CN103235674B - 电容式触摸屏及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种电容式触摸屏，包括：玻璃基板，包括第一、第二表面；由氧化铟锡构成的感应层，设置在第一表面上，包括多个间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，其厚度为感应层与玻璃基板的颜色相同；由氧化铟锡构成的搭桥层，电连接相邻的第二感应块，搭桥层与第一感应块之间设有第一绝缘层，搭桥层厚度为搭桥层与玻璃基板的颜色相同；第二绝缘层，设置在搭桥层和第二感应块上；第一引线和第二引线，设置在第一表面的边缘，分别与感应层、搭桥层相连；由二氧化硅构成的保护层，其厚度为上述电容式触摸屏在蚀刻时的出现的鬼影很少，透光率较高。还提供该电容式触摸屏的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电容式触摸屏，特别是涉及一种电容触摸屏及其制备方法。
背景技术
电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。电容式触摸屏的主要组成部分是基板、基板上沉积的氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)透明电极膜、基板上沉积的金属引线电极层膜、覆盖ITO透明电极和金属引线电极层的二氧化硅膜、以及覆盖二氧化硅膜的透明树脂膜。
经过几年的发展，电容式触摸屏的制备流程和工艺也逐步成熟。从双面双层到单面双层，从有玻璃对玻璃结构(G+G)，玻璃对膜结构(G+F)到一体化电容式触摸屏(oneglasssolution,OGS)。目前，OGS触摸屏由于从结构中省去了一片玻璃，降低了生产的成本，具有轻、薄、透光率好的优点，从而使其成为电容式触摸屏的主流。然而，传统的制备OGS触摸屏主要以金属桥式结构为主，容易出现鬼影造成透光率偏低的现象。
发明内容
基于此，有必要提供一种透光率较高的电容触摸屏及其制备方法。
一种电容式触摸屏，包括：
玻璃基板，包括第一表面和第二表面；
由氧化铟锡构成的感应层，设置在所述第一表面上，包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；
由氧化铟锡构成的搭桥层，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层与所述第一感应块之间设有第一绝缘层，所述搭桥层的厚度为所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同；
第二绝缘层，设置在所述搭桥层和第二感应块上；
第一引线和第二引线，设置在所述第一表面的边缘，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及
由二氧化硅构成的保护层，设置在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上，所述保护层的厚度为
在其中一个实施例中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为有机颗粒碳、光学透明胶或无影胶。
一种电容式触摸屏的制备方法，包括：
提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面和第二表面；
采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到感应层，所述感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；
在所述第一感应块周围涂布透明绝缘材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层；
采用真空磁控溅射在所述感应层上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，所述搭桥层的厚度为相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同，所述第一绝缘层设置在所述搭桥层与所述第一感应块之间，所述第二绝缘层设置在所述搭桥层和第二感应块上；
采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及
采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和所述第二引线上制备二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层的厚度为
在其中一个实施例中，在采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡之前还包括：采用水洗、碱洗、二流体喷淋、超纯水喷淋和超纯水高压喷淋对所述第一表面和第二表面进行清洗。
在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间10s～15s。
在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述绝缘图案层上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间为10s～15s。
在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属的溅射温度为35℃～50℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上制备二氧化硅保护层的溅射温度为75～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
在其中一个实施例中，还包括：采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡，得到保护层，所述保护层的厚度为
在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
上述电容触摸屏及其制备方法中，采用真空磁控溅射法在玻璃基板形成感应层和搭桥层，在感应层和搭桥层之间涂布透明绝缘材料绝缘。由于形成感应通道的感应层和搭桥层的材料均为氧化铟锡，且当感应层和搭桥层均与玻璃基板的颜色相同，经试验证明，其在蚀刻时出现的鬼影较少，得到的电容式触摸屏的透光率较高。
附图说明
图1为一实施方式的电容触摸屏的结构示意图；
图2为一实施方式的电容触摸屏的制备方法流程图。
具体实施方式
下面结合实施方式及附图，对电容触摸屏及其制备方法作进一步的详细说明。
请参阅图1，一实施方式的电容触摸屏100包括玻璃基板10、感应层20、第一绝缘层30、第二绝缘层32、搭桥层40、第一引线50和第二引线52和二氧化硅保护层60。
玻璃基板10包括第一表面110和第二表面120。
感应层20设置在所述第一表面110上。感应层20包括多个相互间隔绝缘的第一感应块210和第二感应块220。感应层20的厚度为感应层20的材质为氧化铟锡。感应层20与玻璃基板的颜色相同，颜色非常接近也可以看作颜色相同。
第一绝缘层30设置在第一感应块210和搭桥层40之间。第二绝缘层32设置在搭桥层40和第二感应块220上。本实施例中，第一绝缘层30和第二绝缘层32的材质可以为有机颗粒碳(ParticulateOrganicCarbon，POC)、光学透明胶(OpticalClearAdhesive,OCA)或无影胶，也称UV(UltravioletRays)胶，优选为有机颗粒碳。有机颗粒碳具备良好的绝缘特性及与极佳的附着性，并具有良好的表面硬度，可以较好地避免在制备过程中产生表面刮伤。
搭桥层40由氧化铟锡构成，跨设在相邻的第二感应块220上，即每相邻的两个第二感应块220通过搭桥层40电连接。搭桥层40与第一感应块210之间通过第一绝缘层30隔离。搭桥层40和第二感应块220连通，并与第一感应块210相互间隔形成XY方向的感应通道。搭桥层40的颜色与玻璃基板10的颜色相同，颜色非常接近也可以看作颜色相同。搭桥层40的厚度为
第一引线50和第二引线52设置在第一表面110的边缘，第一引线50与感应层20相连，第二引线52与搭桥层40相连。在其他实施例中，也可以第一引线50与搭桥层40相连，第二引线52与感应层20相连。其中第一引线50和第二引线52的材质为金属材料，优选为钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)。
二氧化硅保护层60设置在第二绝缘层32、搭桥层40、第一引线50和第二引线52上，二氧化硅保护层60的厚度为
二氧化硅保护层60可以防止在玻璃基板在使用过程中析出碱成分，引起感应层和搭桥层的特性变化。
在其他实施例中，电容触摸屏100还包括设置在第二表面120的保护层70。
保护层70可以在生产过程中起防静电，刮伤、划伤作用。保护层70的材质为氧化铟锡。保护层70的厚度为
上述电容触摸屏的感应层和搭桥层的材料均为氧化铟锡，由于感应层、搭桥层均与玻璃基板的颜色相同，在蚀刻时的出现的鬼影很少，提高了电容式触摸屏的透光率。该电容式触摸屏透光率为84.9％～86.9％，且附着力较好，更进一步地，当第一绝缘层和第二绝缘层的材质为有机颗粒碳时，第一绝缘层和第二绝缘层具备良好的绝缘特性，并具有良好的表面硬度，可以避免在制备过程中产生表面刮伤。
请参阅图2，一实施方式的电容触摸屏的制备方法，包括如下步骤：
S101、提供玻璃基板，玻璃基板包括第一表面和第二表面。
S102、采用真空磁控溅射在第一表面上溅镀氧化铟锡，感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，感应层的厚度为感应层与玻璃基板的颜色相同。经检测，其综合性能较好。
本实施例中，采用真空磁控溅射，溅射温度为350℃～400℃的条件下，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，通过6靶相连的溅射方法溅镀氧化铟锡，获得氧化铟锡膜层。然后通过曝光、显影、蚀刻出的需要的ITO图案，得到感应层，感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块。其中蚀刻时间为90s～120s。经试验证明，时间过短达不到效果，蚀刻不干净；时间过长会损害感应层。经检测，感应层的电阻为18Ω/□～25Ω/□，在该电阻范围感应层的综合性能较好。感应层的附着力大于或等于5B，附着力较好，已经达到工业要求。
在其他实施例中，在真空磁控溅射在第一表面上溅镀氧化铟锡之前还包括清洗并干燥第一表面和第二表面的步骤。
本实施例中，使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、二流体(空气和水，BJ)喷淋、超纯水(DI)喷淋、高压喷淋清洗。其中清洗速度为3.5m/s，清洗温度为20℃～25℃，清洗压力为0.7kg/cm2～1.2kg/cm2。该清洗过程将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板。在射灯下面按照检验标准进行检验玻璃基板的表面质量，已合格。通过对玻璃基板的彻底清洗，使得感应层和搭桥层能直接和玻璃基板接触，范德瓦尔力大大增强，同时，还在一定程度上增加玻璃基板表面的微观粗糙度，因此感应层和搭桥层能很好地附着在玻璃基板上。
S103、第一感应块周围涂布透明绝缘材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
本实施例中，第一绝缘层和第二绝缘层的材料可以为有机颗粒碳、光学透明胶或无影胶。有机颗粒碳具备良好的绝缘特性及与极佳的附着性，并具有良好的表面硬度，可以避免在制备过程中产生表面刮伤。其中经蚀刻后的绝缘图案层的未填充透明绝缘材料的区域形成搭桥状。
S104、采用真空磁控溅射在感应层上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，其中，相邻的第二感应块通过搭桥层电连接，搭桥层的颜色与玻璃基板的颜色相同，搭桥层的厚度为第一绝缘层设置在搭桥层与第一感应块之间，第二绝缘层设置在搭桥层和第二感应块上。
本实施例中，采用真空磁控溅射，在温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s条件下，通过6靶相连溅射氧化铟锡，获得氧化铟锡膜层。其中溅射时间为10s～15s。然后通过曝光、显影、蚀刻出的需要的ITO图案，得到搭桥层。其中蚀刻时间为80～100s。经检测，搭桥层的电阻为24Ω/□～30Ω/□。搭桥层的附着力大于或等于5B，附着力较好，已经达到工业要求。
S105、采用真空磁控溅射在第一表面的边缘溅镀金属，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。
本实施例中，采用真空磁控溅射在第一表面的边缘溅镀金属的溅射温度为35℃～50℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。金属优选为钼/铝/钼。
该步骤可以在搭桥层制备完成后进行，将在玻璃基材的第一表面的边缘上的感应层、绝缘图案层和搭桥层去除，然后采用真空磁控溅射在该边缘上溅镀钼/铝/钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，其中，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。在其他实施例中，该步骤也可以制备感应层之前进行，先在第一表面的边缘上采用真空磁控溅射在基板的第一表面的边缘溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，然后再制备感应层和搭桥层，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。
S106、采用真空磁控溅射在第二绝缘层、搭桥层、第一引线和第二引线上制备二氧化硅保护层，二氧化硅保护层的厚度为
本实施例中，真空磁控溅射的溅射温度为75℃～90℃，溅射的速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。二氧化硅保护层的电阻为500Ω/□～600Ω/□。通过覆盖二氧化硅保护层，防止在玻璃基板在使用过程中析出碱成分，引起感应层和搭桥层的特性变化。
上述制备方法中，还可以进一步包括：采用真空磁控溅射在玻璃基板的第二表面溅镀氧化铟锡，得到保护层，保护层的厚度为其中，采用真空磁控溅射在第二表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。保护层可以在生产过程中起防静电，刮伤、划伤作用。
上述电容触摸屏的制备方法，采用真空磁控溅射法在基板形成感应层和搭桥层，在感应层和搭桥层之间涂布透明绝缘材料，形成相互绝缘的感应通道。形成感应通道的感应层和搭桥层的材料均为氧化铟锡，氧化铟锡和玻璃基板的颜色相同，且感应层和搭桥层的厚度较薄，在蚀刻时的出现的鬼影很少，提高了电容式触摸屏的透光率。该电容式触摸屏透光率为84.9％～86.9％。同时，在溅镀氧化铟锡之前，对玻璃基材进行了清洗，使得氧化铟锡在玻璃基板上的附着力较好，感应层和搭桥层的附着力均等于或大于5B，达到工业要求。
以下结合具体实施例对进行说明。
实施例1
(1)、使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋清洗，清洗速度为3.5m/s，清洗温度为20℃，清洗压力为0.7kg/cm2，将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板，包括第一表面和第二表面。
(2)、在溅射温度为350℃，溅射速度为0.9m/s，真空度为2*10-2，通过6靶相连在玻璃基板的第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为10s，然后曝光、显影、蚀刻得到感应层，感应层的厚度为
(3)、涂布POC材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
(4)、在溅射温度为350℃，溅射速度为0.9m/s，真空度为2.2*10-2，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为10s，然后曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，搭桥层的厚度为
(5)、去除玻璃基材的第一表面的边缘上的感应层、绝缘图案层和搭桥层，边缘宽度为1mm，然后采用真空磁控溅射在该边缘上溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，其中，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。
(6)、在溅射温度为75℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为2.4*10-2，采用真空磁控溅射制备二氧化硅保护层，溅镀时间通过为8s，二氧化硅保护层的厚度为
(7)、在温度为75℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为2.1*10-2，通过6靶相连在玻璃基板的第二表面溅镀氧化铟锡，得到保护层，保护层的厚度为得到电容触摸屏。
实施例2
(1)、使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋清洗，清洗速度为3.5m/s，清洗温度为25℃，清洗压力为1.2kg/cm2，将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板，包括第一表面和第二表面。
(2)、在溅射温度为370℃，溅射速度为1.0m/s，真空度为3*10-2，通过6靶相连在玻璃基板的第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为12s，然后曝光、显影、蚀刻得到感应层，感应层的厚度为
(3)、涂布POC材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
(4)、在溅射温度为370℃，溅射速度为1.0m/s，真空度为3.2*10-2，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为12s，然后曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，搭桥层的厚度为
(5)、去除玻璃基材的第一表面的边缘上的感应层、绝缘图案层和搭桥层，边缘宽度为3mm，然后采用真空磁控溅射在该边缘上溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，其中，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。
(6)、在溅射温度为80℃，溅射速度为1.3m/s，真空度为2*10-2，采用真空磁控溅射制备二氧化硅保护层，溅镀时间通过为10s，二氧化硅保护层的厚度为
(7)、在温度为80℃，溅射速度为1.3m/s，真空度为2*10-2，通过6靶相连在玻璃基板的第二表面溅镀氧化铟锡，得到保护层，保护层的厚度为得到电容触摸屏。
实施例3
(1)、使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋清洗，清洗速度为3.5m/s，清洗温度为25℃，清洗压力为0.8kg/cm2，将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板，包括第一表面和第二表面。
(2)、在溅射温度为390℃，溅射速度为1.1m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为14s，然后曝光、显影、蚀刻得到感应层，感应层的厚度为
(3)、涂布UV胶，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
(4)、在溅射温度为390℃，溅射速度为1.1m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为14s，然后曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，搭桥层的厚度为
(5)、去除玻璃基材的第一表面的边缘上的感应层、绝缘图案层和搭桥层，边缘宽度为2mm，然后采用真空磁控溅射在该边缘上溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，其中，第一引线与感应层相连，第二引线与搭桥层相连。
(6)、在溅射温度为85℃，溅射速度为1.4m/s，真空度为1*10-3，采用真空磁控溅射制备二氧化硅保护层，溅镀时间通过为11s，二氧化硅保护层的厚度为
(7)、在温度为85℃，溅射速度为1.4m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在玻璃基板的第二表面溅镀氧化铟锡，得到保护层，保护层的厚度为得到电容触摸屏。
实施例4
(1)、使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋清洗，清洗速度为3.5m/s，清洗温度为25℃，清洗压力为1.0kg/cm2，将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板，包括第一表面和第二表面。
(2)、采用真空磁控溅射在第一表面的边缘上上溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线。
(3)、在溅射温度为400℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为15s，然后曝光、显影、蚀刻出得到感应层，感应层的厚度为感应层与第一引线相连。
(4)、涂布OCA，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
(5)、在溅射温度为400℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化铟锡，溅镀时间为15s，然后曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，搭桥层的厚度为搭桥层与第二引线相连。
(6)、在溅射温度为90℃，溅射速度为1.5m/s，真空度为1*10-3，采用真空磁控溅射制备二氧化硅保护层，溅镀时间通过为12s，二氧化硅保护层的厚度为
(7)、在温度为90℃，溅射速度为1.5m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在玻璃基板的第二表面溅镀氧化铟锡，得到保护层，保护层的厚度为得到电容触摸屏。
对比实施例
(1)、使用清洗机对玻璃基板依次进行水洗、碱洗、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋清洗，清洗速度为3.5m/s，清洗温度为25℃，清洗压力为1.2kg/cm2，将玻璃基板表面脏污及灰尘清洗干净；然后经冷风、热风干燥后得到表面干净的玻璃基板，包括第一表面和第二表面。
(2)、采用真空磁控溅射在第一表面的边缘上上溅镀钼铝钼，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线。
(3)、在溅射温度为400℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化锌铝，溅镀时间为15s，然后曝光、显影、蚀刻出得到感应层，感应层的厚度为感应层与第一引线相连。
(4)、涂布OCA，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层。
(5)、在溅射温度为400℃，溅射速度为1.2m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在第一表面上溅镀氧化锌铝，溅镀时间为15s，然后曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，搭桥层的厚度为搭桥层与第二引线相连。
(6)、在溅射温度为90℃，溅射速度为1.5m/s，真空度为1*10-3，采用真空磁控溅射制备二氧化硅保护层，溅镀时间通过为12s，二氧化硅保护层的厚度为
(7)、在温度为90℃，溅射速度为1.5m/s，真空度为1*10-3，通过6靶相连在玻璃基板的第二表面上溅镀氧化锌铝，得到保护层，保护层的厚度为得到电容触摸屏。
对实施例1～4的电容触摸屏及对比实施例的透光率和附着力进行检测，检测方法和结果如下。
采用分光光度计检测透光率：取上述电容触摸屏，切割出一块5cm*5cm大小的样品，然后将样品放入分光光度计中测量得出的透光率(以550nm波长计入标准)。
采用百格法检测附着力：采用百格刀在电容触摸屏样品上经过横划和竖划，使电容触摸屏样品上产生一百小格，然后用3M胶带附着在百格子上，然后再迅速撕扯3M胶带，用放大镜观察其膜层是否脱落。附着力为3B～5B为合格。
表1实施例1～4和对比实施例的电容触摸屏的透光率和附着力
| 实施例 | 透光率(％) | 附着力(B) |
| 实施例1 | 86.9％ | 5B |
| 实施例2 | 86.2％ | 5B |
| 实施例3 | 85.6％ | 5B |
| 实施例4 | 84.9％ | 5B |
| 对比实施例 | 69.6％ | 4B |
由上表可知，本发明的电容触摸屏的透光率较高，上述实施例的最大为86.9％，相比对比实施例，其透光率有很大的提高。且其附着力达到工业要求。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种电容式触摸屏，其特征在于，包括：
玻璃基板，包括第一表面和第二表面；
由氧化铟锡构成的感应层，设置在所述第一表面上，包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为，所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；
由氧化铟锡构成的搭桥层，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层与所述第一感应块之间设有第一绝缘层，所述搭桥层的厚度为，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同；
第二绝缘层，设置在所述搭桥层和第二感应块上；
第一引线和第二引线，设置在所述第一表面的边缘，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及
由二氧化硅构成的保护层，设置在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上，所述保护层的厚度为
2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为有机颗粒碳、光学透明胶或无影胶。
3.一种电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，包括：
提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面和第二表面；
采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到感应层，所述感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为，所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；
在所述第一感应块周围涂布透明绝缘材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层；
采用真空磁控溅射在所述感应层上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，所述搭桥层的厚度为，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同，所述第一绝缘层设置在所述搭桥层与所述第一感应块之间，所述第二绝缘层设置在所述搭桥层和第二感应块上；
采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及
采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和所述第二引线上制备二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层的厚度为
4.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，在采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡之前还包括：采用水洗、碱洗、二流体喷淋、超纯水喷淋和超纯水高压喷淋对所述第一表面和第二表面进行清洗。
5.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间10s～15s。
6.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述绝缘图案层上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间为10s～15s。
7.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属的溅射温度为35℃～50℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
8.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上制备二氧化硅保护层的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
9.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，还包括：采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡，得到保护层，所述保护层的厚度为
10.根据权利要求9所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。
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