CN108735427B

CN108735427B - 线圈部件

Info

Publication number: CN108735427B
Application number: CN201810353531.7A
Authority: CN
Inventors: 篠原刚太; 石田拓也
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-04-19
Filing date: 2018-04-19
Publication date: 2020-11-06
Anticipated expiration: 2038-04-19
Also published as: JP2018182206A; CN108735427A; US10861641B2; US20180308629A1

Abstract

本发明提供一种在含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部埋设有线圈导体的可靠性高的线圈部件。线圈部件具有：含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部；埋设于上述磁性体部的线圈导体；以及与上述线圈导体电连接且配置于线圈部件的底面的外部电极，其中，上述线圈导体配置为中心轴沿线圈部件的高度方向，并且，上述线圈导体中，与构成绕线部的最内层的绕线相比，构成最外层的绕线位于上方。

Description

线圈部件

技术领域

本发明涉及一种线圈部件，具体而言，涉及一种具有磁性体部、埋设于该磁性体部的线圈导体和设置于该磁性体部的外部的外部电极而成的线圈部件。

背景技术

作为在磁性体部埋设有线圈导体的线圈部件，已知在磁性体部使用含有金属粒子和树脂材料的复合材料的线圈部件(专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2016－201466号公报

发明内容

上述那样的在磁性体部使用含有金属粒子和树脂材料的复合材料的线圈部件是通过准备含有金属粒子和树脂材料的复合材料的片材，在其上配置线圈，再从线圈上覆盖别的复合材料的片材，进行压缩成型而制造的。这样的线圈部件中，一般为了确保磁性体部的绝缘性，金属粒子被绝缘被膜覆盖。另外，为了确保线圈导体与磁性体部的绝缘性，将构成线圈导体的导线利用绝缘性物质进行被覆。然而，因上述压缩成型时的压力而金属粒子的表面的绝缘涂层被破坏，进而金属粒子贯穿线圈导体的被覆部，有可能使磁性体内部和磁性体部与线圈导体间的绝缘性降低。其结果，在存在于磁性体表面的导体(例如，线圈导体的引出部、外部电极)与磁性体内部的绕线部之间有可能产生电阻低的路径。在低频下使用时，由于线圈导体的阻抗小，所以即便产生上述那样的低电阻路径，电流也优先流过线圈导体，不易产生大的问题。然而，高频下使用时，线圈导体的阻抗变大，所以电流不会沿线圈导体流通，而是流向上述的低电阻路径，其结果，有可能发生存在于磁性体表面的导体与绕线部间的短路。并且，因该短路发生的位置，绕线部的一部分被短接，电流仅在绕线部的一部分流过，会产生电感降低的问题。

为了抑制上述的短路，可考虑尽可能增大存在于磁性体表面的导体与绕线部间的距离。然而，特别是在线圈部件的底面存在导体时，像专利文献1中记载的那样的线圈部件中，在磁性体部内，线圈导体配置为内侧和外侧的高度相同，因此增大底面的导体与绕线部的距离时，必然产生线圈部件的高度变大的问题。

本发明的目的在于提供一种在含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部埋设有线圈导体的、可靠性高的线圈部件。

本发明人为了解决上述的问题而进行了深入研究，结果发现通过改变线圈部件的绕线部的内侧和外侧的高度，具体而言将线圈导体配置为外侧成为比内侧高的位置，从而能够确保高的可靠性，进而完成了本发明。

根据本发明的要旨，提供一种线圈部件，具有：含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部；埋设于上述磁性体部的线圈导体；与上述线圈导体电连接且配置于线圈部件的底面的外部电极；其中，上述线圈导体配置为中心轴沿线圈部件的高度方向，并且，上述线圈导体中，与构成绕线部的最内层的绕线相比，构成最外层的绕线位于上方。

根据本发明，在具有含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部、埋设于上述磁性体部的线圈导体以及与上述线圈导体电连接且配置于线圈部件的底面的外部电极的线圈部件中，通过将线圈导体配置为线圈部件的绕线部的外侧成为比内侧高的位置，能够确保外部电极与线圈导体之间的绝缘性，得到更高的可靠性。

附图说明

图1是示意地表示本发明的线圈部件的一实施方式的立体图。

图2是表示沿图1的线圈部件的x－x的剖面的剖视图。

图3是图1的线圈部件的埋设有线圈导体3的磁性体部2的立体图。

图4是图1的线圈部件的配置有线圈导体3的磁性体基座8的平面图。

图5是图1的线圈部件的磁性体基座8的立体图。

图6是表示沿图5的磁性体基座8的y－y的剖面的剖视图。

图7是图5的磁性体基座8的平面图。

图8是另一形态中的磁性体基座的剖视图。

图9是另一形态中的磁性体基座的剖视图。

图10是图1的线圈部件的配置有线圈导体3的磁性体基座8的剖视图。

图11是说明用于计算实施例中的金属粒子的填充率的测定位置的图。

图12是示意地表示比较例1的线圈部件的立体图。

图13是说明用于计算比较例1中的金属粒子的填充率的测定位置的图。

符号说明

1…线圈部件

2…磁性体部

3…线圈导体

4、5…外部电极

6…保护层

8…磁性体基座

9…磁性体护套

11…凸部

12、13…线圈导体的末端

14、15…槽

16…基座部

17…基座部的前面

18…基座部的背面

19…基座部的底面

20…基座部的上表面

21…凹部

22…凹部的壁面

23…凹部的底面

24、25…线圈导体的引出部

26、27…线圈导体的端末部

28、29…线圈导体的端末部与磁性体部的端面间的区域

101…比较例1的线圈部件

102…磁性体部

103…线圈导体

104、105…外部电极

106…保护层

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的线圈部件进行详细说明。但是，本实施方式的线圈部件和各构成要素的形状和配置等不限于图示的例子。

图1中示意地示出本实施方式的线圈部件1的立体图，图2中示意地示出其剖视图。图3中示意地示出线圈部件1的埋设有线圈导体3的磁性体部2的立体图。并且，图4中示意地示出线圈部件1的配置有线圈导体3的磁性体基座8的平面图。但是，下述实施方式的电容器和各构成要素的形状和配置等不限于图示的例子。

如图1和图2所示，本实施方式的线圈部件1具有大致长方体形状。线圈部件1中，将其图2的图左右侧的面称为“端面”，将图上侧的面称为“上表面”，将图下侧的面称为“底面”，将图近前侧的面称为“前面”，将图里侧的面称为“背面”。线圈部件1主要具有磁性体部2、在其中埋设的线圈导体3、一对外部电极4、5。如图2和图3所示，磁性体部2由磁性体基座8和磁性体护套9构成。在磁性体部2、磁性体基座8以及磁性体护套9中，将其图2的图左右侧的面称为“端面”，将图上侧的面称为“上表面”，将图下侧的面称为“底面”，将图近前侧的面称为“前面”，将图里侧的面称为“背面”。如图2～图4所示，磁性体基座8在其上表面具有凸部11。磁性体基座8在前面、底面和背面具有槽14、15以便与两端面相接。在磁性体基座8上，线圈导体3配置为磁性体基座8的凸部11位于卷芯部。线圈导体3的引出部24、25沿磁性体基座8的背面和底面的槽14、15从磁性体基座8的上表面通过背面引出到底面。线圈导体3的末端12、13被引出到磁性体基座8的前面或者前面附近。磁性体基座8上设有磁性体护套9以覆盖线圈导体3。属于线圈导体3的引出部24、25的一部分的端末部26、27在磁性体部2的底面露出。并且，外部电极4、5设置于磁性体部2的底面，分别与线圈导体3的上述端末部26、27电连接。另外，线圈部件1除了外部电极4、5以外都被保护层6覆盖。

本说明书中，将线圈部件1的长度称为“L”，将宽度称为“W”，将厚度(高度)称为“T”(参照图1)。本说明书中，将与前面和背面平行的面称为“LT面”，将与端面平行的面称为“WT面”，将与上表面和底面平行的面称为“LW面”。

如上所述，上述磁性体部2由磁性体基座8和磁性体护套9构成。应予说明，本实施方式中，磁性体部由磁性体基座和磁性体护套这2个部分构成，但本发明不限于此。例如，可以是在磁性体片材之间夹着线圈导体进行压缩成型而得到的磁性体部。

如图5～图7所示，上述磁性体基座8具有基座部16和形成在基座部16上的凸部11。基座部16与凸部11一体地形成。基座部16在两端部(图6中的左右的区域)具有跨过前面17、底面19和背面18的槽14、15。另外，基座部16的上表面20的边缘部比中央部高，即，在上述上表面，与凸部11的边缘所在的位置相比，两端的边缘部分位于上方(图6的上侧)。

如上所述，磁性体基座8中，在基座部16的上表面20，与凸部11的边缘所在的位置相比，至少一部分的边缘部分位于上方。即，图6中的t2比t1大。上述位于上方的边缘部分可以是两端面的边缘部分，也可以是前面和背面的边缘部分。优选与凸部11的边缘所在的位置相比，边缘部分的整体位于上方。通过这样使基座部16的边缘部高于中央部，容易进行线圈导体3的定位。另外，通过提高边缘部的位置，从而在其上配置线圈导体时，存在于底面的导体与线圈导体的距离变大，因此可靠性提高。基座部16的上表面20的位置从凸部11的边缘到基座部16的边缘，可以是直线上升，也可以是曲线上升。即，基座部16的上表面20可以是平面，也可以弯曲。优选基座部16的上表面20的位置从凸部11的边缘到基座部16的边缘为止直线上升。

应予说明，本发明中，在基座部16的上表面20，优选与凸部11的边缘所在的位置相比，边缘部分位于上方，但不限于此。例如，在基座部16的上表面20，可以是凸部11的边缘所在的位置与边缘部分的高度相同(即上述t1与t2相同)(图9)，也可以是与凸部11的边缘所在的位置相比边缘部分位于下方(即可以是上述t1大于t2)。

一个形态中，上述t2与t1之差(t2－t1)可以优选为0.10mm～0.30mm，更优选为0.15mm～0.25mm。

如上所述，磁性体基座8中，基座部16具有槽14、15。槽14、15分别具有引导线圈导体3的引出部24、25的作用。

上述槽的深度没有特别限定，优选为构成线圈导体3的导体的厚度以下，例如可以优选为0.05mm～0.20mm，例如0.10mm～0.15mm。

上述槽的宽度优选为构成线圈导体3的导体的宽度以上，更优选大于构成线圈导体3的导体的宽度。

应予说明，本发明中，磁性体基座不一定具有槽。

如上所述，磁性体基座8中，凸部11是圆筒形。上述形态中，凸部11的直径可以优选为0.1mm～2.0mm，更优选为0.5mm～1.0mm。

应予说明，从磁性体基座8的上表面侧观察的凸部的形状没有特别限定，可以是圆形、椭圆形、三角形、四边形等多边形。可以优选为与线圈导体的卷芯部的截面形状相同的形状。

上述凸部11的高度优选为线圈导体的卷芯部的长度以上，可以优选为0.1mm以上，更优选为0.3mm以上，更优选为0.5mm以上。凸部11的高度可以优选为1.5mm以下，更优选为0.8mm以下，更优选为0.5mm以下。其中，“凸部的高度”是指从凸部所接触的基座部的上表面到凸部的顶部的高度，“卷芯部的长度”是指卷芯部沿线圈的中心轴的长度。

应予说明，本发明中，磁性体基座只要是具有凸部的结构，就没有特别限定。

优选的形态中，如图8所示，磁性体基座可以在其底面的与凸部对置的位置的至少一部分具有凹部21。通过这样将凹部21设置在与凸部11对置的磁性体基座的底面的至少一部分，能够利用压缩成型大幅提高凸部11的金属粒子的填充率。

从磁性体基座8的底面侧观察的凹部21的形状，没有特别限定，可以是圆形、椭圆形、三角形、四边形等多边形、带状。

一个形态中，上述凹部21存在于外部电极4、5间，优选在外部电极4、5间整体上存在。通过在外部电极4、5间设置凹部，外部电极4、5间的路径长度(沿磁性体表面的距离)变大，能够提高两外部电极间的电绝缘性，提高可靠性。并且，通过将凹部21设置在外部电极4、5间整体上，从而安装于基板等时，能够扩大基板等与磁性体部的底面的最小距离，因此可靠性变高。另外，能够将保护层收容于凹部，因此与不形成凹部的情况相比，能够减小线圈部件的厚度。

一个形态中，上述凹部21设置于磁性体基座的底面的与凸部11对置的部分整体上。通过这样将凹部21设置于磁性体基座的底面的与凸部11对置的部分整体上，能够利用压缩成型进一步增大凸部11的金属粒子的填充率。

上述凹部21的深度没有特别限定，可以优选为0.01mm～0.08mm，更优选为0.02mm～0.05mm。其中，“凹部的深度”是指最深的位置的深度。

上述凹部21的宽度(L方向的宽度)没有特别限定，可以优选为0.3mm～0.8mm，更优选为0.4mm～0.7mm。其中，“凹部的宽度”是指最宽的位置的宽度。

上述凹部21的壁面22与底面23所成的角可以优选为90°以上，更优选为100°以上，进一步优选为110°以上。凹部21的壁面22与底面23所成的角可以优选为130°以下，更优选为120°以下。

上述磁性体护套9设置为覆盖磁性体基座8的上表面和位于该上表面的线圈导体3、磁性体基座8的背面和位于该背面上的线圈导体3的引出部24、25以及磁性体基座8的两端面。即，本实施方式中，磁性体基座8的前面、磁性体基座8的底面以及位于该底面上的线圈导体3的端末部26、27从磁性体护套9露出。

一个形态中，磁性体护套9覆盖磁性体基座8的至少一个侧面以外，即3个侧面。应予说明，侧面是前面、背面以及两端面这4个面的总称。即，磁性体基座8的至少一个侧面从磁性体护套9露出。

一个形态中，磁性体护套9覆盖存在于磁性体基座8的侧面上的线圈导体的引出部。

应予说明，本发明中，磁性体护套只要覆盖线圈导体3的绕线部，其形状就没有特别限定。

上述磁性体部2由含有金属粒子和树脂材料的复合材料构成。

作为上述树脂材料没有特别限定，例如可举出环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等热固性树脂。树脂材料可以仅为1种，也可以是2种以上。

作为构成上述金属粒子的金属材料，没有特别限定，例如可举出铁、钴、镍或钆、或者它们中的1种或含有2种以上的合金。优选上述金属材料为铁或者铁合金。铁可以是铁本身，也可以是铁衍生物，例如配合物。作为上述铁衍生物，没有特别限定，可举出属于铁与CO的配合物的羰基铁，优选举出五羰基铁。特别优选洋葱头层状结构(从粒子的中心形成同心球状的层的结构)硬级(Hard grade)羰基铁(例如，BASF公司制的硬级羰基铁)。作为铁合金，没有特别限定，例如，可举出Fe－Si系合金、Fe－Si－Cr系合金、Fe－Si－Al系合金等。上述合金可以进一步含有B、C等作为其它副成分。副成分的含量没有特别限定，例如可以为0.1wt％～5.0wt％，优选为0.5wt％～3.0wt％。上述金属材料可以仅为1种，也可以为2种以上。另外，磁性体基座8中的金属材料与磁性体护套9中的金属材料可以相同，也可以不同。

一个形态中，对于上述金属粒子，在磁性体基座8和磁性体护套9各自独立地优选具有0.5μm～10μm、更优选具有1μm～5μm、进一步优选具有1μm～3μm的平均粒径。通过使上述金属粒子的平均粒径为0.5μm以上，金属粒子的操作变得容易。另外，通过使上述金属粒子的平均粒径为10μm以下，能够进一步增大金属粒子的填充率，磁性体部的磁特性提高。优选的形态中，上述金属粒子在磁性体基座和磁性体护套中可以具有相同的平均粒径。换言之，磁性体部2中含有的金属粒子整体上优选具有0.5μm～10μm、更优选具有1μm～5μm、进一步优选具有1μm～3μm的平均粒径。应予说明，金属粒子的粒度分布中，峰可以是一个，也可以是2个以上，或者可以是2个以上的峰重叠。

其中，上述平均粒径是指磁性体部的截面的SEM(扫描式电子显微镜)图像中的金属粒子的圆当量直径的平均值。例如，上述平均粒径可以如下得到：用SEM对切断线圈部件1而得到的截面的多处(例如5个位置)区域(例如130μm×100μm)进行拍摄，使用图像解析软件(例如，Asahi Kasei Engineering Corporation制，“A像

”(注册商标))对该SEM图像进行解析，求出500个以上的金属粒子圆当量直径，计算其平均值。

优选的形态中，上述金属粒子优选具有50％～90％、更优选具有70％～90％的CV值。具有这样的CV值的金属粒子具有比较宽的粒度分布，相对小的粒子能够进入相对大的粒子之间，因此磁性体部中的金属粒子的填充率进一步提高。其结果能够进一步提高磁性体部的磁导率。

其中，上述CV值是利用下述式计算的值。

CV值(％)＝(σ/Ave)×100

(式中：

Ave为平均粒径

σ为粒径的标准偏差。)

优选的形态中，上述金属粒子在磁性体基座8和磁性体护套9中优选各自独立地具有0.5μm～10μm，更优选具有1μm～5μm，进一步优选具有1μm～3μm的平均粒径，并且，优选具有50％～90％、更优选具有70％～90％的CV值。而且在优选的形态中，上述金属粒子在磁性体基座和磁性体护套中可以具有相同的平均粒径。

上述金属粒子可以是结晶质的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“结晶质粒子”)，也可以是非晶态的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“非晶态粒子”)，还可以是纳米晶体结构的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“纳米晶粒”)。应予说明，其中，纳米晶体结构是指使微小的晶体非晶态地析出的结构。一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以是选自结晶质粒子、非晶态粒子和纳米晶粒中的至少2种的混合物，优选为结晶质粒子和非晶态粒子或纳米晶粒的混合物。一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以是结晶质粒子和非晶态粒子的混合物。一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以是结晶质粒子和纳米晶粒的混合物。

上述结晶质粒子和非晶态粒子或纳米晶体粒子的混合物中，结晶质粒子与非晶态粒子或纳米晶体结构的金属粒子的混合比(结晶质粒子：非晶态粒子或纳米晶体粒子(质量比))没有特别限定，可以优选为10：90～90：10，更优选为10：90～60：40，进一步优选为15：85～60：40。

优选的形态中，结晶质粒子和非晶态粒子的混合物中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，优选为羰基铁(优选洋葱头层状结构的硬级羰基铁)。上述非晶态的金属粒子可以为铁合金，例如为Fe－Si系合金、Fe－Si－Cr系合金或者Fe－Si－Al系合金，优选为Fe－Si－Cr系合金。更优选的形态中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，并且，上述非晶态的金属粒子可以为铁合金，例如为Fe－Si系合金、Fe－Si－Cr系合金或者Fe－Si－Al系合金，优选为Fe－Si－Cr系合金。

优选的形态中，结晶质粒子和纳米晶体粒子的混合物中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，优选为羰基铁(优选洋葱头层状结构的硬级羰基铁)。通过使用上述混合物，能够进一步提高磁导率，减少损失。

优选的形态中，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子优选具有20μm～50μm、更优选具有20μm～40μm的平均粒径。优选的形态中，上述结晶质的金属粒子优选具有1μm～5μm、更优选具有1μm～3μm的平均粒径。更优选的形态中，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子具有20μm～50μm、优选具有20μm～40μm的平均粒径，上述结晶质的金属粒子具有1μm～5μm、优选具有1μm～3μm的平均粒径。优选的形态中，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子具有比上述结晶质的金属粒子大的平均粒径。通过使非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的平均粒径比结晶质的金属粒子的平均粒径大，能够相对增大非晶态粒子和纳米晶体结构的金属粒子对磁导率的贡献。

优选的形态中，使用Fe－Si－Cr系合金时，Fe－Si－Cr系合金中的Si的含量为1.5wt％～14.0wt％，例如为3.0wt％～10.0wt％，Cr的含量优选为0.5wt％～6.0wt％，例如为1.0wt％～3.0wt％。特别是通过使Cr的含量为上述的量，能够在抑制电特性的降低的同时，在金属粒子的表面形成钝态层，抑制金属粒子的过度的氧化。

上述金属粒子的表面可以被绝缘材料的被膜(以下，也简称为“绝缘被膜”)覆盖。通过利用绝缘被膜覆盖金属粒子的表面，能够提高磁性体部的内部的电阻率。

上述金属粒子的表面以能够提高粒子间的绝缘性的程度被绝缘被膜覆盖即可，也可以金属粒子的表面的仅一部分被绝缘被膜覆盖。另外，绝缘被膜的形状没有特别限定，可以是网眼状，也可以是层状。优选的形态中，可以是上述金属粒子的表面的30％以上、优选60％以上、更优选80％以上、进一步优选90％以上、特别优选100％的区域被绝缘被膜覆盖。

一个形态中，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的绝缘被膜与结晶质的金属粒子的绝缘被膜是由不同的绝缘材料形成的绝缘被膜。由含有硅的绝缘材料形成的绝缘被膜的强度高，因此通过用含有硅的绝缘材料被覆金属粒子，能够提高金属粒子的强度。

一个形态中，上述结晶质的金属粒子的表面可以被含有Si的绝缘材料覆盖。作为含有Si的绝缘材料，例如，可举出硅系化合物，例如SiO_x(x为1.5～2.5，代表性的是SiO₂)。

一个形态中，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的表面可以被含有磷酸或者磷酸残基(具体而言P＝O基)的绝缘材料覆盖。

作为上述磷酸，没有特别限定，可举出由(R²O)P(＝O)(OH)₂或者(R²O)₂P(＝O)OH表示的有机磷酸。式中，R²各自独立地为烃基。优选R²的链长优选为5个原子以上、更优选为10个原子以上、进一步优选为20个原子以上的基团。优选R²的链长优选为200个原子以下、更优选为100个原子以下、进一步优选为50个原子以下的基团。

上述烃基优选为取代或未取代的烷基醚基或者苯基醚基。作为取代基，例如，可举出烷基、苯基、聚氧化烯基、聚氧化烯基苯乙烯基、聚氧化烯基烷基、不饱和聚氧乙烯烷基等。

上述有机磷酸可以是磷酸盐的形态。作为上述磷酸盐中的阳离子，没有特别限定，例如，可举出Li、Na、K、Rb、Cs等的碱金属的离子，Be、Mg、Ca、Sr、Ba等的碱土金属的离子，Cu、Zn、Al、Mn、Ag、Fe、Co、Ni等其他金属的离子，NH₄ ⁺、胺离子等。优选抗衡阳离子为Li⁺、Na⁺、K⁺、NH₄ ⁺或者胺离子。

优选的形态中，上述有机磷酸可以为聚氧化烯苯乙烯基苯基醚磷酸、聚氧化烯烷基醚磷酸、聚氧化烯烷基芳基醚磷酸、烷基醚磷酸、或者不饱和聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸或者其盐。

上述绝缘被膜的涂布的方法没有特别限定，可以使用本领域技术人员公知的涂布法，例如，溶胶-凝胶法、机械化学法、喷雾干燥法、流化床造粒法、雾化法、桶式溅射(Barrelsputtering)等进行。

优选的形态中，上述结晶质的金属粒子的表面可以被含有Si的绝缘材料覆盖，上述非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的表面可以被含有磷酸或者磷酸残基的绝缘材料覆盖。更优选的形态中，上述结晶质的金属粒子为铁，并且，上述非晶态的金属粒子可以为铁合金，例如，Fe－Si系合金、Fe－Si－Cr系合金或者Fe－Si－Al系合金，优选为Fe－Si－Cr系合金。

上述绝缘被膜的厚度没有特别限定，可以优选为1nm～100nm，更优选为3nm～50nm，进一步优选为5nm～30nm，例如10nm～30nm或者5nm～20nm。通过增大绝缘被膜的厚度，能够进一步提高磁性体部的电阻率。另外，通过减小绝缘被膜的厚度，能够使磁性体部中的金属材料的量更多，磁性体部的磁的特性得到提高，容易实现磁性体部的小型化。

一个形态中，非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度比结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度更厚。

在上述形态中，非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度与结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度之差可以优选为5nm～25nm，更优选为5nm～20nm，进一步优选为10nm～20nm。

优选的形态中，非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度为10nm～30nm，结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度为5nm～20nm。

优选的形态中，非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的平均粒径相对大，结晶质的金属粒子的平均粒径相对小，覆盖非晶态的金属粒子和纳米晶体结构的金属粒子的绝缘材料含有磷酸，覆盖结晶质的金属粒子的绝缘材料含有Si。如果用绝缘性比较低的含有磷酸的绝缘材料被覆粒径较大的粒子(非晶态粒子或纳米晶体结构的金属粒子)，则在压缩成型时与其它非晶态粒子或纳米晶体结构的金属粒子电连接，会形成电连接的粒子的块。由此磁性体部的磁导率得到提高。另外，通过用绝缘性比较高的含有Si的绝缘材料被覆粒径较小的粒子(结晶性粒子)，能够提高磁性体部整体的绝缘性。由此，容易兼得高的磁导率和高的绝缘性。

上述磁性体部2中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率比磁性体护套9中的金属粒子的填充率高。通过提高磁性体基座中的金属粒子的填充率，特别是通过提高磁性体基座的凸部中的金属粒子的填充率，磁性体部的磁导率变高，能够得到更高的电感。

磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以优选为65％以上，更优选为75％以上，进一步优选为85％以上。另外，磁性体基座8中的金属粒子的填充率的上限没有特别限定，例如，该填充率可以为98％以下，95％以下、90％以下或者85％以下。一个形态中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为65％～98％、65％～85％、75％～98％或者85％～98％。

磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以优选为50％以上，更优选为65％以上，进一步优选为75％以上。另外，磁性体护套9中的金属粒子的填充率的上限没有特别限定，例如，该填充率可以为93％以下、90％以下、80％以下或者75％以下。一个形态中，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％、50％～75％、65％～93％或者75％～93％。

一个形态中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率为65％～98％、65％～85％、75％～98％或者85％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％、50％～75％、65％～93％或者75％～93％。例如，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为65％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％，或者，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为85％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为75％～93％。

其中，上述填充率是指磁性体部的截面的SEM图像中的金属粒子所占的面积的比例。例如，上述平均粒径可以如下得到：将线圈部件1用线状锯(Meiwafosis株式会社制DWS3032－4)在制品中央部附近切断，使LT面的大致中央部露出。对得到的截面进行离子铣削(Hitachi High-Technologies株式会社制离子铣削装置IM4000)，将由切断引起的塌边除去，得到观察用的截面。用SEM拍摄截面的多处(例如5个位置)的规定的区域(例如130μm×100μm)，使用图像解析软件(例如，Asahi Kasei Engineering Corporation制，“A像

”(注册商标))对该SEM图像进行解析，求出区域中金属粒子所占的面积的比例。

磁性体部2(磁性体基座8和磁性体护套9中的两方或者任一方)还可以含有其它物质的粒子，例如氧化硅(典型的是二氧化硅(SiO₂))粒子。优选的形态中，磁性体基座8可以含有其它物质的粒子。通过含有其它物质的粒子，能够调整制造磁性体部时的流动性。

其它物质的粒子可以具有优选30nm～50nm、更优选35nm～45nm的平均粒径。通过使其它物质的粒子的平均粒径为上述的范围，能够提高制造磁性体部时的流动性。

磁性体部2(磁性体基座8和磁性体护套9中的两方或者任一方)中的其它物质的粒子的填充率可以优选为0.01％以上，例如0.05％以上，优选为3.0％以下，更优选为1.0％以下，进一步优选为0.5％以下，更进一步优选为0.1％以下。通过使其它物质的粒子的填充率为上述那样的范围，能够进一步提高制造磁性体部时的流动性。

其中，其它物质的粒子的平均粒径和填充率可以与金属粒子的平均粒径和填充率同样地求出。

本实施方式中，如图2和图3所示，上述线圈导体3配置为线圈导体的中心轴沿线圈部件的高度方向，并且，螺旋状地卷绕成2段而形成为其两末端位于外侧。即，线圈导体3是将含有导电性材料的导线卷绕成α卷而形成。线圈导体3由卷绕有线圈导体的绕线部、从绕线部引出的引出部构成。并且，引出部具有存在于磁性体部的底面上的端末部。线圈导体3配置为上述凸部11存在于卷芯部(存在于线圈导体的内部的空洞部)，线圈导体的中心轴沿线圈部件的高度方向。线圈导体3的引出部24、25从磁性体基座8的背面引出到底面。

上述线圈导体3中，与构成绕线部的最内层的导线相比，构成最外层的导线位于上方。换言之，与从线圈部件的底面到构成绕线部的最内层的导线的距离相比，从线圈部件的底面到构成最外层的导线的距离更大。即，图10中的T2比T1大。通过这样使线圈导体的外侧的层的位置更高，能够进一步增大线圈导体与外部电极的距离，提高可靠性。并且，能够在线圈导体的外侧的层之下确保更大的空间，因此能够在该部分形成外部电极，容易实现线圈部件的矮化。线圈导体的绕线部的位置可以是随着朝向外侧直线上升，也可以是曲线上升。即，绕线部的侧面可以是平面，也可以是弯曲的。可以优选线圈导体的绕线部的侧面是沿磁性体基座的基座部的上表面的形状。

一个形态中，上述T2与T1之差(T2－T1：即，构成最外层的绕线的高度与构成绕线部的最内层的绕线的高度之差)可以优选为0.02mm～0.10mm，更优选为0.04mm～0.10mm。

作为上述导电性材料，没有特别限定，例如，可举出金、银、铜、钯、镍等。优选导电性材料为铜。导电性材料可以仅为1种，也可以是2种以上。

形成上述线圈导体3的导线可以是圆线，也可以是扁平线，优选为扁平线。通过使用扁平线，容易无缝隙地卷绕导线。

上述扁平线的厚度可以优选为0.14mm以下，更优选为0.9mm以下，进一步优选为0.8mm以下。通过减小扁平线的厚度，即便是相同的匝数，线圈导体也变小，有利于线圈部件整体的小型化。另外，相同的大小的线圈导体中，能够增多匝数。上述扁平线的厚度可以优选为0.02mm以上，更优选为0.03mm以上，进一步优选为0.04mm以上。通过使扁平线的厚度为0.02mm以上，能够降低导线的电阻。

上述扁平线的宽度可以优选为2.0mm以下，更优选为1.5mm以下，进一步优选为1.0mm以下。通过减小扁平线的宽度，能够缩小线圈导体，有利于部件整体的小型化。另外，上述扁平线的宽度可以优选为0.1mm以上，更优选为0.3mm以上。通过使扁平线的宽度为0.1mm以上，能够降低导线的电阻。

上述扁平线的厚度与宽度之比(厚度/宽度)可以优选为0.1以上，更优选为0.2以上，优选为0.7以下，更优选为0.65以下，进一步优选为0.4以下。

一个形态中，形成上述线圈导体3的导线可以被绝缘性物质被覆。通过利用绝缘性物质被覆形成线圈导体3的导线，能够使线圈导体3与磁性体部2的绝缘更可靠。应予说明，在上述导线的与外部电极4、5连接的部分，例如本实施方式中引出到磁性体基座8的底面的线圈导体的端末部不存在绝缘性物质，导线露出。

被覆上述导线的绝缘性物质被膜的厚度可以优选为1μm～10μm，更优选为2μm～8μm，进一步优选为4μm～6μm。

作为上述绝缘性物质，没有特别限定，例如，可举出聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂，优选为聚酰胺酰亚胺树脂。

一个形态中，上述线圈导体的端末部和磁性体部的端面间的区域28、29存在磁性体部。上述线圈导体的端末部与磁性体部的端面间的宽度优选为形成线圈导体的导线的宽度的0.2倍～0.8倍，更优选为0.4倍～0.6倍。

上述外部电极4、5各自设置于线圈部件1的底面的端部。外部电极4、5各自设置于引出到磁性体基座8的底面的线圈导体3的端末部26、27上。即，外部电极4、5分别与线圈导体3的端末部26、27电连接。

一个形态中，外部电极4、5不仅可以在引出到磁性体基座8的底面的线圈导体3的端末部26、27上存在，还可以超出线圈导体的端末部而延伸到线圈部件的底面的其它部分而存在。

一个形态中，外部电极4、5设置于不存在保护层6的区域，即磁性体部2和线圈导体3露出的区域整体上。

一个形态中，外部电极4、5可以延伸到线圈部件的端面。

一个形态中，外部电极4、5可以超出线圈导体的端末部而延伸到线圈部件的底面的其它部分，进而延伸到线圈部件的端面。

形成于线圈导体的端末部上以外的外部电极4、5可以形成在磁性体部2上，也可以形成在下述的保护层6上。

一个形态中，外部电极4、5超过保护层与磁性体部和线圈导体的露出区域的边界而搭载在保护层6上。优选的形态中，外部电极在保护层上的搭载距离可以优选为10μm～80μm，更优选为10μm～50μm。通过使外部电极搭载在保护层上，能够防止保护层的剥离。

一个形态中，外部电极4、5从线圈部件1的表面突出，优选突出10μm～50μm，更优选突出20μm～40μm。

上述外部电极的厚度没有特别限定，例如可以为1μm～100μm，优选为5μm～50μm，更优选为5μm～20μm。

上述外部电极的导电性材料优选由选自Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu中的1种或者1种以上的金属材料构成。

上述外部电极可以是单层，也可以是多层。一个形态中，外部电极为多层时，外部电极可以包含含有Ag或Pd的层、含有Ni的层或者含有Sn的层。优选的形态中，上述外部电极由含有Ag或Pd的层、含有Ni的层和含有Sn的层构成。优选上述的各层从线圈导体侧开始按含有Ag或Pd的层、含有Ni的层、含有Sn的层的顺序依次设置。优选上述含有Ag或Pd的层为烧结Ag膏或Pd膏的层(即，热固化的层)，上述含有Ni的层和含有Sn的层可以是镀层。

除了外部电极4、5，线圈部件1被保护层6覆盖。

上述保护层6的厚度没有特别限定，可以优选为3μm～20μm，更优选为3μm～10μm，进一步优选为3μm～8μm。通过使保护层的厚度为上述的范围，能够在抑制线圈部件1的尺寸的增加的同时，确保线圈部件1的表面的绝缘性。

作为构成上述保护层6的绝缘性材料，例如，可举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等电绝缘性高的树脂材料。

优选的形态中，上述保护层6除了上述绝缘性材料还可以含有Ti。通过使保护层中含有Ti，能够减小磁性体部与保护层的热膨胀系数之差。通过减小磁性体部与保护层的热膨胀系数之差，即便因线圈部件的加热和冷却而导致产生线圈部件的膨胀和收缩时，也能够抑制保护层从磁性体部剥离。另外，通过使保护层中含有Ti，从而在形成外部电极时的镀覆处理中，镀层不易伸入保护层，能够调整外部电极在保护层的搭载。

上述Ti的含量没有特别限定，相对于保护层整体可以优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。

而且在优选的形态中，上述保护层6除了含有上述绝缘性材料和Ti，还可以含有Al和Si中的一方或者两方。通过使保护层中含有Al或Si，能够抑制镀层向保护层伸入。

上述A和Si的含量没有特别限定，相对于保护层整体分别可以优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。

相对于保护层整体，上述Ti、Al和Si的合计可以优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。

应予说明，本发明中，保护层6不是必需的，可以不存在。

本发明的线圈部件可以在保持电特性的同时实现小型化。一个形态中，本发明的线圈部件的长度(L)优选为0.9mm～2.2mm，更优选为0.9mm～1.8mm。一个形态中，本发明的线圈部件的宽度(W)优选为0.6mm～1.8mm，更优选为0.6mm～1.0mm。优选的形态中，本发明的线圈部件的长度(L)为0.9mm～2.2mm，宽度(W)为0.6mm～1.8mm，优选长度(L)为0.9mm～1.8mm、宽度(W)为0.6mm～1.0mm。另外，一个形态中，本发明的线圈部件的高度(或者厚度(T))优选为0.8mm以下，更优选为0.7mm以下。

接下来，对线圈部件1的制造方法进行说明。

·磁性体基座的制成

首先制造磁性体基座8。

将金属粒子和树脂材料以及根据需要的其它物质混合，将得到的混合物用金属模进行加压成型。接着，将加压成型的成型体进行热处理而使树脂材料固化，由此得到磁性体基座。

使用的非晶态的金属粒子优选具有20μm～50μm、更优选具有20μm～40μm的中值粒径(体积基准的累积百分率50％当量直径)。优选的形态中，上述结晶质的金属粒子优选具有1μm～5μm，更优选具有1μm～3μm的中值粒径。更优选的形态中，上述非晶态的金属粒子具有20μm～50μm、优选具有20μm～40μm的中值粒径，上述结晶质的金属粒子具有1μm～5μm、优选具有1μm～3μm的中值粒径。

加压成型的压力可以优选为100MPa～5000MPa，更优选为500MPa～3000MPa，进一步优选为800MPa～1500MPa。制作磁性体基座时未配置线圈导体，不存在线圈导体的变形等的问题，因此能够以高的压力进行加压成型。通过以高的压力进行加压成型，能够提高磁性体基座中的金属粒子的填充率。

加压成型的温度可以根据使用的树脂而适当地选择，例如可以为50℃～200℃以下，优选为80℃～150℃。

热处理的温度可以根据使用的树脂而适当地选择，例如可以为150℃～400℃，优选为200℃～300℃。

·线圈导体的配置

接下来，将线圈导体配置在上述得到的磁性体基座上使磁性体基座的凸部位于线圈导体的卷芯部，得到配置有线圈导体的磁性体基座。这时，将线圈导体的两个端末部引出到磁性体基座的底面。

作为线圈导体的配置方法，可以将另行卷绕导线而得到的线圈导体配置在磁性体基座上，或者也可以在磁性体基座的凸部卷绕导线，直接在磁性体基座上制作线圈导体而进行配置。另行制作线圈导体而配置在磁性体基座上时，在制造工序变容易方面有利。另外，在磁性体基座的凸部卷绕导线而制作线圈导体时，能够进一步使线圈导体与磁性体基座密合，因此能够缩小线圈导体的直径，在这点上有利。

·磁性体护套的制作

将金属粒子和树脂材料以及根据需要的其它物质混合。在得到的混合物中加入溶剂而调整为适当的粘度，得到磁性体护套形成用的材料。

将上述得到的配置有线圈导体的磁性体基座配置于模具。接着，将上述得到的材料注入模具中，加压成型。接着，对加压成型得到的成型体进行热处理而使树脂材料固化，从而形成磁性体护套，由此，得到在内部埋设有线圈导体的磁性体部(坯体)。

一个形态中，将磁性体基座配置于模具时，可以优选使磁性体基座的至少一个侧面密合于模具的壁面。优选磁性体基座的与线圈导体所在的侧面(在本实施方式中为磁性体基座的背面)对置的侧面(在本实施方式中为磁性体基座的前面)与金属模的壁面密合。由此，能够更可靠地用磁性体护套覆盖存在于侧面的线圈导体。

作为上述的溶剂，没有特别限定，例如，可举出丙二醇单甲醚(PGM)、甲基乙基酮(MEK)、N、N－二甲基甲酰胺(DMF)、丙二醇单甲醚乙酸酯(PMA)、二丙二醇单甲醚(DPM)、二丙二醇单甲醚乙酸酯(DPMA)、γ－丁内酯等，优选使用PGM。

加压成型的压力可以优选为1MPa～100MPa，更优选为5MPa～50MPa，进一步优选为5MPa～15MPa。通过以这样的压力进行成型，能够抑制对内部的线圈导体的影响。

加压成型的温度可以根据使用的树脂而适当地选择，例如可以为50℃～200℃，优选为80℃～150℃。

热处理的温度可以根据使用的树脂而适当地选择，例如可以为150℃～400℃，优选为150℃～200℃。

·保护层的制作

在绝缘性材料中可以根据需要加入Ti、Al、Si等以及有机溶剂进行混合，得到涂覆材料。将得到的涂覆材料涂布在上述坯体上，使其固化而得到保护层。

作为涂布方法，没有特别限定，例如可以通过喷雾、浸渍等形成。

·外部电极的制作

将形成外部电极的位置的保护层除去。通过该除去，使引出到磁性体基座的底面的线圈导体的端末部的至少一部分露出。接着，在线圈导体的露出位置形成外部电极。另外，利用绝缘性物质被覆线圈导体时，可以在除去保护层的同时将该绝缘性被膜的物质除去。

作为上述保护层的除去方法，没有特别限定，例如可举出激光照射、喷砂等物理处理和化学处理等。优选保护层通过激光照射而除去。

作为上述外部电极的形成方法，没有特别限定，例如可举出使用CVD、电镀、化学镀、蒸镀、溅射、导电性膏的烧结等或者它们的组合。优选的形态中，外部电极通过进行导电性膏的烧结后，进行镀覆处理(优选为电镀处理)而形成。

如上制造本发明的线圈部件1。

因此，本发明提供一种线圈部件的制造方法，其中，

上述线圈部件具有：含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部；埋设于上述磁性体部的线圈导体；以及与上述线圈导体电连接的外部电极，

上述磁性体部由具有凸部的磁性体基座和磁性体护套构成，

上述线圈导体配置为在上述磁性体基座上凸部位于线圈导体的卷芯部，并且，将上述磁性体护套设置为覆盖线圈导体，

上述线圈部件的制造方法包含如下工序：

(i)制作磁性体基座的工序；

(ii)在磁性体基座上配置线圈导体的工序；

(iii)将配置有线圈导体的磁性体基座配置于模具，注入磁性体护套形成用的材料进行成型，形成磁性体护套，得到埋设有线圈导体的磁性体部的工序；

(iv)在埋设有线圈导体的磁性体部形成保护层的工序；以及

(v)将规定的位置的保护层除去，在该处形成外部电极的工序。

以上，对本发明的线圈部件及其制造方法进行了说明，但本发明不限于上述的实施方式，可以在不脱离本发明的要旨的范围进行设计变更。

[实施例]

(实施例1～3)

·金属粒子的制作

作为金属粒子，准备Fe－Si－Cr系合金的非晶态粒子(Si含量7wt％，Cr含量3wt％，B含量3wt％，C含量0.8wt％；中值粒径(D50)50μm)以及Fe的结晶质粒子(中值粒径(D50)2μm)。应予说明，关于非晶态和结晶质，使用X射线衍射，确认表示非晶态的晕而鉴定为非晶态，确认由晶相引起的衍射峰而鉴定为结晶质。

接着，利用机械被覆法(Mechanofusion(注册商标))用磷酸涂覆(厚度20nm)Fe－Si－Cr系合金的非晶态粒子。另外，利用使用原硅酸四乙酯(TEOS)作为金属醇盐的凝胶－溶胶法用二氧化硅(SiO₂)涂覆(厚度10nm)Fe的结晶质粒子。

·磁性体基座的制作

相对于上述Fe－Si－Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入3质量份环氧类的热固化性树脂，0.08质量份中值粒径(D50)为40nm的SiO₂珠，用行星式搅拌机混合30分钟，制备磁性体基座用的材料。用模具将得到的材料加压成型(1000MPa，100℃)，从模具取出后，在250℃热固化30分钟，得到具有轨道状的凸部的磁性体基座。应予说明，凹部的壁面与底面所成的角为120°。将得到的磁性体基座5个的平均尺寸示于下述表1。

[表1]

·线圈导体的制作

准备表2所示的厚度和宽度尺寸不同的3种扁平线，制成α卷而制作线圈导体。使用的扁平线为铜制，用厚度4μm的聚酰胺酰亚胺被覆。另外，匝数全部为5匝。

[表2]

·磁性体护套用的材料的制备

相对于上述Fe－Si－Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入3质量份环氧系的热固性树脂，再以适当的粘度添加作为溶剂的丙二醇单甲醚(PGM)，用行星式搅拌机混合30分钟，制备磁性体护套用的材料。

·磁性体护套的制作

在上述得到的磁性体基座的凸部嵌合线圈导体的卷芯部，将线圈导体的两端沿槽穿过磁性体基座的背面引出到底面。将设有线圈导体的磁性体基座设置于模具。这时，使其偏置成磁性体基座的前面与模具的壁面接触。接着，在安装有磁性体基座的模具中注入上述得到的磁性体护套用的材料。接着，在100℃以10MPa进行加压，将磁性体护套成型，从模具中取出。其后，将得到的成型体在180℃进行30分钟热固化。固化后，使用ZrO₂质的陶瓷粉末作为介质，进行干式滚筒研磨，制成线圈部件的坯体。

·树脂涂层(保护层)的形成

在绝缘性的环氧树脂中加入规定量(20wt％)的Ti，添加有机溶剂，制备涂覆材料。在得到的涂覆材料中浸渍上述得到的坯体，在坯体表面形成保护层。

·外部电极的形成

利用激光除去上述得到的保护层的一部分，使引出到磁性体基座的底面的线圈导体的端末部和与端末部邻接的磁性体基座的底面的一部分露出。在露出部涂布含有Ag粉末和热固性环氧树脂的导电性膏，热固化而形成基底电极，其后，以电镀形成Ni、Sn膜，由此形成外部电极。

根据以上，制作实施例1～3的试样(线圈部件)。

评价

(1)磁导率μ

对每个实施例制作各5个试样，用阻抗分析仪(Agilent Technologies公司制，E4991A；条件：1MHz，1Vrms，周围温度20±3℃)测定电感，计算磁导率(μ)。求出5个的平均值，作为各实施例的磁导率。将结果示于下述表4。

(2)磁性体基座的金属粒子的填充率

将各实施例的试样用线状锯(Meiwafosis株式会社制DWS3032－4)在制品中央部附近进行切断，使LT面的大致中央部露出。对得到的截面进行离子铣削(Hitachi High-Technologies株式会社制离子铣削装置IM4000)，将由切断引起的塌边除去，得到观察用的截面。磁性体基座中的填充率是将基座部在L方向六等分的位置(图11所示的△5个位置)用SEM拍摄(130μm×100μm的区域)，磁性体护套的填充率是将卷芯部的上部在L方向六等分的位置(图11所示的○5个位置)用SEM拍摄(130μm×100μm的区域)，使用图像解析软件(AsahiKasei Engineering Corporation制；“A像

”(注册商标))解析该SEM照片，求出金属粒子所占的面积，求出相对于测定的整体的面积的金属粒子所占的比例，将5个位置的平均值作为填充率。将结果示于下述表3。

(3)金属粒子的粒度分布

与(2)同样地对试样的截面中的图11所示的△5个位置的SEM照片进行图像解析，求出任意的500个的金属粒子圆当量直径，将5个位置的平均值作为平均粒径(Ave)。另外，求出粒径的标准偏差(σ)。另外，由这些结果求出CV值((σ/Ave)×100)。将结果示于下述表3。

(4)树脂涂层(保护层)的厚度

与(2)同样地对试样的截面中的保护层的任意的处的5个位置的SEM照片进行图像解析，测定保护层的厚度，将5个位置的平均值作为保护层的厚度。将结果示于下述表4。

(5)外部电极在保护层上的搭载距离

与(2)同样地对试样的截面中的磁性体基座的底面侧的保护层与外部电极的边界的任意的2个位置的SEM照片进行图像解析，测定外部电极(镀覆电极)在保护层上的搭载距离，将2个位置的平均值作为搭载距离。将结果示于下述表4。

(6)金属粒子的绝缘被膜厚度

与(2)同样地加工试样，露出截面。对截面使用扫描透射式电子显微镜(ScanningTransmission electron microscope；型号JEM－2200FS；日本电子株式会社制)分析线圈部件的卷芯部的大致中央部(图11的□的位置)的金属粒子的组成，鉴定是非晶态粒子还是结晶质粒子。对鉴定了的粒子各3个以300k倍拍摄照片，测定绝缘被覆厚度。求出3个的平均值，将其作为绝缘被膜的厚度。将结果示于下述表4。

[表3]

[表4]

(实施例4和5)

使磁性体基座的尺寸为下述表5所示的尺寸，使磁性体基座和磁性体护套的制作中使用的环氧树脂的添加量为2质量份，除此以外，与实施例1同样地制作实施例4和5的试样(线圈部件)。

[表5]

评价

与实施例1～3同样地进行评价，将线圈部件的外形尺寸、填充率以及金属粒子的粒度分布的结果示于表6，将磁导率、保护层的厚度、搭载距离以及被覆厚度的结果示于表7。

[表6]

[表7]

比较例1

作为金属粒子，准备与实施例1～3相同的Fe－Si－Cr系合金的非晶态粒子和Fe的结晶质粒子。与实施例1～3同样地对这些粒子进行表面被覆。

相对于上述Fe－Si－Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入3质量份环氧系树脂，再以适当的粘度添加作为溶剂的丙二醇单甲醚(PGM)，湿式混合，得到浆料。使用得到的浆料，用刮刀法制作磁性体片。

使用与实施例1相同的扁平线，制成匝数为5的α卷的线圈导体。其中，本比较例1中的线圈导体的T2－T1为0。

在2片磁性体片之间夹住线圈导体，在100℃以10MPa进行加压。将得到的层叠体用切片机切断，单片化后，在180℃保持30分钟，使其热固化。应予说明，从坯体的端面引出线圈导体(参照图12)。

与实施例1～3同样地进行滚筒研磨和保护层的形成，接着，利用激光将形成外部电极的位置的保护层除去，露出磁性体部的端面和周围4面。在露出部涂布含有Ag粉末和热固性环氧树脂的导电性膏，热固化而形成基底电极，其后，以电镀形成Ni、Sn膜，由此形成外部电极。

根据以上，制作比较例1的试样(线圈部件)。

评价

·磁导率

与实施例1～3中的(1)同样地测定比较例1的磁导率。

·填充率

与实施例1～3中的(2)同样地加工试样，使试样的截面露出。对将该截面沿线圈导体的轴进行六等分的位置(图13所示的Δ5个位置)，与上述实施例1～3中的(2)同样地计算填充率。将结果示于下述表8。

[表8]

·高频下的磁导率

对实施例1和比较例1的试样，用阻抗分析仪(Agilent Technologies公司制，E4991A；条件：10MHz，1Vrms，周围温度20±3℃)测定电感。对各100个的试样测定电感，对与设计值相比电感(L)降低20％以上的试样进行计数。将结果示于下述表9。

[表9]

	L降低的试样个数
		实施例1	0个
比较例1	5个

产业上的可利用性

本发明的线圈部件可以作为电感器等广泛地用于各种用途。

Claims

1.一种线圈部件，具有：含有金属粒子和树脂材料而成的磁性体部；埋设于所述磁性体部的线圈导体；以及与所述线圈导体电连接且配置于线圈部件的底面的外部电极，其中，

所述线圈导体配置为中心轴沿线圈部件的高度方向，

并且，所述线圈导体中，构成绕线部的最外层的绕线的自底面的高度高于构成最内层的绕线的自底面的高度，

所述线圈导体通过将导线卷绕成α卷而形成。

2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，构成所述绕线部的最内层的绕线的自线圈部件的底面的高度与构成所述绕线部的最外层的绕线的自线圈部件的底面的高度之差为0.02mm～0.10mm。

3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，构成所述绕线部的最内层的绕线的自线圈部件的底面的高度与构成所述绕线部的最外层的绕线的自线圈部件的底面的高度之差为0.04mm～0.10mm。

4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，所述线圈导体由扁平线构成。

5.根据权利要求4所述的线圈部件，其中，所述扁平线的厚度为0.02mm～0.14mm。

6.根据权利要求4所述的线圈部件，其中，所述扁平线的厚度为0.02mm～0.09mm。

7.根据权利要求4所述的线圈部件，其中，所述扁平线的厚度与宽度之比为0.2～0.7。

8.根据权利要求4所述的线圈部件，其中，所述扁平线的厚度与宽度之比为0.2～0.4。

9.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，线圈部件的厚度为0.8mm以下。

10.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，线圈部件的厚度为0.7mm以下。

11.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，所述磁性体部由具有凸部的磁性体基座和磁性体护套构成，

所述线圈导体配置为在所述磁性体基座上凸部位于线圈导体的卷芯部，

将所述磁性体护套设为覆盖线圈导体。

12.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，所述线圈导体的端末部经由磁性体基座的侧面引出到底面，并且，位于侧面的线圈导体的引出部被磁性体护套所覆盖。