CN107664928A - 废光刻胶回收再生系统与方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种废光刻胶回收再生系统与方法。本发明提供的废光刻胶回收再生系统包括中和装置、脱水装置与乙酰化装置。中和装置用于对废光刻胶进行中和处理。脱水装置连通至中和装置，且用于对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。乙酰化装置连通至脱水装置，且用于对脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。所述废光刻胶回收再生系统与方法可有效地将废光刻胶进行回收再生利用。

Description

废光刻胶回收再生系统与方法

技术领域

本发明涉及一种回收再生系统与方法，尤其涉及一种废光刻胶回收再生系统与方法。

背景技术

在印制电路板(PCB)的制作过程或半导体制作过程中，在使用微影光刻(photolithography)工艺与蚀刻工艺来定义图案时，都会使用到光刻胶。在定义出图案之后，会使用如NaOH等的碱性溶液来将光刻胶移除，而形成废光刻胶。由于废光刻胶为碱性，若随意丢弃会对环境造成重大的污染。因此，如何有效的处理废光刻胶，使废光刻胶能够回收再生利用为目前业界有待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种废光刻胶回收再生系统与方法，其可有效地将废光刻胶进行回收再生利用。

本发明提出一种废光刻胶回收再生系统，包括中和装置、脱水装置与乙酰化装置。中和装置用于对废光刻胶进行中和处理。脱水装置连通至中和装置，且用于对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。乙酰化装置连通至脱水装置，且用于对脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生系统中，中和装置包括中和处理槽与酸添加装置。中和处理槽用于容置废光刻胶。酸添加装置连通至中和处理槽。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生系统中，中和装置还可包括搅拌装置。搅拌装置设置于中和处理槽中。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生系统中，乙酰化装置包括乙酰化处理槽、酸添加装置、酸酐添加装置与催化剂添加装置。乙酰化处理槽用于容置脱水处理后的废光刻胶。酸添加装置连通至乙酰化处理槽。酸酐添加装置连通至乙酰化处理槽。催化剂添加装置连通至乙酰化处理槽。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生系统中，还可包括纯化装置。纯化装置连通至乙酰化装置，且用于纯化乙酰化高分子。

本发明提出一种废光刻胶回收再生方法，包括下列步骤。对废光刻胶进行中和处理。对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。对脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生方法中，中和处理包括添加酸，以对废光刻胶进行中和。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生方法中，中和处理还可包括对废光刻胶进行搅拌。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生方法中，乙酰化处理包括在存在催化剂的环境下，使用酸与酸酐对经脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化。

根据本发明的一实施例所述，在上述的废光刻胶回收再生方法中，还可包括对乙酰化高分子进行纯化处理。

基于上述，通过本发明所提出的废光刻胶回收再生系统与方法，可对废光刻胶进行中和、脱水与乙酰化处理，以获得能够再利用的乙酰化高分子。因此，本发明所提出的废光刻胶回收再生系统与方法能够有效地将废光刻胶进行回收再生利用，进而可有效地降低生产成本，且可防止废光刻胶对环境造成污染。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的废光刻胶回收再生系统的示意图；

图2为本发明一实施例的废光刻胶回收再生方法的流程图。

附图标记：

100：废光刻胶回收再生系统；

102：中和装置；

104：脱水装置；

106：乙酰化装置；

108：废光阻源；

110：中和处理槽；

112：酸添加装置；

114：搅拌装置；

116：挤压装置；

118：烘干装置；

120：乙酰化处理槽；

122：酸添加装置；

124：酸酐添加装置；

126：催化剂添加装置；

128：纯化装置；

S100、S102、S104、S110、S112、S114、S120、S130：步骤。

具体实施方式

图1为本发明一实施例的废光刻胶回收再生系统的示意图。

请参照图1，废光刻胶回收再生系统100包括中和装置102、脱水装置104与乙酰化装置106。废光刻胶回收再生系统100可用于对印制电路板的制作过程或半导体制作过程中所产生的废光刻胶进行回收再生利用。废光刻胶例如是在对图案化对象进行图案化工艺之后，使用碱性溶液从图案化对象上所移除的光刻胶，其中光刻胶可为干膜或湿膜。

此外，废光刻胶回收再生系统100还可包括废光阻源108。废光阻源108连通至中和装置102，且用于提供废光刻胶至中和装置102。废光阻源108例如是废光刻胶储存槽或厂务的废光刻胶排放系统。

中和装置102用于对废光刻胶进行中和处理，可将废光刻胶的酸碱值调整为趋近于中性。废光刻胶在进行中和处理之后可成为片状。中和装置102包括中和处理槽110与酸添加装置112。中和处理槽110用于容置废光刻胶。酸添加装置112连通至中和处理槽110，且可将酸添加至中和处理槽110中，以对废光刻胶进行中和。酸添加装置112添加至中和处理槽110中的酸例如是硫酸或醋酸等有机酸类。中和处理后的废光刻胶的酸碱值例如是小于7.5。

此外，中和装置102还可包括搅拌装置114。搅拌装置114设置于中和处理槽110中。搅拌装置114可对废光刻胶进行搅拌。

脱水装置104连通至中和装置102，且用于对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。脱水处理包括挤压、烘干、吹干、吸湿或滤干等物理性脱水处理或使用化学药水进行脱水处理。由于脱水装置104连通至中和装置102，因此中和处理后的废光刻胶可输送到脱水装置104中进行脱水处理。

脱水装置104包括挤压装置116与烘干装置118中的至少一者。在此实施例中，脱水装置104是以同时具有挤压装置116与烘干装置118为例来进行说明，但本发明并不以此为限。举例来说，可先通过挤压装置116对中和处理后的废光刻胶进行挤压处理，再通过烘干装置118对挤压处理后的废光刻胶进行烘干处理，以对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。烘干处理可包括烘烤步骤。

乙酰化装置106连通至脱水装置104，且用于对脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。由于乙酰化装置106连通至脱水装置104，因此脱水处理后的废光刻胶可输送到乙酰化装置106中进行乙酰化处理。乙酰化高分子例如是丙烯酸类树脂(acrylic resin)。

乙酰化装置106包括乙酰化处理槽120、酸添加装置122、酸酐添加装置124与催化剂添加装置126。乙酰化处理槽120用于容置脱水处理后的废光刻胶。酸添加装置122连通至乙酰化处理槽120，且可将酸添加至乙酰化处理槽120中。酸添加装置122添加至乙酰化处理槽120中的酸例如是醋酸。酸酐添加装置124连通至乙酰化处理槽120，且可将酸酐添加至乙酰化处理槽120中。酸酐添加装置124添加至乙酰化处理槽120中的酸酐例如是醋酸酐或利用五氧化二磷等脱水剂所制作的酸酐。催化剂添加装置126连通至乙酰化处理槽120，且可将催化剂添加至乙酰化处理槽120中。催化剂添加装置126添加至乙酰化处理槽120中的催化剂例如是氧金属错合物或是其他反应触媒。

废光刻胶回收再生系统还可包括纯化装置128。纯化装置128连通至乙酰化装置106，且用于纯化乙酰化高分子。由于纯化装置128连通至乙酰化装置106，因此可将乙酰化高分子输送到纯化装置128中进行纯化。举例来说，在纯化装置128中，可通过沉淀、过滤、分馏萃取或洗涤萃取等处理对乙酰化高分子进行纯化。

基于上述实施例可知，由于废光刻胶回收再生系统100具有中和装置102、脱水装置104与乙酰化装置106，所以可对废光刻胶进行中和、脱水与乙酰化处理，而获得能够再利用的乙酰化高分子。因此，废光刻胶回收再生系统100能够有效地将废光刻胶进行回收再生利用，进而可有效地降低生产成本，且可防止废光刻胶对环境造成污染。

图2为本发明一实施例的废光刻胶回收再生方法的流程图。在本实施例的废光刻胶回收再生方法中，可采用图1的废光刻胶回收再生系统100来进行废光刻胶的回收再生利用，但本发明并不以此为限。

请参照图2，进行步骤S100，对废光刻胶进行中和处理，可将废光刻胶的酸碱值调整为趋近于中性。废光刻胶在进行中和处理之后可成为片状。废光刻胶例如是源自于图1中的废光阻源108。中和处理包括进行步骤S102，添加酸，以对废光刻胶进行中和。酸例如是硫酸或醋酸等有机酸类。中和处理后的废光刻胶的酸碱值例如是小于7.5。中和处理还包括进行步骤S104，对废光刻胶进行搅拌。

进行步骤S110，对中和处理后的废光刻胶进行脱水处理。脱水处理包括挤压、烘干、吹干、吸湿或滤干等物理性脱水处理或使用化学药水进行脱水处理。在此实施例中，脱水处理是以进行挤压处理(步骤S112)与烘干处理(S114)为例来进行说明，但本发明并不以此为限。举例来说，脱水处理可包括以下步骤。可先进行步骤S112，对中和处理后的废光刻胶进行挤压处理。接着，进行步骤S114，对挤压处理后的废光刻胶进行烘干处理。烘干处理可包括烘烤步骤。

进行步骤S120，对脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。乙酰化高分子例如是丙烯酸类树脂(acrylic resin)。乙酰化处理包括在存在催化剂的环境下，使用酸与酸酐对经脱水处理后的废光刻胶进行乙酰化。在乙酰化处理中，酸例如是醋酸，酸酐例如是醋酸酐或利用五氧化二磷等脱水剂所制作的酸酐，且催化剂例如是氧金属错合物或是其他反应触媒。

可选择性地进行步骤S130，对乙酰化高分子进行纯化处理。举例来说，在纯化处理中，可通过沉淀、过滤、分馏萃取或洗涤萃取等处理对乙酰化高分子进行纯化。

基于上述实施例可知，由于废光刻胶回收再生方法可对废光刻胶进行中和、脱水与乙酰化处理，而获得能够再利用的乙酰化高分子。因此，废光刻胶回收再生方法能够有效地将废光刻胶进行回收再生利用，进而可有效地降低生产成本，且可防止废光刻胶对环境造成污染。

综上所述，通过上述实施例的废光刻胶回收再生系统与方法，能够有效地回收再生废光刻胶，因此除了可有效地降低生产成本，还可防止废光刻胶对环境造成污染。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种废光刻胶回收再生系统，其特征在于，包括：

中和装置，用于对废光刻胶进行中和处理；

脱水装置，连通至所述中和装置，且用于对所述中和处理后的所述废光刻胶进行脱水处理；以及

乙酰化装置，连通至所述脱水装置，且用于对所述脱水处理后的所述废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。

2.根据权利要求1所述的废光刻胶回收再生系统，其特征在于，所述中和装置包括：

中和处理槽，用于容置所述废光刻胶；以及

酸添加装置，连通至所述中和处理槽。

3.根据权利要求2所述的废光刻胶回收再生系统，其特征在于，所述中和装置还包括搅拌装置，设置于所述中和处理槽中。

4.根据权利要求1所述的废光刻胶回收再生系统，其特征在于，所述乙酰化装置包括：

乙酰化处理槽，用于容置所述脱水处理后的所述废光刻胶；

酸添加装置，连通至所述乙酰化处理槽；

酸酐添加装置，连通至所述乙酰化处理槽；以及

催化剂添加装置，连通至所述乙酰化处理槽。

5.根据权利要求1所述的废光刻胶回收再生系统，其特征在于，还包括纯化装置，连通至所述乙酰化装置，且用于纯化所述乙酰化高分子。

6.一种废光刻胶回收再生方法，其特征在于，包括：

对废光刻胶进行中和处理；

对所述中和处理后的所述废光刻胶进行脱水处理；以及

对所述脱水处理后的所述废光刻胶进行乙酰化处理，而获得乙酰化高分子。

7.根据权利要求6所述的废光刻胶回收再生方法，其特征在于，所述中和处理包括添加酸，以对所述废光刻胶进行中和。

8.根据权利要求7所述的废光刻胶回收再生方法，其特征在于，所述中和处理还包括对所述废光刻胶进行搅拌。

9.根据权利要求6所述的废光刻胶回收再生方法，其特征在于，所述乙酰化处理包括在存在催化剂的环境下，使用酸与酸酐对所述脱水处理后的所述废光刻胶进行乙酰化。

10.根据权利要求6所述的废光刻胶回收再生方法，其特征在于，还包括对所述乙酰化高分子进行纯化处理。