Address
:
[go:
up one dir
,
main page
]
Include Form
Remove Scripts
Accept Cookies
Show Images
Show Referer
Rotate13
Base64
Strip Meta
Strip Title
Session Cookies
More Web Proxy on the site http://driver.im/
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Baza publikacji
Formularz wyszukiwania
Szukany tekst
Szukaj tylko w tych wybranych czasopismach
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Wyszukaj
Zobacz przykłady zapytań
title:węgiel
title:"węgiel kamienny"
title:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk"
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk" AND issueYear:2020
abstract:"problemy jakości"
keywords:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
titleAlias:quality
keywordsAlias:"hard coal"
abstractAlias:"food quality"
keywordsAlias:"thermal resistance" AND issueYear:2020
Wynik wyszukiwania
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-7
Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 114685
10.15199/48.2018.07.45
energoelektronika
przekształtnik boost
tranzystory SiC MOSFET
przekształtniki quasi - rezonansowe.
power electronics
boost converter
SiC MOSFET
quasi –
resonant converters.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-12
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego
Andrzej Kozłowski
Lech Dobrzański
Marcin Pisarek
Małgorzata Możdżonek
nr katalogowy: 64792
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
Marek ADAMOWICZ
Jędrzej PIETRYKA
Sebastian GIZIEWSKI
Mariusz RUTKOWSKI
Zbigniew KRZEMIŃSKI
nr katalogowy: 67683
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Marek PATOKA
Roman BARLIK
nr katalogowy: 80152
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2
IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022
nr katalogowy: 142119
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12
Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd
Katarzyna Racka-Szmidt
nr katalogowy: 95862
10.15199/13.2015.12.14
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62685
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-6
WPŁYW DODATKU MIEDZI ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROSTRUKTURĘ I TWARDOŚĆ KOMPOZYTÓW Al-SiC
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99103
10.15199/67.2016.6.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 73211
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-3
Korozja stopu AZ91 i kompozytów typu AZ91/SiC w roztworze Ringera
IWONA KOT
JANUSZ LELITO
HALINA KRAWIEC
nr katalogowy: 66331
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
nr katalogowy: 50172
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices
Jakub DAWIDZIUK
nr katalogowy: 67689
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Mariusz Sochacki
Norbert Kwietniewski
Andrzej Taube
Krystian Król
Jan Szmidt 
nr katalogowy: 79301
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2004-11
Domieszkowanie MgB2 nanokrystalicznym SiC przy zastosowaniu mieszania w wysokim ciśnieniu gazu obojętnego i izostatycznego
Andrzej MORAWSKI
Tomasz. LADA
Adam PRESZ
Tadeusz MAZUR
Ryszard DIDUSZKO
nr katalogowy: 3929
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 67697
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
Agnieszka MARTYCHOWIEC
Norbert KWIETNIEWSKI
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 122738
10.15199/48.2019.10.35
węglik krzemu
SiC
przygotowanie powierzchni SiC
technologia półprzewodnikowa.
silicon carbide
SiC
SiC surface preparation
semiconductor technology.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
MIROSŁAW KULIK
JERZY ŻUK
WITOLD RZODKIEWICZ
KRZYSZTOF PYSZNIAK
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MARCIN TUREK
SŁAWOMIR PRUCNAL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37486
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2007-4
Wpływ nanocząstek SiC na właściwości mechaniczne i ochronne powłok lakierowych
MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ
nr katalogowy: 25496
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11
Odporność korozyjna kompozytu na osnowie stopu magnezu AM50 umacnianego cząstkami SiC
KINGA KAMIENIAK
MARCIN A. MALIK
nr katalogowy: 72695
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-5
ANALIZA PARAMETRÓW PROCESU WYTWARZANIA KOMPOZYTÓW Al-SiC
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 76633
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-7
WPŁYW ATMOSFERY SPIEKANIA ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROST RUKTURĘ I WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW AlCu-Si
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99667
10.15199/67.2016.7.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity
Bohdan ANDRIYEVSKY
nr katalogowy: 93226
10.15199/48.2015.09.02
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-7
Flexible Rogowski current probes in measurements of ultra-fast SiC MOSFET modules – limitations and challenges
Dawid ZIĘBA
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 149502
10.15199/48.2024.07.01
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
Rogowski coils
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
cewki Rogowskiego
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8
Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Krystian KRÓL
Mariusz SOCHACKI
Norbert KWIETNIEWSKI
Sylwia GIERAŁTOWSKA
Łukasz WACHNICKI
nr katalogowy: 108540
10.15199/48.2017.08.28
high-k
węglik krzemu
SiC
MOSFET
przyrządy mocy
high-k
silicon carbide
SiC
MOSFET
power devices
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 122100
10.15199/48.2019.09.40
wielofazowe przekształtniki typu boost
węglik krzemu
azotek galu
miękkie przełączenia
interleaved boost converters
silicon carbide
gallium nitride
zero voltage switching
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2
Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottky’ego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami
Łukasz Gelczuk
Maria Dąbrowska -Szata
nr katalogowy: 66140
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC
ARKADIUSZ SZEWCZYK
ALICJA KONCZAKOWSKA
BARBARA STAWARZ-GRACZYK
nr katalogowy: 44768
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8
NOWA FALA GaN I SIC
nr katalogowy: 133104
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12
Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39
modelowanie
MOSFET
SiC
SPICE
modelling
MOSFET
SiC
SPICE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC
RYSZARD KISIEL
MAREK GUZIEWICZ
nr katalogowy: 44771
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma
Bartłomiej STONIO1
2
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 130178
10.15199/48.2021.02.14
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
BCl3
RIE
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
BCl3
RIE
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
Jędrzej Pietryka
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142231
10.15199/48.2023.03.07
izolowany przekształtnik DC-DC
SiC MOSFET
transformator macierzowy
pokładowa ładowarka akumulatorów.
isolated DC-DC converter
SiC MOSFET
matrix transformer
onboard battery charger.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
Jędrzej Pietryka
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142231
10.15199/48.2023.03.07
izolowany przekształtnik DC-DC
SiC MOSFET
transformator macierzowy
pokładowa ładowarka akumulatorów.
isolated DC-DC converter
SiC MOSFET
matrix transformer
onboard battery charger.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
Mietek BAKOWSKI
nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC
RENATA KRUSZKA
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 62662
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM
MICHAŁ CZERWIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
nr katalogowy: 61161
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MIROSŁAW KULIK
SŁAWOMIR PRUCNAL
KRZYSZTOF PYSZNIAK
MICHAŁ RAWSKI
MARCIN TUREK
JERZY ŻUK
nr katalogowy: 44772
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-11
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice
Roman BARLIK
Jacek RĄBKOWSKI
Mieczysław NOWAK
nr katalogowy: 21990
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
J. Stęszewski
A. Jakubowski
nr katalogowy: 8989
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11
Właściwości korozyjne kompozytu typu stop aluminium A359-SiC po wielokrotnym procesie przetopu
MARCIN GROBELNY
ADAM KLASIK
nr katalogowy: 72692
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-3
Wpływ rozdrobnienia proszku fazy osnowy na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2
Gabriela Górny
Marian Rączka
Paweł Rutkowski
Ludosław Stobierski
nr katalogowy: 85034
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-8
CHARAKTERYSTYKA WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTU AK52/SiC UZYSKANEGO METODĄ IMPULSOWO-PLAZMOWEGO SPIEKANIA
MAGDALENA SUŚNIAK
DARIUSZ KOŁACZ
MARCIN LIS
JOANNA KARWAN-BACZEWSKA
TOMASZ SKRZEKUT
nr katalogowy: 78635
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Thermal stability of SiC MOS transistors
WITOLD J. STEPOWICZ
nr katalogowy: 58376
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-7
EFFECT OF PLASTIC DEFORMATION ON THE MICROSTRUCTURE, SIZE AND DISTRIBUTION OF SiC REINFORCING PARTICLES IN THE CAST F3K.10S COMPOSITE
PAWEŁ KURTYKA
nr katalogowy: 92509
10.15 199/67.2015.7.3
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Marcin KASPRZAK
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 112455
10.15199/48.2018.03.11
falownik klasy D-ZVS
SiC
MOSFET
równoległe połączenie
Class D-ZVS inverter
SiC
MOSFET
parallel placement
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-2
CHARAKTERYSTYKA KOMPOZYTÓW Al-Cu/SiC SPIEKANYCH W PRÓŻNI
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
JAROSŁAW KASPRZYK
nr katalogowy: 112329
10.15199/67.2018.2.2
kompozyty Al-SiC
metalurgia proszków
mikrostruktura
wytrzymałość na ściskanie
wytrzymałość na zginanie
Al4Cu-SiC composites
powder metallurgy
microstructure
compressive strength
bending strength
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
SiC - materiał dla elektroniki
K. Kościewicz
E. Tymicki
K. Grasza
nr katalogowy: 16309
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1
Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową
Januszsz Woźny
Andrzej Kubiak
nr katalogowy: 135367
10.15199/48.2022.01.36
SiC
kontakt omowy
laser
SiC
ohmic contact
laser
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7
Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC
Krzysztof Grasza
Emil Tymicki
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 91943
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62688
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1
SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation
Maciej CHOJOWSKI
Robert STALA
Andrzej MONDZIK
Adam PENCZEK
nr katalogowy: 129831
10.15199/48.2021.01.10
Switched capacitor voltage converter
High temperature power converter
Zero current switching
DC-DC converter
Przełączalne kondensatory
Praca układu w wysokiej temperaturze
przełączanie w zerze prądu
Przekształtnik DC-DC.
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2019-8
UMOCNIENIE ODKSZTAŁCENIOWE KOMPOZYTÓW Z STOPU ALUMINIUM 6061+SiC
ŁUKASZ ZASADZIŃSKI
KRZYSZTOF ZABOROWSKI
JÓZEF ZASADZIŃSKI
nr katalogowy: 121961
10.15199/67.2019.8.1
własności mechaniczne
kompozyty metalowe
umocnienie odkształceniowe
mechanical properties
metal composites
strain hardening
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-8
Structure and properties of composite Ni-P/SiC surface layers produced by chemical reduction on aluminum and its alloys Struktura i właściwości warstw kompozytowych Ni-P/SiC wytwarzanych metodą redukcji chemicznej na aluminium i jego stopach
Maria Trzaska
nr katalogowy: 86088
10.12916/przemchem.2014.1286
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1
Mechanical and thermal properties of SiC - ceramics substrate interface
Ryszard Kisiel
ZBIGNIEW Szczepański
Piotr Firek
MAREK Guziewicz
ARKADIUSZ Krajewski
nr katalogowy: 65204
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9
Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC
Z. ADAMUS
A. V. KUCHUK
M. WZOREK
A. BARCZ
E. KAMISKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 54288
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6
Dobór składu fazowego kompozytu na bazie stopu AlSi pod kątem możliwości kształtowania powierzchni roboczych tłoków
Maciej Dyzia
Anna J. Dolata
Piotr Putyra
Lucyna Jaworska
nr katalogowy: 95638
10.15199/28.2015.6.35
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2010-3
Antykorozyjne elektrolityczne nanostrukturalne powłoki kompozytowe
BENIGNA SZEPTYCKA
nr katalogowy: 50700
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11
Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 63894
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu
MAREK WZOREK
ANDRZEJ CZERWIŃSKI
ANDRIAN KUCHUK
ACEK RATAJCZAK
ANNA PIOTROWSKA
JERZY KĄTCKI
nr katalogowy: 62663
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7
PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU
Michał Downar-Zapolski
nr katalogowy: 149636
10.15199/13.2024.7.8
węglik krzemu (SIC)
krzem (SI)
prze twornica dc-dc
SEPIC
tranzystor (SiC)
carborundum (SIC)
dc-dc converters
SEPIC
transistor (SiC)
CHŁODNICTWO 2017-4-5
Danfoss i General Electric łączą siły
nr katalogowy: 106015
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC
Norbert KWIETNIEWSKI
Jakub SZARAFIŃSKI
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT Wawrzyniec KASZUB
Tymoteusz CIUK
nr katalogowy: 122097
10.15199/48.2019.09.37
Ti/SiC
kontakty omowe
termiczne formowanie kontaktów.
Ti/SiC ohmic contacts
contacts thermal formation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1
Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV
Radosław SOBIESKI
Rafał MIŚKIEWICZ
Rafał KOPACZ
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 147110
10.15199/48.2024.01.30
bateryjny magazyn energii
przekształtnik prądu stałego
SiC MOSFET
moduł mocy
battery storage system
DC-DC converter
SiC MOSFET
power module
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 45506
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
nr katalogowy: 45499
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu
Paweł Borowicz
Zbigniew Adamus
Marek Ekielski
Anna Piotrowska
Adrian Kuchuk
Michał Borysiewicz
Eliana Kamińska
Mariusz Latek 
nr katalogowy: 70971
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63349
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ADAM ŁASZCZ
MARIUSZ PŁUSKA
WITOLD RZODKIEWICZ
ANNA PIOTROWSKA
SYLWIA GIERAŁTOWSKA
MARIUSZ SOCHACKI
ROBERT MROCZYŃSKI
ELŻBIETA DYNOWSKA
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62687
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-5
Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use
Sebastian Bąba
Grzegorz Palesa
Jarosław Wiśniewski
Filip Mańka
nr katalogowy: 148591
10.15199/48.2024.05.06
SiC
MOSFET
TSEP
junction temperature
SiC
MOSFET
TSEP
temperatura złącza
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 115220
10.15199/48.2018.08.17
tranzystor JFET
węglik krzemu
zjawisko samonagrzewania.
JFET
silicon carbide
self-heating phenomenon.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12
Stanowisko do monokrystalizacji SiC
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
ZYGMUNT ORZECHOWSKI
JACEK KOZŁOWSKI
JÓZEF WIECHOWSKI
nr katalogowy: 40368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego
Kamil KIEREPKA
Piotr LEGUTKO
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112456
10.15199/48.2018.03.12
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET
komutacja twarda.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET
hard switching.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-2
Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Joanna SZELĄGOWSKA
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 124715
10.15199/48.2020.02.42
BJT
transient thermal impedance
thermal resistance
silicon carbide.
przejściowa impedancja termiczna
rezystancja termiczna
tranzystor bipolarny
węglik krzemu.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 126978
10.15199/48.2020.07.12
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
GaN
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
GaN
MOSFET
driver
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-3
System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
nr katalogowy: 33958
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy
ZBIGNIEW SZCZEPAŃSKI
RYSZARD KISIEL
nr katalogowy: 37487
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 44770
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-12
Nanopowder silicon carbide and carbon/silicon carbide composites prepared by the aerosol-assisted synthesis Nanoproszkowy węglik krzemu oraz nanokompozyty węgiel/węglik krzemu otrzymywane metodą syntezy aerozolowej
Cezary Czosnek
Jerzy F. Janik
nr katalogowy: 88652
10.12916/przemchem.2014.2020
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej
PAWEŁ BOROWICZ
ANDRIAN KUCHUK
ZBIGNIEW ADAMUS
MICHAŁ BORYSIEWICZ
MAREK EKIELSKI
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
MARIUSZ LATEK
nr katalogowy: 62683
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-3
Al/SiC composites produced by direct extrusion using the KOBO method
Jarosław Woźniak
Marek Kostecki
Włodzimierz Bochniak
Andrzej Olszyna
nr katalogowy: 52709
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU 2016-2
PROBLEMY KLEJENIA KOMPONENTÓW Z LEKKICH KOMPOZYTÓW ODPORNYCH NA PRZEBICIA
Jan GODZIMIRSKI
Sławomir TKACZUK
nr katalogowy: 98596
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
MICHAŁ KOZUBAL
PAWEŁ KAMIŃSKI
ROMAN KOZŁOWSKI
MARIUSZ PAWŁOWSKI
WŁADYSŁAW HOFMAN
nr katalogowy: 32580
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky’ego SiC
DANIEL GRYGLEWSKI
WOJCIECH WOJTASIAK
BARTOSZ HREHORUK
nr katalogowy: 39668
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
MAREK GUZIEWICZ
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 37981
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8
Badania układu cienkowarstwowego ZrOx na powierzchni 6H-SiC (0001) metodami LEED i XPS
MARTA SKIŚCIM
KAROLINA IDCZAK
LESZEK MARKOWSKI
nr katalogowy: 61938
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
Bartłomiej STONIO
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mateusz SŁOWIKOWSKI
Krystian PAVŁOV
Piotr CABAN
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT
nr katalogowy: 122098
10.15199/48.2019.09.38
suche trawienie
4H-SiC
jakość powierzchni
techniki pazmowe.
silicon carbite
4H-SiC
plasma etching
surface quality
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
TOMASZ BIENIEK
JĘDRZEJ STĘSZEWSKI
MARIUSZ SOCHACK
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37485
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2017-5
Wpływ powłok SiC na właściwości żaroodporne stali zaworowych
RICHARD GAWEŁ
KAROL KYZIOŁ
MARCIN ŚRODA
ZBIGNIEW GRZESIK
ZBIGNIEW JURASZ
nr katalogowy: 105139
10.15199/40.2017.5.7
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS Al/SiO2/4H-SiC
Krystian Król
Małgorzata Kalisz
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70967
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
OLOF ENGSTROM
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62686
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1
Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 58350
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1
Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością
ANDRZEJ MICHALSKI
KRZYSZTOF ZYMMER
nr katalogowy: 57455
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2017-2
WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW Al-SiC OTRZYMANYCH TECHNOLOGIĄ KONWENCJONALNEJ METALURGII PROSZKÓW
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
PIOTR NOGA
nr katalogowy: 104036
10.15199/67.2017.2.1
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Michał Waśkiewicz
Jan Szmidt
nr katalogowy: 95200
10.15199/13.2015.11.13
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe
Szymon PIASECKI
nr katalogowy: 98782
10.15199/48.2016.06.07
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2019-6
Impact of vibro-compaction on microstructure and properties of aluminium matrix composite with SiC particles
Marcin Godzierz
Anita Olszówka-Myalska
Karolina Dudzińska
Mateusz Urbiczek
nr katalogowy: 124111
10.15199/28.2019.6.3
aluminium matrix composites
silicon carbide
functionally graded materials
quantitative analysis
vibro-compaction
tribological properties.
kompozyty z osnową aluminiową
węglik krzemu
funkcjonalne materiały gradientowe
zagęszczanie wibracyjne
właściwości tribologiczne.
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2007-3-4
Modification of surface layer of titanium alloy by laser alloying
RYSZARD FILIP
nr katalogowy: 27552
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 111563
10.15199/48.2018.01.33
straty mocy
MOSFET
obwód bramkowy
SiC
power losses
MOSFET
gate circuit
SiC.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Przemysław TROCHIMIUK
nr katalogowy: 126981
10.15199/48.2020.07.15
SiC MOSFET
szeregowe łączenie
aktywne wyrównywanie napięć
SiC MOSFET
series-connection
active voltage sharing
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 115822
10.15199/48.2018.09.23
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET.
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2014-4
BEZPRĄDOWE NAKŁADANIE WIELOWARSTWOWYCH POWŁOK Zn/Ni-P/Ni-P-SiC NA STOPACH MAGNEZU AZ91D
EWA RUDNIK
MICHAŁ GDULA
nr katalogowy: 84010
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-8
Process-oriented suboptimal controller for SiC bulk crystal growth system
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 70156
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes
Janusz ZARĘBSKI
Jacek DĄBROWSKI
nr katalogowy: 63352
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC
GRZEGORZ ZAREMBA
WOJCIECH JUNG
ELIANA KAMIŃSKA
MICHAŁ BORYSIEWICZ
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
ZBIGNIEW ADAMUS
nr katalogowy: 62684
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
TOMASZ GUTT
KRZYSZTOF PISKORSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
PAWEŁ BOROWICZ
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62667
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Structural investigation of silicon carbide with micro-Raman spectroscopy
Paweł BOROWICZ
Tomasz GUTT
Tomasz MAŁACHOWSKI
Mariusz ŁATEK
nr katalogowy: 55709
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 55707
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2019-12
Wpływ FeSi oraz SiC jako źródeł krzemu na właściwości warstw chromokrzemowanych
Iwona Bauer
nr katalogowy: 123982
10.15199/62.2019.12.32
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6
Właściwości technologiczne mieszanek formierskich na bazie węglika krzemu stosowanych do produkcji ceramicznych form odlewniczych
Marcin Małek
Paweł Wiśniewski
Jarosław Mizera
Krzysztof J. Kurzydłowski
nr katalogowy: 95647
10.15199/28.2015.6.44
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-5
MIKROSTRUKTURA I WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTÓW NA OSNOWIE STOPU ALUMINIUM UMACNIANYCH WĘGLIKIEM KRZEMU
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
ANNA TYLEK
MATEUSZ WĄSIK
nr katalogowy: 91379
10.15199/67.2015.5.3
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 145282
10.15199/48.2023.09.60
modelowanie
MOSFET
węglik krzemu
modelling
MOSFET
silicon carbide
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3
Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs
Rafał KOPACZ
nr katalogowy: 147725
10.15199/48.2024.03.03
multilevel converters. power electronics
series connection
SiC MOSFET
energoelektronika
przekształtniki wielopoziomowe
szeregowe łączenie
SiC MOSFET
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2011-10
NOWE WYDAWNICTWA
nr katalogowy: 63050
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego
KRYSTIAN KRÓL
MAŁGORZATA KALISZ
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 61156
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1
Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 117991
:10.15199/48.2019.01.54
tranzystor JFET
węglik krzemu
modelowanie
program PSPICE.
JFET
silicon carbide
modelling
PSPICE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes
WŁODZIMIERZ JANKE
ANETA HAPKA
nr katalogowy: 58292
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2018-3
The effect of surface modification of LaNi4.5Co0.5 hydride alloy with SiC layer on its hydrogen storage and kinetic electrochemical properties
Agnieszka Stefaniak
Klaudia Bordolińska
Henryk Bala
Wojciech Paw lak
Bogdan Wendler
nr katalogowy: 112631
10.15199/40.2018.3.3
Hydrogen storage alloy
corrosion degradation
SiC coating
relative capacity
electrosorption kinetics
stop magazynujący wodór
degradacja korozyjna
powłoka SiC
pojemność właściwa
kinetyka elektrosorpcji
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-4
Wpływ udziału objętościowego TiB2 na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2
Gabriela Górny
Grzegorz Grabowski
Marian Rączka
Paweł Rutkowski
Ludosław Stobierski
nr katalogowy: 86399
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC
ROMAN BARLIK
TADEUSZ PŁATEK
JACEK RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 62711
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 96282
10.15199/13.2016.1.8
SZKŁO I CERAMIKA 2014-3
Technologiczne właściwości mas formierskich z SiC z przeznaczeniem dla ceramicznych form odlewniczych dla przemysłu lotniczego
PAWEŁ WIŚNIEWSKI
MARCIN MAŁEK
RYSZARD SITEK
HUBERT MATYSIAK
KRZYSZTOF JAN KURZYDŁOWSKI
nr katalogowy: 84819
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-3
Modelling the effect of SiC mass fraction on crystallization of magnesium metal matrix composite; AZ91/SiC
Janusz Lelito
Paweł Żak
Józef Suchy
Witold Krajewski
Halina Krawiec
lind say gree r
pete r schumache r
amir shirzadi
kath arina habe r
paweł darłak
nr katalogowy: 52774
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3
Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
PIOTR CABAN
WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 50822
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu
LECH DOBRZAŃSKI
KRZYSZTOF GÓRA
ANDRZEJ JAGODA
ANDRZEJ KOZŁOWSKI
BEATA STAŃCZYK
KRYSTYNA PRZYBOROWSKA
nr katalogowy: 44769
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Tomasz Sak
Marcin Parchomiuk
nr katalogowy: 78254
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
Marek ADAMOWICZ
Patryk STRANKOWSKI
Jędrzej PIETRYKA
Janusz SZEWCZYK
Jarosław GUZIŃSKI
nr katalogowy: 86948
10.12915/pe.2014.09.50
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 63369
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4
Recognition and characterization of defects in GaN epilayers
ELŻBIETA JEZIERSKA
JOLANTA BORYSIUK
nr katalogowy: 79713
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-5
Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+
Krzysztof PYSZNIAK
Jerzy ŻUK
Andrzej DROŹDZIEL
Artur WÓJTOWICZ
Sławomir PRUCNAL
Marcin TUREK
nr katalogowy: 76821
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-9
On stability of polarisation current pattern during forced thermal aging in sintered ceramics
Juraj KURIMSKÝ
Bystrík DOLNÍK
nr katalogowy: 55538
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraja˛cej fosfor lub azot na jakos´c´ mie˛dzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Maciej Kamiński
Ernest Brzozowski
Andrzej Taube
Oskar Sadowski
Krystian Król
Marek Guziewicz
nr katalogowy: 130187
SiC
stany powierzchniowe
dielektryk bramkowy
mi˛edzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik
POCl3
NO
SiC
surface states
gate dielectric
semiconductor/dielectric interface
POCl3
NO
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Janusz Zarębski
Krzysztof Górecki
nr katalogowy: 63244
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
Detektor ultrafioletu z węglika krzemu
L. Dobrzański
K. Grasza
nr katalogowy: 16308
ATEST - OCHRONA PRACY 2005-3
Teksty-preteksty
nr katalogowy: 7959
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu
JACEK DĄBROWSKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 50195
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4
Silicon carbide JFET - fast, high voltage semiconductor device for power electronics applications
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 43954
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej
Bartłomiej STONIO
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mateusz SŁOWIKOWSKI
Krystian PAVŁOV
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT
nr katalogowy: 122739
10.15199/48.2019.10.36
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
Cl2
ICP.
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
Cl2
ICP
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-6
Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu
J. Zarębski
J. Dąbrowski
nr katalogowy: 1055
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-3
Wybrane właściwości pian metalowych na bazie kompozytu AlSi9-SiC
JANUSZ GRABIAN
KATARZYNA GAWDZIŃSKA
nr katalogowy: 17159
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-12
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET
J. Zarębski
D. Bisewski
nr katalogowy: 9205
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-12
WŁASNOŚCI MECHANICZNE RUR Z MIESZANEK PROSZKOWYCH STOPU 6061 Z TWARDYMI CZĄSTKAMI SiC LUB Al2O3 WYTWORZONYCH PODCZAS WYCISKANIA NA GORĄCO PRZEZ MATRYCE MOSTKOWO-KOMOROWE
JÓZEF ZASADZIŃSKI
ARKADIUSZ KUTA
TOMASZ LATOS
KRZYSZTOF ZABOROWSKI
nr katalogowy: 95716
10.15 199/67.2015.12.17
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-6
EFFECT OF THE TYPE OF ABRASIVE AGENT ON THE PROPERTIES OF CAST Co-Cr ALLOYS USED IN PROSTHETICS
JOANNA AUGUSTYN-PIENIĄŻEK
PAWEŁ KURTYKA
nr katalogowy: 91969
10.15199/67.2015.6.2
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6
Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN
Lech Dobrzański
Piotr Caban
Andrzej Kowalik
Jarosław Podgórski
Mariusz Rudziński
Krzysztof Góra
Andrzej Jagoda
Beata Stańczyk
Dariusz Wojnowski
Andrzej Kozłowski
Krystyna Przyborowska
Arkadiusz Lewandowski
Wojciech Wiatr
Regina Paszkiewicz
nr katalogowy: 91808
10.15199/13.2015.6.1
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3
Napęd z silnikiem indukcyjnym i 4-gałęziowym falownikiem SiC do turbosprężarek powietrza ogniw paliwowych dużej mocy
Sebastian GIZIEWSKI
Marek ADAMOWICZ
nr katalogowy: 147730
10.15199/48.2024.03.08
ogniwo paliwowe PEM
turbosprężarka powietrza
czterogałęziowy falownik SiC
wysokoobrotowy silnik indukcyjny
PEM fuel cel
air turbocharger
four leg SiC inwerter
high speed induction motor
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-5
Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD
K. Dul
S. Jonas
nr katalogowy: 10208
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11
Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE
J. Zarębski
J. Dąbrowski
nr katalogowy: 1238
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-5
Morfologia i struktura powłok SiC na stomatologicznym stopie WIROBOND
L. Klimek
D. Rylska
B. Wendler
nr katalogowy: 10154
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2
Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe
Andrzej Dziedzic
Damian Nowak
nr katalogowy: 66155
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
Joanna SZELĄGOWSKA
nr katalogowy: 115223
10.15199/48.2018.08.20
tranzystor SJT
węglik krzemu
samonagrzewanie.
SJT
silicon carbide
self-heating phenomenon
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7
Identyfikacja pieca do monokrystalizacji SiC jako obiektu sterowania
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 91942
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii
Piotr GRZEJSZCZAK
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 87748
10.12915/pe.2014.11.22
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2012-6
Węglik krzemu. Wczoraj, dziś, jutro
Magdalena Kurcz
Andrzej Huczko
nr katalogowy: 68512
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-6
Otrzymywanie i właściwości trudnopalnych nanokompozytów uretanowo-mocznikowych z napełniaczami z prekursorów glinoorganicznych
MACIEJ MARCZEWSKI
BEATA SIENKIEWICZ
ANTONI PIETRZYKOWSKI
nr katalogowy: 21749
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-5
Wpływ parametrów procesu MWCYD na strukturę i właściwości warstw typu a-SiC^N^H
STANISŁAWA KLUSKA
STANISŁAWA JONAS
ŁUKASZ KOZAK
nr katalogowy: 21667
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112460
10.15199/48.2018.03.16
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
MOSFET
driver
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-3
Tribologiczne właściwości kompozytów zbrojonych mieszaniną cząstek ceramicznych i węgla szklistego
JERZY MYALSKI
JAKUB WIECZOREK
JÓZEF ŚLEZIONA
ANNA DOLATA-GROSZ
MACIEJ DYZIA
nr katalogowy: 10041
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 85802
10.15199/ELE-2014-086
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 73368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 67716
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
ROMAN BARLIK
MIECZYSŁAW NOWAK
nr katalogowy: 58280
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 98173
10.15199/48.2016.05.09
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS
M. Sochacki
R. Łukasiewicz
J. Szmidt
W. Rzodkiewicz
M. Lesko
M. Wiatroszak
nr katalogowy: 1211
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-3
Powłoki ochronne SiC, SiCN i SiN na stopach metali osadzane reakcyjną metodą magnetronową przy niskich temperaturach
BOGDAN WENDLER
MARCIN JACHOWICZ
MAŁGORZATA KAROLUS
LIDIA ADAMCZYK
nr katalogowy: 17146
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky’ego na bazie heterostruktur AIII-N-SiC...
M. Tłaczała
R. Paszkiewicz
B. Paszkiewicz
B. Boratyński
nr katalogowy: 16307
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10
Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT
Joanna PATRZYK
Janusz ZARĘBSKI
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 150788
10.15199/48.2024.10.62
BJT
silicon carbide
SPICE
modeling
tranzystor bipolarny
węglik krzemu
SPICE
modelowanie
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2008-4-5
Właściwości antykorozyjne powłok zawierających nanocząstki węglika krzemu
MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ
nr katalogowy: 34278
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2021-10
Od redakcji
nr katalogowy: 134017
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Reaktywne trawienie jonowe węglika krzemu SiC
KRZYSZTOF PIOTR GÓRA
nr katalogowy: 32581
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Epitaksja węglika krzemu metodą CVD
WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI
KINGA KOŚCIEWICZ
MAREK WESOŁOWSKI
nr katalogowy: 37490
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE 2006-4
Osiągnięcia w zakresie kucia matrycowego wyprasek z kompozytów na osnowie stopu aluminium Al-Cu-Si z udziałem fazy ciekłej oraz spiekanych stali niskostopowych
SZCZEPANIK S.
WIŚNIEWSKI B.
SKRZYPEK T.
nr katalogowy: 16984
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-11
LEKKIE MATERIAŁY KOMPOZYTOWE NA OSNOWIE PROSZKU ALUMINIUM UMOCNIONE CZĄSTKAMI WĘGLIKA KRZEMU OTRZYMANE PRZEZ KUCIE MATRYCOWE I WYCISKANIE
STEFAN SZCZEPANIK
nr katalogowy: 80997
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Trójfazowy, dwupoziomowy falownik napięcia z tranzystorami Z-FET z węglika krzemu (SiC)
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 87755
10.12915/pe.2014.11.29
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63350
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2015-12
Electrochemical oxidation of organic compounds on boron-doped diamond electrodes Wykorzystanie elektrod diamentowych domieszkowanych borem (BDD) do elektrochemicznego utlenienia związków organicznych
Paweł Lochyński
Thomas Dittmar
Eckhard Worch
Krzysztof Kuczewski
nr katalogowy: 95916
10.15199/62.2015.12.38
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter
Piotr FALKOWSKI
Marek KORZENIOWSKI
Adam RUSZCZYK
Krzysztof KÓSKA
nr katalogowy: 98193
10.15199/48.2016.05.29
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller
Łukasz J. NIEWIARA
Tomasz TARCZEWSKI
Lech M. GRZESIAK
nr katalogowy: 98779
10.15199/48.2016.06.04
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2020-2
Analiza możliwości wykorzystania ultradźwiękowej techniki NDT w diagnostyce instalacji kompozytowych do transportu hydraulicznego materiałów erozyjnych
Bartłomiej Borkowski
Tadeusz Mączka
Ewa Harapińska
Piotr Machała
nr katalogowy: 124949
10.15199/74.2020.2.2
technika NDT
metoda echa
ultradźwiękowy pomiar grubości
kompozyty wielowarstwowe
NDT technique
echo method
ultrasonic thickness measurement
multilayer composites
PRZEGLĄD GEODEZYJNY 2008-4
Etos w strzępach
nr katalogowy: 34416
PRZEGLĄD MECHANICZNY 2020-1
Ceramika do specjalnych zastosowań
nr katalogowy: 124622
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12
Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
nr katalogowy: 129283
10.15199/48.2020.12.26
JFET
węglik krzemu
modelowanie
charakterystyki pojemnościowe
JFET
silicon carbide
modelling
C-V characteristics
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Cooperative MIMO OFDM system based on Amplify and Forward Relay: Evaluation of ZF-SIC and MMSE-SIC equalization
Md. Mirazur RAHMAN
Md. Shafiul ALAM
Shahrul ISLAM
Md. Arif Abdulla SAMY
Nafee Al ISLAM
nr katalogowy: 115818
10.15199/48.2018.09.19
Cooperative communication
Orthogonal frequency division multiplexing
Amplify and forward
Minimum mean square error - successive interference cancellation and Zero forcing - successive interference cancellation.
komunikacja kooperacyjna
komunikacja bezprzewodowa
system MIMO
SZKŁO I CERAMIKA 2007-3
Właściwości reologiczne ceramicznych zawiesin żelowych na bazie monomerów niejonowych
AGATA STEMPKOWSKA
PIOTR IZAK
EDGAR BORTEL
nr katalogowy: 27240
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2008-6
Mikrostruktura warstw odpornych na erozję na kompozycie węglowym
TOMASZ MOSKALEWICZ
ALEKSANDRA CZYRSKA-FILEMONOWICZ
nr katalogowy: 40466
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Hall Mobility in 4H-SiC, measurements and Monte Carlo simulation
JANUSZ WOŹNY
GESUALDO DONNARUMMA
ZBIGNIEW LISIK
nr katalogowy: 58377
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-6
Laser-borided layer formed on Inconel 600 alloy
Michał Kulka
Natalia Makuch
Piotr Dziarski
Damian Przestacki
nr katalogowy: 81487
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-5
An application of stir casting method for processing of Mg matrix-glassy carbon particles composite
AnitA Olszówka-Myalska
Jerzy Myalski
Marek Hetmańczyk
Andrzej Kiełbus
Paweł Kalinowski
Małgorzata Knozowska
nr katalogowy: 80257
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Osadzanie warstw SiC na podłożach krzemowych metodą sputteringu
BEATA STAŃCZYK
ANDRZEJ JAGODA
LECH DOBRZAŃSKI
nr katalogowy: 32582
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięcia monokryształów SiC na płytki podłożowe
HOFMAN WŁADYSŁAW
nr katalogowy: 37489
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH