CN101517894A - 弹性波滤波装置 - Google Patents
弹性波滤波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101517894A CN101517894A CNA2007800354536A CN200780035453A CN101517894A CN 101517894 A CN101517894 A CN 101517894A CN A2007800354536 A CNA2007800354536 A CN A2007800354536A CN 200780035453 A CN200780035453 A CN 200780035453A CN 101517894 A CN101517894 A CN 101517894A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- idt
- weighting
- wave filter
- width
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 18
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 20
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供一种利用了IDT-IDT间谐振模式、且能够进一步降低损耗的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置(100)。在利用了IDT-IDT间的谐振模式的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置中,对具有狭窄间距电极指部(111A、111B、112A、113A)的第一~第三IDT(111~113),按照除了狭窄间距电极指部之外,电极指交叉宽度沿着弹性波传播方向依次变化、且位于狭窄间距电极指部(111A、111B、112A、113A)的IDT端部的部分具有最大的电极指交叉宽度的方式,实施了变迹加权。
Description
技术领域
本发明涉及例如在移动电话机的RF频段的带通滤波器等中使用的弹性波滤波装置,更具体而言,涉及一种使用了声界面波与声表面波的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置。
背景技术
以往,在移动电话机的RF频段的带通滤波器等中广泛使用了声表面波滤波装置。
在下述的专利文献1中,公开了这种用途所使用的声表面波滤波装置。
如图9所示,在专利文献1所记载的声表面波滤波装置501中,在压电基板502上形成有图9示意表示的电极构造。即,在压电基板502上并列设置有一对输入IDT503、503。在声表面波传播方向上,相对IDT503、503分别配置有输出IDT504、504。
在设置有成为一对的输入IDT503及输出IDT504的部分的表面波传播方向两侧,配置有反射器505、505。同样,在设置有成为另一对的输入IDT503及输出IDT504的区域的表面波传播方向两侧,也配置有反射器505、505。而且,一对输入IDT503、503的各一端被公共连接、与输入端子506连接,各自的另一端与接地电位连接。一对输出IDT504、504的各一端被公共连接、与输出端子507连接,各自的另一端与接地电位连接。
这里,为了降低成为寄生(spurious)的高次横模,对输入IDT503、503及输出IDT504、504实施了变迹加权(apodizing weights)。在正规型的IDT中,电极指交叉宽度沿着声表面波长波方向两侧不变化,为一定的大小。与之相对,变迹加权是一种按照在声表面波传播方向上使IDT的电极指交叉宽度变化的方式实施加权,以改变交叉宽度的方法。
专利文献1:特开平10-261936号公报
在专利文献1所记载的声表面波滤波装置中如上所述,通过对IDT实施变迹加权,降低了高次横模。
另一方面,在IDT彼此邻接的部分具有电极指的周期比其他部分短的狭小间距电极指部的声表面波滤波装置中,即利用了IDT-IDT间谐振模的纵耦合谐振件型声表面波滤波装置中,上述横模寄生不那么成为问题。其原因在于,作为导波路的封闭效果小。
不过,近年来,除了声表面波滤波装置之外,还开发了各种利用了声界面波的声界面波滤波装置。声界面波滤波装置与声表面波滤波装置相比存在着下述问题:作为导波路的封闭效果强,基于横模的寄生容易增大。在这样的声界面波滤波装置中,即使在利用了具有狭窄间距电极指部的IDT-IDT间的谐振的情况下,基于横模的寄生也容易变大。
而且,声表面波滤波装置或声界面波滤波装置中,在为了发展小型化而缩小了IDT的交叉宽度的情况下,也容易出现横模寄生。
因此,在利用了IDT间的谐振模式的声表面波滤波装置中也发展了小型化的情况下,容易出现横模寄生。
从而,在利用了IDT-IDT间谐振模式的声表面波滤波装置或声界面波滤波装置中,强烈要求能够进一步降低基于横模的寄生、实现更低损耗的滤波装置。
发明内容
本发明为了满足这样的期望而提出,其目的在于,提供一种利用了IDT-IDT间谐振模式、且进一步降低损耗的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置。
本发明提供一种弹性波滤波装置,是利用了IDT-IDT间的谐振模式的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置,具有:压电体;配置在所述压电体上的第一IDT;配置在第一IDT的弹性波传播方向两侧的第二、第三IDT;和配置在设置有第一~第三IDT的部分的弹性波传播方向两侧的第一、第二反射器;在弹性波传播方向上IDT彼此相邻的部分,从该IDT邻接的IDT侧的端部起,局部部分的电极指的周期比该IDT的剩余部分的电极指的周期短,由此,设置了电极指的周期相对小的狭窄间距电极指部,该弹性波滤波装置对具有所述狭窄间距电极指部的第一~第三IDT实施了变迹加权,使得在除了狭窄间距电极指部的部分中电极指交叉宽度沿着弹性波传播方向依次变化、且位于狭窄间距电极指部的端部的部分具有最大的电极指交叉宽度。
在本发明的弹性波滤波装置中,优选在所述第一IDT中,按照第一IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第一IDT的被施加了变迹加权的部分的第二IDT侧的端部及第三IDT侧的端部的方式,实施了所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。该情况下,能够进一步减小频带内插入损耗。
在本发明的弹性波滤波装置中,优选按下述方式实施变迹加权,即:最大交叉宽度部分位于所述第二IDT的被施加了变迹加权的部分的所述第一IDT侧的端部,最小交叉宽度部分位于所述第二IDT的被施加了变迹加权的部分的第一反射器侧的端部,交叉宽度从最大交叉宽度朝向最小交叉宽度依次减少,且最大交叉宽度部分位于所述第三IDT的被施加了变迹加权的部分的所述第一IDT侧的端部,最小交叉宽度部分位于所述第三IDT的被施加了变迹加权的部分的第二反射器侧的端部,交叉宽度从最大交叉宽度朝向最小交叉宽度依次减少,由此,能够有效地抑制通频带内的脉动。
在本发明的弹性波滤波装置中,优选在所述第一、第二IDT邻接的部分中,按照位于距所述第一、第二IDT间的中心等距离的位置的第一、第二IDT的电极指的交叉宽度近似相同的方式实施了所述变迹加权,在所述第一、第三IDT邻接的部分中,按照位于距第一、第三IDT间的中心等距离的位置的第一、第三IDT的电极指的交叉宽度近似相同的方式实施了所述变迹加权,由此,能够进一步有效地抑制通频带内的脉动。
在本发明的弹性波滤波装置中,优选在设置有所述第一~第三IDT的部分的弹性波传播方向两侧分别配置有第四、第五IDT,在设置有所述第一~第五IDT的部分的弹性波传播方向两侧配置有所述第一、第二反射器。该情况下,由于是5IDT型的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置,所以,不仅可以提高耐电力性,而且能够进一步减小插入损耗。
在设置有第一~第五IDT的构成中,优选在所述第二IDT中,按照第二IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第二IDT的被施加了变迹加权的部分的第四IDT侧的端部及第一IDT侧的端部的方式,实施所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。该情况下,能够进一步减小通频带内插入损耗。
而且,在设置有第一~第五IDT的构成中,优选在所述第三IDT中,按照第三IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第三IDT的被施加了变迹加权的部分的第一IDT侧的端部及第五IDT侧的端部的方式,实施所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。该情况下,也能够进一步减小通频带内插入损耗。
并且,优选在所述第二IDT与所述第四IDT相邻接的部分,第二、第四IDT分别具有狭窄间距电极指部,在所述第三、第五IDT相邻接的部分,第三、第五IDT分别具有狭窄间距电极指部,在第四、第五IDT中,对除了狭窄间距电极指部的部分,实施电极指交叉宽度沿着弹性波传播方向依次变化的变迹加权,第四、第五IDT的被实施了变迹加权的部分的所述第二、第三IDT侧的端部的电极指具有最大的交叉宽度。由此,能够有效抑制通频带内脉动。
本发明的弹性波滤波装置还可以具备层叠在压电体上的电介质层,该情况下,利用声界面波作为弹性波,可以提供声界面波滤波装置。另外,本发明也可以使用声表面波作为弹性波,该情况下,可以提供声表面滤波装置。
(发明效果)
本发明的弹性波滤波装置中,在利用了IDT-IDT间的谐振模式并在IDT中设置有狭窄间距电极指部的弹性波滤波装置中,由于按照除了狭窄间距电极指部之外,狭窄间距电极指部侧的端部具有最大的电极指交叉宽度的方式,对第一~第三IDT实施了变迹加权,所以,能够减小通频带内的插入损耗。
因此,可以提供具有狭窄间距电极指部,并利用了IDT-IDT间的谐振模式,不易受到横模寄生的影响的弹性波滤波装置,即低损耗的弹性波滤波装置。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式涉及的声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图。
图2是图1所示的声界面波滤波装置的示意主视剖面图。
图3是表示本发明的一个实施方式的声界面波滤波装置的滤波特性的图。
图4是表示第一比较例的声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图。
图5是表示第一比较例的声界面波滤波装置的滤波特性的图。
图6是表示第二比较例的声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图。
图7是表示第二比较例的声界面波滤波装置的滤波特性的图。
图8是表示本发明的其他实施方式涉及的声界面波滤波装置的电极构造的概略俯视图。
图9是表示现有的声表面波滤波装置的一个例子的立体图。
图中:100-声界面波滤波装置,101-输入端子,102-输出端子,111~113-第一~第三IDT,111A、111B-狭窄间距电极指部,112A、113A-狭窄间距电极指部,114、115-第一、第二反射器,120-声界面波滤波装置,121-不平衡端子,122、123-第一、第二平衡端子,124-声界面波谐振件,125~127-纵耦合谐振件型声界面波滤波部,128、129-声界面波谐振件,131-声界面波谐振件,132~134-纵耦合谐振件型声界面波滤波部,135、136-声界面波谐振件。
具体实施方式
下面,通过参照附图对本发明的具体实施方式进行说明,来明确本发明。
图1是表示本发明的一个实施方式涉及的声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图,图2是该声界面波滤波装置的示意主视剖面图。
如图2所示,声界面波滤波装置100具有:压电体104、和层叠在压电体104上的电介质105。在压电体104与电介质105之间形成有电极膜106。本实施方式中,通过上述电极膜106形成了图1所示的电极构造,由此,构成了利用在压电体104与电介质105的交界中传播的声界面波的声界面波滤波装置。
压电体104在本实施方式中由15°Y切割X传播的LiNbO3晶体基板构成。另外,电介质105由SiO2构成。
上述电极膜106通过形成90nm厚度的Au薄膜,并进行图案化而形成。
而且,如图2所示,在电介质105上设置有多个开口105a、105b。在开口105a、105b内形成有导电图案107a、107b。电极膜106的与外部电连接的部分在开口105a、105b中露出。在该电极膜106的与外部电连接的部分电连接有导电图案107a、107b。导电图案107a、107b被设置成到达电介质105的上面,与外部端子108a、108b电连接。
由上述电极膜106形成了图1所示的电极构造。即,在输入端子101与输出端子102之间构成了图示的纵耦合谐振件型声界面波滤波部。其中,在中央配置有第一IDT111,在IDT111的声界面波传播方向两侧配置有第二、第三IDT112、113。而且,在设置有IDT111~113的区域的声界面波传播方向两侧配置有反射器114、115。IDT111~113中,在两个IDT相邻的部分,双方的IDT设置有狭窄间距电极指部。例如,在IDT112与IDT111相邻的部分设置有狭窄间距电极指部112A、111A。狭窄间距电极指部是指在IDT的端部,电极指的周期比其他的电极指的周期小的部分。在IDT111与IDT113相邻的部分,IDT111设置有狭窄间距电极指部111B,IDT113设置有狭窄间距电极指部113A。
本实施方式中,在3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波部设置有上述狭窄间距电极指部111A、111B、112A、113A,由此,在利用了IDT-IDT间的谐振模式的纵耦合谐振件型声界面波滤波部中,可实现插入损耗的降低。
并且,在IDT111~113中,对除了狭窄间距电极指部之外的部分实施了变迹加权,以使位于狭窄间距电极指部侧端部的部分具有最大的电极指交叉宽度。
本实施方式中,按照第一IDT111中声界面波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于被实施了加权的部分的第二IDT112侧的端部及第三IDT113侧的端部的方式,实施了变迹加权。因此,连接包络线的形状成为鼓状的形状。
最大交叉宽度部分位于第二IDT112的被实施了加权的部分的第一IDT111侧的端部,被实施了加权的部分的第一反射器114侧的端部处的交叉宽度为最小交叉宽度,交叉宽度从最大交叉宽度向最小交叉宽度依次减小。同样,在第三IDT113中,最大交叉宽度部分也位于被实施了加权的部分的第一IDT111侧的端部,最小交叉宽度部分位于被实施了加权的部分的第二反射器115侧的端部,交叉宽度从最大交叉宽度部分朝向最小交叉宽度部分依次减小。
优选在第一IDT111与第二IDT112相邻的部分,按照距离第一、第二IDT111、112间的中心为等距离处的电极指的交叉宽度近似相同的方式,实施变迹加权。同样,在第一、第三IDT111、113彼此邻接的部分,也按照距离第一、第三IDT111、113间的中心为等距离处的第一、第三IDT111、113的电极指的交叉宽度近似相同的方式,实施上述变迹加权。由此,能够进一步有效地抑制横模脉动。
本实施方式中,通过上述变迹加权,可降低通频带内的横模寄生,从而能够得到插入损耗小的良好滤波特性。对此进行更具体的说明。
通过以下的方式,制造了具有图1所示的电极构造的本实施方式的声界面波滤波装置100。
第一IDT111:包含狭窄间距电极指部的电极指的总数=35个、最小交叉宽度部分的交叉宽度=28μm、最大交叉宽度部分的交叉宽度=40μm
第二、第三IDT112、113:包含狭窄间距电极指部的电极指的总数=19个、最小交叉宽度部分的交叉宽度=28μm、最大交叉宽度部分的交叉宽度=40μm
第一、第二反射器114、115:电极指的个数=25个
对于电极指的周期而言,在IDT111~113中,除了狭窄间距电极指部之外为0.804μm,狭窄间距电极指部111A、111B、112A、113A为0.739μm,一个狭窄间距电极指部的电极指的个数为3个。而且,反射器114、115中的电极指的周期为0.797μm。
在为了比较而准备的图4所示的声界面波滤波装置600中,设IDT611~613的交叉宽度为40μm。
其中,当进行上述变迹加权时,在狭窄间距电极指部111A、111B、112A、113A内不实施变迹加权。即,在狭窄间距电极指部中,交叉宽度被设为上述最大交叉宽度。
图4是表示用于比较而准备的现有声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图。图4所示的声界面波滤波装置600中,在输入端子601与输出端子602之间形成有未图示的电极构造。即,除了不实施上述的变迹加权之外,形成有与声界面波滤波装置100同样的电极构造。在第一IDT611的两侧配置有第二、第三IDT612、613,在设置有IDT611~613的部分的界面波传播方向两侧设置有反射器614、615。在声界面波滤波装置600中也设置有狭窄间距电极指部611A、611B、612A、613A。图3表示如上所述而制造的本实施方式的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置的滤波特性,图5表示上述比较例的声界面波滤波装置的滤波特性。
根据图5可知,现有的声界面波滤波装置600中,在作为通频带的PCS接收频带的1930~1990MHz中大量出现大的脉动,通频带内的最大插入损耗大至4.2dB左右。
与之相对,根据图3可知,在上述实施方式的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置100中,几乎不出现因横模引起的脉动,通频带内的最大插入损耗为1.7dB左右,能够显著减小插入损耗。
图6是表示第二比较例的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置的电极构造的示意俯视图,图7是表示第二比较例的声界面波滤波装置的滤波特性的图。
第二比较例的声界面波滤波装置200除了与声界面波滤波装置100不同地实施了变迹加权之外,与声界面波滤波装置100同样地构成。
在第一IDT211及第二、第三IDT212、213中,按照位于中央的电极指的交叉宽度最大、越朝向IDT的端部交叉宽度越小的方式,对IDT211~213实施了变迹加权。在设置有IDT211~213的部分的两侧配置有反射器214、215。最大交叉宽度及最小交叉宽度的尺寸与声界面波滤波装置100的情况相同。如图7所示,声界面波滤波装置200与声界面波滤波装置600相比,可减少通频带内的脉动,但在通频带中央的1960MHz附近出现了由箭头A表示的大的脉动。因此可知,通频带内最大插入损耗恶化至2.2dB左右。
从而可知,需要如声界面波滤波装置100那样,按照在狭窄间距电极指部侧的端部成为最大交叉宽度的方式实施变迹加权。
另外,本实施方式中优选在IDT彼此邻接的部分,对相邻的IDT间的中心,使两侧的IDT中的加权对称。在声界面波滤波装置100中,对于IDT111的变迹加权而言,IDT111的IDT112侧的1/2部分的交叉宽度加权与IDT112的交叉宽度加权相对IDT111、112间的中心对称形成。同样,IDT111的IDT113侧的1/2部分的变迹加权与IDT113的变迹加权相对IDT111、113间的中心对称。因此,能够通过上述变迹加权更有效地进行横模的抑制,从而可以更有效地抑制通频带内的横模脉动。
另外,上述实施方式中对3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置进行了说明,但也可以是在设置有第一~第三IDT的部分的声界面波传播方向两侧分别配置有第四、第五IDT的5IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置。该情况下,第一、第二反射器被设置在设置有第一~第五IDT的部分的声界面波传播方向两侧。而且,在5IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置的情况下,在第二、第四IDT相邻的部分及第三、第五IDT彼此相邻的部分中,第二、第四IDT及第三、第五IDT分别具有狭窄间距电极指部,在第四、第五IDT中实施了电极指交叉宽度沿着声界面波传播方向依次变化的变迹加权,在第四、第五IDT中,按照第二、第三IDT侧的端部的电极指具有最大交叉宽度的方式实施变迹加权。而且,该情况下,按照最大交叉宽度部分位于第四、第五IDT侧的端部的方式,对第二、第三IDT的第四、第五IDT侧端部实施变迹加权。即,与图1所示的第一IDT同样地对第二、第三IDT实施变迹加权。
这样,通过在具有第一~第五IDT的5IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置中,也按照本发明实施变迹加权,可有效抑制通频带内的横模的脉动。
另外,本发明不限定于图1所示的一个3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波装置100,也可以应用在如图8所示连接多个3IDT型纵耦合谐振件型声界面波滤波装置而成的具有平衡-不平衡变换功能的声表面波装置中。图8中,虽然IDT的构造简化成由在矩形部分中划上X的记号表示,但第一~第三IDT与纵耦合谐振件型声界面波滤波装置100的情况同样,具有狭窄间距电极指部、且与第一~第三IDT111~113同样地被施加了变迹加权。
图8所示的声界面波滤波装置120中,在不平衡端子121与第一、第二平衡端子122、123之间连接有图示的电极构造。即,不平衡端子121上借助单端口型声界面波谐振件124连接有3个3IDT型纵耦合谐振件型声界面波滤波部125~127。纵耦合谐振件型声界面波滤波部125~127是与纵耦合谐振件型声界面波滤波装置100同样构成的3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波器。纵耦合谐振件型声界面波滤波部125~127借助相互并联连接的单端口型声界面波谐振件128、129与第一平衡端子122连接。
另一方面,不平衡端子121上借助单端口型声界面波谐振件131连接有3个3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波部132~134。而且,3个3IDT型的纵耦合谐振件型声界面波滤波部132~134通过相互并联连接的单端口型声界面波谐振件135、136与第二平衡端子123连接。
在将不平衡端子121作为输入端子时,按照相对于从第一平衡端子122取出的输出信号的相位,从第二平衡端子123取出的输出信号的相位相差180°的方式,调整纵耦合谐振件型声界面波滤波部132~134的第一~第三IDT、和纵耦合谐振件型声界面波滤波部125~127的第一~第三IDT的相位。因此,在声界面波滤波装置120中可实现平衡-不平衡变换功能,并且,根据本发明,由于在IDT彼此相邻的部分具有狭窄间距电极指部、且第一~第三IDT与声界面波滤波装置100同样地被实施了变迹加权,所以,能够充分减小通频带内的横模脉动,且可以实现插入损耗的降低。
另外,作为压电体,除了LiNbO3之外,还可以使用LiTaO3或水晶等各种压电单晶体或压电陶瓷,而且,对于电介质而言,也可以由SiO2以外的氧化硅或SiN等其他电介质材料形成。电极材料也没有特别的限定,可以由层叠了多个金属层的金属膜形成包含IDT的电极膜。
此外,本发明不限于在声界面波滤波装置中的应用,还能够在压电体的上面形成包含IDT的电极构造而成的声表面波滤波装置中应用,同样可抑制因横模引起的脉动、降低插入损耗,由于和声表面波滤波装置相比,在声界面波滤波装置中容易强烈出现横模脉动,所以,本发明在声界面波滤波装置中更有效果。
Claims (10)
1、一种弹性波滤波装置,是利用了IDT-IDT间的谐振模式的纵耦合谐振件型弹性波滤波装置,具有:压电体;配置在所述压电体上的第一IDT;配置在第一IDT的弹性波传播方向两侧的第二、第三IDT;和配置在设置有第一~第三IDT的部分的弹性波传播方向两侧的第一、第二反射器;在弹性波传播方向上IDT彼此相邻的部分,从该IDT邻接的IDT侧的端部起,局部部分的电极指的周期比该IDT的剩余部分的电极指的周期短,由此,设置了电极指的周期相对小的狭窄间距电极指部,
该弹性波滤波装置对具有所述狭窄间距电极指部的第一~第三IDT实施了变迹加权,使得在除了狭窄间距电极指部的部分中电极指交叉宽度沿着弹性波传播方向依次变化、且位于狭窄间距电极指部的端部的部分具有最大的电极指交叉宽度。
2、根据权利要求1所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在所述第一IDT中,按照第一IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第一IDT的被施加了变迹加权的部分的第二IDT侧的端部及第三IDT侧的端部的方式,实施了所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。
3、根据权利要求1或2所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
按下述方式实施了变迹加权,即:
最大交叉宽度部分位于所述第二IDT的被施加了变迹加权的部分的所述第一IDT侧的端部,最小交叉宽度部分位于所述第二IDT的被施加了变迹加权的部分的第一反射器侧的端部,交叉宽度从最大交叉宽度朝向最小交叉宽度依次减少,
且最大交叉宽度部分位于所述第三IDT的被施加了变迹加权的部分的所述第一IDT侧的端部,最小交叉宽度部分位于所述第三IDT的被施加了变迹加权的部分的第二反射器侧的端部,交叉宽度从最大交叉宽度朝向最小交叉宽度依次减少。
4、根据权利要求1~3中任意一项所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在所述第一、第二IDT邻接的部分中,按照位于距所述第一、第二IDT间的中心等距离的位置的第一、第二IDT的电极指的交叉宽度近似相同的方式实施了所述变迹加权,
在所述第一、第三IDT邻接的部分中,按照位于距第一、第三IDT间的中心等距离的位置的第一、第三IDT的电极指的交叉宽度近似相同的方式实施了所述变迹加权。
5、根据权利要求1或2所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在设置有所述第一~第三IDT的部分的弹性波传播方向两侧分别配置有第四、第五IDT,在设置有所述第一~第五IDT的部分的弹性波传播方向两侧配置有所述第一、第二反射器。
6、根据权利要求5所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在所述第二IDT中,按照第二IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第二IDT的被施加了变迹加权的部分的第四IDT侧的端部及第一IDT侧的端部的方式,实施了所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。
7、根据权利要求5或6所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在所述第三IDT中,按照第三IDT的弹性波传播方向中央的交叉宽度最小、最大交叉宽度部分位于第三IDT的被施加了变迹加权的部分的第一IDT侧的端部及第五IDT侧的端部的方式,实施了所述变迹加权,由此,由变迹加权形成的一对包络线所包围的部分具有鼓状的形状。
8、根据权利要求5~7中任意一项所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
在所述第二IDT与所述第四IDT相邻的部分,第二、第四IDT分别具有狭窄间距电极指部,在所述第三、第五IDT相邻的部分,第三、第五IDT分别具有狭窄间距电极指部,在第四、第五IDT中,对除了狭窄间距电极指部的部分,实施了电极指交叉宽度沿着弹性波传播方向依次变化的变迹加权,第四、第五IDT的被实施了变迹加权的部分的所述第二、第三IDT侧的端部的电极指具有最大的交叉宽度。
9、根据权利要求1~8中任意一项所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
还具备层叠在所述压电体上的电介质层,利用所述声界面波作为所述弹性波。
10、根据权利要求1~8中任意一项所述的弹性波滤波装置,其特征在于,
利用声表面波作为所述弹性波。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006265610 | 2006-09-28 | ||
JP265610/2006 | 2006-09-28 | ||
PCT/JP2007/066305 WO2008038481A1 (fr) | 2006-09-28 | 2007-08-22 | Filtre d'onde acoustique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101517894A true CN101517894A (zh) | 2009-08-26 |
CN101517894B CN101517894B (zh) | 2011-12-28 |
Family
ID=39229920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007800354536A Active CN101517894B (zh) | 2006-09-28 | 2007-08-22 | 弹性波滤波装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7728699B2 (zh) |
EP (1) | EP2068444B1 (zh) |
JP (1) | JP4631972B2 (zh) |
KR (1) | KR101024189B1 (zh) |
CN (1) | CN101517894B (zh) |
WO (1) | WO2008038481A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104467729A (zh) * | 2009-11-02 | 2015-03-25 | 天工松下滤波方案日本有限公司 | 弹性波元件、和其使用的双工器及电子设备 |
CN104677518A (zh) * | 2015-02-05 | 2015-06-03 | 中国科学院微电子研究所 | 声表面波温度传感器 |
CN110140296A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 株式会社村田制作所 | 纵耦合谐振器型弹性波滤波器 |
CN116633307A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-22 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 弹性波装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2963818B1 (en) * | 2006-11-08 | 2023-06-28 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator |
TWI393340B (zh) * | 2009-02-13 | 2013-04-11 | 中原大學 | 球形旋轉式壓電馬達 |
CN102405596B (zh) * | 2009-04-23 | 2014-07-30 | 松下电器产业株式会社 | 天线共用器 |
JP4900420B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-03-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2011135244A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Panasonic Corp | 弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサ |
DE102010034121A1 (de) | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung |
JP2013229641A (ja) * | 2010-08-27 | 2013-11-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波フィルタ |
JP2015073207A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波共振器 |
JP5861809B1 (ja) * | 2014-05-26 | 2016-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2020179905A1 (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5330848A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device |
JPS596612A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH05121997A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波フイルタ |
JP3075124B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2000-08-07 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子 |
US5635883A (en) * | 1995-08-28 | 1997-06-03 | Motorola, Inc. | Acoustic wave filter with filter-shaping element and method |
JPH09205342A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH09214281A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Mitsumi Electric Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH10261936A (ja) | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
EP1249934B1 (en) * | 2001-04-09 | 2013-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communications unit |
JP4049034B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、通信装置 |
JP4480490B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2010-06-16 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置 |
CN100452650C (zh) | 2003-07-02 | 2009-01-14 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波装置及使用该装置的通信装置 |
CN100499368C (zh) * | 2004-08-23 | 2009-06-10 | 株式会社村田制作所 | 平衡型声表面波滤波器 |
-
2007
- 2007-08-22 EP EP07792891.9A patent/EP2068444B1/en active Active
- 2007-08-22 WO PCT/JP2007/066305 patent/WO2008038481A1/ja active Application Filing
- 2007-08-22 CN CN2007800354536A patent/CN101517894B/zh active Active
- 2007-08-22 JP JP2008536305A patent/JP4631972B2/ja active Active
- 2007-08-22 KR KR1020087030112A patent/KR101024189B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-01-26 US US12/359,424 patent/US7728699B2/en active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104467729A (zh) * | 2009-11-02 | 2015-03-25 | 天工松下滤波方案日本有限公司 | 弹性波元件、和其使用的双工器及电子设备 |
CN104677518A (zh) * | 2015-02-05 | 2015-06-03 | 中国科学院微电子研究所 | 声表面波温度传感器 |
CN110140296A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 株式会社村田制作所 | 纵耦合谐振器型弹性波滤波器 |
CN110140296B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-01-13 | 株式会社村田制作所 | 纵耦合谐振器型弹性波滤波器 |
CN116633307A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-22 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 弹性波装置 |
CN116633307B (zh) * | 2023-05-23 | 2024-09-10 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 弹性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090121810A1 (en) | 2009-05-14 |
JP4631972B2 (ja) | 2011-02-16 |
KR101024189B1 (ko) | 2011-03-22 |
KR20090026280A (ko) | 2009-03-12 |
JPWO2008038481A1 (ja) | 2010-01-28 |
WO2008038481A1 (fr) | 2008-04-03 |
EP2068444B1 (en) | 2013-06-26 |
EP2068444A4 (en) | 2012-01-25 |
US7728699B2 (en) | 2010-06-01 |
CN101517894B (zh) | 2011-12-28 |
EP2068444A1 (en) | 2009-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101517894B (zh) | 弹性波滤波装置 | |
EP0897218B1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
KR100290204B1 (ko) | 탄성표면파다중모드필터 | |
JPH0730367A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
US7843285B2 (en) | Piezoelectric thin-film filter | |
JPH08265087A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JPH0730366A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
US8803402B2 (en) | Elastic wave device | |
JP2002076838A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JPWO2008035525A1 (ja) | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 | |
CN213937859U (zh) | 弹性波装置以及滤波器装置 | |
US7394336B2 (en) | Elastic boundary wave apparatus | |
US8525621B2 (en) | Boundary acoustic wave filter | |
US11606079B2 (en) | Transducer structure for source suppression in saw filter devices | |
JPH1070436A (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
JPH09214284A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2022171054A (ja) | 弾性波共振器、フィルタ、およびマルチプレクサ | |
CN219611743U (zh) | 一种高性能谐振器 | |
TW477111B (en) | Edge reflection type longitudinally coupled saw resonator filter and duplexer using the filter | |
JPH09186553A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2008085885A (ja) | 複合弾性表面波装置 | |
JP2006237727A (ja) | バランス型弾性波フィルタ装置 | |
JPWO2010001534A1 (ja) | 弾性波フィルタ装置 | |
JPH09331226A (ja) | 多電極型弾性表面波装置 | |
JP2004194027A (ja) | 弾性表面波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |