意味 | 例文 (16件) |
sog-6とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-6」の意味 |
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sog-6
worm | 遺伝子名 | sog-6 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | WormBase:WBGene00004939 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「sog-6」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
The flattening film 6 is preferably an SOG film.例文帳に追加
また、前記平坦化膜6は、SOG膜であることが好ましい。 - 特許庁
The lower wiring 4 and the conductive plug 6 are buried by an organic SOG film 7, after that, the surface of the conductive plug 6 is exposed, and second wiring 8 is formed on the organic SOG film 7.例文帳に追加
下層配線4及び導電プラグ6を有機SOG膜7で埋め込み、その後、導電プラグ6表面を露出させ、有機SOG膜7上に第2配線8を形成する。 - 特許庁
After metal wirings 6 are buried in a modified SOG film 4 using a damascene method, a modified SOG film 8 is formed on the film 4 and moreover, contact holes are formed in the film 8.例文帳に追加
そして、改質SOG膜4にダマシン法を用いて金属配線6を埋め込んだ後、その上に改質SOG膜8を形成し、更に、コンタクトホール9a,9bを形成する。 - 特許庁
An SOG film 5 is formed on the surface of the first P-TEOS film 4 except directly above the titanic oxide film 3, and a second P-TEOS film 6 is formed on the titanic oxide film 3 and the SOG film 5.例文帳に追加
チタン酸化膜3の直上を除く第1のP−TEOS膜4の表面にSOG膜5を形成し、チタン酸化膜3上とSOG膜5上に第2のP−TEOS膜6を形成する。 - 特許庁
An SOG solution is applied and baking is performed to a coated insulation film 6, and the film 6 on the top surface of the resist 5 is removed.例文帳に追加
そしてSOG溶液を塗布しベーキングを行うことにより塗布系絶縁膜6を形成し、レジスト5上面の塗布系絶縁膜6を除去する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 15 containing a SOG (Spin On Glass) film 13 is formed on the surface of the semiconductor substrate 10 including the surfaces of the metallic layers 6.例文帳に追加
当該金属層6上を含めた半導体基板10の表面上にはSOG(Spin On Glass)膜13を含む層間絶縁膜15を形成する。 - 特許庁
The occurrence of dislocation due to the influence of strain originating from the SOG film 6 on an active region 2 is suppressed.例文帳に追加
SOG膜6による引張応力がイオン注入した活性領域2に作用して転位が発生するのを抑制する。 - 特許庁
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「sog-6」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
In a configuration wherein a trench 4 is formed on a silicon substrate 1 and is filled with a SOG film 6, the SOG film 6 is lowered away to become deeper than a high-concentration impurity region 1b after ions are implanted to form the high-concentration impurity region 1b for formation of the LDD structure.例文帳に追加
シリコン基板1にトレンチ4を形成してSOG膜6を埋め込む構成で、LDD構造形成のための高濃度不純物領域1bを形成するためのイオン注入をしてから、SOG膜6をそれよりも深くなるように落とし込む。 - 特許庁
There is a space between the adjacent metal layers 6, so that the SOG film 13 formed on the metal layers 6 is formed thinner by the spaces than that of a conventional length measuring monitor.例文帳に追加
隣り合う金属層6の間にスペースがあることから、当該スペースによって金属層6上のSOG膜13の厚みは従来の測長用モニターに比して薄く形成される。 - 特許庁
A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加
有機SOG膜3aおよびTEOS酸化膜3bが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第2絶縁層3に溝パターン4が形成されており、この溝パターン4の側壁に設けられたTEOS酸化膜5を介してバリア層6を形成することで、有機SOG膜3aとバリア層6とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁
Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加
更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。 - 特許庁
The modified SOG film mask 5 functions as an etching mask for forming a contact hole (viahole) 6 which leads to the conductive layer 2.例文帳に追加
この改質SOG膜マスク5は、炭化水素膜3に、導電層2に通じるコンタクトホール(ビアホール)6を形成するためのエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁
The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加
基板4と、基板4上に形成された櫛歯電極2aを含む電極2と、電極2上に形成された誘電体層5とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極2a間にSiO2膜6を備え、電極間のSiO2膜6は、SOG(Spin on Glass)で形成されている。 - 特許庁
Furthermore, since the dimension adjusting layer 10 protects the surface of the nano-column 6, uniformity of embedding causing the problem in surface protection by burying an SOG will not causes problems, and the surface protection excelling in controllability and reproducibility can be realized.例文帳に追加
また、径調整層10はナノコラム6の表面を保護するので、SOGの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 - 特許庁
Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.例文帳に追加
レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第2層配線M_2 および第3層配線M_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約3. 0以下の有機SOG膜6,13を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁
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Milind Ingle
百科事典
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