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CN104087938A - 一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备 - Google Patents

一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备 Download PDF

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Publication number
CN104087938A
CN104087938A CN201410273131.7A CN201410273131A CN104087938A CN 104087938 A CN104087938 A CN 104087938A CN 201410273131 A CN201410273131 A CN 201410273131A CN 104087938 A CN104087938 A CN 104087938A
Authority
CN
China
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etching liquid
etching
ion
chamber
exchange membrane
Prior art date
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Pending
Application number
CN201410273131.7A
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English (en)
Inventor
李梁梁
郭总杰
丁向前
刘耀
白金超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
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Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
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Priority to US14/521,400 priority patent/US20150367286A1/en
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces

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Abstract

本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备,涉及显示技术领域,可降低刻蚀液中杂质离子的浓度,避免刻蚀液的频繁更换,从而保证刻蚀工艺的稳定性,同时还能延长刻蚀液的使用寿命,从而降低成本;所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室;用于湿法刻蚀设备的制造。

Description

一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备。
背景技术
目前,湿法刻蚀设备主要用于对金属以及铟锡氧化物(Indium TinOxide,简称ITO)或铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,简称IGZO)等金属氧化物进行刻蚀。
实际生产中,随着刻蚀工艺的进行,刻蚀液中的金属离子的浓度越来越高,这样会对刻蚀反应造成不良的影响,引起刻蚀速率的改变。如果金属离子的浓度过高,湿法刻蚀的产品性能无法满足要求,便需要对所述刻蚀液进行及时的更换。
在此基础上,如果刻蚀液的更换频率过高,则会引起成生产本的提高;所述刻蚀液在更换之后还需重新加热,需要耗费一定的能量,这样也会导致生产成本的提高。此外,所述刻蚀液在更换前后的成份变化相对较大,由此可能导致刻蚀速率、刻蚀产品的关键尺寸及坡度角等参数发生改变,从而影响刻蚀工艺的稳定性。
发明内容
本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备,可降低刻蚀液中杂质离子的浓度,避免刻蚀液的频繁更换,从而保证刻蚀工艺的稳定性,同时还能延长刻蚀液的使用寿命,从而降低成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种刻蚀液储液装置,所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。
可选的,所述离子交换膜为阳离子交换膜;其中,在所述阳极和所述阴极之间的电场作用下,所述刻蚀液中的金属离子从所述第一腔室通过所述阳离子交换膜进入到所述第二腔室。
进一步可选的,在所述金属离子为活泼金属的情况下,所述阳极和所述阴极均采用惰性电极;在所述金属离子为非活泼金属的情况下,所述阳极采用惰性电极,所述阴极采用与所述金属离子同等材质的电极。
进一步的,所述惰性电极包括碳电极。
可选的,所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述刻蚀液存储罐的内部;所述刻蚀液存储罐上还设置有进液口和排液口;其中,所述进液口设置在所述第二腔室的顶部,所述排液口设置在所述第二腔室的底部。
进一步可选的,所述第一腔室的容积大于所述第二腔室的容积。
可选的,所述刻蚀液储液装置还包括位于所述刻蚀液存储罐外部的电渗析装置;所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述电渗析装置的内部;其中,所述第一腔室的顶部和底部分别与所述刻蚀液存储罐的顶部和底部连通。
进一步可选的,所述刻蚀液储液装置还包括位于所述电渗析装置外部的废液罐;其中,所述第二腔室的底部与所述废液罐连通。
可选的,所述阳极和所述阴极采用棒状电极;或者,所述阳极和所述阴极采用面状电极。
可选的,所述阳极与直流电源的正极相连,所述阴极与直流电源的负极相连;其中,所述直流电源的功率可调。
优选的,所述刻蚀液储液装置还包括与所述刻蚀液存储罐相连的浓度管理器,用于对所述刻蚀液的各个组分浓度进行实时监控。
另一方面,提供一种湿法刻蚀设备,所述湿法刻蚀设备包括上述的刻蚀液储液装置。
本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备,所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。
基于此,在所述阳极和所述阴极之间的电场作用下,所述刻蚀液中的阳离子趋于向所述阴极的方向运动,所述刻蚀液中的阴离子趋于向所述阳极的方向运动;在此基础上,位于所述阳极和所述阴极之间的所述离子交换膜对于所述刻蚀液中的离子具有选择透过性,由此便会导致所述阳离子在所述第二腔室中的含量和/或所述阴离子在所述第一腔室中的含量越来越高。这样,通过将所述刻蚀液中的阴阳离子集聚在不同的区域,当对所述刻蚀液进行更换时,便可以仅对部分区域的刻蚀液进行更换;例如当需要降低所述阳离子的浓度时,可以仅对所述第二腔室中的刻蚀液进行更换,当需要降低所述阴离子的浓度时,可以仅对所述第一腔室中的刻蚀液进行更换。基于此可知,通过在所述刻蚀液储液装置中引入由所述离子交换膜、所述阳极和所述阴极组成的离子交换系统,不仅可以有效的降低所述刻蚀液中杂质离子的浓度,避免刻蚀液的频繁更换,从而保证刻蚀工艺的稳定性,同时还能延长所述刻蚀液的使用寿命,从而降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种刻蚀液储液装置的结构示意图一;
图2为本发明实施例提供的一种刻蚀液储液装置的结构示意图二。
附图标记:
101-离子交换膜/阳离子交换膜;102-阳极;103-阴极;10a-第一腔室;10b-第二腔室;20-刻蚀液存储罐;201-进液口;202-排液口;30-电渗析装置;40-废液罐。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置,如图1和图2所示,所述刻蚀液储液装置可以包括刻蚀液存储罐20、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜101、以及位于所述离子交换膜101两侧的阳极102和阴极103;其中,所述离子交换膜101与所述阳极102之间构成第一腔室10a,所述离子交换膜101与所述阴极103之间构成第二腔室10b。
需要说明的是,第一,所述刻蚀液存储罐20主要用于存储所述刻蚀液,因此其内部表面可以采用具有良好抗蚀性的材质,从而避免受到所述刻蚀液的腐蚀。
第二,本发明的实施例在所述刻蚀液储液装置中引入由所述离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103组成的离子交换系统,并通过所述离子交换膜101的电渗析作用对所述刻蚀液中的离子进行选择性的透过。
其中,所述阳极102和所述阴极103主要用于为所述离子交换系统提供电场,这里对于所述阳极102和所述阴极103的具体形状不做限定,只要可以在两个电极之间形成定向电场即可。
所述离子交换膜101可以为阴离子交换膜,用于透过所述刻蚀液中的阴离子;或者,所述离子交换膜101也可以为阳离子交换膜,用于透过所述刻蚀液中的阳离子;或者,所述离子交换膜101还可以为两性交换膜,用于同时对所述阴离子和所述阳离子进行选择性透过。这里对于所述离子交换膜101的类型不作具体限定,以实际生产需求为准进行选择。
第三,所述刻蚀液储液装置可以直接在所述刻蚀液存储罐20中引入由所述离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103组成的离子交换系统,也可以在所述刻蚀液存储罐20的外部独立设置由所述离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103组成的离子交换系统,从而实现所述刻蚀液中的离子的选择性透过。本发明的实施例对于所述离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103的具体设置方式不做限定。
本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置,所述刻蚀液储液装置可以包括刻蚀液存储罐20、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜101、以及位于所述离子交换膜101两侧的阳极102和阴极103;其中,所述离子交换膜101与所述阳极102之间构成第一腔室10a,所述离子交换膜101与所述阴极103之间构成第二腔室10b。
基于此,在所述阳极102和所述阴极103之间的电场作用下,所述刻蚀液中的阳离子趋于向所述阴极103的方向运动,所述刻蚀液中的阴离子趋于向所述阳极102的方向运动;在此基础上,位于所述阳极102和所述阴极103之间的所述离子交换膜101对于所述刻蚀液中的离子具有选择透过性,由此便会导致所述阳离子在所述第二腔室10b中的含量和/或所述阴离子在所述第一腔室10a中的含量越来越高。这样,通过将所述刻蚀液中的阴阳离子集聚在不同的区域,当对所述刻蚀液进行更换时,便可以仅对部分区域的刻蚀液进行更换;例如当需要降低所述阳离子的浓度时,可以仅对所述第二腔室10b中的刻蚀液进行更换,当需要降低所述阴离子的浓度时,可以仅对所述第一腔室10a中的刻蚀液进行更换。基于此可知,通过在所述刻蚀液储液装置中引入由所述离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103组成的离子交换系统,不仅可以有效的降低所述刻蚀液中杂质离子的浓度,避免刻蚀液的频繁更换,从而保证刻蚀工艺的稳定性,同时还能延长所述刻蚀液的使用寿命,从而降低成本。
在湿法刻蚀工艺中,所述刻蚀液需要从所述刻蚀液存储罐20中抽出至刻蚀反应腔室,以实现对待刻蚀物质的刻蚀;随后再重新回收至所述刻蚀液存储罐20中,以实现所述刻蚀液的循环使用。
由此可知,所述刻蚀液经过刻蚀反应之后还会重新回到所述刻蚀液存储罐20中,那么所述刻蚀液的成份和浓度必然会发生相应的改变。当所述刻蚀液的成份和浓度改变到一定程度时,便需要对所述刻蚀液进行更换。
基于此,可选的,所述刻蚀液储液装置还可以包括与所述刻蚀液存储罐20相连的浓度管理器(图中未示出),用于对所述刻蚀液的各个组分浓度进行实时监控。
这样,通过所述浓度管理器对所述刻蚀液的各个组分浓度进行实时监控,便可以及时的发现所述刻蚀液中各个组分的浓度变化情况,从而精确的控制所述刻蚀液的更换时间。
需要说明的是,这里所述的刻蚀液的更换具体可以是针对部分刻蚀液进行更换,当然也可以是将所有刻蚀液进行更换。但基于本发明的目的,这里优选针对部分刻蚀液进行更换。
考虑到湿法刻蚀工艺主要用于对金属以及ITO或IGZO等金属氧化物进行刻蚀,而经过刻蚀反应之后的刻蚀液中存在许多金属离子,为了保证湿法刻蚀工艺的稳定性,便需要将所述刻蚀液中的金属离子及时的排出。
在此基础上,所述离子交换膜101优选为阳离子交换膜;其中,在所述阳极102和所述阴极103之间的电场作用下,所述刻蚀液中的金属离子可以从所述第一腔室10a通过所述阳离子交换膜101进入到所述第二腔室10b。
具体的,所述阳离子交换膜101具有选择透过性,其可以仅使带有正电荷的阳离子通过,而使带有负电荷的阴离子无法通过。在此基础上,在所述阳极102和所述阴极103之间的电场作用下,所述刻蚀液中的阳离子(具体为金属离子)会向所述阴极103的方向运动,使得原本位于所述第一腔室10a中的金属离子会通过所述阳离子交换膜101而进入到所述第二腔室10b,而原本位于所述第二腔室10b中的金属离子在电场的作用下依然处于该腔室。这样,所述刻蚀液中的金属离子便会在所述第二腔室10b中逐渐集聚,当其富集到一定程度时,便可以对该部分的刻蚀液进行更换,从而保证所述刻蚀液的成份的相对稳定,同时还可以节约成本。
这里需要说明的是,由于所述阳离子交换膜101仅对阳离子具有透过作用,而对阴离子具有阻隔作用,因此在电场的作用下,即使所述阴离子具有向所述阳极102运动的倾向,但位于所述第二腔室10b中的阴离子会因受到所述阳离子交换膜101的阻隔作用而无法进入所述第一腔室10a,位于所述第一腔室10a中的阴离子依然处于该腔室,因此所述第一腔室10a和所述第二腔室10b中的阴离子含量保持不变。
基于上述描述,在所述金属离子为活泼金属的情况下,所述阳极102和所述阴极103可以均采用惰性电极;在所述金属离子为非活泼金属的情况下,所述阳极102可以采用惰性电极,所述阴极103可以采用与所述金属离子同等材质的电极。
其中,所述活泼金属是指金属元素的活泼性强于氢元素的活泼性的金属,例如铝;所述非活泼金属是指金属元素的活泼性弱于氢元素的活泼性的金属,例如铜。
这里,由于所述阳极102和所述阴极103需要与所述刻蚀液直接接触,因此所述阳极102和所述阴极103的材料均应具有良好的化学稳定性和电化学稳定性。
在此情况下,所述阳极102采用惰性电极,可以在所述刻蚀液的环境中有效的避免所述阳极102发生化学反应或者电化学反应;所述阴极103采用惰性电极或者非活泼金属电极,可以有效的防止所述阴极103与所述刻蚀液之间发生化学反应。
基于上述描述,在所述金属离子为非活泼金属的情况下,所述阴极103可以采用与所述金属离子同等材质的电极,其具体可以是:在所述刻蚀液中仅包含一种金属离子的情况下,所述阴极103可以采用该种金属离子对应的金属材料作为电极材料;在所述刻蚀液中包含多种金属离子的情况下,所述阴极103可以采用多种金属离子中活泼性弱于氢的金属离子对应的金属材料作为电极材料,且优选活泼性最弱(化学稳定性最强)的一种金属离子对应的金属材料作为电极材料。
通过上述方法选择电极的材料,不仅可以有效的避免电极与刻蚀液之间发生化学或者电化学反应,同时还有利于进行金属的回收。
示例的,当所述刻蚀液对金属铜进行刻蚀之后,所述刻蚀液中会残留许多铜离子;此时,由于铜的活泼性弱于氢的活泼性,因此不会与所述刻蚀液之间发生化学反应。这样,当所述阴极103采用铜电极时便无需考虑电极损耗,且所述刻蚀液中的铜离子会在所述阴极103的表面富集并析出,即所述铜离子在所述铜电极的表面析出,这样有利于进行金属铜的回收。
当所述刻蚀液对ITO进行刻蚀之后,所述刻蚀液中会残留许多铟离子和锡离子;此时,由于铟的活泼性弱于氢的活泼性,而氢的活泼性弱于锡的活泼性,因此所述阴极103可以优选采用铟电极。在此基础上,由于铟属于稀有金属,价格昂贵,具有很高的回收价值;因此以所述铟电极作为所述阴极103,可使所述刻蚀液中的铟离子在所述铟电极的表面析出,有利于进行金属铟的回收。
进一步的,所述惰性电极优选采用碳电极。
当然,所述惰性电极也可以采用其它材料的惰性电极,例如铂电极,这里不做具体限定。
基于上述描述,可选的,所述阳极102和所述阴极103可以采用棒状电极;或者,所述阳极102和所述阴极103可以采用面状电极。当然,所述阳极102和所述阴极103还可以采用其它形状的电极。
考虑到在电场作用下所述金属离子的转移效率,本发明的实施例优选所述阳极102和所述阴极103均采用面状电极。相比于棒状电极或者其它形状的电极,采用面状电极可以有效的增加电场的覆盖区域、并保证电场的均匀稳定性,从而提高所述金属离子的转移速率。
可选的,参考图1所示,所述阳离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103可以均设置在所述刻蚀液存储罐20的内部;在此情况下,所述刻蚀液存储罐20上还设置有进液口201和排液口202。其中,所述进液口201可以设置在所述第二腔室10b的顶部,所述排液口202可以设置在所述第二腔室10b的底部。
基于上述结构,在所述刻蚀液存储罐20的内部即可形成所述离子交换系统。相比于现有的刻蚀液储液装置而言,该结构不会占用过多的空间,仅需在所述刻蚀液储液装置的外部增设直流电源、并通过导线将所述直流电源的正极和负极分别与所述阳极102和所述阴极103连接即可。
在此基础上,本发明的实施例优选所述第一腔室10a的容积大于所述第二腔室10b的容积。
这样,当所述刻蚀液中的金属离子在所述第二腔室10b中集聚并富集到一定程度时,无需将所有刻蚀液进行更换,可以仅对所述第二腔室10b中的刻蚀液进行更换。由于所述第二腔室10b的容积相对较小,因此需要更换的所述刻蚀液也相对较少,这样不仅操作简单,同时还能降低成本。
进一步的,在所述金属离子通过所述阳离子交换膜101转移到所述第二腔室10b的过程中,所述第一腔室10a中带正电荷的阳离子的含量有所下降。为了保证体系的稳定,所述刻蚀液中的水分子会产生氢离子来补充金属离子转移引起的阳离子损耗。其具体过程为:
H2O=H++OH-
4OH--4e-=2H2O+O2
由于氢离子用于补偿金属离子转移之后的阳离子损耗,因此氢离子得到电子生成氢气的反应趋势较弱,其可以相对稳定的存在于所述第一腔室10a中的刻蚀液体系中。这样,氢离子的生成可以保持所述刻蚀液的酸性,从而减少单酸的补充用量;且随着刻蚀液使用时间的延长,所述刻蚀液的成份相对恒定,从而可以提高刻蚀工艺的稳定性。
可选的,参考图2所示,所述刻蚀液储液装置还可以包括位于所述刻蚀液存储罐20外部的电渗析装置30;所述阳离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103可以均设置在所述电渗析装置30的内部;其中,所述第一腔室10a的顶部和底部可以分别与所述刻蚀液存储罐20的顶部和底部连通。
基于上述结构,在所述刻蚀液存储罐20的外部可以独立设置所述电渗析装置30,通过在所述电渗析装置30中形成离子交换系统,可以实现对所述刻蚀液中的金属离子的排出。在此情况下,可以在所述电渗析装置30的外部增设直流电源、并通过导线将所述直流电源的正极和负极分别与所述阳极102和所述阴极103连接。
这样,所述刻蚀液存储罐20中的刻蚀液可以与所述电渗析装置30的第一腔室10a连通;当所述刻蚀液进入到所述第一腔室10a之后,在电场的作用使得所述金属离子通过所述阳离子交换膜101进入到所述第二腔室10;因此当所述刻蚀液重新回到所述刻蚀液存储罐20中时,已经排出了所述刻蚀液中多余的金属离子。
在此基础上,所述刻蚀液储液装置还可以包括位于所述电渗析装置30外部的废液罐40;其中,所述第二腔室10b的底部可以与所述废液罐40连通。
这样,由于所述电渗析装置30中的金属离子集聚在所述第二腔室10b中,因此所述第二腔室10b中具有高含量金属离子的刻蚀液便可以直接排出至所述废液罐40中。
这里,在所述第二腔室10b的顶部还可以设置进液口(图中未示出),用于补充所述电渗析装置30中的电解液;其中,所述电解液可以包括所述刻蚀液,但不限于此,只要是可以溶解所述刻蚀液中的金属离子的溶液均可。
基于上述,通过在所述刻蚀液存储罐20的外部独立设置所述电渗析装置30,可以根据实际情况控制所述电渗析装置30的大小。在实际生产中,可以设置一个体积较小的电渗析装置30,从而使得所述阳离子交换膜101、所述阳极102和所述阴极103的面积也相对较小,这样便可以降低成本。
进一步的,所述电渗析装置30还可以包括气体排放系统,用于排出所述电渗析装置30中产生的气体。相比于直接在所述刻蚀液存储罐20中设置离子交换系统,在所述刻蚀液存储罐20的外部独立设置所述电渗析装置30相对更加安全。
具体的,由于所述刻蚀液存储罐20通常为密闭状态,其内部的刻蚀液基本可以充满整个罐体,因此在所述刻蚀液存储罐20中产生的气体可能随着所述刻蚀液进入到湿法刻蚀设备的腔室里。在此基础上,通过独立设置所述电渗析装置30,可以根据实际情况来确定该装置的体积大小及其内部液体的含量,同时还可以设置气体排放系统,从而提高生产的安全性。
为了实现上述方案,优选的,所述阳极102可以与直流电源的正极相连,所述阴极103可以与直流电源的负极相连;其中,所述直流电源的功率可调。
具体的,所述直流电源可以在所述刻蚀液使用一段时间之后,即所述金属离子的浓度达到一定程度之后启用,结合浓度管理器,实现对所述刻蚀液中的金属离子浓度的实时监测。当金属离子的浓度相对较高时,可以增大所述直流电源的功率;当金属离子的浓度相对较低时,可以减小所述直流电源的功率、或者暂时关闭所述直流电源,以保持所述刻蚀液中的金属离子浓度的动态平衡,从而提高湿法刻蚀工艺的稳定性。
本发明的实施例还提供一种湿法刻蚀设备,所述湿法刻蚀设备包括上述的刻蚀液储液装置。
这里需要说明的是,本发明的实施例仅以所述刻蚀液储液装置和所述湿法刻蚀设备为例对本发明的技术方案进行了说明,但本发明的保护范围并不限于此,只要是在溶液存储装置的基础上设置离子交换系统、以实现对溶液中的离子的选择,均在本发明的保护范围之内。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种刻蚀液储液装置,其特征在于,所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极;
其中,所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室,所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。
2.根据权利要求1所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述离子交换膜为阳离子交换膜;
其中,在所述阳极和所述阴极之间的电场作用下,所述刻蚀液中的金属离子从所述第一腔室通过所述阳离子交换膜进入到所述第二腔室。
3.根据权利要求2所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,
在所述金属离子为活泼金属的情况下,所述阳极和所述阴极均采用惰性电极;
在所述金属离子为非活泼金属的情况下,所述阳极采用惰性电极,所述阴极采用与所述金属离子同等材质的电极。
4.根据权利要求3所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述惰性电极包括碳电极。
5.根据权利要求2所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述刻蚀液存储罐的内部;
所述刻蚀液存储罐上还设置有进液口和排液口;
其中,所述进液口设置在所述第二腔室的顶部,所述排液口设置在所述第二腔室的底部。
6.根据权利要求5所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述第一腔室的容积大于所述第二腔室的容积。
7.根据权利要求2所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述刻蚀液储液装置还包括位于所述刻蚀液存储罐外部的电渗析装置;
所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述电渗析装置的内部;
其中,所述第一腔室的顶部和底部分别与所述刻蚀液存储罐的顶部和底部连通。
8.根据权利要求7所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述刻蚀液储液装置还包括位于所述电渗析装置外部的废液罐;
其中,所述第二腔室的底部与所述废液罐连通。
9.根据权利要求1至8任一项所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述阳极和所述阴极采用棒状电极;
或者,所述阳极和所述阴极采用面状电极。
10.根据权利要求1所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述阳极与直流电源的正极相连,所述阴极与直流电源的负极相连;
其中,所述直流电源的功率可调。
11.根据权利要求1所述的刻蚀液储液装置,其特征在于,所述刻蚀液储液装置还包括与所述刻蚀液存储罐相连的浓度管理器,用于对所述刻蚀液的各个组分浓度进行实时监控。
12.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,所述湿法刻蚀设备包括权利要求1至11任一项所述的刻蚀液储液装置。
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