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CN107799659B - 显示装置 - Google Patents

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CN107799659B
CN107799659B CN201710768726.3A CN201710768726A CN107799659B CN 107799659 B CN107799659 B CN 107799659B CN 201710768726 A CN201710768726 A CN 201710768726A CN 107799659 B CN107799659 B CN 107799659B
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：电路元件层，位于基底上，电路元件层包括薄膜晶体管、存储电容器以及与它们连接的像素电极；显示层，包括发射层、位于发射层上的对电极以及功能层；薄包封层，位于显示层上，薄包封层包括至少一个无机层和至少一个有机层；以及贯穿部分，穿过基底、电路元件层、显示层和薄包封层，其中，显示层的与贯穿部分相邻的侧表面的倾斜角与基底的与贯穿部分相邻的侧表面、电路元件层的与贯穿部分相邻的侧表面和薄包封层的与贯穿部分相邻的侧表面中的一个的倾斜角不同。

Description

显示装置
本申请要求于2016年9月2日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0113260号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的多方面涉及发光装置及其控制方法。
背景技术
最近，显示装置的目的已经变得多样化。显示装置也已经变得越来越薄且越来越轻，因此其使用范围已经逐渐扩大。具体地，最近显示装置已经在诸如监视器、移动电话和时钟的各种设备中得到使用，因此已经研究了设计显示装置的各种方法。
发明内容
一个或更多个实施例的多方面涉及具有贯穿部分的显示装置及其制造方法。上述实施例仅作为示例提供，并且发明构思的范围不限于此。
将在下面的描述中部分地阐述附加方面，并且附加方面将部分地从描述中显而易见，或者可以通过实施所呈现的实施例来了解附加方面。
根据一个或更多个实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；电路元件层，位于基底上，并且包括薄膜晶体管、存储电容器以及电连接到薄膜晶体管和存储电容器的像素电极；显示层，位于电路元件层上，显示层包括发射层、位于发射层上的对电极以及布置在发射层与对电极之间的空间和发射层与像素电极之间的空间中的至少一个中的功能层；薄包封层，位于显示层上，薄包封层包括至少一个无机层和至少一个有机层；以及贯穿部分，穿过基底、电路元件层、显示层和薄包封层，其中，显示层的与贯穿部分相邻的侧表面的倾斜角与基底的与贯穿部分相邻的侧表面、电路元件层的与贯穿部分相邻的侧表面和薄包封层的与贯穿部分相邻的侧表面中的一个的倾斜角不同。
在一些实施例中，功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的至少一个。
在一些实施例中，显示层包括覆盖层和无机阻挡层中的至少一个，覆盖层和无机阻挡层位于对电极上。
在一些实施例中，所述显示装置还包括：附加无机层，位于薄包封层上，附加无机层覆盖至少一个有机层的与贯穿部分相邻的侧表面和显示层的所述侧表面。
在一些实施例中，附加无机层直接接触电路元件层的无机绝缘层。
在一些实施例中，显示装置还包括：阶梯差分部分，与贯穿部分相邻并且具有底切形状。
在一些实施例中，阶梯差分部分位于显示层与基底之间。
在一些实施例中，阶梯差分部分包括：第一层和第二层，包括彼此不同的材料。
在一些实施例中，基底包括树脂材料。
根据本发明的一些实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成电路元件层，电路元件层包括薄膜晶体管、存储电容器以及电连接到薄膜晶体管和存储电容器的像素电极；在电路元件层上形成显示层，显示层包括发射层、对电极以及布置在发射层与对电极之间的空间和发射层与像素电极之间的空间中的至少一个中的功能层；在显示层上形成薄包封层，薄包封层包括至少一个无机层和至少一个有机层；以及形成穿过基底、电路元件层、显示层和薄包封层的贯穿部分，其中，通过使用机械抛光来执行贯穿部分的形成，机械抛光去除薄包封层、显示层、电路元件层和基底中的至少一个的一部分。
在一些实施例中，显示层的与贯穿部分相邻的侧表面的倾斜角与相邻于贯穿部分的基底的侧表面、电路元件层的侧表面和薄包封层的侧表面中的一个的倾斜角不同。
在一些实施例中，在显示层的形成中，功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的至少一个。
在一些实施例中，显示层的形成包括：在对电极上形成覆盖层和无机阻挡层中的至少一个。
在一些实施例中，抛光带和尖端用于机械抛光。
在一些实施例中，贯穿部分的形成包括：经由机械抛光通过去除薄包封层的一部分和显示层的一部分来形成预贯穿部分；将激光束照射到与预贯穿部分对应的位置。
在一些实施例中，所述方法还包括：在其中已经形成有预贯穿部分的薄包封层上形成附加无机层。
在一些实施例中，电路元件层的形成包括：形成具有底切形状的阶梯差分部分，阶梯差分部分与贯穿部分相邻。
在一些实施例中，阶梯差分部分包括：第一层和第二层，包括彼此不同的材料。
在一些实施例中，贯穿部分的形成包括：经由机械抛光通过去除显示层的一部分来形成预贯穿部分；将激光束照射到与预贯穿部分对应的位置。
在一些实施例中，贯穿部分的形成包括：经由机械抛光通过去除薄包封层、显示层、电路元件层和基底的一部分来形成贯穿部分。
显示装置及其制造方法可以减少或最小化贯穿部分附近的层(或多层)的损坏或浮动。此外，可以防止或基本上防止形成显示装置的层(或多层)的剥离。本发明构思的范围不受这种效果的限制。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据示例实施例的显示装置的上部的视图；
图2A至图2B是根据另一示例实施例的显示装置的上部的视图；
图3A至图3B是根据示例实施例的像素的等效电路图；
图4是沿着图1的线IV-IV截取的显示装置的剖视图；
图5是图4的显示装置的部分V的剖视图；
图6是图4的显示装置的部分VI的剖视图；
图7A至图7D是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图8是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图9是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图10是图9的显示装置的部分X的放大图；
图11是图9的显示装置的部分XI的放大图；
图12A至图12D是示出根据示例实施例的制造显示装置的工艺的剖视图；
图13是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图14是图13的显示装置的部分XIV的放大图；
图15A至图15C是示出根据另一示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
由于发明构思允许各种适当的改变和许多实施例，所以示例性实施例将在附图中示出并且在书面说明书中详细描述。当参照参考附图描述的实施例时，发明构思的效果和特征以及完成这些的方法将是明显的。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为受限于这里所阐述的示例性实施例。
在下文中，将参照示出了发明构思的示例性实施例的附图更全面地描述发明构思。当参照附图进行描述时，附图中同样的附图标记表示同样的或对应的元件，并且可以不提供其重复的描述。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于说明而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施某一实施例时，可以以不同于所描述的顺序的顺序来执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
图1是根据实施例的显示装置100的上部的视图。图2A和图2B是根据另一实施例的显示装置100的上部的视图。
参照图1，显示装置100包括显示区域DA和非显示区域NDA。包括诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件的像素P布置在显示区域DA中并提供预定的图像。非显示区域NDA是不提供图像并且包括传输电信号和电力以施加到显示区域DA中的像素P的布线和驱动器(例如，扫描驱动器和数据驱动器)的区域。
贯穿部分TH是穿过显示装置100的孔(开口)。贯穿部分TH可以在显示区域DA中并且可以被多个像素P包围。相机、传感器、扬声器和/或麦克风等可以安装到贯穿部分TH。在一些示例中，贯穿部分TH可以是用于显示装置100的功能或者用于添加新功能的单独的构件的空间。
在实施例中，如图2A所示，贯穿部分TH可以布置在显示区域DA和非显示区域NDA之上。贯穿部分TH的一部分可以被显示区域DA中的像素P部分地包围。如图1和图2A所示，贯穿部分TH可以布置在显示装置100的内部。在其它实施例中，如图2B所示，贯穿部分TH可以延伸至显示装置100的边缘。
图3A和图3B是根据实施例的像素的等效电路图。
参照图3A，每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并响应于经由扫描线SL输入的扫描信号Sn将经由数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL的存储电容器Cst存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压与供应至驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管T1可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过OLED的驱动电流。OLED可以通过使用驱动电流来发射具有预定亮度的光。
虽然图3A示出了像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是实施例不限于此。
参照图3B，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、第一发射控制薄膜晶体管T5、第二发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由第二发射控制薄膜晶体管T6电连接到OLED。驱动薄膜晶体管T1响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并向OLED供应驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线SLn，开关薄膜晶体管T2的源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且也经由第一发射控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2响应于经由第一扫描线SLn传输的第一扫描信号Sn而导通，并且执行将经由数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到第一扫描线SLn。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且也经由第二发射控制薄膜晶体管T6连接到OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极也可以连接到存储电容器Cst的电极中的一个、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3响应于经由第一扫描线SLn传输的第一扫描信号Sn而导通，并将驱动薄膜晶体管T1的栅电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，从而二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到第二扫描线SLn-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的电极中的一个、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4响应于经由第二扫描线SLn-1传输的第二扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压VINT传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极来执行使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化的初始化操作。
第一发射控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。第一发射控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。第一发射控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
第二发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。第二发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。第二发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到OLED的像素电极。响应于经由发射控制线EL传输的发射控制信号En，第一发射控制薄膜晶体管T5和第二发射控制薄膜晶体管T6同时(例如同步)导通，驱动电压ELVDD传输到OLED，并且驱动电流流过OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到第三扫描线SLn+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于经由第三扫描线SLn+1传输的第三扫描信号Sn+1而导通，并且可以使OLED的像素电极初始化。
存储电容器Cst的另一个电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的电极中的一个可以同时(例如，同步)连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
OLED的对电极连接到公共电源电压ELVSS。OLED通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流而发光。
像素电路PC不受限于参照图3A和图3B描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计，并且可以以合适的方式各种各样地改变薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计。
图4是沿着图1的线IV-IV截取的显示装置100的剖视图。图5是图4的显示装置100的部分V的剖视图。图6是图4的显示装置100的部分VI的剖视图。
参照图4，显示装置100可以包括基底101、电路元件层110、显示层120、薄包封层130和附加无机层140。贯穿部分TH可以具有与显示装置100的整个厚度对应的深度。贯穿部分TH可以穿过从基底101到附加无机层140的所有层。
基底101可以包括包含玻璃材料、金属或塑料材料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺(PI))的各种合适的材料。在基底101包括塑料材料的示例中，与基底101包括玻璃材料的示例相比，基底101可以具有改善的柔性。
电路元件层110包括参照图3A至图3B描述的包含薄膜晶体管的像素电路PC和连接到像素电路PC的像素电极。
显示层120包括发射层、对电极和功能层。当分别从电路元件层110的像素电极和显示层120的对电极注入的空穴和电子在发射层中复合时，产生激子。当激子从激发态下降到基态时，激子发光。
下面描述电路元件层110和显示层120。
参照图5，电路元件层110包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器Cst以及电连接到TFT和存储电容器Cst的像素电极108。如图5所示，TFT包括半导体层AC、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。存储电容器Cst包括彼此叠置的第一电极CE1和第二电极CE2。第一电极CE1和第二电极CE2分别布置在其中布置有栅电极GE以及源电极SE和漏电极DE的层中。
半导体层AC可以包括多晶硅或非晶硅。在另一实施例中，半导体层AC可以包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和/或Zn等中的至少一种的氧化物。例如，半导体层AC可以包括诸如铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)和/或锌铟氧化物(ZIO)等的氧化物半导体或者有机半导体。
栅电极GE可以是包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu等的单层或多层。第一电极CE1布置在与栅电极GE所布置的层相同的层中，并且可以包括与栅电极GE的材料相同或基本相同的材料。
源电极SE和漏电极DE可以是包括具有优异的导电性的材料的单层或多层。例如，源电极SE和漏电极DE可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu等。在其它实施例中，源电极SE和漏电极DE可以是Ti/Al/Ti的三层。第二电极CE2可以布置在源电极SE和漏电极DE所布置的层中，并且可以包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同或基本相同的材料。
缓冲层102位于基底101与半导体层AC之间。栅极绝缘层103位于半导体层AC与栅电极GE之间。层间绝缘层105位于第一电极CE1与第二电极CE2之间以及栅电极GE与源电极SE和漏电极DE之间。平坦化绝缘层107位于像素电极108下面。
缓冲层102和栅极绝缘层103可以是包括诸如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层或多层。层间绝缘层105可以是包括诸如SiOx、SiNx和/或Al2O3等的无机材料的单层或多层。平坦化绝缘层107可以包括有机材料，有机材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的混合物等。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，平坦化绝缘层107可以具有包括无机材料和有机材料的多层。
为了便于描述，根据本实施例，示出了在半导体层AC上面具有栅电极GE的顶栅型TFT。然而，在另一实施例中，TFT可以包括底栅型TFT。
根据本实施例，第一电极CE1布置在栅电极GE所布置的层中，并且包括与栅电极GE的材料相同或基本相同的材料，第二电极CE2布置在源电极SE和漏电极DE所布置的层中，并且包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同或基本相同的材料。然而，这仅仅作为示例而提供。在另一实施例中，在高分辨率下，为了增加例如驱动TFT的沟道长度，并且为了增加存储电容器Cst的电容，存储电容器Cst可以与TFT之上的TFT叠置。例如，TFT的栅电极GE和存储电容器Cst的第一电极CE1可以是同一电极。即，与半导体层AC叠置以使栅极绝缘层103置于其间的TFT的栅电极GE也可以执行存储电容器Cst的第一电极CE1的功能。
像素电极108包括各种合适的导电材料。像素电极108可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物等的反射层。在其它示例中，像素电极108可以包括反射层和位于反射层上方和/或下方的透明导电氧化物(TCO)层。像素电极108可以对应于每个像素。
像素限定层109位于像素电极108上方，覆盖像素电极108的边缘，并暴露像素电极108。像素限定层109可以包括有机绝缘层和无机绝缘层，或者仅包括有机绝缘层和无机绝缘层中的一种。
显示层120位于电路元件层110上方。显示层120包括发射层123和面对像素电极108的对电极127，并且发射层123设置于像素电极108与对电极127之间。显示层120包括布置在像素电极108与发射层123之间的空间以及发射层123与对电极127之间的空间中的至少一个中的功能层121和125。显示层120可以包括覆盖层128和/或无机阻挡层129。
发射层123可以根据对应的像素发射红色、绿色和蓝色光中的一种。发射层123可以布置在诸如红色、绿色和蓝色发光像素的每个像素处。第一功能层121和第二功能层125分别布置在发射层123下方和上方。
第一功能层121位于像素电极108与发射层123之间。第一功能层121可以包括空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。第二功能层125在发射层123与对电极127之间。第二功能层125可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。第一功能层121和第二功能层125是像素共有的。例如，第一功能层121和第二功能层125中的每个可以布置在显示区域DA(例如，参见图1)的整个表面之上。
发射层123、第一功能层121和第二功能层125可以包括低分子有机材料或聚合物材料。在发射层123、第一功能层121和第二功能层125包括低分子有机材料的示例中，它们可以包括各种合适的有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和/或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。在发射层123、第一功能层121和第二功能层125包括聚合物材料的示例中，第一功能层121可以主要包括HTL。HTL可以包括PEDOT，发射层123可以包括聚合物材料，诸如聚对苯撑乙烯(PPV)类材料和聚芴类材料，然而，这仅仅是作为示例而提供，实施例不限于此。
虽然图5示出了第一功能层121和第二功能层125分别布置在发射层123下方和上方的示例，但是这仅作为示例而提供，显示层120可以仅包括第一功能层121和第二功能层125中的一个。
对电极127可以具有一个统一的主体并且覆盖基底101的显示区域DA(例如，参见图1)。对电极127可以是半透射薄金属层，半透射薄金属层包括具有小逸出功的至少一种金属，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Ag和Mg的合金等。在一些示例中，对电极127可以包括透明导电氧化物层，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO等。在其它示例中，对电极127可以具有其中堆叠有上述层的多层。
覆盖层128可以保护覆盖层128下方的层。例如，覆盖层128可以保护对电极127、发射层123以及第一功能层121和第二功能层125。覆盖层128可以是包括有机材料和/或无机材料的单层或多层。
无机阻挡层129可以包括LiF。包封无机阻挡层129可以防止或减少(例如，最小化)布置在其下方的层(例如，发射层)被在形成薄包封层130(下面将描述)的工艺(例如，可以经由等离子体化学气相沉积工艺执行的形成第一无机层131的工艺)期间产生的高能量氧自由基损坏。
再次参照图4，薄包封层130包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，薄包封层130可以包括第一无机层131和第二无机层135以及位于其间的有机层133。
第一无机层131和第二无机层135可以包括AlN、Al2O3、TiN、TiO2、SiON、SiNx和/或SiOx等。第一无机层131和第二无机层135可以保护显示层120免受湿气的影响。
有机层133可以包括聚合物类材料，诸如PMMA、聚碳酸酯(PC)、PS、丙烯酸类聚合物、环氧类聚合物、聚酰亚胺和/或聚乙烯(PE)等。有机层133可以比第一无机层131和第二无机层135厚。有机层133可以减轻第一无机层131和第二无机层135的内应力，补偿第一无机层131和第二无机层135的缺陷，并且使第一无机层131和第二无机层135平坦化。
附加无机层140位于薄包封层130的上方。附加无机层140的端部(例如附加无机层140的与贯穿部分TH相邻的端部)延伸并覆盖薄包封层130的侧表面130s和显示层120的侧表面120s。如图6所示，附加无机层140可以接触电路元件层110的层间绝缘层105。在附加无机层140接触包括无机材料的层间绝缘层105的示例中，附加无机层140可以通过防止或基本上防止显示装置100的侧向湿气传递来改善包封特性。
如图4所示，贯穿部分TH的内侧表面可以由覆盖显示层120的侧表面120s和薄包封层130的侧表面130s的附加无机层140、电路元件层110的侧表面110s以及基底101的侧表面101s来确定。因此，贯穿部分TH可以由覆盖显示层120的侧表面120s和薄包封层130的侧表面130s的附加无机层140、电路元件层110的侧表面110s以及基底101的侧表面101s来限定。
在本说明书中，“层A的侧表面”表示将层A的最下端连接到包括单层或多层的层A的最上端的一侧，并且“层A的侧表面的倾斜角”表示上述侧的锥角。在层A为单层的示例中，层A的侧表面布置在与形成层A的层的侧表面相同的平面上。在层A为多层的示例中，层A的侧表面可以布置在与形成层A的多个层中的每个侧表面相同的层上，或者可以布置在不同的平面上。即，层A的侧表面和形成层A的多个层中的每个层的侧表面应该被理解为不同的概念。
因此，“基底101的与贯穿部分TH相邻的侧表面”表示将基底101的与贯穿部分TH相邻的最下端连接到基底101的最上端的表面101s。“基底101的与贯穿部分TH相邻的侧表面101s的倾斜角”表示表面101s的锥角θ0。“电路元件层110的与贯穿部分TH相邻的侧表面”表示将电路元件层110的与贯穿部分TH相邻的最下端连接到电路元件层110的最上端的表面110s。“电路元件层110的与贯穿部分TH相邻的侧表面110s的倾斜角”表示表面110s的锥角θ1。类似地，“显示层120的与贯穿部分TH相邻的侧表面”表示将显示层120的与贯穿部分TH相邻的最下端连接到显示层120的最上端的表面120s”。“显示层120的与贯穿部分TH相邻的侧表面120s的倾斜角”表示表面120s的锥角θ2。此外，“薄包封层130的与贯穿部分TH相邻的侧表面”表示将薄包封层130的与贯穿部分TH相邻的最下端连接到薄包封层130的最上端的表面130s。“薄包封层130的与贯穿部分TH相邻的侧表面130s的倾斜角”表示表面130s的锥角θ3。
由于形成贯穿部分TH的工艺，显示装置100的层101、110、120和130的侧表面的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3可以具有不同的值。在使用采用抛光带和尖端的机械抛光作为形成贯穿部分TH的一部分工艺的情况下，层101、110、120和130中的至少一个的倾斜角(例如，显示层120和薄包封层130的倾斜角θ2和θ3)具有与其它层的侧表面的倾斜角(例如，基底101和电路元件层110的倾斜角θ0和θ1)不同的值。
图7A至图7D是示出根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图7A，在基底101的上方顺序地形成电路元件层110、显示层120和薄包封层130。如参照图4和图5所描述的，电路元件层110包括TFT和存储电容器以及连接到TFT和存储电容器的像素电极。显示层120包括发射层123、对电极127以及第一功能层121和/或第二功能层125。显示层120还可以包括覆盖层128和无机阻挡层129。因为基底101、电路元件层110、显示层120和薄包封层130的材料与参照图4和图5所描述的材料相同或基本相同，所以可以不提供其重复的描述。可以通过热蒸发形成显示层120的层。可以通过化学气相沉积(CVD)形成薄包封层130的第一无机层131和第二无机层135。可以通过形成单体并通过使用热或诸如紫外线的光使单体固化来形成有机层133。
参照图7A和图7B，通过使用布置在薄包封层130上方的抛光带10和尖端20的机械抛光来去除包括有机材料的层的一部分、薄包封层130的一部分和显示层120的一部分。当通过机械抛光去除薄包封层130的一部分和显示层120的一部分时，形成穿过薄包封层130和显示层120的预贯穿部分p-TH。预贯穿部分p-PH可以具有与薄包封层130和显示层120的厚度对应的深度。可以经由预贯穿部分p-TH暴露电路元件层110。
根据使用抛光带10和尖端20的机械抛光，显示层120的与预贯穿部分p-TH相邻的侧表面120s的倾斜角θ2和薄封装层130的与预贯穿部分p-TH相邻的侧表面130s的倾斜角θ3可以具有不同的值。倾斜角θ2和θ3可以由于诸如尖端20的形状、抛光顺序以及显示层120和薄包封层130的层包括诸如有机材料或无机材料的不同的材料的因素而具有不同的值。
参照图7B的放大图，形成显示层120的各个层包括不同的材料，并且可以均具有倾斜角，所述倾斜角根据尖端20的形状和抛光顺序具有不同的值。例如，第一功能层121的侧表面的倾斜角α1、第二功能层125的侧表面的倾斜角α2、对电极127的侧表面的倾斜角α3、覆盖层128的侧表面的倾斜角α4和无机阻挡层129的侧表面的倾斜角α5可以具有不同的值。同样地，第一无机层131的侧表面的倾斜角β1、有机层133的侧表面的倾斜角β2和第二无机层135的侧表面的倾斜角β3可以具有不同的值。
因为实施例使用了采用抛光带10和尖端20的工艺，所以当从图7B的放大图的方向K观察时，可以经由穿过第二无机层135的区域暴露作为第二无机层135下面的层的有机层133和第一无机层131的侧表面。同样地，当从图7B的放大图的方向K观察时，可以经由穿过无机阻挡层129的区域暴露作为无机阻挡层129下面的层的从覆盖层128至第一功能层121的层中的至少一个层的侧表面。同样地，可以经由分别穿过覆盖层128、对电极127和第二功能层125的区域来暴露覆盖层128、对电极127和第二功能层125下面的层中的至少一个层。
可以沿着“A”方向将抛光带10从抛光带供应器供应到薄包封层130，并且在形成预贯穿部分p-TH之后，可以沿“B”方向使抛光带10朝着抛光带收集器移动。作为实施例的比较示例，在使用固定旋转抛光器的情况下，需要根据在大量生产期间抛光器的磨损更换抛光器，随着更换所花费的时间的增加，生产率降低。然而，在使用根据实施例的在一个方向上供应的抛光带的情况下，因为省略了单独更换抛光器的工艺，所以可以改善制造效率。
参照图7C，在形成预贯穿部分p-TH后，形成附加无机层140。在基底101的整个表面的上方形成附加无机层140。例如，附加无机层140覆盖薄包封层130的上表面、薄包封层130的侧表面130s、显示层120的侧表面120s和电路元件层110的经由预贯穿部分p-TH暴露的上表面。
参照图7D，通过形成附加无机层140、将激光束照射到对应于预贯穿部分p-PH的位置、去除电路元件层110的对应于预贯穿部分p-TH的部分和基底101的对应于预贯穿部分p-TH的部分，形成贯穿部分TH。贯穿部分TH可以具有对应于显示装置100的整个厚度的深度。
通过激光工艺形成的电路元件层110的侧表面110s的倾斜角θ1和基底101的侧表面101s的倾斜角θ0与通过上述抛光工艺形成的显示层120的侧表面120s的倾斜角θ2和薄包封层130的侧表面130s的倾斜角θ3不同。通过激光工艺形成的倾斜角θ0和θ1可以根据激光束的景深(DOF)具有约90°或接近约90°的值。
参照图4和图7A至图7D描述的显示装置100的贯穿部分TH可以与仅由激光束形成的贯穿部分存在区别。在形成显示装置100后立即通过照射激光束形成贯穿部分的情况下，由于激光束的DOF，倾斜角θ2和θ3可以具有基本相同的值。此外，在由激光束形成的贯穿部分周围的区域中，会通过照射激光时产生的热而发生有机材料的变性，有机材料的层会膨胀，或者有机材料会浮动，并且会发生湿气在侧方向(例如，层与层之间的界面方向)上的传输。
然而，根据参照图7A至图7D所描述的制造方法，因为通过机械抛光工艺而不是通过激光工艺来去除包括有机材料的层(例如，薄包封层130和显示层120)，因此可以防止或基本上防止当激光束照射时产生的热量引起的有机材料的变性、有机材料的层的膨胀或者有机材料的浮动。
参照图4和图7A至图7D描述的显示装置100的贯穿部分TH可以区别于由固定旋转抛光器形成的贯穿部分。作为实施例的比较示例，在使用固定旋转抛光器的情况下，对多个层进行抛光是不容易的，即使多个层被抛光，各个层的侧表面也不会具有如本实施例中的不同的值的倾斜角。此外，因为不会易于防止在通过固定旋转抛光器形成的贯穿部分的周围区域中的层上对层进行抛光时产生的放电毛刺，所以毛刺会由于抛光期间的摩擦热附着到贯穿部分的内径。
图8是根据另一实施例的显示装置200的剖视图。
参照图8，显示装置200包括基底201、电路元件层210、显示层220、薄包封层230和附加无机层240。因为基底201、电路元件层210、显示层220和附加无机层240分别与参照图4和图5描述的基底101、电路元件层110、显示层120和附加无机层140相同，所以可以不重复其描述。
在实施例中，虽然如参照图4描述的显示装置100的薄包封层130的最上表面可以是无机层(例如，第二无机层)，但是实施例不限于此。在另一实施例中，图8所示的薄包封层230的最上表面可以是有机层233。虽然薄包封层230的最上表面是有机层233，但是因为附加无机层240布置在薄包封层230的上方，所以可以保护显示层220免受湿气等的影响。
薄包封层230可以包括无机层231和有机层233。无机层231和有机层233分别包括与上面参照图4描述的第一无机层131和有机层133的材料相同或基本相同的材料。
根据本实施例的显示装置200的层201、210、220和230的侧表面的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3可以由于形成贯穿部分TH的工艺而具有不同的值。在使用采用抛光带和尖端的机械抛光作为形成贯穿部分TH的工艺的情况下，层201、210、220和230的侧表面的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3具有不同的值。
因为通过与参照图7A和图7B描述的工艺基本相同的工艺制造图8所示的显示装置200，所以可以不提供其重复描述。
图9是根据另一实施例的显示装置300的剖视图，图10是图9的显示装置300的部分X的放大图，图11是图9的显示装置300的部分XI的放大图。
参照图9，显示装置300包括基底301、电路元件层310、显示层320、薄包封层330和阶梯差分部分350。
因为基底301、电路元件层310和显示层320分别与上面参照图4和图5描述的基底101、电路元件层110和显示层120相同，所以可以不重复其描述。
薄包封层330可以包括在第一无机层331和第二无机层335之间的有机层333。显示装置100和200的薄包封层130和230的有机层133和233不直接朝向贯穿部分TH暴露，然而，根据本实施例的薄包封层330的有机层333的侧表面可以直接朝向贯穿部分TH暴露。
参照图10，第一无机层331可以不直接接触在贯穿部分TH的周围区域中的层间绝缘层305。在一些示例中，即使当第一无机层331直接接触贯穿部分TH的周围区域中的层间绝缘层305时，第一无机层331也可以接触层间绝缘层305的非常小的区域。缓冲层302、栅极绝缘层303和层间绝缘层305是无机层，并且湿气难以渗透到这些无机层之间的界面中，然而，因为覆盖贯穿部分TH的周围区域中的显示层320的第一无机层331直接接触层间绝缘层305，并且不密封显示层320的侧表面320s，所以湿气等可以渗透到显示层320中。然而，根据一些实施例，阶梯差分部分350布置成与贯穿部分TH相邻并且可以阻挡湿气等的渗透路径。
参照图11，阶梯差分部分350具有底切形状。阶梯差分部分350包括第一层351和在第一层351上方的第二层353，其中，第一层351和第二层353具有不同的宽度。例如，第一层351的宽度w0小于第二层353的宽度w1。阶梯差分部分350可以布置在显示层320的下方。
第一层351和第二层353包括不同的材料。例如，第一层351可以包括金属材料，第二层353可以包括绝缘材料。第一层351可以包括与参照图5描述的TFT的电极和存储电容器Cst的电极中的一个的材料相同或基本相同的材料。在实施例中，第一层351可以布置在缓冲层302和栅极绝缘层303上方，并且可以包括与参照图5描述的栅电极的材料相同或基本相同的材料。此外，第二层353可以包括与层间绝缘层305的材料相同或基本相同的材料。
阶梯差分部分350上方的层(例如包括第一功能层321、第二功能层325和对电极327的显示层320)可以通过底切形的阶梯差分部分350彼此断开。即使当湿气在显示层320的侧方向上渗透时，例如当湿气经由第一功能层321、第二功能层325和对电极327之间的界面渗透时，因为渗透路径被阶梯差分部分350阻挡，所以也可以防止或基本防止湿气渗透到像素。
再次参照图9，显示装置300的层301、310、320和330的侧表面301s、310s、320s和330s的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3可以由于形成贯穿部分TH的工艺而具有不同的值。例如，在使用采用抛光带和尖端的机械抛光作为形成贯穿部分TH的部分工艺的情况下，层301、310、320和330中的一个的倾斜角(例如，显示层320的侧表面320s的倾斜角θ2)可以具有与其它层的侧表面的倾斜角(例如，基底301、电路元件层310和薄包封层330的侧表面301s、310s和330s的倾斜角θ0、θ1和θ3)不同的值。
图12A至图12D是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的剖视图。
参照图12A，在基底301的上方顺序地形成电路元件层310和显示层320。电路元件层310包括TFT、存储电容器以及连接到TFT和存储电容器的像素电极。显示层320包括发射层、对电极、第一功能层和/或第二功能层。显示层320还可以包括覆盖层和/或无机阻挡层。基底301、电路元件层310和显示层320的材料与参照图4和图5描述的材料相同或基本相同，基底301、电路元件层310和显示层320的制造方法与参照图7A描述的方法相同或基本相同。
形成电路元件层310的工艺可以包括形成阶梯差分部分350的工艺。如参照图11所描述的，阶梯差分部分350可以包括第一层351和第二层353。第一层351和第二层353包括上述材料。在实施例中，可以在像素电极的蚀刻工艺期间形成阶梯差分部分350的底切形状。例如，当通过用于像素电极的蚀刻工艺的蚀刻剂来蚀刻形成第一层351的金属材料时，第一层351可以具有小于第二层353的宽度w1的宽度w0。
参照图12A和图12B，通过使用布置在显示层320上方的抛光带10和尖端20的机械抛光来去除包括有机材料的层(例如，显示层320的一部分)。可沿着“A”方向将抛光带10从抛光带供应器供应至显示层320，在形成预贯穿部分p-TH之后，可以沿着“B”方向使抛光带10朝向抛光带收集器移动。
当通过机械抛光去除显示层320的一部分时，形成穿过显示层120的预贯穿部分p-TH。预贯穿部分p-TH可以具有对应于显示层120的厚度的深度。可以经由预贯穿部分p-TH暴露电路元件层310。
由于使用抛光带10和尖端20的机械抛光，显示层320的侧表面320s可以具有倾斜角θ2。虽然图12B仅示出了显示层320的侧表面320s的倾斜角θ2，但是如参照图7B所描述的，形成显示层320的各个层包括不同的材料，并且根据尖端20的形状和抛光顺序而具有不同值的倾斜角，并且其下面的层可以经由多个层中的一个的贯穿区域暴露。
参照图12C，在形成预贯穿部分p-TH后，形成薄包封层330。薄包封层330包括第一无机层331和第二无机层335以及它们之间的有机层333。第一无机层331、第二无机层335和有机层333的材料和制造工艺与上述的材料和制造工艺相同或基本相同。
参照图12C和图12D，通过将激光束照射到与预贯穿部分p-TH对应的位置并且去除薄包封层330的与预贯穿部分p-TH对应的部分、电路元件层310的与预贯穿部分p-TH对应的部分和基底301的与预贯穿部分p-TH对应的部分而形成贯穿部分TH。贯穿部分TH可以具有与显示装置300的整个厚度对应的深度。
由激光工艺形成的薄包封层330的侧表面330s的倾斜角θ3、电路元件层310的侧表面310s的倾斜角θ1和基底301的侧表面301s的倾斜角θ0与通过上述抛光工艺形成的显示层320的侧表面320s的倾斜角θ2不同。根据激光束的景深(DOF)，通过激光工艺形成的倾斜角θ3、θ1和θ0可以具有约90°或接近约90°的值。
图13是根据另一实施例的显示装置400的剖视图，图14是图13的显示装置400的部分XIV的放大图。
参照图13，显示装置400包括基底401、电路元件层410、显示层420、薄包封层430和阶梯差分部分450。
因为基底401、电路元件层410和显示层420分别与参照图4和图5描述的基底101、电路元件层110和显示层120相同，所以可以不重复其描述。
薄包封层430可以包括第一无机层431和第二无机层435以及它们之间的有机层433。与上述薄包封层330相似，薄包封层430的有机层433可以直接朝向贯穿部分TH的侧表面暴露。
在实施例中，如图14所示，显示装置400的薄包封层430不直接接触在贯穿部分TH的周围区域中的层间绝缘层405。也就是说，显示层420的第一功能层421、第二功能层425和对电极427等可以直接暴露于贯穿部分TH。缓冲层402、栅极绝缘层403和层间绝缘层405是无机层，并且湿气难以经由其间的界面渗透，然而，因为暴露显示层420，所以湿气等会经由形成显示层420的层之间的界面而渗透。然而，根据一些实施例，底切形状的阶梯差分部分450布置为与贯穿部分TH相邻并且可以阻挡湿气等的渗透路径。因为阶梯差分部分450具有与上面参照图10描述的结构相同的结构，所以可以不重复其描述。
由于形成贯穿部分TH的工艺，显示装置400的层401、410、420和430的侧表面的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3可以具有不同的值。例如，在使用采用抛光带和尖端的用于形成贯穿部分TH的工艺的机械抛光的情况下，层401、410、420和430的倾斜角θ0、θ1、θ2和θ3可以具有不同的值。
图15A至图15C是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图15A，在基底401之上顺序地形成电路元件层410、显示层420和薄包封层430。此外，在薄包封层430上形成保护膜层460。
电路元件层410包括TFT、存储电容器以及连接到TFT和存储电容器的像素电极。显示层420包括发射层、对电极以及第一功能层和/或第二功能层。显示层420还可以包括覆盖层和/或无机阻挡层。薄包封层430包括第一无机层431和第二无机层435以及它们之间的有机层433。基底401、电路元件层410、显示层420和薄包封层430的材料与参照图4和图5描述的材料相同或基本相同，基底401、电路元件层410、显示层420和薄包封层430的制造方法与参照图7A描述的制造方法相同或基本相同。如参照图12A所描述的，形成电路元件层410的工艺还可以包括形成阶梯差分部分450的工艺。阶梯差分部分450与参照图11描述的阶梯差分部分350相同或基本相同。
在该工艺期间，保护膜层460保护显示装置免受外来物质等的影响。例如，保护膜层460可以包括各种合适的材料，诸如PET、PEN和/或PI等。
参照图15A和图15B，通过使用布置在保护膜层460上方的抛光带10和尖端20的机械抛光去除保护膜层460的一部分、薄包封层430的一部分、显示层420的一部分、电路元件层410的一部分和基底401的一部分来形成贯穿部分TH。可以沿着“A”方向将抛光带10从抛光带供应器供应至薄包封层430，在形成贯穿部分TH之后，可以沿着“B”方向使抛光带10朝向抛光带收集器移动。
通过机械抛光形成的贯穿部分TH具有与显示装置400的整个厚度对应的深度。
根据使用抛光带10和尖端20的机械抛光，显示装置400的各个层的倾斜角(例如保护膜层460的侧表面460s的倾斜角θ4、薄包封层430的侧表面430s的倾斜角θ3、显示层420的侧表面420s的倾斜角θ2、电路元件层410的侧表面410s的倾斜角θ1和基底401的侧表面401s的倾斜角θ0)可以分别具有不同的值。
之后，如图15C所示，去除保护膜层460。
因为实施例使用了使用抛光带10和尖端20的工艺，所以当从图15C的放大图的K方向观察时，可以经由穿过薄包封层430的区域暴露作为位于薄包封层430下方的层的显示层420的侧表面、电路元件层410的侧表面和基底401的侧表面。可以经由穿过显示层420的区域暴露电路元件层410的侧表面和基底401的侧表面。可以经由穿过电路元件层410的区域暴露基底401的侧表面。
此外，与参考图7B的放大图进行的描述一样，局部地形成显示层420的各个层(例如，无机阻挡层、覆盖层、对电极、第二功能层和第一功能层)的倾斜角可以具有不同的值，位于其下面的层(或多个层)可以经由各个层的贯穿区域暴露。类似地，形成薄包封层430、电路元件层410和基底401的各个层的倾斜角可以具有不同的值，并且其下面的层(或多个层)可以经由各个层的贯穿区域暴露。
尽管参照图14和图15A至图15C描述的实施例已经描述了在从保护膜层460到基底401的方向上执行使用抛光带10和尖端20的机械抛光工艺的示例，但是根据另一实施例，也可以在从基底401到保护膜层460的方向上执行机械抛光工艺。即使在这种情况下，与上面的实施例类似，各个层的倾斜角也可以具有不同的值。
将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，在此可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下面的”、“在……之下”，“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两层“之间”时，该层可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一个(种)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰所述列的个别元件(元素)。此外，当使用“可以”描述发明构思的实施例时，是指“发明构思的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”意图表示示例或说明。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层或者与另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到其它元件或层、直接结合到其它元件或层或者与其它元件或层直接相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接结合到”另一元件或层或者与另一元件或层“直接相邻”时，不存在中间元件或中间层。
如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。
如这里所使用的，术语“使用”及其变型可分别被认为与术语“利用”及其变型同义。
虽然已经参照附图中所示的实施例描述了发明构思，但这仅仅是示例性的，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物所限定的发明构思的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种合适的改变及其等效物。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
电路元件层，位于所述基底上，所述电路元件层包括薄膜晶体管、存储电容器以及电连接到所述薄膜晶体管和所述存储电容器的像素电极；
显示层，位于所述电路元件层上，所述显示层包括：发射层；对电极，位于所述发射层上；以及功能层，布置在所述发射层与所述对电极之间的空间和所述发射层与所述像素电极之间的空间中的至少一个空间中；
薄包封层，位于所述显示层上，所述薄包封层包括至少一个无机层和至少一个有机层；以及
贯穿部分，穿过所述基底、所述电路元件层、所述显示层和所述薄包封层，
其中，所述贯穿部分的至少一部分通过所述薄包封层的侧表面和所述显示层的侧表面来形成，
其中，所述薄包封层覆盖所述显示层的上表面，并且不覆盖所述显示层的所述侧表面，并且
其中，所述显示层的与所述贯穿部分相邻的所述侧表面的倾斜角与所述薄包封层的与所述贯穿部分相邻的所述侧表面的倾斜角不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示层包括覆盖层和无机阻挡层中的至少一个，所述覆盖层和所述无机阻挡层位于所述对电极上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
附加无机层，位于所述薄包封层上，所述附加无机层覆盖所述至少一个有机层的与所述贯穿部分相邻的侧表面和所述显示层的所述侧表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述附加无机层直接接触所述电路元件层的无机绝缘层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
阶梯差分部分，与所述贯穿部分相邻并且具有底切形状。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述阶梯差分部分位于所述显示层与所述基底之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述阶梯差分部分包括：
第一层和第二层，包括彼此不同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括树脂材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示层的与所述贯穿部分相邻的所述侧表面的所述倾斜角与所述电路元件层的与所述贯穿部分相邻的侧表面的倾斜角不同。
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