sog-4とは 意味・読み方・使い方

Of an TEOS/SOG/TEOS film 3 underlying the thin film resistor 4, a step 3c is formed between the surface of a region 3a underlying the resistor 4 and the surface of the surrounding region 3b of the region 3a.例文帳に追加

薄膜抵抗４の下のＴＥＯＳ／ＳＯＧ／ＴＥＯＳ膜３のうち、薄膜抵抗４の下側に位置する領域３ａの表面と、その周りの領域３ｂの表面との間に段差３ｃを形成する。 - 特許庁

A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加

基板１上の第１の絶縁膜２を、ｉ線用レジスト３、ＳＯＧ膜４、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁

The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加

基板４と、基板４上に形成された櫛歯電極２ａを含む電極２と、電極２上に形成された誘電体層５とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極２ａ間にＳｉＯ２膜６を備え、電極間のＳｉＯ２膜６は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている。 - 特許庁

An SOG film is formed as a sacrifice layer so that an upper surface is positioned above an upper surface of a polycrystalline silicon layer 4 and below an upper surface of gate electrodes MG, SGS, SGD between gate electrodes MG-MG, MG-SGS, and MG-SGD.例文帳に追加

ゲート電極ＭＧ−ＭＧ間、ＭＧ−ＳＧＳ間、ＭＧ−ＳＧＤ間に多結晶シリコン層４の上面よりも上方で且つゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上面よりも下方に上面が位置するように犠牲層としてＳＯＧ膜を形成する。 - 特許庁

In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加

その際は、まずＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５をパターニングし、それをマスクにしてＳＯＧ膜４、ｉ線用レジスト３をドライエッチングし、そのｉ線用レジスト３をマスクにして第１の絶縁膜２をウェットエッチングする。 - 特許庁

Sections among the fine wiring 2 are filled selectively with the material of a liquid by a slip coating method utilizing a capillary phenomenon by forming a water-repellent film 7 to the wiring and the surface of a substrate before the formation of the inter-wiring insulating films 4 (SOG films) formed by the coating of the material of the liquid.例文帳に追加

液体の材料の塗布によって形成される配線間絶縁膜４（ＳＯＧ膜）形成前に、撥水膜７を配線と基板表面に形成することにより、その後、毛細管現象を利用したスリットコート法を行えば、液体の材料が選択的に微細な配線２間にのみ充填される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ground insulating film 4 including on the surface first and second parts 16, 17 each having different height; lower layer wirings 11, 12 formed on the ground insulating film 4; and a first insulating film 6, an organic SOG film 7, and a second insulating film 8 formed sequentially on the lower layer wirings 11, 12, and the ground insulating film 4.例文帳に追加

表面に高さが異なる第１および第２の部分１６,１７を有する下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４に形成された下層配線１１,１２と、下層配線１１,１２および下地絶縁膜４上に順次形成された第１絶縁膜６、有機ＳＯＧ膜７および第２絶縁膜８とを備える。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁