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CN108054184B - 一种阵列基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及制备方法、显示装置 Download PDF

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CN108054184B CN201711316469.6A CN201711316469A CN108054184B CN 108054184 B CN108054184 B CN 108054184B CN 201711316469 A CN201711316469 A CN 201711316469A CN 108054184 B CN108054184 B CN 108054184B
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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够提高发光功能层的均匀性。该阵列基板包括设置于衬底基板上用于界定亚像素发光区的像素定义层，像素定义层在亚像素发光区的位置处为镂空，在镂空内设置有发光功能层；像素定义层在位于镂空的侧面具有凸起结构。

Description

一种阵列基板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。
如图1a和图1b(图1a沿O-O’位置的剖面示意图)所示，现有技术中，OLED显示器在制作中一般通过在设置有像素定义层200的衬底基板100上，通过喷墨打印的方式将墨水打印至像素定义层200中对应亚像素发光区P中，然后通过后续的干燥等工艺除去多余的溶剂以形成有机发光功能层。
然而，由于亚像素发光区呈长方形，这样一来，对打印至像素定义层中对应亚像素的发光区中墨水在同一干燥工艺下进行干燥过程中，位于亚像素的发光区中墨水沿长边和短边方向上的表面张力分布和迁移距离存在较大的差异，使得在干燥后形成的膜层的形貌(厚度)不均匀，进而导致对显示器的寿命、显示效果等性能造成不良影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，能够提高发光功能层的均匀性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例一方面提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板上用于界定亚像素发光区的像素定义层，所述像素定义层在所述亚像素发光区的位置处为镂空，在所述镂空内设置有发光功能层；所述像素定义层在位于所述镂空的侧面具有凸起结构。
进一步优选的，所述像素定义层包括层叠设置的第一像素定义层和第二像素定义层，所述第二像素定义层位于所述第一像素定义层背离所述衬底基板的一侧；所述像素定义层上的镂空包括：位于所述第一像素定义层上的第一镂空和位于所述第二像素定义层上的第二镂空；所述第二镂空露出第一像素定义层中位于所述第一镂空边缘一周的部分；所述第一镂空和所述第二镂空均具有相对设置的两个长边和相对设置的两个短边。
进一步优选的，所述第一像素定义层具有亲液性，所述第二像素定义层背离所述衬底基板一侧的第一表面具有疏液性，所述第二像素定义层从所述第一表面朝向所述衬底基板一侧延伸的部分具有亲液性。
进一步优选的，所述凸起结构位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的侧面。
进一步优选的，所述凸起结构位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的至少一组对边的侧面。
进一步优选的，位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的一组对边的侧面的所述凸起结构正对设置。
进一步优选的，所述像素定义层在具有所述凸起结构的侧面呈折线型曲面或弧线型曲面。
本发明实施例另一方面还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板。
本发明实施例再一方面还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成界定薄膜层，通过构图工艺在所述界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处形成镂空，并且在所述界定薄膜层对应镂空的侧面位置形成凸起结构，以形成该阵列基板的像素定义层；采用喷墨打印的方式在形成有所述像素定义层的衬底基板上、位于所述镂空内形成发光功能层。
进一步优选的，所述在衬底基板上形成界定薄膜层，通过构图工艺在所述界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处形成镂空，并且在所述界定薄膜层对应镂空的侧面位置形成凸起结构包括：在衬底基板上依次形成第一界定薄膜层和第二界定薄膜层，通过构图工艺在所述第一界定薄膜层和所述第二界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处分别形成第一镂空和第二镂空，并在所述第二界定薄膜层对应所述第二镂空的侧面位置形成所述凸起结构；其中，所述第二镂空露出所述第一界定薄膜层中位于所述第一镂空边缘一周的部分。
本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，该阵列基板包括设置于衬底基板上用于界定亚像素发光区的像素定义层，像素定义层在亚像素发光区的位置处为镂空，且在镂空内设置有发光功能层；并且像素定义层在位于镂空的侧面具有凸起结构。
本发明中通过在像素定义层位于镂空(也即亚像素发光区)的侧面设置凸起结构，这样一来，采用喷墨打印工艺在镂空内形成发光功能层时，位于镂空侧面的凸起结构能够调整打印至镂空区中墨水的表面张力，也即能够根据实际的需求，通过在镂空部侧面设置凸起结构能够对亚像素发光区中墨水的表面张力进行重新分布，从而实现对亚像素发光区内薄膜干燥过程中溶质迁移的受力分布进行调整的目的，继而通过合理优化的干燥工艺，提高了有机发光膜层的成膜均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图1b为图1a沿O-O’位置的剖面示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板中像素定义层的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的剖面示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板中像素定义层的平面示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板制备方法流程图。
附图标记：
10-镂空；20-发光功能层；100-衬底基板；101-第一镂空；102-第二镂空；200-像素定义层；201-第一像素定义层；202-第二像素定义层；300-凸起结构；P-亚像素发光区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括设置于衬底基板100上用于界定亚像素发光区P的像素定义层(Pixel Define Layer，PDL)200，当然，该像素定义层也可称为像素界定层；像素定义层200在亚像素发光区P的位置处为镂空10(也可称之为开口)，并且在镂空10内设置有发光功能层20；当然，图2中仅是示意的画出了一个镂空内的发光功能层20，应当理解到，实际的阵列基板中每一镂空内均设置有发光功能层。
另外，如图3(阵列基板的平面示意图)所示，像素定义层200在位于镂空10的侧面具有凸起结构300。
其中，一般的，如图3所示，亚像素发光区P呈近似的矩形结构，具有一组相对设置的长边和一组相对设置的短边；基于此，像素定义层200中的镂空10也同样呈近似的矩形结构。
本发明中通过在像素定义层位于镂空(也即亚像素发光区)的侧面设置凸起结构，这样一来，采用喷墨打印工艺在镂空内形成发光功能层时，位于镂空侧面的凸起结构能够调整打印至镂空区中墨水的表面张力，也即能够根据实际的需求，通过在镂空部侧面设置凸起结构能够对亚像素发光区中墨水表面张力进行重新分布，从而实现对亚像素发光区内薄膜干燥过程中溶质迁移的受力分布进行调整的目的，继而通过合理优化的干燥工艺，提高了有机发光膜层的成膜均匀性。
此处需要说明的是，第一，上述有发光功能层可以是有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)中的有机电致发光层，也可以是量子点中的发光层，本发明对此不作限定，只要该有发光功能层采用喷墨打印的方式形成即可。另外，对于有发光功能层而言，一般为多层结构，该多层结构中一层或多层采用喷墨打印的方式形成的情况均适用本发明的方案。
其中，以该发光功能层为OLED层为例，也即该阵列基板为OLED阵列基板，对于本发明而言，该OLED阵列基板可以是顶发射型，也可以是底发射型，当然还可以是双面发射型，本发明对此不作具体限定；当然对于OLED阵列基板还应当理解到，一般在发光功能层的两侧设置有电极，来驱动其发光，本发明中的附图中均省略而未示出。
第二，上述位于像素定义层在位于镂空的侧面具有凸起结构，可以如图3中示出的，该凸起结构300为圆形凸起，也可以是如图4中示出的，该凸起结构300为三角形凸起，当然，还可以是其他形状的凸起；本发明中对凸起结构的具体形状、大小不作限定，实际中可以在像素定义层在位于镂空的侧面设置一种或多种形状的凸起结构。
当然，在实际的制作中，可以将像素定义层在具有凸起结构的侧面设置为图5中示出的弧线型曲面，也可以设置为图6中示出的折线型曲面；当然，也可以部分侧面呈弧线型曲面，部分侧面呈折线型曲面，实际中可以根据需要选择设置，本发明对此均不作限定，以下实施例均是以将像素定义层在具有凸起结构的侧面为弧线型曲面为例对本发明做进一步的说明。
其中，图3至图6仅是以像素定义层中一个亚像素发光区P为例对凸起结构300的设置进行说明的，应当理解到，在阵列基板上一般设置有成矩阵排列的多个亚像素发光区P，当然，像素定义层中不同位置对应多个亚像素发光区P(镂空10)的侧面可以根据实际的需要设置凸起结构，例如可以在位于阵列基板中间区域的亚像素发光区P的侧面可以设置较多的凸起结构，对于外围区域的亚像素发光区P的侧面可以设置较少的凸起结构或者不设置凸起结构；本发明对此不作具体的限定，实际中可以根据具体的需求选择设置凸起结构。
在此基础上，以下对上述像素定义层的具体设置情况，做进一步的说明。
如图7所示，一般优选的设置像素定义层200包括层叠设置的第一像素定义层201和第二像素定义层202，第二像素定义层202位于第一像素定义层201背离衬底基板100的一侧；像素定义层200上的镂空10包括：位于第一像素定义层201上的第一镂空101(也可称为第一开口)和位于第二像素定义层202上的第二镂空102(也可称为第二开口)；并且结合图7和图8所示，第二像素定义层202上的第二镂空102露出第一像素定义层201中位于第一镂空101边缘一周的部分。
当然，如前述在镂空10呈近似的矩形结构的情况下，第一镂空101和第二镂空102也近似呈矩形结构，同样具有相对设置的两个长边和相对设置的两个短边，且两者共中心，其中，第一像素定义层201中第一镂空101一般呈圆角矩形；另外，第二像素定义层202也可以称为挡墙(Bank)层，以容纳具有流动性的墨水，实际中，第二像素定义层202的厚度要远大于第一像素定义层201的厚度，其厚度一般可达到1μm～2μm。
更进一步的，实际中，为了防止形成发光功能层的墨水在相邻的亚像素发光区互流而串色，同时保证部分稍微偏离下落轨迹的墨滴同样能够滚落入到相应的亚像素发光区内，优选的，参考图7，可以设置第一像素定义层201具有亲液性，第二像素定义层202背离衬底基板100一侧的第一表面M具有疏液性，第二像素定义层202从第一表面M朝向衬底基板100一侧延伸的部分具有亲液性。
更进一步优选的，如图8所示，将凸起结构300设置于第二像素定义层202在第二镂空的侧面，以便有效的调整打印至镂空区中墨水的表面张力分布。
以下结合上述的优选的像素定义层的设置方式，对发光功能层的形成过程以及相应的效果做进一步的说明。
在实际的制作中，采用喷墨打印的方式将发光功能层的墨水打印至镂空内，并且在打印刚结束时，墨水量较多，墨滴高出挡墙(第二像素定义层)很多(可参考图1b)，随着后续的干燥过程，墨滴中溶剂不断挥发，墨水量减少，墨滴与挡墙的原有接触界面因咖啡效应产生钉扎现象(Pin Point)通常维持不变，仍固定在挡墙的疏液和亲液界面的分界线处，最终导致形成的干燥后的薄膜(发光功能层)形貌有严重的边缘攀爬现象，即边缘厚，具体可参考图7中示出的发光功能层20与第二像素定义层202的接触边缘E位置处。
基于此，由于发光功能层在边缘部分厚度相比于中间区中的厚度较大，从而使得整个发光功能层的出光均匀性受到影响，如前述优选的设置方式，本发明中通过设置第二像素定义层202上的第二镂空102露出第一像素定义层201中位于第一镂空101边缘一周的部分，也即发光功能层20在边缘的位置会覆盖第一像素定义层101中位于第一镂空边缘一周的部分；应当理解到第一像素定义层201为绝缘层，这样一来，参考图7，在将发光功能层的墨水打印至镂空内时，第一像素定义层201中位于第一镂空101边缘一周的部分能够对边缘位置的发光功能层进行隔离，使得该边缘位置的较厚的膜层不发光，从而降低了发光功能层的出光不均匀的现象。
当然，此处应当理解到，在上述设置情况下该阵列基板中的亚像素发光区实际为第一镂空所在的区域，也即实际的亚像素发光区由第一像素定义层进行界定。
另外，以下对通过凸起结构来改善亚像素发光区中墨水表面张力的均匀性，以提高了有机发光膜层的成膜均匀性的相关内容做进一步的说明。
由于亚像素发光区一般为矩形(包括一组长边和一组短边)，也即通过在像素定义层上的镂空内形成的有机发光膜也同样呈矩形，这样一来，当采用喷墨打印的方式将发光功能层的墨水打印至镂空内后，在后续干燥过程中镂空内墨滴内部因马兰戈尼效应(Marangoni effect)使得不同部分(长边和短边)的表面张力存在梯度差异，从而使得溶质的移动速度具有差异，进而导致干燥后发光功能层不同位置的膜层厚度不均一。
具体的，镂空的长边和短边的形貌差距较大的现象(亚像素的形状决定的)，从而使得在同一干燥过程中，位于镂空内的墨滴沿长边方向和沿短边方向上的表面张力存在较大差异，进而导致在随着墨滴内溶剂蒸发过程中，溶质在沿长边方向和短边方向上的迁移距离以及迁移速度不同，造成干燥后发光功能层在沿长边方向和短边方向上厚度不均匀，其截面一般呈U型(中间薄两侧厚)或W型(中间和两侧厚，位于中间和两侧之间的区域薄)，现有技术中尽管可以调整干燥工艺，但是均无法同时保证发光功能层在沿长边方向和短边方向上膜层厚度同时达到均匀性。
基于上述，示意的参考图8，通过在第二像素界定层202位于第二镂空102的侧面设置具有凸起结构的弧线型曲面，从而使得墨滴在凸起结构处的表面张力的合力指向背离亚像素发光区P的一侧，例如图8中示出的表面张力F1和F2的合力F，当然此处仅是示意的说明，实际中墨滴在凸起结构处的表面张力不绝对只有F1和F2；这样一来，通过在第二像素界定层位于第二镂空的长边和/或短边的侧面设置凸起结构，能够调整墨滴的表面张力均匀性，以实现在某特定(合理优化)干燥工艺条件下达到亚像素区内各处的膜厚相同，进而提高发光功能层在沿长边方向和短边方向上膜层厚度均匀性。
在此基础上，为了进一步有效的调整墨滴的表面张力均匀性，本发明优选的，如图8所示，凸起结构300位于第二像素定义层202在第二镂空102的至少一组对边的侧面，从而能够通过在两个对边上的凸起结构，共同对调整墨滴的表面张力，进而使得墨滴的表面张力更为均匀。
其中，图8是以凸起结构300位于第二像素定义层202在第二镂空102的一组长边的侧面；当然，凸起结构300也可以位于第二像素定义层202在第二镂空102的一组短边的侧面；还可以在第二像素定义层202在第二镂空102的一组长边和一组短边均设置凸起结构300，当然，在此情况下，可以设置一组长边的凸起结构300和一组短边均设置凸起结构300形状、大小不一致。
更进一步的，为了使得镂空内的墨滴的在沿一组对边(一组长边或一组短边)的正对位置，在凸起结构300的作用下，受到更大的向外侧(背离像素发光区内部)的表面张力，以便能够更有效的调整墨滴的表面张力的均匀性，本发明优选的，如图8所示，位于第二像素定义层202在第二镂空102的一组对边的侧面的凸起结构300正对设置，这样一来，能够使得镂空内的墨滴在正对设置的凸起结构的作用下，受到较大的向外侧的表面张力，也即第二像素定义层在该正对设置凸起结构的位置能够有效的牵拉液体向边缘靠近的趋势，继而可以增大薄膜在该对边方向的平坦度。
示意的，如图8中示出的，在第二像素定义层202在第二镂空102的一组长边的侧面设置具有适当的凸起结构的弧线型曲面，打印的墨滴在第二像素定义层中凸起结构的正对位置处，墨滴与第二像素定义层的界面张力合力方向指向像素外侧，从而可以增大功能发光层在沿短边方向的平坦度；而对于一组短边而言，可以不设置凸起结构，保证在该方向上墨滴界面张力的合力为零，未产生向内或向外的牵引力。
在此基础上，考虑到亚像素的实际排布，对于上述凸起结构沿一组对边的正对的情况下，本发明优选的，如图9所示，可以将相邻的亚像素发光区P沿行方向上错位设置，也即第二像素定义层在相邻的两个第二镂空的相邻侧面的凹凸变化趋势相反，以使得相邻的亚像素发光区P之间的间距基本保持一致，从而避免相邻的亚像素发光区P中的墨水之间发生混色。
其中，图9仅是示意的以阵列基板上的红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三个亚像素发光区为例进行说明的；并且图9示出的阵列基板中像素电路与亚像素发光区不重叠(也即，两者在衬底基板上的投影不重叠)分布，也即该阵列基板为底发射型；当然，该阵列基板也可以为顶发射型，将像素电路设置与亚像素发光区的靠近衬底基板的背面(也即，两者在衬底基板上的投影重叠)；本发明对此均不做限定。
另外，实际中，也可以将位于第二像素定义层202在第二镂空102的一组对边的侧面的凸起结构300错位设置，从而能够均匀分散的对镂空内墨滴的表面张力进行调整，本发明对此不作具体限定。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板，该显示装置具有与前述实施例提供的阵列基板相同的有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置可以为：电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，如图10所示，该制备方法包括：
步骤S101、在衬底基板上形成界定薄膜层，通过构图工艺在界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处形成镂空，并且在界定薄膜层对应镂空的侧面位置形成凸起结构，以形成该阵列基板的像素定义层。
此处应当理解到，上述衬底基板并不绝对是指单独的衬底基板，在形成界定薄膜层以前，在衬底基板上还形成有栅线，数据线、像素电路阵列、电极等器件，此处不作一一赘述。
具体的，以下示意的提供一种优选的步骤S101的具体过程。
该步骤可以包括：先在包括栅线，数据线、像素电路阵列、电极等器件衬底基板上依次形成第一界定薄膜层和第二界定薄膜层，其中，第一界定薄膜层厚度较小、且具为亲液性，一般采用二氧化硅、氮氧化硅等材料形成；第二界定薄膜层背离衬底基板一侧的表面具有疏液性，从该表面朝向衬底基板一侧延伸的部分具有亲液性。
然后，可参考图7和图8，通过构图工艺(可以是两次)，在第一界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处形成第一镂空(也即形成第一像素定义层201)，在第二界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处形成第二镂空，同时在第二镂空的侧面位置形成凸起结构(也即形成第二像素定义层202)；其中，第二界定薄膜层(第二像素定义层202)中的第二镂空102露出第一界定薄膜层(第一像素定义层201)中位于第一镂空101边缘一周的部分。
第一像素定义层201和第二像素定义层202整体构成了该阵列基板的像素定义层200。
步骤S102、采用喷墨打印的方式在形成有像素定义层的衬底基板上、位于镂空内形成发光功能层。
具体的，通过喷墨打印的方式将形成发光功能层的墨水打印至镂空(第一镂空和第二镂空)中，并通过干燥工艺进行干燥，以形成发光功能层。
综上，本发明采用喷墨打印工艺在镂空内形成发光功能层，此时位于镂空侧面的凸起结构能够调整打印至镂空区中墨水的表面张力，也即能够根据实际的需求，通过在镂空部侧面设置凸起结构能够对亚像素发光区中墨水表面张力进行重新分布，从而实现对亚像素发光区内薄膜干燥过程中溶质迁移的受力分布进行调整的目的，继而通过合理优化的干燥工艺，提高了有机发光膜层的成膜均匀性。
此处需要说明的，本发明中的构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
另外，关于方法实施例中的相关设置以及对应效果，在前述阵列基板结构中已经进行了详细说明，具体可以对应参考前述阵列基板结构中的相关说明，此处不再一一赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括设置于衬底基板上用于界定亚像素发光区的像素定义层，所述像素定义层在所述亚像素发光区的位置处为镂空，其特征在于，在所述镂空内设置有发光功能层；
所述像素定义层在位于所述镂空的侧面具有凸起结构；其中，所述像素定义层包括层叠设置的第一像素定义层和第二像素定义层，所述第二像素定义层位于所述第一像素定义层背离所述衬底基板的一侧；
所述像素定义层上的镂空包括：位于所述第一像素定义层上的第一镂空和位于所述第二像素定义层上的第二镂空；所述第二镂空露出第一像素定义层中位于所述第一镂空边缘一周的部分；
所述第一镂空和所述第二镂空均具有相对设置的两个长边和相对设置的两个短边；
所述第二像素定义层在相邻的两个第二镂空的相邻侧面的凹凸变化趋势相反。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一像素定义层具有亲液性，所述第二像素定义层背离所述衬底基板一侧的第一表面具有疏液性，所述第二像素定义层从所述第一表面朝向所述衬底基板一侧延伸的部分具有亲液性。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述凸起结构位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的侧面。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述凸起结构位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的至少一组对边的侧面。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
位于所述第二像素定义层在所述第二镂空的一组对边的侧面的所述凸起结构正对设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层在具有所述凸起结构的侧面呈折线型曲面或弧线型曲面。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底基板上依次形成第一界定薄膜层和第二界定薄膜层，通过构图工艺在所述第一界定薄膜层和所述第二界定薄膜层对应亚像素发光区的位置处分别形成第一镂空和第二镂空，并在所述第二界定薄膜层对应所述第二镂空的侧面位置形成凸起结构，以形成该阵列基板的像素定义层；其中，所述第二镂空露出所述第一界定薄膜层中位于所述第一镂空边缘一周的部分，所述第一镂空和所述第二镂空均具有相对设置的两个长边和相对设置的两个短边；所述第二界定薄膜层在相邻的两个第二镂空的相邻侧面的凹凸变化趋势相反；
采用喷墨打印的方式在形成有所述像素定义层的衬底基板上、位于镂空内形成发光功能层。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
WO2018036542A1 (zh) * 2016-08-26 2018-03-01 纳晶科技股份有限公司 发光器件的制作方法、发光器件及混合发光器件
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
CN107425045A (zh) * 2017-09-18 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法
CN109148538A (zh) 2018-08-27 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制造方法
CN110265452B (zh) * 2019-06-25 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN110350009B (zh) * 2019-07-04 2022-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法和显示面板
KR20210018588A (ko) * 2019-08-05 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110534551B (zh) * 2019-08-30 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111223903A (zh) * 2019-12-02 2020-06-02 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制造方法以及显示装置
CN111477661B (zh) * 2020-04-16 2023-04-14 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN112420795A (zh) * 2020-11-18 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN114220836B (zh) * 2021-12-13 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN116546853A (zh) * 2023-05-19 2023-08-04 苏州清越光电科技股份有限公司 Oled显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622706A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 精工爱普生株式会社 电光器件、半导体器件、电光器件衬底及其制造方法
JP2007103032A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
CN107425045A (zh) * 2017-09-18 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR100686341B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
CN102132630B (zh) * 2009-11-11 2014-11-12 松下电器产业株式会社 有机el元件及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622706A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 精工爱普生株式会社 电光器件、半导体器件、电光器件衬底及其制造方法
JP2007103032A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
CN107425045A (zh) * 2017-09-18 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法

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