NL2003950C2 - Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2003950C2 NL2003950C2 NL2003950A NL2003950A NL2003950C2 NL 2003950 C2 NL2003950 C2 NL 2003950C2 NL 2003950 A NL2003950 A NL 2003950A NL 2003950 A NL2003950 A NL 2003950A NL 2003950 C2 NL2003950 C2 NL 2003950C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- lateral
- layers
- pattern
- layer structure
- lmag
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
WERKWIJZE VOOR HET VERVAARDIGEN VAN EEN MEERLAGENSTRUCTUUR MET EEN LATERAAL PATROON VOOR TOEPASSING IN HET XUV-GOLFLENGTEGEBIED EN VOLGENS DEZE WERKWIJZE VERVAARDIGDE BT-EN LMAG-STRUCTUREN
De uitvinding betreft een werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon, in het bijzonder van een optisch rooster voor toepassing in een optische inrichting voor elektromagnetische 5 straling met een golflengte in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 100 nm, omvattend de stappen van (i) het verschaffen van een meerlagenstructuur, en (ii) het aanbrengen in de meerlagenstructuur van een lateraal patroon.
Het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 10 pm omvat het 10 harde-röntgengebied (golflengte tussen 0,1 nm en 10 nm) en het zogenaamde XUV-gebied (golflengte tussen 10 nm en 100 nm), dat zowel het in de literatuur als EUV-straling aangeduide gebied rond een golflengte van 13,5 nm, als straling in het zachte-röngtengebied van het 15 elektromagnetische spectrum omvat.
Een dergelijk optisch rooster wordt bijvoorbeeld binnen het vakgebied van de nanolithografie toegepast bij de productie van halfgeleiderschakelingen.
Een bijzonder voorbeeld van een dergelijk optisch 20 rooster is een zogenaamde nano-Bragg-Fresnel (BF)-structuur, die een combinatie vormt van een reflectief optisch element, een Bragg-structuur, en een diffractief optisch element, een Fresnel-structuur.
Een ander voorbeeld van een dergelijk optisch rooster is 25 een lamellair meerlagen amplitude-rooster, bekend als LMAG
(lamellar multilayer amplitude grating)-structuur, dat wordt toegepast in een monochromator voor spectroscopische analyse in het XUV-golflengtegebied.
Het is bekend BF-structuren en LMAG-structuren te 30 vervaardigen volgens op zich bekende werkwijzen, zoals elektronenbundel (EB)-lithografie en diep-ultraviolet (DUV)- 2 lithografie .
De bekende werkwijzen hebben bij serieproductie van grote arrays van nanostructuren met dimensies op nanometerschaal ernstige nadelen.
5 EB-lithografie is relatief duur en tijdrovend, en kan als gevolg van zogeheten nabijheidseffecten en parameterdrift tijdens het blootstellen aan de elektronenbundel leiden tot resultaten met een slechte reproduceerbaarheid.
DUV-fotolithografie stuit op problemen van fundamentele 10 aard bij resolutie-niveaus in de te vervaardigen structuur lager dan 50 nm. Daarenboven is DUV-fotolithografie slechts kosteneffectief bij massaproductie op zeer grote schaal.
Beide werkwijzen hebben het nadeel dat de breedte van een lamel in een periodiek lateraal patroon minimaal enkele 15 honderden nanometers bedraagt, terwijl de periode ten minste één pm bedraagt.
Het is een doel van de uitvinding een werkwijze voor te stellen voor het op snelle, reproduceerbare en kosteneffectieve wijze vervaardigen van een 20 meerlagenstructuur met karakteristieke dimensies kleiner dan 50 nm.
Het is in het bijzonder een doel een dergelijke werkwijze voor te stellen voor het vervaardigen van een nano-BF-structuur of een nano-LMAG-structuur.
25 Deze doelen worden gerealiseerd, en andere voordelen worden behaald, met een werkwijze van het in de aanhef genoemde type, waarbij overeenkomstig de uitvinding de stap (ii) van het aanbrengen van het laterale patroon wordt uitgevoerd door middel van een werkwijze voor nano-imprint 30 lithografie (NIL) .
De werkwijze voor nano-imprint lithografie (NIL) omvat bijvoorbeeld tenminste de stappen van (a) het verschaffen van een stempel met een met het aan te brengen laterale driedimensionaal patroon corresponderend stempelpatroon, (b) 35 het aanbrengen op de meerlagenstructuur van een laag van een hardhaar resist- materiaal, (c) het met behulp van het stempel aanbrengen van het stempelpatroon in de volgens de 3 stap (b) aangebrachte laag resist- materiaal en het harden van dit materiaal, en (d) het verwijderen van volgens het stempelpatroon niet althans in hoofdzaak niet door resist-materiaal bedekt materiaal uit de meerlagenstructuur onder 5 het doen vormen van het laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur.
In een uitvoeringsvorm wordt voorafgaand aan de stap (b) of volgend op de stap (c) een metaallaag op de vlakke of de van een lateraal patroon voorziene meerlagenstructuur 10 gedeponeerd, die vervolgens als etsmasker wordt toegepast.
Het overeenkomstig de werkwijze te verschaffen stempel is bijvoorbeeld vervaardigd uit Si of Si02 (kwarts), waarin het stempelpatroon volgens een op zich bekende werkwijze is aangebracht, bijvoorbeeld door middel van elektronenbundel 15 lithografie (EBL) of laserinterferentie lithografie.
Na het in de stap (d) verwijderen van materiaal uit de meerlagenstructuur en het doen vormen van het laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur, wordt de laag resist- materiaal met behulp van een oplosmiddel 20 verwijderd, kan de van een driedimensionaal patroon voorziene meerlagenstructuur aan een volgende processtap worden onderworpen.
Het in de stap (d) verwijderen van materiaal wordt bijvoorbeeld uitgevoerd volgens een werkwijze voor reactief 25 ionen-etsen (RIE), door middel van een inductief gekoppeld plasma (ICP), of volgens een werkwijze voor etsen van het Bosch-type.
Afhankelijk van de specificaties van de te vervaardigen meerlagenstructuur wordt volgens uitvoeringsvormen van de 30 werkwijze aan het in de stap (d) te vormen laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur een vanaf het oppervlak van de meerlagenstructuur zich evenwijdig, zich taps verwijdend of zich taps vernauwend verloop gegeven.
Het volgens de stap (b) aan te brengen resist- materiaal 35 is bij voorkeur een UV-hardbare kunststof die in geharde toestand een relatief lage viscositeit heeft, bijvoorbeeld een polymethylmethacrylaat (PMMA).
4
Afhankelijk van de specificaties van de te vervaardigen meerlagenstructuur wordt in een uitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding de stap (ii) van het aanbrengen van het laterale patroon gevolgd door de stap 5 (iii) van het aanbrengen van een deklaag over het driedimensionale patroon.
De uitvinding heeft voorts betrekking op een volgens de hierboven beschreven werkwijze vervaardigde meerlagenstructuur met een periodiek lateraal patroon, 10 waarbij de periode kleiner is dan 1 pm.
De uitvinding heeft voorts betrekking op een volgens de hierboven beschreven werkwijze vervaardigde BF-structuur, waarbij de meerlagenstructuur een stapeling omvat van lagen van een eerste materiaal uit een eerste groep die koolstof 15 (C) en silicium (Si) omvat, en van lagen van een tweede materiaal uit een tweede groep die de materialen uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van het periodiek systeem der elementen omvat.
In een uitvoeringsvorm zijn de lagen van het tweede 20 materiaal geselecteerd uit de groep overgangselementen die cobalt (Co), nikkel (Ni), molybdeen (Mo), wolfraam (W), renium (Re) en iridium (Ir) omvat.
Met een BF-structuur volgens de uitvinding heeft men de beschikking over een optisch element dat kan worden toegepast 25 voor golflengte-selectie, focussering en collimatie van straling in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 100 nm, met een efficiency die niet bereikbaar is met een meerlagenstructuur volgens de stand der techniek zonder lateraal patroon.
30 De uitvinding heeft voorts betrekking op een volgens de hierboven beschreven werkwijze vervaardigde LMAG-structuur, waarbij de meerlagenstructuur een stapeling omvat van lagen van een eerste materiaal uit een eerste groep die borium (B), boriumcarbide (B4C), koolstof (C), silicium (Si) en scandium 35 (Sc) omvat, en van lagen van een tweede materiaal uit een tweede groep die de materialen uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van 5 het periodiek systeem der elementen omvat.
In een uitvoeringsvorm van een LMAF-structuur volgens de uitvinding is de meerlagenstructuur geselecteerd uit de groep die stapelingen omvat van lagen wolfraam en silicium (W/Si), 5 wolfraam en boriumcarbide (W/B4C) , molybdeen en boriumcarbide (M0/B4C) , lanthaan en boriumcarbide (La/B4C) , chroom en koolstof (Cr/C), ijzer en scandium (Fe/Sc), chroom en scandium (Cr/Sc), nikkel en koolstof (Ni/C) en nikkelvanadium en koolstof (NiV/C).
10 In een uitvoeringsvorm van een meerlagenstructuur die een stapeling omvat van lagen lanthaan en boriumcarbide (La/B4C) zijn de lagen lanthaan en boriumcarbide gescheiden door lagen lanthaanboride (LaB), welke lagen als diffusiebarrière fungeren.
15 Met een LMAG-structuur volgens de uitvinding heeft men de beschikking over een optisch element dat kan worden toegepast voor golflengte-selectie, focussering en collimatie van straling in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 100 nm, met een efficiency die niet bereikbaar is met een 20 meerlagenstructuur volgens de stand der techniek zonder lateraal patroon.
De uitvinding zal in het volgende worden toegelicht aan de hand van uitvoeringsvoorbeelden, onder verwijzing naar de tekening.
25 In de tekening toont Fig. 1 een schematische weergave van de toepassing van een LMAG-structuur 1 volgens de uitvinding als monochromator. De LMAG-structuur 1 wordt gevormd door een substraat 2, bijvoorbeeld van SiCL, met daarop een meerlagenstructuur van op elkaar gestapelde dunne 30 lagen 3, 4 met een laagperiode d, waarin volgens de hiervoor beschreven werkwijze een periodieke laterale structuur is aangebracht, met een laterale periode D en een lijnbreedte TD. Op het oppervlak van de LMAG-structuur 1 valt een bundel XUV-straling (voorgesteld door pijl 5) met een golflengte A0 35 in onder een hoek cp0 met het oppervlak van de LMAG-structuur 1. De invallende bundel wordt door de LMAG-structuur 1 verstrooid in een uitgaande nulde-orde bundel I0, eerste orde 6 bundels Ii, I-i, tweede orde bundels I2, 1-2 en hogere orde bundels (niet weergegeven).
Gevonden is dat met een LMAG-structuur 1 volgens de uitvinding een monochromator kan worden verschaft met een 5 aanmerkelijk lagere dispersie (hogere resolutie) dan met een vlakke, overigens identieke meerlagenstructuur zonder laterale structuur, waarbij de reflectiviteit van de LMAG-structuur ten opzichte van de reflectiviteit van de vlakke meerlagenstructuur slechts in geringe mate is afgenomen.
10 Voorbeeld 1
Een LMAG-structuur 1 volgens fig. 1 is opgebouwd uit een periodieke stapeling van 120 lagen 3 bestaande uit La (laagdikte 3,13 nm, ruwheid 0,38 nm) en lagen 4 bestaande uit B4C (laagdikte 5,05 nm, ruwheid 0,50 nm), met een laterale 15 periodiciteit D = 500 nm en een lijnbreedte-coëfficiënt T = 0,20, op een substraat 2 van Si. Gevonden is dat een bundel XUV-straling met een golflengte A0 = 6,7 nm, die invalt onder een hoek cp0 met het oppervlak van de LMAG-structuur 1, in nulde orde wordt gereflecteerd met een 20 dispersie die een factor 0,24 bedraagt van de dispersie die wordt gerealiseerd met een overigens identieke vlakke meerlagenstructuur zonder laterale structuur, waarbij de reflectiviteit slechts met 11% is afgenomen ten opzichte van die vlakke meerlagenstructuur.
25 Voorbeeld 2
Een LMAG-structuur 1 volgens fig. 1 is opgebouwd uit een periodieke stapeling van 150 lagen 3 bestaande uit Cr (laagdikte 2,125 nm, ruwheid 0,312 nm) en lagen 4 bestaande uit C (laagdikte 4,048 nm, ruwheid 0,338 nm), met een 30 laterale periodiciteit D = 300 nm en een lijnbreedte- coëfficiënt r = 0,33 op een substraat 2 van Si. Gevonden is dat een bundel XUV-straling met een golflengte A0 = 4,5 nm, die invalt onder een hoek cp0 met het oppervlak van de LMAG-structuur 1, in nulde orde wordt gereflecteerd met een 35 dispersie die een factor 0,34 bedraagt van de dispersie die wordt gerealiseerd met een overigens identieke vlakke meerlagenstructuur zonder laterale structuur, waarbij de 7 reflectiviteit slechts met 5% is afgenomen ten opzichte van die vlakke meerlagenstructuur.
Voorbeeld 3
Een LMAG-structuur 1 volgens fig. 1 is opgebouwd uit een 5 periodieke stapeling van 400 lagen 3 bestaande uit W
(laagdikte 0,715 nm, ruwheid 0,248 nm) en lagen 4 bestaande uit Si (laagdikte 1,185 nm, ruwheid 0,384 nm), met een laterale periodiciteit D = 400 nm en een lijnbreedte-coëfficiënt r = 0,25 op een substraat 2 van Si. Op de 10 structuur is een deklaag van Si02 met een dikte van 2 nm aangebracht (niet getoond in fig. 1).Gevonden is dat een bundel XUV-straling met een golflengte X0 = 2,4 nm, die invalt onder een hoek cp0 met het oppervlak van de LMAG-structuur 1, in nulde orde wordt gereflecteerd met een 15 dispersie die een factor 0,25 bedraagt van de dispersie die wordt gerealiseerd met een overigens identieke vlakke meerlagenstructuur zonder laterale structuur, waarbij de reflectiviteit slechts met 15% is afgenomen ten opzichte van die vlakke meerlagenstructuur.
Claims (15)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon, in het bijzonder van een optisch rooster voor toepassing in een optische inrichting voor elektromagnetische straling met een 5 golflengte in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 100 nm, omvattend de stappen van (i) het verschaffen van een meerlagenstructuur, en (ii) het aanbrengen in de meerlagenstructuur van een lateraal driedimensionaal patroon, met het kenmerk, 10 dat de stap (ii) van het aanbrengen van het laterale patroon wordt uitgevoerd door middel van een werkwijze voor nano-imprint lithografie (NIL).
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de werkwijze voor nano-imprint lithografie (NIL) tenminste de stappen 15 omvat van (a) het verschaffen van een stempel met een met het aan te brengen laterale driedimensionaal patroon corresponderend stempelpatroon (b) het aanbrengen op de meerlagenstructuur van een laag 20 van een hardhaar resist- materiaal, (c) het met behulp van het stempel aanbrengen van het stempelpatroon in de volgens de stap (b) aangebrachte laag resist- materiaal en het harden van dit materiaal, en (d) het verwijderen van volgens het stempelpatroon niet 25 althans in hoofdzaak niet door resist- materiaal bedekt materiaal uit de meerlagenstructuur onder het doen vormen van het laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij het volgens de 30 stap (d) verwijderen van materiaal wordt uitgevoerd volgens een werkwijze voor reactief ionen-etsen (RIE).
4. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij het in de stap (d) verwijderen van materiaal wordt uitgevoerd door middel van een inductief gekoppeld plasma (ICP).
5. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij het in de stap (d) verwijderen van materiaal wordt uitgevoerd volgens een werkwijze voor etsen van het Bosch-type.
6. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij aan het in de 5 stap (d) te vormen laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur een vanaf het oppervlak van de meerlagenstructuur zich taps verwijdend verloop wordt gegeven.
7. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij aan het in de 10 stap (d) te vormen laterale driedimensionale patroon in de meerlagenstructuur een vanaf het oppervlak van de meerlagenstructuur zich taps vernauwend verloop wordt gegeven.
8. Werkwijze volgens een der conclusies 2-7, waarbij het 15 volgens de stap (b) aan te brengen resist- materiaal een UV- hardbare kunststof is die in geharde toestand een relatief lage viscositeit heeft.
9. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, waarbij de stap (ii) van het aanbrengen van het laterale 20 patroon wordt gevolgd door de stap (iii) van het aanbrengen van een deklaag over het driedimensionale patroon.
10. Meerlagenstructuur met een periodiek lateraal patroon, vervaardigd volgens een werkwijze volgens een der conclusies 1-9, met het kenmerk, dat de periode kleiner is 25 dan 1 pm.
11. BF-structuur, vervaardigd volgens een werkwijze volgens een der conclusies 1-9, met het kenmerk, dat de meerlagenstructuur een stapeling omvat van lagen van een eerste materiaal uit een eerste groep die koolstof (C) en 30 silicium (Si) omvat, en van lagen van een tweede materiaal uit een tweede groep die de materialen uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van het periodiek systeem der elementen omvat.
12. BF-structuur volgens conclusie 11, met het kenmerk, 35 dat de lagen van het tweede materiaal zijn geselecteerd uit de groep overgangselementen die cobalt (Co), nikkel (Ni), molybdeen (Mo), wolfraam (W), renium (Re) en iridium (Ir) omvat.
13. LMAG-structuur, vervaardigd volgens een werkwijze volgens een der conclusies 1-9, met het kenmerk, dat de meerlagenstructuur een stapeling omvat van lagen van een 5 eerste materiaal uit een eerste groep die borium (B), boriumcarbide (B4C), koolstof (C), silicium (Si) en scandium (Sc) omvat, en van lagen van een tweede materiaal uit een tweede groep die de materialen uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van 10 het periodiek systeem der elementen omvat.
14. LMAG-structuur volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de meerlagenstructuur is geselecteerd uit de groep die een stapeling omvat van lagen wolfraam en silicium (W/Si), wolfraam en boriumcarbide (W/B4C) , molybdeen en 15 boriumcarbide (Mo/B4C) , lanthaan en boriumcarbide (La/B4C) , chroom en koolstof (Cr/C), ijzer en scandium (Fe/Sc), chroom en scandium (Cr/Sc), nikkel en koolstof (Ni/C) en nikkelvanadium en koolstof (NiV/C).
15. LMAG-structuur volgens conclusie 14, waarbij de 20 meerlagenstructuur een stapeling omvat van lagen lanthaan en boriumcarbide (La/B4C) , met het kenmerk, dat de lagen lanthaan en boriumcarbide zijn gescheiden door lagen lanthaanboride (LaB).
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2003950A NL2003950C2 (nl) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. |
| EP10796182.3A EP2510397B1 (en) | 2009-12-11 | 2010-12-08 | Method for manufacturing a multilayer structure with a lateral pattern for application in the xuv wavelength range, and bf and lmag structures manufactured according to this method |
| CN2010800560817A CN102792222A (zh) | 2009-12-11 | 2010-12-08 | 用于制造应用于xuv波长范围的具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的bf结构和lmag结构 |
| PCT/NL2010/050832 WO2011071380A1 (en) | 2009-12-11 | 2010-12-08 | Method for manufacturing a multilayer structure with a lateral pattern for application in the xuv wavelength range, and bf and lmag structures manufactured according to this method |
| US13/515,127 US20130220971A1 (en) | 2009-12-11 | 2010-12-08 | Method for manufacturing a multilayer structure with a lateral pattern for application in the xuv wavelength range, and bf and lmag structures manufactured according to this method |
| JP2012543036A JP5782451B2 (ja) | 2009-12-11 | 2010-12-08 | Ｘｕｖ波長範囲内で使用する横方向パターンを有する多層構造体の製造方法、及びこの方法によって製造されるｂｆ構造体及びｌｍａｇ構造体 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2003950A NL2003950C2 (nl) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. |
| NL2003950 | 2009-12-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2003950C2 true NL2003950C2 (nl) | 2011-06-15 |
Family
ID=42307776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2003950A NL2003950C2 (nl) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130220971A1 (nl) |
| EP (1) | EP2510397B1 (nl) |
| JP (1) | JP5782451B2 (nl) |
| CN (1) | CN102792222A (nl) |
| NL (1) | NL2003950C2 (nl) |
| WO (1) | WO2011071380A1 (nl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2003950C2 (nl) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | Panalytical Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. |
| CN103018819B (zh) * | 2012-11-09 | 2014-05-21 | 浙江大学 | 基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法 |
| KR101827814B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2018-02-12 | 한국기계연구원 | 나노임프린트 방식을 이용한 3차원 구조체의 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050266693A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US20060162863A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Hyung-Joon Kim | Semiconductor plasma-processing apparatus and method |
| WO2007057500A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Nanocomp Oy Ltd | Method of producing a diffraction grating element |
| US20070128875A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Jessing Jeffrey R | Dry etch release method for micro-electro-mechanical systems (MEMS) |
| US20090170327A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0816720B2 (ja) * | 1992-04-21 | 1996-02-21 | 日本航空電子工業株式会社 | 軟ｘ線多層膜反射鏡 |
| JPH07120607A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
| JPH09326347A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Hitachi Ltd | 微細パターン転写方法およびその装置 |
| GB2329484A (en) * | 1997-09-22 | 1999-03-24 | Northern Telecom Ltd | Writing Bragg reflection gratings in optical waveguides |
| JP4208447B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2009-01-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ｓｏｇを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー |
| JP4954498B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3913765B1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-05-09 | 株式会社エンプラス | 偏光位相差板 |
| JP2008053666A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Meisho Kiko Kk | パターン形成方法およびパターン形成体 |
| JP4996488B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-08-08 | 東芝機械株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| JP4453767B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-21 | ソニー株式会社 | ホログラム基板の製造方法 |
| US8633052B2 (en) * | 2008-04-18 | 2014-01-21 | 1366 Technologies Inc. | Wedge imprint patterning of irregular surface |
| WO2010091907A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Multilayer mirror and lithographic apparatus |
| NL2003950C2 (nl) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | Panalytical Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. |
-
2009
- 2009-12-11 NL NL2003950A patent/NL2003950C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-12-08 EP EP10796182.3A patent/EP2510397B1/en active Active
- 2010-12-08 WO PCT/NL2010/050832 patent/WO2011071380A1/en active Application Filing
- 2010-12-08 CN CN2010800560817A patent/CN102792222A/zh active Pending
- 2010-12-08 US US13/515,127 patent/US20130220971A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-08 JP JP2012543036A patent/JP5782451B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050266693A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US20060162863A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Hyung-Joon Kim | Semiconductor plasma-processing apparatus and method |
| WO2007057500A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Nanocomp Oy Ltd | Method of producing a diffraction grating element |
| US20070128875A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Jessing Jeffrey R | Dry etch release method for micro-electro-mechanical systems (MEMS) |
| US20090170327A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| BENBALAGH R ET AL: "Lamellar multilayer amplitude grating as soft-X-ray Bragg monochromator", NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH, SECTION - A:ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, ELSEVIER, AMSTERDAM, NL LNKD- DOI:10.1016/J.NIMA.2004.12.015, vol. 541, no. 3, 11 April 2005 (2005-04-11), pages 590 - 597, XP025295685, ISSN: 0168-9002, [retrieved on 20050411] * |
| HAUSSLER D ET AL: "TEM characterization of La/B4C multilayer systems by the geometric phase method", PHYSICA STATUS SOLIDI A WILEY-VCH GERMANY, vol. 202, no. 12, September 2005 (2005-09-01), pages 2299 - 2308, XP002591296, ISSN: 0031-8965 * |
| HAUSSLER ET AL: "Quantitative TEM characterizations of La/B4C and Mo/B4C ultrathin multilayer gratings by the geometric phase method", MICROELECTRONIC ENGINEERING, ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, NL LNKD- DOI:10.1016/J.MEE.2006.10.060, vol. 84, no. 3, 15 February 2007 (2007-02-15), pages 454 - 459, XP005890124, ISSN: 0167-9317 * |
| TSARFATI T ET AL: "Reflective multilayer optics for 6.7 nm wavelength radiation sources and next generation lithography", THIN SOLID FILMS ELSEVIER SEQUOIA S.A. SWITZERLAND, vol. 518, no. 5, 31 December 2009 (2009-12-31), pages 1365 - 1368, XP002591295, ISSN: 0040-6090 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013513940A (ja) | 2013-04-22 |
| WO2011071380A1 (en) | 2011-06-16 |
| EP2510397B1 (en) | 2015-01-14 |
| CN102792222A (zh) | 2012-11-21 |
| JP5782451B2 (ja) | 2015-09-24 |
| US20130220971A1 (en) | 2013-08-29 |
| EP2510397A1 (en) | 2012-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101437924B1 (ko) | 경사 증착을 이용한 리소그래피 방법 | |
| EP1810085B1 (en) | A system and a method for generating periodic and/or quasi-periodic pattern on a sample | |
| WO1996036892A1 (en) | Cascaded self-induced holography | |
| Solak et al. | Achromatic spatial frequency multiplication: A method for production of nanometer-scale periodic structures | |
| NL2003950C2 (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een meerlagenstructuur met een lateraal patroon voor toepassing in het xuv-golflengtegebied en volgens deze werkwijze vervaardigde bt- en lmag-structuren. | |
| Fallica et al. | High-resolution grayscale patterning using extreme ultraviolet interference lithography | |
| US20200319382A1 (en) | Plasmonic lithography for patterning high aspect-ratio nanostructures | |
| Fan et al. | Nanolithography using Bessel beams of extreme ultraviolet wavelength | |
| Fan et al. | Patterning of nanodot-arrays using EUV achromatic Talbot lithography at the Swiss Light Source and Shanghai Synchrotron Radiation Facility | |
| Wang et al. | High-efficiency diffraction gratings for EUV and soft x-rays using spin-on-carbon underlayers | |
| CN113728249A (zh) | 光学超表面及相关制造方法和系统 | |
| Okuyama et al. | Micromachining with SR and FEL | |
| JP6277588B2 (ja) | パターン形成方法及びナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
| US20220299685A1 (en) | Fabrication of blazed diffractive optics by through-mask oxidation | |
| US6875543B2 (en) | Etched-multilayer phase shifting masks for EUV lithography | |
| Mojarad et al. | Patterning at 6.5 nm wavelength using interference lithography | |
| NL2005245C2 (nl) | Spectraal filter voor het splitsen van een bundel met elektromagnetische straling met golflengtes in het extreem ultraviolet (euv) of zachte rontgen (soft x) en het infrarood (ir) golflengtegebied. | |
| Mappes et al. | Process conditions in X-ray lithography for the fabrication of devices with sub-micron feature sizes | |
| Kazazis et al. | Achromatic Talbot lithography with nano-ring masks for high-throughput periodic patterning | |
| Andre et al. | X-ray multilayer monochromator with enhanced performance | |
| Xie et al. | Towards high-order diffraction suppression using two-dimensional quasi-periodic gratings | |
| US20060077554A1 (en) | Diffraction gratings for electromagnetic radiation, and a method of production | |
| Buitrago et al. | From powerful research platform for industrial EUV photoresist development, to world record resolution by photolithography: EUV interference lithography at the Paul Scherrer Institute | |
| JP2008201020A (ja) | インプリントモールド、インプリントモールド製造方法及び光インプリント法 | |
| Zeitner et al. | CUBES: prototyping the high efficiency UV transmission grating |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20160101 |