CN108564969B - 磁盘用基板的制造方法及在磁盘用基板的制造中使用的研磨垫 - Google Patents

Abstract

为了降低玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq，磁盘用基板的制造方法包括研磨处理，其中，利用一对研磨垫将基板夹持，向该研磨垫与基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使研磨垫与基板进行相对滑动，从而对基板的两个主表面进行研磨。上述研磨垫具有发泡树脂层，该发泡树脂层在表面具有2个以上的开口。由上述研磨垫的表面的拍摄图像得到上述研磨垫的表面的立体形状的信息，由上述立体形状的信息求出上述研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra时，上述Ra为0.5μm以下。

Description

磁盘用基板的制造方法及在磁盘用基板的制造中使用的研 磨垫

本申请是分案申请，其原申请的申请号为201480007088.8，申请日为2014年02月07日，发明名称为“磁盘用基板的制造方法及在磁盘用基板的制造中使用的研磨垫”。

技术领域

本发明涉及磁盘用基板的制造方法及在磁盘用基板的制造中使用的研磨垫。

背景技术

对于用作信息记录介质之一的磁盘而言，以往适宜地使用了玻璃基板。现在，应硬盘驱动装置中的存储容量增大的要求，实现了磁记录的高密度化。伴随于此，进行了下述操作：使磁头距磁记录面的悬浮距离极短，从而对磁记录信息区域进行微细化。对于这种磁盘用玻璃基板而言，为了达成高记录密度硬盘驱动装置所需的磁头低悬浮量化，降低基板的表面凹凸、特别是微小起伏的要求越来越强。

对此，已知有一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，该信息记录介质用玻璃基板可以准确地控制表面的微小起伏，可用作对应于高密度记录的信息记录介质的基板(专利文献1)。

该制造方法为具有研磨工序的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，该研磨工序中，将信息记录介质用玻璃基板安装在软质抛光机的贴附了研磨垫的上下定盘之间从而对两个主表面进行研磨。在该制造方法中，所述研磨工序后的信息记录介质用玻璃基板主表面的微小起伏的值取决于所述研磨工序中使用的研磨垫表面的表面粗糙度的值，利用这一现象，选定所述研磨工序中使用的研磨垫表面的表面粗糙度，从而使所述研磨工序后的信息记录介质用玻璃基板主表面的微小起伏为规定的值。例如，使选定的研磨垫的表面粗糙度Rz(最大高度)为20μm以下。此时，研磨垫的表面粗糙度Rz使用触针式表面粗糙度计来进行测定。需要说明的是，此处，微小起伏的波长(周期)带宽为2μm～4mm。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-92867号公报

发明内容

发明要解决的问题

最近，随着磁头的小型化、低悬浮量化、磁盘的高速旋转化等，对于磁盘用玻璃基板而言要降低的微小起伏的波长带宽变小。

但是，使上述制造方法中的研磨垫的表面粗糙度Rz(最大高度)为上述的数值范围时，可以减小具有以往的宽波长带宽的波长为2μm～4mm的微小起伏，但无法减小玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏。关于这种玻璃基板中的波长为50～200μm的微小起伏的降低，在铝合金制基板中也存在同样的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种可以降低波长为50～200μm的微小起伏的磁盘用基板的制造方法和在该制造方法中使用的研磨垫。

用于解决问题的手段

本申请发明人为了解决上述现有的问题，对研磨垫的表面进行了详细的研究。

首先，本申请发明人利用触针式表面粗糙度计测量了各种各样的研磨垫的表面粗糙度Rz，选择在所测定的Rz中Rz值非常小的研磨垫进行研磨。但是，无法减小玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏。即，利用触针式表面粗糙度计测定的表面粗糙度Rz的值并不是用于减小波长为50～200μm的微小起伏的指标。因此，为了减小玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏，使用何种研磨垫为宜，这仍是不明了的。

因此，本申请发明人使用扫描型电子显微镜(SEM)对于各种各样的研磨垫的表面进行详细调查。其结果，注意到：以能够进行观察的分辨率对作为目标的微小起伏的波长带宽、即波长50μm～200μm的研磨垫的表面进行观察，结果注意到研磨垫的表面状态存在不同。具体而言，发现了，在无法降低波长50μm～200μm的微小起伏的研磨垫的表面存在所谓的“毛刺”的形状(气孔的壁的前端在发泡气孔的开口的周围纵向微细地开裂而导致表面粗糙的状态、即开口周围的壁的前端粗糙的状态)，考虑研磨垫的最表层的表面形状可能会对波长50～200μm的微小起伏产生影响。需要说明的是，上述“毛刺”状态也可以称为开口周围的壁的前端微细地开裂而犹如表面以毛状起皮的“起毛”的状态。另外，也可以称为“局部性的起毛的紊乱”。在以下的说明中，将上述开口周围的壁的前端的凹凸状态称为“毛刺”状态。

因此，对于该“毛刺”进行了调查，其结果可知，包括存在大量因上述的“毛刺”而导致的表面凹凸(因“毛刺”，开口周围的壁的前端微细地开裂，大量形成的片的凹凸多)而使表面呈凹凸的“毛刺”状态的研磨垫的表面、或者存在因“毛刺”导致的较大的表面凹凸(因“毛刺”，开口周围的壁的前端微细地开裂，大量形成的片的凹凸变大)而使表面呈凹凸的“毛刺”状态的研磨垫的表面、和没有“毛刺”或其程度小的研磨垫的表面在内，使用现有的触针式表面粗糙度计对研磨垫的表面进行测定，此时，并未发现由测定结果得到的表面粗糙度Rz与波长50～200μm的微小起伏的相关关系。对于触针式表面粗糙度计而言，为了使针的前端不落入测定对象的研磨垫的表面的开口，针(记录针)的前端的尺寸为开口直径的2倍以上(例如几十μm至几百μm)。另外，通过将针按压至研磨垫进行测定，因此认为，针的前端会破坏“毛刺”的表面凹凸而进行测定。因此，可知对于用于研磨的研磨垫的最表层的表面状态，使用触针式表面粗糙度计无法进行准确测定。

因此，本申请发明人为了测定研磨垫的最表层的表面状态，未使用触针式表面粗糙度计这样的接触式方法，而是想到使用非接触式方法对表面粗糙度进行测定，从而完成了本申请发明。

本发明的磁盘用基板的制造方法具有以下方案。

[方案1]

一种磁盘用基板的制造方法，其是磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括研磨处理，其中，利用一对研磨垫将基板夹持，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使上述研磨垫与上述基板进行相对滑动，从而对上述基板的两个主表面进行研磨，上述研磨垫具有发泡树脂层，该发泡树脂层在表面具有2个以上的开口，由上述研磨垫的表面的拍摄图像得到使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面的情况下的1600×1200个像素的矩形面的立体形状的信息作为所述研磨垫的表面的立体形状的信息，由所述立体形状的信息求出所述研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra时，所述Ra为0.5μm以下，所述研磨垫的表面的拍摄图像是通过下述方法并将矩形区域作为拍摄的视野而得到的拍摄图像，所述方法为：使用拍摄单元，使焦点对准于所述研磨垫的表面的最高位置，从该处沿高度方向按照每隔5μm的方式降低焦点，同时只要焦点对准就反复进行拍摄。

所述矩形区域例如为592μm×444μm。

更详细而言，例如，对于所述拍摄图像而言，使用拍摄相机，以500倍的倍率，将592μm×444μm的矩形区域作为拍摄的视野，使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面，对表面进行拍摄。此时，使焦点对准于上述研磨垫的表面的最高位置，从此处开始拍摄，沿高度方向按照每隔5μm的方式移动上述拍摄相机的位置，只要焦点对准于拍摄图像中的任一像素，就反复进行拍摄。另外，焦点无法对准于任一像素时，结束拍摄。图像处理装置由在高度方向以5μm的间隔拍摄得到的拍摄图像得到上述研磨垫的表面的立体形状的信息。此时，使0.37μm×0.37μm的矩形面为1个像素，得到针对1600×1200个像素的矩形区域的立体信息。

[方案2]

如方案1所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述研磨处理是使基板的主表面的波长为50μm以上200μm以下的微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.06nm以下的研磨处理。

[方案3]

如方案1或2所述的磁盘用基板的制造方法，其中，进行上述研磨处理前的基板的主表面的上述微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.6nm以下。

[方案4]

优选的是，如方案1～3任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述发泡树脂层中的树脂材料的模量为200kgf/cm²以下。

[方案5]

如方案1～4任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述研磨磨粒是平均粒径为5nm以上50nm以下的胶态二氧化硅。

[方案6]

如方案1～5任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，预先求出上述研磨处理后的基板的主表面的波长为50μm以上200μm以下的微小起伏的均方根粗糙度Rq与用于上述研磨处理的研磨垫表面的算术平均粗糙度Ra的关系，使用上述关系来选定研磨垫，该研磨垫具有使基板的主表面达成所期望的微小起伏的研磨垫表面的算术平均粗糙度Ra，将上述选定的研磨垫用于上述研磨处理。

[方案7]

如方案1～6任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述立体形状的信息包括凹凸形状的信息，该凹凸形状形成于包围上述发泡树脂层的空孔的壁的前端。

[方案8]

另外，如方案6所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述研磨垫为修整处理后的研磨垫，上述研磨垫的利用触针式表面粗糙度计测定的上述修整处理前的算术平均粗糙度Ra为0.8μm以下。

[方案9]

一种磁盘的制造方法，其特征在于，在由上述磁盘用基板的制造方法制造出的磁盘用基板的主表面至少形成磁性层。

[方案10]

一种研磨垫，其是在磁盘用基板的制造中使用的研磨垫，其特征在于，上述研磨垫具有发泡树脂层，该发泡树脂层在表面具有2个以上的开口，由拍摄图像得到使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面的情况下的1600×1200个像素的矩形面的立体形状的信息作为上述研磨垫的表面的立体形状的信息，由上述立体形状的信息求出上述研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra时，上述Ra为0.5μm以下，上述拍摄图像是通过下述方法并将上述研磨垫的表面的矩形区域作为拍摄的视野而得到的，所述方法为：使用拍摄单元，使焦点对准于上述研磨垫的表面的最高位置，从该处沿高度方向按照每隔5μm的方式降低焦点，同时只要焦点对准就反复进行拍摄。

发明效果

对于上述磁盘用基板的制造方法和研磨垫而言，可以降低基板的波长为50μm～200μm的微小起伏。

附图说明

图1(a)、(b)是本实施方式的第2研磨中所使用的研磨装置的示意性构成图。

图2是说明图1(a)、(b)所示的研磨装置的研磨的图。

图3是说明本实施方式中使用的研磨垫的结构的图。

图4是说明本实施方式中所进行的对研磨垫的表面的立体形状进行测定的方法的图。

具体实施方式

以下，对本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法和研磨垫进行详细说明。需要说明的是，除玻璃基板之外，本发明的磁盘用基板还可以适用铝合金基板，但在以下的说明中，使用磁盘用玻璃基板作为本实施方式进行说明。

在本实施方式中，用于磁盘的磁盘用玻璃基板为圆板形状，呈中心部分以同心圆形状被挖空的环状，将环的中心作为旋转轴进行旋转。磁盘是通过将磁性层等层积于磁盘用玻璃基板上而得到的。因此，重要的是，对磁盘用玻璃基板的表面凹凸进行高精度管理。在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法中，通过玻璃基板的主表面的研磨，可以降低玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq，优选的是，可以将研磨前的0.6nm以下的均方根粗糙度降低至0.06nm以下。此时，用于研磨的研磨垫具有发泡树脂层，该发泡树脂层在表面具有2个以上的开口。该研磨垫的表面的以下所说明的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下。算术平均粗糙度Ra如下求出：由研磨垫的表面的拍摄图像得到该研磨垫的表面的立体形状的信息，由该信息求出算术平均粗糙度Ra。该立体形状的信息包括凹凸形状的信息，该凹凸形状形成于包围上述发泡树脂层的空孔的壁的前端。

需要说明的是，本说明书所指的包括波长为50～200μm的微小起伏或波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度Rq或算术平均粗糙度在内的表面粗糙度的定义均依据JISB 0601：2001。

以下对本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法的一例进行说明。

首先，成型出具有一对主表面的板状的玻璃坯料，该玻璃坯料为磁盘用玻璃基板的原材料。接着，适宜地对该玻璃坯料进行加工，制作在中心部分开有孔且边缘部进行了倒角加工的环形状(圆环状)的玻璃基板。由此，生成玻璃基板。之后，对主表面进行研磨处理，从而可以降低波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq。例如，可以将波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq降低至0.06nm以下。根据需要，研磨处理可以分成2次以上的处理来进行。另外，根据需要，可以进行主表面的磨削、端面(包括倒角部)的研磨、化学强化。此时，可以适宜地决定各处理的顺序。

以下，对各处理进行说明。

(a)玻璃坯料成型处理

玻璃坯料的成型例如使用浮法。玻璃坯料的成型处理中，首先是将熔融玻璃连续地流入装满锡等熔融金属的浴槽内，从而得到例如上述组成的板状玻璃。熔融玻璃在实施了严密的温度操作的浴槽内沿着行进方向流动，最终得到调整为所期望的厚度、宽度的板状玻璃。由该板状玻璃切出规定形状(例如平面观察为四边形状)的板状玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

另外，除了浮法之外，板状的玻璃坯料的成型例如也可以使用压制成型法。进一步，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法来进行制造。对于由这些公知的制造方法制作得到的板状玻璃，适宜地进行形状加工，从而切出圆板状的玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

(b)形状加工处理

接着，在形状加工处理中，在玻璃坯料形成处理后，使用公知的加工方法形成圆孔，从而制作开穿有圆形贯通孔的盘状玻璃基板。之后，可以进一步实施倒角。另外，出于调整板厚、降低平坦度等目的，可以实施主表面的磨削。

(c)第1研磨处理

接着，对玻璃基板的主表面实施第1研磨处理。第1研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。具体而言，一边将玻璃基板保持在设置于保持部件(载具)的保持孔内一边进行玻璃基板的两侧的主表面的研磨，该保持部件安装于双面研磨装置中。基于第1研磨的去除部分例如为几μm～100μm左右。第1研磨处理的目的在于，例如去除残留于主表面的伤痕或应变、或调整微小的表面凹凸。需要说明的是，关于表面凹凸，为了进一步降低或进行更精细的调整，可以将第1研磨处理分成2次以上的研磨处理来实施。

在第1研磨处理中，使用公知的双面研磨装置，一边供给研磨浆料一边对玻璃基板进行研磨，该双面研磨装置具备上定盘、下定盘、内齿轮、载具、恒星齿轮，并具有行星齿轮机构。在第1研磨处理中，使用包含研磨磨粒(游离磨粒)的研磨浆料。作为用于第1研磨的游离磨粒，例如使用氧化铈、氧化锆、胶体二氧化硅的磨粒等(颗粒尺寸：直径0.3～3μm左右)。在双面研磨装置中，将玻璃基板夹持于上下一对的定盘之间。在下定盘的上表面和上定盘的底面安装圆环形状的平板研磨垫(例如树脂制的抛光垫)作为整体。并且，使上定盘或下定盘的任一者或两者移动操作，从而使玻璃基板与各定盘相对移动，由此对玻璃基板的两个主表面进行研磨。

(d)化学强化处理

玻璃基板可以适宜地进行化学强化。作为化学强化液，例如可以使用将硝酸钾、硝酸钠或它们的混合物加热至300℃～500℃而得到的熔融液。并且，例如将玻璃基板在化学强化液中浸渍1小时～10小时。

通过将玻璃基板浸渍于化学强化液中，处于玻璃基板的表层的玻璃组成中的锂离子或钠离子分别被化学强化液中的离子半径相对大的钠离子或钾离子置换，由此在表层部分形成压应力层，玻璃基板得到强化。

进行化学强化处理的时机可以适宜决定，但若在化学强化处理之后进行研磨处理，则在表面的平滑化的同时，还可以通过化学强化处理将固着于玻璃基板的表面的杂质去除，因此特别优选。化学强化处理未必一定进行。

(e)第2研磨(最终研磨)处理

接着，对化学强化处理后的玻璃基板实施第2研磨处理。第2研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。在第2研磨中，也使用具有与第1研磨中使用的双面研磨装置同样的构成的双面研磨装置。基于第2研磨的去除部分例如为0.5μm至10μm左右。

在第2研磨处理中，使用包含游离磨粒的浆料进行研磨。作为游离磨粒，适宜使用胶态二氧化硅。从降低玻璃基板G的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq的方面考虑，优选胶态二氧化硅的平均粒径为5nm以上50nm以下。若平均粒径大于50nm，则有可能无法充分降低波长为50～200μm的微小起伏。另外，有可能无法充分降低表面粗糙度。另一方面，若平均粒径小于5nm，则研磨速率有可能极端降低，生产性下降。

需要说明的是，在本实施方式中，上述平均粒径是指，将利用光散射法测定的粒度分布中的粉体集团的全部体积设为100％而求出累积曲线时，该累积曲线为50％的点的粒径(也称为累积平均粒径(50％直径)或D50)。

图1(a)、(b)是第2研磨中使用的研磨装置10的示意性构成图。第1研磨也可以使用同样的装置。

如图1(a)、(b)所示，研磨装置10具备下定盘12、上定盘14、内齿轮16、载具18、研磨垫20、恒星齿轮22和内齿轮24。

研磨装置10从上下方向将内齿轮16夹持在下定盘12与上定盘14之间。内齿轮16内，在研磨时保持有2个以上载具18。图2(b)中示出了5个载具18。在下定盘12和上定盘14之间平面性地粘接有研磨垫20。下定盘12和上定盘14按照在下定盘12和上定盘14所具备的旋转轴中心的周围进行旋转(自转)的方式而构成。

如图2所示，按照玻璃基板G的下侧的主表面抵接于下定盘12上的研磨垫20、玻璃基板G的上侧的主表面抵接于上定盘14上的研磨垫20的方式配置载具18。在这种状态下进行研磨，从而可以对被加工为圆环状的玻璃基板G的两侧的主表面进行研磨。

如图1(b)所示，圆环状的玻璃基板G保持在设置于各载具18的圆形孔。另一方面，玻璃基板G在下定盘12之上保持于在外周具有齿轮19的载具18。载具18与设置于下定盘12的恒星齿轮22、内齿轮24咬合。使恒星齿轮22沿着图1(b)所示的箭头方向旋转，从而各载具18沿着各自的箭头方向作为行星齿轮一边进行自转一边进行公转。由此，使用研磨垫20对玻璃基板G进行研磨。研磨时，例如以0.002～0.02MPa进行按压来对玻璃基板G进行研磨。如图1(a)所示，用于研磨的浆料供给至上定盘14，流向下定盘12，之后被外部容器回收。

需要说明的是，第2研磨中使用的游离磨粒的种类、粒径、粒径的偏差或研磨垫20中使用的树脂的硬度、如后所述的研磨垫20表面的气孔的开口直径等可以由第1研磨进行适宜变更。在本实施方式中，优选的是，至少在最终的研磨处理中，按照研磨后的玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.06nm以下的方式对研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra进行调整。

需要说明的是，为了进一步降低玻璃基板G的表面凹凸、进行更精细的调整，可以将各自的研磨处理进一步分成2次以上的研磨处理来实施。此时，在各自的研磨处理中，优选适宜地调节游离磨粒的种类、粒径、粒径的偏差或研磨垫中使用的树脂的硬度、研磨垫表面的气孔的开口直径等。

第2研磨之后，对玻璃基板G进行清洗，制作得到磁盘用玻璃基板。

(研磨垫)

接着，以下对第2研磨中使用的研磨垫20进行详细说明。

研磨垫20为在表面具有2个以上开口的发泡树脂制，例如为发泡聚氨酯制。研磨垫20的表面的开口的直径优选为5μm以上20μm以下。开孔径小于5μm的情况下，发泡材料为具有大量的呈液滴形状的较小的空孔的结构，浆料积存于上述发泡材料之中、或难以适当地供给所积存的浆料，研磨速率下降，从而无法进行研磨。另一方面，开口的直径大于20μm的情况下，研磨垫20的表面粗糙度变大，无法降低波长为50～200μm的微小起伏。

研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下。该算术平均粗糙度Ra具体而言如下求出：由研磨垫20的表面的拍摄图像得到研磨垫20的表面的立体形状的信息，由该信息求出上述算术平均粗糙度Ra。关于使用了该拍摄图像的光学式测定在下文中进行叙述。研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra的下限没有特别限制，例如为0.1μm。若Ra小于0.1μm，则研磨速率下降，有时会使生产性变差。

经过使用了这种研磨垫20的研磨，可以降低玻璃基板G的主表面的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq。优选的是，可以将均方根粗糙度Rq降低至0.06nm以下。此时，进行第2研磨处理前的玻璃基板G的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq优选为0.6nm以下。进行第2研磨处理前的玻璃基板G的上述Rq大于0.6nm时，为了将Rq研磨至0.06nm以下，去除部分增加，有时生产性会变差。另外，对于主表面上的最外周部的形状，凹陷(下陷)有时变大。

另外，使用本案的研磨垫的研磨处理优选针对进行了化学强化处理的主表面进行。化学强化处理后的玻璃基板的主表面形成有压应力层，因此实施研磨处理的情况下，因研磨垫的“毛刺”，压应力的释放局部性紊乱，从而有时无法充分降低微小起伏或粗糙度。本案研磨垫按照研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下的方式抑制了“毛刺”，因此可以良好地降低微小起伏或粗糙度。

第2研磨后的玻璃基板G的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.2nm以下、优选为0.15nm以下。此处，表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为使用AFM(原子力显微镜)，对1μm×1μm的测定区域以256×256像素的分辨率进行测定时的值。

如下文所示，在研磨垫的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra与研磨处理后的主表面的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq之间存在关联。因此，预先准备表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra不同的多种研磨垫，为了使基板主表面达成所期望的微小起伏，适当地从上述多种研磨垫中进行选择。此时，优选的是，预先求出研磨处理后的基板的主表面的波长为50μm以上200μm以下的微小起伏的均方根粗糙度Rq与用于研磨处理的研磨垫表面的算术平均粗糙度Ra的关系，使用上述关系选定研磨垫，该研磨垫具有能够使基板的主表面达成所期望的微小起伏的研磨垫表面的算术平均粗糙度Ra，并将所选定的研磨垫用于研磨处理。

研磨垫20为发泡树脂制(发泡树脂层)，因此表面具有气孔开口。因此，可以使包含游离磨粒的浆料从上述开口进入研磨垫20的内部的空洞，可以高效地进行研磨。但是，实施多次研磨处理时，研磨速率下降，从而有时会使研磨效率变差。这种情况下，通过对研磨垫20进行修整处理，从而可实现研磨速率的回复。另一方面，研磨垫20的表面、即包围发泡树脂层的空孔(气孔)的壁的前端因修整处理而被强制磨削，因此为“毛刺”状态，成为产生微细凹凸的主要原因。使用扫描型电子显微镜对无法降低波长为50～200μm的微小起伏的研磨垫20的表面的形状进行观察，结果可知，大量发泡气孔的开口的周围的树脂部分的前端为“毛刺”的状态。并且，可知“毛刺”状态的前端部分薄、为膜状。这种“毛刺”状态的前端的刚性极低，施加稍许力就容易弯曲。认为该“毛刺”状态是因为修整处理时研磨垫的表层被金刚石磨粒剥掉而形成的。利用触针式表面粗糙度计无法测定这种为“毛刺”状态而使表面呈凹凸的表面状态。对于触针式表面粗糙度计而言，为了使针的前端不落入测定对象的研磨垫20的表面的开口，针(记录针)的前端的尺寸为开口直径的2倍以上(例如几十μm至几百μm)。另外，通过将针按压至研磨垫进行测定。因此，在测定中，针的前端会按压“毛刺”状态。因此，由利用触针式表面粗糙度计得到的测定结果，无法测定包括“毛刺”状态的表面凹凸。因此，本实施方式使用光学式测定，该光学式测定使用了拍摄图像。通过降低由该光学式测定得到的研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra，可以降低玻璃基板G的主表面的波长为50～200μm的微小起伏。优选的是，可以将玻璃基板G的主表面的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq降低至0.06nm以下。此时，优选的是，研磨前的玻璃基板G的主表面的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.6nm以下。

需要说明的是，从不会发生微小刮痕、高效地将波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq降低至0.06nm以下的观点出发，用于研磨垫20的发泡树脂层中的树脂材料的模量(拉伸应力)优选为200kgf/cm²以下。此处，上述模量为100％模量。需要说明的是，若模量为100kgf/cm²以下，则可以防止在玻璃基板G上发生微小的刮痕，因此进一步优选为100kgf/cm²以下。另一方面，若小于50kgf/cm²以下，则有可能因研磨速率的下降而导致生产性下降。但是，上述模量小于50kgf/cm²时，在玻璃基板的玻璃主表面的外周端面附近的区域，有时玻璃主表面朝向外周端面以较缓的坡度倾斜为曲面形状，从而使平滑的程度紊乱。从为了增大存储容量，在玻璃主表面的整个面形成磁性层而使到玻璃主表面的外周端面附近为止准确地进行磁信息的记录或读取的方面考虑，这种玻璃主表面的外周端面附近的区域处的平滑的紊乱是不为优选的。因此，上述模量的下限没有特别限制，但例如为50kgf/cm²。树脂材料的拉伸模量是通过拉伸试验机(Tensilon试验机)测定的。

另外，修整处理前的研磨垫20的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra’优选为0.8μm以下。该算术平均粗糙度Ra’是使用触针式表面粗糙度测定机测定的，该触针式表面粗糙度测定机使用了前端曲率半径为几十至几百μm的记录针。通过使修整处理前的Ra’为0.8μm以下，即使在修整处理后，也可以容易地使算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下，该算术平均粗糙度Ra是使用研磨垫的表面的拍摄相机测定得到的。其原因在于，研磨垫表面的粗糙度越小越能够稳定地进行修整处理。即，在研磨垫的整个面上不会产生因修整处理导致的不均。

研磨垫20在未使用(过去从未用于研磨)且新品的状态下，为独立发泡系的发泡树脂制，因此表面不具有开口。因此，在研磨的使用开始前，进行修整处理，沿着图3所示的虚线X对表面进行切削，从而使表面出现具有2个以上的开口、例如直径为5～20μm、深度为10～600μm的开口的孔。即，在研磨中，优选使用开口直径(直径)为5μm以上20μm以下的研磨垫。开口直径小于5μm时，研磨速率下降，有时会使生产性降低。另一方面，开口直径大于20μm时，有时无法降低50～200μm的波长带宽的微小起伏。另外，优选使用空孔(气孔)的深度为10μm以上600μm以下的研磨垫。深度小于10μm时，研磨速率下降，有时会使生产性降低。另一方面，深度大于600μm时，以连续状形成气孔的细毛层(ナップ層)的厚度增加，从而研磨垫20的压缩变形量增加，容易在基板的最外周部局部性地施加较高的压力，有时下陷量变大。需要说明的是，开口的直径或空孔(气孔)的深度可以通过利用SEM对研磨垫的表面或截面进行观察来测定。

本实施方式的研磨垫20的表面的立体形状的信息优选为用于研磨的表面状态的消息。

以上为研磨垫20的说明。

(研磨垫的表面测定)

图4为说明在本实施方式中所进行的对研磨垫20的表面的立体形状进行测定的方法的图。

如上所述，对于现有的研磨中所使用的研磨垫而言，为了降低玻璃基板的波长为2μm～4mm的微小起伏，使研磨垫的表面粗糙度Rz为20μm以下，该研磨垫的表面粗糙度Rz是使用触针式表面粗糙度计测定得到的。此时，算术平均粗糙度Ra’大约为3.0μm以下，但对于触针式表面粗糙度计而言，如上所述的表面为“毛刺”状态时，无法测定由该“毛刺”产生的表面凹凸。因此，在本实施方式中，代替触针式表面粗糙度计，对通过使用拍摄图像的光学式测定得到的算术平均粗糙度Ra进行测定。

具体而言，使用拍摄相机40，以500倍的倍率，将600μm×450μm的矩形区域作为拍摄的视野，使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面，由此对表面进行拍摄。此时，使焦点对准于研磨垫20的表面的最高位置，在此处开始拍摄，沿高度方向按照每隔5μm的方式移动上述拍摄相机40的位置，只要焦点对准拍摄图像中的任一像素，就反复进行拍摄。另外，焦点无法对准任一像素时，结束拍摄。

拍摄相机40例如可以使用CCD相机。也可以将其与光学式显微镜组合使用，也可为CCD相机与光学式显微镜为整体的装置。

关于如此以5μm间隔拍摄得到的拍摄图像，分别传送至图像处理装置42，进行图像处理。在图像处理装置42中，对于每个像素得到研磨垫20的表面的立体形状的信息。该立体形状的信息包括凹凸形状、即“毛刺”状态的信息，该凹凸形状形成于包围发泡树脂层的空孔的壁的前端。具体而言，图像处理装置42由得到的5μm间隔的拍摄图像的图像数据算出各像素的高度方向的位置的信息。由图像数据算出各像素的高度方向的位置的信息的方法没有特别限定，可以使用公知的方法。作为一个示例，由5μm间隔的拍摄图像的图像数据求出各像素聚焦时的高度方向的位置(聚焦位置)的信息，由此算出高度方向的位置的信息。此时，每隔5μm求出聚焦位置，因此，优选的是，对以5μm间隔得到的像素周围的高度方向的位置的信息进行插补，能够以小于5μm的位置的形式精细地算出位置信息。

图像处理装置42由计算机构成，上述图像处理通过调取并执行存储于计算机内存的软件来进行作业。软件只要能够适宜地实行上述处理即可，可以为市售的软件，也可以为独创性的软件。

与使用现有的触针式表面粗糙度计的测定不同，由这种图像处理得到的三维的研磨垫20的表面的立体形状的信息可以再现发泡树脂表面的由“毛刺”状态引起的表面的凹凸。图像处理装置42使用该三维的研磨垫20的表面的立体形状的信息，图像处理装置42算出算术平均粗糙度Ra。

制作的磁盘用玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq如下求出：使用表面形状测定机，对玻璃基板的主表面的半径为14mm～31.5mm的区域进行测定，由此求出上述均方根粗糙度Rq。具体而言，使半径方向的测定间距为0.01mm，将圆周方向1周的测定区域作为1024，对表面形状进行测定。作为表面形状测定机，可以使用激光多普勒测振仪(LDV：Laser Doppler Vibrometer)。该测定装置能够进行从表面粗糙度至起伏为止的范围宽的波长带宽的测定。波长为50μm～200μm的微小起伏如下求出：使用对应于波长50μm～200μm的带通滤波器进行过滤，使用由此得到的数据求出波长为50μm～200μm的微小起伏。

在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法中，用于第2研磨的研磨垫20在修整处理后进行玻璃基板G的研磨。一个研磨垫20可以用于2次以上的第2研磨处理。1次第2研磨处理是指，将玻璃基板G的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的Rq降低至0.06μm以下的1次处理。

随着这种玻璃基板G的第2研磨处理的次数增加，研磨垫20的研磨速率下降。因此，研磨速率为允许范围以下的情况下，对研磨垫20进行修整处理。该修整处理优选在与针对表面未形成开口的新品的研磨垫20最初进行的初次修整处理不同的条件下进行。在与最初进行的修整处理区别进行说明的情况下，该修整处理称为第2次以后的修整处理。并不区别初次修整处理与第2次以后的修整处理而统称时，仅称为修整处理。第2次以后的修整处理中，比初次的修整更容易在研磨垫的表面生成“毛刺”，因此优选在不同的条件下进行。考虑这是由于，即使在修整处理前的状态下也已经产生了大量的开口。

需要说明的是，修整处理后的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra超过0.5μm的情况下，研磨垫20的表面即使与游离磨粒融合，也无法将玻璃基板G的50μm～200μm的微小起伏的Rq降低至0.06μm以下。另一方面，基于上述使用拍摄相机的方法得到的、修整处理后的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下的情况下，可以将玻璃基板G的50μm～200μm的微小起伏的Rq降低至0.06μm以下。

本说明书中所指的修整处理中，使用图1(a)、(b)和图2所示的研磨装置10，代替玻璃基板G，使用在基板的两面贴附例如附着有金刚石磨粒的研磨材的修整器具。代替研磨液，例如只要供给水即可。从抑制研磨垫20的因初次修整处理导致的表面的“毛刺”的观点出发，进一步从抑制研磨垫20的因第2次以后的修整处理导致的表面的“毛刺”的观点出发，优选适宜调整在修整器具中使用的磨粒的平均粒径、粒径分散、固定磨粒的树脂材料、修整处理时的定盘的负荷、转速、行星齿轮的自转/公转等其他条件。

用于修整处理的金刚石磨粒的粒径优选使用10～30μm的金刚石磨粒。粒径小，虽然具有抑制研磨垫表面的“毛刺”的效果，但粒径小于10μm时，研磨垫的去除速率下降，修整处理作业耗费时间，有时生产性下降。另一方面，粒径大于30μm时，由“毛刺”导致的表面凹凸变大，或者由“毛刺”导致的表面凹凸数量增多，有时无法充分降低研磨垫表面的Ra。

另外，修整处理时的基于定盘产生的负荷优选小于研磨处理时。具体而言，优选使施加于研磨垫的压力为0.001～0.005MPa。修整处理时的负荷小于研磨处理时的情况下，虽然具有抑制研磨垫表面的“毛刺”的增大的效果，但施加于研磨垫的压力小于0.001MPa的情况下，研磨垫的去除速率下降，修整处理耗费时间，有时生产性下降。另一方面，施加于研磨垫的压力大于0.005MPa的情况下，由“毛刺”导致的表面凹凸变大，或者由“毛刺”导致的表面凹凸数量增多，有时无法充分降低研磨垫表面的Ra。

另外，修整器具与研磨定盘(研磨垫)的相对速度优选为研磨处理时的1.5～3倍。相对速度高，则具有抑制研磨垫表面的“毛刺”的效果，但修整处理时的相对速度高于研磨处理时的3倍的情况下，向研磨垫的表面供给水无法跟上，有时无法均匀地进行修整处理。另一方面，修整处理时的相对速度小于1.5倍的情况下，金刚石磨粒过度地嵌入研磨垫表面，有时无法抑制“毛刺”。

另外，通过减小修整处理时的负荷、并且较高地调整与研磨垫的相对速度，从而可以在进一步良好地防止“毛刺”的产生的同时进行修整处理。

另外，在实施修整处理后不久，使上定盘上升时，优选一边维持旋转的上定盘与载具(修整器具)的至少一者的移动(旋转)一边上升。如此，可以在上升处理后且使上定盘上升时防止因上定盘所产生的稍许晃动而在研磨垫表面产生“毛刺”。因此，从使研磨垫20的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下的观点出发，优选在使上定盘上升时一边使上定盘与载具(修整器具)的至少一者移动(旋转)一边上升。

修整处理时，适宜调整上述各条件，进一步可以组合进行。

另外，对研磨垫20进行修整处理时，预先求出修整处理前的研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra与用于使修整处理前的该研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下的修整处理条件(修整处理时间、定盘的负荷、转速等条件)的对应关系，使用修整处理前的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra的测量结果的信息和上述对应关系，确定上述修整处理的条件，进行修整处理。由此可以抑制由“毛刺”导致的研磨垫20的表面形状的紊乱。

另外，关于第2次以后的修整处理，不使用研磨装置10，也可以进行下述修整处理，其中，以雾粒的形式喷射清洗液对研磨垫20进行吹扫。具体而言，使喷嘴在研磨垫的整个面上移动，产生粒径为1μm以上300μm以下的清洗液的雾粒，以10m/秒以上500m/秒以下的速度使该雾粒与研磨垫20碰撞，上述喷嘴为长条状、且具有在其中央部朝向前方扩开的吐出口。此时，通过适宜调整各种条件，从而使研磨垫的表面不会产生新的“毛刺”状态，可以良好地去除积存于发泡气孔的内部的研磨磨粒。该修整处理方法优选适用于在研磨处理中使用后的研磨垫。如此，可以抑制由实施多次基于金刚石修整器具的修整处理导致的、研磨垫表面的“毛刺”状态的程度的进行，可以防止由第2次以后的修整处理后的研磨处理得到的玻璃基板的微小起伏的恶化。

另外，在第2次以后的修整处理中，优选合用使用上述金刚石磨粒等磨粒的修整处理、和以雾粒的形式喷射清洗液对研磨垫20进行吹扫的修整处理。与使用金刚石磨粒等所进行的修整处理相比，这种修整处理可以更柔软地进行，因此，可以抑制修整处理后的研磨垫20的“毛刺”状态的程度的发展。

如此，本实施方式的第2研磨中使用的研磨垫20为初次和第2次以后的修整处理后的研磨垫，由研磨垫20的表面的拍摄图像得到该研磨垫20的表面的立体形状的信息时，由该信息求出的研磨垫20的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下。

在本实施方式中，使用玻璃基板进行了说明，但如上所述，除玻璃基板之外，还可以适用铝合金基板。与铝合金基板相比，玻璃基板的刚性高(硬)，因此使用玻璃基板的情况下，为了提高生产性，优选提高研磨垫20的模量，使研磨速率提高。另一方面，通过研磨垫20的高模量，与铝合金基板的情况相比，“毛刺”的表面凹凸的前端的刚性倾向于变高，因此与铝合金基板相比，微小起伏容易恶化，并且容易产生微小刮痕。因此，本申请发明的研磨处理优选适用于玻璃基板。

[实施例]

为了调查本实施方式的研磨垫的使用拍摄图像的光学式测定方式(本实施方式)的效果、和第2研磨中的研磨垫的效果，替换各种各样的研磨垫进行第2研磨。所使用的玻璃基板G是尺寸为2.5英寸的磁盘用玻璃基板。研磨前的玻璃基板G的表面凹凸使用光学式表面形状测定机来进行测定。主表面的波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.1～1.0nm。

如图3所示，研磨垫为在表层部分具有发泡的聚氨酯树脂制，该发泡为具有大量呈液滴形状的空孔的结构，使用图1(a)、(b)所示的研磨装置10预先进行修整处理。在修整处理中，使用金刚石磨粒的修整器具，适宜调整上述处理条件。因此，通过修整处理，任一研磨垫均在表面形成了2个以上的开口。通过使用具有大量呈液滴形状的空孔的结构的发泡，可以减小与玻璃基板接触的部分的开口，可以降低研磨后的玻璃基板的表面粗糙度或波长为50～200μm的微小起伏。另外，与球形形状或深度方向径不发生变化的形状的发泡结构相比，能够在发泡的内部蓄积更多的研磨剂，因此可以稳定地供给研磨剂，长时间维持较高的研磨速率。此处，使用开口直径(直径)的平均值为15μm的研磨垫。

在玻璃基板G的研磨中，使用图1(a)、(b)所示的研磨装置10，向玻璃基板G施加0.01MPa的压力，向玻璃基板G供给包含平均粒径为30nm的胶态二氧化硅的研磨磨粒，同时进行研磨。研磨的去除部分为5μm。

另一方面，对于研磨垫的表面，在示例1～4中，使用触针式表面粗糙度计求出算术平均粗糙度Ra’(现有方式)，同时在示例5～8中，使用本实施方式的基于光学式测定得到的拍摄图像求出算术平均粗糙度Ra(实施方式)。

进一步，使用所述的光学式的表面形状测定机测定研磨后的玻璃基板G的表面凹凸，求出波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq。

在下述表1、2中示出了使用各种研磨垫进行研磨时的研磨前不久的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra、Ra’、和使用该研磨垫进行第2研磨处理时的玻璃基板的微小起伏的均方根粗糙度Rq、Rq’。在示例1～4中，求出波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度Rq’和波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq。在5～8中，求出波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq。需要说明的是，将波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度表示为Rq，将波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度表示为Rq’。另外，将基于现有方式的研磨垫表面的算术平均粗糙度表示为Ra’，将基于本实施方式的研磨垫表面的算术平均粗糙度表示为Ra。

波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度Rq’使用日本特开2002-92867号公报记载的公知的多功能表面解析装置进行测定。在该装置中，将光分割使其在测试面和基准面这两个面反射，将该光再结合，由此时的干涉条纹计算得到波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度Rq’。测定区域选择玻璃基板的中圆附近的约500μm×约600μm的矩形区域(约25万像素)。

[表1]

[表2]

由表1可知，基于现有方式的研磨垫的表面粗糙度与玻璃基板表面的波长为2μm～4mm的微小起伏的均方根粗糙度Rq’有关，但与波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq无关。因此，即使减小基于现有方式的研磨垫的表面粗糙度，也无法降低波长为50μm～200μm的微小起伏。

另一方面，由表2可知，基于本实施方式的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra与玻璃基板表面的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq有关。并且，可知通过使研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下，相对于算术平均粗糙度Ra为0.75μm的情况，波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq大幅下降。特别是，通过使研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下，可以将波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq减小至0.06nm以下。

在由示例5～8得到的磁盘用玻璃基板的玻璃主表面，使用溅射法和沉积法，按照接近于玻璃主表面的顺序形成附着层、基底层、磁记录层、保护层、润滑层，从而制造磁盘。将制造的磁盘与搭载了DFH(Dynamic Flying Height)机构的磁头(DFH头)一并组装至HDD(硬盘驱动装置)，进行悬浮耐久性试验。使用具有飞米滑块的磁头，滑块面的悬浮量设定为9nm，磁头元件部的后退量(磁头元件部与磁盘表面的间隙)设定为1nm。HDD放入80℃、湿度80％的恒温槽中，进行30天随机调查。评价后，取出磁头，使用光学显微镜对滑块面的污染进行评价。其结果为，使用示例5～7的磁盘的情况下，未特别发现污染，但使用示例8的磁盘的情况下，在元件部的周围观察到对应于磁盘旋转方向的朝向的擦痕。

由上述结果可以确认，通过使微小起伏Rq为0.06nm以下，即使为使用DFH头而使元件部与磁盘极其接近的状态下，悬浮特性良好。

关于研磨垫的表面的拍摄图像，通过上述实施方式，得到该研磨垫的表面的立体形状的信息时，由该信息所求出的研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下是重要的。

如此，可以确认本实施方式的效果、以及使研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下的效果。

接着，准备通过变更各种各样的研磨垫的树脂而改变了模量(100％模量)的研磨垫，进行第2研磨。对于任一研磨垫而言，其基于本实施方式的研磨垫的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以下。分别各使用1000片进行第2研磨处理后，对玻璃基板进行清洗，使用光学式表面解析装置对存在于主表面上的微小刮痕的数量进行计数，以10个阶段进行水准判定。水准越小，微小刮痕越少、越良好。关于水准，具体而言，对于预先确定的作为基准的玻璃基板，对微小刮痕的数量进行计数，将此时的计数数量作为100％，将该微小刮痕的水准定为水准10，此时，下述示例9～14中的微小刮痕的计数数量为作为基准的玻璃基板的微小刮痕的数量的0～10％的情况的水准定为水准1，将为11～20％的情况的水准定为水准2，将21～30％的情况的水准定为水准3，按照同样的方法分别确定至等级9(81～90％)为止。下述表3示出了其结果。

[表3]

	研磨垫的树脂的模量(kgf/cm<sup>2</sup>)	微小刮痕产生水准
			示例9	50	水准1
示例10	70	水准1
			示例11	100	水准3
示例12	130	水准3
			示例13	200	水准5
示例14	240	水准8

在示例9～14中，第2研磨后的玻璃基板G的波长为50μm～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq均为0.06nm以下，但在微小刮痕的产生水准方面发现了差异。据认为：在示例9～14中，为通过第1研磨或之前的加工处理而去除残存于主表面的伤痕的条件，因此该微小刮痕是因研磨垫在第2研磨中突发性地对玻璃基板的表面造成损伤而发生的。大于水准5的情况下，意味着第2研磨的生产稳定性有可能差。因此，若使模量为200kgf/cm²以下时，生产稳定性变好，因此是优选的。另外，进一步优选使模量为130kgf/cm²以下。更进一步优选使模量为70kgf/cm²以下。另一方面，使模量为50kgf/cm²以下，结果为，研磨垫的磨耗变快，生产效率下降。

以上，对本发明的磁盘用基板的制造方法和用于磁盘用基板的制造的研磨垫进行了详细说明，但本发明并不限于上述实施方式和实施例，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种改良或变更，这自不必而言。

10 研磨装置

12 下定盘

14 上定盘

16 内齿轮

18 载具

20 研磨垫

22 恒星齿轮

24 内齿轮

28 冷却液

30 泵

32 过滤器

Claims (9)

1.一种磁盘用基板的制造方法，其是磁盘用基板的制造方法，其特征在于，

该制造方法包括研磨处理，其中，利用一对研磨垫将基板夹持，向所述研磨垫与所述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使所述研磨垫与所述基板进行相对滑动，从而对所述基板的两个主表面进行研磨，

所述研磨垫具有发泡聚氨酯的发泡树脂层，该发泡聚氨酯的发泡树脂层在表面具有2个以上的开口，

由所述研磨垫的表面的拍摄图像得到使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面的情况下的1600×1200个像素的矩形面的立体形状的信息作为所述研磨垫的表面的立体形状的信息，由所述立体形状的信息求出所述研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra时，所述Ra为0.5μm以下，所述研磨垫的表面的拍摄图像是通过下述方法并将矩形区域作为拍摄的视野而得到的拍摄图像，所述方法为：使用拍摄单元，使焦点对准于所述研磨垫的表面的最高位置，从该处沿高度方向按照每隔5μm的方式降低焦点，同时只要焦点对准就反复进行拍摄。

2.如权利要求1所述的磁盘用基板的制造方法，其中，所述发泡树脂层具有深度为10μm以上600μm以下的空孔。

3.如权利要求1或2所述的磁盘用基板的制造方法，其中，所述研磨磨粒是平均粒径为5nm以上50nm以下的胶态二氧化硅。

4.一种磁盘的制造方法，其特征在于，在由权利要求1～3任一项所述的磁盘用基板的制造方法制造出的磁盘用基板的主表面至少形成磁性层。

5.一种研磨垫，其是在对基板的表面进行研磨的研磨处理中使用的研磨垫，其特征在于，

所述研磨垫具有发泡聚氨酯的发泡树脂层，该发泡聚氨酯的发泡树脂层在表面具有2个以上的开口，

由拍摄图像得到使1个像素为0.37μm×0.37μm的矩形面的情况下的1600×1200个像素的矩形面的立体形状的信息作为所述研磨垫的表面的立体形状的信息，由所述立体形状的信息求出所述研磨垫的表面的算术平均粗糙度Ra时，所述Ra为0.5μm以下，所述拍摄图像是通过下述方法并将所述研磨垫的表面的矩形区域作为拍摄的视野而得到的，所述方法为：使用拍摄单元，使焦点对准于所述研磨垫的表面的最高位置，从该处沿高度方向按照每隔5μm的方式降低焦点，同时只要焦点对准就反复进行拍摄。

6.如权利要求5所述的研磨垫，其中，所述发泡树脂层中的树脂材料的100％拉伸模量为200kgf/cm²以下。

7.如权利要求5或6所述的研磨垫，其中，所述发泡树脂层具有深度为10μm以上600μm以下的空孔。

8.如权利要求5或6所述的研磨垫，其中，该研磨垫用于与包含胶态二氧化硅作为研磨磨粒的浆料一起对所述基板的表面进行研磨的研磨处理。

9.如权利要求7所述的研磨垫，其中，该研磨垫用于与包含胶态二氧化硅作为研磨磨粒的浆料一起对所述基板的表面进行研磨的研磨处理。