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CN102257646A - 发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件 - Google Patents

发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件 Download PDF

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CN102257646A
CN102257646A CN2009801510988A CN200980151098A CN102257646A CN 102257646 A CN102257646 A CN 102257646A CN 2009801510988 A CN2009801510988 A CN 2009801510988A CN 200980151098 A CN200980151098 A CN 200980151098A CN 102257646 A CN102257646 A CN 102257646A
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CN
China
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luminescent device
groove part
led chip
wavelength conversion
device encapsulation
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Application number
CN2009801510988A
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English (en)
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朱诚娥
李孝珍
朴一雨
金京泰
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung LED Co Ltd
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Abstract

本发明提供发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件。发光器件封装包括：封装体，提供芯片安装区域并包括第一引线端子和第二引线端子；LED芯片，安装在芯片安装区域上并电连接到第一引线端子和第二引线端子；凹槽部分，设置在芯片安装区域中在LED芯片周围；以及波长转换部分，由包围LED芯片的含波长转换材料的树脂形成并具有由凹槽部分定义的外部形状。

Description

发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件
技术领域
本发明涉及发光器件封装，更具体地，涉及具有包括波长转换材料的树脂封装部分的波长转换发光器件封装、以及使用该发光器件封装的背光单元(BLU)、显示器件和照明器件。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换成光能的半导体器件。LED是由根据能带间隙产生特定波长的光的化合物半导体形成。LED的使用日益扩展到光通讯、移动显示器、用于计算机监视器等的显示器、用于液晶显示器(LCD)的背光单元(BLU)以及照明器件的领域。
特别地，用于照明器件的LED的发展要求高电流、高通量和均匀的光发射，从而导致对发展新设计和新工艺的需求。
常规地，为了发射白光，发光器件封装通常通过利用诸如滴涂(dispensing)的已知方法将诸如磷光体的波长转换材料和透明树脂的混合物施加在LED芯片周围来制造。在此情形下，位于LED芯片的上表面和侧表面的波长转换材料的量存在差异，从而引起从LED芯片的上表面发射的白光与从LED芯片的侧表面发射的白光之间的颜色特性诸如色温的差异。
也就是说，如图1所示，诸如色温的颜色特性的差异导致在发光期间形成称作靶心(bull’s eye)的圆形带X，从而导致在整个发光器件封装上不均匀的白光发射特性。
此外，当LED芯片安装区域具有杯状结构且树脂填充在杯状结构里面时，光路由于由诸如磷光体的波长转换材料引发的漫射(diffusion)而扩展，从而降低了光效率。
发明内容
技术问题
本发明一方面提供一种发光器件封装，该发光器件封装能通过增大其光效率并避免颜色特性诸如色温根据发光区域的差异而发射均匀白光。
本发明一方面还提供包括该发光器件封装的光源模块和背光单元。
本发明一方面还提供包括该发光器件封装的显示器件和照明器件。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供一种发光器件封装，包括：封装体，提供芯片安装区域并包括第一引线端子和第二引线端子；LED芯片，安装在芯片安装区域上并电连接到第一引线端子和第二引线端子；凹槽部分，设置在芯片安装区域中在LED芯片周围；以及波长转换部分，由包围LED芯片的含波长转换材料的树脂形成并具有由凹槽部分定义的外部形状。
波长转换材料可包括磷光体、量子点或其混合物。
磷光体可包括硅酸盐基磷光体、氧化物基磷光体、氮化物基磷光体、石榴石基磷光体、硫化物基磷光体或其组合。
量子点可包括：包括II-VI族化合物诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe和HgTe的半导体纳米晶，包括III-V族化合物诸如GaN、GaP、GaAs、InP和InAs的半导体纳米晶，或其混合物。
波长转换材料可包括磷光体和量子点的混合物。例如，波长转换材料可包括黄和绿磷光体与发红光量子点的混合物。
凹槽部分可具有圆形形状以包围LED芯片。
凹槽部分可具有与LED芯片的外部形状对应的形状。例如，当LED芯片的外部形状为多边形时，凹槽部分可具有多边形形状以包围LED芯片。
LED芯片的外部形状可以为四边形，凹槽部分可具有四边形形状以包围LED芯片。
LED芯片可安装在第一引线端子和第二引线端子之一的上表面上。在此情形下，凹槽部分可以形成在其上安装有LED芯片的引线端子的上表面中。如所需地，具有其上安装有LED芯片的引线端子可具有向下延伸的热沉。
凹槽部分可形成在封装体的除引线端子之外的表面中。
例如，封装体可包括提供芯片安装区域的陶瓷基板，凹槽部分的至少一部分可设置在陶瓷基板中。
当凹槽部分定义为第一凹槽部分时，发光器件封装还可包括第二凹槽部分，该第二凹槽部分设置在芯片安装区域中并在包围第一凹槽部分的同时与第一凹槽部分均匀地间隔开。
当沿第一凹槽部分设置的波长转换部分定义为第一波长转换部分时，发光器件封装还可包括第二波长转换部分，该第二波长转换部分设置在第一波长转换部分之上并由第二凹槽部分定义。
第一波长转换部分和第二波长转换部分可包括发射不同波长的光的不同波长转换材料。第一波长转换部分的波长转换材料可产生具有比第二波长转换部分的波长转换材料产生的光的波长短的波长。
凹槽部分可具有V形、U形或四边形形式的垂直截面。凹槽部分可通过压印或蚀刻工艺形成。
由凹槽部分包围的区域可以设定为LED芯片的区域的九倍或以下。
连接LED芯片的中心到凹槽部分的点的临时直线的长度可以设定为从LED芯片的中心至LED芯片的边缘的让该直线通过的点的LED芯片长度的三倍或以下。
波长转换部分的最大高度可设定为LED芯片的厚度的四倍或以下。
LED芯片可通过导线(wire)连接到第一引线端子和第二引线端子中的至少一个，该导线的高度可大于树脂封装部分的最大高度。
根据本发明另一方面，提供包括该发光器件封装的光源模块和背光单元。
根据本发明另一方面，提供包括该发光器件封装的显示器件和照明器件。
有益效果
根据本发明的示范性实施例，具有较均匀厚度的波长转换部分可以容易地形成在LED芯片周围而不依赖于常规的杯状结构或其它模具。具体地，凹槽部分的形状和/或尺寸以及芯片的形状和/或尺寸设定成被适当地考虑，从而保证在每个方向上光路长度最均匀并极大地提高了发光效率。
附图说明
图1是示出从根据相关技术的发光器件封装输出的光的状态的图像；
图2是侧剖视图，示出根据本发明一示范性实施例的发光器件封装；
图3是俯视平面图，示出图2的发光器件封装；
图4是局部切除透视图，示出根据本发明另一示范性实施例的发光器件封装；
图5是俯视平面图，示出图4的发光器件封装；
图6是侧剖视图，示出关于在本发明中采用的波长转换部分的形状的优选条件；
图7a和图7b是侧剖视图，示出用于形成本发明中采用的波长转换部分的凹槽部分的变型；
图8是侧剖视图，示出根据本发明另一示范性实施例的发光器件封装；
图9是示出图8的发光器件封装的俯视平面图；
图10a和10b是透视图，示出根据本发明各示范性实施例的LED光源模块；
图11a和11b是剖视图，示出根据本发明各示范性实施例的背光单元；以及
图12是分解透视图，示出根据本发明一示范性实施例的显示器件。
具体实施方式
现在将参照附图更详细地描述本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，而不应被解释为局限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开透彻和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。应考虑的是，为了说明的方便，附图中元件的形状和尺寸可被夸大或缩小。
图2是侧剖视图，示出根据本发明一示范性实施例的发光器件封装。图3是示出图2的发光器件封装的俯视平面图。
如图2所示，发光器件封装10具有封装体11，封装体11中提供芯片安装区域11a。LED芯片15安装在芯片安装区域11a上。
尽管在图2中没有示出，但是封装体11具有电连接到LED芯片15的引线端子(未示出)。LED芯片15可根据其电极结构而通过倒装芯片接合或导线电连接到引线端子。
根据此实施例，封装体11可包括包围芯片安装区域11a的侧壁结构11b。侧壁结构11b可具有可用作反射表面的倾斜内壁。
发光器件封装10包括波长转换部分18，波长转换部分18由包含波长转换材料18b的树脂18a形成，波长转换部分18包围LED芯片15。波长转换材料18b可包括磷光体、量子点或其混合物。通常，可形成波长转换材料18b从而它通过混合根据LED芯片15的发射波长获得的发射光的每种波长而产生白光。
例如，当LED芯片15发射蓝光时，包围LED芯片15的波长转换材料18b可包括绿和红磷光体或量子点的组合，或者额外地包括黄或橙磷光体或量子点。
绿磷光体可以是包括M2SiO4:R的硅酸盐基磷光体或包括β-SiAlON的氮化物基磷光体。红磷光体可以是包括CaAlSiN3:R、MxSiyN(2/3x+4/3y):R或MxSiyOzN(2/3x+4/3y-2/3z):R的氮化物基磷光体。这里，M是从由Mg、Ca、Sr、Ba和Zn构成的II族元素选出的至少一种，R是从稀土元素中选出的至少一种。
磷光体不限于此。用于波长转换材料的磷光体可以是诸如(Ba，Sr，Ca，Mg)2，SiO4:Eu或(Ba，Sr，Ca，Mg)3SiO5:Eu的硅酸盐基磷光体，诸如(Ba，Sr，Ca，Mg)(Sc，Y，Gd，La，Lu，Al，In)2O4:Ce的氧化物基磷光体，诸如(Ba，Sr，Ca，Mg)(Al，Si，Ga，In)ON:Eu、α-SiAlON:Eu或β-SiAlON:Eu的氮化物基磷光体，诸如(Y，Tb)3(Al，Ga)5O12:Ce的石榴石基磷光体，诸如(Sr，Ca，Ba，Mg)(S，Se，Te):Eu的硫化物基磷光体，或者它们的组合。
量子点可以是包括II-VI族化合物诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe和HgTe的半导体纳米晶，包括III-V族化合物诸如GaN、GaP、GaAs、InP和InAs的半导体纳米晶，或者它们的混合物。
如所需的那样，波长转换材料可以是磷光体和量子点的组合。例如，代替具有相对低的光效率的红磷光体，发红光量子点可与红或绿磷光体组合。
此外，树脂18b可以是环氧树脂、硅树脂、它们的混合物、或它们的化合物。
用于形成波长转换部分18的区域由形成在芯片安装区域11a中的凹槽部分G定义。在此实施例中采用的凹槽部分G可定义含有波长转换材料的液体树脂的外边界，液体树脂被提供以用于波长转换部分18且通过表面张力而具有凸起结构。包含波长转换材料的凸起结构的液体树脂可通过固化工艺提供为波长转换部分18。
以此方式，波长转换部分18的外部形状由凹槽部分G定义，因此波长转换部分18可具有凸起结构。波长转换部分18的形状可主要由凹槽部分G确定，但通过液体树脂的粘性、表面特性(例如粗糙度、疏水/亲水性)、波长转换材料含量、添加剂类型和含量等而可变地调节。
此外，由于波长转换部分18由形成在LED芯片15周围的凹槽部分G定义，所以与由提供芯片安装区域的杯状结构定义的情形相比，可以减小每个方向上的确定光路长度的厚度的变化。
因而，可以解决靶心现象，其由在波长转换部分18的边缘处的色温差异引起，在该边缘处光路长度较长，从而可以输出具有均匀色温的白光。
具体地，平均光路长度在整个波长转换部分上显著减小，从而减少由漫射引起的光损失。以此方式，认为波长转换部分18保证了用于期望的波长转换的最小光路长度并具有减小到适于波长转换的范围内的厚度。
优选地，其中形成波长转换部分18的区域，也就是凹槽部分G的区域可限制得尽可能小，此区域可由相对于LED芯片区域的相对比来表示。
具体地，波长转换部分18的区域可设定为LED芯片的区域的九倍或以下。同时，优选条件可以在另一方面中表示。后面将参照图6描述其详细说明。
此实施例中采用的凹槽部分G可以在芯片安装区域11a的底表面中具有圆形，如图3所示(这里，波长转换部分18没有在图3中示出)，但不限于此。此凹槽部分G可以通过已知工艺诸如压印、模制或蚀刻工艺形成。
凹槽部分G可形成在封装体11的底表面、引线端子上，或从封装体11的底表面通过引线端子。封装体11包括其中提供芯片安装区域的基板。该基板由陶瓷材料或合成树脂形成。
例如，当期望使用陶瓷基板时，进行压印工艺在生片(green sheet)中形成凹槽部分G并对其进行烧结从而获得具有凹槽部分G的陶瓷基板。
根据此实施例，发光器件封装10还可包括树脂模制部分19，树脂模制部分19由透明树脂诸如环氧树脂、硅树脂、它们的混合物或它们的化合物形成。然而，可以不采用树脂模制部分19。另外，与树脂模制部分19结合的透镜结构可安装在封装体顶上。
图4是局部切除透视图，示出根据本发明另一示范性实施例的发光器件封装。图5是示出图4的发光器件封装的俯视平面图。
如图4所示，发光器件封装40具有其中提供芯片安装区域41a的封装体41。
类似于图2所示的实施例，芯片安装区域41a具有安装在其上的LED芯片45。封装体41可包括包围芯片安装区域41a的侧壁结构41b。封装体41包括在LED芯片45周围的波长转换部分48，其中波长转换部分48由包含波长转换材料48b的树脂48a形成。
根据此实施例，定义用于形成波长转换部分48的区域的凹槽部分G具有与LED芯片45的外部形状对应的四边形形状。具有与LED芯片45的形状对应的形状的凹槽部分G允许为了形成在LED芯片45周围的波长转换部分48能具有更均匀的光路长度的厚度分布，从而可以预期共形涂覆效果。
具体地，如图3所示的具有圆形形状的凹槽部分G和具有四边形形状的LED芯片15根据LED芯片15的每侧的位置而在其间具有不均匀的间隔(d1＞d2)，而根据此实施例的设置在具有四边形形状的凹槽部分G的中央处的LED芯片45可以在每侧其间具有均匀的间隔(da)。
在该实施例中，在具有四边形形状的凹槽部分G的角落处间隔较大，但是凸起波长转换部分48的整个表面由于表面张力而倾向于具有均匀的表面曲率，从而波长转换部分48可在凹槽部分的角落处具有与相邻两侧处的厚度相似的厚度。因此，与图3所示的波长转换部分18相比，在此实施例中采用的波长转换部分48减轻了在整个波长转换部分48上的光路长度的变化，从而可以预期更均匀的颜色特性。
这样的凹槽部分结构不限于四边形形状。可以使凹槽部分的形状对应于LED芯片的另一种外部形状，从而预期类似的上述效果。
例如，当使用具有多边形形状的芯片时，提供具有多边形形状的凹槽部分从而对应于芯片的多边形形状并在每侧具有距离芯片的均匀间距，从而提供具有更均匀光路长度的波长转换部分。
图6是侧剖视图，示出关于在本发明中采用的波长转换部分的形状的优选条件。
如上所述，从另一视点考虑本发明，将其视为在整个波长转换部分上减小平均光路长度从而减少由漫射引起的光损失的方法。该方法允许波长转换部分保证最小光路长度以用于期望的波长转换且具有减小到适于波长转换的范围内的厚度。
该方法首先考虑限制用于形成波长转换部分68的区域，也就是凹槽部分G的区域。换个方式，连接LED芯片的中心至凹槽部分G的点的临时直线的长度W可设定为从LED芯片中心至LED芯片边缘的让所述直线经过的点的LED芯片长度D的三倍或以下。
在一特定实施例中，在用于形成所期望的波长转换部分68的最低条件下，连接LED芯片中心至凹槽部分G的一点的临时直线的长度W可以设定为从LED芯片中心至LED芯片边缘的让该直线在其上经过的一点的LED芯片长度D的1.5倍，或者优选地两倍。
类似地，波长转换部分68的高度的条件可以被适当地设定。波长转换部分68的最大高度H可以被设定为LED芯片的厚度t的四倍或以下。在用于形成期望的波长转换部分68的最低条件下，波长转换部分68的最大高度H可以设定为LED芯片的厚度t的1.5倍，或者优选地两倍。
在本发明中采用的凹槽部分的结构可以被不同地修改。图7a和图7b示出用于形成在本发明中采用的波长转换部分的凹槽部分的变型。
如图7a所示的凹槽部分具有包括第一凹槽部分G1和第二凹槽部分G2的双结构，第一凹槽部分G1包围安装在基板71上的LED芯片75，第二凹槽部分G2与第一凹槽部分G1均匀地间隔开并包围第一凹槽部分G1。这里，第二凹槽部分G2提供为辅助凹槽部分。
也就是说，用于形成波长转换部分78的区域可由第一凹槽部分G1定义，但是根据条件诸如包含波长转换材料的液体树脂的粘性或工作环境，它可以部分地延伸超过第一凹槽部分G1。
根据此实施例，流过第一凹槽部分G1的液体树脂A可被第二凹槽部分G2阻挡。以此方式，即使用于形成波长转换部分78的区域超过第一凹槽部分G1，它也可以被第二凹槽部分G2限制。因而，波长转换部分78可以被实现而没有关于用于其的形成区域的大的错误。
为了减少错误的发生，第一凹槽部分G1与第二凹槽部分G2之间的间隔g可以设定为从LED芯片的边缘至第一凹槽部分G1的距离Da的0.2倍或更小。
根据此实施例的凹槽部分具有双结构，但是额外的辅助凹槽部分可以如所需地提供。也就是说，可以提供多个辅助凹槽部分。
此外，在本发明中采用的凹槽部分可以具有各种截面形状。在前述实施例中该，凹槽部分具有有利于压印工艺的V形结构。然而，凹槽部分可以为各种形状诸如四边形或弯曲的形状。
例如，如图7b所示，具有四边形形状的截面的凹槽部分G3可以形成在其上安装LED芯片85的基板81上，从而使用凹槽部分G3来定义用于形成波长转换部分88的区域。
本发明一优选示范性实施例示于图8和图9中。这里，详细描述凹槽部分形成的位置以及关于引线端子结构的导线接合。
如图8所示，发光器件封装100具有封装体101，芯片安装区域101a提供在封装体101中。芯片安装区域101a具有安装在其上的LED芯片105。
封装体101可包括包围芯片安装区域101a的侧壁结构101b。侧壁结构101b可具有可用作反射表面的倾斜内壁。
在本实施例中采用的封装体101包括电连接到LED芯片105的第一和第二引线端子102a和102b。热沉103设置在第一引线端子102a的下部中对应于其上安装LED芯片105的区域。
如图8所示，LED芯片105安装在第一引线端子102a的上表面上，并通过导线106a和106b分别连接到第一和第二引线端子102a和102b。
在本实施例中采用的波长转换部分108和109可具有双层结构。对于此双层结构，可以使用前述额外的辅助凹槽部分。也就是说，如图8和图9所示，可形成彼此均匀间隔开的两个凹槽部分G1和G2使得位于里面的第一凹槽部分G1用于形成第一波长转换部分108，位于外面的第二凹槽部分G2用于形成第二波长转换部分109，从而提供期望的具有双层结构的波长转换部分。
如上所述，不同于图7a的实施例，本实施例中的多个凹槽部分的结构可具有相同的中心，从而用于形成两个波长转换层。
波长转换部分108和109每个可由包含不同波长转换材料的树脂形成。例如，位于里面的第一波长转换部分108可包括较短波长磷光体或量子点，而位于外面的第二波长转换部分109可包括较长波长磷光体或量子点。
在一特定实施例中，第一波长转换部分108可以是由绿和蓝磷光体的混合物形成的树脂层。第二波长转换部分109可以是红磷光体或发红光量子点。
在本示范性实施例中，通过使用两个凹槽部分G1和G2提供两个波长转换层。然而，如所需地，可以进一步提供额外的凹槽部分和波长转换层。
在本实施例中采用的第一和第二凹槽部分G1和G2形成在其上安装LED芯片105的第一引线端子102a的上表面上。由于第一和第二引线端子102a和102b可以由具有高延展性的金属或合金形成，所以可以通过辗轧工艺容易地形成所需的凹槽部分G1和G2。
根据本实施例，LED芯片105以及第一和第二引线端子102a和102b通过导线106a和106b连接。在此情形下，当导线的高度低时，用于形成波长转换部分108的包含波长转换材料的液体树脂沿导线流动，从而难以获得期望的凸起形状。因而，如图8所示，导线106a和106b的高度h可以大于波长转换部分108的最大高度H。
根据本发明的发光器件封装提供优异的光效率和在整个发光器件封装上均匀的白色特性，从而在各种应用中用作良好的白光源。下面，作为本发明的另一方面，举例说明采用上述发光器件封装的各种应用。
图10a和图10b是透视图，示出根据本发明各种示范性实施例的LED光源模块。这里，举例说明的LED光源模块可应用于显示器的背光单元(BLU)的光源以及各种照明器件。
如图10a所示的LED光源模块110包括印刷电路板(PCB)111和安装在PCB的上表面上的多个LED光源115。在此实施例中，LED光源115可采用前述发光器件封装。
在此实施例中采用的LED光源115可安装在PCB 111上使得LED光源115的邻近发光表面115a的表面接触PCB 111的上表面。LED光源模块110可包括连接器117从而与外部电源电路或另一LED光源模块连接。
类似地，如图10b所示的LED光源模块120可包括PCB 121、采用前述发光器件封装的多个LED光源125以及连接器127。然而，不同于前述实施例，在本实施例中采用的LED光源125将其与发光表面125a相反的下表面提供为安装表面。
前述发光器件封装可以以各种安装结构实施并可应用于提供各种白光形式的LED光源模块。前述发光器件封装以及包括其的光源模块可应用于各种显示器件或照明器件。
图11a和图11b是示出根据本发明各种示范性实施例的BLU的剖视图。
参照图11a，边缘型BLU 150作为BLU的示例示出，根据本发明的发光器件封装可应用于该BLU。
根据本实施例的边缘型BLU 150可包括导光板144以及提供在导光板144两侧的LED光源模块130。
根据本实施例，LED光源模块130提供在导光板144的相反两侧。然而，LED光源模块可以仅提供在其一侧或者额外的LED光源模块可以提供在其另一侧。
如图11a所示，反射板142可以进一步提供在导光板144下面。在此实施例中采用的LED光源模块130可以具有类似于图10(b)的结构。也就是说，LED光源模块130包括PCB 131以及安装在PCB 131的上表面上的多个LED光源135。LED光源135可采用前述发光器件封装。
参照图11b，直接型BLU 180作为另一BLU形式的示例示出。
根据本实施例的直接型BLU 180可包括光漫射板174以及布置在光漫射板174下面的LED光源模块160。
如图11b所示的直接型BLU 180可包括将LED光源模块160容纳在光漫射板174下面的底壳171。
在本实施例中采用的LED光源模块160包括PCB 161以及安装在PCB161的上表面上的多个LED光源165。LED光源165可采用前述发光器件封装。
图12是示出根据本发明一示范性实施例的显示器件的分解透视图。
如图12所示的显示器件240包括BLU 220以及诸如液晶面板230的图像显示面板。BLU 220包括导光板224以及提供在导光板224的至少一侧的LED光源模块210。
根据本实施例，如图12所示，BLU 220还可包括在导光板224下面的底壳221和反射板222。
此外，根据对各种光特性的需要，各种类型的光学片226诸如漫射片、棱镜片或保护片可包括在导光板224和液晶面板230之间。
LED光源模块210包括制备在导光板224的至少一侧的PCB 211以及安装在PCB 211上并允许光入射在导光板224上的多个LED光源215。LED光源215可采用前述发光器件封装。在此实施例中采用的LED光源215可以是侧视型发光器件封装，其中侧视型发光器件封装的与发光表面相邻的表面被安装。
尽管已经结合示范性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言显然的是，可以进行修改和变化而不背离本发明的由权利要求书定义的思想和范围。

Claims (29)

1.一种发光器件封装，包括：
封装体，提供芯片安装区域并包括第一引线端子和第二引线端子；
LED芯片，安装在所述芯片安装区域上并电连接到所述第一引线端子和所述第二引线端子；
凹槽部分，设置在所述芯片安装区域中在所述LED芯片周围；以及
波长转换部分，由包围所述LED芯片的含有波长转换材料的树脂形成并具有基本由所述凹槽部分定义的外部形状。
2.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述凹槽部分具有与所述LED芯片的外部形状对应的形状。
3.如权利要求2所述的发光器件封装，其中所述LED芯片的外部形状为多边形，所述凹槽部分具有多边形形状以包围所述LED芯片。
4.如权利要求3所述的发光器件封装，其中所述LED芯片的外部形状为四边形，所述凹槽部分具有四边形形状以包围所述LED芯片。
5.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述凹槽部分具有圆形形状以包围所述LED芯片。
6.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述波长转换材料是磷光体、量子点或其混合物。
7.如权利要求6所述的发光器件封装，其中所述波长转换材料包括至少绿磷光体和红磷光体的混合物。
8.如权利要求7所述的发光器件封装，其中所述绿磷光体为M2SiO4:R、β-SiAlON或其混合物，所述红磷光体为CaAlSiN3:R、MxSiyN(2/3x+4/3y):R、MxSiyOzN(2/3x+4/3y-2/3z):R或其混合物，其中M为从由Mg、Ca、Sr、Ba和Zn构成的II族元素中选出的至少一种，R是从稀土元素中选出的至少一种。
9.如权利要求6所述的发光器件封装，其中所述波长转换材料的量子点包括：包括II-VI族化合物诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe和HgTe的半导体纳米晶，包括III-V族化合物诸如GaN、GaP、GaAs、InP和InAs的半导体纳米晶，或者其混合物。
10.如权利要求6所述的发光器件封装，其中所述波长转换材料包括具有不同发光颜色的多种磷光体和发红光量子点的混合物。
11.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述LED芯片安装在所述第一引线端子和所述第二引线端子之一的上表面上。
12.如权利要求11所述的发光器件封装，其中所述凹槽部分形成在其上安装有所述LED芯片的引线端子的上表面中。
13.如权利要求11或12所述的发光器件封装，其中其上安装有所述LED芯片的引线端子具有向下延伸的热沉。
14.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述封装体包括提供所述芯片安装区域的陶瓷基板，且
所述凹槽部分的至少一部分设置在所述陶瓷基板中。
15.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述凹槽部分具有V形、U形或四边形形式的垂直截面。
16.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述凹槽部分通过压印或蚀刻工艺形成。
17.如权利要求1所述的发光器件封装，其中被所述凹槽部分包围的区域设定为所述LED芯片的区域的九倍或以下。
18.如权利要求1所述的发光器件封装，其中连接所述LED芯片的中心到所述凹槽部分的点的临时直线的长度设定为从所述LED芯片的中心到所述LED芯片的边缘的让所述直线通过的点的所述LED芯片的长度的三倍或以下。
19.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述波长转换部分的最大高度设定为LED芯片的厚度的四倍或以下。
20.如权利要求1所述的发光器件封装，当所述凹槽部分定义为第一凹槽部分时，还包括第二凹槽部分，该第二凹槽部分设置在所述芯片安装区域中并在包围所述第一凹槽部分的同时与所述第一凹槽部分均匀地间隔开。
21.如权利要求20所述的发光器件封装，当沿第一凹槽部分设置的波长转换部分定义为第一波长转换部分时，还包括第二波长转换部分，该第二波长转换部分设置在所述第一波长转换部分之上并由所述第二凹槽部分定义。
22.如权利要求21所述的发光器件封装，其中所述第一波长转换部分和所述第二波长转换部分包括发射不同波长的光的不同波长转换材料。
23.如权利要求22所述的发光器件封装，其中所述第一波长转换部分的波长转换材料产生具有比所述第二波长转换部分的波长转换材料产生的光的波长更短的波长的光。
24.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述LED芯片通过导线连接到所述第一引线端子和所述第二引线端子中的至少一个，所述导线的高度大于树脂封装部分的最大高度。
25.如权利要求1所述的发光器件封装，其中所述封装体包括包围所述芯片安装区域的侧壁结构。
26.一种LED光源模块，包括权利要求1至25中任一项的发光器件封装。
27.一种背光单元，包括权利要求1至25中任一项的发光器件封装。
28.一种显示器件，包括：
面板，用于显示图像；以及
权利要求27的背光单元，该背光单元提供光到所述面板。
29.一种照明器件，包括权利要求1至25中任一项的发光器件封装。
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