KR200327634Y1 - 원자층 증착 장치 - Google Patents
원자층 증착 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200327634Y1 KR200327634Y1 KR20-2003-0019068U KR20030019068U KR200327634Y1 KR 200327634 Y1 KR200327634 Y1 KR 200327634Y1 KR 20030019068 U KR20030019068 U KR 20030019068U KR 200327634 Y1 KR200327634 Y1 KR 200327634Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- atomic layer
- layer deposition
- group
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 고안은 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition)을 적용시킨 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 기대와, 이 기대 상의 기판의 일면으로 기체를 토출시키기 위한 세공군에 의해 상기 기판을 상기 기대 상에서 부상/이송시키는 기체 토출 수단을 구비한 원자층 증착 장치에 있어서, 제 1 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 1 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군, 제 1 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군, 제 2 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 2 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군 및 제 2 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군의 순서로 이루어진 조합이 상기 기대에서 상기 기판의 이송 방향을 따라 반복 배열된 것을 특징으로 하여, 기판을 기대 상에 부양시킨 상태에서 원자층 증착이 실시되게 하여, 종래 기술에서의 기판의 안착지지에 의거한 지지대의 온도편차에 따른 원자층의 균일도 저하를 저지하는 동시에, 반응 가스 및 퍼징 가스의 토출 영역을 기판이 순차적으로 통과하는 방법을 채택하여 효율적이고도 신속하게 박막을 형성시킬 수 있는 효과를 가진다.
Description
본 고안은 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition)을 적용시킨 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 효율적으로 기판에 박막을 증착시키는 박막 증착 공정을 구현하는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
최근에는 반도체 메모리 소자가 점점 미세화 되면서 미세 패턴의 요철에 대한 균일한 박막의 성장기술, 즉 기체 상태의 박막용 물질을 기판 상에 증착시킴으로써, 소정의 막을 형성시키는 기술에 주목하고 있으며, 이러한 방법으로는 크게 스퍼터링법(sputtering), 화학 기상 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition) 등으로 대별된다.
상기 스퍼터링(sputtering)법은 고전압이 인가된 진공 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 주입시켜 불활성 가스인 아르곤을 플라즈마(plasma) 상태로 만든 후, 아르곤 가스 이온이 타켓(target) 표면층으로 날아들어 타겟 표면층과 서로 충돌해 그 충격으로 인한 타겟 입자를 기판 상으로 튕겨내어 증착시키는 방법이다.
이러한 스퍼터링법은 박막의 순도와 접착력의 관점에서는 유리한 방법이지만, 요철의 형태로 단차가 형성된 패턴, 특히 단차가 낮은 요부에 증착되는 박막의 두께가 얇아져 균일성을 확보하기가 어려우므로 미세한 패턴에서의 응용은 매우 제한적이다.
상기 화학 기상 증착법에 의한 박막 증착은 가장 보편화된 기술로서 기체, 즉 가스의 분해와 반응을 이용하여 기판 위에 원하는 막을 원하는 두께만큼 증착시키는 공정으로서, 여러 가지의 기체를 주입한 후, 이 기체에 열, 빛, 플라즈마와 같은 에너지를 이용하여 기체들의 화학반응을 유도함으로써 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착시키는 방법이다. 이러한 화학 기상 증착법은 반응 에너지를 공급하는 열, 빛, 플라즈마 등을 제어하거나, 기체의 양과 비율 등을 제어하여 빠른 반응 속도로 증착 공정이 이루어질 수 있다.
그러나, 이러한 반응 속도는 일반적으로 매우 빠르게 진행되기 때문에 원자들의 열역학적 안정성을 제어하는데 어려움이 있다. 또한, 이와 같은 방법은 박막의 물리적, 화학적, 전기적 성질이 저하되고, 상기 스퍼터링법의 설명에서 지적한 바와 같이 미세한 요철에서의 박막의 균일성을 확보하기가 어렵다.
한편, 상기 원자층 증착법은 가스 펄싱(gas pulsing) 방법을 도입하여 단 원자층의 박막을 교대로 증착시키는 것으로, 최근에 반도체 소자의 집적도 증가에 따른 높은 종횡비(Aspect Ratio)와 요철에서의 박막의 균일도, 그리고 우수한 전기적, 물리적 성질을 가지는 박막 형성의 요구에 부응하여 적용되고 있다. 여기서 가스 펄싱 방법은 반응 가스와 퍼징(purging) 가스가 교대로 공급되는 방식을 의미한다. 이와 함께, 원자층 증착법을 이용한 박막 형성 방법은 증착된 박막 내의 잔류 불순물이 적고, 200Å 미만의 박막을 증착시킬 때에도 두께 조절이 용이하다는 장점을 갖고 있다.
상술한 바와 같은 원자층 증착법을 적용시킨 종래의 원자층 증착 장치의 예들을 도 1 및 도 2를 참조하여 후술한다.
도 1을 참조하면, 종래의 원자층 증착 장치의 일례는 진공 챔버(10)와, 상기 진공 챔버(10) 내에 위치되는 기판(13)을 박막 증착 시에 적용되는 적정 온도로 가열하기 위한 히터(11)가 구비되고, 상기 히터(11)의 상면에는 도시되지 않은 기판 홀더(holder)에 한 장의 기판(13)이 안착되어 있으며, 상기 기판(13)은 상기 히터(11)에 의해 균일한 온도분포를 가지게 된다. 그리고, 상기 진공 챔버(10) 내에는 기판(13)의 상면에 대응하여 소정의 반응 가스가 기판(13)으로 토출되게 하는 샤워 헤드(15)가 설치되어 있다.
이와 같은 원자층 증착 장치에서는, 소정의 반응 가스가 샤워 헤드(15)를 통해 적정온도 내의 진공 챔버(10)로 유입되고, 상기 진공 챔버(10) 내로 유입된 상기 반응 가스는 기판(13) 상에 미세한 패턴의 박막으로 증착된다. 또한, 증착 후의 잔여 가스는 교대로 유입되는 퍼징 가스에 의해 퍼지되어 외부로 배출된다.
도 2를 참조하면, 종래의 원자층 증착 장치의 다른 예는 진공 챔버(20)와 상기 진공 챔버(20) 내에 설치되는 반응기(20a)를 구비한다. 상기 반응기(20a)는 그 상부가 개폐되게 설치되며, 상기 반응기(20a)의 상하부에는 도 1에서와 같은 기능을 가지는 히팅 부재(21)가 설치되어 있다. 그리고, 상기 반응기(20a) 내에는 한 장의 기판(23)이 안착 지지되어 있으며, 상기 기판(23)은 상기 히팅 부재(21)에 의해 균일한 온도 분포를 가지게 된다.
이러한 원자층 증착 장치는 소정의 반응 가스가 반응기(20a)의 가스 주입구(25)를 통해 반응기(20a) 내부로 주입되고, 주입된 반응 가스는 기판(23) 상에 박막으로 증착된다. 이후에, 증착되고 남은 반응 가스는 교대로 주입되는 퍼징 가스에 의해 퍼지되어 반응기(20a)의 가스 배출구(26)를 통해서 외부로 배출된다.
그러나, 이와 같은 원자층 증착 장치의 예들은, 기판의 안착지지에 의거한 지지대의 온도편차에 기인하여, 박막의 종횡비 저하와 고속의 박막 증착이 어려울 뿐만 아니라 원자층 제어가 불가능해 요철에서의 균일도가 저감되는 등의 단점 때문에 크게 상용화되지는 못하고 있다.
따라서, 본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 본 고안의 목적은, 기판을 기대 상에 부양시킨 상태에서 원자층 증착을 수행함으로써, 기판의 안착지지에 의거한 지지대의 온도편차에 따른 원자층의 균일도 저하를 저지할 수 있음과 아울러, 순차적인 반응 가스의 분사를 통해 고속으로 박막을 증착시킬 수 있도록 한 원자층 증착 장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 원자층 증착 장치의 일례를 개략적으로 도시한 입면도,
도 2는 종래의 원자층 증착 장치의 다른 예를 개략적으로 도시한 입면도,
도 3은 본 고안에 따른 원자층 증착 장치를 도시한 모식적인 단면도,
도 4는 본 고안에 따른 원자층 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도,
도 5는 본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 작용을 나타내는 그래프.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 원자층 증착 장치 101 : 기대
103 : 유량계 105 : 제어 밸브
107 : 콤프레서(compressor) 111 : 챔버(chamber)부
상기 목적을 실현하기 위하여 본 고안은, 기대와, 이 기대 상의 기판의 일면으로 기체를 토출시키기 위한 세공군에 의해 상기 기판을 상기 기대 상에서 부상/이송시키는 기체 토출 수단을 구비한 원자층 증착 장치에 있어서, 제 1 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 1 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군, 제 1 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군, 제 2 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 2 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군 및 제 2 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군의 순서로 이루어진 조합이 상기 기대에서 상기 기판의 이송 방향을 따라 반복 배열된 것을 특징으로 하고,
상기 반응 가스 및 퍼징 가스용 세공군들의 각각은 적어도 2열 이상이 한 조를 이루는 것을 특징으로 하며,
상기 반응 가스 및 퍼징 가스 토출 수단은 상기 기대 하부에 마련되는 챔버, 이 챔버와 관로로 연결되는 유량계와 제어 밸브의 각각이 콤프레서에 연결되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하에서는, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 작용을 나타내도록 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 5는 본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 작용을 그래프로 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 참조 번호 33은 기판, 101은 기대, 103은 유량계, 105는 제어 밸브, 107은 콤프레서, 111은 기판 이송 및 부상용 세공군을 위한 주챔버부, 1003은 가열실, 1004는 가열 수단, 1005는 광, 1006은 열전대, 1007은 온조기, 1008은 방사 온도계, 1009는 디스플레이 장치, 1010은 가스 공급구, 1014는 배기구이다.
이와 같은 구성의 원자층 증착 장치는, 상술한 기대(101) 상에 가열실(1003)을 구획 형성시킨 것이다. 상기 가열실(1003)의 저부에는, 상기 기대(101)의 세공군들로부터 토출되는 가스를 일면에 받아 부상 및 이송되는 기판(33)이 위치된다. 또한, 적외선 램프를 포함하는 가열 수단(1004)이 상기 기판(33)의 표면과 마주하여 배치되어서, 상기 가열 수단(1004)으로부터 발생되는 광(1005)을 상기 기판(33)에 조사하는 것으로, 상기 기판(33)을 가열 처리한다. 따라서, 박막 형성 시의 기판(33)은 가스 이외의 무엇과도 비접촉된 상태에서, 부상 및 이송되는 것이 가능하다.
또한, 상기 부상 및 이송용 세공군(101a)에 의해 부상된 상태의 기판의 하면에 대하여, 기판(33)의 이송 거리가 증가함에 따라 A 반응 가스, 퍼징 가스, B 반응 가스, 퍼징 가스의 순서로 상기 기판(33)에 가스가 공급되는 일련의 과정이 반복되도록 반응 가스 및 퍼징 가스 토출 수단이 마련되어 있다.
본원에 의한 반응 가스 및 퍼징 가스 토출 수단은, 제 1 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 1 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군(A)과, 제 1 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군과(P), 제 2 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 2 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군(B), 및 제 2 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군(P)이 순서적으로 기판의 이송 방향을 따라 단일 또는 반복 배열되어 구성되어 있다.
또한, 상기 반응 가스 및 퍼징 가스용 세공군(A, B 및 C)들의 각각은 1열로 구성됨이 바람직하지만, 적어도 2열 이상이 한 조를 이루도록 배치하면, 원자층 증착 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
또, 상기 반응 가스 및 퍼징 가스 토출 수단은 상기 기대(101) 하부에 기판 부상 및 이송용 세공군의 주위에 마련되는 주챔버(MP)와 이 주챔버(MP) 내에 마련되는 챔버(P), 이 챔버와 관로로 연결되는 유량계와 제어 밸브의 각각이 콤프레서에 연결되어 구성되도록 함이 바람직하다.
본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 작용을 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
원자층 증착법에 의해 박막을 형성시키고자 하는 기판(33)으로, 기대(101)에 형성된 부상 및 이송용 세공군(101a)을 통해 기체를 토출시킴으로써, 상기 기판(33)이 소정 방향(화살표)을 따라 이송되어, 상기 기판(33)이 A 가스를 토출시키는 적어도 2열 이상의 세공군들이 배열된 기대 상부를 통과할 때에, 상기기판(33)의 일면에는 상기 A 가스의 반응으로 인하여 제 1 원자층이 흡착 형성된다.
다음으로, 상기 A 가스 토출 영역을 통과한 기판(33)은 적어도 2열 이상의 퍼징 가스 토출 세공군들(P)이 배열된 기대 상부를 통과하면서 퍼징 처리된다.
그 후에, 상기 기판(33)은 B 가스를 토출시키는 적어도 2열 이상의 세공군들이 배열된 기대 상부를 통과하면서, 그 일면에 상기 B 가스의 반응으로 인한 제 2 원자층이 흡착 형성되며, 다시 적어도 2열 이상의 퍼징 가스 토출 세공군들(P)이 형성된 기대 상부를 통과하면서 퍼징 처리되는 일련의 과정이 반복되면서 원자층 증착 공정이 실시된다.
여기에서, 상기 각각의 세공군(A, P, B)은 상기 기대(101) 하부의 주챔버부(111) 내에 일정 간격을 두고 배치된 다수의 부챔버(111a)와 각각 연통되고 이 부챔버(111a)들은 각각 유량계(103) 및 제어 밸브(105)와 관로로 연결되며, 이 모두는 콤프레서(107)와 연결됨으로써 각각의 가스 공급 제어가 이루어질 수 있다.
도 5는 본 고안에 따른 원자층 증착 장치의 작용을 그래프로 나타낸 것으로서, 기판(33)의 이송 거리가 증가함에 따라 A 가스, 퍼징 가스, B 가스, 퍼징 가스의 순서로 상기 기판(33)에 가스가 공급되는 일련의 과정이 반복됨으로써 본 고안에 따라 원자층 증착 공정이 실시됨을 나타내고 있다.
상기에서 상세하게 설명한 바와 같이, 본 고안은 기판을 기대 상에 부양시킨상태에서 원자층 증착이 실시되게 하여, 종래 기술에서의 기판의 안착지지에 의거한 지지대의 온도편차에 따른 원자층의 균일도 저하를 저지하는 동시에, 반응 가스 및 퍼징 가스의 토출 영역을 기판이 순차적으로 통과하는 방법을 채택하여 효율적이고도 신속하게 박막을 형성시킬 수 있는 효과를 가진다.
상기에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 고안은 상기에 설명된 실시예에 한정되지 않으며, 본 고안의 기술적 사상 및 하기의 청구 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다.
Claims (3)
- 기대와, 이 기대 상의 기판의 일면으로 기체를 토출시키기 위한 세공군에 의해 상기 기판을 상기 기대 상에서 부상/이송시키는 기체 토출 수단을 구비한 원자층 증착 장치에 있어서,제 1 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 1 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군,제 1 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군,제 2 원자층이 상기 기판 상에 증착되도록, 제 2 반응 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군, 및제 2 퍼징 가스를 상기 기판에 공급하기 위한 세공군의 순서로 이루어진 조합이 상기 기대에서 상기 기판의 이송 방향을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반응 가스 및 퍼징 가스용 세공군들의 각각은 적어도 2열 이상이 한 조를 이루는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반응 가스 및 퍼징 가스 세공군들은 상기 기대 하부에 마련되는 부챔버와, 이 부챔버와 관로로 연결되는 유량계와 제어 밸브의 각각이 콤프레서에 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2003-0019068U KR200327634Y1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 원자층 증착 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2003-0019068U KR200327634Y1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 원자층 증착 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200327634Y1 true KR200327634Y1 (ko) | 2003-09-26 |
Family
ID=49338556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20-2003-0019068U KR200327634Y1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 원자층 증착 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200327634Y1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101559629B1 (ko) | 2013-12-09 | 2015-10-13 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 원자층 증착장치 |
| KR20160106993A (ko) * | 2015-03-03 | 2016-09-13 | 주식회사 엘지화학 | 막 형성 장치 |
-
2003
- 2003-06-17 KR KR20-2003-0019068U patent/KR200327634Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101559629B1 (ko) | 2013-12-09 | 2015-10-13 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 원자층 증착장치 |
| KR20160106993A (ko) * | 2015-03-03 | 2016-09-13 | 주식회사 엘지화학 | 막 형성 장치 |
| KR101667139B1 (ko) | 2015-03-03 | 2016-10-24 | 주식회사 엘지화학 | 막 형성 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10814349B2 (en) | Vapor phase deposition of organic films | |
| EP2249379B1 (en) | Batch-type atomic layer vapour-deposition device | |
| JP2930960B2 (ja) | 大気圧化学蒸着装置および方法 | |
| US7410668B2 (en) | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions | |
| US6042652A (en) | Atomic layer deposition apparatus for depositing atomic layer on multiple substrates | |
| US20050116064A1 (en) | Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces | |
| US20080029028A1 (en) | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers | |
| US20120225206A1 (en) | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition | |
| US6818249B2 (en) | Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces | |
| KR20130055623A (ko) | 선형 회분식 화학 기상 증착 시스템 | |
| JP2005539146A (ja) | 原子層蒸着方法及び原子層蒸着装置 | |
| US20110262641A1 (en) | Inline chemical vapor deposition system | |
| US3598082A (en) | Continuous epitaxial deposition system | |
| WO2012120991A1 (ja) | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 | |
| KR101028407B1 (ko) | 원자층 증착장치 | |
| KR200327634Y1 (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| KR20080035735A (ko) | 플라즈마 화학기상증착설비 | |
| KR100935289B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR20220098816A (ko) | 배면 보우 보상 증착의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 제어 | |
| US11976362B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR101628786B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 | |
| KR101570227B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 | |
| KR101141069B1 (ko) | 배치형 원자층 증착 장치 | |
| KR20060127541A (ko) | 급속 열처리 방식의 원자층 증착장치 및 이를 이용한박막형성 방법 | |
| EP0757117B1 (en) | Method and apparatus for deposition of material on a semiconductor wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120903 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Expiration of term |