[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN104749886B - 硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置 - Google Patents

硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104749886B
CN104749886B CN201410705160.6A CN201410705160A CN104749886B CN 104749886 B CN104749886 B CN 104749886B CN 201410705160 A CN201410705160 A CN 201410705160A CN 104749886 B CN104749886 B CN 104749886B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chemical formula
layer
group
hardmask composition
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410705160.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104749886A (zh
Inventor
朴裕信
金润俊
文俊怜
朴惟廷
宋炫知
辛乘旭
尹龙云
李忠宪
崔有廷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN104749886A publication Critical patent/CN104749886A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104749886B publication Critical patent/CN104749886B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D165/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/13—Morphological aspects
    • C08G2261/135—Cross-linked structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
    • C08G2261/1422—Side-chains containing oxygen containing OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/314—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene
    • C08G2261/3142—Condensed aromatic systems, e.g. perylene, anthracene or pyrene fluorene-based, e.g. fluorene, indenofluorene, or spirobifluorene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/34—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating partially-aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/342—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating partially-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
    • C08G2261/3424—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating partially-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms non-conjugated, e.g. paracyclophanes or xylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/70—Post-treatment
    • C08G2261/76—Post-treatment crosslinking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。[化学式1a]
Figure DDA0000618421960000011
[化学式1b]
Figure DDA0000618421960000012
[化学式1c]
Figure DDA0000618421960000013
[化学式2]
Figure DDA0000618421960000014
在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。

Description

硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置
相关申请案的交叉引用
本申请主张2013年12月31日在韩国知识产权局提出的韩国专利申请案第10-2013-0169260号的优先权和权益，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种硬掩模组合物、一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法以及一种包含所述图案的半导体集成电路装置。
背景技术
最近，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米尺寸的图案的超精细技术。这种超精细技术主要需要有效的光刻技术。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；曝光且显影光刻胶层以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料层。如今，由于待形成的图案尺寸较小，仅仅通过上述典型的光刻技术难以得到具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光刻胶层之间形成被称作硬掩模层的层来得到精细图案。硬掩模层起到中间层的作用，用于通过选择性蚀刻工艺将光刻胶的精细图案转移到材料层。因此，需要硬掩模层具有例如耐热性和抗蚀刻性等特征以使其在多种蚀刻工艺期间耐受。另一方面，最近已提出通过以旋涂法代替化学气相沉积来形成硬掩模层。旋涂法易于执行并且还可改良间隙填充特征和平坦化特征。旋涂法可使用对于溶剂具有可溶性的硬掩模组合物。然而，硬掩模层所需的以上特征与可溶性相抵触，因此需要满足这两者的硬掩模组合物。
发明内容
本发明的一个实施例提供了在确保对于溶剂具有可溶性、间隙填充特征以及平坦化特征的同时满足耐热性和抗蚀刻性的一种硬掩模组合物。
另一实施例提供了一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。
另一实施例提供了一种包含通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
根据一个实施例，提供了一种硬掩模组合物，其包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。
[化学式1a]
Figure BDA0000618421940000021
[化学式1b]
Figure BDA0000618421940000022
[化学式1c]
Figure BDA0000618421940000023
[化学式2]
Figure BDA0000618421940000024
在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，
R1a和R1b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代两个氢原子所形成的键联基团；
R4a和R4b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代一个氢原子所形成的取代基；
R2a、R2b、R5a和R5b独立地为选自氢、羟基、胺基、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C10芳基、经取代或未经取代的C1到C10烯丙基和卤素的一个；以及
R3选自以下族群2。
[族群1]
Figure BDA0000618421940000031
在族群1中：
M1和M2独立地为氢、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、卤素、含卤素的基团、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基或其组合。
在族群1中，每个环的每个键联位置是不受特定限制的。
[族群2]
Figure BDA0000618421940000032
聚合物可进一步包含由以下化学式3表示的部分。
[化学式3]
＊——R6——R7——＊
在上述化学式3中，
R6为选自族群1的一个；以及
R7为选自族群2的一个。
聚合物可具有约1,000到约200,000的重量平均分子量。
聚合物与单体的重量比可为聚合物∶单体＝约9∶1到约1∶9。
以100重量份溶剂计，聚合物和单体的量可占约5重量份到约100重量份。
溶剂可包含选自丙二醇单甲基醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl etheracetate，PGMEA)、丙二醇单甲基醚(propylene glycol monomethylether，PGME)、环己酮和乳酸乙酯的至少一个。
硬掩模组合物可进一步包含交联剂。
根据另一实施例，形成图案的方法包含：在衬底上提供材料层；在材料层上涂覆硬掩模组合物以形成硬掩模层；热处理硬掩模组合物以形成硬掩模层；在硬掩模层上形成含硅薄层；在含硅薄层上形成光刻胶层；曝光且显影光刻胶层以形成光刻胶图案；使用光刻胶图案选择性地去除含硅薄层和硬掩模层以暴露材料层的一部分；以及蚀刻材料层的暴露部分。
可使用旋涂法来涂覆硬掩模组合物。
形成硬掩模层的工艺可包含约100℃到约500℃的热处理。
所述方法可进一步包含在含硅薄层上形成底部抗反射涂层(bottomantireflective coating，BARC)。
含硅薄层可包含氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)、氮化硅(siliconnitride，Si3N4)或其组合。
根据另一实施例，提供了包含多个通过所述形成图案的方法所形成的图案的半导体集成电路装置。
可改良硬掩模层所需的特征，例如耐热性、抗蚀刻性、平坦化特征和间隙填充特征。
附图说明
图1为表明平坦化特征的高度h1与高度h2之间的差异的剖面图。
具体实施方式
下文将详细描述本发明的例示性实施例，且其可由本领域技术人员容易地执行。然而，本发明可用多种不同形式实施，且不应理解为受限于本文所阐述的例示性实施例。
未另外提供定义时，如本文所使用，术语“经取代”可指经选自以下的取代基代替化合物的氢原子：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、甲脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳烷基、经取代或未经取代的C1到C20烷基硼烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基硼烷基、Cl到C4烷氧基、C1到C20杂烷基、C3到C20杂芳基烷基、C3到C30环烷基、C3到C15环烯基、C6到C15环炔基、C2到C30杂环烷基以及其组合。
未另外提供定义时，如本文所使用，术语“杂”是指包含1到3个选自B、N、O、S和P的杂原子。
未另外提供定义时，如本文所使用，＊可表示化合物中用以键连的点。
下文描述了根据一个实施例的硬掩模组合物。
根据一个实施例的硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。
[化学式1a]
Figure BDA0000618421940000051
[化学式1b]
Figure BDA0000618421940000061
[化学式1c]
Figure BDA0000618421940000062
[化学式2]
Figure BDA0000618421940000063
在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，
R1a和R1b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代两个氢原子所形成的键联基团；
R4a和R4b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代一个氢原子所形成的取代基；
R2a、R2b、R5a和R5b独立地为选自氢(-H)、羟基(-OH)、胺基(-NH2)、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C10芳基、经取代或未经取代的C1到C10烯丙基和卤素的一个；以及
R3选自以下族群2。
[族群1]
Figure BDA0000618421940000071
在族群1中，M1和M2独立地为氢、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、卤素、含卤素的基团、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基或其组合。
在族群1中，每个环的每个键联位置是不受特定限制的。
[族群2]
Figure BDA0000618421940000072
由上述化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分具有芳香环，且硬掩模组合物包含具有所述部分的聚合物并且因此可确保刚性特征。
硬掩模组合物包含通过掺合包含由上述化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分的聚合物与由上述化学式2表示的单体所获得的化合物。因此，硬掩模组合物可具有令人满意的耐热性与抗蚀刻性以及稳定的可溶性、间隙填充特征和平坦化特征。
由上述化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分和由上述化学式2表示的单体均具有芴主链。换句话说，硬掩模组合物包含通过掺合彼此具有类似结构的聚合物与单体所获得的化合物。因此，所述化合物可减弱聚合物与单体之间的排斥力和差异感且帮助聚合物和单体很好地分散在组合物中，并且因此弥补每个部分的缺点且确保极佳的间隙填充特征和平坦化特征。此外，掺合以这种方式具有类似结构的聚合物和单体，且因此可将归因于聚合物和单体固有特征的掺合材料的特征变化降到最小。
在上述化学式1a到化学式1c以及化学式2中，R2a、R2b、R5a和R5b表示在芴主链中取代的取代基。取代基的位置和数目无限制，且可适当地调整取代基的位置和数目以控制特性。
如上所述，聚合物可包含多个由上述化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分，所述多个部分可具有相同结构或不同结构。举例来说，聚合物可包含由上述化学式1a和化学式1b表示的部分。举例来说，聚合物可包含两个不同的由上述化学式1a表示的部分。
聚合物可进一步包含由以下化学式3表示的部分。
[化学式3]
＊——R6——R7——＊
在上述化学式3中：
R6为选自族群1的一个；以及
R7为选自族群2的一个。
当聚合物包含由上述化学式3表示的部分时，由上述化学式1a到化学式1c中的一个以及上述化学式3表示的部分在它们的排列顺序和重量比方面无特定限制。
举例来说，可按在所要的聚合物重量平均分子量范围内的适当摩尔比来使用聚合物中由上述化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分和由上述化学式3表示的部分。举例来说，聚合物可具有约1,000到约200,000的重量平均分子量。
聚合物可包含多个由上述化学式3表示的部分，且所述部分可具有相同结构或不同结构。
另一方面，可例如以约9∶1到约1∶9且具体地说以约7∶3到约3∶7的重量比来使用聚合物和单体，但重量比不限于此。
硬掩模组合物中的溶剂可为足够溶解或分散单体和聚合物的任何物质，且可为例如选自丙二醇(propylene glycol)、丙二醇二乙酸酯(propylene glycol diacetate)、甲氧基丙二醇(methoxy propanediol)、二乙二醇(diethylene glycol)、二乙二醇丁基醚(diethylene glycol butylether)、三(乙二醇)单甲基醚(tri(ethylene glycol)monomethylether)、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、环己酮、乳酸乙酯、γ-丁内酯(gamma-butyrolactone)、甲基吡咯烷酮(methyl pyrrolidone)和乙酰丙酮(acetylacetone)的至少一个。
以100重量份所述溶剂计，聚合物和单体的量可占约5重量份到约100重量份。当包含在上述范围内的聚合物和单体时，可获得所要的经涂布薄膜厚度。
硬掩模组合物可进一步包含表面活性剂。
表面活性剂可包含例如烷基苯磺酸盐(alkylbenzene sulfonate salt)、烷基吡啶鎓盐(alkyl pyridinium salt)、聚乙二醇(polyethylene glycol)或季铵盐(quaternary ammonium salt)，但不限于此。
以100重量份硬掩模组合物计，表面活性剂的量可占约0.001重量份到约3重量份。在所述量的范围内，可确保硬掩模组合物的溶解性同时不改变其光学特性。
硬掩模组合物可进一步包含交联剂。
交联剂可包含选自氨基树脂、甘脲(glycoluril)化合物、双环氧化合物、三聚氰胺化合物和三聚氰胺衍生物的至少一个。
以100重量份硬掩模组合物计，交联剂的量可占约0.001重量份到约3重量份。
下文描述了一种通过使用硬掩模组合物来形成图案的方法。
根据一个实施例，形成图案的方法包含：在衬底上提供材料层；在材料层上涂覆包含聚合物、单体和溶剂的硬掩模组合物；热处理硬掩模组合物以形成硬掩模层；在硬掩模层上形成含硅薄层；在含硅薄层上形成光刻胶层；曝光且显影光刻胶层以形成光刻胶图案；使用光刻胶图案选择性地去除含硅薄层和硬掩模层以暴露材料层的一部分；以及蚀刻材料层的暴露部分。
衬底可为例如硅晶片、玻璃衬底或聚合物衬底。
材料层为待最终图案化的材料，例如比如铝层和铜层等金属层、例如硅层等半导体层或例如氧化硅层和氮化硅层等绝缘层。材料层可通过例如化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)工艺等方法形成。
硬掩模组合物可呈溶液的形式通过旋涂法涂覆。在这里，硬掩模组合物的厚度是不受特定限制的，但可为例如约100埃到约10,000埃。
可在例如约100℃到约500℃下对硬掩模组合物进行热处理，持续约10秒到10分钟。在热处理期间，化合物可引起自交联和/或相互交联反应。
含硅薄层可由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅(SiON)构成。
所述方法可进一步包含在含硅薄层上形成底部抗反射涂层(BARC)。举例来说，可在硬掩模层上形成含氮氧化硅的薄层，接着形成底部抗反射涂层，且随后在底部抗反射涂层上形成光刻胶层。
可使用例如ArF、KrF或远紫外光(extreme ultraviolet，EUV)进行光刻胶层曝光。曝光后，可在约100℃到约500℃下进行热处理。
可通过使用蚀刻气体的干式蚀刻工艺对材料层暴露部分进行蚀刻工艺，且蚀刻气体可为例如(但不限于)CHF3、CF4、Cl2、BCl3和其混合气体。
可按多个图案形成经蚀刻的材料层，且所述多个图案可为金属图案、半导体图案、绝缘图案等，例如半导体集成电路装置的不同图案。
半导体集成电路装置中包含的图案可为例如金属线；半导体图案；包含接触孔、偏压孔、镶嵌沟槽在内的绝缘层等。
下文参考实例对本发明进行更详细的说明。然而，这些实例只是例示性的，且本发明不限于此。
单体和聚合物的合成
聚合反应实例1
将20克(0.044摩尔)6，6′-(9H-芴-9，9-二基)双(萘-2-醇)(6，6′-(9H-fluoren-9，9-diyl)bis(naphthalen-2-ol))和7.4克(0.044摩尔)1，4-双(甲氧基甲基)苯(1，4-bis(methoxymethyl)benzene)相继放置在烧瓶中，且使其溶解在43克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中。接着，向其中添加0.12克(0.0008摩尔)硫酸二乙酯(diethyl sulfate)，并在90℃到120℃下搅拌混合物10小时到15小时。当每一小时从反应物获取的样本的重量平均分子量在3,200到4,500的范围时，终止反应。
反应终止时，使反应产物冷却到室温且静置。从其中去除上清液后，将剩余在那里的沉淀溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，使用40克己烷、40克甲醇和40克蒸馏水来搅拌溶液，并将反应产物静置(第一工艺)。在这里，再次去除获得的上清液，将剩余在那里的沉淀溶解在40克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，将溶液添加到40克蒸馏水和400克甲醇中，并强力搅拌混合物，接着将混合物静置(第二工艺)。第一工艺和第二工艺被视为一个精制工艺，且这种精制工艺重复三次。将精制的聚合物溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，并在减压下去除溶液中剩余的甲醇和蒸馏水，获得由以下化学式4表示的化合物。
[化学式4]
Figure BDA0000618421940000111
聚合反应实例2
将20克(0.044摩尔)6，6′-(9H-芴-9，9-二基)双(萘-2-醇)和1克(0.033摩尔)多聚甲醛(paraform aldehyde)相继放置在烧瓶中，且溶解在43克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中。接着，向其中添加0.12克(0.0006摩尔)对甲苯磺酸(p-toluene sulfonicacid，PTSA)，并在90℃到120℃下搅拌混合物约5小时到10小时。当每一小时从反应物获取的样本具有3,000到4,200的重量平均分子量时，终止反应。
反应终止时，使反应产物冷却到室温且添加到40克蒸馏水和400克甲醇中，并强力搅拌混合物，接着将混合物静置。从其中去除上清液后，将剩余在那里的沉淀溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，将溶液添加到40克己烷、40克甲醇和40克蒸馏水中，并强力搅拌混合物，接着将混合物静置(第一工艺)。在这里，再次从中去除上清液，将剩余在那里的沉淀溶解在40克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中(第二工艺)。第一工艺和第二工艺被视为一个精制工艺，且所述精制工艺总共重复三次。将精制的聚合物溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，并在减压下去除溶液中的甲醇和蒸馏水，获得由以下化学式5表示的化合物。
[化学式5]
Figure BDA0000618421940000121
聚合反应实例3
将20克(0.057摩尔)9，9-双(4-羟基苯基)芴(9，9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene)和9.6克(0.057摩尔)1，4-双(甲氧基甲基)苯相继放置在烧瓶中，且溶解在51克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中。接着，向其中添加0.15克(0.001摩尔)亚硫酸二乙酯(diethyl sulfite)，并在90℃到120℃下搅拌混合物5小时到12小时。当每一小时从反应物获取的样本具有3,500到4,200的重量平均分子量时，终止反应。
反应终止时，使反应产物冷却到室温且添加到40克蒸馏水和400克甲醇中，并强力搅拌混合物，接着将混合物静置。从其中去除上清液后，将剩余在那里的沉淀溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，将溶液添加到40克甲醇和40克蒸馏水中，并强力搅拌混合物，接着将混合物静置(第一工艺)。在这里，去除从中获得的上清液，并将剩余在那里的沉淀溶解在40克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中(第二工艺)。第一工艺和第二工艺被视为一个精制工艺，且这种精制工艺总共重复三次。将精制的聚合物溶解在80克丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中，并在减压下去除溶液中剩余的甲醇和蒸馏水，获得由以下化学式6表示的化合物。
[化学式6]
Figure BDA0000618421940000122
合成比较例1
第一步骤：取代基的引入反应(弗瑞德-克拉夫茨酰化，Friedel-CraftAcylation)
将1，4-环己烷二羰基二氯化物(1，4-cyclohexanedicarbonyl dichloride)(28.0克，0.1345摩尔)、甲氧基芘(methoxypyrene)(62.4克，0.269摩尔)和1，2-二氯乙烷(1，2-dichloroethane)(496克)放置在烧瓶中以制备溶液。接着，将氯化铝(17.9克，0.1345摩尔)缓慢添加到溶液中，并在室温下搅拌混合物12小时。反应终止时，向其中添加甲醇，并过滤在其中形成的沉淀且对沉淀进行干燥。
第二步骤：去甲基化反应
将所述化合物(6.00克，0.01001摩尔)、1-十二烷硫醇(1-dodecanethiol)(10.13克，0.05005摩尔)、氢氧化钾(3.37克，0.06006摩尔)和N，N-二甲基甲酰胺(N，N-dimethylformamide)(30.3克)放置在烧瓶中且在120℃下搅拌8小时。冷却反应混合物且用5％的盐酸溶液将其中和到约pH 6到pH 7，并且过滤在其中形成的沉淀且对沉淀进行干燥。
第三步骤：还原反应
将去甲基化的化合物(4.00克，0.00699摩尔)和四氢呋哺(tetrahydrofuran)(28.5克)放置在烧瓶中以制备溶液。接着，将硼氢化钠(5.29克，0.1398摩尔)水溶液缓慢添加到所述溶液中，并在室温下搅拌混合物24小时。反应终止时，用5％的盐酸溶液将反应产物中和到约pH 7，接着用乙酸乙酯萃取，且对从中获得的萃取物进行干燥，获得由化学式7表示的化合物。
[化学式7]
Figure BDA0000618421940000131
硬掩模组合物的制备
实例1
将根据聚合反应实例1的聚合物和6，6′-(9H-芴-9，9-二基)双(萘-2-醇)(FBN)以7∶3的重量比溶解在通过以7∶3(体积/体积)的比率混合丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)和环己酮所获得的混合溶剂中。随后，过滤溶液，制备硬掩模组合物。视所要厚度而定，基于硬掩模组合物的全部重量调整聚合物和FBN的重量。
实例2
除使用根据聚合反应实例2的聚合物以外，根据与实例1相同的方法制备硬掩模组合物。
实例3
除使用根据聚合反应实例3的聚合物以外，根据与实例1相同的方法制备硬掩模组合物。
比较例1
将根据聚合反应实例1的聚合物溶解在通过以7∶3(体积/体积)的比率混合丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)和环己酮而制备的混合溶剂中。随后，过滤溶液，制备硬掩模组合物。视所要厚度而调整聚合物的量。
比较例2
除使用根据合成比较例1的化合物代替6，6′-(9H-芴-9，9-二基)双(萘-2-醇)(FBN)以外，根据与实例1相同的方法制备硬掩模组合物。
评估
评估1：间隙填充特征和平坦化特征
在经图案化的硅晶片上将根据实例1到实例3以及比较例1和比较例2的硬掩模组合物分别旋涂到约2200埃厚。随后，在热板上在400℃下热处理经涂布的硅晶片120秒，并且使用场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electronic microscope，FE-SEM)检查间隙填充特征和平坦化特征。
通过观测图案的截面是否具有空隙来评估间隙填充特征，并根据以下计算公式1来数字化平坦化特征。由于高度h1与高度h2之间的差异越小表明平坦化特征越佳，因此上述平坦化特征是极佳的。
[计算公式1]
Figure BDA0000618421940000141
结果提供在表1中。
[表1]
平坦化特征 间隙填充特征
实例1 17.8％ 无空隙
实例2 21.7％ 无空隙
实例3 19.6％ 无空隙
比较例1 26.4％ 无空隙
比较例2 34％ 无空隙
参看表1，与根据比较例1和比较例2的硬掩模组合物相比，根据实例1到实例3的硬掩模组合物展示出极佳的平坦化特征并且还无空隙，因此所述组合物具有极佳的间隙填充特征。
评估2：耐热性
分别旋涂根据实例1到实例3以及比较例2的硬掩模组合物(化合物含量：10.0重量％)以形成各个薄膜。随后，在热板上在240℃下烘烤薄膜1分钟，并测量其厚度。接着，再次在400℃下烘烤薄膜2分钟，并再次测量其厚度。根据计算公式2，使用两个厚度测量结果来计算硬掩模薄膜的厚度减小率并数字化相对耐热性。
[计算公式2]
(240℃下烘烤后的薄膜厚度-400℃下烘烤后的薄膜厚度)/240℃下烘烤后的薄膜厚度×100(％)
结果提供在表2中。
[表2]
薄膜厚度减小率(％)
实例1 14.95
实例2 24.6
实例3 28.4
比较例2 31.00
参看表2，与根据比较例2的硬掩模组合物相比，由根据实例1到实例3的硬掩模组合物形成的薄膜展示出较低的厚度减小率。因此，与根据比较例2的硬掩模组合物相比，实例1到实例3的硬掩模组合物展示出较高的耐热性。
虽然已结合目前视为实用的例示性实施例来描述本发明，但应了解本发明不限于所公开的实施例，正相反，本发明意图涵盖包含在随附权利要求的精神和范围内的各种修改和同等配置。

Claims (12)

1.一种硬掩模组合物，包括：
聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；
由以下化学式2表示的单体；以及
溶剂：
[化学式1a]
Figure FDA0002278552520000011
[化学式1b]
Figure FDA0002278552520000012
[化学式1c]
Figure FDA0002278552520000013
[化学式2]
Figure FDA0002278552520000014
其中，在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c以及化学式2中，
R1a和R1b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代两个氢原子所形成的键联基团；
R4a和R4b独立地为通过在选自以下族群1的一种化合物中取代一个氢原子所形成的取代基；
R2a、R2b、R5a和R5b独立地为选自氢、羟基、胺基、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C10芳基、经取代或未经取代的烯丙基和卤素的一个；以及
R3选自以下族群2：
[族群1]
Figure FDA0002278552520000021
其中，在所述族群1中，
M1和M2独立地为氢、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、含卤素的基团、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基或其组合；
在所述族群1中，每个环的每个键联位置是不受特定限制的；
[族群2]
-CH2-
Figure FDA0002278552520000022
Figure FDA0002278552520000023
其中所述聚合物与所述单体的重量比为聚合物:单体＝7:3到3:7。
2.如权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述聚合物进一步包括由以下化学式3表示的部分：
[化学式3]
＊-R6-R7-＊
其中，在上述化学式3中，
R6为选自所述族群1的一个；
R7为选自所述族群2的一个。
3.如权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述聚合物具有1,000到200,000的重量平均分子量。
4.如权利要求1所述的硬掩模组合物，其中以100重量份所述溶剂计，所述聚合物和所述单体的量占5重量份到100重量份。
5.如权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述溶剂包括选自丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚、环己酮以及乳酸乙酯的至少一个。
6.如权利要求1所述的硬掩模组合物，其中所述硬掩模组合物进一步包括交联剂。
7.一种形成图案的方法，包括：
在衬底上提供材料层；
在所述材料层上涂覆如权利要求1所述的硬掩模组合物；
热处理所述硬掩模组合物以形成硬掩模层；
在所述硬掩模层上形成含硅薄层；
在所述含硅薄层上形成光刻胶层；
曝光且显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案；
使用所述光刻胶图案选择性地去除所述含硅薄层和所述硬掩模层以暴露所述材料层的一部分；以及
蚀刻所述材料层的暴露部分。
8.如权利要求7所述的形成图案的方法，其中使用旋涂法涂覆所述硬掩模组合物。
9.如权利要求7所述的形成图案的方法，其中形成所述硬掩模层的工艺包括100℃到500℃下的热处理。
10.如权利要求7所述的形成图案的方法，其进一步包括在所述含硅薄层上形成底部抗反射涂层。
11.如权利要求7所述的形成图案的方法，其中所述含硅薄层包括氮氧化硅、氮化硅或其组合。
12.一种半导体集成电路装置，包括多个通过如权利要求7所述的形成图案的方法所形成的图案。
CN201410705160.6A 2013-12-31 2014-11-27 硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置 Active CN104749886B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0169260 2013-12-31
KR1020130169260A KR20150079199A (ko) 2013-12-31 2013-12-31 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104749886A CN104749886A (zh) 2015-07-01
CN104749886B true CN104749886B (zh) 2020-04-21

Family

ID=53482620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410705160.6A Active CN104749886B (zh) 2013-12-31 2014-11-27 硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150187566A1 (zh)
KR (1) KR20150079199A (zh)
CN (1) CN104749886B (zh)
TW (1) TWI532785B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9725389B2 (en) * 2011-12-30 2017-08-08 Cheil Industries, Inc. Monomer for a hardmask composition, hardmask composition comprising the monomer, and method for forming a pattern using the hardmask composition
JP6652747B2 (ja) 2014-11-04 2020-02-26 日産化学株式会社 アリーレン基を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
KR101884447B1 (ko) 2015-07-06 2018-08-01 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
JP6712188B2 (ja) * 2015-07-13 2020-06-17 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法
KR101926023B1 (ko) * 2015-10-23 2018-12-06 삼성에스디아이 주식회사 막 구조물 제조 방법 및 패턴형성방법
WO2017115978A1 (ko) * 2015-12-29 2017-07-06 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR101770749B1 (ko) 2016-01-11 2017-08-23 최상준 반사방지용 하드마스크 조성물
KR102402748B1 (ko) * 2017-11-10 2022-05-26 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
KR102397179B1 (ko) * 2018-12-21 2022-05-11 삼성에스디아이 주식회사 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR102230039B1 (ko) * 2019-03-22 2021-03-19 (주)코이즈 반사방지용 하드마스크 조성물
CN110041286B (zh) * 2019-05-10 2021-03-19 福建泓光半导体材料有限公司 一种硬掩膜单体和组合物及图案形成方法
KR102296459B1 (ko) * 2019-06-04 2021-09-02 에스케이하이닉스 주식회사 하드마스크용 화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
CN113960880B (zh) * 2021-11-02 2024-03-15 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 一种硬掩膜组合物及其制备方法、形成图案的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238414A (zh) * 2005-09-15 2008-08-06 第一毛织株式会社 增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法
CN101681096A (zh) * 2007-06-05 2010-03-24 第一毛织株式会社 具有抗反射特性的硬质掩模组合物及使用其在基材上将材料图案化的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655064B1 (ko) * 2005-05-27 2006-12-06 제일모직주식회사 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물
JP4659678B2 (ja) * 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4662063B2 (ja) * 2006-05-25 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7745104B2 (en) * 2006-08-10 2010-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Bottom resist layer composition and patterning process using the same
WO2008120855A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Cheil Industries Inc. Hardmask composition having antireflective property and method of patterning materials using the same
KR100930673B1 (ko) * 2007-12-24 2009-12-09 제일모직주식회사 반사방지 하드마스크 조성물　및　이를 이용한재료의　패턴화 방법
JP5336306B2 (ja) * 2008-10-20 2013-11-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料
TWI400575B (zh) * 2008-10-28 2013-07-01 Shinetsu Chemical Co 光阻劑下層膜形成材料及圖案形成方法
JP5229278B2 (ja) * 2010-06-21 2013-07-03 信越化学工業株式会社 ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
JP5556773B2 (ja) * 2010-09-10 2014-07-23 信越化学工業株式会社 ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
FI20115628L (fi) * 2011-06-20 2012-12-21 Silecs Oy Uusi polymeerikoostumus ja menetelmä sen valmistamiseksi
KR101655394B1 (ko) * 2013-04-25 2016-09-07 제일모직 주식회사 레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스
US9152051B2 (en) * 2013-06-13 2015-10-06 Az Electronics Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating composition and process thereof
CN104253024B (zh) * 2013-06-27 2017-07-28 第一毛织株式会社 硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238414A (zh) * 2005-09-15 2008-08-06 第一毛织株式会社 增透硬掩膜组合物和该组合物的使用方法
CN101681096A (zh) * 2007-06-05 2010-03-24 第一毛织株式会社 具有抗反射特性的硬质掩模组合物及使用其在基材上将材料图案化的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104749886A (zh) 2015-07-01
TWI532785B (zh) 2016-05-11
KR20150079199A (ko) 2015-07-08
TW201525057A (zh) 2015-07-01
US20150187566A1 (en) 2015-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104749886B (zh) 硬掩模组合物、形成图案的方法以及集成电路装置
CN105093834B (zh) 硬掩模组成物和使用所述硬掩模组成物形成图案的方法
TWI609030B (zh) 聚合物、有機層組成物及形成圖案的方法
TWI553038B (zh) 聚合物、有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法
US9359276B2 (en) Monomer for hardmask composition, hardmask composition including monomer, and pattern forming method using hardmask composition
CN108291013B (zh) 聚合物、有机层组成物及图案形成方法
US9529257B2 (en) Hard mask composition and method for forming pattern using same
US10556986B2 (en) Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns
US9195136B2 (en) Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns
US9158201B2 (en) Monomer for hardmask composition and hardmask composition including the monomer and method of forming patterns using the hardmask composition
CN106226997B (zh) 有机层组成物以及形成图案的方法
TWI644999B (zh) 聚合物、有機層組成物與形成圖案之方法
KR101767080B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101848345B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
CN109478015B (zh) 有机层组成物及图案形成方法
KR20180138405A (ko) 유기막 조성물, 중합체 및 패턴 형성 방법
WO2018088658A1 (ko) 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant