N type semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3468件
N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁
An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加
第2のn型半導体層19には、n型ドーパントが添加されている。 - 特許庁
The semiconductor substrate 11 is formed of an n-type semiconductor.例文帳に追加
半導体基板11は、N型の半導体からなる。 - 特許庁
The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加
整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁
The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加
X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中にY ( ≦X )族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁
An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加
P型の半導体基板P-subに中間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。 - 特許庁
The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
発光層は、n型、p型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁
The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加
本発明に係る縦型JFET1aは、n^+型ドレイン半導体部2と、n型ドリフト半導体部3と、p^+型ゲート半導体部4と、n型チャネル半導体部5と、n^+型ソース半導体部7とを備える。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加
n型半導体ダイヤモンドの製造方法及びn型半導体ダイヤモンド - 特許庁
An n-type semiconductor layer 102 is formed on the upper of an n^+-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加
N^+ 型半導体基板101の上面にN型半導体層102が形成されている。 - 特許庁
A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加
N^+半導体基板52の一方の主面に、第2N型半導体領域22を形成する。 - 特許庁
A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加
高濃度のN+型の半導体基板2上に、低濃度のN−形の半導体層3を形成する。 - 特許庁
A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加
N型の第1の半導体層30と接するようにN型の第2の半導体層32が形成されている。 - 特許庁
The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加
第2の半導体層32の不純物濃度は、第1の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND FORMING METHOD OF N-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
半導体素子、半導体発光素子およびn型半導体の形成方法 - 特許庁
The semiconductor element is provided with an n-type gallium nitride compound semiconductor and an electrode forming an ohmic contact with such semiconductor.例文帳に追加
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加
n型の不純物イオンの導入によりn型半導体領域8Aを形成した後、n型半導体領域8Aと隣接する領域にn型の不純物イオンの導入によりn型半導体領域8Bを形成する。 - 特許庁
The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c.例文帳に追加
n型半導体領域12は、n- 半導体領域12a、nバッファ領域12b、n^+ 半導体領域12cから構成される。 - 特許庁
An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加
n型半導体基板の下面にn電極が接続されている。 - 特許庁
A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加
P型半導体領域1とN型半導体領域2とN^+型半導体領域3とを有する半導体基板4にトレンチ12を設ける。 - 特許庁
A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加
N型の半導体基板上にN型の半導体層とP型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁
An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加
半導体基板1の表面にN−型半導体層2を形成し、その上層にP型半導体層3を形成する。 - 特許庁
The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加
この半導体層は、n型GaN層(n型半導体層)22と、p型GaN層(p型半導体層)23とからなる。 - 特許庁
On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加
n+型半導体領域14Aとn+型半導体領域14Cとの間の半導体基板11には、n+型半導体領域より電気抵抗が高いn-型半導体領域14Bが形成されている。 - 特許庁
In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加
N^+型半導体領域5にN型不純物の他にP型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁
Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加
各半導体装置は、n型半導体領域と、n型半導体領域におけるn+領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁
On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加
また,N−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のN型不純物を拡散して,浅いN+型半導体を形成する。 - 特許庁
The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加
N^+型基板5の上に順にN^-型ドリフト層6、N^+型半導体層7が形成された半導体基板1を用意する。 - 特許庁
An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加
n型低抵抗基板1の上にn型半導体をエピタキシャル成長させ、そのn型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁
Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加
続いて、n型半導体領域8Bと隣接する領域にn型の不純物イオンの導入によりn型半導体領域8Cを形成する。 - 特許庁
An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加
n型低抵抗基板1の上にn型半導体2をエピタキシャル成長させ、そのn型半導体にトレンチ4を形成する。 - 特許庁
An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加
n型シリコン基板21の表面にn型半導体22を形成し、n型半導体22の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁
The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13.例文帳に追加
半導体基体20は、P型半導体基板11と、絶縁膜12と、絶縁膜12上に形成されたN^−型半導体領域13と、N^+型半導体領域14と、N^−型半導体領域13を介してN^+型半導体領域14と対向するP^+型半導体領域15とを有する。 - 特許庁
The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加
n^+型半導体基板12と、上記n^+型半導体基板12上に形成されたn^−型ベース層13と、上記n^−型ベース層13上に形成されたn^−型ベース層14と、上記n^−型ベース層14上に形成されたp^+型アノード層15とを備える。 - 特許庁
ELECTRONIC ELEMENT CONTAINING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
n型有機半導体単結晶を含む電子素子 - 特許庁
N-TYPE ZINC ANTIMONY-BASED COMPOUND THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体 - 特許庁
CHARACTERISTIC CONTROL METHOD FOR N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
n型酸化物半導体の特性制御方法 - 特許庁
n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
n型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁
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