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CN101389443B - 焊锡用熔剂上爬防止组合物 - Google Patents

焊锡用熔剂上爬防止组合物 Download PDF

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CN101389443B
CN101389443B CN2007800065678A CN200780006567A CN101389443B CN 101389443 B CN101389443 B CN 101389443B CN 2007800065678 A CN2007800065678 A CN 2007800065678A CN 200780006567 A CN200780006567 A CN 200780006567A CN 101389443 B CN101389443 B CN 101389443B
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Abstract

本发明提供对于表面安装中的焊锡也可以适应的具有高熔剂上爬防止性能的组合物。包含含有由至少一种以下述式(a)表示的含多氟烷基的不饱和化合物和至少一种以下述式(b)表示的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯衍生的单元的共聚物的焊锡用熔剂上爬防止组合物：
Figure 200780006567.8_AB_0
式中，Q：单键或2价连接基团，R1：氢原子或甲基，Rf：可以含有插入于碳-碳键间的醚性氧原子的多氟烷基，R2：羟基或可水解的官能团，R3、R4：分别独立为氢原子、碳数1～4的饱和烷基、苯基，n：1～3的整数，m、l：分别独立为0或1的整数，其中，(4-n-m-l)在1以上。

Description

焊锡用熔剂上爬防止组合物
技术领域
本发明涉及具有电气接点的电子部件或印刷基板等电子构件的锡焊时被用作用于防止焊锡用熔剂的上爬(這い上がり)的预处理剂熔剂上爬防止组合物。此外，本发明涉及具有由该组合物形成的被膜的焊锡用电子部件或印刷基板等电子构件、使用该组合物的锡焊方法以及包含锡焊有上述电子构件的电气制品。
背景技术
在印刷基板上锡焊各种部件或在IC插口上锡焊IC时，预先实施用于使焊锡的附着性提高的熔剂处理。一般的熔剂为在溶剂中含有酸性成分的腐蚀剂。因此，不希望熔剂渗透或附着于连接器、开关、电位器、半固定电阻等电子部件的电气接点部分或印刷基板的不需要锡焊的部分等，需要防止这样的情况。尤其，由于在电子部件的通孔部分等发生的熔剂通过毛细现象等而上爬的被称为“熔剂的上爬”的现象，熔剂附着或渗透至不需要锡焊的部分，需要防止这样的情况。
因此，在锡焊前进行用于防止熔剂上爬的预处理。该预处理中所用的熔剂上爬防止剂通常是包含对熔剂的溶剂具有拒溶剂性的聚合物的组合物。一直以来，因为熔剂的典型的溶剂为IPA，所以拒IPA被作为熔剂上爬防止性能的指标。因此，作为熔剂上爬防止剂的有效成分，一直使用拒IPA性能好的含多氟烷基的聚合物。
作为这样的目前的熔剂上爬防止剂的聚合物，可以例举例如具有多氟烷基的不饱和酯化合物和含硅的不饱和化合物的共聚物(参照专利文献1)。其中所揭示的含硅的不饱和化合物的具体例子为下述的乙烯基硅烷化合物。
Figure G2007800065678D00021
式中，R2表示氢原子或甲基，R3～R5分别独立地表示甲基或碳数1～3的烷氧基。
还有揭示包含与上述同样的不饱和硅烷单体和含氟代脂肪族基团的不饱和酯单体的共聚物，也示例了熔剂上爬防止剂用途的被覆组合物的其它文献(参照专利文献2)。
专利文献1：日本专利特开2001-135926号公报
专利文献2：日本专利特开2002-146271号公报
发明的揭示
近年来，锡焊技术变化巨大，也有锡焊部件的小型化的趋势，作为最近的技术，主流的是在印刷基板上印刷膏状的焊锡，在其上配置表面安装部件，以红外线或热风加热将焊锡熔融来进行锡焊的回流锡焊。该回流锡焊中，基板整个暴露于焊锡熔融温度的条件下。但是，由于对环境的考虑而逐渐成为主流的无铅材质的焊锡存在熔融温度比以往的铅焊锡的熔融温度(183℃)高的倾向，例如高约35℃。
根据这些情况，对于熔剂上爬防止剂也开始要求适应于焊锡的特殊环境下的熔剂上爬防止性能。例如，已知以往的熔剂上爬防止剂在使用如上所述的膏状焊锡的回流锡焊中无法充分发挥其性能。
此外，由于部件小型化，因此上爬防止剂涂布于配线部分是非常困难的，大多适用于部件整体。这时，如果使用用于提高熔剂的上爬防治效果的拒水拒油性高的上爬防止剂，则也存在对保护密封膜的粘接等的后续加工性产生较大的影响的问题。
鉴于如上所述的各种问题，本发明的目的在于提供在最近不断增多的表面安装的锡焊的使用中可以发挥高熔剂上爬防止性能的熔剂上爬防止组合物。另外，其目的还在于提供具有由该组合物形成的被膜的电子部件或印刷基板等焊锡用电子构件、使用该组合物的锡焊方法以及包含锡焊有上述电子构件的电气制品。
本发明中提供的焊锡用熔剂的上爬防止组合物包含含有由至少一种以下述式(a)表示的含多氟烷基的不饱和化合物(以下也记作化合物(a))和至少一种以下述式(b)表示的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯(以下也记作化合物(b))衍生的单元的共聚物。
Figure G2007800065678D00031
式(a)和(b)中，
Q：单键或2价连接基团，
R1：氢原子或甲基，
Rf：可以含有插入于碳-碳键间的醚性氧原子的多氟烷基，
R2：羟基或可水解的官能团，
R3、R4：分别独立为氢原子、碳数1～4的饱和烷基、苯基，
n：1～3的整数，
m、l：分别独立为0或1的整数，
其中，(4-n-m-l)在1以上。
所述式(a)中的多氟烷基(式(a)中以Rf基表示)较好是全氟烷基，通常为碳数1～20的全氟烷基。
本发明的共聚物的优选的形式中，由上述化合物(a)衍生的单元中的所有多氟烷基的90质量％以上为主链碳数6以下、更好是3以下的全氟烷基。
本发明的共聚物的由化合物(b)衍生的单元的含量通常为1～50质量％。
本发明的共聚物可以还含有由除上述化合物(a)和(b)以外的非氟类不饱和化合物(c)衍生的单元。
包含如上所述的共聚物的组合物对于回流锡焊中主要采用的膏状焊锡发挥高熔剂上爬防止性能。因此，本发明的焊锡用熔剂的上爬防止组合物可以良好地用于表面安装中的锡焊。此外，焊锡为无铅焊锡的情况下，也可以良好地使用。
此外，本发明提供其表面的一部分或全部具有由本发明的组合物形成的被膜的具有熔剂上爬防止性能的焊锡用电子构件。
还有，本说明书中，将电子部件和印刷基板等被锡焊的被处理构件统称为电子构件。
本发明还提供在电子构件的表面的一部分或全部形成由上述组合物形成的被膜，将所述电子构件的表面的一部分或全部用焊锡用熔剂处理后，进行锡焊的电子构件的锡焊方法。
另外，还提供包含通过该方法锡焊了的电子构件的电气制品。
本发明的焊锡用熔剂的上爬防止组合物可以发挥高熔剂的上爬防止性能，对于回流锡焊中主要采用的膏状焊锡发挥高熔剂上爬防止性能。因此，也可以适应表面安装技术。另外，本发明的上爬防止组合物通过包含特定的共聚物，即使拒油性低，也可以维持上爬防止性能，能够同时实现上爬防止性能的发挥和后续加工性的改善。
实施发明的最佳方式
本发明的焊锡用熔剂的上爬防止组合物(也记作“上爬防止剂”)包含特定的共聚物作为被膜成分。该共聚物含有由至少一种以下述式(a)表示的含多氟烷基的不饱和化合物和至少一种后述的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯(b)衍生的单元。还有，本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯中的至少一方。
Figure G2007800065678D00041
式(a)中，R1为氢原子或甲基。
Rf为多氟烷基。该多氟烷基是指烷基的2个以上的氢原子被氟原子取代而得的基团，可以在该烷基的碳-碳键间插入有醚性氧原子。本说明书中，多氟烷基或Rf基的表述对应含有插入于碳-碳键间的醚性氧原子的多氟烷基的上位概念，只要没有特别说明，都为不含该氧原子和含该氧原子这两种多氟烷基的总称。
上述多氟烷基(Rf基)通常为对应于碳数1～20的烷基的氟取代数2以上的基团，可以是直链结构和分支结构中的任一种。例如，可以例举对应于甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基等直链或分支结构的烷基的部分氟取代或全氟取代烷基，具有多氟氧乙烯基、多氟氧丙烯基等多氟氧化烯基重复单元的基团等。作为分支结构的多氟烷基，可以例举异丙基、3-甲基丁基、5-甲基己基、7-甲基辛基的全氟取代烷基等。
还有，结构上需要更高的刚性的情况下，为了改善Rf基的堆积结构，作为Rf基，选择不含醚性氧原子的多氟烷基，特别是选择不含醚性氧原子的全氟烷基。
本发明中，Rf基理想的是实质上全氟取代的全氟烷基(以下也记作RF基)，较好是碳数1～20的RF基，特别好是主链的链长(不包括侧链的碳数)为1～6的RF基。
Rf基可以是直链结构和分支结构中的任一种，较好是直链结构。呈分支结构的情况下，较好是分支部分存在于Rf基的末端部分且为碳数1～3左右的短链的情况。
本发明的上爬防止剂中，Rf基链长与上爬防止性能没有显著的相关性。即使Rf基的主链的链长超过8，也不会使上爬防止性能下降，但拒油性变强，可能会对被处理部件的后续加工性产生较大的影响。
还有，Rf基链长与拒水或拒油性能存在密切的关系，如果Rf链长的碳数达到8以上，则可以表现出非常高的拒水拒油性。还有，对于拒水拒油性，可以将接触角作为指标。例如，对于十二烷等的油的接触角越大，则可以说具有越高的拒油性。
然而，上爬防止性能与Rf链长没有显著的相关性，因此从被处理部件的后续加工性的角度来看，共聚物中，由化合物(a)衍生的单元中的所有Rf基的90质量％以上为主链碳数6以下、更好是3以下的RF基。
上述式(a)中，Q为单键或2价的连接基团。以下示例2价的连接基团，但Q只要是单键或2价的连接基团即可，可以适当选择，并不局限于这些基团。
作为2价的连接基团，可以例举-O-、-S-、-NH-、-SO2-、-PO2-、-CH＝CH-、-CH＝N-、-N＝N-、-N(O)＝N-、-COO-、-COS-、-CONH-、-COCH2-、-CH2CH2-、-CH2-、-CH2NH-、-CH2-、-CO-、-CH＝CH-COO-、-CH＝CH-CO-、直链状或分支状的亚烷基或亚烯基、亚烷基氧基，2价的4、5、6或7元环取代基或由它们构成的稠合取代基、6元环芳基、4～6元环的饱和或不饱和的脂肪族基团、5或6元环杂环基或它们的稠环，由这些2价的连接基团的组合构成的基团。
这些基团可以具有取代基，作为取代基的例子，有卤素原子(F、Cl、Br、I)、氰基、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丁氧基辛氧基、甲氧基乙氧基等)、芳氧基(苯氧基等)、烷硫基(甲硫基、乙硫基等)、酰基(乙酰基、丙酰基、苯甲酰基等)、磺酰基(甲磺酰基、苯磺酰基等)、酰氧基(乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、磺酰氧基(甲磺酰氧基、甲苯磺酰氧基等)、膦酰基(二乙基膦酰基等)、酰氨基(乙酰氨基、苯甲酰氨基等)、氨基甲酰基(N，N-二甲基氨基甲酰基、N-苯基氨基甲酰基等)、烷基(甲基、乙基、丙基、异丙基、环丙基、丁基、2-羧基乙基、苄基等)、芳基(苯基、甲苯基等)、杂环基(吡啶基、咪唑基、呋喃基等)、链烯基(乙烯基、1-丙烯基等)、烷氧基酰氧基(乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、烷氧基羰基(甲氧基羰基、乙氧基羰基等)和聚合性基团(乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、烯丙基、肉桂酸残基等)等。
上述中，Q较好是以-Z-(Y)n-(Z为单键、-O-或-NH-，Y为亚烷基、氨基、磺酰基或由它们的组合得到的2价的连接基团，n为0或1的整数)表示的2价的连接基团。Y较好是碳数1～5的直链的亚烷基。
式(a)中的Q为-Z-(Y)n-的形式的优选例子具体可以以下述式(a1)表示。
Figure G2007800065678D00061
式(a1)中，
R1：氢原子或甲基，
Z：单键、-O-、-NH-，
Y：碳数1～5的亚烷基，
Rf：表示F(CF2)n-，(CF3)2CF(CF2)m-(n＝1～20的整数，m＝0～10的整数)。
作为以上述式(a1)表示的化合物的具体例子，可以例举以下的含多氟烷基的丙烯酸酯或含多氟烷基的甲基丙烯酸酯，本发明中的化合物(a)并不局限于这些例子。
Figure G2007800065678D00071
或
Figure G2007800065678D00072
这些化合物中的Y和Rf的组合示于下述表1。
表1
  Y   Rf
  -(CH2)2-   -(CF3)8F
  -(CH2)2-   -(CF2)6F
  -(CH2)2-   -(CF2)4F
  -CH2-   -(CF2)2F
  -CH2-   -CF3
  -(CH2)2-   -(CF2)6CF(CF3)2
  -(CH2)2-   -(CF2)4CF(CF3)2
  -(CH2)2-   -(CF2)2CF(CF3)2
  -CH2-   -CF(CF3)2
本发明的共聚物可以含有1种由上述化合物(a)衍生的单元，也可以含有2种以上。
共聚物中的由所有上述化合物(a)衍生的单元的含量较好是50～99质量％，更好是80～99质量％。这是因为如果由化合物(a)衍生的单元的含量在上述范围内，则共聚物的熔剂的上爬防止性能良好。还有，本发明的共聚物中，各聚合单元的含量实质上可以视作聚合加料量。
形成本发明的共聚物的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯以下述式(b)表示。
Figure G2007800065678D00073
式(b)中，Q为单键或2价的连接基团，可示例与前述式(a)中的Q同样的基团。其中，作为优选的Q，可以例举单键、-(CH2)n-(其中的n＝1～10)、-(CH2CH2O)n-(其中的n＝1～10)、-COO-、6元环芳基、直链状或分支状的亚烷基或者由这些2价的连接基团的组合构成的基团，可更优选地例举单键、碳数1～5的亚烷基等。
R1为氢原子或甲基。
R2为羟基或可水解的官能团，具体可以例举碳数1～3的烷氧基、卤素原子等。
n为1～3的整数，n为2或3时，R2可以相同或不同。
m和l分别独立为0或1的整数。(4-n-m-l)在1以上。
R3和R4分别独立为氢原子、碳数1～4的饱和烷基、苯基。
从对被处理部件的密合性、上爬防止性的角度来看，上述化合物(b)较好是含有至少1个以上的可水解的官能团，即上述式(b)中，含有至少1个的作为可水解的官能团的R2，其中更好是n＝3且所有的R2都为可水解的官能团。此外，作为可水解的官能团，烷氧基最容易处理，是更优选的。作为烷氧基，较好是碳数1～5，特别好是碳数1～3。
以下，示例这样的优选的化合物(b)的具体例子，但化合物(b)并不局限于这些例子。
Figure G2007800065678D00081
或
Figure G2007800065678D00082
这些化合物中的Q和R2的组合示于下述表2。
表2
  Q   (R2)3
  单键   -(OMe)3
  单键   -(OEt)3
  单键   -(OPr)3
  -CH2-   -(OMe)3
  -CH2-   -(OEt)3
  -CH2-   -(OPr)3
  (CH2)2   (OMe)3
  -(CH2)2-   -(OEt)3
  -(CH2)2-   -(OPr)3
  -(CH2)3-   -(OMe)3
  (CH2)3   (OEt)3
  -(CH2)3-   -(OPr)3
本发明的共聚物可以含有1种由上述化合物(b)衍生的单元，也可以含有2种以上。
本发明的共聚物中，由化合物(b)衍生的单元即使仅含有1质量％，上爬防止性能也得到改善。如果含有5质量％以上，则表现出非常高的性能。然而，如果含有大量的由化合物(b)衍生的单元，则共聚物的稳定性容易被破坏，因此共聚物中的由所有化合物(b)衍生的单元的含量较好是1～50质量％，更好是5～20质量％。
本发明的共聚物可以在含有如上所述的由化合物(a)和(b)衍生的单元的同时，含有1种或2种以上由除它们以外的化合物(c)衍生的单元。该化合物(c)只要是可与上述(a)和(b)形成共聚物的其它化合物即可，没有特别限定。
作为这样的化合物(c)，例如可以例举不具有Rf且具有聚合性的不饱和基团的化合物，具体可以例举丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯等聚烯烃类不饱和酯、具有乙烯基的化合物、具有环氧基的不饱和酯、具有氨基和聚合性不饱和基团的化合物、丙烯酸二酯等(甲基)丙烯酸的多酯以及具有取代氨基和聚合性不饱和基团的化合物等。
以下，示例这样的化合物(c)的具体例子，但并不局限于这些例子。
化合物(c)的例1：苯乙烯类化合物(具有乙烯基的化合物)
Figure G2007800065678D00091
上述R5例如为-H、-OH、-CH3、-Cl、-CHO、-COOH、-CH2OH、-CH2Cl、-CH2NH2、-CH2N(CH3)2、-CH2N(CH3)3Cl、-CH2NH3Cl、-CH2CN、-CH2COOH、-CH2N(CH2COOH)2、-CH2SH、-CH2SO3Na或-CH2OCOCH3等。
化合物(c)的例2：(甲基)丙烯酸酯
或
Figure G2007800065678D00093
上述R6例如为-H、-CH3、-CH3CH2OH、-CH2CH2N(CH3)2、-(CH2)nH(其中的n＝2～20)、-CH2CH(CH3)2、-CH2-C(CH3)2-OCO-Ph、-(CH2CH2O)nH(其中的n＝2～20)、-CH2-Ph、-CH2CH2OPh、-CH2N(CH3)3Cl、-CH2CH2O-PO(OH)2、-[Si(CH3)2O]mH(其中的m＝2～20)、-(CH2CH2O)nCH3(其中的n＝2～20)、
Figure G2007800065678D00101
或
Figure G2007800065678D00102
等。
化合物(c)的例3：以下述式所示的化合物
或
Figure G2007800065678D00104
上述R7例如为-NHCH2OH、-NHCH2SO3H、-NHC(CH3)2CH2-CO-CH3、-N＝N(CH3)3、-CNH2n+1(其中的n＝2～20)和-NH2等。
化合物(c)的例4：下述化合物
CH2＝CHCl
CH2＝CH-CN
Figure G2007800065678D00105
上述示例中，n＝1～10。
化合物(c)的例5：下述化合物
(CH2＝C(R)-COO-CH2CH2O)2PO(OH)
CH2＝C(R)-COO-(CH2CH2O)n-CO-C(R)＝CH2
CH2＝C(R)-COO-(CH2)n-OCO-C(R)＝CH2
(CH3)2C(CH2O-CO-C(R)＝CH2)2
(CH3)C(CH2O-CO-C(R)＝CH2)3
C(CH2O-CO-C(R)＝CH2)4
HOCH2-C(CH2O-CO-C(R)＝CH2)3
(CH2＝C(R)-COO-CH2)3C-CH2OCH2-C(CH2O-CO-C(R)＝CH2)3上述示例中，R为H或CH3。
化合物(c)的例6：
Figure G2007800065678D00111
上述R1为氢原子或甲基，R8为有机基团(不包括多氟烷基)，p为1～4的整数。
本发明的共聚物可以以50质量％以下的量含有由如上所述的化合物(c)衍生的单元，其含量也根据其种类而不同。
本发明中，如果共聚物的分子量适度地大，则可以充分发挥性能；另一方面，如果分子量过大，则对溶剂的溶解性变差，因此共聚物的分子量以重均分子量(Mw)计通常较好是1×103～1×107，特别好是1×104～2×105。
本发明的共聚物除了含有由如上所述的化合物(a)、(b)和附加的(c)衍生的单元以外，对于聚合形式等没有特别限定。聚合形式可以是无规、嵌段、接枝等中的任一种，没有特别限定，但通常较好是无规共聚物。
对于其制造方法也没有特别限定，本发明中通常可以基于各化合物中的不饱和基团使其加成聚合。聚合时，可以适当采用公知的不饱和化合物的加成聚合条件进行。例如，作为聚合引发源，没有特别限定，可以采用有机过氧化物、偶氮化合物、过硫酸盐等通常的引发剂。
包含上述共聚物的本发明的组合物(上爬防止剂)通常是液状形态。因此，优选的形态是通过以后述的溶剂为聚合介质的溶液聚合来制造共聚物，通过聚合直接制备液状组合物。作为聚合原料的化合物为氯乙烯等气体的情况下，可以使用压力容器，在加压下连续供给。
形成组合物的溶剂只要可以溶解或分散共聚物即可，没有特别限定，可以例举各种有机溶剂、水或它们的混合介质等。特别是共聚物中所含的Rf基的链长短的情况下，可以将除醇以外的极性溶剂作为主溶剂。具体来说，可以例举作为酮类的丙酮和甲基乙基酮、作为酯类的乙酸乙酯、作为醚类的四氢呋喃等，但并不局限于此。如果是氟类溶剂，则可以不考虑共聚物中的Rf基的链长来进行选择。也可以使用氢氯氟碳(HCFC)和全氟化碳(PFC)，但如果考虑到社会的环境问题，较好是氢氟碳(HFC)或氟代烃(HFE)等。以下，示例可使用的氟类溶剂的具体例子，但并不局限于这些例子。
六氟间二甲苯(以下记作m-XHF)
六氟对二甲苯(以下记作m-XHF)
CF3CH2CF2CH3
CF3CH2CF2H
C6F13OCH3
C6F13OC2H5
C3F7OCH3
C3F7OC2H5
C6F13H
CF2HCF2CH2OCF2CF2H
CF3CFHCFHCF2CH3
CF3(OCF2CF2)n(OCF2)mOCF2H
C8F17OCH3
C7F15OCH3
C4F9OCH3
C4F9OC2H5
C4F9CH2CH3
CF3CH2OCF2CF2CF2H
上述示例中，m、n都表示1～20。
本发明的上爬防止剂通常以较好是0.01～20质量％、更好是0.05～5质量％的浓度包含上述共聚物。如果共聚物的浓度在该范围内，则可以充分发挥上爬防止性能，组合物的稳定性也良好。还有，上爬防止剂的上述共聚物浓度为最终浓度即可，例如作为聚合组合物直接制备上爬防止剂的情况下，聚合刚结束后的聚合组合物的共聚物浓度(固体成分浓度)即使超过20质量％，也没有问题。高浓度的聚合组合物可以适当地稀释，使其最终达到上述优选的浓度。
只要是在不会对组合物的稳定性、熔剂上爬防止性能或外观等产生不良影响的范围内，本发明的上爬防止剂可以包含除前述以外的其它成分。作为这样的其它成分，可以例举例如用于防止被膜表面的腐蚀的pH调整剂、防锈剂、将组合物稀释使用时用于进行液中的聚合物的浓度管理或与未处理部件进行区分的染料、染料的稳定剂、难燃剂、消泡剂或者静电防止剂等。
通过本发明，可提供将如上所述的上爬防止剂在电子构件的表面的一部分或全部形成被膜，将所述电子构件的表面的一部分或全部用焊锡用熔剂处理后，进行锡焊的电子构件的锡焊方法。这时，可以将上爬防止剂根据目的和用途稀释至任意的浓度，被覆于电子构件。作为被覆方法，可以采用一般的被覆加工方法。例如，有浸渍涂布、喷涂或者采用填充有本发明的组合物的气溶胶罐的涂布等方法。
作为电子构件，具体可以例举连接器、开关、电位器、半固定电阻等具有电气接点的电子部件、具有电气接点的印刷基板等。作为通过本发明的上爬防止剂所被覆的部位，可以例举在印刷基板上锡焊连接器等电子部件时可能会发生熔剂的上爬的部位。更具体来说，可以例举安装于基板的连接器等电子部件的引脚部分、印刷基板的安装电子部件主体的一侧的基板表面或者用于安装电子部件的设于印刷基板的通孔等。此外，可以被覆于电子部件或印刷基板的整个表面，也可以采用除上述以外的被覆方法。例如，也可以采用被覆效率高的基于全浸渍或半浸渍的方法。
上爬防止剂涂布后，较好是在溶剂的沸点以上的温度下进行干燥。当然，由于被处理部件的材质等而难以加热干燥的情况下，应该不采用加热来进行干燥。还有，热处理的条件根据涂布的组合物的组成和涂布面积等进行选择即可。
本发明的上爬防止剂在电子部件或印刷基板的表面形成被膜，防止焊锡用熔剂的上爬。因此，通过本发明，可提供熔剂引起的腐蚀得到防止的电子部件或印刷基板。
尤其，本发明的上爬防止剂适应于表面安装技术，对于以往的熔剂上爬防止剂难以适应的回流锡焊，发挥高性能。此外，本发明的上爬防止剂也可以充分适应无铅焊锡。
接着，通过上述操作而在表面形成了被膜的电子部件或印刷基板通过焊锡用熔剂处理，再进行锡焊，形成经锡焊的电子部件或印刷基板。另外，该电子部件或印刷基板可用于各种电气制品。该电气制品是由熔剂引起的腐蚀所引发的问题得到防止的品质良好的电气制品。作为该电气制品的具体例子，可以例举计算机用设备、电视机、音响用设备(收录机、激光唱片、微型唱盘)等所用的设备、移动电话等。
实施例
以下，对本发明进行具体说明，但本发明并不受到以下的实施例的限定。还有，只要没有特别限定，以下的实施例的记载中，以“％”表示的量表示“质量％”。各化合物的略称表记示于表3。
表3
Figure G2007800065678D00141
[制造例1～20]
使表3所示的各化合物(a)和化合物(b)以表4所示的质量比如下进行聚合，获得含聚合物1～20的聚合组合物1～20。
在100ml的玻璃制的安瓿瓶中以总量100质量份的单体、1质量份作为引发剂的2，2’-偶氮双(2-甲基丙酸甲酯)(V-601：和光纯药工业株式会社(和光純薬))、399质量份作为溶剂的六氟间二甲苯(m-XHF)的比例加料，使总加料量达到60g，在70℃进行反应18小时，获得包含表4所示的共聚物1～20的聚合组合物1～20。
[比较制造例1～8]
上述制造例中，除了不使用化合物(b)以外，同样地进行操作，使表3中以F(M)A表示的各化合物(a)均聚，获得包含聚合物21～25的聚合组合物21～25。此外，除了以表4所示的质量比使用表3中以C6FMA表示的化合物(a)和化合物(c)以外，与上述制造例同样地进行操作，获得包含表4所示的聚合物26～28的聚合组合物26～28。
[重均分子量的测定]
将上述各聚合组合物用m-XHF稀释至2％，作为测定样品。使用昭和电工株式会社(昭和電工株式会社)制的Shodex GPC-104，通过以下的测定条件进行测定。聚合物1～28的重均分子量的测定结果示于下述的表4。
<GPC测定条件>
分离柱：LF-604×2
默认柱：KF600RH×2
洗脱液：AK-225
流速：0.2ml/分钟
标准物质：聚甲基丙烯酸甲酯
[聚合物组合物的固体成分浓度]
取1g上述个聚合物组合物，在110℃干燥2小时后，称量固体成分，求出固体成分(共聚物)浓度(质量％)。结果示于表4。
表4
Figure G2007800065678D00161
＊：化合物(c)＊＊聚合组合物中的固体成分浓度
[实施例1～20]
对于聚合组合物1～20，用m-XHF稀释至0.1％，进行熔剂上爬防止性能的评价和接触角的测定。结果示于表5。
[比较例1～8]
对于聚合组合物21～28，用m-XHF稀释至0.1％，评价熔剂上爬防止性能。结果示于表5。
[熔剂上爬防止性能的比较]
将对铜板进行镀银(镀层厚3μm)处理而得的试验片用各实施例和比较例浸渍60秒后，在110℃进行干燥5分钟。对于用各处理剂处理了的试验片，掩模印刷千住金属工业株式会社(千住金属工業株式会社)制的膏状焊锡“ECO SOLDER Paste M705-GRN360-K2”(圆形φ＝3mm，厚度＝0.3mm)。将试验片以约73度的倾斜固定，使用株式会社力世科(株式会社レスカ)制的可焊性测试仪SAT-5100，使其升温(以70～80℃的温度开始→(2℃/秒)→220℃×120秒→(2℃/秒)→260℃×60秒)。升温后，测定焊锡和熔剂的自上端至末端的距离。根据该距离减去掩模径(3mm)所得的值(熔剂流挂距离)，进行熔剂上爬防止性能的比较。
[接触角的测定]
对于经各实施例处理(浸渍1分钟后，在110℃干燥5分钟)的玻璃板，进行对于正十六烷的接触角测定。接触角的测定使用协和界面科学株式会社(協和界面科学社)制的液滴式投影型接触角计。
确认本发明的熔剂上爬防止组合物具有非常高的上爬防止性能。
表5
实施例 组合物   熔剂流挂距离[mm]   接触角[度]
 1   1   1.7   77
 2   2   0.5   77
 3   3   0.7   75
 4   4   0.8   77
 5   5   0.7   67
 6   6   1.1   71
 7   7   1.0   70
 8   8   1.0   72
 9   9   1.6   68
 10   10   1.2   67
 11   11   0.9   68
 12   12   0.9   66
 13   13   1.9   60
 14   14   1.0   60
 15   15   0.8   60
 16   16   1.0   56
 17   17   1.7   49
 18   18   0.8   49
 19   19   0.8   52
 20   20   0.8   46
 比较例1   21   2.9   76
 比较例2   22   5.2   63
 比较例3   23   7.2   66
 比较例4   24   7.0   61
 比较例5   25   6.2   52
 比较例6   26   5.6   71
 比较例7   27   2.9   73
 比较例8   28   2.9   70

Claims (11)

1.焊锡用熔剂上爬防止组合物，其特征在于，包含含有由至少一种以下述式(a)表示的含多氟烷基的不饱和化合物和至少一种以下述式(b)表示的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯衍生的单元的共聚物：
Figure FSB00000450120100011
式(a)和(b)中，
Q：单键或2价连接基团，
R1：氢原子或甲基，
Rf：可以含有插入于碳-碳键间的醚性氧原子的多氟烷基，
R2：羟基或可水解的官能团，
R3、R4：分别独立为氢原子、碳数1～4的饱和烷基、苯基，
n：1～3的整数，
m、l：分别独立为0或1的整数，
其中，4-n-m-l在1以上。
2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述式(a)中的多氟烷基为全氟烷基。
3.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，由所述以式(a)表示的化合物衍生的单元中的所有多氟烷基的90质量％以上为主链碳数6以下的全氟烷基。
4.如权利要求3所述的组合物，其特征在于，由所述以式(a)表示的化合物衍生的单元中的所有多氟烷基的90质量％以上为主链碳数3以下的全氟烷基。
5.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述共聚物的由以式(b)表示的化合物衍生的单元的含量为1～50质量％。
6.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述共聚物还含有由除所述以式(a)表示的化合物和以式(b)表示的含硅烷的(甲基)丙烯酸酯以外的非氟类不饱和化合物(c)衍生的单元。
7.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，用于表面安装中的锡焊。
8.如权利要求7所述的组合物，其特征在于，所述焊锡为无铅焊锡。
9.具有熔剂上爬防止性能的焊锡用电子构件，它是选自电子部件和印刷基板的至少一种电子构件，其特征在于，且其表面的一部分或全部具有由权利要求1～8中的任一项所述的组合物形成的被膜。
10.电子构件的锡焊方法，其特征在于，在选自电子部件和印刷基板的至少一种电子构件的表面的一部分或全部形成由权利要求1～8中的任一项所述的组合物形成的被膜，将所述电子构件的表面的一部分或全部用焊锡用熔剂处理后，进行锡焊。
11.电气制品，其特征在于，包含通过权利要求10所述的方法锡焊了的电子构件。
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