WO2022220088A1

WO2022220088A1 - 面発光レーザ装置

Info

Publication number: WO2022220088A1
Application number: PCT/JP2022/015107
Authority: WO
Inventors: 実村山; 匡史山本; 凌藤堂
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2021-04-14
Filing date: 2022-03-28
Publication date: 2022-10-20
Also published as: US20240006854A1; JPWO2022220088A1

Abstract

面発光レーザ装置は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する第１導電型の基板と、前記第１主面の上に前記基板よりも低濃度に積層された第１導電型の反射層と、前記反射層の上に前記反射層よりも高濃度に積層された第１導電型のクラッド層と、前記クラッド層の上に積層された活性層と、前記活性層の上に積層された第２導電型の半導体層と、前記クラッド層を露出させるように前記半導体層および前記活性層を掘り下げて形成され、台地状のメサ構造を区画する第１除去部と、前記メサ構造から間隔を空けた位置から前記基板を露出させるように前記第１除去部の底部から前記クラッド層および前記反射層を掘り下げて形成された第２除去部と、前記第１除去部内において前記クラッド層に電気的に接続され、前記第２除去部内において前記基板に電気的に接続されたバイパス配線と、を含む。

Description

面発光レーザ装置

　この出願は、２０２１年４月１４日に日本国特許庁に提出された特願２０２１－０６８１６６号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、面発光レーザ装置に関する。

　特許文献１は、基板、および、レーザ光を放出する柱状構造を有する面発光レーザ素子を開示している。

特開２０１８－１２０９８８号公報

　一実施形態は、性能を向上できる面発光レーザ装置を提供する。

　一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する第１導電型の基板と、前記第１主面の上に前記基板よりも低濃度に積層された第１導電型の反射層と、前記反射層の上に前記反射層よりも高濃度に積層された第１導電型のクラッド層と、前記クラッド層の上に積層された活性層と、前記活性層の上に積層された第２導電型の半導体層と、前記クラッド層を露出させるように前記半導体層および前記活性層を掘り下げて形成され、台地状のメサ構造を区画する第１除去部と、前記メサ構造から間隔を空けた位置から前記基板を露出させるように前記第１除去部の底部から前記クラッド層および前記反射層を掘り下げて形成された第２除去部と、前記第１除去部内において前記クラッド層に電気的に接続され、前記第２除去部内において前記基板に電気的に接続されたバイパス配線と、を含む、面発光レーザ装置を提供する。

　上述のまたはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面の参照によって説明される実施形態により明らかにされる。

図１は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、第２実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。図５は、図１に示すV-V線に沿う断面図である。図６は、第３実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。図７は、図６に示すVII-VII線に沿う断面図である。図８は、第４実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。図１０は、第５実施形態に係る面発光レーザ装置を示す平面図である。図１１は、図１０に示すXI-XI線に沿う断面図である。図１２は、前述の各実施形態に適用される変形例を示す平面図である。

　以下、添付図面を参照して、実施形態が詳細に説明される。添付図面は、模式図であり、厳密に図示されたものではなく、縮尺等は必ずしも一致しない。また、添付図面の間で対応する構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は省略または簡略化される。説明が省略または簡略化された構造については、省略または簡略化される前になされた説明が適用される。

　図１は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置１Ａを示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図１～図３を参照して、面発光レーザ装置１Ａは、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。

　面発光レーザ装置１Ａは、六面体形状（具体的には直方体形状）に形成されたｎ型の基板２を含む。基板２は、「半導体基板」と称されてもよい。基板２は、低抵抗基板からなることが好ましい。基板２は、化合物半導体を含む。基板２は、この形態（this embodiment）では、III-V族半導体の一例としてのＩｎＰ単結晶を含む。基板２は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超えて１×１０^１９ｃｍ^－３以下のｎ型不純物濃度を有していることが好ましい。基板２は、５０μｍ以上１０００μｍ以下（好ましくは５００μｍ以下）の厚さを有していてもよい。

　基板２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する第１～第４側面５Ａ～５Ｄを含む。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに背向している。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、基板２の長辺を形成している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに背向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、基板２の短辺を形成している。

　面発光レーザ装置１Ａは、第１主面３の上に積層された積層構造６を有している。積層構造６は、化合物半導体（III-V族半導体）を含むエピタキシャル層からなる。積層構造６は、半導体主面７および第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄを有している。半導体主面７は、第１主面３に沿って延びている。半導体主面７は、具体的には、第１主面３に対してほぼ平行に延びている。第１半導体側面８Ａは第１側面５Ａ側に位置し、第２半導体側面８Ｂは第２側面５Ｂ側に位置し、第３半導体側面８Ｃは第３側面５Ｃ側に位置し、第４半導体側面８Ｄは第４側面５Ｄ側に位置している。

　第１半導体側面８Ａおよび第２半導体側面８Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙに背向している。第３半導体側面８Ｃおよび第４半導体側面８Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに背向している。第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄは、半導体主面７の周縁から基板２に向けて延び、第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なっている。つまり、第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄは、第１～第４側面５Ａ～５Ｄと１つの外壁を形成している。

　積層構造６は、第１主面３側からこの順に積層されたｎ型の第１半導体層１０、活性層１１およびｐ型の第２半導体層１２を含む。活性層１１は、「光生成層」と称されてもよい。第１半導体層１０は、ｎ型の第１反射層１３およびｎ型の第１クラッド層１４を含む。第１反射層１３は、「第１光反射層」と称されてもよい。

　第１反射層１３は、基板２よりも低いｎ型不純物濃度を有し、基板２の上に積層されている。つまり、第１反射層１３は、基板２よりも高抵抗な半導体層からなる。第１反射層１３は、１×１０^１７ｃｍ^－３以下のｎ型不純物濃度を有していることが好ましい。第１反射層１３は、不純物無添加であることが特に好ましい。第１反射層１３は、不純物無添加である場合においてもｎ型の半導体領域として機能する。

　以下、この明細書に係る「不純物無添加」は、製造工程中に意図的に不純物を添加せずに対象物（ここでは第１反射層１３）を形成していること（つまり、対象物が独自の不純物を有さないこと）を意味する。また、「不純物無添加」は、製造工程中のオートドープ現象や他の構造物からの拡散等に起因して対象物に不純物が非意図的に添加された結果、当該対象物が特定の導電型を帯びている状態を含まない。不純物無添加の第１反射層１３は、高抵抗層を形成するが、不純物に起因する光の吸収を抑制し、光の反射効率を高める。

　第１反射層１３は、この形態では、法線方向Ｚに周期的に変化する屈折率を有し、特定周波数の光を反射させるＤＢＲ層（Distributed Bragg Reflector layer：分布ブラッグ反射層）からなる。つまり、第１反射層１３は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数の第１層および複数の第２層が交互に積層された積層構造を有している。第１～第２層の積層数は任意である。第１層の積層数は２以上５０以下であり、第２層の積層数は２以上５０以下であってもよい。

　第１層は、この形態では、不純物無添加のＩｎＰ層からなる。第２層は、この形態では、不純物無添加のＡｌＧａＩｎＡｓ層からなる。第１～第２層は、１×１０^１７ｃｍ^－３未満のｎ型不純物濃度をそれぞれ有していてもよい。第１～第２層は、入射光の波長λの１／４を各層の屈折率ｎで除した値（λ／４ｎ）となる光学膜厚をそれぞれ有している。第１～第２層の厚さは、それぞれ８００Å以上１２００Å以下であってもよい。第１反射層１３は、基板２の厚さ未満の厚さ（総厚さ）を有していることが好ましい。第１反射層１３の厚さ（総厚さ）は、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

　第１クラッド層１４は、第１反射層１３よりも高いｎ型不純物濃度を有し、第１反射層１３の上に積層されている。つまり、第１クラッド層１４は、第１反射層１３よりも低抵抗な半導体層からなる。第１クラッド層１４は、ＩｎＰ層を含む。第１クラッド層１４は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超えて１×１０^１９ｃｍ^－３以下のｎ型不純物濃度を有していることが好ましい。

　第１クラッド層１４は、この形態では、第１反射層１３側からこの順に積層された低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６を含む積層構造を有している。低濃度クラッド層１５は、１×１０^１７ｃｍ^－３以下のｎ型不純物濃度を有する高抵抗な半導体層（ＩｎＰ層）からなる。低濃度クラッド層１５は、不純物無添加の高抵抗な半導体層（ＩｎＰ層）からなることが好ましい。

　高濃度クラッド層１６は、低濃度クラッド層１５よりも高いｎ型不純物濃度を有する低抵抗な半導体層（ＩｎＰ層）からなる。高濃度クラッド層１６は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超えて１×１０^１９ｃｍ^－３以下のｎ型不純物濃度を有していることが好ましい。低濃度クラッド層１５は、不純物に起因する光の吸収を抑制し、光の透過率を高める。高濃度クラッド層１６は、電流密度を高め、低抵抗な電流経路を形成する。

　第１クラッド層１４は、第１反射層１３の厚さ（総厚さ）未満の厚さ（総厚さ）を有していることが好ましい。低濃度クラッド層１５は、第１反射層１３の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。低濃度クラッド層１５は、２５００Å以上５０００Å以下（好ましくは３０００Å以上４０００Å以下）の厚さを有していてもよい。高濃度クラッド層１６は、第１反射層１３の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。高濃度クラッド層１６は、２５００Å以上５０００Å以下（好ましくは３０００Å以上４０００Å以下）の厚さを有していてもよい。高濃度クラッド層１６は、低濃度クラッド層１５の厚さの０．９倍以上１．１倍以下の厚さを有していることが好ましい。

　活性層１１は、第１クラッド層１４の上に積層されている。活性層１１は、井戸層および障壁層が任意の周期で交互に積層されたＭＱＷ（Multi Quantum Well：多重量子井戸）構造を有している。障壁層は、井戸層よりも高いバンドギャップを有する半導体層である。井戸層の積層数は２以上２０以下であり、障壁層の積層数は２以上２０以下であってもよい。

　井戸層は、不純物無添加のＡｌＧａＩｎＡｓ層を含んでいてもよい。障壁層は、井戸層とは異なるＡｌ組成比を有する不純物無添加のＡｌＧａＩｎＡｓ層を含んでいてもよい。活性層１１は、第１クラッド層１４の厚さ（総厚さ）未満の厚さ（総厚さ）を有していることが好ましい。活性層１１の厚さ（総厚さ）は、低濃度クラッド層１５（高濃度クラッド層１６）の厚さ未満であることが好ましい。井戸層は、１０Å以上１００Å以下の厚さを有していてもよい。障壁層は、１０Å以上１００Å以下の厚さを有していてもよい。障壁層の厚さは、井戸層の厚さを超えていることが好ましい。

　第２半導体層１２は、ｐ型の第２クラッド層１７およびｐ型のコンタクト層１８を含む。第２クラッド層１７は、活性層１１の上に積層されている。第２クラッド層１７は、活性層１１側からこの順に積層された下クラッド層１９、中間クラッド層２０および上クラッド層２１を含む積層構造を有している。

　下クラッド層１９は、活性層１１の上に積層されている。下クラッド層１９は、この形態では、Ａｌを含まない化合物半導体層からなる。下クラッド層１９は、この形態では、ＩｎＰ層を含む。下クラッド層１９は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下のｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。下クラッド層１９は、１００Å以上１０００Å以下の厚さを有していてもよい。

　中間クラッド層２０は、下クラッド層１９の上に下クラッド層１９よりも高いｐ型不純物濃度で積層されている。中間クラッド層２０は、下クラッド層１９とは異なり、Ａｌを含む化合物半導体層からなる。中間クラッド層２０は、この形態では、ＩｎＡｌＡｓ層を含む。中間クラッド層２０は、５×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下のｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。中間クラッド層２０は、下クラッド層１９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。中間クラッド層２０の厚さは、５００Å以上１５００Å以下であってもよい。

　上クラッド層２１は、中間クラッド層２０の上に下クラッド層１９よりも高いｐ型不純物濃度で積層されている。上クラッド層２１は、中間クラッド層２０とは異なり、Ａｌを含まない化合物半導体層からなる。上クラッド層２１は、この形態では、ＩｎＰ層を含む。上クラッド層２１は、５×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下のｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。

　上クラッド層２１は、中間クラッド層２０のｐ型不純物濃度の０．１倍以上１．１倍以下のｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。上クラッド層２１は、下クラッド層１９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。上クラッド層２１の厚さは、中間クラッド層２０の厚さを超えていることが好ましい。上クラッド層２１の厚さは、５０００Å以上８０００Å以下であってもよい。

　コンタクト層１８は、第２クラッド層１７の上に第２クラッド層１７よりも高いｐ型不純物濃度で積層されている。コンタクト層１８は、この形態では、Ａｌを含まない化合物半導体層からなる。コンタクト層１８は、この形態では、ＩｎＧａＡｓ層を含む。コンタクト層１８は、５×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下のｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。コンタクト層１８は、下クラッド層１９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。コンタクト層１８の厚さは、上クラッド層２１の厚さ未満であることが好ましい。コンタクト層１８の厚さは、５００Å以上２０００Å以下であってもよい。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６に形成された第１除去部３０を含む。第１除去部３０は、この形態では、積層構造６に形成された溝からなる。第１除去部３０は、「第１トレンチ」と称されてもよい。第１除去部３０は、第２半導体層１２から第１半導体層１０に向けて掘り下がっている。第１除去部３０は、第１クラッド層１４を露出させるように第２半導体層１２および活性層１１を貫通している。つまり、第１除去部３０は、第２半導体層１２のコンタクト層１８および第２クラッド層１７を貫通している。

　第１除去部３０は、厚さ方向に関して第１反射層１３から活性層１１側に間隔を空けて形成され、第１反射層１３を露出させていない。第１除去部３０は、具体的には、厚さ方向に関して低濃度クラッド層１５から活性層１１側に間隔を空けて形成され、高濃度クラッド層１６を露出させ、低濃度クラッド層１５を露出させていない。第１除去部３０は、平面視において第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）から内方に間隔を空けて第２半導体層１２の内方部を取り囲む環状に形成されている。

　第１除去部３０は、第１内壁３１、第１外壁３２、ならびに、第１内壁３１および第１外壁３２を接続する第１底壁３３を有している。第１内壁３１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。第１内壁３１は、平面視において多角形状や楕円形状等に形成されていてもよい。第１内壁３１は、この形態では、コンタクト層１８側から第１クラッド層１４側に向けて斜め下り傾斜している。第１内壁３１は、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に延びていてもよい。第１内壁３１は、第２半導体層１２および活性層１１を露出させている。

　第１外壁３２は、この形態では、平面視において第３側面５Ｃ側の領域において第１内壁３１に沿って延びる円弧状に形成されている。第１外壁３２の平面形状は任意であり、第１外壁３２は第２方向Ｙに延びる直線状に形成されていてもよい。第１外壁３２は、この形態では、コンタクト層１８側から第１クラッド層１４側に向けて斜め下り傾斜している。第１外壁３２は、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に延びていてもよい。第１外壁３２は、第２半導体層１２および活性層１１を露出させている。

　第１底壁３３は、平面視において第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）から内方に間隔を空けて第２半導体層１２の内方部を取り囲む環状に形成されている。第１底壁３３は、第１主面３（半導体主面７）に沿って延び、第１クラッド層１４を露出させている。第１底壁３３は、具体的には、厚さ方向に関して低濃度クラッド層１５から活性層１１側に間隔を空けて形成され、高濃度クラッド層１６を露出させ、低濃度クラッド層１５を露出させていない。

　第１底壁３３は、厚さ方向に関して、第１クラッド層１４および活性層１１の境界部に対して第１反射層１３側に掘り下がっていてもよい。この場合、第１内壁３１は第１クラッド層１４の一部を露出させる下端部を有し、第１外壁３２は第１クラッド層１４の一部を露出させる下端部を有していてもよい。

　面発光レーザ装置１Ａは、第１除去部３０によって台地状に区画された少なくとも１つ（この形態では１つ）のメサ構造３５を含む。メサ構造３５は、第１除去部３０の第１内壁３１によって積層構造６に区画され、活性層１１および第２半導体層１２を含む。メサ構造３５は、第１半導体層１０を活性層１１に対するカソードとし、第２半導体層１２を活性層１１に対するアノードとするダブルヘテロ接合型の発光ダイオード構造を形成している。

　メサ構造３５は、第１半導体層１０から供給された電子および第２半導体層１２から供給された正孔を活性層１１において結合させ、光を生成する。活性層１１で生成された光は、第２半導体層１２側に放出される。メサ構造３５は、この形態では、赤外領域の光を生成する。メサ構造３５は、１０００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を生成してもよい。ピーク波長は、１３００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。

　メサ構造３５は、この形態では、第１半導体層１０の上において円錐台形状に区画されている。メサ構造３５の形状は任意である。メサ構造３５は、第１除去部３０の形状に応じて多角錐台形状や楕円錐台形状等に区画されていてもよい。また、メサ構造３５は、必ずしも錐台形状に区画されている必要はなく、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に突出した柱状に区画されていてもよい。

　メサ構造３５の中心部は、この形態では、平面視において第１主面３（半導体主面７）の中心部からずれている。つまり、メサ構造３５の中心部は、平面視において第１主面３の中心部を第２方向Ｙに通過する中心線を設定した時、当該中心線から第１方向Ｘの一方側（この形態では第３側面５Ｃ側）に偏在している。メサ構造３５の一部は、平面視において中心線に重なっていてもよい。メサ構造３５の全体が、中心線から第１方向Ｘに間隔を空けて形成されていてもよい。

　メサ構造３５は、第１基部３６、第１頂面３７、ならびに、第１基部３６および第１頂面３７を接続する第１側壁３８を含む。第１基部３６は、メサ構造３５の突出起点からなり、第１半導体層１０（第１クラッド層１４）によって形成されている。第１基部３６は、平面視において円形状に形成されている。第１基部３６の平面視における幅（最大値）は、１μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１基部３６の幅は、３μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第１基部３６の幅は、メサ構造３５の幅（最大値）でもある。

　第１頂面３７は、第２半導体層１２（半導体主面７）の一部からなり、コンタクト層１８を露出させている。第１頂面３７は、この形態では、平面視において第１基部３６の平面積未満の平面積を有し、第１基部３６によって取り囲まれている。第１頂面３７の幅（最大値）は、１μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。第１頂面３７の幅（最大値）は、３μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

　第１側壁３８は、第１除去部３０の第１内壁３１によって形成されている。第１側壁３８は、この形態では、第１頂面３７側から第１基部３６側に向けて斜め下り傾斜している。第１側壁３８が第１頂面３７との間で成す傾斜角度は、９０°以上１２５°以下であってもよい。傾斜角度は、断面視において第１基部３６の周縁および第１頂面３７の周縁を結ぶ直線が、メサ構造３５内において第１頂面３７との間で成す角度である。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６に形成された第２除去部４０を含む。第２除去部４０は、この形態では、積層構造６に形成された溝からなる。第２除去部４０は、「第２トレンチ」と称されてもよい。第２除去部４０は、第１除去部３０の第１底壁３３においてメサ構造３５から間隔を空けた位置から基板２に向けて掘り下がっている。第２除去部４０は、平面視においてメサ構造３５との間から第１底壁３３（第１クラッド層１４）を部分的に露出させている。

　第２除去部４０は、基板２を露出させるように第１クラッド層１４および第１反射層１３を貫通している。第２除去部４０は、第１クラッド層１４の低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６を貫通している。第２除去部４０は、厚さ方向に関して基板２の第２主面４から第１主面３側に間隔を空けて形成されている。第２除去部４０は、この形態では、第１除去部３０（第１底壁３３）に連通するように第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）および第１除去部３０の間の領域に形成されている。

　第２除去部４０は、具体的には、平面視において第２半導体層１２の周縁から内方に間隔を空けて第１除去部３０に対して第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）の領域に有端状に形成されている。第２除去部４０は、第１除去部３０側において第１クラッド層１４および第１反射層１３を貫通し、第２半導体層１２の周縁側においてコンタクト層１８、第２クラッド層１７、活性層１１、第１クラッド層１４および第１反射層１３を貫通している。第２除去部４０は、第１除去部３０との間で第１反射層１３および第１クラッド層１４が露出した段部を形成している。

　第２除去部４０は、この形態では、平面視においてメサ構造３５の周方向に沿って円弧帯状に延びている。第２除去部４０は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を第２方向Ｙから挟み込んでいる。第２除去部４０は、第１除去部３０の幅以上の幅を有していることが好ましい。第１除去部３０の幅は第１除去部３０の延在方向に直交する方向の幅であり、第２除去部４０の幅は第２除去部４０の延在方向に直交する方向の幅である。第２除去部４０の平面形状は任意であり、第２除去部４０は屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。

　第２除去部４０は、第２内壁４１、第２外壁４２、ならびに、第２内壁４１および第２外壁４２を接続する第２底壁４３を有している。第２内壁４１は、この形態では、平面視において第１除去部３０およびメサ構造３５の周方向に沿って円弧状に延び、第１除去部３０の第１底壁３３に連通している。第２内壁４１は、平面視において屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。第２内壁４１は、第１反射層１３および第１クラッド層１４を露出させている。第２内壁４１は、この形態では、第１クラッド層１４側から基板２側に向けて斜め下り傾斜している。第２内壁４１は、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に延びていてもよい。

　第２外壁４２は、この形態では、平面視において第１除去部３０およびメサ構造３５の周方向に沿って円弧状に延び、半導体主面７および第１除去部３０の第１外壁３２に連通している。第２外壁４２は、第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）において一対の終端壁４２ａを有している。一対の終端壁４２ａは、この形態では、メサ構造３５の中心部よりも第１方向Ｘの他方側（第３側面５Ｃ側）に位置している。一対の終端壁４２ａは、第１外壁３２に連通している。

　第２外壁４２の平面形状は任意であり、必ずしも第２内壁４１の平面形状に一致している必要はない。第２外壁４２は、平面視において屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。第２外壁４２は、第１半導体層１０、活性層１１および第２半導体層１２を露出させている。第２外壁４２は、この形態では、コンタクト層１８側から基板２側に向けて斜め下り傾斜している。第２外壁４２は、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に延びていてもよい。

　第２底壁４３は、この形態では、平面視において第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）から内方に間隔を空けて第１除去部３０およびメサ構造３５の周方向に沿って円弧帯状に延びている。第２底壁４３は、第１主面３（半導体主面７）に沿って延び、基板２を露出させている。第２底壁４３は、厚さ方向に関して、基板２の第１主面３および第１反射層１３の境界部に対して基板２の第２主面４側に掘り下がっていてもよい。この場合、第２内壁４１は基板２の一部を露出させる下端部を有し、第２外壁４２は基板２の一部を露出させる下端部を有していてもよい。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６において第１除去部３０によってメサ構造３５とは異なる領域に台地状に区画されたフレーム構造４５を含む。フレーム構造４５は、この形態では、平面視において、第１除去部３０および第２除去部４０によってメサ構造３５を取り囲むように第２半導体層１２の周縁に沿って延びる環状に区画されている。フレーム構造４５は、第１除去部３０（第１外壁３２）によって区画された部分において第２半導体層１２および活性層１１を露出させ、第２除去部４０（第２外壁４２）によって区画された部分において第１半導体層１０、活性層１１および第２半導体層１２を露出させている。

　フレーム構造４５は、第１除去部３０および第２除去部４０によって電気的に浮遊状態に形成され、メサ構造３５に電気的に接続されていない。したがって、フレーム構造４５は、光を生成しない。フレーム構造４５は、外力等からメサ構造３５を保護する。フレーム構造４５は、第２基部４６、第２頂面４７、ならびに、第２基部４６および第２頂面４７を接続する第２側壁４８をそれぞれ含む。第２基部４６は、フレーム構造４５の突出起点からなり、第１外壁３２の下端（第１クラッド層１４）および第２外壁４２の下端（基板２）によって形成されている。

　第２頂面４７は、第２半導体層１２（半導体主面７）の一部からなり、コンタクト層１８を露出させている。つまり、第２頂面４７は、メサ構造３５の第１頂面３７と同一平面上に位置している。第２頂面４７は、平面視において第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）に沿って延びる環状に形成されている。第２頂面４７は、第１除去部３０の第１外壁３２および第２除去部４０の一対の終端壁４２ａによって区画されたストリート部４９を含む。

　第２側壁４８は、第１除去部３０の第１外壁３２および第２除去部４０の第２外壁４２によって形成されている。第２側壁４８は、この形態では、第２頂面４７から第２基部４６に向けて斜め下り傾斜している。第２側壁４８が第２頂面４７との間で成す傾斜角度は、９０°以上１２５°以下であってもよい。傾斜角度は、断面視において第２基部４６の周縁および第２頂面４７の周縁を結ぶ直線が、フレーム構造４５内において第２頂面４７との間で成す角度である。

　面発光レーザ装置１Ａは、メサ構造３５内において第２半導体層１２の厚さ方向途中部に介在された電流狭窄層５０を含む。電流狭窄層５０は、メサ構造３５内を流れる電流を狭窄し、活性層１１に供給される電流密度を高める。電流狭窄層５０は、この形態では、第２クラッド層１７の厚さ方向途中部に介在されている。電流狭窄層５０は、電流経路となるｐ型の電流通過層５１、および、電流経路を遮断する電流障壁層５２を含む。

　電流通過層５１は、この形態では、下クラッド層１９および上クラッド層２１の間に介在されている。電流通過層５１は、具体的には、中間クラッド層２０の一部を利用して形成されている。電流通過層５１は、平面視においてメサ構造３５の周縁（第１側壁３８）から内方に間隔を空けて形成されている。電流通過層５１は、平面視においてメサ構造３５の周縁に沿って延びる周縁を有する平面形状（つまり、ほぼ相似な平面形状）を有している。電流通過層５１は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。

　電流障壁層５２は、この形態では、電流通過層５１と同一層において電流通過層５１を区画している。つまり、電流障壁層５２は、下クラッド層１９および上クラッド層２１の間に介在され、中間クラッド層２０の一部を利用して形成されている。電流障壁層５２は、平面視においてメサ構造３５の周縁（第１側壁３８）および電流障壁層５２の間の領域に形成されている。電流障壁層５２は、メサ構造３５の周縁（第１側壁３８）から露出している。電流障壁層５２は、平面視においてメサ構造３５の周縁に整合する平面形状を有している。電流通過層５１は、この形態では、平面視において円環状に形成されている。

　電流障壁層５２は、絶縁体、空隙およびダメージ層のうちの少なくとも１つを含む。絶縁体は、メサ構造３５の周縁から内方に向けて中間クラッド層２０の一部を酸化させることによって形成される。つまり、絶縁体は、中間クラッド層２０の酸化物（具体的にはアルミニウム酸化物）からなる。空隙は、メサ構造３５の周縁から内方に向けて中間クラッド層２０の一部を除去することによって形成され、下クラッド層１９および上クラッド層２１の間に区画される。

　ダメージ層は、メサ構造３５の周縁部において、第２クラッド層１７の厚さ方向途中部（中間クラッド層２０）にプロトンを照射することによって形成される。ダメージ層を形成する場合、第２クラッド層１７から中間クラッド層２０が取り除かれてもよい。電流障壁層５２は、この形態では、空隙、および、空隙の壁面に付着した絶縁体（中間クラッド層２０の酸化物）を含む。この空隙は、絶縁体の形成工程において当該絶縁体の一部を取り除くことによって形成される。

　面発光レーザ装置１Ａは、フレーム構造４５の内部においても電流障壁層５２を含む。フレーム構造４５は、この形態では、電気的に浮遊状態に形成されているので、フレーム構造４５側の電流障壁層５２は電流狭窄効果を生じさせない。フレーム構造４５側の電流障壁層５２の他の説明については、メサ構造３５側の電流障壁層５２の説明が適用される。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６を被覆する絶縁膜６０を含む。絶縁膜６０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。絶縁膜６０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む積層構造を有していてもよい。絶縁膜６０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。絶縁膜６０は、この形態では、窒化シリコン膜からなる単層構造を有している。

　絶縁膜６０は、第１除去部３０の壁面、メサ構造３５の第１頂面３７、第２除去部４０の壁面およびフレーム構造４５の第２頂面４７を被覆している。絶縁膜６０は、具体的には、第１部分６１、第２部分６２、第３部分６３および第４部分６４を含む。第１部分６１は、メサ構造３５の第１頂面３７を被覆している。第１部分６１は、第１頂面３７の周縁部を選択的に露出させる第１メサ開口６５、および、第１頂面３７の内方部を選択的に露出させる第２メサ開口６６を有している。

　第１メサ開口６５は、平面視において第１頂面３７の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第２半導体層１２（コンタクト層１８）を露出させている。第１メサ開口６５は、この形態では、平面視において第１頂面３７の内方部（第２メサ開口６６）を取り囲む環状（具体的には円環状）に形成されている。第１メサ開口６５は、平面視において電流通過層５１から間隔を空けて電流通過層５１を取り囲む環状に形成されていてもよい。むろん、第１メサ開口６５は、平面視において電流通過層５１によって取り囲まれた領域内に形成されていてもよい。この場合、第１メサ開口６５は、平面視において電流通過層５１から間隔を空けて第１頂面３７の内方部を取り囲む環状に形成されていてもよい。

　第２メサ開口６６は、平面視において第１メサ開口６５から内方に間隔を空けて形成され、第２半導体層１２（コンタクト層１８）を露出させている。つまり、第２メサ開口６６は、平面視において第１メサ開口６５によって取り囲まれた領域内に形成されている。第２メサ開口６６は、平面視において電流障壁層５２によって取り囲まれた領域内に形成され、電流通過層５１に重なっている。

　第２メサ開口６６は、平面視において円形状に形成されていてもよい。第２メサ開口６６は、平面視において多角形状や楕円形状等に形成されていてもよい。第２メサ開口６６は、電流通過層５１の平面積以上の平面積を有していてもよい。この場合、第２メサ開口６６は、平面視において電流障壁層５２の一部に重なっていてもよい。むろん、第２メサ開口６６は、電流通過層５１の平面積未満の平面積を有していてもよい。

　第２部分６２は、第１除去部３０の壁面（第１内壁３１、第１外壁３２および第１底壁３３）を被覆している。第２部分６２は、第１頂面３７において第１部分６１に連なっている。第２部分６２は、第１内壁３１（メサ構造３５の第１側壁３８）および第１外壁３２（フレーム構造４５の第２側壁４８）において活性層１１および第２半導体層１２を被覆し、第１底壁３３において第１クラッド層１４（高濃度クラッド層１６）を被覆している。

　第２部分６２は、第１底壁３３において第１クラッド層１４を選択的に露出させる第１コンタクト開口６７を有している。第１コンタクト開口６７は、この形態では、平面視においてメサ構造３５に対して第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）の領域に有端状に形成され、第１方向Ｘにメサ構造３５に対向している。第１コンタクト開口６７は、平面視においてメサ構造３５および第２除去部４０（第２内壁４１）から間隔を空けて形成され、高濃度クラッド層１６を露出させている。

　第１コンタクト開口６７は、この形態では、平面視においてメサ構造３５の周方向に沿って円弧帯状に延びている。第１コンタクト開口６７は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を第２方向Ｙから挟み込んでいる。第１コンタクト開口６７の平面形状は任意であり、第１コンタクト開口６７は屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。第１コンタクト開口６７は、第２除去部４０の一対の終端壁４２ａよりも第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）に位置している。第１コンタクト開口６７の両端部は、メサ構造３５の中心部よりも第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）に位置していてもよい。

　第３部分６３は、第２除去部４０の壁面（第２内壁４１、第２外壁４２および第２底壁４３）を被覆している。第３部分６３は、第１除去部３０および第２除去部４０の連通部において第２部分６２に連なっている。第３部分６３は、第２内壁４１において第１反射層１３および第１クラッド層１４を被覆している。第３部分６３は、第２外壁４２において第１反射層１３、第１クラッド層１４、活性層１１、第２クラッド層１７、コンタクト層１８および電流狭窄層５０を被覆している。第３部分６３は、第２底壁４３において基板２を被覆している。

　第３部分６３は、第２底壁４３において基板２を選択的に露出させる第２コンタクト開口６８を有している。第２コンタクト開口６８は、この形態では、平面視において第１コンタクト開口６７（メサ構造３５）に対して第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）の領域に有端状に形成され、第１方向Ｘにメサ構造３５および第１コンタクト開口６７に対向している。第２コンタクト開口６８は、平面視において第２除去部４０の第２内壁４１および第２外壁４２の間の領域において第２内壁４１および第２外壁４２から間隔を空けて形成されている。

　第２コンタクト開口６８は、平面視においてメサ構造３５の周方向に沿って円弧帯状に延びている。第２コンタクト開口６８は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を第２方向Ｙから挟み込んでいる。第２コンタクト開口６８は、第１コンタクト開口６７に対してほぼ平行に延びていてもよい。第２コンタクト開口６８は、この形態では、第１コンタクト開口６７の開口面積以上の開口面積を有している。むろん、第２コンタクト開口６８の開口面積は、第１コンタクト開口６７の開口面積未満であってもよい。

　第２コンタクト開口６８の平面形状は任意であり、第２コンタクト開口６８は屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。第２コンタクト開口６８は、第２除去部４０の一対の終端壁４２ａよりも第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）に位置している。第２コンタクト開口６８の両端部は、メサ構造３５の中心部よりも第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）に位置していてもよい。

　第４部分６４は、フレーム構造４５の第２頂面４７を被覆している。第４部分６４は、第１除去部３０および第２頂面４７の連通部において第２部分６２に連なり、第２除去部４０および第２頂面４７の連通部において第３部分６３に連なっている。第４部分６４は、第２半導体層１２の周縁（第１～第４半導体側面８Ａ～８Ｄ）から内方に間隔を空けて形成され、第２半導体層１２の周縁部（コンタクト層１８）を露出させる第１ダイシングストリート６９を区画している。第１ダイシングストリート６９は、平面視において第１除去部３０および第２除去部４０を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６を被覆する第１主面電極７０（第１電極）を含む。第１主面電極７０は、具体的には、絶縁膜６０の上に配置され、絶縁膜６０を挟んで積層構造６を被覆している。第１主面電極７０は、絶縁膜６０を貫通してメサ構造３５の第１頂面３７に電気的に接続されている。第１主面電極７０は、この形態では、第１電極部７１、第２電極部７２および第３電極部７３を含む。

　第１電極部７１は、メサ構造３５の第１頂面３７を被覆している。第１電極部７１は、絶縁膜６０（第１部分６１）の上から第１メサ開口６５に入り込み、第１メサ開口６５内においてコンタクト層１８に電気的に接続されている。第１電極部７１は、平面視において第１頂面３７の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第２メサ開口６６を露出させている。第１電極部７１は、この形態では、平面視において第２メサ開口６６を取り囲む円環状に形成されている。第１電極部７１は、平面視において多角環状や楕円環状等に形成されていてもよい。

　第２電極部７２は、メサ構造３５外の領域を被覆している。第２電極部７２は、具体的には、絶縁膜６０（第４部分６４）を挟んでフレーム構造４５の第２頂面４７を被覆している。第２電極部７２は、この形態では、第１ダイシングストリート６９から間隔を空けて第２頂面４７において第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）の領域に配置されている。第２電極部７２は、この形態では、平面視において四角形状（具体的には第２方向Ｙに延びる長方形状）に形成されている。第２電極部７２は、平面視において円形状、多角形状や楕円形状等に形成されていてもよい。

　第３電極部７３は、第１電極部７１および第２電極部７２を接続している。第３電極部７３は、具体的には、第１電極部７１から絶縁膜６０（第３部分６３）の上に引き出され、第２電極部７２に向けて帯状に延びている。第３電極部７３は、第１除去部３０の壁面およびフレーム構造４５のストリート部４９を通過して第２電極部７２に接続されている。第３電極部７３は、この形態では、比較的深い第２除去部４０から間隔を空けて、第１電極部７１および第２電極部７２の対向方向（第１方向Ｘ）に沿って延びる直線状に形成されている。

　つまり、第３電極部７３は、第１電極部７１および第２電極部７２を最短距離で接続している。むろん、第３電極部７３は、第２除去部４０を含む任意の領域を被覆するように引き回されていてもよい。第３電極部７３は、ストリート部４９の幅未満の幅を有している。第３電極部７３の幅は第３電極部７３の延在方向に直交する方向の幅であり、ストリート部４９の幅は一対の終端壁４２ａの間の幅（第２方向Ｙに沿う幅）である。

　第１主面電極７０の第２電極部７２は、外部接続部材（たとえばボンディングワイヤ等の導線）に電気的および機械的に接続されるパッド電極の一部または全部を形成している。第１電極部７１および第３電極部７３は、外部接続部材に機械的には接続されない。第２電極部７２に印加された電位は、第３電極部７３を介して第１電極部７１に付与される。第１電極部７１に付与された電位は、第２半導体層１２（コンタクト層１８）に付与される。

　第１主面電極７０は、積層構造６側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。第１主面電極７０は、積層構造６側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜、Ｐｔ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。Ｔｉ系金属膜は、Ｔｉ膜およびＴｉＮ膜のうちの少なくとも１種を含む単層構造または積層構造を有していてもよい。Ａｕ系金属膜は、純Ａｕ膜（純度が９９％以上のＡｕ膜）およびＡｕ合金膜のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。Ｐｔ系金属膜は、純Ｐｔ膜（純度が９９％以上のＰｔ膜）およびＰｔ合金膜のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　面発光レーザ装置１Ａは、基板２の第２主面４を被覆する第２主面電極７５（第２電極）を含む。第２主面電極７５は、基板２に電気的に接続されている。第２主面電極７５は、基板２の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成され、第２主面４（基板２）の周縁部を露出させる第２ダイシングストリート７６を区画している。第２ダイシングストリート７６は、平面視において第１除去部３０および第２除去部４０を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。第２ダイシングストリート７６は、平面視において第１ダイシングストリート６９に重なっている。

　第２主面電極７５は、金属ペーストや半田等の導電接合材を介して外部接続部材（たとえばパッケージの端子電極や実装基板の配線等）に電気的および機械的に接続されるパッド電極の一部または全部を形成している。第２主面電極７５に印加された電位は、基板２に付与される。第２主面電極７５は、第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。第２主面電極７５は、第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜、Ｐｔ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。Ｔｉ系金属膜、Ｐｔ系金属膜およびＡｕ系金属膜の説明については、第１主面電極７０についてなされた説明が適用される。

　面発光レーザ装置１Ａは、積層構造６を被覆するバイパス配線８０を含む。バイパス配線８０は、第１反射層１３よりも低い抵抗値を有し、第１除去部３０内において第１クラッド層１４に電気的に接続され、第２除去部４０内において基板２に電気的に接続されている。バイパス配線８０は、基板２とオーミック接触を形成し、第１クラッド層１４とオーミック接触を形成している。

　バイパス配線８０は、第１主面電極７０から間隔を空けて配置され、絶縁膜６０の沿面に沿って第１主面電極７０から電気的に切り離されている。バイパス配線８０は、外部接続部材（たとえばボンディングワイヤ等の導線）に機械的には接続されない。バイパス配線８０は、第１主面電極７０および第２主面電極７５の間の電流経路の一部を形成している。バイパス配線８０は、第２主面電極７５から基板２に付与された電位を第１クラッド層１４（具体的には高濃度クラッド層１６）に伝達する。つまり、バイパス配線８０は、第１主面電極７０および第２主面電極７５の間の電流経路において、比較的高抵抗な第１反射層１３および低濃度クラッド層１５を迂回する電流迂回経路を形成している。

　バイパス配線８０は、この形態では、平面視においてメサ構造３５に対して第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）の領域に有端状に形成されている。バイパス配線８０は、平面視において第１方向Ｘにメサ構造３５に対向している。バイパス配線８０は、平面視において第１方向Ｘに第１主面電極７０に対向している。バイパス配線８０は、具体的には、平面視において第１電極部７１および第３電極部７３を挟んで第２電極部７２に対向している。

　バイパス配線８０は、この形態では、メサ構造３５の周方向に沿って円弧帯状に延び、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８を被覆している。つまり、バイパス配線８０は、メサ構造３５の周方向に沿う電流経路を形成している。バイパス配線８０は、この形態では、第１コンタクト開口６７の全域および第２コンタクト開口６８の全域を被覆している。バイパス配線８０は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を第２方向Ｙから挟み込んでいる。バイパス配線８０の平面形状は任意であり、バイパス配線８０は屈曲した角部を有するＵ字帯状に延びていてもよい。

　バイパス配線８０は、平面視において第１除去部３０の幅および第２除去部４０の幅の合計値未満の幅を有している。この構造において、バイパス配線８０は、平面視において第１除去部３０の幅を超える幅を有している。また、バイパス配線８０は、平面視において第２除去部４０の幅を超える幅を有している。バイパス配線８０の幅は、バイパス配線８０の延在方向に直交する方向の幅である。

　バイパス配線８０は、第１除去部３０および第２除去部４０の連通部（第１底壁３３および第２内壁４１の接続部）を横切り、絶縁膜６０を挟んで第１除去部３０の壁面の一部および第２除去部４０の壁面の一部を被覆している。バイパス配線８０は、第１除去部３０の第１底壁３３の上に位置する部分において、絶縁膜６０を挟んで高濃度クラッド層１６に対向する部分を含む。バイパス配線８０は、第２除去部４０の第２底壁４３の上に位置する部分において、絶縁膜６０を挟んで基板２に対向する部分を含む。バイパス配線８０は、第２除去部４０の第２内壁４１の上に位置する部分において第１反射層１３、低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６に対向する部分を含む。

　バイパス配線８０は、絶縁膜６０の上から第１コンタクト開口６７内に入り込んでいる。バイパス配線８０は、第１コンタクト開口６７内において高濃度クラッド層１６に機械的および電気的に接続されている。バイパス配線８０は、絶縁膜６０の上から第２コンタクト開口６８内に入り込んでいる。バイパス配線８０は、第２コンタクト開口６８内において基板２に機械的および電気的に接続されている。つまり、バイパス配線８０は、この形態では、基板２および高濃度クラッド層１６に対する２つの接続点を含み、第１反射層１３および低濃度クラッド層１５に対する接続点を含まない。

　バイパス配線８０は、この形態では、第１除去部３０および第２除去部４０の内部に位置し、第１除去部３０および第２除去部４０の外部に配置していない。バイパス配線８０は、具体的には、メサ構造３５（第１除去部３０の第１内壁３１）およびフレーム構造４５（第２除去部４０の第２外壁４２）から間隔を空けて第１除去部３０および第２除去部４０の内部に配置されている。バイパス配線８０は、平面視においてメサ構造３５との間で第１除去部３０の第１底壁３３の一部（絶縁膜６０の一部）をメサ構造３５に沿う円弧帯状に露出させている。また、バイパス配線８０は、フレーム構造４５との間から第２除去部４０の第２底壁４３の一部（絶縁膜６０の一部）をメサ構造３５に沿う円弧帯状に露出させている。

　バイパス配線８０は、第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）において一対の端部８０ａを有している。一対の端部８０ａは、第２除去部４０の一対の終端壁４２ａよりも第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）に位置している。一対の端部８０ａは、メサ構造３５の中心部よりも第１方向Ｘの他方側（第４側面５Ｄ側）に位置していてもよい。一対の端部８０ａは、平面視において第１主面電極７０の少なくとも一部（具体的には第１電極部７１）を第２方向Ｙから挟み込んでいる。一対の端部８０ａは、第３電極部７３を第２方向Ｙから挟み込んでいてもよい。一対の端部８０ａは、第１方向Ｘに第２電極部７２に対向していてもよい。

　バイパス配線８０において第１除去部３０の第１底壁３３を被覆する部分の面積は、バイパス配線８０において第１底壁３３を露出させた部分の面積を超えていることが好ましい。バイパス配線８０において第２除去部４０の第２底壁３４を被覆する部分の面積は、バイパス配線８０において第２底壁３４を露出させた部分の面積を超えていることが好ましい。

　バイパス配線８０は、積層構造６側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。バイパス配線８０は、積層構造６側からこの順に積層されたＴｉ系金属膜、Ｐｔ系金属膜およびＡｕ系金属膜を含む積層構造を有していてもよい。Ｔｉ系金属膜、Ｐｔ系金属膜およびＡｕ系金属膜の説明については、第１主面電極７０についてなされた説明が適用される。

　面発光レーザ装置１Ａは、メサ構造３５の上に配置された第２反射層８５を含む。第２反射層８５は、第２メサ開口６６内において第２半導体層１２の上に積層されている。第２反射層８５は、この形態では、第２メサ開口６６の平面形状に整合した平面形状（この形態では円形状）に形成されている。つまり、第２反射層８５は、第１頂面３７から基板２と反対側に突出した柱状（円柱形状）に形成されている。第２反射層８５は、第２メサ開口６６内において第２半導体層１２および絶縁膜６０に接している。第２反射層８５は、第２メサ開口６６外において第１主面電極７０（第１電極部７１）に接していてもよい。

　第２反射層８５は、この形態では、法線方向Ｚに周期的に変化する屈折率を有し、特定周波数の光を反射させる誘電体ＤＢＲ層からなる。つまり、第２反射層８５は、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数の第１誘電体層および複数の第２誘電体層が交互に積層された積層構造を有している。第１～第２誘電体層の積層数は任意である。第１誘電体層の積層数は２以上１０以下であり、第２誘電体層の積層数は２以上１０以下であってもよい。

　第１～第２誘電体層は、不純物無添加のシリコン層、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化ニオブ層および酸化タンタル層のうちの少なくとも１層をそれぞれ含む。第２誘電体層は、第１誘電体層とは異なる誘電体材料からなることが好ましい。第１～第２誘電体層は、入射光の波長λの１／４を各層の屈折率ｎで除した値（λ／４ｎ）となる光学膜厚をそれぞれ有している。

　以上、面発光レーザ装置１Ａは、ｎ型の基板２、ｎ型の第１反射層１３、ｎ型の第１クラッド層１４、活性層１１、ｐ型の第２半導体層１２、第１除去部３０、第２除去部４０、および、バイパス配線８０を含む。基板２は、一方側の第１主面３および他方側の第２主面４を有している。第１反射層１３は、第１主面３の上に基板２よりも低濃度に積層されている。第１クラッド層１４は、第１反射層１３の上に第１反射層１３よりも高濃度に積層されている。活性層１１は、第１クラッド層１４の上に積層されている。第２半導体層１２は、活性層１１の上に積層されている。

　第１除去部３０は、第１クラッド層１４を露出させるように第２半導体層１２および活性層１１を掘り下げて形成され、台地状のメサ構造３５を区画している。第２除去部４０は、メサ構造３５から間隔を空けた位置から基板２を露出させるように第１除去部３０の底部（第１底壁３３）から第１クラッド層１４および第１反射層１３を掘り下げて形成されている。バイパス配線８０は、第１除去部３０内において第１クラッド層１４に電気的に接続され、第２除去部４０内において基板２に電気的に接続されている。

　この構造によれば、バイパス配線８０によって、比較的高抵抗な第１反射層１３を迂回する電流経路を基板２および第１クラッド層１４の間に形成できる。これにより、基板２および第２半導体層１２の間の抵抗値を削減できる。このような構造は、順方向電圧ＶＦの特性を向上する上で有効である。また、バイパス配線８０による電流迂回経路によれば、低濃度の第１反射層１３、または、不純物無添加の第１反射層１３を形成できるので、第１反射層１３に起因する光吸収を低減できる。よって、性能を向上できる面発光レーザ装置１Ａを提供できる。

　図４は、第２実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｂを示す平面図である。図５は、図１に示すV-V線に沿う断面図である。前述の面発光レーザ装置１Ａは、第１コンタクト開口６７から間隔を空けて形成された第２コンタクト開口６８を有する絶縁膜６０を含む。これに対して、図４および図５を参照して、面発光レーザ装置１Ｂは、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８の間の領域に形成された第３コンタクト開口９０を有する絶縁膜６０を含む。

　第３コンタクト開口９０は、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８の間で第２除去部４０の第２内壁４１を露出させている。第３コンタクト開口９０は、第１除去部３０および第２除去部４０の連通部を露出させている。第３コンタクト開口９０は、この形態では、メサ構造３５側において第１コンタクト開口６７に連通し、基板２の周縁側（フレーム構造４５側）において第２コンタクト開口６８に連通している。第３コンタクト開口９０は、第１コンタクト開口６７の全域および第２コンタクト開口６８の全域に連通している。

　つまり、第３コンタクト開口９０は、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８と１つのコンタクト開口９１を形成している。換言すると、コンタクト開口９１は、第１実施形態に係る絶縁膜６０において第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８の間に介在された部分が取り除かれた構造を有している。コンタクト開口９１は、第１除去部３０の第１底壁３３から高濃度クラッド層１６を露出させている。コンタクト開口９１は、第２除去部４０の第２内壁４１から第１反射層１３、低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６を露出させている。コンタクト開口９１は、第２除去部４０の第２底壁４３から基板２を露出させている。

　第３コンタクト開口９０は、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８からか間隔を空けて形成されていてもよい。また、複数の第３コンタクト開口９０が、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８の間の領域に形成されていてもよい。複数の第３コンタクト開口９０は、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８のいずれか一方または双方にそれぞれ連通していてもよい。

　バイパス配線８０は、第１実施形態の場合と同様の態様で、メサ構造３５の周方向に沿って延びている。バイパス配線８０は、この形態では、第１～第３コンタクト開口６７、６８、９０（コンタクト開口９１）を被覆し、絶縁膜６０を挟んで第１除去部３０の壁面の一部および第２除去部４０の壁面の一部を被覆している。バイパス配線８０は、この形態では、第１～第３コンタクト開口６７、６８、９０の全域を被覆している。

　バイパス配線８０は、絶縁膜６０の上から第１～第３コンタクト開口６７、６８、９０内に入り込んでいる。バイパス配線８０は、第１除去部３０の第１底壁３３の上に位置する部分において、絶縁膜６０を挟んで高濃度クラッド層１６に対向する部分を含む。バイパス配線８０は、第２除去部４０の第２底壁４３の上に位置する部分において、絶縁膜６０を挟んで基板２に対向する部分を含む。バイパス配線８０は、第２除去部４０の第２内壁４１の上に位置する部分において、絶縁膜６０を挟んで第１反射層１３、低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６に対向する部分を含む。

　バイパス配線８０は、第１～第３コンタクト開口６７、６８、９０内において、第１除去部３０の第１底壁３３、第２除去部４０の第２内壁４１、および、第２除去部４０の第２底壁４３を被覆している。バイパス配線８０は、第１底壁３３（第１コンタクト開口６７内に位置する部分）において高濃度クラッド層１６に機械的および電気的に接続されている。バイパス配線８０は、第２底壁４３（第２コンタクト開口６８内に位置する部分）において基板２に機械的および電気的に接続されている。バイパス配線８０は、第２内壁４１（第３コンタクト開口９０内に位置する部分）において第１反射層１３、低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６に機械的および電気的に接続されている。

　以上、面発光レーザ装置１Ｂによっても、面発光レーザ装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

　図６は、第３実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｃを示す平面図である。図７は、図６に示すVII-VII線に沿う断面図である。前述の面発光レーザ装置１Ａは、有端の第２除去部４０、有端の第１コンタクト開口６７、有端の第２コンタクト開口６８、および、有端のバイパス配線８０を含む。これに対して、図６および図７を参照して、面発光レーザ装置１Ｃは、無端の第２除去部４０、無端の第１コンタクト開口６７、無端の第２コンタクト開口６８、および、無端のバイパス配線８０を含む。

　第２除去部４０は、この形態では、第１除去部３０の全周に連通するように、平面視においてメサ構造３５を取り囲む無端状（この形態では円環状）に形成されている。つまり、第１除去部３０は、第１内壁３１および第１底壁３３を含み、第１外壁３２を含まない。第２除去部４０の第２内壁４１は、全周に亘って第１反射層１３および第１クラッド層１４を露出させている。第２除去部４０の第２外壁４２は、全周に亘って第１半導体層１０、活性層１１および第２半導体層１２を露出させ、フレーム構造４５（第２側壁４８）を区画している。第２除去部４０の第２外壁４２の一部は、第１除去部３０の第１外壁３２を形成していると見なされてもよい。第２除去部４０の第２底壁４３は、全周に亘って基板２を露出させている。

　絶縁膜６０は、第１実施形態の場合と同様に、第１部分６１、第２部分６２、第３部分６３および第４部分６４を含む。第２部分６２は、この形態では、第１除去部３０の壁面（第１内壁３１および第１底壁３３）を全周に亘って被覆している。第１コンタクト開口６７は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を取り囲む無端状（この形態では円環状）に形成されている。第３部分６３は、この形態では、第２除去部４０の壁面（第２内壁４１、第２外壁４２および第２底壁４３）を全周に亘って被覆している。第２コンタクト開口６８は、この形態では、平面視において第１コンタクト開口６７およびメサ構造３５を取り囲む無端状（この形態では円環状）に形成されている。

　バイパス配線８０は、この形態では、平面視においてメサ構造３５を取り囲む無端状（この形態では円環状）に形成されている。バイパス配線８０は、第１コンタクト開口６７および第２コンタクト開口６８を全周に亘って被覆している。つまり、バイパス配線８０は、第１コンタクト開口６７から露出した第１クラッド層１４（高濃度クラッド層１６）に全周に亘って電気的に接続され、第２コンタクト開口６８から露出した基板２に全周に亘って電気的に接続されている。バイパス配線８０は、この形態では、メサ構造３５の周囲においてメサ構造３５を取り囲む電流経路を形成している。

　面発光レーザ装置１Ｃは、この形態では、バイパス配線８０の少なくとも一部を被覆する層間絶縁膜９２を含む。層間絶縁膜９２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。層間絶縁膜９２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む積層構造を有していてもよい。層間絶縁膜９２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。層間絶縁膜９２は、絶縁膜６０とは異なる絶縁体を含むことが好ましい。層間絶縁膜９２は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

　層間絶縁膜９２は、バイパス配線８０の延在方向（環状方向）の交差方向（好ましくは直交方向）にバイパス配線８０を横切るようにバイパス配線８０の少なくとも一部を被覆していればよい。つまり、層間絶縁膜９２は、メサ構造３５の第１頂面３７およびフレーム構造４５の第２頂面４７を結ぶ任意のラインに沿ってバイパス配線８０を横切るようにバイパス配線８０の少なくとも一部を被覆していればよい。

　層間絶縁膜９２は、この形態では、バイパス配線８０の全域を被覆している。また、層間絶縁膜９２は、この形態では、絶縁膜６０と同様の態様で、メサ構造３５の第１頂面３７、第１除去部３０の壁面、第２除去部４０の壁面およびフレーム構造４５の第２頂面４７を被覆し、第１除去部３０および第２除去部４０内においてバイパス配線８０を被覆している。層間絶縁膜９２は、この形態では、メサ構造３５の第１頂面３７を被覆する部分において、絶縁膜６０（第１部分６１）と第１メサ開口６５および第２メサ開口６６を区画している。

　第１主面電極７０は、この形態では、層間絶縁膜９２によってバイパス配線８０から電気的に絶縁されるように層間絶縁膜９２の上に配置されている。第１主面電極７０は、第１実施形態の場合と同様に、第１電極部７１、第２電極部７２および第３電極部７３を含む。この形態では、層間絶縁膜９２の形成態様によって第１主面電極７０の全体が層間絶縁膜９２の上に配置された構造が説明されるが、少なくとも第３電極部７３が層間絶縁膜９２の上に配置されていればよく、第１主面電極７０の全体が層間絶縁膜９２の上に配置されている必要はない。

　第１電極部７１は、第１実施形態の場合と同様の態様でメサ構造３５の第１頂面３７の上に配置されている。第１電極部７１は、この形態では、層間絶縁膜９２および絶縁膜６０（第１部分６１）を貫通してメサ構造３５の第１頂面３７に接続されている。第２電極部７２は、第１実施形態の場合と同様の態様でメサ構造３５外の領域（フレーム構造４５の第２頂面４７）の上に配置されている。

　第３電極部７３は、この形態では、第１電極部７１から層間絶縁膜９２の上に引き出され、第２電極部７２に向けて帯状に延びている。第３電極部７３は、層間絶縁膜９２を挟んでバイパス配線８０に交差する交差部７３ａを有している。交差部７３ａは、層間絶縁膜９２によってバイパス配線８０から電気的に絶縁されている。第３電極部７３は、交差部７３ａを介して第１除去部３０の壁面を通過し、フレーム構造４５の上で第２電極部７２に接続されている。これにより、第１主面電極７０は、層間絶縁膜９２によってバイパス配線８０から電気的に絶縁されている。

　以上、面発光レーザ装置１Ｃによっても、面発光レーザ装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。面発光レーザ装置１Ｃの構造は、第１主面電極７０および第２主面電極７５の間の抵抗値を削減する上で有効である。第２実施形態に係る第３コンタクト開口９０は、第３実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｃに適用されてもよい。つまり、第３実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｃにおいて、環状のコンタクト開口９１が適用されてもよい。

　図８は、第４実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｄを示す平面図である。図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。前述の面発光レーザ装置１Ａは、第２半導体層１２および活性層１１を掘り下げた第２除去部４０を含む。これに対して、図８および図９を参照して、面発光レーザ装置１Ｄは、第２半導体層１２および活性層１１を掘り下げない第２除去部４０を含む。

　第１除去部３０の第１内壁３１および第１外壁３２は、この形態では、平面視において第２半導体層１２の内方部を取り囲む環状にそれぞれ形成されている。第１除去部３０の第１底壁３３は、平面視において第２半導体層１２の内方部を取り囲む環状に形成されている。第１除去部３０は、第１内壁３１によってメサ構造３５を区画し、第１外壁３２によってフレーム構造４５を区画している。

　第２除去部４０は、この形態では、第１除去部３０の第１底壁３３においてメサ構造３５に対して第１方向Ｘの一方側（第３側面５Ｃ側）の領域に有端状に形成されている。第２除去部４０は、この形態では、第１除去部３０の第１内壁３１および第１外壁３２から間隔を空けて第１底壁３３から基板２に向けて掘り下がり、第１除去部３０の第１底壁３３に連通している。第２除去部４０は、第１クラッド層１４および第１反射層１３を貫通し、基板２を露出させている。第２除去部４０は、この形態では、コンタクト層１８、第２クラッド層１７および活性層１１を露出させていない。つまり、第２除去部４０は、この形態では、第１除去部３０内のみに形成され、フレーム構造４５を区画していない。

　第２除去部４０の第２内壁４１および第２外壁４２（一対の終端壁４２ａ）は、この形態では、第１除去部３０の第１底壁３３にそれぞれ連通している。第２内壁４１および第２外壁４２は、第１反射層１３および第１クラッド層１４をそれぞれ露出させ、コンタクト層１８、第２クラッド層１７および活性層１１を露出させていない。第２内壁４１および第２外壁４２は、この形態では、第１クラッド層１４側から基板２側に向けてそれぞれ斜め下り傾斜している。第２内壁４１および第２外壁４２は、法線方向Ｚに沿ってほぼ垂直に延びていてもよい。第２底壁４３は、第１実施形態の場合と同様の態様で、基板２を露出させている。

　前述の第１コンタクト開口６８は、前述の第１実施形態の場合と同様の態様で、第１除去部３０の第１底壁３３を露出させている。前述の第２コンタクト開口６８は、前述の第１実施形態の場合と同様の態様で、第２除去部４０の第２底壁４３を露出させている。前述のバイパス配線８０は、前述の第１実施形態の場合と同様の態様で、基板２および第１クラッド層１４に電気的に接続されている。

　バイパス配線８０は、この形態では、第１除去部３０の第１内壁３１および第１外壁３２の間の領域において第２除去部４０を被覆している。バイパス配線８０は、具体的には、第１内壁３１（メサ構造３５）および第１外壁３２（フレーム構造４５）から間隔を空けて第１除去部３０の第１底壁３３および第２除去部４０の第２底壁４３を被覆している。バイパス配線８０は、第１底壁３３において第１コンタクト開口６７の全域を被覆し、第２底壁４３において第２コンタクト開口６８の全域を被覆している。

　バイパス配線８０は、この形態では、第２除去部４０の全域を被覆している。つまり、バイパス配線８０の一対の端部８０ａは、第２除去部４０の一対の周端壁４０ａよりも外方に張り出している。バイパス配線８０は、第１除去部３０の第１底壁３３において第１クラッド層１４に電気的に接続され、第２除去部４０の第２底壁４３において基板２に電気的に接続されている。

　以上、面発光レーザ装置１Ｄによっても、面発光レーザ装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。第２実施形態に係る第３コンタクト開口９０は、第４実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｄに適用されてもよい。つまり、第４実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｄにおいて、コンタクト開口９１が適用されてもよい。また、第３実施形態に係る無端の第２除去部４０、無端の第１コンタクト開口６７、無端の第２コンタクト開口６８、無端のバイパス配線８０および層間絶縁膜９２は、第４実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｄに適用されてもよい。

　図１０は、第５実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｅを示す平面図である。図１１は、図１０に示すXI-XI線に沿う断面図である。前述の面発光レーザ装置１Ａは、第１除去部３０によって区画されたフレーム構造４５を含む。これに対して、図１０および図１１を参照して、面発光レーザ装置１Ｅは、第１半導体層１０の周縁（基板２の第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なる第１底壁３３を有し、第１外壁３２を有さない第１除去部３０を含む。つまり、面発光レーザ装置１Ｅは、フレーム構造４５を含まない。絶縁膜６０は、この形態では、第１部分６１、第２部分６２および第３部分６３を含み、第４部分６４を含まない。第２部分６２は、第１半導体層１０の周縁部を露出させる第１ダイシングストリート６９を区画している。

　第１主面電極７０は、第１実施形態の場合と同様に、第１電極部７１、第２電極部７２および第３電極部７３を含む。第２電極部７２は、この形態では、メサ構造３５外の領域としての第１除去部３０の第１底壁３３の上に配置されている。第２電極部７２は、絶縁膜６０（第２部分６２）を挟んで第１クラッド層１４（高濃度クラッド層１６）に対向している。第３電極部７３は、第１電極部７１から第１除去部３０の第１底壁３３の上に引き出され、第２電極部７２に接続されている。第３電極部７３は、絶縁膜６０（第２部分６２）を挟んで第１クラッド層１４（高濃度クラッド層１６）、第２半導体層１２および活性層１１に対向している。

　以上、面発光レーザ装置１Ｅによっても、面発光レーザ装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。第２実施形態に係る第３コンタクト開口９０は、第４実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｅに適用されてもよい。つまり、第５実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｅにおいて、コンタクト開口９１が適用されてもよい。また、第３実施形態に係る無端の第２除去部４０、無端の第１コンタクト開口６７、無端の第２コンタクト開口６８、無端のバイパス配線８０および層間絶縁膜９２は、第５実施形態に係る面発光レーザ装置１Ｅに適用されてもよい。

　図１２は、前述の各実施形態に適用される変形例を示す平面図である。図１２では、一例として前述の第１実施形態の変形例が示されており、図１２に示すII-II線は図２に示された断面図に対応している。

　前述の各実施形態では、第１除去部３０によって１つのメサ構造３５が区画された例が説明された。しかし、図１２に示されるように、少なくとも１つ（この形態では複数）の第１除去部３０によって複数のメサ構造３５が区画されていてもよい。この場合、複数のメサ構造３５毎に前述の各実施形態に係る構造（第２除去部４０、絶縁膜６０、第１コンタクト開口６７、第２コンタクト開口６８、バイパス配線８０、第１主面電極７０、第２反射層８５等）がそれぞれ適用される。

　この場合、第１主面電極７０は、複数のメサ構造３５に対応して、複数の第１電極部７１、１つまたは複数の第２電極部７２、および、複数の第３電極部７３を有していてもよい。むろん、複数の第２除去部４０は、隣り合う複数のメサ構造３５の間で接続されていてもよい。また、複数の第１コンタクト開口６７は、隣り合う複数のメサ構造３５の間で接続されていてもよい。また、複数の第２コンタクト開口６８は、隣り合う複数のメサ構造３５の間で接続されていてもよい。また、複数のバイパス配線８０は、隣り合う複数のメサ構造３５の間で接続されていてもよい。

　前述の各実施形態はさらに他の形態で実施できる。前述の各実施形態では、第１クラッド層１４が低濃度クラッド層１５および高濃度クラッド層１６を含む積層構造を有している例が説明された。しかし、第１クラッド層１４は、低濃度クラッド層１５を含まず、高濃度クラッド層１６からなる単層構造を有していてもよい。

　前述の各実施形態では、メサ構造３５の中心部が、平面視において基板２の中心部からずれている例が説明された。しかし、メサ構造３５の中心部は、平面視において基板２の中心部に重なっていてもよい。

　前述の各実施形態では、有端状の１つの第１コンタクト開口６７および有端状の１つの第２コンタクト開口６８が形成された例が説明された。しかし、有端状の複数の第１コンタクト開口６７がメサ構造３５の周方向に沿って配列されていてもよい。また、有端状の複数の第２コンタクト開口６８がメサ構造３５の周方向に沿って配列されていてもよい。

　前述の各実施形態では、バイパス配線８０がメサ構造３５から間隔を空けて形成された例が説明された。しかし、バイパス配線８０は、メサ構造３５を部分的に被覆する部分を有していてもよい。たとえば、バイパス配線８０の一部（内縁部）が、メサ構造３５の第１側壁３８（第１除去部３０の第１内壁３１）を被覆していてもよい。

　前述の各実施形態では、バイパス配線８０が第１除去部３０および第２除去部４０の外部に配置されていない例が説明された。しかし、バイパス配線８０の一部は、第１除去部３０および第２除去部４０の外部に配置されていてもよい。たとえば、バイパス配線８０の一部は、第１除去部３０の第１外壁３２および／または第２除去部４０の第２外壁４２を横切ってフレーム構造４５の第２頂面４７の上に配置されていてもよい。

　前述の各実施形態では、「第１導電型」が「ｎ型」、「第２導電型」がｐ型である例が説明されたが、「第１導電型」が「ｐ型」、「第２導電型」が「ｎ型」であってもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において「ｎ型領域」を「ｐ型領域」に置き換え、「ｎ型領域」を「ｐ型領域」に置き換えることによって得られる。

　前述の第１～第５実施形態の特徴はそれらの間で任意の態様で組み合わせられることができ、第１～第５実施形態の特徴のうちの少なくとも２つの特徴を同時に備えた面発光レーザ装置が採用されてもよい。つまり、第２実施形態の特徴が第１実施形態の特徴に組み合わせられてもよい。また、第３実施形態の特徴が第１～第２実施形態の特徴のいずれか一つに組み合わせられてもよい。また、第４実施形態の特徴が第１～第３実施形態の特徴のいずれか一つに組み合わせられてもよい。また、第５実施形態の特徴が第１～第４実施形態の特徴のいずれか一つに組み合わせられてもよい。

　以下、この明細書および図面から抽出される特徴の例を示す。以下の［Ａ１］～［Ａ２０］は、性能を向上できる面発光レーザ装置を提供する。

　［Ａ１］一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する第１導電型の基板と、前記第１主面の上に前記基板よりも低濃度に積層された第１導電型の反射層と、前記反射層の上に前記反射層よりも高濃度に積層された第１導電型のクラッド層と、前記クラッド層の上に積層された活性層と、前記活性層の上に積層された第２導電型の半導体層と、前記クラッド層を露出させるように前記半導体層および前記活性層を掘り下げて形成され、台地状のメサ構造を区画する第１除去部と、前記メサ構造から間隔を空けた位置から前記基板を露出させるように前記第１除去部の底部から前記クラッド層および前記反射層を掘り下げて形成された第２除去部と、前記第１除去部内において前記クラッド層に電気的に接続され、前記第２除去部内において前記基板に電気的に接続されたバイパス配線と、を含む、面発光レーザ装置。

　［Ａ２］前記メサ構造の上において前記半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の上において前記基板に電気的に接続された第２電極と、をさらに含み、前記バイパス配線は、前記第１電極および前記第２電極の間の電流経路の一部を形成している、Ａ１に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ３］前記第１電極は、前記メサ構造外に位置する部分を含む、Ａ２に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ４］前記第１電極は、外部接続部材に電気的および機械的に接続され、前記バイパス配線は、外部接続部材に電気的および機械的に接続されない、Ａ２またはＡ３に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ５］前記バイパス配線は、平面視において前記メサ構造との間から前記第１除去部の底部の一部を露出させるように前記メサ構造から間隔を空けて形成されている、Ａ１～Ａ４のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ６］前記第２除去部は、平面視において前記メサ構造に沿って延びる帯状に形成され、前記バイパス配線は、平面視において前記メサ構造に沿って延びる帯状に形成されている、Ａ１～Ａ５のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ７］前記第２除去部は、平面視において延在方向の直交方向に第１幅を有し、前記バイパス配線は、平面視において延在方向の直交方向に前記第１幅を超える第２幅を有している、Ａ６に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ８］前記第２除去部内において前記反射層を被覆する絶縁膜をさらに含み、前記バイパス配線は、前記第２除去部内において前記絶縁膜を挟んで前記反射層を被覆する部分を含む、Ａ１～Ａ７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ９］前記絶縁膜は、前記第１除去部の底部において前記クラッド層を被覆し、前記第２除去部の底部において前記基板を被覆し、前記バイパス配線は、前記絶縁膜を貫通して前記基板および前記クラッド層に電気的に接続されている、Ａ８に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１０］前記バイパス配線は、前記基板とオーミック接触を形成し、前記クラッド層とオーミック接触を形成している、Ａ１～Ａ９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１１］前記基板は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超える不純物濃度を有し、前記反射層は、１×１０^１７ｃｍ^－３以下の不純物濃度を有し、前記クラッド層は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超える不純物濃度を有している、Ａ１～Ａ１０のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１２］前記反射層は、不純物無添加である、Ａ１～Ａ１１のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１３］前記第１除去部によって前記メサ構造とは異なる領域に区画されたフレーム構造をさらに含み、前記第２除去部は、前記第１除去部の底部において前記フレーム構造および前記メサ構造の間の領域に形成されている、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１４］前記フレーム構造は、電気的に浮遊状態に形成されている、Ａ１３に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１５］前記フレーム構造は、平面視において前記メサ構造を取り囲んでいる、Ａ１３またはＡ１４に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１６］前記半導体層は、前記活性層の上に積層された第２導電型の第２クラッド層を含む、Ａ１～Ａ１５のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１７］前記半導体層は、前記第２クラッド層の上に前記第２クラッド層よりも高濃度に積層された第２導電型のコンタクト層を含む、Ａ１６に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１８］前記メサ構造内において前記半導体層の厚さ方向途中部に介在され、前記メサ構造内を流れる電流を狭窄する電流狭窄層をさらに含む、Ａ１～Ａ１７のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ１９］前記電流狭窄層は、電流経路となる第２導電型の電流通過層、および、電流経路を遮断する電流障壁層を含む、Ａ１８に記載の面発光レーザ装置。

　［Ａ２０］前記メサ構造の上に積層された第２反射層をさらに含む、Ａ１～Ａ１９のいずれか一つに記載の面発光レーザ装置。

　実施形態について詳細に説明してきたが、これらは技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によって限定される。

１Ａ　面発光レーザ装置
１Ｂ　面発光レーザ装置
１Ｃ　面発光レーザ装置
１Ｄ　面発光レーザ装置
１Ｅ　面発光レーザ装置
２　　基板
３　　第１主面
４　　第２主面
１０　第１半導体層
１１　活性層
１２　第２半導体層
１３　第１反射層
１４　第１クラッド層
１７　第２クラッド層
１８　コンタクト層
３０　第１除去部
３５　メサ構造
４０　第２除去部
４５　フレーム構造
５０　電流狭窄層
５１　電流通過層
５２　電流障壁層
６０　絶縁膜
６７　第１コンタクト開口
６８　第２コンタクト開口
７０　第１主面電極
７５　第２主面電極
８０　バイパス配線
８５　第２反射層

Claims

　一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する第１導電型の基板と、
　前記第１主面の上に前記基板よりも低濃度に積層された第１導電型の反射層と、
　前記反射層の上に前記反射層よりも高濃度に積層された第１導電型のクラッド層と、
　前記クラッド層の上に積層された活性層と、
　前記活性層の上に積層された第２導電型の半導体層と、
　前記クラッド層を露出させるように前記半導体層および前記活性層を掘り下げて形成され、台地状のメサ構造を区画する第１除去部と、
　前記メサ構造から間隔を空けた位置から前記基板を露出させるように前記第１除去部の底部から前記クラッド層および前記反射層を掘り下げて形成された第２除去部と、
　前記第１除去部内において前記クラッド層に電気的に接続され、前記第２除去部内において前記基板に電気的に接続されたバイパス配線と、を含む、面発光レーザ装置。
　前記メサ構造の上において前記半導体層に電気的に接続された第１電極と、
　前記第２主面の上において前記基板に電気的に接続された第２電極と、をさらに含み、
　前記バイパス配線は、前記第１電極および前記第２電極の間の電流経路の一部を形成している、請求項１に記載の面発光レーザ装置。
　前記第１電極は、前記メサ構造外に位置する部分を含む、請求項２に記載の面発光レーザ装置。
　前記第１電極は、外部接続部材に電気的および機械的に接続され、
　前記バイパス配線は、外部接続部材に電気的および機械的に接続されない、請求項２または３に記載の面発光レーザ装置。
　前記バイパス配線は、平面視において前記メサ構造との間から前記第１除去部の底部の一部を露出させるように前記メサ構造から間隔を空けて形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記第２除去部は、平面視において前記メサ構造に沿って延びる帯状に形成され、
　前記バイパス配線は、平面視において前記メサ構造に沿って延びる帯状に形成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記第２除去部は、平面視において延在方向の直交方向に第１幅を有し、
　前記バイパス配線は、平面視において延在方向の直交方向に前記第１幅を超える第２幅を有している、請求項６に記載の面発光レーザ装置。
　前記第２除去部内において前記反射層を被覆する絶縁膜をさらに含み、
　前記バイパス配線は、前記第２除去部内において前記絶縁膜を挟んで前記反射層を被覆する部分を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記絶縁膜は、前記第１除去部の底部において前記クラッド層を被覆し、前記第２除去部の底部において前記基板を被覆し、
　前記バイパス配線は、前記絶縁膜を貫通して前記基板および前記クラッド層に電気的に接続されている、請求項８に記載の面発光レーザ装置。
　前記バイパス配線は、前記基板とオーミック接触を形成し、前記クラッド層とオーミック接触を形成している、請求項１～９のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記基板は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超える不純物濃度を有し、
　前記反射層は、１×１０^１７ｃｍ^－３以下の不純物濃度を有し、
　前記クラッド層は、１×１０^１７ｃｍ^－３を超える不純物濃度を有している、請求項１～１０のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記反射層は、不純物無添加である、請求項１～１１のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記第１除去部によって前記メサ構造とは異なる領域に区画されたフレーム構造をさらに含み、
　前記第２除去部は、前記第１除去部の底部において前記フレーム構造および前記メサ構造の間の領域に形成されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記フレーム構造は、電気的に浮遊状態に形成されている、請求項１３に記載の面発光レーザ装置。
　前記フレーム構造は、平面視において前記メサ構造を取り囲んでいる、請求項１３または１４に記載の面発光レーザ装置。
　前記半導体層は、前記活性層の上に積層された第２導電型の第２クラッド層を含む、請求項１～１５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記半導体層は、前記第２クラッド層の上に前記第２クラッド層よりも高濃度に積層された第２導電型のコンタクト層を含む、請求項１６に記載の面発光レーザ装置。
　前記メサ構造内において前記半導体層の厚さ方向途中部に介在され、前記メサ構造内を流れる電流を狭窄する電流狭窄層をさらに含む、請求項１～１７のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
　前記電流狭窄層は、電流経路となる第２導電型の電流通過層、および、電流経路を遮断する電流障壁層を含む、請求項１８に記載の面発光レーザ装置。
　前記メサ構造の上に積層された第２反射層をさらに含む、請求項１～１９のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。