具体实施方式
在下文中,虽然如果必要的话可以使用独立的名称,但是压电谐振器或包括多个压电谐振器的声波装置被作为声波装置。
如前所述,有一种通过控制介质的厚度来调节频率特性的方法,其中通过在深度方向上蚀刻覆盖电极的介质来控制介质的厚度。例如,为通过这种方法将形成在单个晶片上的多个声波装置之间的频率特性的变化控制在期望的范围内,需要选择晶片上的声波装置的一部分并需要控制所选择的部分的介质的厚度。例如,需要通过掩盖住晶片平面的一部分并在深度方向上蚀刻介质的上部的一部分来调整介质的厚度。因此,例如,每个芯片被蚀刻了不同的量。在这种情况下,为控制晶片平面中的频率分布在期望的范围内,每个芯片被掩盖,膜的形成以及蚀刻可能必须被重复地进行多次。因此,出现了诸如操作步骤数目的增加的问题。
实施例的示例可以涉及具有用于频率调整的调整介质的声波装置,该调整介质设置在声波被激发的激发区域上。调整介质的面积允许将(例如带通滤波器的)诸如谐振和反谐振频率的频率、中心频率调整为接近所期望的频率。具体地,可以基本根据调整介质的面积与声激发区域的面积的比率改变被调整的频率的量(下文中,该区域被称作“区域T”)。
对上面描述的示例进行解释。多个声波装置通常被制作在单个晶片上。全部声波装置的特性不相同或不接近所期望的特性,并且特性的变化具有由晶片上声波装置所形成的位置而定的趋势。因此,在每个声波装置包括独立的调整介质的情况下,上述频率调整可以允许将每个特性调整为接近所期望的独立的特性,诸如谐振或反谐振频率或者中心频率,其中独立的调整介质具有基于与所期望特性的差异的比率。以这种方式,通过一次对介质进行图案化,可以调节在压电衬底上的所有的声波装置的频率特性。这与通过改变调整介质的厚度来调整频率特性的情况相比,减少了薄膜形成步骤的数目。换言之,可以以小数目的步骤,通过形成调整介质以使得压电衬底上的每个声波装置都具有不同的区域T,来调整频率特性。
本实施例的另一个示例可以涉及用作晶片的压电衬底并且可以调整每个声波装置的区域T,以使得晶片上的多个声波装置的谐振频率、反谐振频率或中心频率接近所期望的频率。这可以在晶片中提供频率变化较小的声波装置。
本实施例的另一个示例可以涉及包括滤波器的声波装置,其中该滤波器包括由布置在压电衬底上的多个交叉指型电极所形成的多个谐振器。调整介质可以被设置在组成滤波器的多个谐振器中所期望数目的谐振器上。可以通过在滤波器中的期望数目的谐振器上设置调整介质以精密地调整滤波特性。
本实施例的另一个示例可以涉及用于制作声波装置的方法,其中包括以下步骤:在压电衬底上形成具有多个电极指的交叉指型电极,并测量由该交叉指型电极所形成的声波装置的谐振频率和/或反谐振频率。之后,设置至少一层的调整介质,以便于覆盖激发区域中的交叉指型电极的至少一部分,激发区域为电极指和电极指之间的空间覆盖压电衬底的区域,调整介质被形成为使得按照区域的面积T调整声波装置的频率特性,该区域为声波装置的厚度由于调整介质而大于其他部分的区域。之后,使测量的谐振频率和/或反谐振频率接近所期望的频率。
描述单个声学谐振器或单个压电谐振器的实施例也可以被实施为包括多个声学谐振器或压电谐振器的声波装置,诸如发射带通滤波器、接收带通滤波器、本振滤波器、天线双工器、IF滤波器或FM调制器。
(第一实施例)
[声波装置的结构]
图1A为根据此实施例的声波装置的示意图。图1B为沿着图1A的线a-a′所取的截面图。
在图1A和图1B中描绘的声波装置包括在压电衬底2上的具有多个电极指的交叉指型电极3。在交叉指型电极3的两侧具有反射器3a和3b。压电衬底2为例如旋转的Y向切割LN(LiNbO3)衬底。交叉指型电极3为用于激发或产生声波的电极。用于输入和输出的两个交叉指型电极3朝向对方并且被布置为使得两个交叉指型电极3的电极指被交替地布置。激发区域为交叉指型电极3的电极指和电极指之间的空间覆盖压电衬底2的区域。交叉指型电极3也被称作IDT电极或类盲电极。交叉指型电极3和反射器3a和3b由诸如铝、钛、铜、金、镍、铬、钽或钨等金属制成。
交叉指型电极3A由其上布置有频率调整膜(调整介质)5的SiO2膜4所覆盖。在SiO2膜4中的声速小于压电衬底2中的声速。因此,声波在压电衬底2与SiO2膜4之间的界面处集中并传播。以此方式,声波装置作为谐振器工作。
频率调整膜(调整介质)5由于SiO2膜4具有不同声学特性(诸如声速)的材料制成。频率调整膜5可以由Al2O3、SiN、SiC或类金刚石碳(DLC)制成。可选择地,频率调整膜5可以由与SiO2膜4具有不同密度、硬度或弹性模量的SiO2制成。
通过控制SiO2膜4与频率调整膜5相接触的面积来调整声波装置的谐振频率。换言之,根据由交叉指型电极3所限定的激发区域中声波装置的厚度大于其他部分的厚度的面积,调整谐振频率。因为具有不同声速的介质形成在声波能量所分布的部分中,所以可以通过改变声波的声速来调整谐振频率。在本实施例中,频率调整膜5的面积确定声波能量所分布的区域的体积,并确定声波装置的诸如谐振频率的频率特性的调整量。
在图1A和图1B中所描绘的示例中,激发区域的整个面积的17%由SiO2膜4与频率调整膜5(Al2O3)所接触的面积所覆盖。频率调整膜5的厚度为50nm。图2A和图2B分别为示意图和沿着图2A的线a-a′所取的截面图。图2A和图2B描绘了当激发区域的整个面积的50%由SiO2膜4与频率调整膜5所接触的面积所覆盖时的结构。图3A和图3B分别为示意图和沿着图3A的线a-a′所取的截面图。图3A和图3B描绘了当激发区域的整个面积的75%由SiO2膜4与频率调整膜5所接触的面积所覆盖时的结构。类似地,频率调整膜5的厚度为50nm。
图4为示出了每个声学谐振器的导纳特性的图表,其中由SiO2膜4与由Al2O3所制成的频率调整膜5所接触的面积分别覆盖谐振区域的整个面积的0%、17%、50%和75%。在每个声学谐振器中,频率调整膜5的厚度为50nm。图5为示出了上述面积比率与每个反谐振频率的过渡频率之间关系的图表。从图4和图5很明显地,随着SiO2膜与频率调整膜5所接触的面积增加,谐振频率和反谐振频率移动到更高的频率。因此,可以认识到频率移动量与声波能量的分配量或者其中声波能量被分配的体积成比例地增加。
在图1A到图3B中图示的示例中,有规律地(例如,有规律地以交叉指型电极3的电极指之间的距离2.3倍的间隔)布置了具有管状形状的频率调整膜5,但是不一定要以这种规律的方式布置。
[在晶片平面上改善声波装置的频率特性分布的示例]
如上所述,可以通过对频率调整膜5进行图案化来调整声波装置或声学谐振器的频率特性。在本实施例中,通过一个示例解释通过对频率调整膜5进行图案化而实施的对形成在单个晶片(压电衬底2)上的多个声波装置的频率调整。更具体地,将要描述在形成的单个膜中,通过根据晶片中的频率分布来调整晶片上的每个声波装置中的频率调整膜5的面积来实施的示例。
图6为示出了当从上方观察晶片时,在晶片平面中声波装置的频率分布的俯视图。频率分布可以为与所期望的谐振或反谐振频率、在带通滤波器作为声波装置的情况下所期望的中心频率、或者在频率特性的上升或下降过缘处所期望的特定频率具有偏差的分布。图6中示出的晶片为例如压电衬底,并且多个交叉指型电极和SiO2膜形成在压电衬底上,其中压电衬底诸如LN(LiNbO3)衬底。因此,形成了共享晶片(压电衬底)的多个声波装置。最后,通过切割将晶片分割为每个声波装置。每个声波装置具有例如图1A和图1B、图2A和图2B、图3A和图3B中图示的结构。虽然为了描述的便利,在这里示出了每个声波装置构成单个谐振器的情况,例如,声波装置可能构成芯片,诸如包括多个谐振器的滤波器。
形成在晶片上的多个声波装置的频率特性(例如,谐振频率)优选地完全相同。然而事实上,每个声波装置的谐振频率等经常在晶片平面中变化。当谐振或反谐振频率从声学谐振器的所期望的频率移动时,频率移动造成由多个声波谐振器所合成的滤波器的所期望的中心频率的移动。
图6示出了在晶片平面中的频率分布的一个示例,其中在晶片平面上制作了作为声波装置的多个带通滤波器。图6中图示的示例指出了区域T1到T10,其中每个区域都指出了带通滤波器的中心频率与所期望的频率的频率偏差的范围。在T1中的值+1MHz意味着在区域T1中制作的带通滤波器的中心频率在所期望的中心频率fd MHz到fd-0.999MHz的范围内,因此,T2,……,T10分别指出了从fd MHz到(fd-1.999)MHz,从(fd-10.000)MHz到(fd-10.999)MHz的范围。注意到中心频率为预先确定的所期望的频率。图6示出了在形成频率调整膜5之前的频率分布。
虽然在将中心频率作为频率特性的示例时给出了上述描述,但是频率特性并不局限于此。例如,频率特性包括谐振频率、反谐振频率、分数带宽以及在频带的上升或下降沿附近的特定频率。可以通过包括带通滤波器的声学谐振器的谐振或反谐振频率的调整来调整带通滤波器的中心频率。
根据图6中图示的频率分布,确定了频率调整膜的面积并且在晶片上的每个声波装置上都形成频率调整膜。具体地,每个声波装置的频率调整膜优选地具有恒定的厚度并且被设置为使得该面积覆盖交叉指型电极部分。根据频率分布确定每个频率调整膜的面积,例如,形成在区域T1中的每个声波装置的频率调整膜的面积小于形成在区域T2中的声波装置上的频率调整膜的面积。以此方式,可以适当地调整在晶片中的每个声波装置的频率偏移,使得频率特性接近于所期望的频率。即,在整个晶片上方的频率调整膜的厚度恒定时,可以在频率的调整量较小的区域中减小频率调整膜的面积,或者在频率的调整量较大的区域中增加频率调整膜的面积。因此,在频率调整膜中,可以以恒定的膜厚度调整声波的分布量。
图7A为形成在图6中示出的晶片的区域T1中的声波装置的示意图。图7B为沿着图7A的线a-a′所取的截面图。图7B到图7K分别为形成在图6中示出的区域T1到T10中的声波装置的截面图。如图7A和图7B所示,在形成在区域T1中的声波装置中,对频率调整膜5进行图案化,使得激发区域的面积的5%由频率调整膜5所覆盖。在区域T1中,声波装置的通带的中心频率(从所期望的中心频率)移动了+1MHz。因此,通过将频率调整膜5覆盖激发区域的面积设定为5%,可以使得在区域T1中的声波装置的中心频率接近所期望的中心频率。激发区域为交叉指型电极3的电极指和电极指之间的空间覆盖压电衬底2的区域。
如图7C所示,在区域T2中,对频率调整膜5进行图案化,使得激发区域面积的10%由频率调整膜5所覆盖。如图7D到图7K所示,在区域T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10中,频率调整膜5覆盖的激发区域的面积分别为15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%和50%。图7A到图7K中示出的所有的频率调整膜5都具有50nm的厚度。
如上所述,频率调整膜5在晶片中具有恒定的厚度。根据在频率调整膜5形成之前从中心频率的移动量来调整频率调整膜5覆盖激发区域的面积比率。具体地,在此示例中,频率调整膜5覆盖激发区域的面积比率与从中心频率的移动量成比例地增加。因此,可以调整在晶片中的声波装置的频率特性而不控制频率调整膜5的厚度。应该注意,频率调整膜5覆盖激发区域的面积与从中心频率的移动量之间的关系不限于这种比例关系。
此外,在单个晶片中的声学谐振器之间或包括多个声学谐振器的芯片之间,频率调整膜5覆盖激发区域的面积可以不同。换言之,可以根据声学谐振器、根据芯片或根据其他目的调整该面积。
[制作方法]
将要介绍一种制作图6和图7A到图7K中图示的声波装置的方法。图8A和图8B示出了形成在晶片上的声波装置的制作过程。在图8A和图8B中,为了描述的便利,仅示出了晶片的一部分。
在图8A中,交叉指型电极3和反射器3a和3b首先形成在压电衬底2上,压电衬底2为晶片。通过例如气相沉积或溅射形成交叉指型电极3和反射器3a和3b。接下来,通过例如CVD或溅射在整个晶片上形成SiO2膜4,以覆盖交叉指型电极3和反射器3a和3b。因此,在区域T11和T20中的每一者中形成声波装置(谐振器)。其后,通过在交叉指型电极上移除SiO2膜4的一部分(未示出)将用于交叉指型电极3的输入和输出的电极暴露出来。
之后使晶片探测器的测试端与暴露的电极形成接触,以测量每个谐振器的谐振频率。例如,测量了每个谐振器的谐振频率从所期望的中心频率的移动量。这提供了晶片上的谐振器的频率分布。这里,作为示例假设区域T11中的移动量为+3MHz,而区域T20中为+10MHz。
之后,如图8B所示,形成了具有对应于频率分布的图案的频率调整膜5。形成频率调整膜5的图案,使得频率调整膜5占据区域T11中的整个区域的15%、以及区域T20中的整个区域的50%。在通过例如溅射形成膜之后,可以使用剥离或蚀刻进行图案化以形成频率调整膜5。在形成图案时,可以通过剥离以形成其厚度得到极好控制的膜。
在本实施例中,如上所述。频率调整膜5具有恒定的厚度,并且根据频率偏移的平面分布确定覆盖交叉指型电极3的面积。因此,根据平面分布调整频率调整膜5的体积,即,频率调整量。因此,通过在单个膜形成之后通过蚀刻形成频率调整膜5。换言之,可以通过在单个膜形成之后通过蚀刻改善平面内分布。因此,可以以小数目的步骤制作其中频率的平面内变化被减小的声波装置。
(修改例1)
图9A为根据本实施例的修改例的声波装置的示意图。图9B为沿着图9A的线a-a′所取的截面图。在图9A和图9B中示出的实施例中,具有突出部分的频率调整膜5被整体地形成在SiO2膜4上,并且根据形成在晶片上的声波装置的频率特性的频率变化分布来形成该突出部分的图案。在此结构中,在通过整体地形成频率调整膜5以将晶片平面中的声波装置的频率特性控制到中心频率之后,可以调整晶片平面内的频率分布。换言之,可以通过对频率调整膜5进行图案化以使得该图案具有基于晶片中频率的平面内分布的面积分布,以调整平面内频率分布。
对于具有面积分布的频率调整膜5,相比于使用蚀刻,可以通过在由溅射形成膜之后使用剥离以制作图案,来形成其厚度被极好地控制的膜。
(修改例2)
在上述实施例中,频率调整膜5的材料比形成在频率调整膜5下方的膜(SiO2膜4)的材料具有更高的声速。在这种情况下,随着SiO2膜4与频率调整膜5所接触的面积增加,声波装置的谐振频率(或反谐振频率)移动到更高的频率。相反,可以将比形成在频率调整膜5下方的膜(SiO2膜4)的材料具有更高的声速的材料用作频率调整膜5。在这种情况下,随着SiO2膜4与频率调整膜5所接触的面积增加,声波装置的谐振频率(或反谐振频率)移动到更低的频率。
例如,诸如金、铜、钛、银、铂、钽或钨等与SiO2不同的材料可以被用作具有比SiO2膜4的材料更低的声速的材料。可选择地,可以使用与SiO2膜4具有不同的密度、硬度或弹性模量的SiO2。可以通过在表面上形成金属膜以改善声波装置的散热。
(修改例3)
在上述实施例中,频率调整膜5在单一晶片上由单一材料形成,但是也可以由两种或更多种材料形成。换言之,可以形成在单一压电衬底(晶片)2上与SiO2膜4相接触的两种频率调整膜5,以使其具有不同的声速。在晶片上的谐振器中,例如,对于谐振频率高于中心频率的谐振器来说,频率调整膜5可以由比SiO2膜4的材料具有更高声速的材料形成。另一方面,对于谐振频率低于中心频率的谐振器来说,频率调整膜5可以由比SiO2膜4的材料具有更低声速的材料形成。
例如,在形成频率调整膜5之前晶片上的谐振器具有相同的频率作为中央频率的情况下,相信根据晶片中的频率的平面内分布,具有高于中央频率的频率的区域和具有低于中央频率的频率的区域同时存在。在这种情况下,可以通过在单一晶片上既提供由相对于SiO2具有更高声速的材料制成的频率调整膜又提供由相对于SiO2具有更低声速的材料制成的频率调整膜,来改善平面内分布。
因此,可以使得频率调整膜5中的声速的分布对应于单一衬底(晶片)上的声波的频率分布。因此,可以制作出其中频率的平面内变化被减小的声波装置。
(第二实施例)
10A和图10B为根据第二实施例的声波装置的截面图。在此实施例中,SiO2膜4形成在压电衬底2上,以便于覆盖交叉指型电极3和反射器3a和3b。SiO2部分地具有相对于其他部分更厚的部分。因此,SiO2膜4也具有频率调整膜的功能。可以通过在单一压电衬底2上蚀刻部分SiO2表面以形成图10A和10B所示的结构。图10B的SiO2膜4具有比图10A的SiO2膜4更大的蚀刻区域。在图10A和10B所示的示例中,随着蚀刻区域变大,声波的频率转移到更高的频率。因为使用了晶片(压电衬底2)的声波装置具有各自的蚀刻区域的SiO2膜4,所以,可以减小声波装置的特性偏差。
(第三实施例)
图11A是根据第三实施例的声波装置的示意图。图11B是沿着图11A的线a-a′的截面图。在图11A和11B所示的结构中,交叉指型电极3和反射器3a和3b形成在压电衬底2上。交叉指型电极3和反射器3a和3b由诸如铜的导电材料所组成。形成SiO2膜4以便于覆盖交叉指型电极3和反射器3a和3b。作为频率调整膜而将金属膜(或者绝缘膜)5a形成在SiO2膜4上。此外,形成绝缘膜5b以便于覆盖金属膜5a,其中绝缘膜5b由具有与膜(或者绝缘膜)5a的材料不同声速的材料制成。绝缘膜5b的表面形状具有与金属膜5a相对应的图案。这些频率调整膜5a和5b提供了激发区中比其他部分更厚的部分。换言之,金属膜5a(或者绝缘膜)与SiO2膜4相接触的部分比其他部分更厚。
SiO2膜4与金属膜5a相接触的面积是整个面积的50%。按照压电衬底2上的每个声波装置的频率分布调整SiO2膜4与金属膜5a相接触的面积。例如,随着具有比绝缘膜5b更低声速的材料所制成的覆盖SiO2膜4的金属膜(或者绝缘膜)5a的面积比率增加,频率移动到更低的频率。相反,随着具有比绝缘膜5b更高声速的材料所制成的覆盖SiO2膜4的金属膜(或者绝缘膜)5a的面积比率增加,频率移动到更高的频率。绝缘膜5a和5b的示例包括SiN、Al2O3、SiC和DLC。金属膜5a的示例包括诸如金、铝、铜、钛、银、铂、钽和钨等的导电材料。
图12A是根据第三实施例的修正例的声波装置的示意图。图12B是沿着图12A的a-a′线的截面图。如图12A和图12B所示,金属膜5a可能覆盖整个SiO2膜4并且在其上可以进一步地形成用于调节频率的图案。在通过在整个SiO2膜4上形成金属膜5a(100%)以使得每个谐振器的谐振频率接近中心频率之后,可以形成具有基于谐振器的谐振频率的平面内分布的图案。因此,可以调整在压电衬底2内的每个谐振器(或者芯片)的频率分布。
图13A是根据第三实施例的修正例的声波装置的示意图。图13B是沿着图13A的a-a′线的截面图。如图13A和13B所示,可以通过将金属膜5a形成为使得金属膜5a暴露在Al2O3膜5b的外侧来改善声波装置的散热。
可以形成布置在金属膜上的膜,以便于根据对应于压电衬底2上的频率分布的位置实现不同声速。例如,相信根据压电衬底中的频率的平面内分布,具有高于中央频率的频率的区域和具有低于中央频率的频率的区域同时存在。在这种情况下,可以通过既提供由相比于SiO2膜4具有更高声速的材料制成的频率调整膜又提供由相比于SiO2膜4具有更低声速的材料制成的频率调整膜,来改善平面内分布。
(第四实施例)
图14A和图14B是根据第四实施例的声波装置的截面图。在图14A和14B所示的结构中,SiO2膜4被形成在压电衬底2上,以便于覆盖交叉指型电极3和反射器3a和3b,其中SiO2膜4部分地具有比其他部分更厚的部分。此外,形成Al2O3膜5b以覆盖SiO2膜4。在Al2O3膜5b的表面,SiO2膜4的图案被反映出来。在图14A中更厚部分存在于SiO2表面上的面积与整个面积的比率比图14B中的更高。可以按照面积比率调节声波装置的频率。在图14A和14B所示的结构中,SiO2膜4也具有频率调整膜的功能。
可以基于例如SiO2膜4的被蚀刻面积调整更厚部分存在于SiO2表面上的面积。因此,可以通过改变在单一压电衬底2上的SiO2膜4被蚀刻面积,制成频率的平面内变化被减小的表面声波装置。
(第五实施例)
图15A和15B是根据第五实施例的示例的表面声波装置的截面图。在这些表面声波装置中,在压电衬底2上形成交叉指型电极3和反射器3a和3b,其中交叉指型电极3和反射器3a和3b由诸如Al的导电材料制成。在交叉指型电极3和反射器3a和3b上,形成频率调整膜5。根据形成频率调整膜5的面积与总面积的比率调整表面声波装置的频率。图15B中所形成的频率调整膜5面积与总面积的比率比图15A中更高。例如,SiO2被用作频率调整膜5的材料。在这种情况下,随着频率调整膜5覆盖的激发区域的比率增加,频率移动到更低频率。因此,可以通过改变单个压电衬底2上的频率调整膜5的面积,制成频率的平面内变化被减少的表面声波装置。
图16A和16B是根据第五实施例的示例的表面声波装置的截面图。如图16A和16B所示,频率调整膜5可以覆盖整个压电衬底2,并且可以在其上进一步地形成用于调节频率的图案。在通过在整个压电衬底2(100%)上形成SiO2膜以使得每个共振器的共振频率接近中心频率之后,可以在其之上形成具有基于谐振器的谐振频率的平面内分布的面积分布的图案。因此,可以调整在压电衬底2内的每个谐振器(或者芯片)的频率分布。
(第六实施例)
图17A是根据第三实施例的示例的声波装置的示意图。图17B是沿着图17A的a-a′线的截面图。在图17A和17B所示的示例中,布置频率调整膜5,以使其与SIO2膜4的整个表面的左半部分相接触。在这种情况下,频率调整膜5覆盖SiO2膜4的面积比率为50%。因此,频率调整膜5覆盖激发区域的面积比率也为50%。形成的频率调整膜5具有例如50nm的厚度。
在第一到第五实施例中,已经形成频率调整膜5的图案,使得更厚的部分相比于其他部分相等地分布。如图17A和图17B所示,然而,频率调整膜5可以被布置在一个位置。在这种情况下,也通过控制频率调整膜5的面积来调整声波装置的频率。
在频率调整膜5较厚的情况下,当如图17A和图17B所示将频率调整膜5布置在一部分处时,可能由于谐振频率附近有害的波的产生而使得特性恶化。在这种情况下,如第一到第五实施例所描述的,可以通过在激发区域中分散地布置频率调整膜5来防止特性的恶化。频率调整膜5可以被规则地(周期地)或不规则地(随机地)布置。
(第七实施例)
图18为根据第七实施例的示例的组成梯形滤波器的声波装置100的示意图。声波装置100包括多个谐振器以及连接谐振器的导电图案。多个声波装置100被制作在用作声波装置100的衬底的晶片上。每个谐振器包括压电衬底2、交叉指型电极3和反射器3a和3b以及SiO2膜4,其中交叉指型电极3和反射器3a和3b形成在压电衬底2上。压电衬底2对于每个谐振器是公用的,形成SiO2膜4以使其至少覆盖交叉指型电极3和反射器3a和3b。作为梯形滤波器的声波装置100包括串联谐振器S1到S3、并联谐振器P1和P2,以及用于连接这些谐振器的电线图案。
在图18所描绘的示例中,布置频率调整膜5以使其与在构成滤波器的多个谐振器S1到S3、P1和P2中的串联滤波器S3中的SiO2膜4相接触。通过以此方式在构成滤波器的期望数目的谐振器上布置频率调整膜5,仅调整了期望数目的谐振器的频率。因此,可以通过仅控制期望数目的谐振器的频率,来调整滤波器的分数带宽。这可以减少在平面中的分数带宽的移动。
例如,在梯形滤波器中,谐振器的频率可以不同。例如,在串连谐振器中具有最高反谐振频率的谐振器表示出滤波器的增加特性的情况下,可以通过仅调整谐振器的频率来增加或降低分数带宽。
其上布置有频率调整膜5的谐振器的数目不限于图18中示出的示例,并且频率调整膜5可以被布置在谐振器S1到S3、P1和P2中的多个谐振器中。在这种情况下,可以通过提供频率调整膜5在每个谐振器上具有不同的面积的结构,进一步调整滤波特性。
这里所叙述的所有的示例和限定文字都是为了教学目的,以帮助读者理解本发明和由发明人贡献以进一步促进本领域的概念,并且理解为不对这些具体地叙述的示例和情况进行限制,并且本说明书中这些示例的组织不涉及表示出本发明的优势和劣势。虽然详细地描述了本发明的实施例,应该认识到在不超出本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种改变、替换和变更。