CN105280234B - 一种闪存控制芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，增加了闪存控制芯片的使用寿命。

Description

一种闪存控制芯片

技术领域

本发明涉及电子信息领域，特别是涉及一种闪存控制芯片。

背景技术

闪存(Flash Memory，简称flash)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，

随着越来越多深亚微米工艺的新型号flash闪存的出现，flash内部的升压电路成为了flash中越来越脆弱的部分，由于其出现问题导致的整片flash无法工作的情况的比例也越来越高，而且随着flash使用时间的增加，增加升压电路的输出电压对flash寿命的延长有非常直接的作用，但flash内部固定不变的输出电压会导致越来越多flash单元的寿命提前终结。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种闪存控制芯片，可以辅助闪存控制芯片实现升压。

为实现上述目的，本发明提供了一种闪存控制芯片，包括：

辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压。优选地，所述辅助升压电路模块包括：

初始输出电压值确定子模块，用于确定需要为所述闪存控制芯片提供的初始输出电压值；

输出电压值调整子模块，用于根据所述闪存控制芯片的使用时长调整所述初始输出电压，得到需要为所述闪存控制芯片提供的目标输出电压；

升压子模块，用于使用所述目标输出电压为所述闪存控制芯片升压。

应用本发明提供的一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，增加了闪存控制芯片的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种闪存控制芯片实施例的结构示意图；

图2为本发明一种闪存控制芯片实施例的详细结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种闪存控制芯片，图1示出了本发明闪存控制芯片的结构示意图，包括：

辅助升压电路模块101，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压。如图2所示，具体地，所述辅助升压电路模块可包括：

初始输出电压值确定子模块201，用于确定需要为所述闪存控制芯片提供的初始输出电压值；

输出电压值调整子模块202，与所述初始输出电压确定子模块201相连接，用于根据所述闪存控制芯片的使用时长调整所述初始输出电压，得到需要为所述闪存控制芯片提供的目标输出电压；

升压子模块203，与所述输出电压值调整子模块202相连接，用于使用所述目标输出电压为所述闪存控制芯片升压。

闪存控制芯片使用时间长了擦除次数增多，在芯片中有相应记录，辅助升压电路模块可以随着记录的闪存控制芯片的使用时长动态调整和升高输出电压值，可利用损耗均衡算法调整确定输出电压值。

应用本实施例提供的一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，用于根据目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，并且辅助升压电路模块可以根据闪存控制芯片使用时间的不断增加动态地调整自身输出电压值，增加了闪存控制芯片的使用寿命，

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统类实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的闪存控制芯片进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (1)

1.一种闪存控制芯片，其特征在于，包括：

辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压；

其中，所述辅助升压电路模块包括：

初始输出电压值确定子模块，用于确定需要为所述闪存控制芯片提供的初始输出电压值；

输出电压值调整子模块，用于根据所述闪存控制芯片的使用时长调整所述初始输出电压，得到需要为所述闪存控制芯片提供的目标输出电压；

升压子模块，用于使用所述目标输出电压为所述闪存控制芯片升压。