WO2024061071A1

WO2024061071A1 - 体声波谐振装置及其形成方法

Info

Publication number: WO2024061071A1
Application number: PCT/CN2023/118474
Authority: WO
Inventors: 汤正杰; 邹雅丽; 杨新宇
Original assignee: 常州承芯半导体有限公司
Priority date: 2022-09-19
Filing date: 2023-09-13
Publication date: 2024-03-28
Also published as: CN115242215A; CN115242215B

Abstract

一种体声波谐振装置及其形成方法，属于半导体制造技术领域，其中体声波谐振装置包括：基底（200）；中间层（201），中间层（201）包括相对的第一侧（201a）和第二侧（201b），基底（200）位于第一侧（201a），中间层（201）包括空腔（202），空腔（202）的开口位于第二侧（201b）；电极结构（205），位于空腔（202）内；压电层（204），位于第二侧（201b）且位于电极结构（205）上，压电层（204）至少覆盖空腔（202）。由于电极结构（205）位于空腔（202）内，因此压电层（204）能够为后续形成的调频层提供较为平坦的表面，减小调频层薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。

Description

体声波谐振装置及其形成方法

本申请要求2022年9月19日提交中国专利局、申请号为202211134351.2、发明名称为“体声波谐振装置及其形成方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种体声波谐振装置及其形成方法。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、包括双工器的多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器等。

声表面波谐振器和体声波谐振器的品质因数值(Q值)较高，由声表面波谐振器和体声波谐振器制作成的低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即声表面波滤波器和体声波滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。声表面波滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，体声波滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。

与声表面波谐振器相比，体声波谐振器的性能更好，但是由于工艺步骤复杂，体声波谐振器的制造成本比SAW谐振器高。然而，当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的体声波技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有体声波技术可以解决高频段的滤波问题。

然而，现有技术中形成的体声波谐振装置仍存在诸多问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种体声波谐振装置及其形成方法，使得调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。

为解决上述问题，本发明提供一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：基底；中间层，所述中间层包括相对的第一侧和第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述中间层包括空腔，所述空腔的开口位于所述第二侧；电极结构，位于所述空腔内；压电层，位于所述第二侧且位于所述电极结构上，所述压电层至少覆盖所述空腔。

可选的，还包括：调频层，位于所述第二侧且位于所述压电层上方，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频层在所述基底上的投影范围内，所述中间层和所述调频层分别位于所述压电层的两侧，所述电极结构和所述调频层分别位于所述压电层的两侧。

可选的，所述调频层包括凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。

可选的，所述调频层的调频区域包括多个凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。

可选的，多个所述凹槽在所述调频区域内均匀分布。

可选的，还包括：温度补偿层，位于所述第二侧且位于所述压电层上，所述压电层和所述调频层分别位于所述温度补偿层两侧。

可选的，还包括：温度补偿层，位于所述空腔内且至少覆盖所述电极结构，所述压电层位于所述温度补偿层上。

可选的，所述电极结构包括：沿第一方向平行排布的第一总线和第二总线，所述第一总线连接若干沿第二方向平行排布的第一电极条，所述第二总线连接若干沿所述第二方向平行排布的第二电极条，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一电极条和所述第二电极条交错放置。

可选的，所述第一电极条和所述第二电极条的宽度相等；所述第一电极条和所述第二电极条具有第一宽度尺寸，相邻的所述第一电极条的中轴和所述第二电极条的中轴具有第一中心尺寸，所述第一中心尺寸与所述第一宽度尺寸的比值范围为：1.2～20。

可选的，所述基底的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物。

可选的，所述中间层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。

可选的，所述电极结构的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

可选的，所述调频层的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

相应的，本发明技术方案中还提供一种体声波谐振装置的形成方法，包括：提供牺牲基底；在所述牺牲基底上形成压电层；在所述压电层上形成电极结构；在所述压电层上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖所述电极结构；在所述压电层上形成中间层，所述中间层至少覆盖所述牺牲层，所述中间层包括相对的第一侧和第二侧，所述压电层和所述牺牲基底位于所述第二侧；提供基底；接合所述基底和所述中间层，所述基底位于所述第一侧；在接合所述基底和所述中间层之后，去除所述牺牲基底；在去除所述牺牲基底之后，去除所述牺牲层，在形成空腔嵌入所述中间层内，所述空腔的开口位于所述第二侧，所述电极结构位于所述空腔内。

可选的，在去除所述牺牲基底之后，且在去除所述牺牲层之前，还包括：形成调频层，位于所述第二侧，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频层在所述基底上的投影范围内，所述中间层和所述调频层分别位于所述压电层的两侧，所述电极结构和所述调频层分别位于所述压电层的两侧。

可选的，多个所述凹槽在所述调频区域内均匀分布。

可选的，在形成调频层之前，还包括：形成温度补偿层，位于所述第二侧且位于所述压电层上，所述压电层和所述调频层分别位于所述温度补偿层两侧。

可选的，在形成所述电极结构之后，还包括：在形成所述牺牲层之前，形成温度补偿层，位于所述压电层上且至少覆盖所述电极结构；所述牺牲层覆盖所述温度补偿层；以及在去除所述牺牲层之后，所述温度补偿层位于所述空腔内。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在本发明技术方案的体声波谐振装置中，包括电极结构，所述电极结构位于空腔内。由于所述电极结构位于所述空腔内，因此压电层能够为后续形成的调频层提供较为平坦的表面，减小所述调频层薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构位于所述空腔内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构被氧化或腐蚀的情况发生。

进一步，所述调频层包括凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层对于器件频率的控制更加灵活精准。

进一步，所述调频层的调频区域包括多个凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。通过增大或减小多个所述凹槽的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层对于器件频率的控制更加灵活精准。

在本发明技术方案的体声波谐振装置形成方法中，去除所述牺牲层，在所述中间层内形成空腔，所述空腔的开口位于所述第二侧，所述电极结构位于所述空腔内。由于所述电极结构位于所述空腔内，因此压电层能够为后续形成的调频层提供较为平坦的表面，减小所述调频层薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构位于所述空腔内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构被氧化或腐蚀的情况发生。

进一步，所述调频层包括凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。通过增大或减小多个所述凹槽的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层对于器件频率的控制更加灵活精准。

进一步，所述调频层的调频区域包括多个凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层对于器件频率的控制更加灵活精准。

附图说明

图1是一种体声波谐振装置的结构示意图；

图2至图10是本发明实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图11至图20是本发明另一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图21至图31是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图32至图42是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图43至图53是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图54至图65是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图66至图77是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图78至图88是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图89至图100是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图；

图101至图112是本发明又一实施例中体声波谐振装置及其形成方法各步骤结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中形成的体声波谐振装置仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。

图1是一种体声波谐振装置的结构示意图。

请参考图1，一种体声波谐振装置，包括：支撑衬底100，所述支撑衬底100包括空腔101，所述支撑衬底100的表面暴露出所述空腔101；压电层102，位于所述支撑衬底100上且至少覆盖所述空腔101；电极结构103，位于所述压电层102上。

在本实施例中，通过所述电极结构103中的叉指电极激励产生纵向传播的剪切波，以在所述压电层102内形成谐振。

然而，由于所述电极结构103形成在所述压电层102上，当后续需要在所述压电层102上再形成调频层(未图示)时，由于所述电极结构103的凹凸结构不能够为所述调频层的形成提供较为平坦的表面，进而使得所述调频层薄膜的晶格缺陷增加，影响所述调频层薄膜的品质，后续对于器件频率的精准控制存在不足。

在此基础上，本发明提供一种体声波谐振装置及其形成方法，包括电极结构，所述电极结构位于空腔内。由于所述电极结构位于所述空腔内，因此所述压电层能够为后续形成的调频层提供较为平坦的表面，减小所述调频层薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构位于所述空腔内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构被氧化或腐蚀的情况发生。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。

图2至图10是本发明实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图2，提供牺牲基底203。

所述牺牲基底203的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底203的材料采用硅。

请参考图3，在所述牺牲基底203上形成压电层204。

所述压电层204的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层204的材料采用铌酸锂。

请参考图4和图5，图5是图4中沿A-A线截面示意图，在所述压电层204上形成电极结构205。

在本实施例中，所述电极结构205包括：沿第一方向X平行排布的第一总线2051和第二总线2052，所述第一总线2051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条2053，所述第二总线2052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条2054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条2053和所述第二电极条2054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条2053和所述第二电极条2054的宽度相等；所述第一电极条2053和所述第二电极条2054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条2053的中轴和所述第二电极条2054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条2053和所述第二电极条2054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构205的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构205为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构205为两层，所述电极结构205的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图6，图6和图5的视图方向一致，在所述压电层204上形成牺牲层206，所述牺牲层206至少覆盖所述电极结构205。

所述牺牲层206的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层206的材料采用聚酰亚胺。

请参考图7，在所述压电层204上形成中间层201，所述中间层201至少覆盖所述牺牲层206，所述中间层201包括相对的第一侧201a和第二侧201b，所述压电层204和所述牺牲基底203位于所述第二侧201b。

所述中间层201的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层201的材料采用二氧化硅。

请参考图8，提供基底200。

所述基底200的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底200的材料采用硅。

请参考图9，接合所述基底200和所述中间层201，所述基底200位于所述第一侧201a；在接合所述基底200和所述中间层201之后，去除所述牺牲基底203。

去除所述牺牲基底203的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底203的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底200和所述中间层201采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图10，在去除所述牺牲基底203之后，去除所述牺牲层206，在所述中间层201内形成空腔202，所述空腔202的开口位于所述第二侧201b，所述电极结构205位于所述空腔202内。

在本实施例中，由于所述电极结构205位于所述空腔202内，因此所述压电层204能够为后续形成的调频层提供较为平坦的表面，减小所述调频层薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构205位于所述空腔202内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构205被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层206的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图10包括：基底200；中间层201，所述中间层201包括相对的第一侧201a和第二侧201b，所述基底200位于所述第一侧201a，所述中间层201包括空腔202，所述空腔202的开口位于所述第二侧201b；电极结构205，位于所述空腔202内；压电层204，位于所述第二侧201b且位于所述电极结构205上，所述压电层204至少覆盖所述空腔205。

在本实施例中，所述基底200的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层201的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层204的材料采用铌酸锂。

图11至图20是本发明另一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图11，提供牺牲基底303。

所述牺牲基底303的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底303的材料采用硅。

请参考图12，在所述牺牲基底303上形成压电层304。

所述压电层304的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层304的材料采用铌酸锂。

请参考图13和图14，图14是图13中沿B-B线截面示意图，在所述压电层304上形成电极结构305。

在本实施例中，所述电极结构305包括：沿第一方向X平行排布的第一总线3051和第二总线3052，所述第一总线3051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条3053，所述第二总线3052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条3054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条3053和所述第二电极条3054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条3053和所述第二电极条3054的宽度相等；所述第一电极条3053和所述第二电极条3054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条3053的中轴和所述第二电极条3054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条3053和所述第二电极条3054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构305的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构305为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构305为两层，所述电极结构305的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图15，图15和图14的视图方向一致，在所述压电层304上形成牺牲层307，所述牺牲层307至少覆盖所述电极结构305。

所述牺牲层307的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层307的材料采用聚酰亚胺。

请参考图16，在所述压电层304上形成中间层301，所述中间层301至少覆盖所述牺牲层307，所述中间层301包括相对的第一侧301a 和第二侧301b，所述压电层304和所述牺牲基底303位于所述第二侧301b。

所述中间层301的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层301的材料采用二氧化硅。

请参考图17，提供基底300。

所述基底300的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底300的材料采用硅。

请参考图18，接合所述基底300和所述中间层301，所述基底300位于所述第一侧301a；在接合所述基底300和所述中间层301之后，去除所述牺牲基底303。

去除所述牺牲基底303的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底303的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底300和所述中间层301采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图19，形成调频层306，位于所述第二侧301b且位于所述压电层304上，所述电极结构305在所述基底300上的投影位于所述调频层306在所述基底300上的投影范围内，所述中间层301和所述调频层306分别位于所述压电层304的两侧，所述电极结构305和所述调频层306分别位于所述压电层304的两侧。

所述调频层306的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层306的材料采用氮化硅。

请参考图20，在形成所述调频层306之后，去除所述牺牲层307，在所述中间层301内形成空腔302，所述空腔302的开口位于所述第二侧301b，所述电极结构305位于所述空腔302内。

在本实施例中，由于所述电极结构305位于所述空腔302内，因此所述压电层304能够为形成的所述调频层306提供较为平坦的表面，减小所述调频层306薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层306对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构305位于所述空腔302内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构305被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层306的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图20包括：基底300；中间层301，所述中间层301包括相对的第一侧301a和第二侧301b，所述基底300位于所述第一侧301a，所述中间层301包括空腔302，所述空腔302的开口位于所述第二侧301b；电极结构305，位于所述空腔302内；压电层304，位于所述第二侧301b且位于所述电极结构305上，所述压电层304至少覆盖所述空腔302；调频层306，位于所述第二侧301b且位于所述压电层304上，所述电极结构305在所述基底300上的投影位于所述调频层306在所述基底300上的投影范围内，所述中间层301和所述调频层306分别位于所述压电层304的两侧，所述电极结构305和所述调频层306分别位于所述压电层304的两侧。

在本实施例中，所述基底300的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层301的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层304的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述第一电极条3053和所述第二电极条3054的宽度相等；所述第一电极条3053和所述第二电极条3054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条3053的中轴和所述第二电极条 3054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述调频层306的材料采用氮化硅。

图21至图31是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图21，提供牺牲基底403。

所述牺牲基底403的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底403的材料采用硅。

请参考图22，在所述牺牲基底403上形成压电层404。

所述压电层404的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层404的材料采用铌酸锂。

请参考图23和图24，图24是图23中沿C-C线截面示意图，在所述压电层404上形成电极结构405。

在本实施例中，所述电极结构405包括：沿第一方向X平行排布的第一总线4051和第二总线4052，所述第一总线4051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条4053，所述第二总线4052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条4054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条4053和所述第二电极条4054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条4053和所述第二电极条4054的宽度相等；所述第一电极条4053和所述第二电极条4054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条4053的中轴和所述第二电极条4054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条4053和所述第二电极条4054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构405的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构405为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构405为两层，所述电极结构405的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图25，图25和图24的视图方向一致，在所述压电层404上形成牺牲层408，所述牺牲层408至少覆盖所述电极结构405。

所述牺牲层408的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层408的材料采用聚酰亚胺。

请参考图26，在所述压电层404上形成中间层401，所述中间层401至少覆盖所述牺牲层408，所述中间层401包括相对的第一侧401a和第二侧401b，所述压电层404和所述牺牲基底403位于所述第二侧401b。

所述中间层401的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层401的材料采用二氧化硅。

请参考图27，提供基底400。

所述基底400的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底400的材料采用硅。

请参考图28，接合所述基底400和所述中间层401，所述基底400位于所述第一侧401a；在接合所述基底400和所述中间层401之后，去除所述牺牲基底403。

去除所述牺牲基底403的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底403的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底400和所述中间层401采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图29和图30，图30是图29中沿D-D线截面示意图，形成调频层406，位于所述第二侧401b且位于所述压电层404上，所述中间层401和所述调频层406分别位于所述压电层404的两侧，所述电极结构405和所述调频层406分别位于所述压电层404的两侧。

所述调频层406的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层406的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层406包括凹槽407，所述电极结构405在所述基底400上的投影位于所述凹槽407在所述基底400上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽407的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层406对于器件频率的控制更加灵活精准。

所述凹槽407呈任意多边形。在本实施例中，所述凹槽407呈矩形。

请参考图31，图31和图30的视图方向一致，在形成所述调频层406之后，去除所述牺牲层408，在所述中间层401内形成空腔402，所述空腔402的开口位于所述第二侧401b，所述电极结构405位于所述空腔402内。

在本实施例中，由于所述电极结构405位于所述空腔402内，因此所述压电层404能够为形成的所述调频层406提供较为平坦的表面，减小所述调频层406薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层406对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构405位于所述空腔402内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构405被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层408的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图31包括：基底400；中间层401，所述中间层401包括相对的第一侧401a和第二侧401b，所述基底400位于所述第一侧401a，所述中间层401包括空腔402，所述空腔402的开口位于所述第二侧401b；电极结构405，位于所述空腔402内；压电层404，位于所述第二侧401b且位于所述电极结构405上，所述压电层404至少覆盖所述空腔405；调频层406，位于所述第二侧401b且位于所述压电层404上，所述中间层401和所述调频层406分别位于所述压电层404的两侧，所述电极结构405和所述调频层406分别位于所述压电层404的两侧，所述调频层406包括凹槽407，所述电极结构405在所述基底400上的投影位于所述凹槽407在所述基底400上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底400的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层401的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层404的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述调频层406的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽407的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层406对于器件频率的控制更加灵活精准。

图32至图42是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图32，提供牺牲基底503。

所述牺牲基底503的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底503的材料采用硅。

请参考图33，在所述牺牲基底503上形成压电层504。

所述压电层504的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层504的材料采用铌酸锂。

请参考图34和图35，图35是图34中沿E-E线截面示意图，在所述压电层504上形成电极结构505。

在本实施例中，所述电极结构505包括：沿第一方向X平行排布的第一总线5051和第二总线5052，所述第一总线5051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条5053，所述第二总线5052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条5054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条5053和所述第二电极条5054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条5053和所述第二电极条5054的宽度相等；所述第一电极条5053和所述第二电极条5054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条5053的中轴和所述第二电极条5054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条5053和所述第二电极条5054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构505的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构505为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构505为两层，所述电极结构505的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图36，图36和图35的视图方向一致，在所述压电层504上形成牺牲层508，所述牺牲层508至少覆盖所述电极结构505。

所述牺牲层508的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层508的材料采用聚酰亚胺。

请参考图37，在所述压电层504上形成中间层501，所述中间层501至少覆盖所述牺牲层508，所述中间层501包括相对的第一侧501a和第二侧501b，所述压电层504和所述牺牲基底503位于所述第二侧501b。

所述中间层501的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层501的材料采用二氧化硅。

请参考图37，提供基底500。

所述基底500的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底500的材料采用硅。

请参考图39，接合所述基底500和所述中间层501，所述基底500位于所述第一侧501a；在接合所述基底500和所述中间层501之后，去除所述牺牲基底503。

去除所述牺牲基底503的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底503的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底500和所述中间层501采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图40和图41，图41是图40中沿F-F线截面示意图，形成调频层506，位于所述第二侧501b且位于所述压电层504上，所述中间层501和所述调频层506分别位于所述压电层504的两侧，所述电极结构505和所述调频层506分别位于所述压电层504的两侧。

所述调频层506的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层506的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层506的调频区域S包括多个凹槽507，所述电极结构505在所述基底500上的投影位于所述调频区域S在所述基底500上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽507的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层506对于器件频率的控制更加灵活精准。

在本实施例中，多个所述凹槽507在所述调频区域内均匀分布。

多个所述凹槽507的分布可以为任意多边形或环形，单个所述凹槽507呈任意多边形或圆形。在本实施例中，多个所述凹槽507呈矩形分布，且单个所述凹槽507也呈矩形。

请参考图42，图42和图41的视图方向一致，在形成所述调频层506之后，去除所述牺牲层508，在所述中间层501内形成空腔502，所述空腔502的开口位于所述第二侧501b，所述电极结构505位于所述空腔502内。

在本实施例中，由于所述电极结构505位于所述空腔502内，因此所述压电层504能够为形成的所述调频层506提供较为平坦的表面，减小所述调频层506薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层506对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构505位于所述空腔502内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构505被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层506的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图42包括：基底500；中间层501，所述中间层501包括相对的第一侧501a和第二侧501b，所述基底500位于所述第一侧501a，所述中间层501包括空腔502，所述空腔502的开口位于所述第二侧501b；电极结构505，位于所述空腔502内；压电层504，位于所述第二侧501b且位于所述电极结构505上，所述压电层504至少覆盖所述空腔505；调频层506，位于所述第二侧501b且位于所述压电层504上，所述中间层501和所述调频层506分别位于所述压电层504的两侧，所述电极结构505和所述调频层506分别位于所述压电层504的两侧，所述调频层506的调频区域S包括多个凹槽507，所述电极结构505在所述基底500上的投影位于所述调频区域S在所述基底500上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底500的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层501的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层504的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述第一电极条5053和所述第二电极条5054的宽度相等；所述第一电极条5053和所述第二电极条5054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条5053的中轴和所述第二电极条 5054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述调频层506的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽507的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层506对于器件频率的控制更加灵活精准。

图43至图53是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图43，提供牺牲基底603。

所述牺牲基底603的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底603的材料采用硅。

请参考图44，在所述牺牲基底603上形成压电层604。

所述压电层604的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层604的材料采用铌酸锂。

请参考图45和图46，图46是图45中沿G-G线截面示意图，在所述压电层604上形成电极结构605。

在本实施例中，所述电极结构605包括：沿第一方向X平行排布的第一总线6051和第二总线6052，所述第一总线6051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条6053，所述第二总线6052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条6054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条6053和所述第二电极条6054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条6053和所述第二电极条6054的宽度相等；所述第一电极条6053和所述第二电极条6054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条6053的中轴和所述第二电极条6054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条6053和所述第二电极条6054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构605的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构605为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构 605为两层，所述电极结构605的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图47，图47和图45的视图方向一致，在所述压电层604上形成牺牲层608，所述牺牲层608至少覆盖所述电极结构605。

所述牺牲层608的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层608的材料采用聚酰亚胺。

请参考图48，在所述压电层604上形成中间层601，所述中间层601至少覆盖所述牺牲层608，所述中间层601包括相对的第一侧601a和第二侧601b，所述压电层604和所述牺牲基底603位于所述第二侧601b。

所述中间层601的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层601的材料采用二氧化硅。

请参考图49，提供基底600。

所述基底600的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底600的材料采用硅。

请参考图50，接合所述基底600和所述中间层601，所述基底600位于所述第一侧601a；在接合所述基底600和所述中间层601之后，去除所述牺牲基底603。

去除所述牺牲基底603的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底603的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底600和所述中间层601采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图51，形成温度补偿层607，位于所述第二侧601a且位于所述压电层604上。

所述温度补偿层607的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层607的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层607与所述压电层604具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

请参考图52，形成调频层606，位于所述第二侧601b且位于所述温度补偿层607上，所述电极结构605在所述基底600上的投影位于所述调频层606在所述基底600上的投影范围内，所述压电层604和所述调频层606分别位于所述温度补偿层607两侧。

所述调频层606的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层606的材料采用氮化硅。

请参考图53，在形成所述调频层606之后，去除所述牺牲层608，在所述中间层601内形成空腔602，所述空腔602的开口位于所述第二侧601b，所述电极结构605位于所述空腔602内。

在本实施例中，由于所述电极结构605位于所述空腔602内，因此所述压电层604能够为形成的所述调频层606提供较为平坦的表面，减小所述调频层606薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层606对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构605位于所述空腔602内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构605被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层608的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图53包括：基底600；中间层601，所述中间层601包括相对的第一侧601a和第二侧601b，所述基底600位于所述第一侧601a，所述中间层601包括空腔602，所述空腔602的开口位于所述第二侧601b；电极结构605，位于所述空腔602内；压电层604，位于所述第二侧601b且位于所述电极结构605上，所述压电层604至少覆盖所述空腔605；温度补偿层607，位于所述第二侧601b且位于所述压电层604上；调频层606，位于所述第二侧601b且位于所述压电层604上，所述电极结构605在所述基底600上的投影位于所述调频层606在所述基底600上的投影范围内，所述中间层601和所述调频层606分别位于所述压电层604的两侧，所述压电层604和所述调频层606分别位于所述温度补偿层607两侧。

在本实施例中，所述基底600的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层601的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层604的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述调频层606的材料采用氮化硅。

图54至图65是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图54，提供牺牲基底703。

所述牺牲基底703的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底703的材料采用硅。

请参考图55，在所述牺牲基底703上形成压电层704。

所述压电层704的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层704的材料采用铌酸锂。

请参考图56和图57，图57是图56中沿H-H线截面示意图，在所述压电层704上形成电极结构705。

在本实施例中，所述电极结构705包括：沿第一方向X平行排布的第一总线7051和第二总线7052，所述第一总线7051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条7053，所述第二总线7052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条7054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条7053和所述第二电极条7054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条7053和所述第二电极条7054的宽度相等；所述第一电极条7053和所述第二电极条7054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条7053的中轴和所述第二电极条7054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条7053和所述第二电极条7054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构705的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构705为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构705为两层，所述电极结构705的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图58，图58和图57的视图方向一致，在所述压电层704上形成牺牲层709，所述牺牲层709至少覆盖所述电极结构705。

所述牺牲层709的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层709的材料采用聚酰亚胺。

请参考图59，在所述压电层704上形成中间层701，所述中间层701至少覆盖所述牺牲层709，所述中间层701包括相对的第一侧701a和第二侧701b，所述压电层704和所述牺牲基底703位于所述第二侧701b。

所述中间层701的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层701的材料采用二氧化硅。

请参考图60，提供基底700。

所述基底700的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底700的材料采用硅。

请参考图61，接合所述基底700和所述中间层701，所述基底700位于所述第一侧701a；在接合所述基底700和所述中间层701之后，去除所述牺牲基底703。

去除所述牺牲基底703的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底703的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底700和所述中间层701采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图62，形成温度补偿层708，位于所述第二侧701a且位于所述压电层704上。

所述温度补偿层708的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层708的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层708与所述压电层704具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

请参考图63和图64，图64是图63中沿I-I线截面示意图，形成调频层706，位于所述第二侧701b且位于所述温度补偿层708上，所述压电层704和所述调频层706分别位于所述温度补偿层708两侧。

所述调频层706的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层706的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层706包括凹槽707，所述电极结构705在所述基底700上的投影位于所述凹槽707在所述基底700上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽707的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层706对于器件频率的控制更加灵活精准。

所述凹槽707呈任意多边形。在本实施例中，所述凹槽707呈矩形。

请参考图65，图65和图64的视图方向一致，在形成所述调频层706之后，去除所述牺牲层709，在所述中间层701内形成空腔702，所述空腔702的开口位于所述第二侧701b，所述电极结构705位于所述空腔702内。

在本实施例中，由于所述电极结构705位于所述空腔702内，因此所述压电层704能够为形成的所述调频层706提供较为平坦的表面，减小所述调频层706薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层706对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构705位于所述空腔702内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构705被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层709的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图65包括：基底700；中间层701，所述中间层701包括相对的第一侧701a和第二侧701b，所述基底700位于所述第一侧701a，所述中间层701包括空腔702，所述空腔702的开口位于所述第二侧701b；电极结构705，位于所述空腔702内；压电层704，位于所述第二侧701b且位于所述电极结构705上，所述压电层704至少覆盖所述空腔705；温度补偿层708，位于所述第二侧701b且位于所述压电层704上；调频层706，位于所述第二侧701b且位于所述压电层704上，所述中间层701和所述调频层706分别位于所述压电层704的两侧，所述压电层704和所述调频层706分别位于所述温度补偿层708两侧，所述调频层706包括凹槽707，所述电极结构705在所述基底700上的投影位于所述凹槽707在所述基底700上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底700的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层701的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层704的材料采用铌酸锂。

在在本实施例中，所述电极结构705包括：沿第一方向X平行排布的第一总线7051和第二总线7052，所述第一总线7051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条7053，所述第二总线7052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条7054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条7053和所述第二电极条7054交错放置。

在本实施例中，所述调频层706的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽707的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层706对于器件频率的控制更加灵活精准。

图66至图77是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图66，提供牺牲基底803。

所述牺牲基底803的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底803的材料采用硅。

请参考图67，在所述牺牲基底803上形成压电层804。

所述压电层804的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层804的材料采用铌酸锂。

请参考图68和图69，图69是图68中沿J-J线截面示意图，在所述压电层804上形成电极结构805。

在本实施例中，所述电极结构805包括：沿第一方向X平行排布的第一总线8051和第二总线8052，所述第一总线8051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条8053，所述第二总线8052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条8054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条8053和所述第二电极条8054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条8053和所述第二电极条8054的宽度相等；所述第一电极条8053和所述第二电极条8054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条8053的中轴和所述第二电极条8054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条8053和所述第二电极条8054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构805的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构805为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构805为两层，所述电极结构805的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图70，图70和图69的视图方向一致，在所述压电层804上形成牺牲层809，所述牺牲层809至少覆盖所述电极结构805。

所述牺牲层809的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层809的材料采用聚酰亚胺。

请参考图71，在所述压电层804上形成中间层801，所述中间层801至少覆盖所述牺牲层809，所述中间层801包括相对的第一侧801a和第二侧801b，所述压电层804和所述牺牲基底803位于所述第二侧801b。

所述中间层801的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层801的材料采用二氧化硅。

请参考图72，提供基底800。

所述基底800的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底800的材料采用硅。

请参考图73，接合所述基底800和所述中间层801，所述基底800位于所述第一侧801a；在接合所述基底800和所述中间层801之后，去除所述牺牲基底803。

去除所述牺牲基底803的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底803的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底800和所述中间层801采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图74，形成温度补偿层808，位于所述第二侧801b且位于所述压电层804上。

所述温度补偿层808的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层808的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层808与所述压电层804具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

请参考图75和图76，图76是图75中沿K-K线截面示意图，形成调频层806，位于所述第二侧801b且位于所述压电层804上，所述中间层801和所述调频层806分别位于所述压电层804的两侧，所述电极结构805和所述调频层806分别位于所述压电层804的两侧。

所述调频层806的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层806的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层806的调频区域S包括多个凹槽807，所述电极结构805在所述基底800上的投影位于所述调频区域S在所述基底800上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽807的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层806对于器件频率的控制更加灵活精准。

在本实施例中，多个所述凹槽807在所述调频区域内均匀分布。

多个所述凹槽807的分布可以为任意多边形或环形，单个所述凹槽807呈任意多边形或圆形。在本实施例中，多个所述凹槽807呈矩形分布，且单个所述凹槽807也呈矩形。

请参考图77，图77和图76的视图方向一致，在形成所述调频层806之后，去除所述牺牲层809，在所述中间层801内形成空腔802，所述空腔802的开口位于所述第二侧801b，所述电极结构805位于所述空腔802内。

在本实施例中，由于所述电极结构805位于所述空腔802内，因此所述压电层804能够为形成的所述调频层806提供较为平坦的表面，减小所述调频层806薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层806对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构805位于所述空腔802内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构805被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，去除所述牺牲层809的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图77包括：基底800；中间层801，所述中间层801包括相对的第一侧801a和第二侧801b，所述基底800位于所述第一侧801a，所述中间层801包括空腔802，所述空腔802的开口位于所述第二侧801b；电极结构805，位于所述空腔802内；压电层804，位于所述第二侧801b且位于所述电极结构805上，所述压电层804至少覆盖所述空腔802；温度补偿层808，位于所述第二侧801b且位于所述压电层804上；调频层806，位于所述第二侧801b且位于所述压电层804上，所述中间层801和所述调频层806分别位于所述压电层804的两侧，所述压电层804和所述调频层806分别位于所述温度补偿层808两侧，所述调频层806的调频区域S包括多个凹槽807，所述电极结构805在所述基底800上的投影位于所述调频区域S在所述基底800上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底800的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层801的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层804的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述调频层806的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽807的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层806对于器件频率的控制更加灵活精准。

图78至图88是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图78，提供牺牲基底903。

所述牺牲基底903的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底903的材料采用硅。

请参考图79，在所述牺牲基底903上形成压电层904。

所述压电层904的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层904的材料采用铌酸锂。

请参考图80和图81，图81是图80中沿L-L线截面示意图，在所述压电层904上形成电极结构905。

在本实施例中，所述电极结构905包括：沿第一方向X平行排布的第一总线9051和第二总线9052，所述第一总线9051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条9053，所述第二总线9052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条9054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条9053和所述第二电极条9054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条9053和所述第二电极条9054的宽度相等；所述第一电极条9053和所述第二电极条9054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条9053的中轴和所述第二电极条9054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条9053和所述第二电极条9054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构905的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构905为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构905为两层，所述电极结构905的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图82，图82和图81的视图方向一致，形成温度补偿层 907，位于所述压电层904上且至少覆盖所述电极结构905。

所述温度补偿层907的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层907的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层907与所述压电层904具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

在本实施例中，所述温度补偿层907覆盖部分所述压电层904；在其他实施例中，所述温度补偿层还可以完全覆盖所述压电层。

请参考图83，在所述压电层904上形成牺牲层908，所述牺牲层908至少覆盖所述温度补偿层907。

所述牺牲层908的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层908的材料采用聚酰亚胺。

在本实施例中，由于所述温度补偿层907覆盖部分所述压电层904，因此形成所述牺牲层908也会覆盖部分所述压电层904；在其他实施例中，当所述温度补偿层完全覆盖所述压电层时，所述牺牲层则不与压电层接触。

请参考图84，在所述压电层904上形成中间层901，所述中间层901至少覆盖所述牺牲层908，所述中间层901包括相对的第一侧901a和第二侧901b，所述压电层904和所述牺牲基底903位于所述第二侧901b。

所述中间层901的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层901的材料采用二氧化硅。

请参考图85，提供基底900。

所述基底900的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底900的材料采用硅。

请参考图86，接合所述基底900和所述中间层901，所述基底900位于所述第一侧901a；在接合所述基底900和所述中间层901之后，去除所述牺牲基底903。

去除所述牺牲基底903的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底903的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底900和所述中间层901采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图87，形成调频层906，位于所述第二侧901b且位于所述压电层904上，所述电极结构905在所述基底900上的投影位于所述调频层906在所述基底900上的投影范围内，所述中间层901和所述调频层906分别位于所述压电层904的两侧，所述电极结构904和所述调频层906分别位于所述压电层904的两侧。

所述调频层906的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层906的材料采用氮化硅。

请参考图88，在形成所述调频层906之后，去除所述牺牲层907，在所述中间层901内形成空腔902，所述空腔902的开口位于所述第二侧901b，所述电极结构905位于所述空腔902内。

在本实施例中，由于所述电极结构905位于所述空腔902内，因此所述压电层904能够为形成的所述调频层906提供较为平坦的表面，减小所述调频层906薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层906对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构905位于所述空腔902内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构905被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，在去除所述牺牲层908之后，所述温度补偿层907位于所述空腔902内，且所述压电层904位于所述温度补偿层907上。

在本实施例中，去除所述牺牲层908的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图88包括：基底900；中间层901，所述中间层901包括相对的第一侧901a和第二侧901b，所述基底900位于所述第一侧901a，所述中间层901包括空腔902，所述空腔902的开口位于所述第二侧901b；电极结构905，位于所述空腔902内；压电层904，位于所述第二侧901b且位于所述电极结构905上，所述压电层904至少覆盖所述空腔905；温度补偿层907，位于所述空腔902内且至少覆盖所述电极结构905，所述压电层904位于所述温度补偿层907上；调频层906，位于所述第二侧901b且位于所述压电层904上，所述电极结构905在所述基底900上的投影位于所述调频层906在所述基底900上的投影范围内，所述中间层901和所述调频层907分别位于所述压电层904的两侧，所述电极结构905和所述调频层906分别位于所述压电层904的两侧。

在本实施例中，所述基底900的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层901的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层904的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述第一电极条9053和所述第二电极条9054的宽度相等；所述第一电极条9053和所述第二电极条9054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条9053的中轴和所述第二电极条 9054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述调频层906的材料采用氮化硅。

图89至图100是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图89，提供牺牲基底1003。

所述牺牲基底1003的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底1003的材料采用硅。

请参考图90，在所述牺牲基底1003上形成压电层1004。

所述压电层1004的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层1004的材料采用铌酸锂。

请参考图91和图92，图92是图91中沿M-M线截面示意图，在所述压电层1004上形成电极结构1005。

在本实施例中，所述电极结构1005包括：沿第一方向X平行排布的第一总线10051和第二总线10052，所述第一总线10051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条10053，所述第二总线10052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条10054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条10053和所述第二电极条10054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条10053和所述第二电极条10054的宽度相等；所述第一电极条10053和所述第二电极条10054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条10053的中轴和所述第二电极条10054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条10053和所述第二电极条10054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构1005的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构1005为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构1005为两层，所述电极结构1005的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图93，图93和图92的视图方向一致，形成温度补偿层 1008，位于所述压电层1004上且至少覆盖所述电极结构1005。

所述温度补偿层1008的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层1008的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层1008与所述压电层1004具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

在本实施例中，所述温度补偿层1008覆盖部分所述压电层1004；在其他实施例中，所述温度补偿层还可以完全覆盖所述压电层。

请参考图94，在所述压电层1004上形成牺牲层1009，所述牺牲层1009至少覆盖所述温度补偿层1008。

所述牺牲层1009的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层1009的材料采用聚酰亚胺。

在本实施例中，由于所述温度补偿层1008盖部分所述压电层1004，因此形成所述牺牲层1009也会覆盖部分所述压电层1004；在其他实施例中，当所述温度补偿层完全覆盖所述压电层时，所述牺牲层则不与压电层接触。

请参考图95，在所述压电层1004上形成中间层1001，所述中间层1001至少覆盖所述牺牲层1009，所述中间层1001包括相对的第一侧1001a和第二侧1001b，所述压电层1004和所述牺牲基底1003位于所述第二侧1001b。

所述中间层1001的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层1001的材料采用二氧化硅。

请参考图96，提供基底1000。

所述基底1000的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底1000的材料采用硅。

请参考图97，接合所述基底1000和所述中间层1001，所述基底1000位于所述第一侧1001a；在接合所述基底1000和所述中间层1001之后，去除所述牺牲基底1003。

去除所述牺牲基底1003的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底1003的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底1000和所述中间层1001采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图98和99，图99是图98中沿N-N线截面示意图，形成调频层1006，位于所述第二侧1001b且位于所述压电层1004上，所述中间层1001和所述调频层1006分别位于所述压电层1004的两侧，所述电极结构1004和所述调频层1006分别位于所述压电层1004的两侧。

所述调频层1006的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层1006的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层1006包括凹槽1007，所述电极结构1005在所述基底1000上的投影位于所述凹槽1007在所述基底1000上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽1007的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层1006对于器件频率的控制更加灵活精准。

所述凹槽1007呈任意多边形。在本实施例中，所述凹槽1007呈矩形。

请参考图100，图100和图99的视图方向一致，在形成所述调频层1006之后，去除所述牺牲层1007，在所述中间层1001内形成空腔1002，所述空腔1002的开口位于所述第二侧1001b，所述电极结构1005位于所述空腔1002内。

在本实施例中，由于所述电极结构1005位于所述空腔1002内，因此所述压电层1004能够为形成的所述调频层1006提供较为平坦的表面，减小所述调频层1006薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层1006对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构1005位于所述空腔1002内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构1005被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，在去除所述牺牲层1009之后，所述温度补偿层1008位于所述空腔1002内，且所述压电层1004位于所述温度补偿层1008上。

在本实施例中，去除所述牺牲层1006的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图100包括：基底1000；中间层1001，所述中间层1001包括相对的第一侧1001a和第二侧1001b，所述基底1000位于所述第一侧1001a，所述中间层1001包括空腔1002，所述空腔1002的开口位于所述第二侧1001b；电极结构1005，位于所述空腔1002内；压电层 1004，位于所述第二侧1001b且位于所述电极结构1005上，所述压电层1004至少覆盖所述空腔1002；温度补偿层1008，位于所述空腔1002内且至少覆盖所述电极结构1005，所述压电层1004位于所述温度补偿层1008上；调频层1006，位于所述第二侧1001b且位于所述压电层1004上，所述中间层1001和所述调频层1006分别位于所述压电层1004的两侧，所述电极结构1005和所述调频层1006分别位于所述压电层1004的两侧，所述调频层1006包括凹槽1007，所述电极结构1005在所述基底100上的投影位于所述凹槽1007在所述基底1000上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底1000的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层1001的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层1004的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述调频层1006的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽1007的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层1006对于器件频率的控制更加灵活精准。

图101至图112是本发明又一实施例中体声波谐振装置的形成方法各步骤结构示意图。

请参考图101，提供牺牲基底1103。

所述牺牲基底1103的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述牺牲基底1103的材料采用硅。

请参考图102，在所述牺牲基底1103上形成压电层1104。

所述压电层1104的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅或铌镁酸铅—钛酸铅。

在本实施例中，所述压电层1104的材料采用铌酸锂。

请参考图103和图104，图104是图103中沿O-O线截面示意图，在所述压电层1104上形成电极结构1105。

在本实施例中，所述电极结构1105包括：沿第一方向X平行排布的第一总线11051和第二总线11052，所述第一总线11051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条11053，所述第二总线11052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条11054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条11053和所述第二电极条11054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条11053和所述第二电极条11054的宽度相等；所述第一电极条11053和所述第二电极条11054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条11053的中轴和所述第二电极条11054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条11053和所述第二电极条11054的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

所述电极结构1105的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。

所述电极结构1105为一层或多层。在本实施例中，所述电极结构1105为两层，所述电极结构1105的材料为钼铝、钨铝或铂铝。

请参考图105，图105和图104的视图方向一致，形成温度补偿层1108，位于所述压电层1104上且至少覆盖所述电极结构1105。

所述温度补偿层1108的材料包括：二氧化硅、碳氧化硅或氟氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层1108的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，由于所述温度补偿层1108与所述压电层1104具有相反的温度频移特性，因此使的谐振装置的频率温度系数减小，趋向于0ppm/℃，从而提升谐振装置频率-温度的稳定性。

在本实施例中，所述温度补偿层1108覆盖部分所述压电层1104；在其他实施例中，所述温度补偿层还可以完全覆盖所述压电层。

请参考图106，在所述压电层1104上形成牺牲层1109，所述牺牲层1109至少覆盖所述温度补偿层1108。

所述牺牲层1109的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述牺牲层1109的材料采用聚酰亚胺。

在本实施例中，由于所述温度补偿层1108盖部分所述压电层1104，因此形成所述牺牲层1109也会覆盖部分所述压电层1104；在其他实施例中，当所述温度补偿层完全覆盖所述压电层时，所述牺牲层则不与压电层接触。

请参考图107，在所述压电层1104上形成中间层1101，所述中间层1101至少覆盖所述牺牲层1109，所述中间层1101包括相对的第一侧1101a和第二侧1101b，所述压电层1104和所述牺牲基底1103位于所述第二侧1101b。

所述中间层1101的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺；所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅或氧化钛。

在本实施例中，所述中间层1101的材料采用二氧化硅。

请参考图108，提供基底1100。

所述基底1100的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

在本实施例中，所述基底1100的材料采用硅。

请参考图109，接合所述基底1100和所述中间层1101，所述基底1100位于所述第一侧1101a；在接合所述基底1100和所述中间层1101之后，去除所述牺牲基底1103。

去除所述牺牲基底1103的工艺包括：物理研磨工艺、湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

在本实施例中，去除所述牺牲基底1103的工艺采用物理研磨工艺。

在本实施例中，接合所述基底1100和所述中间层1101采用键合工艺；在其他实施例中，接合所述基底和所述中间层还可以采用粘合工艺。

请参考图110和图111，图111是图110中沿P-P线截面示意图，形成调频层1106，位于所述第二侧1101b且位于所述压电层1104上，所述中间层1101和所述调频层1106分别位于所述压电层1104的两侧，所述电极结构1105和所述调频层1106分别位于所述压电层1104的两侧。

所述调频层1106的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。

在本实施例中，所述调频层1106的材料采用氮化硅。

在本实施例中，所述调频层1106的调频区域S包括多个凹槽1107，所述电极结构1105在所述基底1100上的投影位于所述调频区域S在所述基底1100上的投影范围内。通过增大或减小所述凹槽1107的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层1106对于器件频率的控制更加灵活精准。

在本实施例中，多个所述凹槽1107在所述调频区域内均匀分布。

多个所述凹槽1107的分布可以为任意多边形或环形，单个所述凹槽1107呈任意多边形或圆形。在本实施例中，多个所述凹槽1107呈矩形分布，且单个所述凹槽1107也呈矩形。

请参考图112，在形成所述调频层1106之后，去除所述牺牲层1109，在所述中间层1101内形成空腔1102，所述空腔1102的开口位于所述第二侧1101b，所述电极结构1105位于所述空腔1102内。

在本实施例中，由于所述电极结构1105位于所述空腔1102内，因此所述压电层1104能够为形成的所述调频层1106提供较为平坦的表面，减小所述调频层1106薄膜的晶格缺陷，提升薄膜品质，进而使得所述调频层1106对于器件的频率控制更加灵活且精准。另外，由于所述电极结构1105位于所述空腔1102内，可以有效防止器件在使用中，所述电极结构1105被氧化或腐蚀的情况发生。

在本实施例中，在去除所述牺牲层1109之后，所述温度补偿层1108位于所述空腔1102内，且所述压电层1104位于所述温度补偿层1108上。

在本实施例中，去除所述牺牲层1106的工艺采用湿法刻蚀工艺。

相应的，本发明实施例中还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图112包括：基底1100；中间层1101，所述中间层1101包括相对的第一侧1101a和第二侧1101b，所述基底1100位于所述第一侧1101a，所述中间层1101包括空腔1102，所述空腔1102的开口位于所述第二侧1101b；电极结构1105，位于所述空腔1102内；压电层1104，位于所述第二侧1101b且位于所述电极结构1105上，所述压电层1104至少覆盖所述空腔1102；温度补偿层1108，位于所述空腔1102内且至少覆盖所述电极结构1105，所述压电层1104位于所述温度补偿层1108上；调频层1106，位于所述第二侧1101b且位于所述压电层1104上，所述中间层1101和所述调频层1106分别位于所述压电层1104的两侧，所述电极结构1105和所述调频层1106分别位于所述压电层1104的两侧，所述调频层1106的调频区域S包括多个凹槽1107，所述电极结构1105在所述基底1100上的投影位于所述调频区域S在所述基底1100上的投影范围内。

在本实施例中，所述基底1100的材料采用硅。

在本实施例中，所述中间层1101的材料采用二氧化硅。

在本实施例中，所述压电层1104的材料采用铌酸锂。

在本实施例中，所述电极结构1105包括：沿第一方向X平行排布的第一总线11051和第二总线11052，所述第一总线11051连接若干沿第二方向Y平行排布的第一电极条11053，所述第二总线11052连接若干沿所述第二方向Y平行排布的第二电极条11054，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直，所述第一电极条511053和所述第二电极条11054交错放置。

在本实施例中，所述第一电极条11053和所述第二电极条11054的宽度相等；所述第一电极条11053和所述第二电极条11054具有第一宽度尺寸d1，相邻的所述第一电极条1153的中轴和所述第二电极条11054的中轴具有第一中心尺寸d2，所述第一中心尺寸d2与所述第一宽度尺寸d1的比值范围为：1.2～20。

在本实施例中，所述第一电极条11053和所述第二电极条11054 的厚度等于所述第一宽度尺寸d1；在其他实施例中，所述第一电极条和所述第二电极条的厚度还可以不等于所述第一宽度尺寸。

在本实施例中，所述调频层1106的材料采用氮化硅。

在本实施例中，通过增大或减小所述凹槽1107的深度，可以调节所述谐振装置的谐振频率，使得所述调频层1106对于器件频率的控制更加灵活精准。

在本实施例中，多个所述凹槽1107在所述调频区域S内均匀分布。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

基底；

中间层，所述中间层包括相对的第一侧和第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述中间层包括空腔，所述空腔的开口位于所述第二侧；

电极结构，位于所述空腔内；

压电层，位于所述第二侧且位于所述电极结构上，所述压电层至少覆盖所述空腔。
如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：调频层，位于所述第二侧且位于所述压电层上方，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频层在所述基底上的投影范围内，所述中间层和所述调频层分别位于所述压电层的两侧，所述电极结构和所述调频层分别位于所述压电层的两侧。
如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述调频层包括凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。
如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述调频层的调频区域包括多个凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。
如权利要求4所述的体声波谐振装置，其特征在于，多个所述凹槽在所述调频区域内均匀分布。
如权利要求2、3或4所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：温度补偿层，位于所述第二侧且位于所述压电层上，所述压电层和所述调频层分别位于所述温度补偿层两侧。
如权利要求2、3或4所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：温度补偿层，位于所述空腔内且至少覆盖所述电极结构，所述压电层位于所述温度补偿层上。
如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述电极结构包括：沿第一方向平行排布的第一总线和第二总线，所述第一总线连接若干沿第二方向平行排布的第一电极条，所述第二总线连接若干沿所述第二方向平行排布的第二电极条，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一电极条和所述第二电极条交错放置。
如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极条和所述第二电极条的宽度相等；所述第一电极条和所述第二电极条具有第一宽度尺寸，相邻的所述第一电极条的中轴和所述第二电极条的中轴具有第一中心尺寸，所述第一中心尺寸与所述第一宽度尺寸的比值范围为：1.2～20。
如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述基底的材料包括：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物。
如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述中间层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述电极结构的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。
如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述调频层的材料包括金属或绝缘电介质；其中金属包括：钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛；绝缘电介质包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。
一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供牺牲基底；

在所述牺牲基底上形成压电层；

在所述压电层上形成电极结构；

在所述压电层上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖所述电极结构；

在所述压电层上形成中间层，所述中间层至少覆盖所述牺牲层，所述中间层包括相对的第一侧和第二侧，所述压电层和所述牺牲基底位于所述第二侧；

提供基底；

接合所述基底和所述中间层，所述基底位于所述第一侧；

在接合所述基底和所述中间层之后，去除所述牺牲基底；

在去除所述牺牲基底之后，去除所述牺牲层，在形成空腔嵌入所述中间层内，所述空腔的开口位于所述第二侧，所述电极结构位于所述空腔内。
如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲基底之后，且在去除所述牺牲层之前，还包括：形成调频层，位于所述第二侧，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频层在所述基底上的投影范围内，所述中间层和所述调频层分别位于所述压电层的两侧，所述电极结构和所述调频层分别位于所述压电层的两侧。
如权利要求15所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述调频层包括凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。
如权利要求15所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述调频层的调频区域包括多个凹槽，所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。
如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，多个所述凹槽在所述调频区域内均匀分布。
如权利要求15、16或17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成调频层之前，还包括：形成温度补偿层，位于所述第二侧且位于所述压电层上，所述压电层和所述调频层分别位于所述温度补偿层两侧。
如权利要求15、16或17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述电极结构之后，还包括：在形成所述牺牲层之前，形成温度补偿层，位于所述压电层上且至少覆盖所述电极结构；所述牺牲层覆盖所述温度补偿层；以及在去除所述牺牲层之后，所述温度补偿层位于所述空腔内。
如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述电极结构包括：沿第一方向平行排布的第一总线和第二总线，所述第一总线连接若干沿第二方向平行排布的第一电极条，所述第二总线连接若干沿所述第二方向平行排布的第二电极条，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一电极条和所述第二电极条交错放置。
如权利要求21所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极条和所述第二电极条的宽度相等；所述第一电极条和所述第二电极条具有第一宽度尺寸，相邻的所述第一电极条的中轴和所述第二电极条的中轴具有第一中心尺寸，所述第一中心尺寸与所述第一宽度尺寸的比值范围为：1.2～20。