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sog-2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-2」の意味 |
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「sog-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
A substrate 3 is placed on the SOG solution layer 2, thereafter, a solvent of the SOG solution layer 2 is vaporized and, at the same time, the ladder-type crosslinking reaction is caused in the SOG solution layer 2 to solidify the SOG solution layer 2.例文帳に追加
該ＳＯＧ溶液層２の上に基板３を載置した後、該ＳＯＧ溶液層２の溶媒を気化させつつ該ＳＯＧ溶液層２内でラダー型の架橋反応を生じさせて該ＳＯＧ溶液層２を固化する。 - 特許庁
The base layer 2, on which a trench is formed, is coated with an organic SOG film 20.例文帳に追加
トレンチが形成された下地２上に、有機ＳＯＧ膜２０を塗布する。 - 特許庁
Since the SOG films are not formed on the top face of the wiring 2 to which holes 8 are formed, and on the surface of the substrate 1, the SOG films are not exposed to the inner walls of the holes 8.例文帳に追加
また、ホール８の形成される配線２上面や基板１表面にＳＯＧ膜が形成されないのでホール８の内壁にＳＯＧ膜が露出しない。 - 特許庁
An organic SOG film 3 is formed on a silicon oxide film 2 and boron ions are implanted in the film 3.例文帳に追加
シリコン酸化膜２の上に有機ＳＯＧ膜３を形成し、有機ＳＯＧ膜３に対し、ホウ素イオンを注入する。 - 特許庁
The occurrence of dislocation due to the influence of strain originating from the SOG film 6 on an active region 2 is suppressed.例文帳に追加
ＳＯＧ膜６による引張応力がイオン注入した活性領域２に作用して転位が発生するのを抑制する。 - 特許庁
Then, an SOG 25 is rotatably applied (Fig. 2(b)), the SOG is solidified by baking, only the p-type GaN layer 23 is exposed by etching (Fig. 2(c)), a p-type electrode 27 is formed thereon, and an n-type electrode 28 is continuously formed on the backside of the SiC substrate 20 by evaporation (Fig.2(d)).例文帳に追加
次に、ＳＯＧ２５を回転塗布し（図２（ｂ））、該ＳＯＧを焼成して固化し、エッチングでｐ型ＧａＮ層２３のみを露出させ（図２（ｃ））、その上にｐ型電極２７を形成し、ＳｉＣ基板２０の裏面にｎ型電極２８を蒸着で連続形成する（図２（ｄ））。 - 特許庁
A manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: depositing an SiO_2 film 3 on a substrate 1 on which a wiring pattern 2 is formed; applying an SOG film 4 on the SiO_2 film 3; and by a chemical mechanical polishing method, polishing the SOG film 4 by using cerium oxide and slurry containing at least one or more kinds of cationic surfactants.例文帳に追加
配線パターン２が形成された基板１上にＳｉＯ_２膜３を堆積する堆積工程と，ＳｉＯ_２膜３上にＳＯＧ膜４を塗布する塗布工程と，ＳＯＧ膜４を酸化セリウムおよび少なくとも一種類以上のカチオン性界面活性剤を含むスラリーを用いて化学的機械的研磨法により研磨する研磨工程と，を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
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「sog-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
A thermally polymerized hydrocarbon film 3 of small relative dielectric constant is formed on the conductive layer 2, and a modified SOG film mask 5 comparatively small in relative dielectric constant is formed on the hydrocarbon film 3.例文帳に追加
導電層２の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜３が形成され、この炭化水素膜３の上には比誘電率が比較的小さい改質ＳＯＧ膜マスク５が形成されている。 - 特許庁
A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加
基板１上の第１の絶縁膜２を、ｉ線用レジスト３、ＳＯＧ膜４、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁
The modified SOG film mask 5 functions as an etching mask for forming a contact hole (viahole) 6 which leads to the conductive layer 2.例文帳に追加
この改質ＳＯＧ膜マスク５は、炭化水素膜３に、導電層２に通じるコンタクトホール（ビアホール）６を形成するためのエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁
A silicon type solution having a ladder-type crosslinking reactivity is applied onto a rugged surface of a prescribed mother mold 1 to form an SOG solution layer 2 on the rugged surface.例文帳に追加
ラダー型の架橋反応性を持つシリコン系溶液を所定の母型１の凹凸面に塗布して該凹凸面上にＳＯＧ溶液層２を形成する。 - 特許庁
Thereby, the SOG solution layer 2 is changed into a diffraction pattern layer 12 having a rugged surface complementary to the rugged surface of the mother mold 1 and a composite material 10 made by adhering the diffraction pattern layer 12 onto the substrate 3 is provided.例文帳に追加
これにより該ＳＯＧ溶液層２が該母型１の凹凸面と相補的な凹凸面を有する回折パターン層１２へと変化するとともに、該回折パターン層１２が該基板３に固着した複合体１０を得る。 - 特許庁
On an optical detection part 2 formed on a substrate 1, spin coating, hardening, and processing of a SOG(spin-on-glass) material are carried out a plurality of times to form a clad layer 9 which has a 1st refractive index.例文帳に追加
基板１に形成された光検出部２の上に、ＳＯＧのスピンコートによる塗布・硬化・加工を複数回行い、第１の屈折率を呈するクラッド層９を形成する。 - 特許庁
The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加
基板４と、基板４上に形成された櫛歯電極２ａを含む電極２と、電極２上に形成された誘電体層５とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極２ａ間にＳｉＯ２膜６を備え、電極間のＳｉＯ２膜６は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている。 - 特許庁
Since the very low refractive index porous SOG film has the dispersion of the film thickness of not more than 2 μm and film thickness within a ±10 Å range, it can be used as an intermediate layer between the transparent substrate of the display window material which is adjusted to the request level for practical use, and a transparent electrode.例文帳に追加
この超低屈折率多孔質ＳＯＧ膜は、２μｍ以下の膜厚と±１０Å範囲内の膜厚の散布度とを有して構成できるので、実用化のための要求水準に合致したディスプレイ用窓材の透明基板と透明電極との間の中間層として用いることができる。 - 特許庁
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