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GROUP IIIとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 第III族
「GROUP III」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3239件
The first and second group-III precursors have different group-III elements.例文帳に追加
該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 - 特許庁
The group III element is preferably gallium, and the yielded group III nitride is preferably gallium nitride.例文帳に追加
前記III族元素は、ガリウムが好ましく、えられるIII族窒化物としては、窒化ガリウムが好ましい。 - 特許庁
A group III nitride ground surface film 3 is then formed on this group III nitride buffer film 2.例文帳に追加
次いで、このIII族窒化物緩衝膜２上に、III族窒化物下地膜３を形成する。 - 特許庁
GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
３族窒化物発光素子 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「GROUP III」の意味 |
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group III
| fly | 遺伝子名 | group III |
| 同義語（エイリアス） | sgs7; Sgs7; sgs-7; 68C GIII; Salivary glue protein Sgs-7 precursor; CG18087; Salivary gland secretion 7; Sgs-7 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P02841 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:47198 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0003377 |
| fly | 遺伝子名 | Group III |
| 同義語（エイリアス） | l(2)46Cc; lethal (2) 46Cc | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:47337 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0014982 |
| fly | 遺伝子名 | GroupIII |
| 同義語（エイリアス） | unextended; l(2R)EMS45-73; uex; l(2)EMS34-7; EMS45-73; l(2)41Ad; 41Ad | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:44876 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0003946 |
| fly | 遺伝子名 | group III |
| 同義語（エイリアス） | lethal (3) 63Eg; l(3)63Eg | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:250154 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0041736 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「GROUP III」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3239件
III GROUP NITRIDE FILM AND III GROUP NITRIDE MULTI LAYER- FILM例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物膜及びＩＩＩ族窒化物多層膜 - 特許庁
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁
GROUP III-V SOLAR BATTERY例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ族太陽電池 - 特許庁
The group III nitride semiconductor substrate 10 with an epitaxial layer includes a group III nitride substrate and an epitaxial layer.例文帳に追加
エピタキシャル層付きIII族窒化物基板１０は、III族窒化物基板と、エピタキシャル層と、を備えている。 - 特許庁
GROUP III-V LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ族発光デバイス - 特許庁
III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
３−５族化合物半導体 - 特許庁
GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物電子デバイス - 特許庁
The particles including the III group metal element include at least one selected from the group consisting of III group metal simple bodies, oxides of the III group metal elements, and hydroxides of the III group metal elements, and the average particle size of the particles including the III group metal element is 50 nm or less.例文帳に追加
III族金属元素を含む粒子は、III族金属の単体、III族金属元素の酸化物およびIII族金属元素の水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、III族金属元素を含む粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁
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