NL8101962A - Magnetische sensor. - Google Patents
Magnetische sensor. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8101962A NL8101962A NL8101962A NL8101962A NL8101962A NL 8101962 A NL8101962 A NL 8101962A NL 8101962 A NL8101962 A NL 8101962A NL 8101962 A NL8101962 A NL 8101962A NL 8101962 A NL8101962 A NL 8101962A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layers
- magnetic
- layer
- sensor according
- magnetization
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
4 -ψ EHN 10.016 1 N.V. Philips' Gloeilanpenfabrieken te Eindhoven.
Magnetische sensor.
De uitvinding heeft betrekking op een magnetische sensor welke gebruik maakt van het magnetoweerstandseffect van twee pp kleine afstand evenwijdig ten opzichte van elkaar gelegen, magnetostatisch, gekoppelde, vlakke lagen van electrisch geleidend, ferronagnetisch materiaal met een 5 gemakkelijke as voor de magnetisatie in het vlak van de laag, die een responsie in de vorm van een electrische weerstandsvariatie geven pp het aanleggen van een aangeboden magnetisch veld met een component in het vlak van de lagen. Een niet-limitatieve opsomming van dergelijke materialen, omvattende in het bijzonder ferrcmagnetische nikkel-legeringen, kan men 10 vinden in het artikel "The anisotropy in the magnetoresistance of some nickel alloys" dat is gepubliceerd in het tijdschrift "Physica", Vol, XXV, 1959, bladzijden 702-720.
Sensoren die worden gevormd uit een laag van deze materialen en gebruik maken van deze eigenschap, zijn in wezen gevoelig voor de 15 waarde van een magnetische flux, onafhankelijk ervan of deze flux varieert of niet. Ze kunnen worden toegepast in magneetveldmeters, magnetische linealen en als magnetische leeskpp voor het uitlezen van magnetische registratiedragers. In het laatste geval maken ze het uitlezen mogelijk van registratiedragers die met een willekeurige relatieve verplaats ings- 20 snelheid, een snelheid nul inbegrepen, ten opzichte van de leeskcp bewegen. Ze maken het bovendien mogelijk cm zeer uitgestrekte frequentie-responsies, van nul tot enkele tientallen megahertz te hebben alsmede cm een amplitude van het leessignaal te hebben, die aanzienlijk groter is dan die welke men kan verkrijgen van inductieve sensoren, die slechts gevoelig zijn voor variaties van de magnëische flux. Ferrcmagnetische lagen met een magnetoweerstandseffect herten echter hetbezwaar, dat ze een geringe gevoeligheid bezitten voor kleine magneetvelden. In het Amerikaanse octrooischrift 3.860.695 is beschreven dat men aan dit bezwaar tegemoet kan kernen, door gebcuik te maken van een sensor met on twee evenwijdig ten opzichte van elkaar gelegen vlakke magnetoweer-stardlagen, die in serie net een, een kanstante spanning bezittende, spanningsbron zijn verbonden, terwijl de over hun uiteinden staande 8101962
* ÏC
& . ' *· f 1 .
EHN TO.016 2 spanningen aan een verschilversterker worden toegevoerd. De lagen bezitten gelijke electrische en magnetische eigenschappen, en dikte-afiietingen, waarbij tussen de lagen een isolatielaag van tenminste 300 R dik is aangebracht, die de lagen electrisch ten opzichte van elkaar iso-5 leert en een zekere magnetostatische koppeling tussen de lagen bewerkstelligt, terwijl de lagen in tegengestelde richtingen lopende meet-strcnen voeren, waarbij de meetstroaa door elke laag de betrokken laag bekrachtigt en de andere laag door het daarin geïnduceerde magneetveld magnetisch voorinstelt. Onder voor instellen wordt hier verstaan dat 10 de magnetisatierichting in een laag in afwezigheid van een uitwendig magnetisch veld zodanig wordt ingesteld, dat deze een hoek van ongeveer 45° maakt met de passagerichting van de electrische stroom, waardoor het werkpunt naar het gebied met de grootste helling van de electrische weerstand-uitwendig veld functie wordt verplaatst. Dit betekent dat bij 15 een klein magnetisch signaal van een registratiemedium een zo groot mogelijke weerstandsverandering optreedt.. (De passagerichting van de straten is steeds evenwijdig aan de grootste afmeting van elke laag.)
Een nadeel van deze bekende configuratie is, dat de meetstroom een vaste waarde moet hebben, die zodanig is dat de in de lagen geïnduceerde 20 magnetisatierichtingeri inderdaad een hoek. van ongeveer 45° maken met de stroom. Dit brengt bovendien met zich mee dat in de praktijk door de spreiding in eigenschappen van de lagen de meetstroom in iedere magnetische sensor apart ingesteld moet worden.. Een verder nadeel van deze bekende configuratie is, dat in verband met de eis dat de twee in serie geschakel-25 de magnetoresistieve lagen volledig electrisch van elkaar geïsoleerd moeten zijn, hun afstand niet kleiner kan zijn dan ongeveer 300 £r omdat bij dunnere lagen de kans dat er ongewenste doorverbindingen optreden aanzienlijk is. Bij deze afstand is de magnetostatische koppeling tussen de lagen niet optimaal, en is een betrekkelijk grote meetstroom 30 nodig om de voor de gewenste voorinstelling benodigde draaiing van de magnetisaties te realiseren. Een nadeel is ook, dat twee. uiteinden,.van de magnetoweerstandlagen van de bekende sensor afzonderlijk met een verschilversterker moeten worden verbonden, wat de vervaardiging van de magnetische leeskop in dunne film techniek extra gecompliceerd maakt.
35 Aan de uitvinding ligt de opgave ten grondslag een magnetische sensor met grote gevoeligheid voor kleine velden te verschaffen die een in wezen eenvoudige opbouw paart aan de mogelijkheid cm elke gewenste meetstroom te gebruiken, waarbij de gebruikte meetstroom bovendien rela- 81 0 1 9 6 2 ___________ * EHN 10.016 3 tief laag is.
De sensor volgens de uitvinding heeft daartoe als kenmerk, dat in bedrijf de magnetoweerstandlagen in dezelfde richting lopende stromen voeren en parallel met de ingangsklemmen van een detectieschakeling zijn 5 verbonden.
Door de parallelschakeling van de magnetoweerstandlagen zijn eventuele kortsluitingen via de tussenlaag niet van belang en kan deze zo dun gemaakt werden als nodig is voor een optimale magnetostatische koppeling van de lagen. In het algemeen zal de dikte kleiner dan 1000. £ 10 zijn, en in het bijzonder kleiner dan 300 2, de dikte van de isolatielaag van de bekende leeskop, waardoor een aanzienlijk sterkere magneto-statische koppeling dan daar tussen de lagen optreedt. In het bijzonder kan men nu een electrische geleider met een dikte kleiner dan 100 2 als tussenlaag namen, waardoor slechts één van de lagen behoeft te 15 worden verbonden met zcwel een bron van neetstroon als net een uitlees— schakeling, wat een uiterst eenvoudige opbouw in zich houdt. Door de sterke magnetostatische koppeling waardoor de vormardsotropie sterk wordt gereduceerd, staan de magnetisafes van de lagen in alle gevallen antiparallel. Bij een bepaalde, lage, minimumwaarde van de meets troon 20 zal de magnetisatie in de rusttoestand van een laag loodrecht staan op de stroon als de gemakkelijke assen voor de magnetisatie evenwijdig zijn aan de lengte assen, terwijl voor elke waarde van de nee ts troon, hoe klein ook, dit het geval kan zijn als de ^makkelijke assen voor de magnetisatie loodrecht staan op de lengte assen.
25 Een en ander betekent, dat als een (klein) uitwendig magnetisch veld vrordt aangeboden dat evenwijdig is aan de richting van de magnetisaties in rusttoestand in de lagen, één van de magnetisaties zal draaien (de andere staat al in de "goede" richting), terwijl als een (klein) magnetisch veld wordt aangeboden dat loodrecht staat op de richting van 30 de magnetisties in rusttoestand in de lagen beide magnetisaties naar de "goede" richting zullen draaien. In beide gevallen blijkt, als de parallelweerstand van de lagenconfiguratie wordt gemeten, de electrische weerstand-uitfcéndig magnetisch veld functie een zeer bijzonder karakter te hebben.
35 Zoals hierna zal worden uiteengezet uit dit zich als een extreem, grote gevoeligheid van de magnetische leeskop volgens de uitvinding voor kleine magneetvelden,
Opgemerkt wordt dat uit het DE-Offenlegungsschrift 8101962 PHN 10.016 4 r*
C I
26 50 484 een magnetoresistieve leeskop bekend is die bestaat uit een op een substraat aangebrachte stapeling van achtereenvolgens een magnetoweerstandlaag, een niet-magnetiscbe, electrisch geleidende laag uit titanium en een magnetische voorspanlaag. De vast ingestelde stroom 5 door de magnetoweerstandlaag en de titaniumlaag wekt een magneetveld in de voorspanlaag op dat op zijn beurt via magnetostatische koppeling de magnetisatierichting van de magnetoweerstandlaag zover draait dat deze een hoek van 45° maakt met de stroom. Ter vereenvoudiging van het fabricageproces mag de magnetische voorspanlaag uit hetzelfde materiaal 10 als de magnetosreerstandlaag vervaardigd warden / doch dan wordt de expliciete eis gesteld dat hij zoveel dunner dan deze dient te. zijnr dat hij onder invloed van het. erin geïnduceerde magneetveld magnétisch verzadigd wordt en niet als magnetoweerstand kan functioneren. De- werking van de magnetische leeskop volgens de uitvinding berust er daarentegen 15 juist op dat beide magnetostatisdh gekoppelde magnetoweerstandlagen als magnetoweerstand. functioneren.
De uitvinding zal bij wijze van voorbeeld nader worden toegelicht aan de hand van de tekening.
Figuur 1 toont schematisch een magnetische sensor volgens de 20 uitvinding.
Figuur 2 toont schematisch een electrisch. aansluitschema voor de sensor van figuur 1 -
Figuur 3 toont een kromte, die het verband geeft tussen de weerstand R en het magnetisch veld H bij een bekende magnetische sensor.
25 Figuren 4 en 5 tonen kramen die het verband geven tussen de weerstand R en het magnetisch veld H bij op verschillende wijzen toege-paste sensoren volgens de uitvinding.
Figuur 6 toont, een uitvoeringsvorm van een magnetische sensor volgens de uitvinding.
30 Figuur 7 toont, een dwarsdoorsnede door de sensor van f iguur 6.
Figuur 8 toont· een met de dwarsdoorsnede van figuur. 7 overeenkomende dwarsdoorsnede door een alternatieve uitvoeringsvorm van een sensor volgens de uitvinding,.
Figuur 1 geeft bij wijze van. eenvoudige illustratie een uit-35 voerlngsvoorbeeld van een constructie van een magnetoweerstandleeskop volgens de uitvinding, welke wordt gevormd door opeenvolgende neerslagen door sputteren in een inerte atmosfeer. Om de gedachten të bepalen kan een dergelijke constructie de volgende afmetingen hebben; lengte 81 0 1 9 6 2 __ HST 10.016 5 r gelijk aan 600 ^um, breedte L2 gelijk aan 20 ^u, dikte d van de orde van 750 £ en tussenruimte L tussen de lagen van de orde van 10-300 £.
Op een substraat 10 van in dit geval thermisch geoxideerd silicium gaat men in de eerste plaats over tot de neerslag van een 5 laag 11, bijvoorbeeld van een ijzer-nikkelegering met 81% ijzer en 19% nikkel, waarvan bekend is, dat deze legering geen magnetostrictie-effect vertoont. Gedurende deze neerslag wordt een magnetisch veld met een veldsterkte van ongeveer 200 Oe aangelegd, dat een as van opmakkelijk magnetisatie EA1 in de laag 11 induceert. Men gaat vervolgens in dezelfde 10 sputter-run over tot de neerslag van een laag 15 (dikte bijvoorbeeld 10 £ tot 100 £ voor het tot stand brengen van een sterke magnetostatische koppeling tussen laag 11 en een boven op laag 15 aan te brengen tweede magnetoweerstandlaag 16). Laag 16 is bij voorkeur van hetzelfde materiaal als laag 11, en heeft ongeveer dezelfde dikte, en wordt opgebracht in 15 een magnetisch oriëntatieveld dat zodanig is, dat dit in de laag 16 een as van gemakkelijke magnetisatie EA2 induceert, die evenwijdig is aan de as in de eerste laag. De lagen 11 en 16 kunnen verschillen van dikte. Dit levert een parameter voor het instellen van bet demagnetisatie veld. De magnetisatietoestanden van de lagen (bij afwezigheid van een 20 uitwendig magneetveld) na aanleggen van een meets troon I zijn aange- s geven met M, respectievelijk M'. Boven het tot stand gebrachte vlak van de laag 16 kan men vervolgens nog verbindingsgeleiders neerslaan voor electrische aansluiting van de lagenstructuur 11, 15, 16 met een uitleesschakeling. Men kan dan overgaan tot een neerslag van een 25 beschermingslaag, bijvoorbeeld van Si02, met een dikte, welke niet van belang is voor de functionering van de magnetoweerstandlagen.
De verbindingsgeleiders kunnen van Mo/&u/Mo zijn, maar men kan ze ook vormen van hetzelfde materiaal als de magnetoweerstandlagen, in welk geval ze gelijktijdig warden gevormd met deze lagen, wat het 30 aantal neerslagen reduceert.
Uit het bovenstaande blijkt dat op eenvoudige wijze een magnetische leeskqp volgens de uitvinding gerealiseerd kan warden. Bij toepassing van een laag 15 van niet-magnetisch, electrisch isolerend materiaal, zoals SiC^, dienen daarin twee' vensters aangebracht te worden 35 cm de lagen 11 en 16 electrisch door te verbinden, waardoor de constructie een weinig gecompliceerder wordt.
Zoals figuur 2 toont zijn de magnetostatisch gekoppelde lagen 11 en. 16 verbonden met respectievelijk geleiders 23 en 24 die zijn aan- 8101962 C * ’ ' * « c PHN 10.016 6 gesloten op een stroombron 25. Mat 15 wordt een niet-magnetisch electrisch geleidende laag weergegeven die ervoor zorgt dat geen exchange koppeling tussen de lagen 11 en 16 optreedt. In het onderhavige geval is als materiaal voor de laag 15 molybdeen gebruikt, doch ook titanium en 5 andere niet-magnetische electrisch geleidende materialen zijn bruikbaar. De lagen 11, 15 en 16 zijn via geleiders 27 en 28 parallel verbonden met een versterker 29 die een uitgangssignaal V "levert dat weerstandsveranderingen van de lagenstructuur 11, 15 en 16 als geheel representeert. De weerstandsveranderingen AR van een enkellaags magne-10 toweerstandselement als functie van een magnetisch veld H is afgebeeld in figuur 3. Bij de. tot de stand der techniek behorende magnetische leeskop met de twee met een verschilversterker verbonden magneto— statisch gekoppelde magnetoweerstandselementen is het ene element voorgespannen in het werkpunt 30 van de karakteristiek in figuur 3 en 15 de ander in werkpunt. 31. Zoals hieronder uiteengezet zal worden werkt de magnetische leeskqp volgens de uitvinding geheel anders , wat tot een duidelijk andere en steilere karakteristiek leidt, zoals figuren 4 en 5 tonen.
Bij een voldoende grote meetstrocm I zullen de magnetistie-
S
20 richtingen M en. M' (zie figuur 1) in. plaats van antiparallel in de lengterichting (demagnetisatie energie is. minimaal), antiparallel in de dwars-richting. gaan liggen (demagnetisatie: energie. + energie in veld. H
o ten gevolge van I is. minimaal).
Als Hg niet al te sterk is zal. voor. een klein aangelegd veld 25 Ha in de dwarsrichting, dus antiparallel aan één der magnetisatierichtingen, de magnetisatie in de betreffende laag verdraaien, waarbij. de weerstand, toeneemt voor verdraaiingen tot 90° om bij nog grotere Ha vervolgens af te nemen, voor een veld in de tegengestelde richting gebeurt hetzelfde met de andere laag, wat dankzij de electrische parallelschakeling 30 van beide lagen resulteert in een overdrachtsfunctie welke gelijk is voor beide veldrichtingen (zie figuur 4).
Een veel sterker koppel wordt uitgeoefend indien het aangelegde veld onder 90° in plaats van 180° en 0° met de magnetisatierichtingen wordt gelegd, resulterend in een nog hogere gevoeligheid. In beide lagen 25 neemt de weerstand weer toe, zonder nu echter voor- nog grotere velden weer af te nemen, aangezien de magnetisaties in hun eindtoestand parallel aan H , dus ook parallel aan de stroom door de lagen, staan α (zie figuur 5). De hoge gevoeligheid wordt gedemonstreerd door de 81 0 1 9 6 2 __ EHN 10.016 7 ' % r ^ grotere steilheid van de curve van figuur 5 vergeleken met die van figuur 4. De steilheid van beide curven is bovendien aanzienlijk groter dan de steilheid in de werkpunten 30, 31 van de curve van figuur 3.
5 Figuur 6 toont de toepassing van een magnetoresistieve lagen structuur 31 met twee magnetcweerstandlagen en een niet-magnetische, elektrisch geleidende tussenlaag van het in figuur 1 getoonde type in een magnetische leeskop 32 met zogenaamde fluxgeleiders 33 en 34. De lagenstructuur 31 is van verbindingsgeleiders 35 en 36 voorzien en is 10 tezamen met de fluxgeleiders 33 en 34 zodanig op een substraat 37 van (nikkel-zink)ferriet aangebracht, dat magnetische flux van een registratiemedium 38 (figuur 7) via fluxgeleider 34, lagenstructuur 31, flux-geleider 33 en ferrietsubstraat 37 naar het registratiemedium 38 wordt teruggevoerd. Figuur 8 toont een doorsnede van een alternatieve uit-15 voering, waarbij magnetoresistieve lagenstructuur 39 niet binnen fluxgeleiders 40 en 41 ligt, maar er buiten.
Figuren 6 en 7 toren bovendien nog een extra elektrische geleider 42 die voor de werking van de magnetische sensor niet noodzakelijk is, maar in bepaalde toepassingen met voordeel gebruikt kan 20 worden, bijvoorbeeld als "bias" geleider voor het induceren van een magnetisch voorinstelveld in de lagenstructuur 31, of als terugkoppel-geleider voor het induceren van een magnetisch terugkoppelveld in de lagenstructuur 31. Op zich is het voordeel van de sensor volgens de uitvinding echter dat de gevoeligheid voor kleine velden verbeterd is, zoals 25 een vergelijking van de karakteristieken van figuur 4 en figuur 5 met die van figuur 3 toont. Dit houdt bijvoorbeeld in, dat zelfs bij kleine "digitale" magneetvelden een sterke digitale puls wordt afgegeven bij elke richtingsverandering van het te meten veld. Dit maakt de sensor volgens de uitvinding bijvoorbeeld ook zeer geschikt cm te 30 worden toegepast bij het detecteren van magnetische bobbels. 1 8101962
Claims (8)
1. Magnetische sensor die gebruik maakt van het magnetoweerstand- effect van twee op kleine afstand evenwijdig ten opzichte van elkaar gelegen, magnetostatisch gekoppelde vlakke lagen van electrisch geleidend, ferronagnetisch materiaal met een gemakkelijke as voor de magne-5 tisatie in het vlak van de laag, die een weerstandverandering geven onder invloed van een aangeboden magneetveld met een component in het vlak van de lagen, met het kenmerk, dat de magnetoweerstandlagen in bedrijf in dezelfde richting lopende stromen voeren en parallel met de ingangs-klemmen van een detectieschakeling zijn verbonden.
2. Sensor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de magneto weerstandlagen op een afstand kleiner dan 300 δ van elkaar liggen.
3. Sensor volgens conclusie T of 2, met het kenmerk, dat de magne toweerstandlagen door een tussenlaag van niet-magnetisch, electrisch geleidend materiaal van elkaar gescheiden zijn.
4. Sensor volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de dikte van de tussenlaag kleiner is dan 100 δ.
5. Sensor volgens conclusie 1, 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat de lagen een langgerekte- vorm hebben en dat hun gemakkelijke as voor de magnetisatie evenwijdig is aan hun grootste afmeting. 25
6 . Sensor volgens, conclusie. 1, 2, 3, 4 of 5, net het kenmerk, dat de richtingen van de magnetisaties van de magnetoweerstandlagen in de rusttoestand dwars, staan op de gemakkelijke assen voor de magnetisatie.
7. Sensor volgens conclusie 1, 2, 3, 4, 5 of 6, met het kenmerk, dat de richting van het aangeboden magneetveld evenwijdig is aan de gemakke-25 lijke assen voor de magnetisatie van de. magnetoweerstandlagen.
8. Sensor volgens conclusie 1, 2, 3, 4, 5, 6 of 7, met het kenmerk, dat de richting van stroomdoorgang door de magnetoweerstandlagen dwars staat op de richting van de gemakkelijke assen voor de magnetisatie. 30 35 81019 6 2
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8101962A NL8101962A (nl) | 1981-04-22 | 1981-04-22 | Magnetische sensor. |
CA000400038A CA1212996A (en) | 1981-04-22 | 1982-03-31 | Magnetic sensor |
EP82200435A EP0063397B2 (en) | 1981-04-22 | 1982-04-09 | Magnetic sensor |
DE8282200435T DE3268489D1 (en) | 1981-04-22 | 1982-04-09 | Magnetic sensor |
JP57064104A JPS57181425A (en) | 1981-04-22 | 1982-04-19 | Magnetic sensor |
US06/828,582 US4686472A (en) | 1981-04-22 | 1986-02-10 | Magnetic sensor having closely spaced and electrically parallel magnetoresistive layers of different widths |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8101962A NL8101962A (nl) | 1981-04-22 | 1981-04-22 | Magnetische sensor. |
NL8101962 | 1981-04-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8101962A true NL8101962A (nl) | 1982-11-16 |
Family
ID=19837390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8101962A NL8101962A (nl) | 1981-04-22 | 1981-04-22 | Magnetische sensor. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4686472A (nl) |
EP (1) | EP0063397B2 (nl) |
JP (1) | JPS57181425A (nl) |
CA (1) | CA1212996A (nl) |
DE (1) | DE3268489D1 (nl) |
NL (1) | NL8101962A (nl) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8701663A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Dunne film magneetkop met een magnetoweerstandselement. |
US4800457A (en) * | 1987-09-29 | 1989-01-24 | Carnegie-Mellon University | Magnetoresistive sensor element |
DE3820475C1 (nl) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
US5084794A (en) * | 1990-03-29 | 1992-01-28 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
JP3483895B2 (ja) * | 1990-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果膜 |
US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
DE4104951A1 (de) * | 1991-02-18 | 1992-08-20 | Siemens Ag | Mehrschichtensystem fuer magnetoresistive sensoren und verfahren zu dessen herstellung |
MY108176A (en) * | 1991-02-08 | 1996-08-30 | Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V | Magnetoresistive sensor based on oscillations in the magnetoresistance |
JPH05183212A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-07-23 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US5293125A (en) * | 1992-01-17 | 1994-03-08 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Self-aligning tachometer with interchangeable elements for different resolution outputs |
US5260652A (en) * | 1992-03-25 | 1993-11-09 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive sensor with electrical contacts having variable resistive regions for enhanced sensor sensitivity |
US5296987A (en) * | 1992-06-05 | 1994-03-22 | Hewlett-Packard Company | Tapered conductors for magnetoresistive transducers |
US5336994A (en) * | 1992-11-20 | 1994-08-09 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Magneto-resistive tachometer assembly with reversible cover and related method |
JPH077196A (ja) * | 1992-12-29 | 1995-01-10 | Eastman Kodak Co | 磁界センサ及び磁界検知方法 |
US5485333A (en) * | 1993-04-23 | 1996-01-16 | Eastman Kodak Company | Shorted DMR reproduce head |
US5495758A (en) * | 1993-06-17 | 1996-03-05 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Tachometer assembly with integral internal wrench |
EP0670501A1 (en) * | 1994-03-04 | 1995-09-06 | Seagate Technology International | Magnetic transducer |
US5514955A (en) * | 1994-03-11 | 1996-05-07 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Slim profile digital tachometer including planar block and rotor having spokes and clamp |
US5500590A (en) * | 1994-07-20 | 1996-03-19 | Honeywell Inc. | Apparatus for sensing magnetic fields using a coupled film magnetoresistive transducer |
US6246233B1 (en) | 1994-12-30 | 2001-06-12 | Northstar Technologies Inc. | Magnetoresistive sensor with reduced output signal jitter and temperature compensation |
US6510031B1 (en) | 1995-03-31 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with magnetostatic coupling to obtain opposite alignment of magnetic regions |
JPH09185813A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-07-15 | Eastman Kodak Co | 磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体 |
US5783460A (en) * | 1996-10-25 | 1998-07-21 | Headway Technologies, Inc. | Method of making self-aligned dual stripe magnetoresistive (DRMR) head for high density recording |
US6747854B1 (en) | 1997-02-20 | 2004-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-channel magnetic head with magnetoresistive elements |
TW369649B (en) * | 1997-02-20 | 1999-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Single-channel magnetoresistive magnetic head and device including such a magnetic head |
US6278594B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-08-21 | Storage Technology Corporation | Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization |
AU3866700A (en) * | 1999-03-05 | 2000-09-21 | Quetico Technologies, Inc. | Method and apparatus for reading recorded magnetic media using an array of reading elements |
WO2001020356A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetoresistive sensor or memory elements with decreased magnetic switch field |
KR100967727B1 (ko) | 2001-04-09 | 2010-07-05 | 엔엑스피 비 브이 | 전류 공급 테스트 인터페이스를 구비하는 집적 회로 어셈블리 |
US7199435B2 (en) * | 2002-10-09 | 2007-04-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor devices containing on-chip current sensor and methods for making such devices |
JP4202958B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-12-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
DE102005001077A1 (de) * | 2005-01-08 | 2006-07-20 | Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Korrigieren aus Messwerten abgeleiteter Kennlinien eines magnetoresistiv ausgelegten Weg- oder Winkelsensors |
US7530177B1 (en) | 2007-11-08 | 2009-05-12 | Mitutoyo Corporation | Magnetic caliper with reference scale on edge |
US8848320B1 (en) | 2013-10-01 | 2014-09-30 | Allegro Microsystems, Llc | Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors and techniques for fabricating same |
US8885302B1 (en) | 2013-10-01 | 2014-11-11 | Allegro Microsystems, Llc | Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors and techniques for fabricating same |
US9013838B1 (en) | 2013-10-01 | 2015-04-21 | Allegro Microsystems, Llc | Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors and techniques for fabricating same |
CN111208452A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-05-29 | 中国计量大学 | 一种用于多铁性磁传感器的直读式读出系统 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3493694A (en) * | 1966-01-19 | 1970-02-03 | Ampex | Magnetoresistive head |
US3716781A (en) * | 1971-10-26 | 1973-02-13 | Ibm | Magnetoresistive sensing device for detection of magnetic fields having a shape anisotropy field and uniaxial anisotropy field which are perpendicular |
FR2219482B1 (nl) * | 1973-02-27 | 1978-03-03 | Cii | |
US3860965A (en) * | 1973-10-04 | 1975-01-14 | Ibm | Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection |
JPS5821327B2 (ja) * | 1974-08-29 | 1983-04-28 | 日本電気株式会社 | ジキヘツド |
US4356523A (en) * | 1980-06-09 | 1982-10-26 | Ampex Corporation | Narrow track magnetoresistive transducer assembly |
-
1981
- 1981-04-22 NL NL8101962A patent/NL8101962A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-03-31 CA CA000400038A patent/CA1212996A/en not_active Expired
- 1982-04-09 DE DE8282200435T patent/DE3268489D1/de not_active Expired
- 1982-04-09 EP EP82200435A patent/EP0063397B2/en not_active Expired
- 1982-04-19 JP JP57064104A patent/JPS57181425A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-10 US US06/828,582 patent/US4686472A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0063397A1 (en) | 1982-10-27 |
EP0063397B1 (en) | 1986-01-15 |
JPS649649B2 (nl) | 1989-02-20 |
CA1212996A (en) | 1986-10-21 |
JPS57181425A (en) | 1982-11-08 |
EP0063397B2 (en) | 1988-02-10 |
DE3268489D1 (en) | 1986-02-27 |
US4686472A (en) | 1987-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8101962A (nl) | Magnetische sensor. | |
US5038130A (en) | System for sensing changes in a magnetic field | |
EP2801834B1 (en) | Current sensor | |
Caruso et al. | A new perspective on magnetic field sensing | |
DE3878281T2 (de) | Sensor mit einem magneto-elektrischen messwandler. | |
JP3017061B2 (ja) | ブリッジ回路磁界センサー | |
EP1141737B1 (en) | Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems | |
KR100687513B1 (ko) | 박막자계센서 | |
US8395382B2 (en) | Non-linear magnetic field sensors and current sensors | |
US5677625A (en) | Giant magnetoresistance, production process and application to a magnetic sensor | |
EP0498668A2 (en) | Magnetoresistive sensor | |
KR20030018064A (ko) | 자계 측정 센서 및 이의 조절 방법 | |
CN101088019A (zh) | 具有可调特性的桥式传感器 | |
US5747997A (en) | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems | |
US4712083A (en) | Position sensor | |
JP2000512763A (ja) | ホイートストンブリッジを備える磁界センサ | |
JP2000180207A (ja) | 磁気センサ | |
Dimitropoulos et al. | A micro-fluxgate sensor based on the Matteucci effect of amorphous magnetic fibers | |
Dibbern | Sensors based on the magnetoresistive effect | |
Hill | A comparison of GMR multilayer and spin-valve sensors for vector field sensing | |
Smith et al. | Magnetic field sensing utilizing GMR materials | |
Vieux-Rochaz et al. | A new GMR sensor based on NiFe/Ag multilayers | |
Battarel et al. | Optimization of the planar hall effect in ferromagnetic thin films for device design | |
JP4237855B2 (ja) | 磁界センサ | |
RU2391747C1 (ru) | Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |