[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN108695585B - 高频构件的制造方法 - Google Patents

高频构件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108695585B
CN108695585B CN201810297873.1A CN201810297873A CN108695585B CN 108695585 B CN108695585 B CN 108695585B CN 201810297873 A CN201810297873 A CN 201810297873A CN 108695585 B CN108695585 B CN 108695585B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ridge
rods
sides
curved
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810297873.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108695585A (zh
Inventor
小川隆雄
立松义知
长津大志
桐野秀树
加茂宏幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Corp
WGR Co Ltd
Original Assignee
Nidec Corp
WGR Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Corp, WGR Co Ltd filed Critical Nidec Corp
Publication of CN108695585A publication Critical patent/CN108695585A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108695585B publication Critical patent/CN108695585B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/002Manufacturing hollow waveguides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12Hollow waveguides
    • H01P3/123Hollow waveguides with a complex or stepped cross-section, e.g. ridged or grooved waveguides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

本发明的课题在于不利用切削加工而制造具有导电性棒排列而成的结构的高频构件。使用树脂等原料制作棒排列而成的结构,在其表面形成镀覆层,赋予导电性。此时,为了抑制在棒间的部位的镀覆层产生缺陷,使棒形成为前端越来越细的形状,使棒间的间隙为向上端变宽的形状,利用表面张力的作用使棒间的气泡容易被排出。可以与棒列一并形成作为波导构件的脊。通过预先使棒形成为前端越来越细的形状,脊与棒间的间隙也同样地成为向棒上端变宽的形状,气泡从脊与棒之间的排出也得到促进。

Description

高频构件的制造方法
技术领域
本申请涉及高频构件的制造方法。
背景技术
在专利文献1~3、以及非专利文献1和2中公开了具备人工磁导体的波导结构 的例子。人工磁导体是人工实现了自然界不存在的理想磁导体(PMC:Perfect MagneticConductor)的性质的结构体。理想磁导体具有“表面的磁场的切线分量为零”的性质。 这是与理想导电体(PEC:Perfect Electric Conductor)的性质、即、“表面的电场的切线 分量为零”的性质相反的性质。理想磁导体不存在于自然界,但可通过人工的周期结 构实现。人工磁导体在由其周期结构确定的特定的频带作为理想磁导体发挥功能。人 工磁导体可抑制或阻止具有特定频带(传播截止频带)中包含的频率的电磁波沿着人 工磁导体的表面传播。因此,人工磁导体的表面有时被称为高阻抗面。
在专利文献1~3、以及非专利文献1和2中公开的波导装置中,利用在行和列 方向排列的两个以上的导电性棒(rod)实现了人工磁导体。这样的棒是有时也被称为柱 (post)或销(pin)的突出部。这些波导装置分别作为整体具备相向的一对导电板。一个 导电板具有向另一个导电板侧突出的脊、和位于脊的两侧的人工磁导体。脊的上表面 (具有导电性的面)隔着间隙与另一个导电板的导电性表面相向。具有人工磁导体的传 播截止频带中包含的波长的电磁波沿着脊在该导电性表面与脊的上表面之间的空间 (间隙)传播。本说明书中,将这样的波导称为WRG(Waffle-iron Ridge waveGuide,对 开式铁心脊形波导)或WRG波导。
非专利文献3中提出了一种高频元件的封装技术,其使用了通过两个以上的导电性棒实现的人工磁导体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第8779995号说明书
专利文献2:美国专利第8803638号说明书
专利文献3:欧洲专利申请公开第1331688号说明书
【非专利文献】
非专利文献1:H.Kirino and K.Ogawa,"A76GHz Multi-Layered PhasedArrayAntenna using a Non-Metal Contact Metamaterial Wavegude",IEEETransaction on Antenna and Propagation,Vol.60,No.2,pp.840-853,February,2012
非专利文献2:A.Uz.Zaman and P.-S.Kildal,"Ku Band Linear Slot-Array inRidge Gapwaveguide Technology",EUCAP 2013,7th European Conference on AntennaanPropagation
非专利文献3:Ashraf Uz Zaman,Mats Alexanderson,Tin Vukusic,and Per-Simon Kildal,"Gap Waveguide PMC Packaging for Improved Isolation of CircuitComponents in High-Frequency Microwave Modules",IEEE TRANSACTIONS ONCOMPONENTS, PACAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY,VOL.4,NO.1,pp.16-25,January 2014
发明内容
发明所要解决的课题
为了实现人工磁导体,作为制成具有两个以上的导电性棒排列而成的结构的构件的方法,以往利用了对金属板实施切削加工的制造方法。但是,利用切削加工难以大 量生产,而且制造成本也高。需要以低成本大量生产这种结构的方法。
用于解决课题的手段
本申请的一个方式的用于构成Waffle Iron结构的高频的锁定装置的高频构件的制造方法包括下述工序:准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件, 其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离主表面的方向延伸的两个以上的棒;和 将中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在主表面和两个以上的棒的表面形成导电 性的镀覆层的工序。该中间构件中的两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与该一个棒 相邻的其它棒的侧面之间的间隔随着远离主表面而单向地扩大。
本申请的另一方式的用于构成Waffle Iron结构的高频的锁定装置的高频构件的制造方法包括下述工序:准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件, 其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离上述主表面的方向延伸的两个以上的 棒,上述两个以上的棒中的至少一个具有角进行了倒角的棱柱形状、或圆柱形状;和 将上述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在上述主表面和上述两个以上的棒的 表面形成导电性的镀覆层的工序。
发明的效果
根据本申请的实施方式,能够以低制造成本得到用于WRG的高频构件、或具备 人工磁导体的构件。
附图说明
图1A是示意性地示出使用本申请的高频构件构成的波导装置的一例中的示意性结构例的立体图。
图1B是示意性地示出波导装置100的结构的其它立体图。
图2A是示意性地示出图1的波导装置100的与XZ面平行的截面的结构例的图。
图2B是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的另一结构例的图。
图2C是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的又一结构例的图。
图3A是示意性地示出将本申请的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的气泡的状况的图。
图3B是从Z方向观察图3A中的棒间的气泡的状况的图。
图4是示意性地示出将比较例中的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的气泡的状况的图。
图5是示意性地示出用于制造本申请的中间构件的模具的图。
图6A是又一例中的包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。
图6B是从图6A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。
图6C是从Z方向观察将图6A的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的气泡的状 况的图,是表示排出气泡的途中的状况的图。
图6D是从Z方向观察将图6A的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的气泡的状 况的图,是表示气泡在4根棒之间移动的状况的图。
图6E是从Z方向观察将比较例的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的气泡的状况的图。
图7是用于说明本申请的棒形状的另一例及其作用的图,是从Z方向观察将中间构件浸渍于镀覆液中时的棒和脊的状况的俯视图。
图8是示出本申请的棒形状的又一例的俯视图。
图9A是示出本申请的棒形状的又一例的图,是从Z方向观察棒的俯视图。
图9B是从横向(X方向)观察图9A的棒的侧视图。
图10是示出本申请的棒形状的另一例的图,是从Z方向观察将中间构件浸渍于 镀覆液中时的棒间的气泡的状况的俯视图。
图11A是示出本申请的棒形状的又一例的图,是示出棒的立体图。
图11B是从横向(X方向)观察图11A的棒的侧视图。
图11C是从Z方向观察图11A的棒的俯视图。
图11D是示出本申请的棒形状的又一例的图,是示出棒的立体图。
图11E是示出本申请的棒形状的又一例的图,是示出棒的立体图。
图11F是从横向(X方向)观察图11E的棒的侧视图。
图12A是示意性地示出使用本申请的高频构件构成的波导装置的结构例的立体图。
图12B是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的结构的图。
图13A是导电性棒124的包含轴向(Z方向)的平面中的截面图。
图13B是从图13A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。
图14A是示意性地示出在具有分支部的结构中各导电性棒124的侧面不倾斜的 现有结构的立体图。
图14B是图14A所示的波导装置的俯视图。
图14C是示意性地示出在具有分支部的结构中各导电性棒124的侧面倾斜的本 实施方式的结构的立体图。
图14D是图14C所示的波导装置的俯视图。
图15是示出在具有分支部的结构中倾斜角θ为0°、1°、2°、3°、4°、5°的各情 况下相对于0.967Fo、1.000Fo、1.033Fo的频率的输入波的输入反射系数S的曲线图。
图16是示意性地示出本申请的另一实施方式中的波导装置的另一结构例的立体图。
图17A是示意性地示出在具有弯曲部的结构中各导电性棒124的侧面不倾斜的 现有结构的立体图。
图17B是图17A所示的波导装置的俯视图。
图17C是示意性地示出在具有弯曲部的结构中各导电性棒124的面倾斜的本实 施方式的结构的立体图。
图17D是图17C所示的波导装置的俯视图。
图18是示出在具有弯曲部的结构中倾斜角θ为0°、1°、2°、3°、4°、5°的各情 况下相对于0.967Fo、1.000Fo、1.033Fo的频率的输入波的输入反射系数S的曲线图。
图19A是示出将导电性棒124的与轴向(Z方向)垂直的截面的外形尺寸D按照与 导电性棒124的基部124b的距离z的函数D(z)的形式来表现的例子的曲线图。
图19B是示出在z的特定范围内即使z增加、D(z)的大小也不发生变化的例子的 曲线图。
图20A是另一例中的包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。
图20B是从图20A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。
图21A是又一例中的导电性棒124的包含轴向(Z方向)的平面中的截面图。
图21B是从图21A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。
图22A是示出又一例中的导电性棒124的与XZ面平行的截面的图。
图22B是示出图22A的导电性棒124的与YZ面平行的截面的图。
图22C是示出图22A的导电性棒124的与XY面平行的截面的图。
图23A是又一例中的包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。
图23B是从图23A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。
图24是示出了仅对于与波导构件122相邻的导电性棒124赋予了上述特殊形状 的结构例的截面图。
图25A是本申请的实施方式中的阵列天线的从Z方向观察的俯视图。
图25B是图25A的B-B线截面图。
图26是示出第1波导装置100a中的波导构件122的平面布局的图。
图27是示出第2波导装置100b中的波导构件122的平面布局的图。
具体实施方式
在说明本申请的实施方式之前,对波导装置的基本结构例和工作进行说明,该波导装置是使用通过本申请的制造方法所制造的高频构件而构成的。
需要说明的是,本申请的附图所示的结构物的方向是考虑到说明的容易性而设定的,对于实际实施本申请的实施方式时的方向不做出任何限制。另外,附图所示的结 构物的整体或部分形状和尺寸也不限制实际的形状和尺寸。
1.高频构件的制造方法
<波导装置的结构和高频构件的形状>
图1A是示意性地示出这种波导装置所具备的基本结构的非限定性例子的立体图。图1A中,示出了表示相互垂直的X、Y、Z方向的XYZ坐标。图示的波导装置 100具备相向平行配置的板状的第1导电构件110和第2导电构件120。在第2导电 构件120排列有两个以上的导电性棒124。该第2导电构件120是通过本申请的实施 方式的制造方法所制造的高频构件的一例。以下,有时将第2导电构件120称为高频 构件120。
本说明书中,“高频构件”是指主要在处理高频(radio frequency)电磁波的用途中所 用的构件。本说明书中的“高频”是指大约3kHz以上300GHz以下的频率。WRG中使 用的高频构件可用于例如毫米波的频带(大约30GHz以上300GHz以下)的电磁波的传 播。本申请中的高频构件所处理的频带可以是频率低于毫米波的频带,也可以是频率 比毫米波更高的频带。高频构件也可以用于例如太赫兹波的频带(大约300GHz以上 3THz以下)的电磁波的传播。高频构件不限定于WRG的用途,可广泛用于利用了具 有两个以上的导电性棒排列而成的结构的人工磁导体的用途。在本说明书中,“Waffle Iron结构”意味着,在导电构件上排列两个以上的导电性棒,具有高频的锁定功能的 结构。
为了易于理解,图1B是示意性地示出使第1导电构件110与第2导电构件120 的间隔为极端分离的状态的波导装置100的立体图。在实际的波导装置100中,如图 1A所示,第1导电构件110与第2导电构件120间隔窄。第1导电构件110以覆盖 第2导电构件120的全部导电性棒124的方式进行配置。此处所示的例中,在单侧各 排列有2列的导电性棒124的列之间配置有波导构件122,但列的数量并不限于单侧 2列。导电性棒124的列也可以为3列以上,有时仅1列即可。
图2A是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的结构的图。如图2A 所示,第1导电构件110在与第2导电构件120相向的一侧具有导电性表面110a。 导电性表面110a沿着与导电性棒124的轴向(Z方向)垂直的平面(与XY面平行的平 面)二维地展开。该例中的导电性表面110a是平滑的平面,但如后所述导电性表面110a 并不一定为平面。
在第2导电构件120上排列的两个以上的导电性棒124分别具有与导电性表面110a相向的前端部124a。在图示的例中,两个以上的导电性棒124的前端部124a处 于同一平面上。该平面形成了人工磁导体的表面125。导电性棒124不需要其整体具 有导电性,只要棒状结构物的至少表面(上表面和侧面)具有导电性即可。该例中,在 具有两个以上的棒124的树脂制的中间构件120m的表面(有时称为“主表面”)形成镀 覆层301,对各棒124的表面赋予了导电性。
本申请中的棒典型地具有实心的柱状或棒状的结构。但不限于这样的结构。各棒也可以具有高度小于宽度的块状。
本说明书中,“中间构件”是指在高频构件的制造工序的途中所制作的构件。本申请的实施方式中的高频构件的制造方法包括:准备中间构件的工序;和将该中间构件 的至少一部分浸渍到镀覆液中而形成导电性的镀覆层的工序。中间构件具有平面或曲 面形状的主表面、和沿着远离该主表面的方向延伸的两个以上的棒。在形成镀覆层的 工序中,在中间构件的主表面和两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层。中间构件 具有板状或块状。本实施方式中,两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与该一个棒相 邻的其它棒的侧面的间隔随着远离该主表面而单向地扩大。通过这样的结构,如后所 述,在形成镀覆层的工序中,可起到容易除去气泡的效果。
该例中,构成中间构件120m的树脂为PC/ABS树脂。此处,PC/ABS树脂是指 聚碳酸酯和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯的混合物。例如可以利用注射成型法将PC/ABS树 脂成型为中间构件120m的形状。
中间构件的材料不限于PC/ABS树脂。可以使用能够进行镀覆处理的各种树脂。 另外,也可以使用不与丙烯腈-丁二烯-苯乙烯混合的聚碳酸酯主体的树脂。除此以外, 能够将聚苯硫醚树脂(Polyphenylene sulfide)、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂 (PolybutyleneTerephthalate)、间规聚苯乙烯树脂(syndiotactic polystyrene、或SPS树脂) 等工程塑料等能进行镀覆处理的树脂广泛地作为材料。另外,也可以使用酚醛树脂等 热固化性树脂。
作为成型法,注射成型法适合于大量生产,但也可以对板状或块状的材料施加切削加工而制作出中间构件的各部的形状。
第2导电构件120包含中间构件120m和镀覆层301。该例中,镀覆层301仅在 第2导电构件120的第1导电构件110侧的面120a展开。但是,也可以在整个面展 开。相邻的两个以上的导电性棒124的表面用导体连接。在图2A的例中,镀覆层301 展开于面120a整体,因此导电性棒124的表面通过该镀覆层301连接。形成有镀覆 层301的面120a也可以称为导电性表面。在需要与第1导电构件110的导电性表面 110a区分的情况下,有时将面120a称为第2导电性表面120a。有时也将面120a称 为主表面120a。导电性表面110a有时称为第1导电性表面110a。需要说明的是,第 2导电性表面120a是指第2导电构件120的形成有镀覆层301的面中的与第1导电 性表面110a相向的部分。导电性棒124和波导构件122各自的侧面和上表面不包含 在第2导电性表面120a中。
在第2导电构件120上,在两个以上的导电性棒124之间配置有脊状的波导构件122。更详细而言,人工磁导体分别位于波导构件122的两侧,波导构件122被两侧 的人工磁导体所夹持。由图1B可知,该例中的波导构件122被第2导电构件120支 撑,在Y方向上以直线方式延伸。在图示的例中,波导构件122具有与导电性棒124 的高度和宽度大致相同的高度和宽度。如后所述,波导构件122的高度和宽度也可以 与导电性棒124的高度和宽度不同。波导构件122与导电性棒124不同,其沿着导电 性表面110a在引导电磁波的方向(该例中为Y方向)延伸。波导构件122也不需要整 体具有导电性,只要具有与第1导电构件110的导电性表面110a相向的导电性的波 导面122a即可。该例中,波导构件122在作为中间构件120m的一部分的凸条的表 面形成有镀覆层301。
这样,本实施方式中的中间构件具有沿着主表面延伸的脊。脊在顶部具有平坦的条状的上表面。两个以上的棒中的至少一部分包围脊的侧面。脊的侧面与两个以上的 棒中的至少一部分的棒的侧面之间的距离随着从主表面离开而单向地扩大。
本说明书中,“条状”并不是指条纹(stripes)的形状,而是指单独的条(a stripe)的形 状。不仅是在一个方向以直线方式延伸的形状,途中发生弯曲或分支的形状也包含于“条状”中。在波导面122a具有高度或宽度发生变化的部分时,只要具有从波导面122a 的法线方向看沿着一个方向延伸的部分,则也符合“条状”。
在波导构件122的两侧,各人工磁导体的表面125与第1导电构件110的导电性 表面110a之间的空间不传播具有特定频带内的频率的电磁波。这样的频带被称为“禁 带”。本申请的波导装置中,人工磁导体由排列的两个以上的导电性棒124、和隔着 间隙与该导电性棒124的前端部相向的导电性表面110a实现。人工磁导体按照在波 导装置100内传播的信号波的频率(下文中有时称为“工作频率”)包含于禁带中的方式 进行设计。禁带可以通过导电性棒124的高度、即在相邻的两个以上的导电性棒124 之间的槽的深度、导电性棒124的宽度、配置间隔、以及导电性棒124的前端部124a 与导电性表面110a之间的间隙的大小来调整。
通过上述结构,能够沿着第1导电构件110的导电性表面110a与波导面122a之 间的波导(脊波导)传播信号波。如上所述,有时将这样的脊波导称为WRG。
在图2A所示的例中,各导电性棒124随着从基部124b向前端部124a,宽度或 直径逐渐缩小,具有前端越来越细的形状。因此,相邻的两个导电性棒124之间的空 间即间隙129a相反地随着从基部124b向前端部124a、即随着远离主表面120a而逐 渐扩大。该例中,波导构件122的宽度(X方向上的尺寸)一定。但是,由于位于波导 构件122旁边的导电性棒124具有前端越来越细的形状,因此波导构件122与该导电 性棒124之间的间隙129b也随着从导电性棒124的基部124b向前端部124a而扩大。
图2B是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的另一结构例的图。 该例中,不仅是导电性棒124,波导构件122也具有前端越来越细的截面形状。相邻 的两个导电性棒124之间的间隙129a、以及波导构件122和与其相邻的导电性棒124 之间的间隙129b均随着从导电性棒124的基部124b向前端部124a而扩大。导电性 棒124的基部124b的侧面藉由曲面连接到第2导电性表面120a。波导构件122也是 基部124b的侧面藉由曲面连接到第2导电性表面120a。该曲面与相邻的导电性棒124 或波导构件122的基部的曲面连接。因此,相邻的导电性棒124之间、以及波导构件 122与相邻的导电性棒124之间形成凹面,无平坦部。但是,该凹面与第1导电性表 面110a相向,该部分是主表面120a(第2导电性表面)的一部分。通过使导电性棒124 的基部124b为这样的形状,在后述镀覆工序中形成于中间构件120m的镀覆层301 的品质提高。
在图2B的例中,导电性棒124的前端的面和侧面藉由曲面连接。但是,该曲面 的曲率半径小于连接基部124b与主表面120a的曲面的曲率半径。该部分也可以如图 2A或后述的图2C的例子那样无曲面而成为角。
图2C是示意性地示出波导装置100的与XZ面平行的截面的又一结构例的图。 该例中,导电性棒124的基部124b的侧面藉由曲面连接到第2导电性表面120a。波 导构件122也是基部124b的侧面藉由曲面连接到第2导电性表面120a。但是,与图 2B的例子不同,相邻的导电性棒124之间、以及波导构件122与相邻的导电性棒124 之间为平坦部。在图2B的例中,以相邻的导电性棒124的基部124b的间隔为基准, 基部的曲面的曲率半径为间隔的一半。与此相对,在图2C的例中,该曲率半径小于 相邻的导电性棒124的基部124b的间隔的一半。其它形状、例如导电性棒124的前 端部124a的形状、和波导构件122的形状与图2A的例相同。另外,相邻的导电性 棒124之间的间隙129a、以及波导构件122与相邻的导电性棒124之间的间隙129b 均随着从导电性棒124的基部124b向前端部124a而逐渐扩大。该点也与图2A的例 子相同。
在图2B和图2C的例中,中间构件120m中的两个以上的棒各自具有平坦的上表 面,各棒的侧面在各自的基部藉由第1曲面连接到主表面。第1曲面的曲率半径大于 两个以上的棒各自的上表面与侧面连接的部分的曲率半径。此外,中间构件120m中 的脊的侧面在基部藉由第2曲面与主表面连接。第2曲面的曲率半径大于脊的上表面 与脊的侧面连接的部分的曲率半径。
本申请的第2导电构件120中,导电性棒124的高度、导电性棒124的配置间距 (即相邻的导电性棒的中心间的距离)、和波导构件122的高度根据用途设定为适当的 值。例如,导电性棒124的高度可设定为1mm,导电性棒124的配置间距也可设定 为1mm,波导构件122的高度可设定为1mm。使用具有这种尺寸的结构的高频构件 120构成WRG波导装置、或基于Waffle Iron(对开式铁心)结构的高频的锁定装置时, 这种装置所处理的高频的频率例如为70GHz以上且小于80GHz。根据用途的不同, 有时也使用大幅偏离该频带的频率。
利用频率超过70GHz的电波在导电体所引起的电流仅存在于距离导体表面小于0.5μm的范围。由此,镀覆层301的厚度也只要为0.5μm以上即可。但是,这种薄镀 覆层仅由于构件表面产生略微的损伤就会断裂。作为波导构件122的上表面的波导面 122a是电流集中的部分,若该部分的镀覆层301a断裂,则无法作为WRG波导发挥 功能。另一方面,在波导构件122的基部与相邻的导电性棒124的基部124b之间的 镀覆层301b,几乎没有电流流通,而且结构上为凹部。因此,由于与其它构件等碰 撞而使镀覆层301b受到损伤的可能性低。由此,覆盖波导构件122的上表面的镀覆 层301a的厚度可以比波导构件122的基部与相邻的导电性棒的基部124b之间的镀覆 层301b更厚。镀覆层301的厚度例如可以为10μm以上。即使在镀覆层301这么厚 的情况下,也能够作为高频构件发挥功能。但是,镀覆层越厚则制造成本越高。因此, 没有特别需要的情况下,镀覆层的厚度例如可设定为10μm以下。
这样,形成镀覆层301的工序可包含在中间构件中的脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层301。需要说明的是,覆盖该脊的上表面的镀覆层301a是在电磁波在WRG 波导中进行波导时流通最高密度的电流的部位,不优选产生镀覆的缺陷。覆盖中间构 件的主表面的镀覆层301b的缺陷也是不优选的,但覆盖脊的上表面的镀覆层301a的 缺陷会产生更大的影响。因此,可通过增加脊的上表面的镀覆层301a的厚度来使这 种情况难以发生。需要说明的是,作为脊和导电性棒的形状不选择前端越来越细的形 状的情况下,也可得到这样的效果。由此,即使在采用使脊和导电性棒的宽度一定的 结构的情况下,也可以使脊的上表面的镀覆层比覆盖中间构件的主表面的镀覆层更 厚。
在参照图1A、图1B、图2A、图2B和图2C所示的本申请的实施方式中的高频 构件(第2导电构件120)中,在中间构件120m的表面形成有镀覆层301。各部的典型 尺寸如上所述,形成于其表面的镀覆层301的厚度例如为10μm以下。为了得到具有 上述形态的高频构件,准备具备与上述形态同样的形状的中间构件。即,为了形成前 端越来越细的形状的两个以上的导电性棒,中间构件具备前端越来越细的形状的两个 以上的棒。为了形成脊状的波导构件,中间构件具备脊。另外,在导电性棒的基部藉 由曲面与导电性表面连接的情况下,中间构件的棒也具备同样的形态。
在公知的文献中,构成这种脊波导的导电性棒的宽度或直径从各棒的基部至前端部是一定的。或者,具有随着从基部向前端部而宽度或直径扩大的形状、或蘑菇形状(WO2013/189919、或E.Rajo-Iglesias and P.-S.Kildal,"Numerical studies ofbandwidth of parallel-plate cut-off realised by a bed of nails,corrugationsand mushroom-type electromagnetic bandgap for use in gap waveguides",IETMicrow.Antennas Propag.,2011, Vol.5,Iss.3,pp.282-289)。与此相对,如使用图2A、图2、图2C所示的那样,在本 申请的高频构件中,导电性棒的宽度或直径随着从基部向前端部而逐渐缩小。脊状的 波导构件可以从基部至上端面宽度是一定的,但也可以与导电性棒同样地为随着从基 部向上端面而宽度逐渐缩小的形状。
在上述各例中,高频构件具有波导构件122,但也可以构成不具有波导构件122 的高频构件。这样的高频构件能够为可实现包含例如两个以上的导电性棒124的排列 的人工磁导体的构件。这样的高频构件的制造中使用的中间构件具有两个以上的棒, 但不具有脊。这样,在中间构件中脊不是必要的构成要素。
<镀覆工序>
本申请的实施方式的导电构件的制造方法包括:准备具备上述形状的中间构件的工序;和对中间构件进行镀覆处理而在表面形成导电体的层的工序。下面,对本申请 的镀覆处理工序的例子进行说明。
图3A是示意性地示出将中间构件120m浸渍到镀覆液中的状态的图。图3B是 从Z方向观察图3A中的中间构件120m的图。该例中的中间构件120m为PC/ABS 树脂制。中间构件120m在进行清洗和蚀刻后,进行对树脂表面赋予例如由钯(Pd)构 成的催化剂颗粒的处理。之后,中间构件120m浸渍到无电解镀液中。通过前处理, 在中间构件120m的表面形成大量微细的凹部,但由于微细,在图中未表现出来。通 过前处理使中间构件120m的表面活化,镀覆液的润湿性(wettability)也提高。
通常,对于树脂材料来说,水或水溶液不显示出太高的润湿性。在作为镀覆对象的构件为树脂制时,即使浸渍到镀覆液中,也容易在构件的表面残留气泡。为了改善 润湿性,通常在镀覆液或前处理等中使用的溶液中加入表面活性剂。另外,通常镀覆 处理伴随水溶液中的还原反应,因此处理中容易产生氢气。即,即使暂时实现了镀覆 液覆盖构件表面的状态,但在之后的镀覆处理途中产生的氢气等气泡发生附着,也会 形成镀覆液不与构件表面接触的部位。无论气泡为空气、还是氢气,气泡附着的部位 均难以形成镀覆层,从而导致镀覆层的缺陷。镀覆液对于构件表面的润湿性越高,则 越难产生这种缺陷。但是,本申请中使用的中间构件120m具有在构件表面配置有两 个以上的棒124m的形态,因此即使改善了润湿性,也有可能在棒124m之间残存气 泡310。图3A示出了这种状态。但是,如以下所说明的那样,由于本申请中使用的 中间构件120m的形状上的特点,该气泡容易被排出。需要说明的是,在图3A的例 中,中间构件120m的整体为板状,在其一个面上配置有棒124m。并且,该板状的 中间构件120m以板面在垂直方向展开的姿势浸渍于镀覆液300中。
相邻的棒124m之间的间隙129a具有随着从棒124m的基部124b向前端部124a 而扩大的形态。图3A中的α表示其角度的大小。由于棒间的间隙129a具有这样的 形态,因此被该间隙129a捕捉的气泡310在棒124m的基部124b侧和前端部124a 侧具有不同的宽度。气泡310在不与其它构件或其它气泡接触的部分由于镀覆液300 的表面张力而欲接近球面形状,形成弯液面(meniscus)。由于气泡310的宽度不同, 因此棒124m的基部124b侧的弯液面311的半径r1小于棒124m的前端部124a侧的 弯液面312的半径r2。
将表面张力的大小设为σ时,已知半径r的气泡的内压比周围仅高2σ/r。这是因为,由于表面张力而使气泡内部的气体被压缩。在图3A的例中,弯液面311的半径 r1小于弯液面312的半径r2,因此弯液面产生出的与周围的压力差是基部124b侧的 弯液面311较大。因此,对于前端部124a侧的弯液面312,朝向棒间的间隙129a的 外侧挤压的力发挥作用。若弯液面312向外侧移动,与之相伴,弯液面311也向外侧 移动。移动后,弯液面产生出的压力也是内侧的弯液面311较大,这种状态未改变。 该状态持续至气泡310整体从棒间的间隙129a被挤出为止。这样,在将中间构件120m 浸渍到镀覆液300中时,或浸渍后出于某种理由,气泡310被捕捉到棒间的间隙129a 之间的情况下,也可利用表面张力的效果使气泡310容易被排出。这是因为,棒间的 间隙129a具有以角度α向棒前端部124a侧扩大的形状。
图3A中的中间构件120m在通过注射成型而成型时,分型线(parting line)位于棒124m的侧面与前端面之间的边缘124c。这种情况下,边缘124c在微观观察时具有 更尖的形状。在这种尖的形状的部位,镀覆液300中的气泡难以附着。因此,在棒 124m的前端部附近的镀覆层难以产生缺陷。关于图2A等所示的波导构件122(下文 中有时也称为脊122),也得到同样的效果。即,通过使分型线位于脊122的上表面侧 面之间的边缘,在脊的上表面附近的镀覆层难以产生缺陷。
图4是示意性地示出将棒124n的宽度一定的中间构件120n浸渍到镀覆液300 中的状态的图。对这种中间构件120n实施镀覆而得到的高频构件在形状上是现有公 知的。为了制造具有现有公知的形状的高频构件,对具有同样形状的中间构件120n 实施镀覆时,认为浸渍于镀覆液300中的中间构件120n会发生该图所示的状况。与 图3A的情况同样,中间构件120n作为整体具有板状,以板面在垂直方向展开的姿 势浸渍到镀覆液300中。在图4中,相邻的棒124n间的间隙129c从棒的基部124b 到前端部124a是一定的。即,弯液面311的半径r1’与弯液面312的半径r2’的半径 相等。因此,各弯液面产生出的压力差也相等。由此,与图3A所示的实施方式不同, 将气泡310从间隙129c排出的力不发挥作用。因此,若对中间构件实施镀覆而想要 得到现有公知形状的高频构件时,镀覆层容易产生缺陷。
在图3A和图4所示的例中,棒124m、124n间的间隙129a、129c均在水平方向 即Z方向上开口。该状态下,由镀覆液300对气泡310作用的浮力在将气泡310向间 隙129a、129c的外部排出的方向上不发挥作用。假设将中间构件120n旋转90度来 配置,使间隙129c朝向垂直方向上方(图的-X方向)开口的情况下,作用于气泡310 的浮力朝向将气泡310从间隙129c排出的方向。但是,即使在这种状态下,被间隙 129c捕捉的气泡310很多情况下也不会被排出。在图4的情况下,间隙129c的宽度 为0.5mm,气泡被捕捉于这种小间隙中时气泡本身也小。气泡越小,则赋予至气泡的 动作的、表面张力或与构件表面的吸附力的影响越大。被捕捉到狭小间隙已经暗示了 表面张力或吸附力的影响优越,即使在这种状态下使浮力发挥作用,气泡也未必被排 出。如图3A所示的实施方式那样,通过使中间构件120m的棒形状为前端越来越细 的形状,对于利用表面张力实现气泡排出是有效的。
关于有效获得表面张力导致的气泡排出的效果的条件,镀覆液的组成和温度、中间构件的材质、以及蚀刻等前处理的方法有较大影响。但是,在棒间的间隙为2mm 以下的区域中,利用表面张力的气泡排出有效的情况多。另外,若图3A中的角度α 为1度以上,则获得效果的情况多。参照图3A,对气泡被相邻的两个棒间的间隙捕 捉的情况进行说明,但对于脊状的波导构件和与其相邻的导电性棒之间也可期待同样 的效果。这是因为,如图2A、图2B、图2C所示,脊状的波导构件122与导电性棒 124之间的间隙129b也具有随着从导电性棒124的基部124b向前端部124a而扩大 的形状。在各例中,中间构件120m中脊与棒之间的间隙也采取同样的形态,在镀覆 处理时,可起到与参照图3A说明的效果同样的气泡排出效果。
中间构件120m中的两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与该棒相邻的其它棒的侧面之间的间隔例如能够小于2mm。此处,两个棒的间隔是指间隔最宽的前端部的 间隔。为了提高气泡的排出效果,中间构件120m在浸渍于镀覆液300中时可配置成 下述姿势:主表面展开的方向与重力的方向平行、或与重力的方向成大小为45度以 下的角。
需要说明的是,在本申请的制造方法中,作为镀覆的方法,可以根据用途选择各种方法。例如,作为无电解镀,可以选择无电解镀铜。作为一例,用于进行这种无电 解镀铜的镀覆液适量含有硫酸铜、乙二胺四乙酸四钠、甲醛、聚氧乙烯十二烷基硫醚。 另外,在进行镀覆处理时,镀覆液的温度维持为75℃左右。也可以使用具有其它组 成的镀覆液进行无电解镀。另外,也可以在利用无电解镀等方法对中间构件的表面赋 予了导电性后,进行电解镀镍等电解镀覆。作为一例,用于进行电解镀镍的镀覆液适 量含有硫酸镍、硼酸和氯化铵。在镀覆处理中,镀覆液的温度维持为20℃~30℃。 另外,作为镀覆对象物的中间构件上的电流密度例如调节为0.8A/dm2~1.0A/dm2的 值。需要说明的是,在进行电解镀覆时,参照图3A所说明的气泡排出功能也可有效 地发挥作用。由此,在基于具备本申请中说明的形态的中间构件制造高频构件的情况 下,在通过电解镀覆得到的镀覆层中也可抑制缺陷的产生。
<使用添加有玻璃纤维的树脂材料的情况>
通常,树脂以添加有各种添加物的状态进行成型。例如,出于提高产品刚性的目的,添加玻璃纤维或碳纤维等。另外,出于减少昂贵的树脂的用量的目的,添加二氧 化硅或云母等矿物、或者碳酸钙等碳酸盐等添加物。在本申请的制造方法中,可以使 作为材料的树脂中含有这些添加物(Filler,填料)。特别是,玻璃纤维具有提高作为产 品的高频构件的刚性的效果,因此可添加到树脂材料中。但是,在将玻璃纤维添加到 树脂材料中的情况下,形成镀覆层前的基础处理中需要花费工夫。
在蚀刻工序中,利用酸等化学试剂对中间构件的表面进行蚀刻,提高表面粗糙度。通过提高表面粗糙度,在后续工序中形成的镀覆层与树脂部分的密合力提高。但是, 树脂中添加有玻璃纤维的情况下,在蚀刻处理后,玻璃纤维不溶解而残存于中间构件 的表面。在玻璃的表面,镀覆液的润湿性低。因此,在玻璃纤维大量残存于中间构件 的表面的状态下,即使将中间构件浸渍到镀覆液中,镀覆液也难以润湿中间构件的表 面。特别是,棒间容易残存气泡。另外,镀覆层本身难以形成于玻璃表面。出于这些 理由,在选择含有玻璃纤维的树脂时,难以形成均质的镀覆层。
作为含有玻璃纤维的树脂的蚀刻方法,包括利用氢氟酸的方法。在使用对化学试剂的腐蚀具有高耐性的聚苯硫醚树脂的情况下,合用氢氟酸和硝酸的方法特别有效。 由于氢氟酸溶解玻璃纤维,因此能够抑制玻璃纤维残存于蚀刻后的中间构件的表面。 这种情况下,例如可以利用下述方法:首先用氢氟酸进行蚀刻,之后用硝酸进行蚀刻。 除此以外,还可以利用下述方法等:用氢氟酸与硝酸的混合液进行蚀刻的方法;或者 使用硝酸与氢氟酸盐的混合物的方法。通过使用这样的蚀刻方法,能够在增加表面的 粗糙度的同时,抑制玻璃纤维残留在中间构件的表面,能够使镀覆层的密合牢固。另 外,除了玻璃纤维外,也可以将溶解于酸中的盐预先加到树脂中。这种盐在利用酸进 行蚀刻时溶解,有助于提高表面粗糙度。作为可溶于酸的盐,可以使用例如碱土金属 碳酸盐,作为代表性的物质有碳酸钙。关于使用氢氟酸的蚀刻方法,例如公开于美国 专利第4532015号说明书和日本申请专利公报H2-217477号等中。
需要说明的是,合用氢氟酸和硝酸的蚀刻方法作为为了构成高频电路而一直以来使用的制造微带线路的方法未必合适。合用氢氟酸和硝酸的蚀刻处理是苛刻的处理, 实施镀覆的树脂构件的表面的凹凸容易变得过大。在这种表面形成有镀覆层的情况 下,虽然从外部来看的镀覆层的表面比较平滑,但镀覆层的树脂侧的面反映了树脂构 件的表面的粗糙度,具有强烈的凹凸。在微带线路中,流通到镀覆层的电流主要在镀 覆层的树脂侧的面流动。该面如上所述具有强烈的凹凸时,必然使电阻增加,传播微 带线路的高频信号的衰减增大。
但是,这种镀覆层的树脂侧的面的电阻在使用了通过本申请的制造方法制造的高频构件的装置、例如WRG波导装置、或利用两个以上的导电性棒起到人工磁导体的 功能的装置中不会成为大的问题。这是因为,在这些装置中,从工作原理上,电流流 通的不是镀覆层的树脂侧的面,而是相反侧的高频构件的表面侧的比较平滑的镀覆层 的面。由此,在用于构成WRG等的高频构件中,在蚀刻处理中利用氢氟酸所导致的 作为高频构件的性能降低很小。另一方面,镀覆层牢固地与树脂构件密合。因此,即 便经过温度变化,镀覆层也难以剥离,能够得到耐久性高的高频构件。需要说明的是, 从实现作为高频构件的性能与耐久性的兼顾的方面来看,棒或脊的形状不限于上述形 状。即,即便相邻的棒间的间隙不为从基部向前端扩大的形态,也能实现性能与耐久 性的兼顾。只要能够利用某种方法使镀覆液遍布于棒间,则具有镀覆层的高频构件就 能显示出高耐久性,该镀覆层是利用采用氢氟酸的蚀刻处理而得到的。
<利用注射成型的中间构件的制造>
中间构件120m可以利用各种方法进行制造。作为一例,对利用注射成型制造中 间构件120m时的例子进行说明。
图5是示意性地示出用于成型出中间构件120m的模具的一例的图。在组合四个 模具131、132、133、134而制作的空洞130中注入流动状态的树脂材料并使其固化, 由此得到中间构件120m。作为树脂的种类,如上所述,可以使用PC/ABS树脂等。 用于注入树脂材料的浇口未示于图5中。在规定外周的外框模具134的内侧配置侧面 模具132和底面模具133。侧面模具132具有块状,该块状具有用于形成棒的侧面的 两个以上的贯通孔和用于形成脊的侧面的槽。各贯通孔和槽的内侧的宽度随着从远离 底面模具133而单向地减少。侧面模具132不包含形成棒的上表面和脊的前端面的部 位。与各棒相当的空洞的部分124e、和与脊相当的空洞的部分122e的上侧开口。该 开口被端面模具131封闭。与脊相当的空洞的部分122e的侧面的上端122c与端面模 具131接触。在这样的空洞130中注入树脂并成型而得到的中间构件120m中,脊的 侧面与脊的上表面相交的部分常会产生被称为分型线的微小的凸条。
使用这样的模具制造中间构件120m时,所得到的中间构件120m在脊122的上 表面与侧面相交的边缘部分具有清晰的角形状。使用这样的中间构件120m所制作的 高频构件120中,边缘部分也保持了比较清晰的角形状。这样,在波导构件的上表面 平坦且边缘清晰的情况下,使用这样的高频构件构成的WRG波导装置能够迅速地利 用计算机模拟进行性能推测。因此,在开发与各种用途对应的WRG波导装置时,不 仅能迅速地进行其设计,还能降低开发成本。大量生产时的产品成本必然也包括设计 成本,因此采用波导构件的面的边缘清晰的高频构件还有助于产品成本的降低。
这样,本实施方式中的高频构件的制造方法中的准备中间构件的工序包括利用注射成型得到树脂制的中间构件。注射成型中使用的模具能够包括:构成具有与棒的侧 面相同形状的内周面的空隙的一个或两个以上的侧面模具;和具有与棒的上表面相同 形状的面的一个或两个以上的端面模具。在端面模具封闭侧面模具的上述空隙的一端 的状态下,进行注射成型。
<适合于镀覆处理的棒的其它形状>
图6A是本申请的其它实施方式中的包含棒124p1的轴向(Z方向)的平面中的中 间构件的截面图。图6B是从图6A所示的棒124p1的轴向(Z方向)观察的中间构件的 俯视图。图6C是从Z方向观察将图6A所示的中间构件浸渍于镀覆液中时的棒间的 气泡的状况的图。该实施方式中,棒124p1的四个侧面不倾斜。但是,棒124p1所具 有的四个角均进行了倒角,为曲面状。这样的倒角在镀覆处理时可起到促进被棒间捕 捉的气泡排出的效果。如图6C所示,气泡310被相邻的两个棒124p1的间隙129d 捕捉的情况下,由于倒角存在,气泡310的左右弯液面的半径产生差异。因此,对于 气泡310,与图3A中说明的作用同样的作用在水平方向产生。其结果,如图6D所 示,气泡310被挤出到四个棒124p1之间的比较宽的空间,容易被排出。
图6E是示出棒的角没有倒角的比较例中的气泡310的状况的图。这种情况下, 气泡310的左右弯液面的半径相同。因此,与图6C和图6D所示的实施方式不同, 难以发挥将气泡310挤出到四个棒之间的空间的作用。
图7是示出本申请的又一实施方式中的棒124p2、124p3、124p4、124p5和被这 些棒包围的脊122p浸渍于镀覆液中的状态的俯视图。脊122p包括以直线状延伸的部 位(称为“直线部”)、和描绘出曲线的部位(称为“曲线部”)两者。曲线部是连接两个直线 部的部分。在图7的例中,与脊122p的直线部分相邻的棒124p1具有四棱柱的角进 行了倒角的形状。这种情况下,被捕捉到棒124p1与脊122p的侧面之间的气泡310 与图6C所示的情况相比略难以被排出。这是因为,脊122p的侧面为直线状,间隙 的扩大量小。这种情况下,使棒的形状例如为圆柱形状(124p2)、六棱柱形状(124p3)、 或三棱柱形状(124p4)等四棱柱以外棱柱形状是有效的。通过使棒的形状为这种形状, 可促进气泡310的排出。另外,即使在使棒的形状为四棱柱的情况下,如图7所示的 棒124p5那样,通过在平面内使四棱柱在Z方向的周围略微旋转,也能促进气泡310 的排出。这是因为,能够在棒124p5的侧面与脊122p的侧面之间形成向一个方向扩 大间隙的区域。
关于棒124p2、124p3、124p4、124p5这样形状的棒,在与脊122p描绘曲线而延 伸的部位相邻地配置的情况下,也具有促进气泡310的排出的效果。但是,棒的侧面 与脊122p的侧面的间隔必须满足规定的条件。即,在棒的侧面与脊122p的侧面相向 的部分,随着从棒的侧面与脊122p的侧面的间隔最短的部分沿着棒的周向远离,该 间隔需要单向地增加。即,在图7中,d1<d2、d3。另外,棒的侧面的曲率大于脊122p 的侧面的曲率。若满足这些条件,则在镀覆处理中气泡容易被排出。
在图6B~6D和图7中,四棱柱型的棒124p1的侧面的角以曲面进行了倒角,但 倒角不限于该形状。例如如图8所示,也可以采用具有平面倒角的形状的棒124p6。 该情况下,也可得到上述的气泡排出效果。
这样,中间构件能够包括以直线方式延伸的两个直线部、和连接该两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部。两个以上的棒分布于脊的两侧。两个以上的棒中的在脊的 曲线部的内侧最接近曲线部的棒例如可以具有角进行了倒角的四棱柱形状、圆柱形 状、或四棱柱以外的棱柱形状。最接近脊的曲线部的棒的侧面与脊的侧面的距离随着 从该距离最短的该棒的一部分沿着该棒的周围远离而单向地增加。另外,最接近脊的 曲线部的棒的侧面的曲率大于脊的曲线部的曲率。
图9A是示出本申请的又一实施方式中的棒124p7的俯视图。图9B是棒124p7 的侧视图。棒124p7与棒124p1同样地四个角以曲面进行了倒角。另外,棒124p7 具有随着从基部向前端而宽度或直径逐渐缩小的、前端越来越细的形状。将具有这种 形状的棒124p7的中间构件浸渍于镀覆液中时,对气泡可发挥出参照图3A说明的效 果与参照图6C说明的效果这两者。由此,该例中,被捕捉于棒间的气泡也容易被排 出。
图10是示出本申请的又一实施方式的棒124p8的俯视图。图10示出棒124p8 浸渍于镀覆液中的状态。该例中,棒124p8在侧面具备凹部。由于具有该凹部,相邻 的两个棒间的空间的宽度变大。因此,气泡310难以被棒间的区域捕捉。即,该例中, 也难以发生因气泡310被捕捉到棒间的区域而使镀覆产生缺陷的情况。其中,其机构 与参照图3A和图6C说明的机构不同。在图3A和图6C所示的例中,利用了通过表 面张力的不均匀性而使气泡排出的效果。与此相对,在图10的例中,不扩大棒的配 置周期而扩大棒间的间隙,由此使气泡难以被捕捉到棒间。
如棒124p8这样,具有在侧面有两个以上的凹部或凹处、凹部与凹部之间为向外突出的凸部的形状的导电性棒显示出屏蔽高频信号的优异特性。这种特性可以不依赖 于制造方法而获得。由此,在利用制造时不伴有镀覆工序的制造方法所制造的产品中 也采用这种形状的导电性棒。例如,有时利用模具浇注、触变成型(Thixomolding)、 或切削加工来制造这种产品。
图11A是示意性地示出本申请的又一实施方式的棒124p9的立体图。棒124p9 在与导电性表面120a连接的基部侧具有宽度或直径扩大的扩径部124p9w。
图11B是从X方向观察棒124p9时的示意性侧视图。扩径部124p9w的侧面相对 于棒124p9延伸的方向即Z方向倾斜。另外,扩径部124p9w的径随着接近导电性表 面120a而扩大。在图11A和图11B的例中,棒124p9的侧面中的垂直部与扩径部 124p9w之间具有清晰的边界。但是,也可以不具有清晰的边界,而藉由平滑的曲面 连接垂直部和扩径部124p9w。
图11C是示意性地示出棒124p9的俯视图。从与导电性表面120a垂直的方向观 察棒124p9时,可看到棒124p9的方形的上表面、和其周围的扩径部124p9w的侧面。
如该变形例中的棒124p9这样,通过选择基部具有扩径部124p9w的棒形状,在 镀覆工序中,特别是在棒124p9的基部与导电性表面120a连接的部分难以捕捉气泡。 或者,被捕捉到两个以上的棒124p9之间的气泡容易被排出。在不具有扩径部124p9w 的情况下,棒124p9的侧面与导电性表面120a连接的部分成为垂直面与水平面相交 形成的凹陷角。在浸渍于镀覆液中时,气泡容易被捕捉到这种形状的部分。通过使棒 124p92的基部侧为扩径部124p9w,凹陷角的形状消失,难以捕捉气泡。
在图11A~图11C所示的例中,棒124p9的扩径部124p9w及其它的部分的水平 截面形状为方形。但是,不限定于此。水平截面形状可以为圆形,也可以为带圆角的 方形。将水平截面形状为圆形时的例子示于图11D。该例中,棒124p92的水平截面 形状在扩径部124p9w及其它部位均为圆形。
图11E和图11F示出了水平截面形状为圆形的棒的又一例子。该例中,扩径部124p9w与棒124p93的基部侧具有高低差。
在图11A~图11F所示的例中,棒的扩径部124p9w以外的部分的宽度是一定的。 因此,在扩径部124p9w以外的部分,棒间的间隙的尺寸也一定。但是,即使在棒具 有扩径部124p9w的情况下,棒的扩径部124p9w以外的部分也可以采用前端越来越 细的形态。在为这种形状的情况下,即使是从棒的基部远离的部分,相邻的棒之间的 间隙也从基部侧向前端侧扩大,因此镀覆时的气泡排出进一步得到促进。
包含图11A~图11F中例示性地示出的基部侧具有扩径部的棒的棒列作为人工磁导体正常地发挥功能。另外,在棒的扩径部以外的部分具有前端越来越细的形状的情 况下,包含这种棒的棒列也作为人工磁导体正常地发挥功能。
需要说明的是,图11A~图11F中例示性地示出的基部侧具有扩径部124p9w的 棒在通过模型浇注法等铸造将金属作为材料而成型的情况下,也作为高频构件正常地 发挥功能。由此,棒具有扩径部124p9w的高频构件也可以通过使用模具的铸造进行 制造。
在通过铸造来制造图4所示的棒那样的基部不具有扩径部的棒时,常会发生棒未被正确成型的不良情况。但是,通过在棒的基部预先设置扩径部,能够抑制这种不良 情况的发生。其原因之一可认为是:由于具有扩径部,因此模具内的与棒相当的空洞 的入口部分成为扩大的形状,处于流动状态的金属容易浇注到棒的空洞内。另外,在 将所铸造的构件与模具分离时,会对棒施加强的应力,在棒的基部附近有时会断裂。 但是,在棒的基部成为扩径部的情况下,在该部分棒的宽度宽,可耐受机械应力,因 此难以发生这样的断裂。
本申请的实施方式中的中间构件不限于仅将树脂材料作为材料。中间构件也可以由以树脂材料为材料的部分和以金属材料为材料的部分构成。这样的中间构件例如可 以使用下述嵌件成型的方法进行制造:将金属构件配置于模具内部,接下来将流动状 态的树脂注入模具内。除此以外,也可以选择用螺钉等将树脂成型品固定于金属构件 的方法。中间构件将树脂材料和金属材料双方作为材料的情况下,根据需要对希望赋 予导电性的部位进行镀覆处理。在某个实施方式中,可仅对树脂部分进行镀覆处理。 在树脂部分与金属部分的边界部分也需要导电性的情况下,可对树脂部分和金属部分 双方进行镀覆处理。该情况下,可以对中间构件整体实施镀覆处理。
2.导电性棒为前端越来越细的形状时的高频构件的特性
如上所述,通过使高频构件的导电性棒为前端越来越细的形状、或者使导电性棒的侧面的角为倒角,镀覆层难以产生缺陷。但是,即使镀覆层的缺陷少,具有为这种 形状的导电性棒的高频构件在构成作为主要用途的WRG波导的情况下,只要不正常 发挥功能则本申请中解说的制造方法就没有技术价值。
实际上,如上所述,在现有公知的文献中,导电性棒从基部至前端部为一定的形状,或者具有随着从基部向前端部而宽度或直径扩大形状、或蘑菇形状。特别是,与 直径扩大的形状和蘑菇形状相比,前端越来越细的形状是完全相反的形状。
但是,本发明人发现,作为导电性棒的形状在选择棱柱的侧面的角进行了倒角的形状时、或选择截面为圆形形状时,确认使用这些导电性棒和波导构件(脊)构成的 WRG波导可正常工作。另外,使用具有前端越来越细的导电性棒的高频构件构成 WRG波导的情况下,有时特性也得到改善。
下面,对这种WRG波导进行说明。
<波导装置的基本构成>
首先,参照图12A和图12B。图12A是示意性地示出本实施方式中的波导装置 的结构例的立体图。在图12A中,为了易于理解,示出了使第1导电构件110和第2 导电构件120的间隔分离的状态。图12B是示意性地示出波导装置100的与XZ面平 行的截面的结构的图。
如图12A和图12B所示,本实施方式中的波导装置100具备:具有平面形状的 导电性表面110a的第1导电构件110;两个以上的导电性棒124排列而成的第2导 电构件120,该两个以上的导电性棒124各自具有与导电性表面110a相向的前端部 124a;和波导构件122,其具有与第1导电构件110的导电性表面110a相向的导电性 的波导面122a。波导构件122配置于两个以上的导电性棒124之间,沿着导电性表 面110a延伸。由两个以上的导电性棒124构成的人工磁导体分别位于波导构件122 的两侧,从两侧夹持波导构件122。本实施方式中,波导构件122具有延伸方向分成 两个以上的分支部136。该例中的分支部136中,分支的两条波导构件的角度为180 度,具有与字母“T”相似的形状,因此也被称为“T-分支”。除此以外,分支部136还 具有分支的两条波导构件的方向所成的角度小于180度的“Y-分支”。
如上所述,在第2导电构件120上排列的两个以上的导电性棒124分别具有与导 电性表面110a相向的前端部124a。在图示的例中,导电性棒124的前端部124a大致 在相同平面上,形成了人工磁导体的表面125。
<导电性棒的基本结构>
·分支部
本实施方式中,如图12B所示,通过使各导电性棒124的侧面倾斜,使各导电 性棒124的与轴向(Z方向)垂直的截面的外形尺寸从基部124b向前端部124a单向地 减少。由此,能够提高波导构件122的分支部136的阻抗的匹配度,这由电磁场模拟 的结果可知。
图13A是包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。图13B是从图 13A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。该例中的导电性棒124具有与轴 向(Z方向)垂直的截面为正方形的截锥(Frustum)形状,导电性棒124的四个侧面124s 相对于轴向(Z方向)倾斜。如图13A所示,导电性棒的各侧面124s的倾斜角度由侧 面124s的法线n1相对于与轴向(Z方向)垂直的任意平面Pz所形成的角度θ进行定义。
“导电性棒的与轴向垂直的截面的外形尺寸”由内部能够包含“截面的外形”的最小圆的直径来定义。这样的圆在截面的外形为三角形、长方形(包括正方形)、或正多 边形的情况下相当于外接圆。“截面的外形”为圆或椭圆时,“截面的外形尺寸”为圆的 直径或椭圆的长轴长度。本申请中的导电性棒的“截面的外形”不限于存在外接圆的形 状。在图13A和图13B所示的例中,导电性棒124的与轴向垂直的截面的外形尺寸 从导电性棒124的基部124b向前端部124a减少。
在图13A和图13B所示的例中,导电性棒124的与轴向垂直的截面的面积在前 端部124a小于基部124b。如上所述,导电性棒124不需要整体具有导电性,只要其 表面具有导电性即可。因此,导电性棒124可以具有中空结构,也可以内部存在电介 质的芯。“导电性棒的与轴向垂直的截面的面积”是指利用导电性棒的与轴向垂直的截 面的“外形”的轮廓线从外部区分的区域的面积。即使该区域内包含不具有导电性的部 分,也与“截面的面积”没有关系。
下面,对使用这样的导电性棒124可提高阻抗的匹配度进行说明。
本发明人通过模拟可知,在本实施方式的结构中,与各导电性棒124的侧面不倾斜的现有结构相比,阻抗匹配度提高。此处,阻抗匹配度由输入反射系数表示。输入 反射系数越低,则阻抗匹配度越高。输入反射系数是表示反射波的强度相对于向高频 线路或元件的输入波的强度之比的系数。
图14A~图14D是示出本模拟中使用的波导装置的结构的图。图14A是示意性 地示出各导电性棒124的侧面不倾斜的现有结构的立体图。图14B是图14A所示的 波导装置的俯视图。图14C是示意性地示出各导电性棒124的侧面倾斜的本实施方 式的结构的立体图。图14D是图14C所示的波导装置的俯视图。
在本模拟中,对于各导电性棒124的四个侧面的倾斜角度不同的两个以上的结构,测定了分支部中的输入反射系数S。在本模拟中,将74.9475GHz的频率设为Fo, 对以Fo为中心的频带的电磁波(也称为输入波)进行了测定。将与Fo对应的自由空间 中的波长设为λo,将各导电性棒的平均宽度、棒间的间隙的平均宽度、和波导构件(脊) 的宽度设为λo/8,将各棒和脊的高度设为λo/4。输入波在图14B和图14D所示的箭 头的方向入射。
图15是示出本模拟的结果的曲线图。图15的曲线图示出了倾斜角θ为0°、1°、 2°、3°、4°、5°的各情况下相对于0.967Fo、1.000Fo、1.033Fo的频率的输入波的输入 反射系数S(dB)。
由图15可知,与输入波的频率无关,若倾斜各导电性棒124的侧面,则输入反 射系数S降低。即,通过本实施方式的结构,确认到阻抗匹配度提高。
·弯曲部
上述效果在波导构件122具有弯曲部时也可得到。弯曲部是指波导构件122的延伸方向发生变化的部分。弯曲部包括波导构件122的延伸方向急剧变化的部分、缓慢 变化的部分、蜿蜒的部分。
参照图16。图16是示意性地示出本实施方式中的波导装置的其它结构例的立体图。在图16中,为了易于理解,省略了第1导电构件110的记载。
在图示的波导装置中,具备两条波导构件122,一个波导构件122具有弯曲部138。
通过使用侧面倾斜的导电性棒124,也能够提高弯曲部138中的阻抗的匹配度。 以下,对其进行说明。
本发明人通过模拟可知,在具有弯曲部的结构中,与各导电性棒124的侧面不倾斜的现有结构相比,阻抗匹配度提高。下面,说明该模拟的结果。
图17A~图17D是示出本模拟中使用的波导装置的结构的图。图17A是示意性 地示出各导电性棒124的侧面不倾斜的现有结构的立体图。图17B是图17A所示的 波导装置的俯视图。图17C是示意性地示出各导电性棒124的侧面倾斜的本实施方 式的结构的立体图。图17D是图17C所示的波导装置的俯视图。在本模拟中,使输 入波在图17B和图17D所示的箭头的方向入射,测定弯曲部中的输入反射系数。其 它模拟条件与上述模拟中的条件相同。
图18是示出本模拟的结果的曲线图。图18的曲线图示出了倾斜角θ为0°、1°、 2°、3°、4°、5°的各情况下相对于0.967Fo、1.000Fo、1.033Fo的频率的输入波的输入 反射系数S(dB)。
由图18可知,与输入波的频率无关,若倾斜各导电性棒124的侧面,则输入反 射系数S降低。即,通过本实施方式的结构,确认到阻抗匹配度提高。
需要说明的是,也可以一个波导构件122具有分支部和弯曲部两者。例如,波导 构件122可以具有将分支部和弯曲部组合而成的结构。另外,波导构件122的形状(例 如,高度或宽度)在分支部或弯曲部的附近可以如以往那样局部发生变化。这样,若 使波导构件122的形状局部发生变化,则与本申请中的波导装置的导电性棒124所具 有的效果相配合,可进一步提高阻抗匹配度。
<导电性棒的其它结构>
接着,对可获得本申请的效果的导电性棒的其它形状的例子进行说明。
首先,参照图19A和图19B。图19A是示出将导电性棒124的与轴向(Z方向) 垂直的截面的外形尺寸D作为与导电性棒124的基部124b的距离z的函数D(z)来表 现的例子的曲线图。距离z从导电性棒124的基部124b与导电性棒124的轴向(Z方 向)平行地进行测定。
图19A示出了关于上述导电性棒124的函数D(z)的例子。图19A的符号“h”是指 导电性棒的高度(轴向尺寸)。D(z)具有与导电性棒124的侧面124s的倾斜对应的梯度。 在上述实施方式中的导电性棒124中,D(z)的梯度是一样的,但本申请的波导装置不 限于这样的例子。只要D(z)随着z的增加而单向地减少,则可得到上述效果。
本申请中,“导电性棒的与轴向垂直的截面的外形尺寸从与第2导电构件接触的基部向前端部单向地减少”这一事项是指,关于满足0<z1<z2<h的任意的z1和z2, D(z1)≥D(z2)成立,且D(0)>D(h)成立。此处,符号“≥”包括不等号和等号。因此,导 电性棒可以具有即使z增加、D(z)的大小也不发生变化的部分。图19B示出了在z的 特定范围内即使z增加、D(z)的大小也不发生变化的例子。通过具有这种外形尺寸的 导电性棒,也能够得到上述效果。
图20A是另一例中的包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。图20B是从图20A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。该例中,导电性棒124的 与轴向垂直的截面的外形为圆。该“截面的外形”也可以为椭圆。在截面的外形为圆的 情况下,“导电性棒的与轴向垂直的截面的外形尺寸”与圆的直径一致。在截面的外形 为椭圆的情况下,“导电性棒的与轴向垂直的截面的外形尺寸”等于椭圆的长轴长度。
这样,即便“导电性棒的与轴向垂直的截面”具有正方形以外的形状,通使侧面倾斜,也能提高分支部和弯曲部中的阻抗匹配度。
需要说明的是,导电性棒124的前端部124a不需要为平面,如图21A和图21B 所示的例子那样,也可以为曲面。
图22A、图22B和图22C是示出导电性棒124所具有的形状的其它例子的图。 图22A示出了导电性棒124的与XZ面平行的截面,图22B示出了导电性棒124的 与YZ面平行的截面,图22C示出了导电性棒124的与XY面平行的截面。该例中, 如图22C所示,导电性棒124的与轴向垂直的截面的外形为长方形。如图22A和图 22B所示,该例中的导电性棒124所具有的四个侧面124sa、124sb、124sc、124sd之 中,侧面124sa、124sb不倾斜,仅其它侧面124sc、124sd倾斜。
图23A是又一例中的包含导电性棒124的轴向(Z方向)的平面中的截面图。图23B是从图23A的导电性棒124的轴向(Z方向)观察的俯视图。该例中的导电性棒124具 有高低差。“导电性棒的与轴向垂直的截面”的尺寸局部发生急剧变化。本申请中,这 种形状也满足“导电性棒的与轴向垂直的截面的外形尺寸从与第2导电构件接触的基 部向前端部单向地减少”这一事项。
在上述实施方式中,在各第2导电构件120上排列的两个以上的导电性棒124 具有相同的形状。但是,本申请的波导装置不限于这样的例子。构成人工磁导体的两 个以上的导电性棒124可以具有相互不同的形状和/或尺寸。另外,如图24所示,也 可以仅对与波导构件122相邻的导电性棒124赋予上述特殊形状。另外,也可以对于 位于不对波导构件122的分支部或弯曲部中的阻抗匹配度产生影响的位置的导电性 棒赋予与现有的导电性棒相同的形状,而仅对位于会对分支部或弯曲部中的阻抗匹配 度产生影响的位置的导电性棒赋予上述特殊形状。具体而言,与波导构件122的“分 支部或弯曲部相邻的导电性棒”的与轴向垂直的截面的外形尺寸从基部向前端部单向 地减少即可。此处,“与分支部或弯曲部相邻的导电性棒”定义为:在所着眼的导电性 棒与“分支部或弯曲部”之间不存在所着眼的导电性棒以外的导电性棒时的该“着眼的 导电性棒”。
<各构件的尺寸等的例子>
接着,对各构件的尺寸、形状、配置等的例子进行说明。
本实施方式中的波导装置用于规定频带(称为“工作频带”)的电磁波的发送和接收 中的至少一者。本说明书中,将在第1导电构件110的导电性表面110a与波导构件 122的波导面122a之间的波导传播的电磁波(信号波)的自由空间中的波长的代表值 (例如,与工作频带的中心频率对应的中心波长)设为λo。另外,将工作频带中的最高 频率的电磁波的自由空间中的波长设为λm。
各构件的尺寸、形状、配置等的例子如下所述。
(1)导电性棒的宽度
导电性棒124的前端部的上表面的宽度(X方向和Y方向的尺寸)可设定为小于 λm/2。若为该范围内,则能够防止X方向和Y方向的最低阶谐振的发生。需要说明 共振的是,不仅是X和Y方向,在XY截面的对角方向也可能发生谐振,因此导电 性棒124的XY截面的对角线的长度也优选小于λm/2。棒的上表面的宽度和对角线 的长度的下限值为能够以加工方法制作的最小长度,没有特别限定。
(2)从导电性棒的基部至第1导电构件的导电性表面的距离
从导电性棒124的基部124b至第1导电构件110的导电性表面110a的距离可设 定为比导电性棒124的高度长且小于λm/2。该距离为λm/2以上的情况下,在导电性 棒124的基部124b与导电性表面110a之间发生谐振,信号波的锁定效果丧失。
从导电性棒124的基部124b至第1导电构件110的导电性表面110a的距离相当 于第1导电构件110与第2导电构件120的间隔。例如作为毫米波带的76.5±0.5GHz 的信号波在波导中传播时,信号波的波长为3.8934mm至3.9446mm的范围内。因此, 该情况下,λm为3.8934mm,因而第1导电构件110与第2导电构件120的间隔小于 3.8934mm的一半。若第1导电构件110和第2导电构件120以实现这种狭小间隔的 方式相向配置,则第1导电构件110和第2导电构件120不需要严格地平行。另外, 若第1导电构件110与第2导电构件120的间隔小于λm/2,则第1导电构件110和/ 或第2导电构件120的整体或一部分可以具有曲面形状。另一方面,第1和第2导电 构件110、120的平面形状(与XY面垂直投影的区域的形状)和平面尺寸(与XY面垂 直投影的区域的尺寸)可根据用途任意设计。
(3)导电性棒的排列和形状
两个以上的导电性棒124中的相邻的两个导电性棒124之间的间隙例如具有小于λm/2的宽度。相邻的两个导电性棒124之间的间隙的宽度由该两个导电性棒124的 一个表面(侧面)至另一个表面(侧面)的最短距离来定义。如本实施方式这样,在相邻 的两个棒124具有前端越来越细的形状的情况下,在该间隙的宽度达到最大的前端部 小于λm/2即可。该棒间的间隙的宽度以在棒间的区域中不发生最低阶谐振的方式来 决定。发生谐振的条件由导电性棒124的高度、相邻的两个导电性棒间的距离、以及 导电性棒124的前端部124a与导电性表面110a之间的空隙的容量的组合而决定。由 此,棒间的间隙的宽度依赖于其它设计参数适当决定。棒间的间隙的宽度没有明确的 下限,为了确保制造容易性,在传播毫米波带的电磁波时,例如能够为λm/16以上。 需要说明的是,间隙的宽度不需要是一定的。只要小于λm/2,则导电性棒124之间 的间隙可以具有各种宽度。
只要可发挥作为人工磁导体的功能,则两个以上的导电性棒124的排列不限定于图示的例子。两个以上的导电性棒124不需要排列成垂直的行和列状,行和列也可以 以90度以外的角度交叉。两个以上的导电性棒124不需要沿着行或列在直线上排列, 也可以不显示出单纯的规则性而分散配置。各导电性棒124的形状和尺寸也可以根据 第2导电构件120上的位置而变化。
两个以上的导电性棒124的前端部124a所形成的人工磁导体的表面125不需要 严格地为平面,也可以为具有微细凹凸的平面或曲面。即,各导电性棒124的高度不 需要一样,在导电性棒124的排列可作为人工磁导体发挥功能的范围内,各个导电性 棒124可具有多样性。
此外,导电性棒124不限于图示的棱柱形状,也可以具有例如圆筒状的形状。此外,不需要具有单纯的柱状的形状。人工磁导体也可以通过导电性棒124的排列以外 的结构来实现,能够将多样的人工磁导体用于本申请的波导装置中。需要说明的是, 在导电性棒124的前端部124a的形状为棱柱形状的情况下,其对角线的长度优选小 于λm/2。在为椭圆形状时,长轴的长度优选小于λm/2。在前端部124a为其它形状的 情况下,其跨度尺寸在最长的部分也优选小于λm/2。
(4)波导面的宽度
波导构件122的波导面122a的宽度、即与波导构件122延伸的方向垂直的方向 的波导面122a的尺寸可设定为小于λm/2(例如λo/8)。这是因为,若波导面122a的宽 度为λm/2以上,则在宽度方向发生谐振,若发生谐振,则WRG无法作为单纯的输 送线路工作。
(5)波导构件的高度
波导构件122的高度(Z方向的尺寸)设定为小于λm/2。这是因为,该距离为λm/2 以上时,导电性棒124的基部124b与导电性表面110a的距离为λm/2以上。同样, 关于导电性棒124(特别是与波导构件122相邻的导电性棒124)的高度,也设定为小 于λm/2。
(6)波导面与导电性表面之间的距离
关于波导构件122的波导面122a与导电性表面110a之间的距离,设定为小于 λm/2。这是因为,该距离为λm/2以上时,在波导面122a与导电性表面110a之间发 生谐振,无法作为波导发挥功能。在某例中,该距离为λm/4以下。为了确保制造容 易性,在传播毫米波带的电磁波时,例如优选设为λm/16以上。
导电性表面110a与波导面122a的距离的下限、和导电性表面110a与棒124的 前端部124a的距离的下限依赖于机械工作的精度、和将上下两个导电构件110、120 保持一定距离地组装时的精度。在使用压制方法或注射方法的情况下,上述距离的实 际下限为50微米(μm)左右。在利用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微电子 机械系统)技术制作例如太赫兹区域的产品时,上述距离的下限为2μm~3μm左右。
根据具有上述结构的波导装置100,工作频率的信号波无法在人工磁导体的表面125与第1导电构件110的导电性表面110a之间的空间传播,而在波导构件122的 波导面122a与第1导电构件110的导电性表面110a之间的空间传播。这种波导结构 中的波导构件122的宽度与中空波导管不同,不需要具有所要传播的电磁波的一半波 长以上的宽度。另外,也不需要利用在厚度方向(与YZ面平行)延伸的金属壁连接第 1导电构件110和第2导电构件120。
3.天线装置
下面,对使用了通过本申请的制造方法所制造的高频构件的波导装置的应用例进行说明。作为一例,对具备这种波导装置的天线装置的非限定性的例示性实施方式进 行说明。
图25A是16个缝隙(slot)(开口部)112以4行4列排列而成的天线装置(阵列天线)的从Z方向观察的俯视图。图25B是图25A的B-B线截面图。在图示的天线装置中, 第1波导装置100a和第2波导装置100b进行层叠,该第1波导装置100a具备与作 为发射元件(天线元件)发挥功能的缝隙112直接耦合的波导构件122U,该第2波导装 置100b具备与第1波导装置100a的波导构件122U耦合的其它波导构件122L。第2 波导装置100b的波导构件122L和导电性棒124L配置于第3导电构件140上。第2 波导装置100b基本上具备与第1波导装置100a的结构同样的结构。
在第1波导装置100a中的第1导电构件110设有包围各缝隙112的侧壁114。侧 壁114形成了调整缝隙112的定向性的喇叭。该例中的缝隙112的个数和排列只不过 是例示的情况。缝隙112的方向和形状也不限于图示的例子。喇叭的侧壁114的倾斜 有无和角度、以及喇叭的形状也不限于图示的例子。
图26是示出第1波导装置100a中的波导构件122U的平面布局的图。图27是 示出第2波导装置100b中的波导构件122L的平面布局的图。由这些图可知,第1 波导装置100a中的波导构件122U以直线状延伸,不具有分支部和弯曲部,但第2 波导装置100b中的波导构件122L具有分支部和弯曲部两者。作为波导装置的基本结 构,第2波导装置100b中的“第2导电构件120”与“第3导电构件140”的组合相当于 第1波导装置100a中的“第1导电构件110”与“第2导电构件120”的组合。
图示的阵列天线的特征在于,各导电性棒124L的形状具有图13A和图13B所示 的形状。因此,波导构件122L的分支部和弯曲部中的阻抗匹配度提高。
需要说明的是,导电性棒124L的形状不限于图13A和图13B所示的例子。如上 所述,导电性棒124L的形状、尺寸和排列模式能够为多样的。
再次参照图26和图27。第1波导装置100a中的波导构件122U通过第2导电构 件120所具有的端口(开口部)145U而与第2波导装置100b中的波导构件122L耦合。 换言之,在第2波导装置100b的波导构件122L传播来的电磁波通过端口145U到达 第1波导装置100a的波导构件122U,能够在第1波导装置100a的波导构件122U传 播。此时,各缝隙112作为将在波导中传播来的电磁波朝向空间发射的天线元件发挥 功能。相反,若在空间中传播来的电磁波入射到缝隙112,则该电磁波与位于缝隙112 的正下方的第1波导装置100a的波导构件122U耦合,在第1波导装置100a的波导 构件122U中传播。在第1波导装置100a的波导构件122U中传播来的电磁波通过端 口145U到达第2波导装置100b的波导构件122L,也能够在第2波导装置100b的波 导构件122L中传播。第2波导装置100b的波导构件122L能够藉由第3导电构件140 的端口145L与位于外部的波导装置或高频电路(电子电路)耦合。图27中作为一例示 出了连接到端口145L的电子电路200。电子电路200不限于特定的位置,也可以配 置于任意的位置。电子电路200例如能够配置于第3导电构件140的背面侧(图25B 中的下侧)的电路基板。这样的电子电路例如能够为生成毫米波的MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit,单片微波集成电路)。
可以将图25A所示的第1导电构件110称为“发射层”。另外,可以将图26所示 的第2导电构件120、波导构件122U和导电性棒124U的整体称为“激振层”,将图 27所示的第3导电构件140、波导构件122L和导电性棒124L的整体称为“分配层”。 并且,可以将“激振层”和“分配层”合起来称为“供电层”。“发射层”、“激振层”和“分配 层”分别可以通过对一个金属板进行加工而大量生产。
在该例中的阵列天线中,由图25B可知,由于板状的发射层、激振层和分配层 进行了层叠,因此整体实现了平面且低轮廓(low profile)的平板天线(flat panel antenna)。例如,能够将具有图25B所示的截面结构的层叠结构体的高度(厚度)设定 为10mm以下。
根据图27所示的波导构件122L,从第3导电构件140的端口145L至第2导电 构件120的各端口145U(参照图26)的沿着波导的距离均设定为相等的值。因此,从 第3导电构件140的端口145L输入到波导构件122L的信号波以相同的相位分别到 达第2导电构件120的四个端口145U。其结果,配置于第2导电构件120上的四个 波导构件122U能够以同相位激振。
需要说明的是,作为天线元件发挥功能的全部缝隙112不需要以同相位发射电磁波。激振层和分配层中的波导构件122的网络模式是任意的,可以以各波导构件122 独立地传播相互不同的信号的方式构成。
该例中的第1波导装置100a的波导构件122不具有分支部和弯曲部,但也可以 具备作为激振层发挥功能的波导装置具有分支部和弯曲部中的至少一者的波导构件。 如上所述,不需要波导装置内的全部导电性棒具有同样的形状。
如上所述,本申请包含下述项目中记载的高频构件的制造方法。
[项目1]
一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于Waffle Iron结构的高频的锁定装置 构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,所述两个以上的 棒中的任一个棒的侧面和与所述一个棒相邻的其它棒的侧面的间隔随着远离所述主 表面而单向地扩大;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面和所述两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层的工序。
[项目2]
一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于Waffle Iron结构的高频的锁定装置 构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,所述两个以上的 棒中的至少一个具有角进行了倒角的棱柱形状、或圆柱形状;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面和所述两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层的工序。
[项目3]
一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于Waffle Iron结构的高频的锁定装置 构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,所述两个以上的 棒中的至少一个具有在与所述主表面连接的基部侧具有宽度或直径扩大的扩径部;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面和所述两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层的工序。
[项目4]
如项目1~3中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,所述中间构件在浸渍 于所述镀覆液中时配置成下述姿势:所述主表面展开的方向与重力的方向平行、或与 重力的方向成大小为45度以下的角。
[项目5]
如项目1~4中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,所述镀覆液相对于所 述中间构件的任一部分的表面的接触角大于0度且小于90度。
[项目6]
如项目1~5中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,所述两个以上的棒中 的任一个棒的侧面和与所述一个棒相邻的其它棒的侧面之间的间隔小于2mm。
[项目7]
如项目1~6中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,
所述两个以上的棒各自具有平坦的上表面,
所述两个以上的棒各自的侧面在各自的基部藉由第1曲面连接到所述主表面,
所述第1曲面的曲率半径大于所述两个以上的棒各自的上表面与侧面连接的部分的曲率半径。
[项目8]
如项目1~7中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
[项目9]
如项目8所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
[项目10]
如项目8或9所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述角进行了倒角的棱柱形状或所述圆柱形状。
[项目11]
如项目10所述的高频构件的制造方法,其中,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
[项目12]
如项目10或11所述的高频构件的制造方法,其中,最接近所述曲线部的所述棒 的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
[项目13]
如项目8~12中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
[项目14]
如项目1~13中任一项所述的高频构件的制造方法,其中,准备所述中间构件的工序包括利用注射成型得到树脂制的所述中间构件,
在所述注射成型中使用的模具包括:
构成具有与所述棒的侧面相同形状的内周面的空隙的一个或两个以上的侧面模具;和
具有与所述棒的上表面相同形状的面的一个或两个以上的端面模具,
在所述端面模具封闭所述侧面模具的所述空隙的一端的状态下,进行所述注射成型。
[项目15]
如项目14所述的高频构件的制造方法,其中,
所述侧面模具还包括,构成具有与所述脊的侧面相同形状的内周面的另一空隙;
在所述端面模具封闭所述侧面模具的所述另一空隙的一端的状态下,进行所述注射成型。
工业实用性
本申请的高频构件的制造方法能够用于构成WRG波导装置、或利用WRG波导 装置的天线的高频构件的制造。另外,也能够用于为了进行高频信号的泄露的抑制或 遮蔽的高频构件的制造。
符号说明
100 波导装置
110 第1导电构件
110a 导电性表面
120 第2导电构件
120a 第2导电构件 120 的面
120m、102n 中间构件
122、122L、122U 波导构件
122c 与脊相当的空洞的部分 122e 的侧面的上端
122e 与脊相当的空洞的部分
124、124L、124U 导电性棒
124a 导电性棒 124 的前端部
124b 导电性棒 124 的基部
124c 棒的侧面与前端面之间的边缘
124m、124n 棒(形成镀覆层之前)
124e 与棒相当的空洞的部分
124s 导电性棒124所具有的侧面
124sa、124sb、124sc、124sd 导电性棒 124 所具有的四个侧面
125 人工磁导体的表面
129a 棒间的间隙
129b 棒与波导构件之间的间隙
130 利用模具形成的空洞
131 端面模具
132 侧面模具
133 底面模具
134 外周模具
140 第3导电构件
145L、145U 端口
300 镀覆液
301 镀覆层
301a 波导构件上表面的镀覆层
301b 波导构件基部与相邻的导电性棒基部之间的镀覆层
310 气泡
311 棒基部侧的弯液面
312 棒前端侧的弯液面。

Claims (50)

1.一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于对开式铁心脊形波导结构的高频的锁定装置构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,所述两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与所述一个棒相邻的其它棒的侧面的间隔随着远离所述主表面而单向地扩大;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面和所述两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层的工序。
2.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,所述中间构件在浸渍于所述镀覆液中时配置成下述姿势:所述主表面展开的方向与重力的方向平行、或与重力的方向成大小为45度以下的角。
3.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,所述镀覆液相对于所述中间构件的任一部分的表面的接触角大于0度且小于90度。
4.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,所述两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与所述一个棒相邻的其它棒的侧面之间的间隔小于2mm。
5.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述两个以上的棒各自具有平坦的上表面,
所述两个以上的棒各自的侧面在各自的基部藉由第1曲面连接到所述主表面,
所述第1曲面的曲率半径大于所述两个以上的棒各自的上表面与侧面连接的部分的曲率半径。
6.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
7.如权利要求5所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
8.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
9.如权利要求7所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
10.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状。
11.如权利要求8所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状。
12.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
13.如权利要求11所述的高频构件的制造方法,其中,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
14.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
15.如权利要求12所述的高频构件的制造方法,其中,最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
16.如权利要求1所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
17.如权利要求7所述的高频构件的制造方法,其中,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
18.如权利要求9所述的高频构件的制造方法,其中,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
19.一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于对开式铁心脊形波导结构的高频的锁定装置构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,和沿着所述主表面延伸的脊,所述两个以上的棒中的至少一个具有角进行了倒角的棱柱形状、或圆柱形状;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面,所述两个以上的棒的表面,和所述脊的表面形成导电性的镀覆层的工序,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
20.如权利要求19所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
21.如权利要求20所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述棱柱形状或所述圆柱形状。
22.如权利要求21所述的高频构件的制造方法,其中,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
23.一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于对开式铁心脊形波导结构的高频的锁定装置构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,和沿着所述主表面延伸的脊,所述两个以上的棒中的至少一个具有角进行了倒角的棱柱形状、或圆柱形状;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面,所述两个以上的棒的表面,和所述脊的表面形成导电性的镀覆层的工序,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
24.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,所述镀覆层中的覆盖所述脊的所述上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
25.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述棱柱形状或所述圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
26.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述两个以上的棒各自具有平坦的上表面,
所述两个以上的棒各自的侧面在各自的基部藉由第1曲面连接到所述主表面,
所述第1曲面的曲率半径大于所述两个以上的棒各自的上表面与侧面连接的部分的曲率半径。
27.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
28.如权利要求26所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
29.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述棱柱形状或所述圆柱形状。
30.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述棱柱形状或所述圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
31.如权利要求23所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有所述棱柱形状或所述圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
32.如权利要求30所述的高频构件的制造方法,其中,最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
33.一种高频构件的制造方法,所述高频构件用于对开式铁心脊形波导结构的高频的锁定装置构成的成员,所述制造方法包括下述工序:
准备中间构件的工序,该中间构件为板状或块状的中间构件,其具有平面或曲面形状的主表面、和沿着远离所述主表面的方向延伸的两个以上的棒,所述两个以上的棒中的至少一个具有在与所述主表面连接的基部侧具有宽度或直径扩大的扩径部;和
将所述中间构件的至少一部分浸渍到镀覆液中,在所述主表面和所述两个以上的棒的表面形成导电性的镀覆层的工序。
34.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,所述中间构件在浸渍于所述镀覆液中时配置成下述姿势:所述主表面展开的方向与重力的方向平行、或与重力的方向成大小为45度以下的角。
35.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,所述镀覆液相对于所述中间构件的任一部分的表面的接触角大于0度且小于90度。
36.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,所述两个以上的棒中的任一个棒的侧面和与所述一个棒相邻的其它棒的侧面之间的间隔小于2mm。
37.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述两个以上的棒各自具有平坦的上表面,
所述两个以上的棒各自的侧面在各自的基部藉由第1曲面连接到所述主表面,
所述第1曲面的曲率半径大于所述两个以上的棒各自的上表面与侧面连接的部分的曲率半径。
38.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
39.如权利要求37所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大。
40.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
41.如权利要求39所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊的侧面在基部藉由第2曲面连接到所述主表面,
所述第2曲面的曲率半径大于所述脊的上表面与所述脊的侧面连接的部分的曲率半径。
42.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状。
43.如权利要求40所述的高频构件的制造方法,其中,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状。
44.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
45.如权利要求43所述的高频构件的制造方法,其中,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面与所述脊的侧面的距离随着沿所述棒的周围远离所述距离最短的所述棒的一部分而单向地增加。
46.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
所述脊包含以直线方式延伸的两个直线部、和连接所述两个直线部并以曲线方式弯曲的曲线部,
所述两个以上的棒中的在所述曲线部的内侧最接近所述曲线部的棒具有角进行了倒角的棱柱形状或圆柱形状,
最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
47.如权利要求44所述的高频构件的制造方法,其中,最接近所述曲线部的所述棒的侧面的曲率大于所述脊的所述曲线部的曲率。
48.如权利要求33所述的高频构件的制造方法,其中,
所述中间构件具有沿着所述主表面延伸的脊,
所述两个以上的棒分布于所述脊的两侧,
所述脊在顶部具有平坦的条状的顶面,
所述两个以上的棒中的至少一部分包围所述脊的侧面,
所述脊的侧面与所述至少一部分的棒的侧面之间的距离随着远离所述主表面而单向地扩大,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
49.如权利要求39所述的高频构件的制造方法,其中,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
50.如权利要求41所述的高频构件的制造方法,其中,
形成所述镀覆层的工序包括在所述脊的侧面和上表面形成导电性的镀覆层,
所述镀覆层中的覆盖所述脊的上表面的部分的厚度比覆盖位于所述脊的基部和与所述脊相邻的所述棒之间的所述中间构件的所述主表面的部分的厚度更厚。
CN201810297873.1A 2017-04-12 2018-03-30 高频构件的制造方法 Active CN108695585B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017078673 2017-04-12
JP2017-078673 2017-04-12
JP2018-021765 2018-02-09
JP2018021765 2018-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108695585A CN108695585A (zh) 2018-10-23
CN108695585B true CN108695585B (zh) 2021-03-16

Family

ID=63793677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810297873.1A Active CN108695585B (zh) 2017-04-12 2018-03-30 高频构件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11611138B2 (zh)
JP (1) JP7017584B2 (zh)
CN (1) CN108695585B (zh)
DE (1) DE112018001317T5 (zh)
WO (1) WO2018190227A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110931929B (zh) * 2020-01-15 2024-07-26 盛纬伦(深圳)通信技术有限公司 一种毫米波脊波导传输线
US11757166B2 (en) 2020-11-10 2023-09-12 Aptiv Technologies Limited Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board
US11901601B2 (en) 2020-12-18 2024-02-13 Aptiv Technologies Limited Waveguide with a zigzag for suppressing grating lobes
US11749883B2 (en) 2020-12-18 2023-09-05 Aptiv Technologies Limited Waveguide with radiation slots and parasitic elements for asymmetrical coverage
US11444364B2 (en) 2020-12-22 2022-09-13 Aptiv Technologies Limited Folded waveguide for antenna
US12058804B2 (en) 2021-02-09 2024-08-06 Aptiv Technologies AG Formed waveguide antennas of a radar assembly
US11616306B2 (en) 2021-03-22 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board
US11914067B2 (en) * 2021-04-29 2024-02-27 Veoneer Us, Llc Platformed post arrays for waveguides and related sensor assemblies
EP4084222A1 (en) 2021-04-30 2022-11-02 Aptiv Technologies Limited Dielectric loaded waveguide for low loss signal distributions and small form factor antennas
US11962085B2 (en) 2021-05-13 2024-04-16 Aptiv Technologies AG Two-part folded waveguide having a sinusoidal shape channel including horn shape radiating slots formed therein which are spaced apart by one-half wavelength
US11616282B2 (en) 2021-08-03 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Transition between a single-ended port and differential ports having stubs that match with input impedances of the single-ended and differential ports

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1331688A1 (en) * 2002-01-29 2003-07-30 Era Patents Limited Waveguide
JP2003304106A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp 導波路構造体
CN102084538A (zh) * 2008-07-07 2011-06-01 希达尔天线顾问股份公司 平行传导表面之间的间隙中的波导和传输线

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2826524A (en) * 1955-02-08 1958-03-11 Textron Inc Method of forming wave guides
US3940718A (en) * 1974-02-11 1976-02-24 Tech Systems Corporation Flexible wave guide and method for making same
US4532015A (en) 1982-08-20 1985-07-30 Phillips Petroleum Company Poly(arylene sulfide) printed circuit boards
JPH02217477A (ja) 1989-02-16 1990-08-30 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法
JP3619628B2 (ja) 1996-12-19 2005-02-09 株式会社日立製作所 走行環境認識装置
US6611610B1 (en) 1997-04-02 2003-08-26 Gentex Corporation Vehicle lamp control
US6326613B1 (en) 1998-01-07 2001-12-04 Donnelly Corporation Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor
GB2344713B (en) 1998-02-10 2003-05-07 Furuno Electric Co Display system
JP3498624B2 (ja) 1999-03-31 2004-02-16 株式会社デンソー レーダ装置
JP2001094304A (ja) * 1999-09-17 2001-04-06 Tdk Corp 誘電体フィルタ及びその製造方法
DE60044148D1 (de) 2000-01-28 2010-05-20 Hitachi Ltd Entfernungsmessgerät
WO2001067837A1 (fr) 2000-03-06 2001-09-13 Fujitsu Limited Plaque metallique blindee et dispositif a circuit utilisant cette plaque metallique blindee
JP2001267838A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Kobe Steel Ltd 導波管アンテナの製造方法
US6403942B1 (en) 2000-03-20 2002-06-11 Gentex Corporation Automatic headlamp control system utilizing radar and an optical sensor
US6630876B1 (en) * 2000-06-20 2003-10-07 Applied Aerospace Structures Corp. Lightweight objects
JP2002299918A (ja) * 2001-01-29 2002-10-11 Murata Mfg Co Ltd マイクロストリップ線路及びそれを用いた共振素子、フィルタ、高周波回路並びにそれらを用いた電子回路、回路モジュール及び通信装置
JP4870874B2 (ja) 2001-03-19 2012-02-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 非破壊探査システム、非破壊探査方法、非破壊探査を実行するためのプログラム
US6882287B2 (en) 2001-07-31 2005-04-19 Donnelly Corporation Automotive lane change aid
DE10220837A1 (de) 2002-05-08 2003-11-27 Daimler Chrysler Ag Vorrichtung zur Parklückensuche mittels Radar
JP3760918B2 (ja) 2003-01-21 2006-03-29 株式会社日立製作所 セキュリティシステム
JP3735721B2 (ja) 2003-02-26 2006-01-18 防衛庁技術研究本部長 電波近接センサ
JP3779280B2 (ja) 2003-03-28 2006-05-24 富士通株式会社 衝突予測装置
JP3941765B2 (ja) 2003-09-11 2007-07-04 トヨタ自動車株式会社 物体検出装置
JP3918791B2 (ja) 2003-09-11 2007-05-23 トヨタ自動車株式会社 物体検出装置
US7526103B2 (en) 2004-04-15 2009-04-28 Donnelly Corporation Imaging system for vehicle
JP4396400B2 (ja) 2004-06-02 2010-01-13 トヨタ自動車株式会社 障害物認識装置
US7720580B2 (en) 2004-12-23 2010-05-18 Donnelly Corporation Object detection system for vehicle
JP4598653B2 (ja) 2005-05-13 2010-12-15 本田技研工業株式会社 衝突予知装置
JP4602276B2 (ja) 2006-03-23 2010-12-22 三菱電機株式会社 導波管スロットアレーアンテナ装置
WO2008024639A2 (en) 2006-08-11 2008-02-28 Donnelly Corporation Automatic headlamp control system
WO2008081807A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Panasonic Corporation 移相器およびアンテナ
US8013780B2 (en) 2007-01-25 2011-09-06 Magna Electronics Inc. Radar sensing system for vehicle
US8446312B2 (en) 2007-12-25 2013-05-21 Honda Elesys Co., Ltd. Electronic scanning type radar device, estimation method of direction of reception wave, and program estimating direction of reception wave
JP5007281B2 (ja) 2008-07-11 2012-08-22 東光株式会社 誘電体導波管スロットアンテナ
US8604968B2 (en) 2008-10-08 2013-12-10 Delphi Technologies, Inc. Integrated radar-camera sensor
EP2343774A4 (en) 2008-10-29 2013-11-27 Panasonic Corp HIGH FREQUENCY WAVEGUIDE AND PHASE - LESS USING RADIATOR, ELECTRONIC DEVICE USING THE PHASE - DISPENSER AND RADIATOR, ANTENNA DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE EQUIPPED WITH SAME
FR2944153B1 (fr) 2009-04-02 2013-04-19 Univ Rennes Antenne multicouche a plans paralleles, de type pillbox, et systeme d'antenne correspondant
US7978122B2 (en) 2009-08-13 2011-07-12 Tk Holdings Inc. Object sensing system
DE112009005424B4 (de) 2009-12-08 2015-12-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Objektdetektionsvorrichtung und Objektdetektionsverfahren
US8861842B2 (en) 2010-02-05 2014-10-14 Sri International Method and apparatus for real-time pedestrian detection for urban driving
JP2012004700A (ja) 2010-06-15 2012-01-05 Fujitsu Ten Ltd レーダ用アンテナ、及びレーダ装置
CN102985857B (zh) * 2010-07-15 2016-02-24 旭硝子株式会社 超材料的制造方法及超材料
JP5930517B2 (ja) 2011-08-02 2016-06-08 日本電産エレシス株式会社 アンテナ装置
WO2013189919A1 (en) 2012-06-18 2013-12-27 Gapwaves Ab Gap waveguide structures for thz applications
JP2015193366A (ja) 2014-03-17 2015-11-05 日本電産エレシス株式会社 車載カメラ用筐体の製造方法、車載カメラ用筐体、および車載カメラ
CN106165196A (zh) * 2014-04-18 2016-11-23 川斯普公司 用于电路设计的超材料基板
JP6506265B2 (ja) 2014-05-07 2019-04-24 桐野 秀樹 導波路およびそれを用いた装置
US10263310B2 (en) 2014-05-14 2019-04-16 Gapwaves Ab Waveguides and transmission lines in gaps between parallel conducting surfaces
US9665802B2 (en) 2014-11-13 2017-05-30 Nec Corporation Object-centric fine-grained image classification
EP3248243B1 (en) 2015-01-19 2019-11-13 Gapwaves AB A microwave or millimeter wave rf part realized by die-forming
DE102016204068A1 (de) 2015-03-12 2016-09-15 Nidec Elesys Corporation Vehicle-mounted camera, method of manufacturing vehicle-mounted camera, and method of manufacturing vehicle body
WO2016163932A1 (en) 2015-04-08 2016-10-13 Gapwaves Ab A calibration arrangement and a method for a microwave analyzing or measuring instrument
US9286524B1 (en) 2015-04-15 2016-03-15 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Multi-task deep convolutional neural networks for efficient and robust traffic lane detection
US9935353B2 (en) * 2015-09-23 2018-04-03 Intel Corporation Printed circuit board having a signal conductor disposed adjacent one or more trenches filled with a low-loss ambient medium
DE102016119473B4 (de) * 2015-10-15 2022-10-20 Nidec Elesys Corporation Wellenleitervorrichtung und Antennenvorrichtung mit der Wellenleitervorrichtung
CN106972275B (zh) 2015-11-05 2020-08-18 日本电产株式会社 缝隙阵列天线
CN208092228U (zh) 2016-01-15 2018-11-13 日本电产株式会社 融合装置
WO2017131099A1 (en) 2016-01-29 2017-08-03 Nidec Elesys Corporation Waveguide device, and antenna device including the waveguide device
DE102017102284A1 (de) 2016-02-08 2017-08-10 Nidec Elesys Corporation Wellenleitervorrichtung und Antennenvorrichtung mit der Wellenleitervorrichtung
DE102017102559A1 (de) 2016-02-12 2017-08-17 Nidec Elesys Corporation Wellenleitervorrichtung und Antennenvorrichtung mit der Wellenleitervorrichtung
FR3048556B1 (fr) * 2016-03-04 2018-03-02 Swissto 12 Sa Procede de fabrication additive d'un guide d'onde ainsi que dispositifs a guide d'onde fabriques selon ce procede
US10396422B1 (en) * 2016-03-15 2019-08-27 University Of South Florida Apertured waveguides for electromagnetic wave transmission
JP2019047141A (ja) 2016-03-29 2019-03-22 日本電産エレシス株式会社 マイクロ波ic導波路装置モジュール、レーダ装置およびレーダシステム
JP2019054315A (ja) 2016-04-28 2019-04-04 日本電産エレシス株式会社 実装基板、導波路モジュール、集積回路実装基板、マイクロ波モジュール、レーダ装置およびレーダシステム
US20190123411A1 (en) 2016-05-03 2019-04-25 Gapwaves Ab Arrangement for Interconnection of Waveguide Structures and a Structure for a Waveguide Structure Interconnecting Arrangement
CN208955165U (zh) 2016-06-29 2019-06-07 日本电产株式会社 雷达装置
WO2018105513A1 (en) 2016-12-06 2018-06-14 Nidec Corporation Waveguide device module and microwave module
JP2018182742A (ja) 2017-04-14 2018-11-15 日本電産株式会社 スロットアンテナアレイ
WO2018207796A1 (en) 2017-05-11 2018-11-15 Nidec Corporation Waveguide device, and antenna device including the waveguide device
DE112018002020T5 (de) 2017-05-11 2020-01-09 Nidec Corporation Wellenleitervorrichtung und antennenvorrichtung mit der wellenleitervorrichtung
JP2018207487A (ja) 2017-06-05 2018-12-27 日本電産株式会社 導波路装置および当該導波路装置を備えるアンテナ装置
JP2019012999A (ja) 2017-06-30 2019-01-24 日本電産株式会社 導波路装置モジュール、マイクロ波モジュール、レーダ装置およびレーダシステム
JP2019050568A (ja) 2017-09-07 2019-03-28 日本電産株式会社 方向性結合器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1331688A1 (en) * 2002-01-29 2003-07-30 Era Patents Limited Waveguide
JP2003304106A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp 導波路構造体
CN102084538A (zh) * 2008-07-07 2011-06-01 希达尔天线顾问股份公司 平行传导表面之间的间隙中的波导和传输线

Also Published As

Publication number Publication date
US20200052361A1 (en) 2020-02-13
CN108695585A (zh) 2018-10-23
US11611138B2 (en) 2023-03-21
DE112018001317T5 (de) 2019-12-05
JP2020517167A (ja) 2020-06-11
JP7017584B2 (ja) 2022-02-08
WO2018190227A1 (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108695585B (zh) 高频构件的制造方法
CN111357152B (zh) 多层波导器件及其制造方法、多层波导装置与层
EP3621146B1 (en) High frequency filter and phased array antenna comprising such a high frequency filter
US11031669B2 (en) Method of additive manufacture of a waveguide as well as waveguide devices manufactured according to this method
US9806393B2 (en) Gap waveguide structures for THz applications
CN110611171B (zh) 缝隙阵列天线以及雷达装置
US7423604B2 (en) Waveguide horn antenna array and radar device
US20200161735A1 (en) Method of producing waveguide-to-coaxial adapter array, method of producing antenna array, and method of producing waveguiding device
JP2014170989A (ja) スロットアレイアンテナ、設計方法、及び製造方法
US10096880B2 (en) Waveguide comprising first and second components attachable together using an extruding lip and an intruding groove
CN110783683A (zh) 衬底集成波导及其制造方法以及无线通信设备
JP5225153B2 (ja) 誘電体充填ツイスト導波管およびこれを有するアレーアンテナならびにこれらの製造方法
CN103531913A (zh) 六边形基片集成波导缝隙天线
CN110690536A (zh) 基于wr3标准波导加载移相微结构的太赫兹移相器
JP2020025260A (ja) 導波路装置およびアンテナ装置
KR102674456B1 (ko) 전송선로-도파관 전이 장치
CN111525268A (zh) 缝隙阵列天线以及无线通信系统
EP3633786B1 (en) Filter device and filter
CN202111205U (zh) 一种t型端口平面集成波导环行器
JP6615570B2 (ja) 導波管スロットアンテナ
CN213026440U (zh) 一种基于mems工艺的间隙波导功分器
US20240154302A1 (en) Electronic component
CN102324612A (zh) 一种t型端口平面集成波导环行器
Hirokawa Analysis and fabrication of millimeter-wave slotted waveguide array antennas
US5945891A (en) Molded waveguide feed and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant