数日前に世間を騒がせた、Appleの新型iPhone、特にiPhone6 Plusの128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題(taisy0さんの記事が詳しい)で、問題の原因はフラッシュメモリのコントローラーICにあり、TLC(Triple Level Cell)を使用したNANDフラッシュメモリにあるといわれている。 また、Appleは今後このTLCのNANDフラッシュの仕様をとりやめてMLC(Multi Level Cell)を採用するという業界筋の情報がある上に、更に128GBのiPhone6/6 Plusの一部のリコールにまで応じるという話や、iOS8.1.1で修正するという話もある(本当にOSやソフトウェアレベルでなんとかなるものなのかはわからないが)。 なお、現在ではiPhone6 Plus 128GBに限らず、iPhone6/6 Plusの64GBと128GBにもクラ