CN102007565A - 基片处理系统和基片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基片处理装置，该基片处理装置包括至少一个可抽空的处理室，在该处理室中可以引入带有至少一个基片的至少一个基片载体，并且该基片处理装置包括一个等离子体生成模块、至少一个气体进料口和至少一个气体排放口。本发明另外涉及一种基片处理方法，其中将带有至少一个基片的至少一个基片载体引入至少一个可抽空处理室中，并且在该处理室中，在一个等离子体处理中通过一个等离子体生成模块在一种气体或一种气体混合物中生成一种等离子体，并且对该基片进行涂覆、蚀刻、表面修饰和/或清洁。本发明的目的是提供上述属类的一种基片处理装置和一种基片处理方法，通过该装置和方法甚至很大程度表面纹理化的基片能够以高生产率和高质量被各向同性地蚀刻。该目的首先是通过上述属类的基片处理装置来完成的，其中将一个汽相蚀刻模块整合在处理室中。该目的进而是通过上述属类的基片处理方法来完成的，其中该至少一个基片的汽相蚀刻是在等离子体处理之前和/或之后和/或与其交替地在该处理室中进行的。

Description

基片处理系统和基片处理方法

本发明涉及一种基片处理装置，该基片处理装置包括至少一个可抽空的处理室，在该处理室中可以引入带有至少一个基片的至少一个基片载体；并且包括一个等离子体生成模块、至少一个气体进料口和至少一个气体排放口。本发明另外涉及一种基片处理方法，其中将带有至少一个基片的至少一个基片载体引入至少一个可抽空的处理室中，并且在该处理室中，在一个等离子体处理中通过一个等离子体生成模块在一种气体或气体混合物中生成一种等离子体，并且对该基片进行涂覆、蚀刻、表面修饰和/或清洁。

上述属类的装置和方法在微电子学和微观力学中是已知的，用于针对不同的应用来进行等离子体涂覆、等离子体蚀刻、等离子体氧化、表面亲水化和疏水化以及等离子体清洁处理。除其他之外，此类装置和方法还被用于制造太阳能电池。

目前，太阳能电池工业正经历着动态发展。虽然早在2000年就能够制造效率为24.7％的硅基的创记录太阳能电池，大批量生产的硅太阳能电池对于单晶太阳能电池达到了16％至18％的效率，而对于多晶电池则为14％至16％。

标准的太阳能电池技术目前是基于厚度为200μm至400μm的硅晶片。在已经制造这些晶片之后，有必要从表面去除锯切损伤，这对应于去除约5μm厚的硅层。现代的太阳能电池额外地配备有表面纹理，通常是在锯切损伤所预先确定的结构的基础上。这种纹理是旨在增加光的耦合进入，特别是在光倾斜入射的情况下。由此使反射从约35％降到约10％。

去除锯切损伤和生成纹理是通过蚀刻完成的。这里占主导的方法是基于分批或连续(在线的)方法中的湿式化学处理。使用KOH的碱性蚀刻浴液(目前为止主要对于单晶基片材料是常见的)以一种取决于晶向的方式操作，并且因此只有一种平纹理出现在多晶的晶片上。为了实现充分的纹理效果，近来还使用了酸性蚀刻浴液，例如主要包括HF(氢氟酸)和HNO3，在某些实例中还额外地包括CH3COOH。因此很在多晶的晶片上出现了大程度纹理化的表面。

在太阳能电池的制造过程中对晶片材料进行了预掺杂，其方式为使得它是(例如)p型导电的。为了制造pn结，必须应用n型导电的掺杂。这是通过磷扩散来完成的，其中磷扩散进晶片材料中，达到约0.5μm的深度。

为了磷扩散的目的，使用了多个氧化物层，例如像约60nm到100nm厚的PSG(磷硅酸盐玻璃；(SiO2)1-x(P2O5)y)层，该层沉积在p型导电晶片上。在一个特定的处理温度下，磷从PSG层扩散到晶片材料中。随后在将一个减反射层(例如像Si3N4)施加到晶片上之前再次去除PSG层。

PSG层的去除通常是通过湿式化学HF(氢氟酸)蚀刻而完成的。湿蚀刻是一种各向同性蚀刻方法，具有的优点是非常高的蚀刻选择性。典型地，在湿蚀刻过程中，晶片的双面都进行处理。用2％浓度的HF的处理对于未纹理化的太阳能电池晶片是常见的。

具有纹理化的正面的新的太阳能电池概念在许多情况下对应地仅仅必须要正面的处理，并且因此要求在湿式化学技术中对于湿式化学蚀刻进行复杂的重新调整，这些调整允许一种单面的蚀刻。此外，该湿式化学法消耗了相对大量的蚀刻溶液并且在蚀刻过程中通过该处理化学法的不断改变以及具有反应产物和污染物的蚀刻浴液的富集来使该处理保持稳定是相对困难的。此外，消耗的蚀刻溶液造成处置的问题。

因此，目前正在进行着多种开发，这些开发可造成湿式化学方法被基于等离子体的干式方法所取代。在这种情况下，将一个等离子体用于制造反应性颗粒，例如反应性离子(如CF3+)或反应性基(如F^*、O^*或CF3^*)，它们显露了对表面的化学蚀刻效果。从微电子学来看，主要的反应性离子蚀刻(RIE)是已知的，它具有良好的选择性、高的各向异性和侧壁的同时钝化，该侧壁不会通过聚合物的形成(通过等离子体聚合作用由蚀刻气体形成)而平行于基片表面延伸。

利用等离子体的氧化物蚀刻主要是通过氟来完成的，例如像在以下反应中

SiO₂+CF₄→SiF₄+CO₂。

同样已知的是进行气体NH3和NF3的微波等离子体辅助反应以形成NH4+，它就硅而言选择性地蚀刻SiO2。

与湿式化学蚀刻相似，硅上的氧化物的等离子体化学蚀刻是充分地选择性的。然而，该方法的各向异性在多晶晶片的情况下对于新的太阳能电池概念中所采用的酸性纹理化的表面是不利的。只有那些具有与入射的反应性颗粒垂直的氧化物的位置被很好地蚀刻。所有垂直区域以及已经存在于酸性纹理中的空腔由于高度的各向异性而未被充分蚀刻掉。

尤其是在用于施加含P物质的在线方法的情况下，在扩散处理以及去除晶片表面中的PSG层之后仍有过高的磷浓度。厚度为约20nm到约50nm的这个层(所谓的“死层”)的载流子是过饱和的，并且因此不是完全地可电活化的。优选地，还应该去除这个“死层”。文件WO 2008/943827提出一种将C2F6-O2混合物用作蚀刻气体的干等离子体处理，用于在氮化硅沉积之前去除这个“死层”。在这种情况下，同样，由于等离子体蚀刻方法的高的各向异性，在酸性纹理化的表面的情况下出现问题，使得要么“死层”仅被非均匀去除，要么与为了去除具有过高的磷浓度的区域所必须的情况相比蚀刻了显著更多的材料。

此外，从微电子学来看，为了蚀刻硅晶片，使用了用于蚀刻SiO2的蒸气的氢氟酸/水混合物的装置和方法是已知的。因此，作为举例，文件DE 299 15 696 U1描述了一种用于HF汽相蚀刻的蚀刻装置，其中具有SiO2牺牲层的微结构的硅晶片通过HF蒸气被蚀刻。对于HF汽相蚀刻，已知的装置具有多个分开的汽相蚀刻模块，这些模块被安排为夹持件台上的一个群，并且在它们每一个之中晶片能够进行蚀刻。为了在HF蚀刻之前从晶片表面去除有机材料或污染物，在文献DE 299 15 696 U1中所述方法的情况下，这些晶片预先在氧等离子体清理塔中被清洁。

由于大数量的处理室以及在HF汽相蚀刻之前所要求的等离子体清洁，在文献DE 299 15 696 U1中所述的方法是相对费力的并且不是非常高产的。其结果是，已知的HF汽相蚀刻装置仅产生了低产量的蚀刻晶片。

因此，本发明的目的是提供一种基片处理装置和一种上述属类的基片处理方法，使用该方法，即使很大程度表面纹理化的基片也能够以高产量和高质量被各向同性地进行蚀刻。

这个目的首先是通过一种基片处理装置实现的，该基片处理装置包括至少一个可抽空处理室，在该处理室中可以引入带有至少一个基片的至少一个基片载体；一个等离子体生成模块；至少一个气体进料口和至少一个气体排放口，其中一个汽相蚀刻模块被整合在该处理室中。

根据本发明的基片处理装置使之有可能能够在一个处理室中的该至少一个基片上进行等离子体处理以及汽相蚀刻两者。在这种情况下，开始考虑可以在处理室中以不同的顺序执行的许多种等离子体处理和汽相蚀刻步骤。因此，根据本发明的基片处理装置可以用于许多种应用中，其中等离子体和汽相蚀刻的组合处理的顺序得到了基片处理装置的高效率，这是由于这里不要求等离子体与汽相蚀刻步骤之间的耗时的基片操作步骤。

借助根据本发明的基片处理装置，能以适当的方式将等离子体步骤的优点与汽相蚀刻步骤的优点进行组合，以用于最佳的基片处理。出人意料的是，根据本发明这是可能的，尽管等离子体和汽相蚀刻处理的要求完全不同。

在本发明的一个有利的实施方式中，该汽相蚀刻模块是一个HF汽相蚀刻模块。HF汽相蚀刻例如允许以关于硅的高的蚀刻选择性对氧化硅的各向同性蚀刻。因此根据本发明提供的HF汽相蚀刻模块特别适合于蚀刻硅太阳能电池晶片的很大程度纹理化表面上的氧化物或PSG，其中使用HF的化学汽相蚀刻的选择性与湿式化学HF蚀刻法是可比较的。与湿蚀刻法相反，根据本发明提供的HF汽相蚀刻模块建立了基片的显著简化的单面蚀刻。由于一种新的、未使用的蚀刻化学物不断地被提供用于该蚀刻法，不存在该蚀刻化学物随着时间的改变并且没有反应产物和污染物的富集，这在湿式化学法的情况下要求对蚀刻浴液不断的重新调整或者完全更新。此外，与湿蚀刻步骤相比，汽相蚀刻步骤消耗显著更少的蚀刻溶液，其结果是，利用根据本发明的基片处理装置可以获得更有成本效益的并且更加环境友好的蚀刻工艺。准确地说，在太阳能电池晶片目前不断增大的生产数量的情况下，这是特别显著的，因为由此能够整体降低太阳能电池制造商方面对HF的要求，其结果是，将HF从化学制造商输送到太阳能电池制造商的需要也可以降低，并且因此路线可以缓解负担。

特别方便的是如果该基片处理装置具有一个耐蚀刻气体的内衬层和一个耐蚀刻气体的基片载体。借助这些结构特征，可以获得一种具有特别长寿命的装置，其中在等离子体和汽相蚀刻步骤两者之中都可以采用不同的蚀刻气体。

根据本发明的一个优选变体，该汽相蚀刻模块具有一个气体喷雾器，该气体喷雾器具有分布在处理室的区域上的多个气体出口。这提供了能够对分布在处理室的该区域上的多个基片进行汽相蚀刻的可能性。

优选地，该汽相蚀刻模块被连接至一个蚀刻蒸气供应单元上。通过该蚀刻蒸气供应单元，以取决于对应的方法步骤的方式，对于汽相蚀刻模块而言，能够以连续地和/或以临时计量的方式获得所要求的组成的蚀刻蒸气。

已经证明如果该蚀刻蒸气供应单元具有一个带有温度调节空间的气体计量系统和/或蚀刻蒸气生成系统是特别有利的，该温度调节空间具有一种液体蚀刻物质并且至少一种载气流穿过该温度调节空间。通过该气体计量系统，可以将一种对应的蚀刻蒸气以一种计量的方式与另一种蚀刻蒸气和/或一种或多种载气进行混合并且通过该蚀刻蒸气供应单元将其进给到处理室中。此外，可以将该温度调节空间内的液体蚀刻物质加热，其方式为使得一种蚀刻蒸气得以形成，它可以被载气流携带并且通过该蚀刻蒸气供应单元被导入到处理室中。

在本发明的一个特别有利的示例性实施方式中，该等离子体生成模块具有在该处理室中以平面方式实现的至少一个可供电电极。在这种情况下，也可以提供多个单独的或电互连的电极。凭借所提供的这至少一个电极的平面实施方式，可以在该处理室中同时处理多个基片。在这种情况下，这至少一个电极可以被提供在这些基片之上和/或之下，以用于对这些基片的正面和/或背面处理。该至少一个电极可以具有同样的可供电反电极。然而，该处理室的壳体还可以用作一个反电极，于是所述壳体典型地具有一个接地连接。

根据本发明的一个适当的实施方式变体，该基片载体具有至少一个基片支持件，该至少一个基片支持件具有用于该至少一个基片的圆周区域的一个平面支撑区域。由于该平面支撑区域，可以将一个基片施加到该基片支持件上，其方式为使得在基片正面等离子体处理过程中该等离子体不攻击该基片背面、或者仅在可忽略的小程度上攻击它。此外，该平面支撑区域使之有可能与该基片进行接触，从而使得例如后者可以在一个等离子体处理的过程中接地。

在本发明的一个具体构型中，该基片支持件在该支撑区域内具有一个开口。这额外地允许(除正面处理之外)在该处理室中该基片的背面处理，其中等离子体和/或蚀刻蒸气可以穿过这个开口到达基片背面。

根据本发明的一个有利的发展，在该处理室中提供了至少一个内部体积减小部件。由此该处理室的内部体积可以减小，其方式为使得在该处理室中进行的这些处理步骤中要求更少的处理气体和/或蚀刻蒸气，那么可以特别有成本效益地进行多个程序。

此外，已经证明如果该基片处理装置是一个连续装置则是特别有利的。因此，在该基片处理装置中，多个处理室可以彼此连接，基片可以顺序地穿过这些处理室。由此有可能是有能力在该基片处理装置中连续地处理许多个处理步骤或一整个技术处理序列。

优选地，该基片处理装置是一种用于制造太阳能电池的装置，其中有可能能够以一种有效的方式对即使很大程度纹理化的太阳能电池晶片进行蚀刻。

在本发明的一个适当的发展中，该处理室具有一个加热和/或冷却设备，或者被连接到一个加热和/或冷却设备。通过该加热和/或冷却设备，具体地，在该处理室中进行的多个汽相蚀刻步骤可以通过加热和/或冷却该处理室内部并因此通过该处理室中的蚀刻蒸气的温度而被特别好地控制。

此外，本发明的目的是通过一种基片处理方法而实现的，其中将带有至少一个基片的至少一个基片载体引入至少一个可抽空处理室中，并且在该处理室中，通过一个等离子体处理利用一个等离子体生成模块在一种气体或一种气体混合物中生成了一种等离子体，并且对该基片进行涂覆、蚀刻、表面修饰和/或清洁，并且其中是在等离子体处理之前和/或之后和/或与其交替地在处理室中进行该至少一个基片的汽相蚀刻。

根据本发明的基片处理方法使之有可能在单一的处理室中对该至少一个基片进行等离子体处理和汽相蚀刻两者。因此，可以在一个汽相蚀刻步骤之前直接进行多个等离子体处理步骤，并且反之亦然，不需要基片必须离开该处理室。这具有以下优点：由该处理室中的前面的处理步骤设定的基片特性作为该处理室中该基片上的随后处理步骤的基础是表现为不变的，其结果是，这些处理步骤的质量和效果、并且因此还有通过根据本发明的方法而制造的基片的质量可以得到显著改进。因此所要求的复杂的中间处理步骤和装置部分可以省略。对于该装置技术，结果是更短的基片通过时间、更高的基片产量、更小的空间要求以及降低的成本。

根据本发明的一个有利的实施方式，该汽相蚀刻是使用含HF的蒸气来进行的。利用该HF蚀刻蒸气，具体地讲，这有可能以一种与湿蚀刻方法可相比的方式将二氧化硅和含SiO2的材料(如磷硅酸盐玻璃)各向同性地蚀刻并且具有关于硅的高选择性。此外，该HF汽相蚀刻方法特别适于基片的单面蚀刻。这对于酸性纹理化的太阳能电池晶片的氧化硅或PSG蚀刻是特别有利的，其中可以在该HF汽相蚀刻步骤中可靠地蚀刻甚至更深的区域和/或被空腔或类似物覆盖的区域。此外，根据本发明的方法的提出的实施方式提供以下优点：与在湿式化学方法中相比，在HF汽相蚀刻步骤中消耗显著更少的HF。此外，该HF蒸气中的HF浓度可以通过含HF的蒸气的简单进给和排放而被容易地控制，以达到最佳蚀刻结果。

如果根据本发明的基片处理方法被用来处理制造太阳能电池的基片，则是特别有利的。特别是在太阳能电池晶片的情况下，准确地是在多种新技术的情况下呈现不断增加的对单面技术的需要，这些单面技术使之有可能是有能力来可靠地蚀刻甚至在很大程度纹理化的表面上的氧化硅和PSG。此外，在太阳能电池的生产中，所用的这些基片变得越来越薄，这使湿法蚀刻越来越难，因为这些薄的基片在蚀刻浴液中浮动并因此无法被可靠地蚀刻。利用根据本发明的方法，此类基片可以从一面各向同性地容易地进行蚀刻。此外，根据本发明的程序确保了高的基片产量，其中结果是，大量的太阳能电池晶片可以在短的处理时间内以降低的装置费用来制造。

在根据本发明的方法的一个实例中，PSG是在HF汽相蚀刻步骤中在该至少一个处理室中从基片的正面被蚀刻，其中该基片的一个或多个表面层的等离子体氧化是在一个随后的处理步骤中在该处理室中完成。因此，在该HF汽相蚀刻步骤(促使单面各向同性的并且选择性的蚀刻)中，PSG可以从该基片的正面被可靠地去除，其中该经过蚀刻的基片表面可以立即通过随后处理步骤中的等离子体氧化而用氧化物覆盖。以此方式能够提供该基片的一个限定的、清洁的表面。此外，基片表面处的污染物和/或结构缺陷可以被等离子体氧化步骤中生成的氧化物掩埋。

在本发明的另一个适当的方法变体中，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室中或另一个处理室中从该基片的背面蚀刻PSG，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室中在等离子体蚀刻步骤中对该基片进行发射极背面蚀刻。通过这种处理实现方式，有可能在同一室中从太阳能电池晶片的背面首先去除PSG并且然后去除寄生的发射区。

在根据本发明的基片处理方法的一个可任选的变体中，在在处理室中用于蚀刻PSG的HF汽相蚀刻步骤之后进行了一个使用含KOH和HCL的蒸气混合物用于从基片蚀刻金属离子的汽相蚀刻步骤。以这种方式，可以在基片正面的等离子体氧化之前和/或在用于基片的发射极背面蚀刻的等离子体蚀刻步骤之前进行该表面上的金属残余物的消除。

在根据本发明的基片处理方法的另一个可任选的变体中，在该处理室或另一个处理室中，在HF汽相蚀刻步骤之前和/或在基片的发射极背面蚀刻之后进行O2等离子体清洁。在HF汽相蚀刻步骤之前的O2等离子体清洁使之有可能去除有机污染物，并且因此可以更容易地完成随后的HF汽相蚀刻。由于在使用含氟气体的等离子体蚀刻步骤中在基片的发射极背面蚀刻过程中出现有机聚合物，所以在基片的发射极背面蚀刻之后通过O2等离子体清洁可以提供一个无残余物的表面，所述表面在太阳能电池晶片的制造中特别好地为减反射层的涂覆作准备。

根据本发明的基片处理方法的另一个优选的实施方式，在该处理室或另一个处理室中完成了基片的一个或多个表面层的等离子体氧化，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室中完成了这些氧化的表面层的HF汽相蚀刻。利用等离子体氧化和随后的HF汽相蚀刻，可以去除基片的这些表面层并且因此可以清洁该基片。以这种方式，作为举例，可以为一个a-Si PECVD层的沉积准备一个硅基片的表面。

如果等离子体氧化和HF汽相蚀刻多次交替进行，则可以额外地改进清洁效果。此外，利用这种交替处理，可以从硅基片上有效地去除这种“死层”，该硅基片已经在先前处理中借助PSG而掺杂有磷并且从其中已蚀刻了PSG。

如果这种交替处理顺序的最后步骤是一个等离子体氧化，则该基片特别好地为一个随后的氮化硅沉积作了准备，因为氮化物很好地粘附在氧化物上。这种氮化硅层可以例如用作太阳能电池晶片上的减反射层。

在根据本发明的基片处理方法的一个同样适当的实例中，O2等离子体清洁是在该处理室或另一个处理室中，并且随后在使用含HF的蒸气和活性氧的汽相蚀刻步骤中在该处理室中蚀刻基片的一个表面层。利用O2等离子体清洁，基片的表面首先是免除了有机污染物，具体地使得它为在该处理室中的随后的汽相蚀刻步骤特别好地作准备。在汽相蚀刻步骤中使用了含HF蒸气和活性氧(例如像臭氧)的一种混合物。基片表面被该活性氧氧化，其中几乎同时地通过含HF的蒸气这些氧化的层再次从该硅基片被蚀刻掉。通过适当地设定HF和活性氧的浓度，有可能将处理室中的处理控制为使得例如可以从通过PSG而掺杂有磷的硅基片上适当地去除一个“死层”。由于使用了HF蒸气，在此情况下这种“死层”甚至可以从很大程度纹理化的硅基片中被可靠地去除。此外，这一处理变体可以用于清洁并且在基片的情况下用于去除正面和背面层。

如果在使用含HF的蒸气和活性氧的汽相蚀刻步骤中、在该蒸气蚀刻步骤结束时将活性氧被进入处理室中达到一种强化的程度，则如此进行处理的基片在处理结束时在表面具有一个氧化物层。这特别适用于随后的氮化硅沉积，例如用于在太阳能电池晶片上生成一个减反射层。

在另一个可任选的变体中，在使用了含HF的蒸气和活性氧的汽相蚀刻步骤之后，还有可能在该处理室中进行等离子体氧化，这在该基片表面上生成一个氧化物层。这对于随后的氮化硅沉积是一个合适的基础，例如对于生产用于太阳能电池晶片的减反射层。

根据本发明的基片处理方法的另一个选择，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室或另一个处理室中从一个硅基片的正面和/或背面去除空气氧化物，其中在该HF汽相蚀刻步骤之前和/或之后在此处理室中进行该硅基片的O2等离子体清洁。这一处理特别适于高质量的空气氧化物去除，例如在用于生产太阳能电池晶片的pn结的a-Si PECVD层沉积之前。

下面参照附图更加详细地说明本发明的优选实施方式、以及其构造、功能和优点，在附图中：

图1在概略简图的基础上示意性地示出了带有一个处理室的本发明的基片处理装置的一种可能的基本构造；

图2示意性地示出了一种基片支持件，该支持件可以用于本发明的基片处理装置中并且适用于基片的正面和/或后面处理；

图3示意性地示出了在本发明的基片处理装置中用于基片的正面处理的一种基片支持件的另一可能的实施方式变体；

图4示意性地示出了可以在根据本发明的基片处理装置中以钩式支持件形式使用的一种基片支持件的又一个变体；

图5示意性地示出了可以在根据本发明的基片处理装置中使用的一种气体计量系统的示意图；

图6示意性地示出了可以在根据本发明的基片处理装置中使用的一种蚀刻蒸气生成系统的概略简图；

图7示意性地示出了带有上游其他计量系统和下游排出气体移出系统的本发明的基片处理装置的概略简图；

图8示意性地示出了带有多个处理室的本发明的基片处理装置的一个实施方式；

图9示意性地示出了处于连续装置的形式用于太阳能电池基片的背面处理的本发明的基片处理装置的一个实施方式；

图10示意性地示出了处于连续装置的形式用于太阳能电池基片的正面处理的本发明的基片处理装置的另一个实施方式；

图11示意性地示出了用于在基片的正面上进行PSG蚀刻的本发明的基片处理方法的一个实施方式变体；

图12示意性地示出了用于基片的PSG和发射极背面蚀刻的本发明的基片处理方法的一个实施方式；

图13示意性地示出了用于去除“死层”以生产太阳能电池晶片的本发明的基片处理方法的一个实施方式；

图14示意性地示出了用于在氮化硅沉积之前去除“死层”以便太阳能电池生产的本发明的基片处理方法的一个实施方式；

图15示意性地示出了用于去除“死层”以生产太阳能电池晶片的本发明的基片处理方法的另一个实施方式；

图16示意性地示出了用于在氮化硅沉积之前去除“死层”以生产太阳能电池晶片的本发明的基片处理方法的另一个实施方式；

图17示意性地示出了用于在太阳能电池制造的过程中在a-SiPECVD沉积步骤之前去除空气氧化物的本发明的基片处理方法的一个实施方式。

图1示意性地示出了包括一个可抽空处理室20的基片处理装置10的示意图。处理室20的单独的元件(展示在图1中)仅说明了它们的功能原理，并且因此不是按比例真实描绘的并且还可以位于处理室20之中或上面的其他位置。

处理室20基本上是由高级钢或结构钢形成的、并且具有一种耐蚀刻气体的材料所构成的一个内衬层80。在图1所示的示例性实施方式中，内衬层80对HF是惰性的并且是例如由石墨、纯Al2O3或者类似特氟纶的聚合物形成。内衬层80可以通过耐蚀刻气体的室的涂层、或者通过安装在该室的内壁上的多个板形成。

处理室20在每种情况下在其入口和出口两者处均具有带阀瓣23的一个门27，该门可以被打开和关闭并且通过该门从外部可进入处理室20的内部29，并且经由该门处理室20可以连接到基片处理装置10的其他处理室上。处理室20此外还具有至少一个气体进料口61、带有一个真空泵24的至少一个气体排放口62以及一个加热和/或冷却设备26。

在图1所示的示例性实施方式中，在一个上区域中提供了具有以平面的方式体现的一个或多个电极52的一个等离子体生成模块50。使这些电极52中的每一个进行电气接触，其中这些电极52可以各自单独地以一个电势供电或者是互连的。

在本发明的其他实施方式变体(未示出)中，等离子体生成模块50还可以具有一个或多个其他等离子体生成元件，例如像多个微波杆。可替代地，还可想象等离子体生成模块50具有一个ICP(电感耦合等离子体)模块，其中该实际的等离子体源还可以位于处理室20之外。

此外，在处理室20中整合了一个汽相蚀刻模块70，该汽相蚀刻模块在示出的示例性实施方式中是一个HF汽相蚀刻模块，它在处理室20的一个上部区域中具有一个气体喷雾器71，该气体喷雾器具有分布在处理室20的一个区域上的多个气体出口72。汽相蚀刻模块70经由至少一个气体进料口61被连接到一个蚀刻蒸气供应单元90上，该供应单元在图5至图7中实例的基础上进行了更详细的说明。

可以经由门27将带有至少一个基片40的至少一个基片载体30引入处理室20中。可以再次经由处理室20端部处的门27将基片载体30从处理室20中卸出。

基片载体30由一种耐蚀刻气体的材料、优选一种耐HF的材料组成。在示出的示例性实施方式中，基片载体30是由例如Al2O3形成的。

在示出的示例性实施方式中，基片载体30具有用于多个基片40的多个基片支持件。在图2至图4中示出了可能的基片支持件31、34、38的实例并且下面对其进行更详细的说明。

基片载体30在多个输送辊25上被导向，这些输送辊25优选地同样由一种耐蚀刻气体的材料组成、或者是用这样一种材料涂覆。

此外在处理室20中提供了一个内部体积减小部件81，在实例中是在基片载体30之下，该部件在示出的示例性实施方式中是例如由Al2O3形成的、并且减小了处理室20的内部29的内部体积，其方式是为了填充内部29使得必须仅仅将相应的小量的(具体地对于填充处理室内部29的位于基片40之上的这个部分而言是充足的)处理气体或蚀刻蒸气引入处理室20中。

图2示意性地示出了一个基片支持件31的实例，例如可以用在根据本发明的基片处理装置10的一个实施方式中。基片支持件31具有用于基片40的圆周区域43的一个平面支撑区域32。其结果是，基片40能够以其圆周放置在该平面支撑区域32上。该平面支持件可以在基片正面41的处理中大大防止等离子体还到达基片背面42。此外，平面支撑区域32提供了与基片40进行接触的可能性，作为举例，该基片由此可以在等离子体处理中接地。基片支持件31在支撑区域32内具有一个开口33。基片背面42的处理由此同样成为可能。

图3示意性地示出了基片支持件34的另一个实施方式变体，例如同样可以用于根据本发明的基片处理装置10的一个实施方式中。基片支持件34在其正面上具有一个切除区35，基片40可以插入该切除区。在这种情况下，基片40以一种平面的方式支承在横向上被切除区35的一个侧壁37界定的一个闭合的平面36上，这样基片40其安置的位置中就无法滑到基片支持件34上。

图4示意性地示出了一个基片支持件38的另一个可能的实施方式，例如可以用于根据本发明的基片处理装置的一个实施方式中。基片支持件38具有多个钩式元件39，在这些钩式元件上放置有一个基片40。作为举例，基片支持件38可以用于双面处理。

图5示意性地示出了用于本发明的基片处理装置的一个蚀刻蒸气供应单元90的示意图。在示出的实例中，蚀刻蒸气供应单元90具有带有一个质量流量控制器的一个气体计量系统91，其中示出的气体计量系统91具有用于载气(例如像氮气)的一个供应线96，以及用于蚀刻蒸气(例如像含HF的蒸气)的至少一个供应线97。一种载气/蚀刻蒸气混合物出现在气体计量系统91中，并且可以通过一条线路98被进给到处理室20中。

图6示意性地示出了一个蚀刻蒸气供应单元90′的另一个示意图。蚀刻蒸气供应单元90′具有一个蚀刻蒸气生成系统，该系统具有一个温度调节空间94，一种液体蚀刻物质93(例如像HF)放置于该空间中。空间94具有一条供应线96′，通过该供应线可以将载气(例如像氮气)导入蚀刻物质93中。该载气流动通过温度调节的液体蚀刻物质93，其结果是，一种载气/蚀刻蒸气混合物在空间94中的蚀刻物质93之上形成并且可以通过一条线路98′从空间94通向处理室20。

图7示意性地示出了如何将图5的蚀刻蒸气供应单元90连接到处理室20上。将该载气/蚀刻蒸气混合物或该处理气体通过线路98进给到处理室20中。在所示的实例中，在处理室20中设置了一个处理压力p≤patm或是一个真空。置于处理室20中的基片40在该处理压力下或在该真空中利用通过线路98供给的处理气体相应地被汽相蚀刻。在本发明的其他实施方式变体(未示出)中，在处理室20中也可以设置一个处理压力p≥patm，使得在处理室20中该汽相蚀刻方法可以在大气压力或过度压力下完成。

在图7的示例性实施方式中，压力降低是通过提供在处理室20的一个气体排放口62上的真空泵24而完成的。通过气体排放口62，在该汽相蚀刻处理已发生之后，经由一个废气移除系统63可以使消耗的处理气体通过并且因此以一种生态学上适当的方式进行再处理。通过一个气体排放口64从废气移除系统63出现的输出空气是在大气压力patm下。

图8示意性地示出了根据本发明的基片处理装置11的一个实施方式，它处于连续的或内联装置的形式，具有根据本发明提供的至少两个处理室20、21。在第一个处理室20的一个门27的上游处、在一个载体输送平面49中的多个辊25上，如图1所示的一个基片载体被引入处理室20中。处理室20具有一个等离子体生成模块50以及一个汽相蚀刻模块70两者，通过它们，在一个并且是同一个处理室20中可以对引入处理室20中的一个或多个基片进行等离子体处理、并且还有汽相蚀刻处理。

处理室20的后面是另一个门27，通过该门将在处理室20中处理过的这些基片移到另一个处理室21中放在基片载体上。一个等离子体生成模块50还有一个汽相蚀刻模块70同样被整合在处理室21中。因此，在两个处理室20、21中均可以执行等离子体和汽相蚀刻处理两者。这具有以下优点：通过这种手段，通过基片处理装置11基片的更快的生产是可能的并且可以增加处理的多样性。

处理室21的后面是另一个门27，通过该门将处理室21中处理过的这些基片引入另一个处理室28中。这另一个处理室28可以被实施为与处理室20、21相同或类似地，但是也可以完全不同地配置。作为举例，处理室28可以是用于氮化硅沉积的一个沉积室。

在处理室28的端部处再一次提供一个门27，通过该门或者可以将处理室28中处理过的这些基片40引入基片处理装置11的另一个处理室(在此未示出)中，或者通过该门可以将这些处理过的基片40从基片处理装置11中移出。

图9示意性地示出了根据本发明的基片处理装置12的另一个可能实施方式的变体，它处于连续或线上装置的形式用于制造太阳能电池。所展示的基片处理装置12特别适用于太阳能电池基片的背面42的处理。在基片处理装置12的情况下，有待处理的这些基片40首先通过一个门27进入一个锁区引入室2中，该锁区引入室被连接到用于将锁区引入室2抽真空的一个真空泵24上。在锁区引入室2中设置随后的处理所要求的处理温度Tpx。有待处理的这些基片40通过另一个门27进入一个处理室20中，该处理室被实施为与图1的处理室20相同或类似，并且特别地具有一个等离子体模块50和一个汽相蚀刻模块70。在处理室20中完成一个HF汽相蚀刻步骤，其中从基片背面42蚀刻一个PSG层。此后，在处理室20中，在使用CF4和O2的RIE等离子体蚀刻步骤中进行发射极背面蚀刻，以便从基片背面42中去除寄生发射极。在这些处理中，利用一个真空泵24将处理室20的内部抽真空，并且设置随后的处理所要求的处理温度Tpy。

通过处理室20之后的另一个门27，基片载体30上的这些基片40通过进入另一个处理室21，该另一个处理室被实施为与图1的处理室20相同或类似、并且特别具有一个等离子体生成模块50和一个汽相蚀刻模块70。在处理室21(它同样可以利用一个真空泵24被抽真空)进行O2等离子体清洁，由此从基片背面42去除了可能在发射极背面蚀刻过程中出现的聚合物残余物。此外，随后在处理室21中进行HF汽相蚀刻。

通过另一个门27，这些基片40于是通过进入一个锁区3中，这个锁区可以利用一个真空泵24来抽真空，并且其中这些基片40的温度可以设置为约400℃。

通过另一个门27，这些基片40被输送到另一个处理室4中，其中在基片背面42上进行Si3N4 PECVD沉积。在Si3N4 PECVD沉积过程中，利用一个真空泵24将处理室4抽真空，并且将处理室4的温度调节到约400℃。于是可以在另外的下游处理室5、6中进一步处理这些基片40。

图10示意性地示出了处于连续或线上装置形式用于制造太阳能电池的的本发明的基片处理装置13的另一个可能实施方式变体。所示的基片处理装置13特别适用于太阳能电池基片的基片正面41的处理。

在基片处理装置13中，有待处理的这些基片40通过一个基片载体30进入一个锁区引入室2中，该锁区引入室原则上与图9的锁区引入室2类似地进行实施。通过另一个门27，这些基片40被输送到一个处理室20中，该处理室被实施为与图1的处理室20相同或类似。在处理室20中完成HF汽相蚀刻步骤，该步骤从基片正面41蚀刻一个PSG层。在一个随后的等离子体步骤中，蚀刻过的基片正面41被氧化。通过一个门27，处理室20后面的是一个锁区3，该锁区被实施为与图9的锁区3相同或类似，并且其中这些基片40被加热到约400℃。此后，这些基片40通过一个门27进入另一个处理室4中，其中在基片正面41上进行Si3N4PECVD沉积。于是可以在另外的处理室5、6中进一步处理这些基片40并且最后从基片处理装置13中将其去除。

图11示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的一个实施方式，作为举例它可以在图1的处理室20中进行。图11的方法实例用于在基片40的基片正面41上的PSG蚀刻，以用于制造太阳能电池。

在步骤111中，首先可任选地完成了基片正面41的O2等离子体清洁。在另一个步骤112中，进行了一种使用含HF的蒸气的汽相蚀刻，以便从基片正面41蚀刻一个PSG层。可任选地，在一个随后的步骤113中，在同一处理室20中，可以进行基片正面41的汽相蚀刻(例如使用HF和O3)，以便从基片正面41去除金属离子。

或者直接后继步骤112或者在步骤113之后，在步骤114中，完成了基片正面41的等离子体氧化，其中在所述基片正面是施加一个薄的氧化物层，作为举例，随后施加的氮化硅层特别好地粘附在该氧化物层上。

图12示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的另一个可能的实施方式变体。图12的方法实例用于例如太阳能电池基片的PSG和发射极背面蚀刻。

在图12的方法中的一个第一方法步骤121中，可任选地完成了一个基片40的基片背面42的O2等离子体清洁。在一个随后的步骤122中，进行了从基片背面42的PSG层的HF汽相蚀刻。可任选地，作为举例，可以在一个随后的步骤123中进行基片背面42上的金属离子的HF和O3汽相蚀刻。

或者直接在步骤122之后或者在步骤123之后，在方法步骤124中，在一个等离子体蚀刻步骤中在处理室20中进行了使用含F或Cl的蚀刻气体以及O2的一个发射极背面蚀刻。此后，可以在步骤125中再次可任选地进行可基片背面42的O2等离子体清洁。

图13示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的另一个实施方式变体，它可以既被用作一种清洁方法又被用于去除太阳能电池基片上的“死层”。在第一方法步骤131中，完成了一个基片正面和/或基片背面41、42的等离子体氧化。在等离子体氧化步骤131中，该基片正面和/或基片背面41、42的一个或多个表面层被氧化，它们随后在方法步骤132中通过含HF的蒸气被蚀刻。步骤131和132可以多次交替进行。

图14示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的另一个实施方式变体，它可以具体地被用于太阳能电池的制造中。图14所示的方法的开始基片是已经在步骤141中为了随后的磷扩散142而经受PSG层沉积的硅基片，并且在此情况下该PSG层已经随后在步骤143中去除。

在处理室20中进行的第一方法步骤144中，完成了等离子体氧化，期间该基片正面和/或基片背面41、42的一个或多个表面层被氧化。此后，在方法步骤145中，进行了使用含HF的蒸气的汽相蚀刻，以便去除这些被氧化的表面层。等离子体氧化步骤144和HF汽相蚀刻步骤145按顺序地多次交替进行。其结果是，所谓的“死层”(由于磷扩散而已经出现在这些硅基片的表面上)一片片地被去除。

随后在图14的方法步骤146中进行等离子体氧化，其结果是，在这些基片40的表面上出现一个氧化物层，在步骤147中随后沉积的一个氮化硅层特别好地粘附在该氧化物层上。

图15示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的另一个实施方式变体，作为举例，它可以被用于太阳能电池基片的表面清洁。为此目的，在一个第一方法步骤151中，使多个基片40经受O2等离子体清洁并且随后在使用含HF和活性氧(例如像臭氧)的蒸气混合物的汽相蚀刻步骤152中将其蚀刻掉。通过对该蒸气混合物中的活性氧浓度的适当设置、或者优选是氧化、或者利用HF蒸气，可以完成该基片表面处的氧化物层的蚀刻。因此，作为举例，利用图15所示的方法，可以从太阳能电池基片去除一个“死层”，或者可以仅简单地清洁基片的表面并且随后可以在处理步骤153中沉积一个a-Si PECVD层。

图16示意性地示出了根据本发明的基片处理方法的另一个实施方式变体，它基于图15的方法中的多个方法步骤。在这种情况下，在一个第一方法步骤161中可任选地进行O2等离子体清洁。在另一个方法步骤162中完成使用了含HF和活性氧的一种蒸气混合物的汽相蚀刻步骤。作为举例，在此方法步骤中可以去除一个“死层”。随后在方法步骤163中完成等离子体氧化，其结果是，作为举例，用于太阳能电池制造的一种基片为随后步骤164中的氮化硅沉积做好了准备。

图17示意性地示出了用于空气氧化物去除的根据本发明的基片处理方法的另一个实施方式变体，例如在a-Si PECVD沉积步骤之前。

首先，在一个可任选的方法步骤171中完成O2等离子体清洁。在一个随后的步骤172中，在使用含HF蒸气的汽相蚀刻步骤中从基片40蚀刻空气氧化物。在骤172中的该空气氧化物蚀刻可以从基片正面41和/或基片背面42完成。

在一个随后的等离子体步骤173中可以再次可任选地进行O2等离子体清洁。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种基片处理装置(10，11，12，13)，包括至少一个可抽空的处理室(20，21)，在该可抽空处理室中可以引入带有至少一个基片(40)的至少一个基片载体(30)；一个等离子体生成模块(50)；至少一个气体进料口(61)以及至少一个气体排放口(62)，

其特征在于，一个汽相蚀刻模块(70)被整合在该处理室(20，21)中并且该基片处理装置(10，11，12，13)是一个连续装置。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)是一个HF汽相蚀刻模块。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，该基片处理装置(10)具有一个耐蚀刻气体的内衬层(80)以及一个耐蚀刻气体的基片载体(30)。

4.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)具有一个气体喷雾器(71)，该气体喷雾器具有分布在该处理室(20，21)的一个区域上的多个气体出口(72)。

5.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)被连接到一个蚀刻蒸气供应单元(90，90’)上。

6.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该蚀刻蒸气供应单元(90，90’)具有一个气体计量系统(91)和/或具有一个温度调整空间(94)的一个蚀刻蒸气生成系统，该温度调整空间具有一种液体蚀刻物质(93)并且至少一个载气流通过该温度调整空间。

7.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该等离子体生成模块(50)具有在该处理室(20，21)中以平面方式实现的至少一个可供电电极(52)。

8.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该基片载体(30)具有至少一个基片支持件(31)，该基片支持件具有用于该至少一个基片(40)的圆周区域(43)的一个平面支撑区域(32)。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于，该基片支持件(31)在该支撑区域(32)内具有一个开口(33)。

10.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，至少一个内部体积减小部件(81)被提供在该处理室(20，21)之中。

11.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该基片处理装置(10)是一种用于制造太阳能电池的装置。

12.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该处理室(20，21)具有一个加热和/或冷却设备(26)，或该处理室被连接到一个加热和/或冷却设备(26)上。

13.一种基片处理方法，其中将带有至少一个基片(40)的至少一个基片载体(30)引入至少一个可抽空的处理室(20，21)之中，并且在该处理室(20，21)中，在一个等离子体处理中通过一个等离子体生成模块(50)在一种气体或一种气体混合物中生成了一种等离子体，并且对该基片(40)进行涂覆、蚀刻、表面修饰和/或清洁，

其特征在于，该至少一个基片(40)穿过该至少一个处理室(20，21)，并且还在于在该等离子体处理之前和/或之后和/或与其交替地在该处理室(20，21)中进行了该至少一个基片(40)的汽相蚀刻。

14.如权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于，该汽相蚀刻是利用含HF的蒸汽进行的。

15.如权利要求13或14所述的基片处理方法，其特征在于，该基片处理方法被用来处理制造太阳能电池的基片(40)。

16.如权利要求13至15中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该至少一个处理室(20，21)中从该基片(40)的一个正面(41)蚀刻PSG，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室(20，21)中完成对该基片(40)的一个或多个表面层的等离子体氧化。

17.如权利要求13至16中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室(20)或另一个处理室(21)中从该基片(40)的一个背面(42)蚀刻PSG，并且在一个随后的工艺步骤中在该处理室(20，21)中在一个等离子体蚀刻步骤中进行了该基片(40)的发射极背面蚀刻。

18.如权利要求16和17中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，使用一种含HF和O3的蒸气混合物用于从该基片(40)蚀刻金属离子的一个汽相蚀刻步骤是在用于在该处理室(20，21)中蚀刻该PSG的该HF汽相蚀刻步骤之后进行的。

19.如权利要求16至18中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在该处理室(20)或另一个处理室(21)中，在该HF汽相蚀刻步骤之前和/或在对该基片(40)的发射极背面蚀刻之后进行O2等离子体清洁。

20.如权利要求13至19中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在该处理室(20)或另一个处理室(21)中完成了该基片(40)的一个或多个表面层的等离子体氧化，并且在一个随后的工艺步骤中在该处理室(20，21)中完成了该氧化的表面层的HF汽相蚀刻。

21.如权利要求20所述的基片处理方法，其特征在于，该等离子体氧化和该HF汽相蚀刻是多次交替进行的。

22.如权利要求13至19中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，O2等离子体清洁是在该处理室(20)或另一个处理室(21)中，并且该基片(40)的一个表面层在一个随后的工艺步骤中在该处理室(20，21)中在使用含HF的蒸气和活性氧的一个汽相蚀刻步骤中被蚀刻。

23.如权利要求13至15中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室(20)或另一个处理室(21)中将空气氧化物从该基片(40)的一个正面(41)和/或一个背面(42)去除，其中在该HF汽相蚀刻步骤之前和/或之后在该处理室(20，21)中进行该基片(40)的O2等离子体清洁。

Claims (24)

1.一种基片处理装置(10，11，12，13)，包括至少一个可抽空的处理室(20，21)，在该可抽空处理室中可以引入带有至少一个基片(40)的至少一个基片载体(30)；一个等离子体生成模块(50)；至少一个气体进料口(61)以及至少一个气体排放口(62)，

其特征在于，一个汽相蚀刻模块(70)被整合在该处理室(20，21)中。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)是一个HF汽相蚀刻模块。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，该基片处理装置(10)具有一个耐蚀刻气体的内衬层(80)以及一个耐蚀刻气体的基片载体(30)。

4.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)具有一个气体喷雾器(71)，该气体喷雾器具有分布在该处理室(20，21)的一个区域上的多个气体出口(72)。

5.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该汽相蚀刻模块(70)被连接到一个蚀刻蒸气供应单元(90，90’)上。

6.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该蚀刻蒸气供应单元(90，90’)具有一个气体计量系统(91)和/或具有一个温度调整空间(94)的一个蚀刻蒸气生成系统，该温度调整空间具有一种液体蚀刻物质(93)并且至少一个载气流通过该温度调整空间。

7.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该等离子体生成模块(50)具有在该处理室(20，21)中以平面方式实现的至少一个可供电电极(52)。

8.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该基片载体(30)具有至少一个基片支持件(31)，该基片支持件具有用于该至少一个基片(40)的圆周区域(43)的一个平面支撑区域(32)。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于，该基片支持件(31)在该支撑区域(32)内具有一个开口(33)。

10.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，至少一个内部体积减小部件(81)被提供在该处理室(20，21)之中。

11.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该基片处理装置(10)是一种连续的装置。

12.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该基片处理装置(10)是一种用于制造太阳能电池的装置。

13.如以上权利要求中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，该处理室(20，21)具有一个加热和/或冷却设备(26)、或者被连接到一个加热和/或冷却设备(26)上。

14.一种基片处理方法，其中将带有至少一个基片(40)的至少一个基片载体(30)引入至少一个可抽空的处理室(20，21)之中，并且在该处理室(20，21)中，在一个等离子体处理中通过一个等离子体生成模块(50)在一种气体或一种气体混合物中而生成了一种等离子体，并且对该基片(40)进行涂覆、蚀刻、表面修饰和/或清洁，

其特征在于，在该等离子体处理之前和/或之后和/或与其交替地在该处理室(20，21)中进行该至少一个基片(40)的汽相蚀刻。

15.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于，该汽相蚀刻是利用含HF的蒸气进行的。

16.如权利要求14或15所述的基片处理方法，其特征在于，该基片处理方法被用来处理用于制造太阳能电池的多个基片(40)。

17.如权利要求14至16中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该至少一个处理室(20，21)中从该基片(40)的一个正面(41)蚀刻PSG，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室(20，21)中完成该基片(40)的一个或多个表面层的等离子体氧化。

18.如权利要求14至17中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室(20)或另一个处理室(21)中从该基片(40)的一个背面(42)蚀刻PSG，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室(20，21)中在一个等离子体蚀刻步骤中进行该基片(40)的发射极背面蚀刻。

19.如权利要求17和18中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在该处理室(20，21)中用于蚀刻该PSG的HF汽相蚀刻步骤之后进行了使用含HF和O3的一种蒸气混合物用于从该基片(40)蚀刻金属离子的一个汽相蚀刻步骤。

20.如权利要求17至19中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在该处理室(20)或另一个处理室(21)中，在该HF汽相蚀刻步骤之前和/或在对该基片(40)的该发射极背面蚀刻之后进行了一种O2等离子体清洁。

21.如权利要求14至20中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在该处理室(20)或另一个处理室(21)中完成了该基片(40)的一个或多个表面层的等离子体氧化，并且在一个随后的处理步骤中在该处理室(20，21)中完成该氧化的表面层的HF汽相蚀刻。

22.如权利要求21所述的基片处理方法，其特征在于，该等离子体氧化和该HF汽相蚀刻是多次交替进行的。

23.如权利要求14至20中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，O2等离子体清洁是在该处理室(20)或另一个处理室(21)中，并且该基片(40)的一个表面层在一个随后的处理步骤中在该处理室(20，21)中在使用含HF的蒸气和活性氧的一个汽相蚀刻步骤中被蚀刻。

24.如权利要求14至16中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，在一个HF汽相蚀刻步骤中在该处理室(20)或另一个处理室(21)中将空气氧化物从该基片(40)的一个正面(41)和/或一个背面(42)去除，其中在该HF汽相蚀刻步骤之前和/或之后在该处理室(20，21)中进行该基片(40)的O2等离子体清洁。

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