CN104395507B

CN104395507B - 组件的制造方法和组件的制造装置

Info

Publication number: CN104395507B
Application number: CN201380028747.1A
Authority: CN
Inventors: M·萨巴蒂尔; I·施托尔
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2012-05-29
Filing date: 2013-05-28
Publication date: 2017-10-20
Anticipated expiration: 2033-05-28
Also published as: DE102012208932A1; KR20150015018A; KR101690672B1; US20180220535A1; WO2013178618A2; CN104395507A; US20150122785A1; US10091890B2; WO2013178618A3; US10091889B2

Abstract

在不同的实施例中提供了一种组件的制造方法，该方法具有：提供带有导电表面的衬底；其中该表面具有第一电独立区域和第二电独立区域；在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差；和在第一电独立区域或第二电独立区域上敷设带电物质或带电物质混合物；其中借助于该电位差调节该电独立区域和/或所敷设的带电物质或带电物质混合物的数量。

Description

组件的制造方法和组件的制造装置

技术领域

在不同的实施方式中提供了组件的制造方法和组件的制造装置。

背景技术

由第一波长的电磁辐射形成第二波长的电磁辐射称为波长转换。波长转换用在用于颜色转换的光电子组件中，例如，用于简化例如在白光发光二极管闪光灯或白光发光二极管灯中的白光产生。在此，例如发光二极管(light emitting diode LED)的蓝光被转换为绿色至红光。蓝光和绿色至红光的颜色混合可以形成白光。

例如，波长转换可以借助于在光电子组件的光路上，例如在LED上或上方形成的发光物质实现。

在此，作为发光物质可以理解为例如借助于磷光或荧光把一个波长的有损失的电磁辐射转换为另一个(较长)波长的电磁辐射的物质。被吸收的电磁辐射和所发射的电磁辐射的能量差可以被转换为声子，亦即热量，和/或借助于波长与能量差成正比的电磁辐射的发射而被转换。

在光电子组件上或上方敷设发光物质可以例如借助于电泳淀积实现。为此可以把光电子组件，例如LED在外壳(封装)中或在板上电接触和浸入悬浮液内。悬浮液可以具有悬浮在溶剂中的磷粒子，其中磷粒子可以理解为一种发光物质。在此，电接触的光电子组件形成一个电极。在悬浮液的其他位置上可以形成另一个电极。在此，该另一电极也可以称为反电极。

该磷粒子可以在悬浮液中在粒子的表面上具有电荷。磷粒子可以由此在电场内向光电子组件的方向移动，并在光电子组件上淀积为磷层。在此，可以通过在电接触的光电子组件和反电极之间施加电位差而形成电场。

在电泳淀积时，磷可以同时淀积在光电子组件表面的所有导电的和被接触的区域上。因此，在光电子组件的电绝缘表面上或上方不会淀积磷。

在光电子组件表面的电绝缘区域上敷设发光物质，例如磷的传统方法可以是在光电子组件浸入悬浮液之前，在光电子组件表面的电绝缘区域上敷设导电层。传统上为此可以在光电子组件表面上蒸镀或溅射(sputtern溅射)厚度在100nm至200nm范围内的薄金属层，例如铝层。

在将发光物质层，例如磷层电泳淀积在光电子组件的导电表面上之后，可以用湿化学方法，用碱性含水溶液从光电子组件表面移除铝。在此，铝可以转变为铝盐。在此，发光物质层可以留在光电子组件的表面上。

然而，在光电子组件表面上借助于蒸镀或溅射敷设导电层导致整个导电表面都被涂敷了发光物质。然而，用发光物质涂敷整个金属涂敷的表面只对少数应用才是希望的。

在一种用于结构化导电的光电子组件表面的传统方法中，可以用光刻的方法结构化该导电层。为此，可以在光电子组件表面上敷设导电层之前敷设光刻漆层，接着，借助于光刻掩模对该光刻漆层选择性曝光。然后，漆层的曝光或未曝光的区域视漆而定可以用湿化学方法移除。此后，可以在光电子组件的表面上淀积导电层。

然后，在该漆层上或上方的导电层可以用湿化学方法借助于从光电子组件表面溶解漆而被移除。

在此，光刻漆和导电层的化学特性应该被形成为，使得该金属不与光刻漆同时溶解。否则，连光电子组件表面没有光刻漆的区域上的金属也可能被移除。借助于物质从导电层和漆层的可溶性的所要求的兼容性，可能使可用的漆和导电层的选择受到限制。此外，相对于光刻方法的掩模尺寸，应该使光电子组件的尺寸只具有小的偏差。否则，可能结构化不应该被结构化的光电子组件表面区域，例如作为反射器、过电压保护二极管、接触垫或作为外壳部分而设计的区域。

在共同载体，例如板上有多个光电子组件时，这个小的容差往往无法达到。换句话说，在板上的光电子组件加起来可能具有太大的尺寸偏差。因此，用于在多个光电子组件上或上方同时结构化导电层的光刻方法只能被有限地适用和使用。

在用于结构化导电层的另一种传统的方法中，在光电子组件表面上喷溅导电层时在粒子射线中使用掩模，例如，阴影掩模。由此可能在没有掩模的区域内形成导电层。然而，这个方法可能非常不准确，而且可能对于不同的光电子组件需要不同的掩模。

发明内容

因此，在不同的实施方式中，提供一种组件的制造方法和组件的制造装置，籍此可以把电泳淀积限制在组件表面的定义的区域上。

在本说明书的范围内，有机物质，不考虑各自的聚集状态，可以理解为在化学上以统一的形式存在的、以特征性物理和化学特性为特征的碳的化合物。此外，在本说明书的范围内，无机物质，不考虑各自的聚集状态，可以理解为在化学上以统一的形式存在的、以特征性物理和化学特性为特征的没有碳的化合物或比较简单的碳化合物。在本说明书的范围内，有机-无机物质(混合物质)，不考虑各自的聚集状态，可以理解为在化学上以统一的形式存在的、以特征性物理和化学特性为特征的与含碳和无碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围内“物质”的概念包括上述所有物质，例如，有机物质、无机物质和/或混合物质。此外，在本说明书的范围内，物质混合物大致上可以理解为其组分由两种或更多种不同的物质组成，这些物质的组分分布例如非常细。作为一个物质类别，理解为由一种或多种有机物质、一种或多种无机物质或一种或多种混合物质组成的一种物质或一种物质混合物。“材料”的概念可以作为“物质”概念的同义词使用。

在本说明书的范围内，带电物质理解为具有电荷，亦即至少临时地不是电中性的物质。在此，电荷可以借助于极化或离子化形成。

例如，带电物质可以采取粒子形式形成。

在不同的实施方式中，提供一种组件的制造方法，该方法具有：提供带有导电表面的衬底；其中该表面具有第一电独立区域和第二电独立区域；在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差，并在第一电独立区域和/或第二电独立区域上敷设带电物质或带电物质混合物；其中借助于电位差调节该电独立区域和/或敷设的带电物质或带电物质混合物的数量。在该方法的一种构型中，提供带有导电表面的衬底可以包括在衬底电绝缘表面上或上方形成导电层。

该导电层可以具有有机物质、无机物质或无机有机混合物质，或由有机物质、无机物质或无机有机混合物质形成。

由无机物质形成的导电层作为物质可以具有来自以下一组物质的物质或由其形成：铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌、硅、锗、α-锡、硼、硒；碲；铟、镓、砷、磷、锑、锌、镉、铍，并例如形成为铝层或铟锡氧化物层(ITO)。

由有机物质形成的导电层作为物质可以具有来自以下一组物质的物质或由其形成：并四苯、并五苯、酞菁染料、聚噻吩、PTCDA、MePTCDI、金鸡纳吖啶酮(Chinacridon)、吖啶酮、阴丹士林、黄烷士林、Perinon、Alq3。

由无机有机混合物质形成的导电层作为物质可以具有来自以下一组物质的物质或由其形成：聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。

该导电层的物质或物质混合物的选择可以根据具体的组件和移除导电层和要敷设的带电物质的兼容性进行，例如，载体、发光物质和/或其他组件部分与含水碱溶液的兼容性，或在有机物质或混合物质的情况下还有与其他溶剂的兼容性。

该导电层可以具有在大约从20nm至大约500μm范围内的厚度。

该导电层可以敷设在该衬底表面的所有区域上。

该导电物质可以例如蒸镀或溅射(sputtern)在该衬底表面上。

该衬底表面可以在该导电层形成之前就已经具有导电的区域，例如接触垫。因此，在衬底表面上形成该导电层之前，可以在衬底表面上形成电绝缘层。换句话说，可以在该衬底表面上形成完全电绝缘的表面。

在该方法的再一个构型中，衬底的电绝缘表面可以借助于在衬底的部分或完全电绝缘的表面上或上方形成电绝缘层而形成。

否则，在电独立区域之间随后接着形成电绝缘区域时，可能通过衬底表面上的导电区域而以体接触导电层的方式导致短路，亦即，如果在只有部分地电绝缘的衬底表面上没有电绝缘层则可能阻止电独立区域的形成。

该电绝缘层例如可以具有SiO₂或Al₂O₃，或由其形成。但是，该电绝缘层也可以具有其他绝缘的金属氧化物、半金属氧化物、金属氮化物和/或半金属氮化物，或由其形成。

但是，该电绝缘层也可以具有电绝缘聚合物和/或硅酮，或由其形成。

该电绝缘层的物质或物质混合物可以例如被蒸镀或溅射在衬底表面上。

在该方法的又一个构型中，该衬底可以具有载体和至少一个电子组件，例如二极管或例如光电子组件，例如发光二极管、有机发光二极管、太阳能电池或光电检测器。

换句话说，该衬底可以理解为以下组件，它可以具有带有一个或多个电子组件的载体，所述电子组件例如是光电子组件，例如发光二极管，例如GaN-二极管、InGaN-二极管或InGaAlP-二极管。

在此，该载体例如可以是板、芯片晶圆片或引线框(Leadframe)。

但是，该衬底也可以理解为带有没有电子组件的载体的组件，例如理解为外壳。

在该方法的再一个构型中，衬底的提供可以包括形成电独立区域，其中电独立区域的形成包括在该导电衬底的表面中在电独立区域之间的范围内形成电绝缘区域。

在衬底的导电表面中，例如在导电层中电绝缘区域和电独立区域的形式例如可以匹配于在该导电层下面的结构形式，例如匹配于载体上电子组件的形式，例如，大致相同。

在该方法的又一个构型中，在电独立区域之间形成电绝缘区域可以包括在电绝缘区域的范围内移除衬底的导电表面，例如移除该导电层。

在该方法的再一个构型中，电绝缘区域的形成可以包括机械移除该导电表面的物质或物质混合物，例如，刮除。

该导电表面的刮除例如可以用尖端装置形成。该尖端装置例如具有金刚石或由金刚石形成，其中尖端装置可以受计算机控制而移动。

在该方法的又一个构型中，电绝缘区域的形成可以包括导电表面、例如该导电层的物质或物质混合物的弹道移除，例如，用粒子、分子、原子、离子、电子和/或光子的轰击，例如，激光烧蚀。

用光子轰击导电表面例如可以形成为激光烧蚀或激光脱附，用波长在大约200nm至大约1500nm范围内的激光器形成，例如以在大约10μm至大约2000μm范围内的聚焦直径聚焦，例如功率大约为50mW至大约1000mW，例如功率密度为100kW/cm²至大约10GW/cm²，例如作为连续波激光器，或例如作为脉冲式激光器，例如具有在大约100fs至大约0.5ms范围内的脉冲持续时间，和例如具有在大约100Hz至大约1000Hz范围内的重复频率。

在该方法的再一个构型中，在电独立区域之间电绝缘区域的形成可以包括衬底导电表面、例如导电层的化学交联或化学降解。

有机或有机无机导电层的化学交联或降解例如可以包括拆除多次结合或开环反应，和/或化学加成、化学排除、化学取代或化学换位，例如，借助于紫外射线。

在该方法的又一个构型中，电绝缘区域可以具有气体，例如空气，或电绝缘聚合物，例如用紫外射线设立为电绝缘的导电聚合物。

在该方法的再一个构型中，第一电独立区域和第二电独立区域之间电位差的形成可以包括至少一个电独立区域与电压源连接：或者换句话说，包括将该组件形成为至少一个第一电极。

在此，该电压源可以在第一电极上形成静态的或时间调制的电压，例如，在时间上采取脉冲方式的电压。

在该方法的又一个构型中，第一电独立区域和第二电独立区域之间电位差的形成可以包括使至少一个区域带静电。

电位差可以这样地形成，使得带电物质或带电物质混合物的带电粒子只能集聚在衬底导电表面的、例如该导电层的电独立区域之一上。

在粒子带正电时，该第一电独立区域例如可以具有负电荷，而该第二电独立区域例如可以不具有电荷。其中在这个构型中带电物质或带电物质混合物形成为粒子，并被第一电独立区域电吸引。

然而，代替不带电，该第二电独立区域也可以具有正电荷，亦即带正电的粒子除了被第一电独立区域吸引以外，还被带正电的第二电独立区域静电排斥。

该电压源例如可以具有从大约-1000V至大约+1000V的电压值。

在该方法的再一个构型中，该第一带电物质或该第一带电物质混合物可以溶解在第一溶剂中，并形成第一悬浮液。

在该方法的又一个构型中，为了在第一电独立区域或第二电独立区域上敷设第一带电物质或第一带电物质混合物，可以形成第一电独立区域和/或第二电独立区域与第一悬浮液的实体接触，其中在第一悬浮液中可以设立第二电极。

换句话说，在电独立区域之间形成电位差之后，该衬底可以浸入由第一溶剂和第一带电物质或第一带电物质混合物形成的悬浮液，其中第一带电物质或第一带电物质混合物可以形成为粒子，例如形成为第一发光物质粒子。

附加地可以在第一悬浮液中浸入反电极。在此，第一带电物质或第一带电物质混合物的电荷还可以借助于通过电极施加的电压才设立。

在电极之间，亦即在电独立区域和该反电极之间和/或在电独立区域之间的电场可以使第一悬浮液的第一带电粒子的电泳淀积成为可能。由此可以在第一电独立区域和/或第二电独立区域上形成第一电泳层，例如作为第一发光物质层。在此，该悬浮液中组件和反电极之间的电场可以使电独立区域上的平面电泳淀积成为可能。在此，电泳淀积可以只在以下电独立区域上形成，在该电独立区域上设立电位，使得带电粒子可以淀积，例如不被静电排斥。因此，带电粒子可以例如不淀积在第一电独立区域和第二电独立区域之间的电绝缘区域中。由此可以在电独立区域的范围内形成电泳层的确定无疑的过渡，亦即界面。

第一带电粒子例如可以具有发光物质，或由该发光物质形成。在此，该发光物质作为第一带电物质或第一带电物质混合物可以具有来自以下一组物质的物质，或由该物质形成：Ce³⁺掺杂的石榴石，诸如YAG：Ce和LuAG，例如(Y，Lu)₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺；Eu²⁺掺杂的氮化物，例如CaAlSiN₃：Eu²⁺、(Ba，Sr)₂Si₅N₈：Eu²⁺；Eu²⁺掺杂的硫化物，SIONe、SiAlON、正硅酸盐、例如(Ba，Sr)₂SiO₄：Eu²⁺；氯硅酸盐、氯磷酸盐、BAM(铝酸钡镁：Eu)和/或SCAP、卤素磷酸盐。

但是，第一带电粒子也可以具有其他带电物质或化学计量化合物或由此形成，例如反射电磁辐射的物质和/或散射电磁辐射的物质，例如TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂、Au等。

在该方法的再一个构型中，该第二电极作为物质或物质混合物可以具有第一带电物质或第一带电物质混合物，其中该第一带电物质或该第一带电物质混合物借助于该第一电极和第二电极之间的电位差溶解在该悬浮液中，亦即，释放电流。

在该方法的再一个构型中，在第一电独立区域或第二电独立区域上敷设第一带电物质或第一带电物质混合物之后，可以在第一电独立区域或第二电独立区域上或上方敷设第二带电物质或第二带电物质混合物。

在该方法的又一个构型中，可以在第一电独立区域或第二电独立区域上或上方敷设其他带电物质或其他带电物质混合物。

在该方法的再一个构型中，该再次敷设第二或其他带电物质或带电物质混合物可以包括改变来自一组参数的一个或多个参数：电位差、带电物质或带电物质混合物、该悬浮液的溶剂，和/或敷设的其他带电物质或带电物质混合物的层厚。

另外，在该方法的又一个构型中，该方法还可以包括移除导电层，例如用湿化学方法移除，例如借助于含水碱溶液，例如含水氢氧化钾溶液。

在该方法的再一个构型中，该组件可以形成为带有至少一个转换波长的光电子组件，例如，转换波长的发光二极管。

在该方法的又一个构型中，该组件形成为带有多个转换波长的光电子组件，作为多色发射或吸收的光电子组件，例如多色发光二极管或多色吸收的太阳能电池。

在该方法的再一个构型中，在第一电独立区域上可以敷设发光物质，而在第二电独立区域上可以敷设反射器。

在不同的实施方式中提供了一种制造组件的装置，该装置具有：衬底支持器，其中该衬底具有导电表面，其中该表面具有第一电独立区域和第二电独立区域；用于在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成第一电位差的电路；用于在第一电独立区域和/或第二电独立区域上敷设带电物质或带电物质混合物的装置；用于借助于该第一电位差控制电独立区域和/或敷设的带电物质或带电物质混合物数量的控制电路。

在一个构型中，该衬底支持器可以这样地设立，使得在工艺加工期间固定平面的衬底和/或几何呈拱形的衬底。

在再一个构型中，该衬底支持器可以具有电端子，其中该电端子这样地设立，使得至少一个电独立区域在电气上与用于形成第一电位差的电路电连接，其中至少一个电连接的电独立区域借助于该电连接形成第一电极。

在又一个构型中，用于形成第一电位差的电路可以具有至少一个电压源，其中该至少一个电压源是为了形成至少一个电位差而设立的。

在再一个构型中，用于形成第一电位差的电路可以这样地设立，使得该至少一个电压源借助于电连接与至少一个电独立区域电连接，例如，借助于夹紧端子。

在又一个构型中，用于形成第一电位差的电路可以这样地设立，使得该控制电路控制该至少一个电压源和该至少一个电连接的电独立区域之间的电流流动。

在再一个构型中，该控制电路可以控制两个或更多个电独立区域之间第一电位差随着时间的变化。

在又一个构型中，该控制电路可以在第一电独立区域和第二电独立区域之间建立在时间上恒定的第一电位差。

在再一个构型中，该控制电路可以在第一电独立区域和第二电独立区域之间建立在时间上可以改变的第一电位差。

在又一个构型中，该第一电位差可以在时间上以脉冲方式建立。

在再一个构型中，用于敷设带电物质或带电物质混合物的装置可以具有带有悬浮液和第二电极的容器，其中该悬浮液和该第二电极设立在该容器内部。

在又一个构型中，该容器可以具有第二电极或作为第二电极设立。

在再一个构型中该容器可以接地。

在又一个构型中，用于形成该第一电位差的电路可以这样地设立，使得在该第一电极和第二电极之间形成第二电位差。

在再一个构型中，该第二电极可以具有第一带电物质或第一带电物质混合物的物质或物质混合物，或由此形成。

在又一个构型中，第二电极可以这样地设立，使得第一带电物质或第一带电物质混合物的物质或物质混合物借助于第一电极和第二电极之间的第二电位差溶解在该悬浮液中。

在再一个构型中，该悬浮液可以具有第一带电物质或第一带电物质混合物的物质或物质混合物，或由此形成。

在又一个构型中，该容器可以这样地设立，使得该衬底的至少一个与用于形成电位差的电路连接的电独立区域在该容器中完全被该悬浮液包围，其中该衬底被衬底支持器固定在该悬浮液中。

在再一个构型中，该控制电路可以这样地设立，使得该控制电路控制该第一电极和该第二电极之间的第二电位差。

在又一个构型中，该控制电路可以在该第一电极和该第二电极之间建立在时间上恒定的第二电位差。

在再一个构型中，该控制电路可以在该第一电极和该第二电极之间建立在时间上可以改变的第二电位差。

在又一个构型中，该第二电位差可以在时间上以脉冲方式建立。

在再一个构型中，该控制电路可以这样地设立，使得该第二电位差的时间变化与第一电位差的时间变化耦合。

在又一个构型中，该衬底支持器可以这样地设立，使得该衬底支持器的电端子与该衬底的电独立区域电气上形成电连接，例如借助于打开和闭合夹紧端子。

在再一个构型中，该控制电路可以控制衬底支持器的电端子与至少一个电独立区域的电连接的形成，例如电接触的电独立区域的数目和/或电接触的电独立区域的选择。

在又一个构型中，该装置可以被设立来在光电子组件上或上方形成发光物质层和/或反射层。

附图说明

在附图中显示和在下面详细地说明本发明的实施例。附图中：

图1是按照不同的构型的组件制造方法的流程图；

图2是按照不同的构型的组件制造方法的流程图；

图3是按照一种构型的组件制造方法中的组件示意俯视图；

图4的按照不同构型的组件制造方法中组件的示意俯视图；

图5是按照不同构型的组件制造方法中组件的示意俯视图；

图6是在按照不同的构型的组件制造方法中组件的示意俯视图；而

图7是按照不同构型的组件制造装置的示意图。

具体实施方式

在以下的详细描述中参照构成说明书一部分的附图，并在其中为了阐述而显示可以实施本发明的特定的实施方式。在这方面诸如“上方”“下方”“前”“后”“向前”“向后”等方向术语都是相对于所描述的附图的方向使用的。因为实施方式的组件可能在若干个不同的方向定位，所以方向术语用来进行阐述，而绝不起限制作用。显然，可以利用其他实施方式和在结构上或在逻辑上进行改变，而不脱离本发明的保护范围。显然，这里描述的不同的示例性实施方式的特征，只要没有专门指出，都可以彼此结合。因而以下的详细描述不应作限制性解释，而本发明的保护范围在后附的权利要求书中定义。

在本说明书的范围内，概念“连接”以及“耦合”不仅描述直接而且间接的连接以及直接或间接耦合。在图中，相同的或相似的要素被设置有相同的附图标记，只要这是合适的。

图1示出按照不同构型的组件制造方法的流程图。

该方法可以在衬底上或上方敷设导电层。该导电层可以具有有机物质、无机物质或有机无机物质或由此形成。在本说明书的范围内，在衬底上敷设导电层可以理解为衬底的金属化102，在此，在导电层的材料选择方面没有加以限制，亦即，在本说明书的范围内衬底还可以用有机导电物质“金属化”。

由无机物质形成的导电层作为物质可以具有一种来自下列一组物质的物质或由此形成：铁、钢、铝、铜、银、金、钯、镁、钛、铂、镍、锡、锌、硅、锗、α-锡、硼、硒、碲；铟、镓、砷、磷、锑、锌、镉、铍，并且例如形成为铝层或铟锡氧化物层(ITO)。

由有机物质形成的导电层作为物质可以具有一种来自下列一组物质的物质或由此形成：并四苯、并五苯、酞菁染料、聚噻吩、PTCDA、MePTCDI、金鸡纳吖啶酮(Chinacridon)、吖啶酮、阴丹士林(Indanthron)、黄烷士林(Flavanthron)、Perinon、Alq3。

由无机有机混合物质形成的导电层作为物质可以具有来自以下一组物质的物质或由此形成：聚乙烯咔唑、TCNQ络合物。

导电层的物质或物质混合物的选择可以根据具体的组件和导电层的移除与组件的兼容性进行，例如载体、发光物质和/或其他系统组件与含水碱溶液的兼容性进行。

衬底可以理解为一个组件，该组件可以具有带有一个或多个电子组件的载体，所述电子组件例如是二极管，或例如光电子组件，例如，发光二极管，例如，GaN-二极管、InGaN-二极管或InGaAlP-二极管。但该衬底也可以理解为带有没有电子组件的载体的组件，例如外壳。

该导电层可以具有在从大约20nm至大约500μm范围内的厚度。

该导电层可以敷设在衬底表面的所有区域上。

该导电物质可以例如蒸镀或淀积(例如喷溅)，或例如还可以溅射在该衬底表面上。

该衬底表面可以在金属化102之前就已经具有导电区域。于是，在衬底表面金属化102之前，可以在衬底表面上形成电绝缘层。该电绝缘层例如可以具有SiO₂或Al₂O₃或由此形成。该绝缘层的物质或物质混合物可以蒸镀或喷溅在该衬底表面上。

衬底金属化102之前，该衬底的导电区域可以借助于电绝缘层相对于用金属化102在衬底表面上形成的导电层电绝缘。

在下一步骤中，该方法可以在该衬底表面金属化102之后具有导电层的结构化104。

在结构化104该导电层时，该导电层可以这样地从衬底表面区域移除，使得在该导电表面，例如该导电层上形成电不依赖区域。导电层内的电不依赖区域例如可以借助于移除两个电不依赖区域之间的导电层实现。因此，电不依赖区域还可以理解为电独立区域，亦即，在电不依赖区域或电独立区域之间不形成电连接。

该导电层的电独立区域的形式可以匹配于在衬底表面上的该导电层下方的结构。例如，该导电层的电独立区域的形式可以匹配于光电子组件的形式，例如匹配于在板或导体框(Leadframe，引线框)上作为导电层的衬底的InGaN-二极管的形式。

该导电层的结构化104例如可以具有机械过程和/或弹道过程。

机械过程例如可以形成为用尖端装置刮除导电表面，例如导电层，其中该尖端装置可以由计算机控制移动。

弹道过程例如可以包括用粒子、分子、原子、离子、电子和光子轰击导电表面，例如该导电层，例如，该导电层的激光烧蚀或激光脱附。

例如，激光烧蚀可以用激光器设立，该激光器的波长在大约从200nm至大约1500nm范围内，例如以从大约10μm至大约2000μm范围内的聚焦直径进行聚焦，例如，功率从大约50mW至大约1000mW，例如，功率密度从100kW/cm²至大约10GW/cm²，例如作为连续波激光器(Dauerstrichlaser)或例如作为脉冲式激光器，例如脉冲持续时间在从大约100fs至大约0.5ms的范围内，和例如具有在从大约100Hz至大约1000Hz范围内的重复频率。

在该方法的再一个构型中，在电独立区域之间形成电绝缘区域可以包括导电的衬底表面，例如由有机导电物质构成的导电层的化学交联或化学降解。

化学交联或降解可以例如包括多次结合或开环反应的拆除，和导致化学加成、化学消除、化学取代和/或化学换位，例如借助于紫外射线。

在该方法的再一个构型中该电绝缘区域可以具有气体、例如空气，或电绝缘聚合物。

在结构化104该导电层之后，该方法可以包括电独立区域，例如该导电层的第一电接触106。

借助于该导电层下方的完全绝缘的衬底表面和导电层的电独立区域之间的至少一个电绝缘区域，可以在电独立区域之间不形成电连接。换句话说，第一电独立区域可以在衬底的方向上借助于衬底的电绝缘表面和侧向上借助于至少一个电绝缘区域与第二电独立区域电绝缘。因此，可以使电独立区域之间不再可能有电流流动。

以此可以使电独立区域彼此独立地被电接触。因此，该导电层的第一电接触106可以理解为至少一个电独立区域的电接触106。

第一电接触106可以包括电独立区域与一个电压源或多个电压源的电连接。

电接触的电独立区域可以相对于反电极，例如在悬浮液中具有电位差。

在此，电位差可以这样地形成，使得带电粒子只能聚集在电独立区域之一上，或聚集在多个电独立区域上，但是以不同的速度。

可以把两个电独立区域之间的电位差理解为第一电位差。第一电位差可以包括第一电独立区域和/或第二电独立区域的电接触106。

在此，同时电接触的电独立区域可以彼此具有或不具有电位差。

在一个衬底的表面上可以形成两个以上的电独立区域。在两个以上的电独立区域中至少可以有两个电独立区域被同时电接触。在此，同时电接触的电独立区域可以彼此不具有电位差。

在本说明书的范围内，同时被电接触的彼此没有电位差的电独立区域可以理解为第一电独立区域。据此，不被电接触的电独立区域可以理解为第二电独立区域。

两个或更多个同时被电接触的彼此没有电位差的电独立区域可以例如在该衬底表面的不同区域上形成。在衬底表面不同位置上的区域上或上方，例如可以以相同的层厚形成相同的第一带电物质或相同的第一带电物质混合物。

同时被电接触的电独立区域彼此的电位差可以相对于反电极形成不同的电泳淀积速度。由此可以在同时被电接触的彼此具有电位差的电独立区域上实现电泳淀积层的不同厚度。

然而，电独立区域彼此的电位差在电泳淀积方面还可以被设立用于选择同时被电接触的电独立区域中的一个电独立区域。

粒子带正电时，第一电独立区域例如可以具有负电荷，而第二电独立区域可以不具有电荷。于是，带正电的粒子可以被第一电独立区域电吸引。

然而，代替不带电，第二电独立区域也可以带正电，亦即，带正电的粒子附加地被带正电的第二电独立区域静电排斥。

该电压源可以具有在从大约-1000V至大约+1000V范围内的电压值。

电独立区域、例如该导电层的第一电接触106之后，该衬底可以被浸入第一悬浮液。该悬浮液可以具有第一溶剂，和具有第一带电物质或第一带电物质混合物或由此形成。该第一带电物质或该第一带电物质混合物例如可以形成为带电粒子。该第一悬浮液例如可以具有第一发光物质。附加地可以把反电极浸入第一悬浮液中。

取决于该导电层的电独立区域的电位，第一悬浮液的第一带电粒子向该导电层的电独立区域之一上的第一电泳层进行第一电泳淀积108，例如作为第一发光物质层。

在此，第一电泳淀积108可以只在导电层的以下电独立区域上形成，在该电独立区域上这样地建立电位，使得第一带电粒子可以淀积在该电独立区域上。因此，第一带电粒子例如可能不会淀积在电独立区域之间的电绝缘区域上。

然而，第一电泳淀积108还可以同时在两个电独立区域上形成。在此，在电独立区域之间的电位差可以这样地形成，使得在第一电泳淀积108时形成第一带电粒子的不同电泳扩散速度。由此可以同时在电独立区域上形成物质相同的电泳层，然而这些电泳层具有不同的层厚。

第一带电粒子例如可以具有发光物质或由此形成。在此，该发光物质可以作为物质或物质混合物具有一种来自下列一组物质的物质或由此形成：Ce³⁺掺杂的石榴石，诸如YAG：Ce和LuAG，例如(Y，Lu)₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺；Eu²⁺掺杂的氮化物，例如CaAlSiN₃：Eu²⁺，(Ba，Sr)₂Si₅N₈：Eu²⁺；Eu²⁺掺杂的硫化物、SIONe、SiAlON、正硅酸盐，例如(Ba，Sr)₂SiO₄：Eu²⁺；氯硅酸盐、氯硫酸盐、BAM(铝酸钡镁：Eu)和/或SCAP、卤素磷酸盐。

然而，第一带电粒子还可以具有其他带电物质或由此形成，例如反射物质和/或散射物质，例如TiO₂，Al₂O₃，ZrO₂，SiO₂，Au等等。

第一悬浮液的第一溶剂作为物质或物质混合物可以具有来自以下一组物质的物质或由此形成：水、乙醇、酮、醛；芳(香)族和/或脂(肪)族碳氢化物、胺类；二甲基亚砜。

在将第一发光物质层第一电泳淀积108在衬底表面上的导电层上之后，该方法可以包括移除110该导电层，只要该衬底预先被金属化(102)。移除110该导电层例如可以用湿化学方法，例如用碱性含水溶液(例如氢氧化钾溶液)从衬底表面移除导电层。在此，该金属可以转变为金属盐，而该发光物质层则留在衬底表面上。对此重要的是该导电层物质的可溶性可以不同于该电泳层物质的可溶性。

图2示出按照不同的构型的组件制造方法的流程图。

与按照图1描述的方法构型不同，该方法在其他构型中可以包括带电物质或物质混合物在衬底表面上的至少另一次电泳淀积204。在此，该另一次电泳淀积204可以在移除金属化110之前形成，其中衬底表面例如可以只具有该导电层的104。

第一电泳淀积106之后，可以改变导电层的电独立区域的电位差，其方式例如是在第一电接触106时不与电压源连接的电独立区域在对电独立区域进行第二电接触202时与电压源电连接。

然后在第二悬浮液中的第二电泳淀积204中，可以在导电的衬底表面的电独立区域上形成第二电泳层。由此除了图1构型的电独立区域以外，还可以对该衬底表面的另外的电独立区域涂层。在此，第二悬浮液可以具有第二类型的带电粒子和第二溶剂。

在此，该第二溶剂可以设立为在物质上类似于或等同于第一溶剂。

例如，当在衬底上应该形成带有不同层厚的区域的第一电泳层时，第二带电粒子可以形成为与第一带电粒子相同。

然而，第二带电粒子还可以例如具有不同于第一带电粒子的发光物质。在此，第二带电发光物质粒子作为物质或物质混合物可以具有来自以下一组物质的物质或由此形成：Ce³⁺掺杂的石榴石，诸如YAG：Ce和LuAG，例如(Y，Lu)₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce³⁺；Eu²⁺掺杂的氮化物，例如CaAlSiN₃：Eu²⁺、(Ba，Sr)₂Si₅N₈：Eu²⁺；Eu²⁺掺杂的硫化物、SIONe、SiAlON、正硅酸盐，例如(Ba，Sr)₂SiO₄：Eu²⁺；氯硅酸盐、氯磷酸盐、BAM(铝酸钡镁：Eu)和/或SCAP、卤素磷酸盐。

然而，第二带电粒子还可以具有其他带电物质或由此形成，例如反射和/或散射物质，例如TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂、Au等。

第二电泳淀积204或另外的电泳淀积204之后，可以形成导电层110的移除。

采用两次或更多次电泳淀积过程，在衬底上借助于导电层的结构化104和移除110可以形成不同结构。例如，在该方法之后该表面可以具有两个或更多个不同类型的发光物质层区域。附加地或作为代替，在发光物质层区域之间的表面可以具有反射层。于是，从反射层例如可以反射从发光物质层朝衬底方向发射的电磁辐射。

在此，一种类型的发光物质层区域可以理解为在衬底表面上侧向隔开的区域，其中该区域具有带有一种类型发光物质的层。

可以在衬底上的两个或更多个不同类型的发光物质层区域可以被设立用于形成多LED，例如，由磷转换芯片(例如Mint-Farbend)和非磷转换芯片(例如优选红色)组成的混合物中的多芯片LED。

图3示出在按照一种构型的组件制造方法中组件的示意俯视图。

示意地显示在组件制造方法中按照图1描述的构型之一的组件构型300。

在不限制一般性的情况下，图3显示组件的一个构型，其中该组件具有载体302，和在载体302上形成多个光电子组件306。在此，光电子组件306可以借助于电连接304部分地彼此电连接。

衬底300表面的一部分可以是导电的，例如电连接。

例如，光电子组件306可以设立为InGaN-二极管。

因而，在对衬底金属化102之前，在衬底表面上应该敷设电绝缘层(未示出)，例如厚度大约20nm的SiO₂层。

接着，可以借助于金属化102在衬底表面上敷设导电层308，例如，厚度大约100nm的铟锡氧化物层308或ITO-层308。

借助于结构化104可以移除金属层308的一部分318，从而释放该电绝缘层。

借助于结构化104，可以在该导电层308内形成电独立区域308，310，312，314，316。例如，可以在光电子组件306以及电连接304上或上方形成电独立区域310，312，314，316。

例如，电独立区域310，312，314，316的电接触106可以使在电独立区域310，312，314，316和导电层308之间形成第一电位差成为可能。

第一电位差320可以借助于电压源322产生，该电压源借助于电端子324与电独立区域310，312，314，316电连接。

例如，电压源322可以具有大约400V的静态电压值。

电接触106之后，衬底300可以浸入具有反电极的发光物质悬浮液中。在此，可以使发光物质326电泳淀积108在结构化的电独立区域310，312，314，316上。

例如，该发光物质悬浮液可以是带有YAG的含水溶液，发光物质在悬浮液上的质量比约为10％。

按照图2描述的构型，淀积的发光物质326也可以称为第一电泳层326。

发光物质326电泳淀积108之后，导电层308可以用湿化学方法，例如借助于含水氢氧化钾溶液移除(110)。在此，含水氢氧化钾溶液中氢氧化钾相对于含水氢氧化钾溶液总重量的质量比可以是大约5％。

从衬底300移除110导电层308之后，在光电子组件306上或上方可以形成发光物质层区域326。例如，发光物质层区域326可以具有大约25μm至大约50μm的厚度。

载体302在从衬底300移除110导电层308之后借助于该方法可以没有导电层302和发光物质326。

图4示出按照不同的构型的组件制造方法中组件的示意俯视图。

图4中按照图2描述的方法的构型，显示图3描述的组件制造方法构型的不同构型。

在图3组件的另一个构型400中，实现导电层302的电接触106，以代替电独立区域310，312，314，316的电接触106。由此，电独立区域310，312，314，316之间的区域，亦即在这个构型中的导电层302可以被电泳地涂层。光电子组件306和电连接在该方法的这个构型中例如可以不被涂层地形成。由此在移除导电层110之后，在在光电子组件306和电连接304之间的区域内可以在载体102上或上方形成第二电泳层402。例如，第二电泳层402可以形成为TiO₂反射层402。

为此，衬底300可以在第二悬浮液中被电泳涂层，其中第二悬浮液被设立为带有TiO₂粒子的水溶液。TiO₂粒子在悬浮液中的质量比可以约为0.1％至大约1％。

图5示出按照不同构型的组件制造方法中组件的示意俯视图。

在另一个构型中，在衬底300上可以按照图3构型的描述，在电泳淀积108之后和在移除导电层110之前形成第二电位差。例如，电连接324可以从结构化的电独立区域310，312，314，316解除并施加在导电层308上。于是，在该导电层上可以在第二悬浮液中例如按照构型400形成TiO₂反射层402。

移除导电层110之后，该构型500可以在光电子组件306和电连接304上或上方具有发光物质326，而在发光物质层区域326之间形成TiO₂反射层402。

图6示出按照不同构型的组件制造方法中组件的示意俯视图。

在另一个构型中，在衬底300上可以按照图3构型的描述，在形成结构化的电不依赖区域310，312，314，316之后和在移除导电层110之前的电泳淀积108之前只在几个电独立区域310，312，314，316上形成第一电位差。于是，在这些区域上，例如，在区域312和316上，可以按照图1和图3的描述形成第一电泳层326。换句话说，在该方法中电独立区域310，312可以理解为第一电独立区域，而电独立区域308，314，316可以理解为第二电独立区域。

于是，移除110导电层308之前，可以在电独立区域310，314上形成第二电位差，并使之与第二悬浮液实体接触。然后，按照图2的描述，在电独立区域310，314上或上方可以电泳敷设第二电泳层602。在此，按照图2描述的构型，该第二电泳层可以具有第二发光物质或由此形成。

在一个构型中，在形成第二发光物质层区域602之后可以移除导电层308。由此可以在一个衬底上形成不同厚度的发光材料层和/或不同的发光物质。

在另一个构型中，在另一次电泳淀积(未示出)时，例如可以在导电层308上或上方，在第一发光物质层区域和第二发光物质层区域之间按照图5构型形成TiO₂反射层402。

图7示出按照不同构型的组件制造装置的示意图。

显示一个带有导电层的电独立区域720，722的衬底。

电独立区域720，722可以借助于在导电层下方的绝缘区域728和电绝缘衬底彼此电绝缘。

该衬底可以例如按照图1-图6描述的构型之一形成。

该衬底固定在衬底支持器714上，并浸入带有第一悬浮液或第一分散液的容器718。

在此，第一悬浮液或第一分散液可以按照图1-图6描述的构型之一设立。

衬底支持器714仅是高度简化的并示意地显示，因为不同成型的衬底可能需要不同的衬底支持器。

该悬浮液可以具有第一溶剂726和第一带电物质716或第一带电物质混合物716，其中第一带电物质716或第一带电物质混合物716可以形成为带电粒子716。

该衬底这样地浸入第一悬浮液或第一分散液，使得电独立区域720，722部分地或完全被该悬浮液或分散液包围。

电独立区域720，722可以与电端子724电接触和实体接触。在此，电端子724可以是衬底支持器714的一部分，并被设立为与衬底支持器714电绝缘。

电独立区域720，722可以借助于衬底支持器714的电端子724和电连接710，712与控制电路704电连接。

控制电路704可以借助于电连接706与电路702电连接，或形成为电路702的一部分。

此外，控制电路704还可以借助电连接708与第二电极、例如容器718电连接。

电路702可以具有至少一个电压源，例如交流电源或直流电源，例如用电位器调节，例如，最大电压230V。

电路702可以提供该装置的第一电位差和/或第二电位差。第一电位差和/或第二电位差的时间变化可以借助于控制电路704加以调节，例如，时间上调制。

在此，第一电位差可以在第一电独立区域720和第二电独立区域722之间形成。

第二电位差可以在第一电独立区域720和容器718之间形成，和/或在第二电独立区域722和容器718之间形成。

第一电位差和/或第二电位差的形成还可以理解为电独立区域720，722与电路702的电连接。

该电连接可以手动或用机器，亦即，用电气的方法借助于打开或闭合端子724建立。

在此，端子724可以例如形成为夹紧端子或销钉(未示出)。夹紧端子可以打开和闭合，其中在例如“闭合”状态下与电独立区域形成实体接触和电接触。

例如，销钉可以插入或拔起，其中，例如借助于销钉插入可以与电独立区域建立实体接触和电接触。

端子724的打开和/或闭合例如可以以电气方式形成，例如借助于电动机。

此外，端子724的插入或闭合还可以例如用控制电路704控制。

电独立区域720，722与电端子724的电连接和实体连接可以与第一电独立区域720和/或第二电独立区域722形成。

在一个构型中，该控制电路704可以借助于整流器(未示出)把电路702的交流转换为直流。于是直流电路可以例如借助于控制电路704中电独立区域720，722和容器718之间的开关和/或电位器(未示出)而闭合。

例如，控制电路704可以形成时间上恒定的第二电位，例如在大约-50V至大约+50V的范围内。

例如，容器718可以接地。

粒子716带正电时，例如溶解在水726中的磷粒子716，例如在容器718和第一导电区域720上方可以形成数值约为-20V的负电压。借助于第二电位，带正电的磷粒子716可以向第一电独立区域720扩散，和淀积在第一电独立区域720的表面上。

然而，第一电位和第二电位的调整还可以用计算机控制，亦即通过用户图形界面进行。

在不同的实施方式中，提供了组件制造方法和组件制造装置，籍此可以将一种物质或物质混合物的电泳淀积限制在组件表面的定义的区域上。组件表面的定义的区域的形成与光刻过程相比可以用激光和刮除过程(Ritzprozessen)较快和成本低廉地实现。借助于激光对导电表面的结构化可以迅速地和简单地匹配于组件的不同形状。此外，激光和刮除过程不需要在组件、例如光电子组件(前端)分割成单片之前进行。电泳淀积借助于定义的区域自动调整。由此对于例如发光物质的淀积可以降低对组件的要求，亦即，该组件例如在与硅酮接触之后仍旧可以被加工。此外，采用该方法可以简单地形成多色光电子组件或在光电子组件之间带有反射材料的光电子组件。

Claims

1.用于制造组件的方法，该方法具有：

●提供带有导电层形式的导电表面的衬底，其中在所述衬底上构造至少一个光电子组件；

●借助激光过程将该层划分为第一电独立区域和第二电独立区域，其中在导电层中形成电绝缘区域以便将电独立区域电分离；

●在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差；和

●在第一电独立区域和/或第二电独立区域上敷设一种带电物质或一种带电物质混合物；

●其中借助于电位差调节电独立区域和/或调节所敷设的带电物质或带电物质混合物的数量。

2.用于制造组件的方法，该方法具有：

●借助刮除过程将该层划分为第一电独立区域和第二电独立区域，其中在导电层中形成电绝缘区域以便将电独立区域电分离；

●在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差；和

3.根据权利要求1或2的方法，

其中提供带有导电表面的衬底包括在该衬底的电绝缘表面上或上方形成导电层。

4.根据权利要求1或2的方法，

其中提供带有导电表面的衬底包括在该衬底的电绝缘表面上或上方形成导电层，

其中该衬底的电绝缘表面借助于在衬底的部分或完全电绝缘表面上或上方形成电绝缘层而形成。

5.根据权利要求1或2的方法，

其中电独立区域之间的电绝缘区域的形成包括导电层的物质或物质混合物的化学交联或化学降解，或者包括弹道过程。

6.根据权利要求1或2的方法，

其中在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差包括至少一个电独立区域与电压源的连接，并形成第一电极。

7.根据权利要求1或2的方法，

其中为了在第一电独立区域或第二电独立区域上敷设第一带电物质或第一带电物质混合物，形成第一电独立区域和/或第二电独立区域与悬浮液的实体接触，其中该悬浮液在第一溶剂中具有第一带电物质或第一带电物质混合物，和其中在该悬浮液中设立第二电极。

8.根据权利要求1或2的方法，另外还包括在第一电独立区域或第二电独立区域上或上方敷设其他带电物质或其他带电物质混合物。

9.根据权利要求1或2的方法，

另外还包括在第一电独立区域或第二电独立区域上或上方敷设其他带电物质或其他带电物质混合物，

其中所述其他带电物质或其他带电物质混合物的其他敷设包括改变来自以下一组参数的一个或多个参数：

●电位差；

●带电物质或带电物质混合物；

●悬浮液的溶剂；和/或

●所敷设的其他带电物质或带电物质混合物的层厚。

10.根据权利要求1或2的方法，

其中所述组件被形成为带有至少一个转换波长的光电子组件。

11.根据权利要求10的方法，

其中所述至少一个转换波长的光电子组件是转换波长的发光二极管。

12.根据权利要求1或2的方法，

其中所述组件被形成为带有至少一个转换波长的光电子组件，

其中带有多个转换波长的光电子组件的组件形成为多色发射或吸收的光电子组件。

13.根据权利要求12的方法，

其中所述多色发射或吸收的光电子组件是多色发光二极管。

14.根据权利要求1或2的方法，

其中在第一电独立区域上敷设发光物质，而在第二电独立区域上敷设反射器。

15.用于根据权利要求1至14之一所述的方法制造组件的装置，该装置具有：

●衬底支持器( 714 )，其中该衬底具有导电表面和在该导电表面下方的至少一个光电子组件，其中该表面具有第一电独立区域（720）和第二电独立区域（722）；

●用于在第一电独立区域（720）和第二电独立区域（722）之间形成第一电位差的电路（702）；

●用于在第一电独立区域（720）或第二电独立区域（722）上敷设一种带电物质或一种带电物质混合物的装置；

●用于借助于第一电位差控制电独立区域（720，722)和/或控制所敷设的带电物质（716）或带电物质混合物（716）数量的控制电路（704），以及

其中该控制电路控制与至少一个电独立区域（720， 722)的电连接的形成，其方式是控制被电接触的电独立区域（720，722)的数目和/或被电接触的电独立区域（720，724)的选择。