中，系统100可包括前驱物注射器120与前驱物注射器130，而无净化气体注射器140。于是，当衬底60移动穿过处理腔室20时，衬底表面110将会交替暴露至化合物A的前驱物与化合物B的前驱物，而不暴露至在所述二前驱物之间的净化气体。
在图2的反转实施例中，衬底可以类似图1的方式导入处理腔室20。图2额外图示推动器175，所述推动器175可用于将衬底60从装载闭锁室10移动至气体缓冲板70与气体分配板30之间的区域。虽然并非必须，但在装载与卸载衬底60期间减少气体缓冲72中的压力可能是相当实用的，此举确保衬底的先端边缘/尾端边缘不会接触气体分配板30。此举可通过将气体缓冲分区块或透过动态控制气体缓冲而完成。此实施例中的气体缓冲72是在衬底上方建立，并且所述气体缓冲72使衬底移动横越腔室。
图4图示本发明另一实施例处于图1直立走向的顶视图。在此，衬底60被机械式推动器175推过腔室。推动器175能够在由气体缓冲板70建立的气体缓冲72支撑衬底的同时将衬底移动横越腔室。在详细实施例中，推动器实质上不对衬底提供举升。如在此说明书及所附权利要求书中所用的，用语“实质上没有举升”意味所述推动器不能够单独将衬底抬高离开气体缓板70或气体分配板30。所述推动器175可独立移动或以群组式移动。此外，推动器可沿着气体分配板的平面以及垂直于所述平面移动。可取决于用途而变化推动器的放置方式。
图4中所示的推动器将能够将衬底从左边移动至右边，但不能从右边移动到左边。因此，第二组推动器(图中未示)可接合衬底并且将所述衬底从右边推至左边。此外，所述推动器能够重新定位，使得所述衬底可由右边移动至左边。其它实施例中，推动器以这样一种方式分布在衬底周围：衬底往左与往右的移动都是可能的，而无须重置推动器。虽然图4中图示三个推动器175，但应了解可运用任何数目的推动器175。详细实施例中，所述系统包括至少两个推动器。在特定实施例中，所述系统具有三个推动器或四个推动器。所述推动器可由任何适合的材料制做，所述材料能够安全地接触衬底或可具有安全接触的涂层。在详细实施例中，所述推动器配置成推动及/或旋转衬底。
系统100的替代性配置方式图标于图5A与图5B。处理腔室20至少是安装在可延伸的脚架300上。在使用可延伸脚架300以驱动衬底移动的实施例中，气体缓冲板70中的多个开口71可维持在固定位置，但也可变动以包括额外对衬底的位置控制。在图5A中，脚架300可具有相等的高度，使得腔室内的衬底将维持在实质上固定的位置。在图5B中，图示脚架300位在不同高度，使得处理腔室20倾斜。在此位置，重力将会驱动衬底60移动穿过腔室。脚架300可以是例如气动式或液压式，且可在处理期间受到调整，以使衬底移动得更快或更慢以及在腔室内来回移动。图5A与图5B所示的实施例与图1所示的处理走向一致。然而，应了解此相同配置方式可与图2的反转走向一并使用。
在又一实施例中，系统100可配置成处理多个衬底。在这样的实施例中，系统100可包括第二装载闭锁室(设置在装载闭锁室10的相对端)以及多个衬底60。衬底60可被递送到装载闭锁室10并且从第二装载闭锁室抽回。
虽然图中图标的系统具有单一衬底，应了解，可处理多个衬底。例如，当气体分配板30与气体缓冲板70大得足以在单程(single pass)中处理衬底时，可使多个衬底列队，使得同时在腔室中有多个衬底。
一个或多个实施例中，至少一个辐射热源(图中未示)经定位以加热衬底的第二侧。辐射热源大体上定位在气体缓冲板70与衬底相对的侧面上。这些实施例中，气体缓冲板是由容许至少一些来自辐射热源的光线穿透的材料制成。例如，气体缓冲板可以由石英制成，使得来自可见光源的辐射能得以穿过所述板并且接触衬底的背侧，且使衬底的温度增加。
一些实施例中，系统100进一步包括基座65以搭载衬底60。大体上，基座65是帮助遍及衬底上形成均匀温度的载具。基座65可在装载闭锁室10与处理腔室20之间双向移动(双向为相对于图1排列方式的由左至右以及由右至左)。基座具有用于搭载衬底60的顶部表面以及面向气体缓冲板70的第二表面。这些实施例中，气体缓冲板70配置成在基座65下方建立气体缓冲72，此气体缓冲72足以在气体缓冲板70上方抬高基座65以及衬底60。基座65可以是被加热的基座，使得可加热衬底60以供处理。作为示例，基座65可由加热灯、加热板、电阻式线圈或其它加热装置加热，前述加热装置设置在基座65下方。
在另外的实施例中，基座65的顶部表面包括凹部66，所述凹部66配置成接受衬底60，如图6所示。基座65大体上比衬底的厚度还厚，使得在衬底下方有基座材料。在详细实施例中，凹部66经配置以使得当衬底60设置在凹部内时，衬底60的顶部表面与基座65的顶部表面67等高。有所差异的是，一些实施例的凹部66经配置以使得当衬底60设置在凹部内时，衬底60的第一表面61不突出于基座65的顶部表面67上方。
当基座65纳入系统中，可能需要额外的支撑件处理基座65的重量。详细实施例中，增加气体缓冲板70的面积，以确保整个基座由气体缓冲所支撑。一些实施例中，系统包括侧支撑件，所述侧支撑件可提供基座除了气体缓冲之外的一些支撑。详细实施例中，衬底坐落于基座的通孔中，所述通孔使基座得以充当推动器175。
虽然在此已经参考特定实施例描述了本发明，应了解，这些实施例仅是说明本发明的原理与应用。对于本领域技术人员而言，将明了可针对本发明的方法与设备制做各种修改与变化，然而这些修改与变化不可背离本发明的精神与范围。因此申请人希望本发明包括落在所附权利要求书的范围内的修改型式与变化型式以及所述修改型式与变化型式的等效物。

Claims (15)

1.一种原子层沉积系统，包含：
处理腔室，配置成沉积材料于衬底上；
气体分配板，定位在所述处理腔室内，面向所述衬底的第一表面；以及
气体缓冲板，经定位以面向所述衬底的第二表面，所述气体缓冲板包含多个开口，所述多个开口配置成在所述气体缓冲板与所述衬底之间建立气体缓冲，使得所述衬底不会接触所述气体缓冲板，且所述多个开口配置成使所述衬底移动穿过所述处理腔室。
2.如权利要求1所述的原子层沉积系统，其特征在于，所述气体缓冲板位在所述气体分配板下方，且所述气体缓冲板在所述气体缓冲板上方建立气体缓冲。
3.如权利要求1所述的原子层沉积系统，其特征在于，所述气体缓冲板位在所述气体分配板上方，且所述气体缓冲板在所述气体缓冲板下方建立气体缓冲。
4.如前述权利要求中的任一项所述的原子层沉积系统，其特征在于，进一步包含基座，所述基座具有顶部表面以及底部表面，所述顶部表面搭载所述衬底，所述底部表面面向所述气体缓冲板，所述气体缓冲板配置成建立足以抬高所述基座与所述衬底的气体缓冲。
5.如权利要求4所述的原子层沉积系统，其特征在于，所述基座的所述顶部表面具有凹部，所述凹部配置成接受所述衬底。
6.如权利要求5所述的原子层沉积系统，其特征在于，所述衬底的所述第一表面大约与所述基座的所述顶部表面等高。
7.如前述权利要求中的任一项所述的原子层沉积系统，其特征在于，所述多个开口包含多个喷嘴。
8.如权利要求7所述的原子层沉积系统，其特征在于，可倾斜所述多个喷嘴以使所述衬底沿所述气体缓冲移动。
9.如前述权利要求中的任一项所述的原子层沉积系统，其特征在于，进一步包含气体源，所述气体源与所述气体缓冲板流体连通，所述气体源适于提供足够压力的气流，使得在所述气体缓冲板上方的所述衬底不会接触所述气体缓冲板。
10.一种处理衬底的方法，所述方法包含：
将具有第一表面与第二表面的所述衬底设置在处理腔室中位于邻近气体分配板处，所述气体分配板界定所述衬底的所述第一表面与所述气体分配板之间的工艺间隙，所述衬底的所述第二表面邻近气体缓冲板；以及
将气体缓冲建立在所述衬底与所述气体缓冲板之间。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述气体缓冲是建立在所述气体缓冲板上方，并且所述气体缓冲足以使所述衬底在所述气体缓冲板上方被抬高。
12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含改变所述气体缓冲以使所述衬底沿着所述气体缓冲板移动。
13.如权利要求10-12中的任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底设置在基座上，并且所述气体缓冲是建立在所述基座下方，所述气体缓冲足以使所述基座与所述衬底在所述气体缓冲板上方被抬高。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述衬底设置在所述基座的凹部中，使得所述衬底的所述第一表面不会突出于所述基座的顶部表面上方。
15.如权利要求10-14中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含倾斜所述处理腔室，以使所述衬底在所述处理腔室内移动。
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