MD3029C2 - Способ получения датчиков (варианты) - Google Patents
Способ получения датчиков (варианты)Info
- Publication number
- MD3029C2 MD3029C2 MDA20040208A MD20040208A MD3029C2 MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2 MD A20040208 A MDA20040208 A MD A20040208A MD 20040208 A MD20040208 A MD 20040208A MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- obtained materials
- metal
- chemical components
- ultra
- variant
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники, в частности к технологии получения датчиков, и может быть использовано для получения датчиков на основе оксидных слоев полупроводников или металлов.Способ получения датчиков, по первому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Затем осуществляют быструю фототермическую обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.Способ получения датчиков, по второму варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно одновременно с нанесением химических компонентов осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью. Затем осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.Способ получения датчиков, по третьему варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью, и затем осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например, с кислородом.Способ получения датчиков, по четвертому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Затем дополнительно осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом, и одновременно их легирование по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью.Способ получения датчиков, по пятому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной примесью донорской или акцепторной, при этом концентрация примесей, введенных при легировании составляет максимально возможную для полученного материала, и затем фототермическую быструю обработку полученных материалов, которую осуществляют в условиях понижения температуры от температуры легирования до температуры окружающей среды в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3029B1 MD3029B1 (en) | 2006-04-30 |
| MD3029C2 true MD3029C2 (ru) | 2006-11-30 |
Family
ID=36202584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3029C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2542977C2 (ru) * | 2009-10-15 | 2015-02-27 | Аркема Инк. | НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
-
2004
- 2004-09-06 MD MDA20040208A patent/MD3029C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Arijit Chowdhury et al. Fast response characteristics with ultra-thin CuO islands on sputtered SnO2, Sensors and Actuators, B93, 2003, p. 572-579 * |
| S. Leopold, I.U. Schuchrt et al. Electrochemical depozition of cilindrical Cu/Cu2O microstructures, Electrochemica Arta, 47, 2002, p. 4393 – 4397 * |
| Won Jae Moon et al. The CO and H2 gas selectivity of CuO-doped SnO2-ZnO compoyite gas sensor, Sensors and Actuators, B 87, 2002, p. 464-470 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3029B1 (en) | 2006-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Vaishnav et al. | Indium Tin Oxide thin film gas sensors for detection of ethanol vapours | |
| US8512471B2 (en) | Halosilane assisted PVT growth of SiC | |
| IL180213A0 (en) | Quartz glass jig for processing semiconductor wafers and method for producing the jig | |
| JP5886627B2 (ja) | 汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法及び高純度シリコンを処理する炉 | |
| EP2009681A3 (en) | Methods for high temperature etching a high-k material gate structure | |
| TW200713453A (en) | Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen | |
| KR102497995B1 (ko) | 가스 배리어성 평가 장치 및 가스 배리어성 평가 방법 | |
| Nakayama et al. | Super H2O-barrier film using Cat-CVD (HWCVD)-grown SiCN for film-based electronics | |
| MD3029B1 (en) | Process for sensor obtaining (variants) | |
| TW200636829A (en) | Apparatus and method for thermal processing | |
| MD3894G2 (ru) | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников | |
| TW200639928A (en) | Thin-film forming apparatus | |
| Zouadi et al. | CO2 detection with CNx thin films deposited on porous silicon | |
| US8597732B2 (en) | Thin film depositing method | |
| MD2859C2 (ru) | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) | |
| RU118438U1 (ru) | МУЛЬТИСЕНСОРНАЯ СИСТЕМА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlGaN/GaN | |
| TW200605101A (en) | Thermistor thin-film and its forming method | |
| WO2008149833A1 (ja) | 薄膜トランジスタ製造方法、液晶表示装置製造方法、電極形成方法 | |
| Jakieła et al. | Diffusion of Mn in gallium arsenide | |
| Kondoh et al. | Measurements of trace gaseous ambient impurities on an atmospheric pressure rapid thermal processor | |
| Zappa et al. | Tungsten oxide nanowires chemical sensors | |
| Samà et al. | Locally grown SnO2 NWs as low power ammonia sensor | |
| JP2004281674A (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
| WO2008105864A3 (en) | Improved light emission from silicon-based nanocrystals by sequential thermal annealing approaches | |
| Kondoh et al. | In-Line Ambient Impurity Measurement on a Rapid Thermal Process Chamber by Atmospheric Pressure Ionisation Mass Spectrometry |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |