WO2022175781A1

WO2022175781A1 - 表示装置、表示モジュール、及び電子機器

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Publication number: WO2022175781A1
Application number: PCT/IB2022/051089
Authority: WO
Inventors: 山崎舜平; 岡崎健一; 江口晋吾; 方堂涼太
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-02-19
Filing date: 2022-02-08
Publication date: 2022-08-25
Also published as: JPWO2022175781A1; KR20230147648A; US20240099068A1; CN116868693A

Abstract

高精細な表示装置を提供する。第１、第２の発光デバイスと、第１、第２の着色層と、第１、第２、第３の絶縁体と、を有し、第１の着色層は、第１の発光デバイスに重畳して配置され、第２の着色層は、第２の発光デバイスに重畳して配置され、第１の発光デバイス、および第２の発光デバイスは、白色光を発する機能を有し、第１の着色層は、第２の着色層とは異なる色の可視光を透過する機能を有し、第１の発光デバイスは、第１の導電層と、第１の導電層上の第１の発光層と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の導電層と、第２の導電層上の第２の発光層と、を有し、第１の絶縁体は、第１の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第２の絶縁体は、第２の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第１の絶縁体、および第２の絶縁体は、第３の絶縁体の上に配置され、第３の絶縁体は、第１の導電層の端部および第２の導電層の端部を覆って配置される。

Description

表示装置、表示モジュール、及び電子機器

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　近年、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット型情報端末、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）などの情報端末機器が広く普及している。これらに設けられたディスプレイパネルにおいて、高精細なディスプレイパネルが要求されている。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２００２−３２４６７３号公報

　本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高開口率の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、上記表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の着色層と、第２の着色層と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、第１の着色層は、第１の発光デバイスに重畳して配置され、第２の着色層は、第２の発光デバイスに重畳して配置され、第１の発光デバイス、および第２の発光デバイスは、白色光を発する機能を有し、第１の着色層は、第２の着色層とは異なる色の可視光を透過する機能を有し、第１の発光デバイスは、第１の導電層と、第１の導電層上の第１の発光層と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の導電層と、第２の導電層上の第２の発光層と、を有し、第１の絶縁体は、第１の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第２の絶縁体は、第２の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第１の絶縁体、および第２の絶縁体は、第３の絶縁体の上に配置され、第３の絶縁体は、第１の導電層の端部および第２の導電層の端部を覆って配置される、表示装置である。

　上記において、第１の発光層は、第２の発光層と、同一の材料を有する、構成にしてもよい。

　上記において、第１の発光デバイスは、第１の発光層を含む第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、第２の発光ユニットは、第３の発光層を有し、第２の発光デバイスは、第２の発光層を含む第３の発光ユニットと、第３の発光ユニット上の第２の電荷発生層と、第２の電荷発生層上の第４の発光ユニットと、を有し、第４の発光ユニットは、第４の発光層を有する、ことが好ましい。また、上記において、第１の発光ユニットは、第３の発光ユニットと、同一の材料を有し、第１の電荷発生層は、第２の電荷発生層と、同一の材料を有し、第２の発光ユニットは、第４の発光ユニットと、同一の材料を有する構成にしてもよい。

　上記において、第１の発光ユニットは、第１の正孔注入層と、第１の正孔輸送層と、第１の電子輸送層と、を有し、第２の発光ユニットは、第２の正孔輸送層と、第２の電子輸送層と、を有し、第３の発光ユニットは、第２の正孔注入層と、第３の正孔輸送層と、第３の電子輸送層と、を有し、第４の発光ユニットは、第４の正孔輸送層と、第４の電子輸送層と、を有し、第１の絶縁体は、第１の正孔注入層の側面、第１の正孔輸送層の側面、第１の発光層の側面、第１の電子輸送層の側面、第１の電荷発生層の側面、第２の正孔輸送層の側面、第３の発光層の側面、および第２の電子輸送層の側面に接し、第２の絶縁体は、第２の正孔注入層の側面、第３の正孔輸送層の側面、第２の発光層の側面、第３の電子輸送層の側面、第２の電荷発生層の側面、第４の正孔輸送層の側面、第２の発光層の側面、および第４の電子輸送層の側面に接する、ことが好ましい。

　上記において、第１の絶縁体、および第２の絶縁体は、第１の層と、第１の層上の第２の層と、を有し、第１の絶縁体において、第１の層の側面は、第１の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第１の層の下面は、第３の絶縁体の少なくとも一部に接し、第２の層の側面および下面は、第１の層の少なくとも一部に接し、第２の絶縁体において、第１の層の側面は、第２の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、第１の層の下面は、第３の絶縁体の少なくとも一部に接し、第２の層の側面および下面は、第１の層の少なくとも一部に接する、ことが好ましい。また、上記において、第１の層は、酸化アルミニウムを含み、第２の層は、窒化シリコンを含む、ことが好ましい。

　上記において、第１の発光層の側面と、第２の発光層の側面は、対向しており、第１の発光層の側面と、第２の発光層の側面との間の距離が８μｍ以下である、ことが好ましい。

　本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられた表示モジュール、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装された表示モジュール等の表示モジュールである。

　本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器である。

　本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高開口率の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、上記表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｅは、表示装置の画素の一例を示す上面図である。
図５Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｇは、表示装置の画素の一例を示す上面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す図である。
図１４は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１５Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１５Ｂ及び図１５Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示モジュールの構成例を示す図である。
図１８は、表示装置の構成例を示す図である。
図１９は、表示装置の構成例を示す図である。
図２０は、表示装置の構成例を示す図である。
図２１Ａ及び図２１Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図１乃至図１３を用いて説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、表示部に、画素がマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。当該画素は、白色光を発する発光デバイスと、当該発光デバイスと重畳する着色層と、を有する。各画素において、異なる色の可視光を透過する着色層を用いることで、フルカラー表示を行うことができる。さらに、各画素に用いられる発光デバイスは、同一の材料を用いて形成することができるので、製造工程を簡略化し、製造コストを低減することができる。

　発光デバイスとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬデバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　各画素の発光デバイスを、白色発光の有機ＥＬデバイスで形成する場合、各画素において、発光層の塗分けを行う必要がない。よって、発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層など）を、各画素で共通にすることができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層には、比較的導電性が高い層もあり、導電性が高い層が各画素で共通で設けられることで、画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示装置が高精細化または高開口率化され、画素間の距離が小さくなると、当該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下などを引き起こす恐れがある。そこで、本発明の一態様に係る表示装置では、各画素において、発光デバイスの少なくとも一部を島状に形成することで、表示装置の高精細化を図る。ここで、当該発光デバイスの島状に形成する部分には、発光層を含むものとする。

　例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極（下部電極ともいえる）を形成し、発光層を含む層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、ＥＬ層上に犠牲層を形成する。そして、犠牲層上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、ＥＬ層と犠牲層を加工することで、島状のＥＬ層を形成する。なお、本明細書等において、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。

　このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、８μｍ以下、６μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。さらに、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。

　また、ＥＬ層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、ＥＬ層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、ＥＬ層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。

　なお、白色光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を島状に形成する必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を画素ごとに島状に形成した後、犠牲層を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（例えば、キャリア注入層など）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を共通して形成することができる。

　一方で、キャリア注入層は、発光デバイスの中では、比較的導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状のＥＬ層の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極のみを発光デバイス間で共通して形成する場合についても、共通電極と、島状のＥＬ層の側面、または、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。

　そこで、本発明の一態様の表示装置は、島状のＥＬ層の側面に接して側壁状の絶縁体を設け、且つ島状の画素電極の端部を覆って土手状の絶縁体を設ける構成にする。これにより、島状のＥＬ層が、キャリア注入層または共通電極と接することを抑制できる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

［発光デバイスの構成例］
　ここで、図２及び図３を用いて、発光デバイスおよび着色層の構成例を説明する。

　図２Ａに、表示装置５００の断面概略図を示す。表示装置５００は、白色の光を発する発光デバイス５５０Ｗを複数有しており、それぞれの発光デバイス５５０Ｗの上には、赤色の光を透過させる着色層５４５Ｒ、緑色の光を透過させる着色層５４５Ｇ、または青色の光を透過させる着色層５４５Ｂが設けられる。ここで、着色層５４５Ｒ、着色層５４５Ｇ、および着色層５４５Ｂは、保護層５４０を介して、発光デバイス５５０Ｗ上に設けられることが好ましい。

　発光デバイス５５０Ｗは、一対の電極（電極５０１、電極５０２）の間に、中間層５３１を介して２つの発光ユニット（発光ユニット５１２Ｑ＿１、発光ユニット５１２Ｑ＿２）が積層された構成を有する。

　電極５０１は、画素電極として機能し、発光デバイス毎に設けられる。電極５０２は、共通電極として機能し、複数の発光デバイスに共通に設けられる。

　発光ユニット５１２Ｑ＿１は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｑ＿１、層５２４等を有する。発光ユニット５１２Ｑ＿２は、層５２２、発光層５２３Ｑ＿２、層５２４等を有する。また、発光デバイス５５０Ｗは、発光ユニット５１２Ｑ＿２と、電極５０２との間に層５２５などを有する。なお、層５２５を発光ユニット５１２Ｑ＿２の一部とみなすこともできる。

　層５２１は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）などを有する。層５２２は、例えば正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）などを有する。層５２４は、例えば電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有する。層５２５は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）などを有する。

　または、層５２１が電子注入層を有し、層５２２が電子輸送層を有し、層５２４が正孔輸送層を有し、層５２５が正孔注入層を有する構成としてもよい。

　図２Ａにおいては、層５２１と、層５２２と、を分けて明示したがこれに限定されない。例えば、層５２１が正孔注入層と、正孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、あるいは層５２１が電子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合においては、層５２２を省略してもよい。

　また、中間層５３１は、電極５０１と電極５０２との間に電圧を印加したときに、発光ユニット５１２Ｑ＿１及び発光ユニット５１２Ｑ＿２のうち、一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。中間層５３１は、電荷発生層と呼ぶこともできる。

　中間層５３１としては、例えば、フッ化リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　発光デバイス５５０Ｗが有する発光層５２３Ｑ＿１の発光色と発光層５２３Ｑ＿２の発光色を補色の関係にすることで、発光デバイス５５０Ｗを白色発光する発光デバイスとすることができる。発光層５２３Ｑ＿１、５２３Ｑ＿２には、それぞれ、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を含むことが好ましい。または、発光層５２３Ｑ＿１、５２３Ｑ＿２が有する発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

　ここで、発光デバイス５５０Ｗに用いることができる、各発光ユニットが有する発光層の発光色の組み合わせの一例を説明する。

　例えば、発光デバイス５５０Ｗが、２つの発光ユニットを有する場合、一方の発光ユニットで赤色と緑色の発光、他方の発光ユニットで青色の発光を得ることで、白色発光する発光デバイス５５０Ｗを得ることができる。または、一方の発光ユニットで黄色または橙色の発光、他方の発光ユニットで青色の発光を得ることで、白色発光する発光デバイス５５０Ｗを得ることができる。

　また、例えば、発光デバイス５５０Ｗが、３つの発光ユニットを有する場合、いずれか一つの発光ユニットから赤色の発光、他の一つの発光ユニットから緑色の発光、残りの一つの発光ユニットから青色の発光を得ることで、白色発光する発光デバイス５５０Ｗを得ることができる。また、第１の発光ユニットに青色発光の発光層を用い、第２の発光ユニットに黄色発光、黄緑色発光、または緑色発光の発光層を用い、第３の発光ユニットに青色発光の発光層を用いることができる。また、第１の発光ユニットに青色発光の発光層を用い、第２の発光ユニットに赤色発光の発光層と、黄色発光、黄緑色発光、または緑色発光の発光層と、の積層構造を用い、第３の発光ユニットに青色発光の発光層を用いることができる。

　また、例えば、発光デバイス５５０Ｗが、４つの発光ユニットを有する場合、第１の発光ユニットに青色発光の発光層を用い、第２の発光ユニットと第３の発光ユニットのうち一方に赤色発光の発光層を用い、他方に黄色発光、黄緑色発光、または緑色発光の発光層を用い、第４の発光ユニットに青色発光の発光層を用いることができる。

　このような、白色発光が可能な発光デバイス５５０Ｗの上に、着色層５４５Ｒ、着色層５４５Ｇ、または着色層５４５Ｂを設けることで、画素ごとに赤色発光、緑色発光、または青色発光を行い、フルカラー表示を行うことができる。なお、図２等においては、赤色の光を透過する着色層５４５Ｒ、緑色の光を透過する着色層５４５Ｇ、および青色の光を透過する着色層５４５Ｂを設ける例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。着色層が透過する色の可視光は、少なくとも２色以上の互いに異なる色の可視光にすればよく、例えば赤、緑、青、シアン、マゼンタ、または黄などから適宜選択すればよい。

　よって、層５２１、層５２２、層５２４、層５２５、発光層５２３Ｑ＿１、および発光層５２３Ｑ＿２は、各色の画素において、同一の構成（材料、膜厚など）にしても、着色層を適宜設けることで、フルカラー表示を行うことができる。ゆえに、本発明の一態様に係る表示装置は、画素ごとに発光デバイスを作り分ける必要がないので、作製工程を簡略化でき、製造コストを低減することができる。ただし、本発明はこれに限られるものではなく、５２１、層５２２、層５２４、層５２５、発光層５２３Ｑ＿１、および発光層５２３Ｑ＿２のいずれか一または複数を、画素によって異なる構成にすることもできる。

　発光デバイス５５０Ｗのように、複数の発光ユニットが中間層５３１を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。一方、一対の電極間に一つの発光ユニットを有する構成を、シングル構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、タンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、表示装置の消費電力を低減し、信頼性を高めることができる。

　図２Ａにおいて、発光ユニット５１２Ｑ＿１、中間層５３１、発光ユニット５１２Ｑ＿２、層５２５を、島状の層として形成することができる。

　図２Ｂは、図２Ａに示す表示装置５００の変形例である。図２Ｂに示す表示装置５００は、層５２５を、電極５０２と同様に、各発光デバイス間で共通に設けた場合の例である。このとき、層５２５を共通層と呼ぶことができる。このように、複数の発光デバイスに１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製造コストを低減することができる。なお、共通層に特に限定はない。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一種以上の層を共通層とすることができる。例えば、正孔注入層と正孔輸送層を各発光デバイス間で共通に設けてもよい。

　図３Ａに示す表示装置５００は、発光デバイス５５０Ｗが、３つの発光ユニットを積層した構成を有する場合の例である。図３Ａにおいて、発光デバイス５５０Ｗは、発光ユニット５１２Ｑ＿２上にさらに中間層５３１を介して発光ユニット５１２Ｑ＿３が積層されている。発光ユニット５１２Ｑ＿３は、層５２２、発光層５２３Ｑ＿３、層５２４等を有する。

　発光デバイスにタンデム構造を適用する場合、発光ユニットの数は特に限定されず、２つ以上とすることができる。

　図３Ｂでは、ｎ個の発光ユニット（ｎは２以上の整数）を積層した場合の例を示している。

　このように、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ電流量で発光デバイスから得られる輝度を、積層数に応じて高めることができる。また、発光ユニットの積層数を増やすことにより、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、発光デバイスの消費電力を、積層数に応じて低減することができる。

　なお、表示装置５００において、発光層の発光材料は特に限定されない。例えば、図２Ａに示す表示装置５００において、発光ユニット５１２Ｑ＿１が有する発光層５２３Ｑ＿１は燐光材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料を有する構成とすることができる。または、発光ユニット５１２Ｑ＿１が有する発光層５２３Ｑ＿１は蛍光材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２が有する発光層５２３Ｑ＿２は燐光材料を有する構成とすることができる。

　なお、発光ユニットの構成については、上記に限定されない。例えば、図２Ａに示す表示装置５００において、発光ユニット５１２Ｑ＿１が有する発光層５２３Ｑ＿１はＴＡＤＦ材料を有し、発光ユニット５１２Ｑ＿２が有する発光層５２３Ｑ＿２は蛍光材料、または燐光材料のいずれか一を有する構成としてもよい。このように異なる発光材料を用いる、例えば、信頼性の高い発光材料と、発光効率の高い発光材料と、を組み合わせることで、それぞれの欠点を補い、信頼性、及び発光効率の双方を高めた表示装置とすることができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、全ての発光層を蛍光材料とする構成としてもよいし、全ての発光層を燐光材料とする構成としてもよい。

［表示装置の構成例］
　次に、図１Ａ及び図１Ｂを用いて、本発明の一態様の表示装置について説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　図１Ａに表示装置１００の上面図（平面図とよぶこともできる。）を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。１つの画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、および１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

　なお、副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。

　本実施の形態では、副画素１１０ａ、１１０ｂ、および１１０ｃが、白色発光する発光デバイスを有し、その上に設けられた着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ（以下、まとめて着色層１２５と呼ぶ場合がある。）によって、それぞれの副画素が異なる色の光を発する例を示す。例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、図２Ａ等に示す、着色層５４５Ｒを有する副画素、着色層５４５Ｇを有する副画素、着色層５４５Ｂを有する副画素に相当する。

　図１Ａでは、上面視（平面視と呼ぶこともできる）で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、Ｙ１−Ｙ２間、及びＹ３−Ｙ４間の断面図を示す。

　図１Ｂに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ（以下、まとめて発光デバイス１３０と呼ぶ場合がある。）が設けられ、これら発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。ここで、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃの側面に絶縁体１２４が設けられている。また、保護層１３１上には、着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃが設けられている。さらにその上に、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態２で後述する。

　発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、白色（Ｗ）の光を発することが好ましい。これらの上にそれぞれ異なる色の光を透過する、着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃを設けることで、異なる色の光を発する副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃを形成することができる。

　発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。

　発光デバイス１３０ａは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の第１の層１１３と、第１の層１１３上の第２の層１１４と、第２の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。なお、第１の層１１３と第２の層１１４とをまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。また、発光デバイス１３０ｂは、画素電極１１１ａの代わりに画素電極１１１ｂが設けられている点が発光デバイス１３０ａと異なる。また、発光デバイス１３０ｃは、画素電極１１１ａの代わりに画素電極１１１ｃが設けられている点が発光デバイス１３０ａと異なる。以下、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃをまとめて、画素電極１１１と呼ぶ場合がある。

　第１の層１１３は、画素電極１１１ａ上の第１の発光ユニット１９２と、第１の発光ユニット１９２上の中間層１９１と、中間層１９１上の第２の発光ユニット１９４と、を有する。例えば、第１の発光ユニット１９２は、画素電極１１１ａ上の第１の正孔注入層１８１ａと、第１の正孔注入層１８１ａ上の第１の正孔輸送層１８２ａと、第１の正孔輸送層１８２ａ上の第１の発光層１８３ａと、第１の発光層１８３ａ上の第１の電子輸送層１８４ａと、を有する。また、例えば、第２の発光ユニット１９４は、中間層１９１上の第２の正孔輸送層１８２ｂと、第２の正孔輸送層１８２ｂ上の第２の発光層１８３ｂと、第２の発光層１８３ｂ上の第２の電子輸送層１８４ｂと、を有する。

　第１の発光ユニット１９２、中間層１９１、及び、第２の発光ユニット１９４は、それぞれ、例えば、図２Ａに示す、発光ユニット５１２Ｑ＿１、中間層５３１、及び、発光ユニット５１２Ｑ＿２と同様の構成を適用することができる。つまり、第１の発光ユニット１９２は、層５２１、層５２２、発光層５２３Ｑ＿１、層５２４等を有することができる。よって、第１の正孔注入層１８１ａは層５２１に、第１の正孔輸送層１８２ａは層５２２に、第１の発光層１８３ａは発光層５２３Ｑ＿１に、第１の電子輸送層１８４ａは層５２４に相当する。また、第２の発光ユニット１９４は、層５２２、発光層５２３Ｑ＿２、層５２４等を有することができる。よって、第２の正孔輸送層１８２ｂは層５２２に、第２の発光層１８３ｂは発光層５２３Ｑ＿２に、第２の電子輸送層１８４ｂは層５２４に相当する。

　第２の層１１４は、発光デバイス１３０ａ乃至１３０ｃが共通で有する層である。第２の層１１４は、例えば、電子注入層を有する。または、第２の層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよい。

　共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される。これにより、各色の発光デバイスが有する共通電極１１５には、同電位が供給される。

　画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。また、上記の金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜積層して、発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成してもよい。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。また、これらの電極の近赤外光（波長７５０ｎｍ以上１３００ｎｍ以下の光）の透過率または反射率は、可視光の透過率または反射率と同様に、上記の数値範囲を満たすことが好ましい。

　第１の層１１３において、第１の発光ユニット１９２と第２の発光ユニット１９４は、それぞれ発光層を有する。複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成を適用することが好ましい。第１の発光ユニット１９２、及び、第２の発光ユニット１９４は、それぞれ、発光層を１層または複数層有することができる。

　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、熱活性化遅延蛍光材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　第１の層１１３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、第１の層１１３は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。

　第２の層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有することができる。例えば、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃが陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、第２の層１１４は、電子注入層を有することが好ましい。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　発光デバイスにおいて、正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　発光デバイスにおいて、電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。

　または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　また、複数種の物質を混合した材料（複合材料とも呼称する）を、第１の層１１３に用いることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体と、電子輸送性材料とを含む複合材料を、第１の層１１３に用いることができる。なお、電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上であるとより好ましい。

　または、アクセプター性材料と正孔輸送性材料との複合材料を、第１の層１１３に用いることができる。具体的には、アクセプター性材料と、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質との複合材料を、第１の層１１３に用いることができる。当該複合材料を第１の層１１３に用いることで、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

　なお、本明細書等において、第１の層１１３に、上述の複合材料を用いる発光デバイスをＲｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ−Ｓｉｔｅ　Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ構造（ＲｅＳＴＩ構造）と呼称する場合がある。

　発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜または無機絶縁膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止することができ、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃに不純物（水分、酸素など）が入り込むことを抑制することができる。これにより、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　保護層１３１は、それぞれ、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。例えば、共通電極１１５に銀とマグネシウムの合金などの不純物（水分、酸素など）で劣化しやすい金属を用いる場合、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などを保護層１３１として用いることができる。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造などを用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水、酸素など）を抑制することができる。

　さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。

　保護層１３１上には、着色層１２５（着色層１２５ａ、着色層１２５ｂ、及び着色層１２５ｃ）が設けられる。着色層１２５ａは発光デバイス１３０ａと重なる領域を有し、着色層１２５ｂは発光デバイス１３０ｂと重なる領域を有し、着色層１２５ｃは発光デバイス１３０ｃと重なる領域を有する。着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃは、少なくともそれぞれの発光デバイス１３０が有する発光層と重なる領域を有する。

　着色層１２５ａ、着色層１２５ｂ、及び着色層１２５ｃは、互いに異なる色の光を透過する機能を有する。例えば、着色層１２５ａは赤色の光を透過する機能を有し、着色層１２５ｂは緑色の光を透過する機能を有し、着色層１２５ｃは青色の光を透過する機能を有する。これにより、表示装置１００は、フルカラー表示を行うことができる。なお、着色層１２５ａ、着色層１２５ｂ、及び着色層１２５ｃは、シアン、マゼンタ、及び黄色の光のいずれかを透過する機能を有してもよい。

　ここで、隣接する着色層１２５は、重なる領域を有することが好ましい。具体的には、発光デバイス１３０と重ならない領域において、隣接する着色層１２５が重なる領域を有することが好ましい。異なる色の光を透過する着色層１２５が重なることで、着色層１２５が重なる領域において、着色層１２５を遮光層として機能させることができる。よって、発光デバイス１３０が発する光が隣接する副画素に漏れることを抑制できる。例えば、着色層１２５ａと重なる発光デバイス１３０ａが発する光が、着色層１２５ｂに入射されることを抑制できる。よって、表示装置に表示される画像のコントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　なお、隣接する着色層１２５が重なる領域を有さなくてもよい。この場合、発光デバイス１３０と重ならない領域に、遮光層を設けることが好ましい。遮光層は、例えば基板１２０の樹脂層１２２側の面に設けることができる。また、着色層１２５を、基板１２０の樹脂層１２２側の面に設けてもよい。

　また、保護層１３１上に着色層１２５を形成することで、基板１２０上に着色層１２５を形成する場合に比べて、各発光デバイス１３０と各着色層１２５との位置合わせが容易であり、極めて高精細な表示装置を実現できる。

　画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのそれぞれの端部は、絶縁体１２１によって覆われている。絶縁体１２１は、バンク、隔壁、障壁、または土手などと呼ぶこともできる。このような、絶縁体１２１を設けることで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃに第２の層１１４または共通電極１１５などが接することを防ぐことができるので、発光デバイス１３０がショートするのを抑制することができる。

　また、絶縁体１２１は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのそれぞれの上に開口を有しており、当該開口において、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは、それぞれ第１の発光ユニット１９２の下部（例えば、第１の正孔注入層１８１ａ）と接する。つまり、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのそれぞれの端部または端部近傍において、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、または１１１ｃと、第１の正孔注入層１８１ａの間に、絶縁体１２１の一部が設けられている。

　絶縁体１２１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。

　絶縁体１２１に用いることができる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁体１２１に用いることができる無機絶縁膜としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　画素電極の端部を覆う絶縁体１２１として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に比べて、発光デバイスに不純物が入りにくく、発光デバイスの信頼性を高めることができる。画素電極の端部を覆う絶縁体１２１として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べて、段差被覆性が高く、画素電極の形状の影響を受けにくい。そのため、発光デバイスのショートを防止できる。具体的には、絶縁体１２１として、有機絶縁膜を用いると、絶縁体１２１の形状をテーパー形状などに加工することができる。なお、本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパー角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

　絶縁体１２４は、絶縁体１２１の上に、発光デバイス１３０の側面の少なくとも一部に接して設けられる。このとき、絶縁体１２４は、第１の発光ユニット１９２の側面、中間層１９１の側面、および第２の発光ユニット１９４の側面の少なくとも一部に接していることが好ましい。例えば、図１Ｂに示すように、絶縁体１２４が、第１の正孔注入層１８１ａの側面、第１の正孔輸送層１８２ａの側面、第１の発光層１８３ａの側面、第１の電子輸送層１８４ａの側面、中間層１９１の側面、第２の正孔輸送層１８２ｂの側面、第２の発光層１８３ｂの側面、および第２の電子輸送層１８４ｂの側面と接する構成にすることができる。このように、発光デバイスの側面の少なくとも一部が絶縁体１２４に覆われる構成にすることで、第２の層１１４が、第１の発光ユニット１９２、中間層１９１、および第２の発光ユニット１９４のいずれかの側面と接することを抑制できる。以上により、発光デバイス１３０のショートを抑制することができる。なお、絶縁体１２４は、側壁、側壁保護層、またはサイドウォール絶縁膜などと呼ぶこともできる。

　図１Ｂには、絶縁体１２４が絶縁体１２４ａと、絶縁体１２４ａ上の絶縁体１２４ｂの２層構造である例を示している。絶縁体１２４ａの側面は、発光デバイス１３０の側面の少なくとも一部に接し、絶縁体１２４ａの下面は、絶縁体１２１の少なくとも一部に接することが好ましい。また、絶縁体１２４ｂの側面および下面は、絶縁体１２４ａの少なくとも一部に接することが好ましい。

　また、絶縁体１２４ｂの基板１２０の基板面に垂直な方向の厚さは、絶縁体１２４ｂの基板１２０の基板面に平行な方向の厚さより厚くすることができる。また、絶縁体１２４ｂの上端部の形状は、ラウンド状とすることができる。絶縁体１２４ｂの上端部の形状をラウンド状とすることで、第２の層１１４、共通電極１１５、及び保護層１３１の被覆性が高まるため好ましい。

　絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。

　絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂは、例えばスパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法を含む）、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。特に、ＡＬＤ法は被形成層に対する成膜ダメージが小さいため、第１の発光ユニット１９２、中間層１９１、および第２の発光ユニット１９４に直接接する、絶縁体１２４ａは、ＡＬＤ法を用いて成膜することが好ましい。また、このとき、絶縁体１２４ｂはスパッタリング法などを用いて成膜すると、生産性を高めることができるため好ましい。

　例えば、絶縁体１２４ａにＡＬＤ法により成膜した酸化アルミニウム膜を用い、絶縁体１２４ｂに、スパッタリング法により成膜した窒化シリコン膜を用いることができる。

　また、絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂの一方または双方は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂの一方または双方は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。または、絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂの一方または双方は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁膜とは、バリア性を有する絶縁膜のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

　絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂの一方または双方が、上述のバリア絶縁膜の機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光素子に拡散しうる不純物（代表的には、水または酸素）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の優れた表示装置を提供することができる。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　なお、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現することができる。また、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

　また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

　また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、または製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

　本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。ここで、発光デバイス間の距離は、例えば、隣接する画素電極１１１の対向する側面の間の距離とすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離を、８μｍ以下、６μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。さらに、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍにまで間隔を狭めることもできる。

　図１Ａにおいては、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃがストライプ配列の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。以下に、図４乃至図６を用いて、図１Ａに示すものとは異なる画素配列の例について説明する。

　図４Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図４Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。ここでは、２行２列の副画素の配列において、２列目の副画素１１０ｂと副画素１１０ｃは、それぞれ１行目と２行目に配置させているが、１列目の副画素１１０ａは、１行目と２行目に渡って配置させている。例えば、副画素１１０ａを青色の副画素とし、副画素１１０ｂを赤色の副画素とし、副画素１１０ｃを緑色の副画素としてもよい。

　図４Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、副画素１１０ａを緑色の副画素とし、副画素１１０ｂを赤色の副画素とし、副画素１１０ｃを青色の副画素としてもよい。

　図４Ｃに示す画素１２８ａ、１２８ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図４Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２８ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２８ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、副画素１１０ａを青色の副画素とし、副画素１１０ｂを緑色の副画素とし、副画素１１０ｃを赤色の副画素としてもよい。

　図４Ｄ及び図４Ｅに示す画素１２８ａ、１２８ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２８ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２８ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

　図４Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図４Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　また、図１Ａでは、副画素を３つ設ける構成を示したが、本発明はこれに限られるものではない。副画素を４つ以上設ける構成にしてもよい。図５Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ｄも、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃと同様に、白色光を発する発光デバイス１３０ｄを有する。図５Ｂに示すように、発光デバイス１３０ｄは、画素電極１１１ｄと、第１の層１１３と、第２の層１１４と、共通電極１１５と、を有する。ただし、副画素１１０ｄは、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃと異なり、着色層を有さない。このような構成にすることで、例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、それぞれ、赤色、緑色、青色の副画素とすることができ、副画素１１０ｄは白色の副画素とすることができる。

　図５Ａでは、１つの画素１１０が、２行３列で配置されている例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図６Ａ乃至図６Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。図６Ａ乃至図６Ｃに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。

　図６Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図６Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図６Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図６Ｄ乃至図６Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。図６Ｄ乃至図６Ｆに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。

　図６Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図６Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図６Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図６Ｇに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄ１、副画素１１０ｄ２、副画素１１０ｄ３の、６つの副画素から構成される。図６Ｇの副画素１１０ｄ１、１１０ｄ２、１１０ｄ３は、図５Ａに示す副画素１１０ｄを、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃに平行にして分離したものである。ここで、副画素１１０ｄ１、１１０ｄ２、１１０ｄ３は、トランジスタを含む層１０１において、同一のトランジスタに電気的に接続される構成にしてもよい。

　図６Ｇに示すような構成にすることで、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ１、１１０ｄ２、１１０ｄ３の間に形成される隘路が、Ｘ方向またはＹ方向に表示装置１００を横切るように形成される。これにより、表示装置１００を作製する際の洗浄工程において、当該隘路をゴミなどが流れやすくなり、製造過程で生じるゴミが表示装置に混入するのを防ぐことができる。

　次に、図７乃至図９を用いて、表示装置１００の断面形状の変形例について説明する。

　図７Ａに示すように、隣接する発光デバイス１３０の間において、絶縁体１２１の上部に凹部が形成される場合がある。例えば、絶縁体１２１の、第１の層１１３と重畳しない領域に第１の凹部が形成される場合がある。このとき、第１の凹部の底面に絶縁体１２４の下面が接する場合がある。また、例えば、第１の凹部の中の、絶縁体１２４と重畳しない領域に第２の凹部が形成される場合がある。このとき、第２の凹部の底面に第２の層１１４の一部が接する場合がある。

　また、図１Ｂでは、第２の層１１４が隣接する絶縁体１２４の間の領域などに入り込んでいる例を示したが、図７Ｂに示すように、当該領域に、空隙１３３が形成されてもよい。

　空隙１３３は、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、及び第１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等）の中から選ばれるいずれか一または複数を有する。

　また、空隙１３３の屈折率が、第２の層１１４の屈折率より低い場合、発光デバイスから発せられる光が、第２の層１１４と空隙１３３との界面で反射する。これにより、発光デバイスから発せられる光が、隣接する画素（または副画素）に入射することを抑制することができる。よって、異なる画素の光が混色することを抑制できるため、表示装置の表示品位を高めることができる。

　また、図１Ｂでは、絶縁体１２４が、絶縁体１２４ａと、絶縁体１２４ａ上の絶縁体１２４ｂを有する例を示したが、図８Ａに示すように、絶縁体１２４は単層構造にしてもよい。絶縁体１２４は、上述の絶縁体１２４ａまたは絶縁体１２４ｂに用いることが可能な材料を用いて形成すればよい。

　また、図１Ｂでは、絶縁体１２４の上端が、第２の電子輸送層１８４ｂの上面と概略一致する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図８Ｂに示すように、絶縁体１２４ａ及び絶縁体１２４ｂのいずれか一方または両方の上端が、第２の電子輸送層１８４ｂの上面よりも突出する構成になってもよい。このような構成にすることで、絶縁体１２４が、第１の層１１３の側面を上端まで覆うことができるので、発光デバイス１３０のショートをより抑制することができる。

　また、図１Ｂでは、着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃが保護層１３１の上面に接する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図９Ａに示すように、保護層１３１を覆って、平坦性の良好な絶縁層１２６を設け、絶縁層１２６の上に着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃを設ける構成にしてもよい。ここで、絶縁層１２６は、例えば、絶縁体１２１に用いることが可能な、有機絶縁材料または無機絶縁材料などを用いればよい。さらに、着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃの上に、樹脂層１２２を設けて、基板１２０を貼り合わせればよい。

　また、図９Ｂに示すように、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃの上に、可視光を透過する機能を有する導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃ（以下、まとめて導電層１１２と呼ぶ場合がある。）を設ける構成にしてもよい。また、このとき、導電層１２３も同様に、導電層１２３ａと導電層１２３ｂの積層構造になる。

　導電層１１２としては、上述の可視光に対して透過性を有する導電膜を用いることができる。また、導電層１１２としては、上記可視光を反射する導電膜を、可視光が透過する程度に薄く形成した膜を用いることができる。また、当該導電膜と上記可視光を透過する導電膜との積層構造とすることで、導電性および機械的な強度を高めることができる。

　図９Ｂに示すように、導電層１１２は、画素電極１１１と第１の正孔注入層１８１ａの間に配置される。導電層１１２は、画素電極１１１上に位置する。

　また図９Ｂに示すように、各発光デバイス１３０に備わる導電層１１２は、発光デバイスごとに異なる厚みを有することが好ましい。例えば、着色層１２５ａが赤色光を透過し、着色層１２５ｂが緑色光を透過し、着色層１２５ｃが青色光を透過する場合、３つの導電層１１２のうち、導電層１１２ａの厚さを最も厚くし、導電層１１２ｃの厚さを最も薄くすればよい。ここで各発光デバイスにおける画素電極１１１の上面と共通電極１１５の下面との距離は、着色層１２５ａと重なる発光デバイス１３０において最も大きく、着色層１２５ｃと重なる発光デバイス１３０において最も小さい。それぞれの発光デバイスにおいて、画素電極１１１の上面と共通電極１１５の下面の距離を変化させることにより、それぞれの発光素子における光学距離（光路長）を変化させることができる。

　３つの発光デバイスのうち、着色層１２５ａと重なる発光デバイス１３０は最も光路長が長いため、最も長波長の光（例えば赤色の光）が強められた光を射出する。一方、着色層１２５ｂと重なる発光デバイス１３０は、最も光路長が短いため、最も短波長の光（例えば青色の光）が強められた光を射出する。着色層１２５ｂと重なる発光デバイス１３０は、その中間の波長の光（例えば緑色の光）が強められた光を射出する。

　このような構成とすることで、異なる色の副画素毎に、発光デバイス１３０が有する発光層を作り分ける必要がなく、同じ構成の発光デバイスを用いて、色再現性の高いカラー表示を行うことができる。

［表示装置の作製方法例］
　次に、図１０乃至図１３を用いて表示装置の作製方法例を説明する。図１０Ａ乃至図１０Ｄには、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、Ｙ３−Ｙ４間の断面図と、を並べて示す。図１１乃至図１３についても、図１０と同様である。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクを用いなくてもよい。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

　まず、図１０Ａに示すように、トランジスタを含む層１０１上に、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、及び導電層１２３を形成する。各画素電極は、表示部に設けられ、導電層１２３は、接続部１４０に設けられる。

　次に、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの端部及び導電層１２３の端部を覆う絶縁体１２１を形成する。

　そして、図１０Ｂに示すように、各画素電極上、及び、絶縁体１２１上に、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂをこの順で形成し、第２の電子輸送層１８４Ｂ上に第１の犠牲層１１８Ａを形成し、第１の犠牲層１１８Ａ上に第２の犠牲層１１９Ａを形成する。

　図１０Ｂでは、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、第２の電子輸送層１８４Ｂ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａがいずれも導電層１２３上に設けられる例を示すが、これに限られない。

　例えば、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、第２の電子輸送層１８４Ｂ、及び、第１の犠牲層１１８Ａは、導電層１２３と重ならなくてもよい。また、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの端部よりも内側に位置していてもよい。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、ラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂと、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとで成膜される領域を変えることができる。本発明の一態様においては、レジストマスクを用いて発光デバイスを形成するが、上述のようにエリアマスクと組み合わせることで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。

　画素電極として用いることができる材料は上述の通りである。画素電極の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　絶縁体１２１は、上述の通り、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。

　第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂは、それぞれ、後に、第１の正孔注入層１８１ａ、第１の正孔輸送層１８２ａ、第１の発光層１８３ａ、第１の電子輸送層１８４ａ、中間層１９１、第２の正孔輸送層１８２ｂ、第２の発光層１８３ｂ、及び第２の電子輸送層１８４ｂとなる層である。そのため、それぞれ、上述した、第１の正孔注入層１８１ａ、第１の正孔輸送層１８２ａ、第１の発光層１８３ａ、第１の電子輸送層１８４ａ、中間層１９１、第２の正孔輸送層１８２ｂ、第２の発光層１８３ｂ、及び第２の電子輸送層１８４ｂに適用可能な構成を適用できる。

　第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂは、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。また、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂは、それぞれ、プレミックス材料を用いて形成されてもよい。なお、本明細書等において、プレミックス材料とは、複数の材料をあらかじめ配合、または混合した複合材料である。

　本実施の形態では、犠牲層が、第１の犠牲層と第２の犠牲層の２層構造である例を示すが、犠牲層は、単層構造であっても３層以上の積層構造であってもよい。犠牲層には、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、エッチングの選択比が大きい膜を用いる。

　犠牲層の形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法が好ましく、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、犠牲層を形成することが好ましい。

　犠牲層には、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層の加工時に、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂに加わるダメージを低減することができる。

　本実施の形態の表示装置の作製方法における各種犠牲層の加工工程において、発光デバイスを構成する各種機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、活性層、及び、電子輸送層など）が加工されにくいこと、且つ、機能層の加工工程において、各種犠牲層が加工されにくいことが望ましい。犠牲層の材料、加工方法、及び、機能層の加工方法については、これらを考慮して選択することが望ましい。

　犠牲層としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。

　犠牲層には、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

　また、犠牲層には、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などの金属酸化物を用いることができる。犠牲層として、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成することができる。さらに、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。

　また、犠牲層としては、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ層との密着性が高く好ましい。例えば、犠牲層には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。犠牲層として、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層など）へのダメージを低減できるため好ましい。

　例えば、犠牲層として、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜と、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜上にＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜と、の積層構造を適用することができる。また、犠牲層として、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上にスパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜と、の積層構造を適用することができる。また、犠牲層として、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜の単層構造を適用することができる。

　次に、図１０Ｃに示すように、第２の犠牲層１１９Ａ上にレジストマスク１９０を形成する。レジストマスクは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。レジストマスク１９０は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０は導電層１２３とは重ならないことが好ましい。

　そして、図１０Ｄに示すように、レジストマスク１９０を用いて、第２の犠牲層１１９Ａの一部を除去する。これにより、第２の犠牲層１１９Ａの、レジストマスク１９０と重なっていない領域を除去することができる。したがって、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと重なる位置に、第２の犠牲層１１９が残存する。その後、レジストマスク１９０を除去する。

　次に、図１１Ａに示すように、第２の犠牲層１１９を用いて、第１の犠牲層１１８Ａの一部を除去する。これにより、第１の犠牲層１１８Ａの、第２の犠牲層１１９と重なっていない領域を除去することができる。したがって、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと重なる位置に、第１の犠牲層１１８と第２の犠牲層１１９との積層構造が残存する。

　次に、図１１Ｂに示すように、第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲層１１９を用いて、第１の正孔注入層１８１Ａの一部、第１の正孔輸送層１８２Ａの一部、第１の発光層１８３Ａの一部、第１の電子輸送層１８４Ａの一部、中間層１９１Ａの一部、第２の正孔輸送層１８２Ｂの一部、第２の発光層１８３Ｂの一部、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの一部を除去する。これにより、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの、第１の犠牲層１１８及び第２の犠牲層１１９と重なっていない領域を除去することができる。したがって、導電層１２３が露出する。そして、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ上に、第１の正孔注入層１８１ａ、第１の正孔輸送層１８２ａ、第１の発光層１８３ａ、第１の電子輸送層１８４ａ、中間層１９１、第２の正孔輸送層１８２ｂ、第２の発光層１８３ｂ、第２の電子輸送層１８４ｂ、第１の犠牲層１１８、及び、第２の犠牲層１１９の積層構造が残存する。

　なお、第１の正孔注入層１８１ａ、第１の正孔輸送層１８２ａ、第１の発光層１８３ａ、及び、第１の電子輸送層１８４ａの積層構造を第１の発光ユニット１９２と呼ぶ場合がある。また、第２の正孔輸送層１８２ｂ、第２の発光層１８３ｂ、及び、第２の電子輸送層１８４ｂの積層構造を第２の発光ユニット１９４と呼ぶ場合がある。また、第１の発光ユニット１９２、中間層１９１、及び第２の発光ユニット１９４の積層構造を第１の層１１３と呼ぶ場合がある。

　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

　ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層の加工時に、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液などを用いることが好ましい。

　また、ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

　犠牲層を積層構造とすることで、レジストマスク１９０を用いて一部の層を加工し、レジストマスク１９０を除去した後、当該一部の層をハードマスクに用いて、残りの層を加工することができる。

　例えば、レジストマスク１９０を用いて第２の犠牲層１１９Ａを加工した後、酸素プラズマを用いたアッシングなどによりレジストマスク１９０を除去する。このとき、第１の犠牲層１１８Ａが最表面に位置し、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂは露出していない。このため、レジストマスク１９０の除去工程において、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂにダメージが入ることを抑制することができる。そして、第２の犠牲層１１９をハードマスクに用いて、第１の犠牲層１１８Ａを加工することができ、第１の犠牲層１１８と第２の犠牲層１１９とをハードマスクに用いて、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂを加工することができる。

　第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。エッチングガスとしては、窒素を含むガス、水素を含むガス、貴ガスを含むガス、窒素及びアルゴンを含むガス、または、窒素及び水素を含むガスなどを用いることが好ましい。エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の正孔注入層１８１Ａ、第１の正孔輸送層１８２Ａ、第１の発光層１８３Ａ、第１の電子輸送層１８４Ａ、中間層１９１Ａ、第２の正孔輸送層１８２Ｂ、第２の発光層１８３Ｂ、及び第２の電子輸送層１８４Ｂの劣化を抑制することができる。

　ここで、上記エッチング処理により、絶縁体１２１の上部のレジストマスク１９０と重畳しない部分の一部が除去される場合がある。この場合、図７Ａで示すように、絶縁体１２１は、上部に第１の凹部が形成される。当該第１の凹部は、第１の層１１３と重畳しない領域に形成される。

　次に、図１１Ｃに示すように、第１の層１１３、第１の犠牲層１１８、及び、第２の犠牲層１１９を覆って、絶縁膜１２４Ａを成膜する。さらに、絶縁膜１２４Ａ上に絶縁膜１２４Ｂを成膜する。絶縁膜１２４Ａおよび絶縁膜１２４Ｂは、絶縁体１２４ａおよび絶縁体１２４として用いることができる材料を用いればよい。

　絶縁膜１２４Ａおよび絶縁膜１２４Ｂの成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。絶縁膜１２４Ａは、第１の層１１３へのダメージが少ない方法で成膜されることが好ましい。また、絶縁膜１２４Ａ、及び絶縁膜１２４Ｂは、第１の層１１３の耐熱温度よりも低い温度で形成する。例えば、絶縁膜１２４Ａとして、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。また、例えば、絶縁膜１２４Ｂとして、ＰＥＣＶＤ法、又はスパッタリング法を用いて酸化窒化シリコン膜または窒化シリコン膜を形成することができる。

　次に、図１２Ａに示すように、絶縁膜１２４Ｂをエッチングすることで、絶縁体１２４ｂを形成する。絶縁膜１２４Ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガスを含むガスをエッチングガスに用いることができる。

　次に、図１２Ｂに示すように、絶縁体１２４ｂをハードマスクとして、絶縁膜１２４Ａをエッチングして、絶縁体１２４ａを形成する。絶縁膜１２４Ａの加工は、ウェットエッチング法を用いて行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、絶縁体１２４ａの加工時に、第２の犠牲層１１９などに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液などを用いることが好ましい。

　このようにして、絶縁体１２４ａ上に絶縁体１２４ｂが積層された絶縁体１２４を形成することができる。絶縁体１２４は、側面が第１の層１１３に接しており、下面が絶縁体１２１に接している。これにより、後に形成する第２の層１１４又は共通電極１１５と、画素電極１１１の側面、または第１の層１１３の側面とが接して、発光デバイス１３０がショートすることを抑制できる。また、後の工程において、第１の層１１３が受けるダメージを抑制できる。

　ここで、上記エッチング処理により、絶縁体１２１の上部の絶縁体１２４と重畳しない部分の一部が除去される場合がある。この場合、図７Ａで示すように、絶縁体１２１は、上部に第２の凹部が形成される。第２の凹部は、第１の凹部の中の絶縁体１２４と重畳しない領域に形成される。

　次に、図１２Ｃに示すように、第２の犠牲層１１９を除去する。さらに、図１３Ａに示すように、第１の犠牲層１１８を除去する。これにより、画素電極１１１上では第２の電子輸送層１８４ｂが露出し、接続部１４０では、導電層１２３が露出する。

　犠牲層の除去工程には、犠牲層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層を除去する際に、第１の層１１３、導電層１２３、および絶縁体１２４に加わるダメージを低減することができる。

　次に、図１３Ｂに示すように、第１の層１１３、導電層１２３、絶縁体１２４、及び、絶縁体１２１を覆うように、第２の層１１４を形成し、第２の層１１４、絶縁体１２１、及び、導電層１２３上に共通電極１１５を形成する。

　第２の層１１４として用いることができる材料は上述の通りである。第２の層１１４を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。また、第２の層１１４を構成する層は、プレミックス材料を用いて形成されてもよい。なお、第２の層１１４は不要であれば設けなくてもよい。

　共通電極１１５として用いることができる材料は上述の通りである。共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

　そして、図１３Ｂに示すように、共通電極１１５上に、保護層１３１を形成する。

　保護層１３１に用いることができる材料は上述の通りである。保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。保護層１３１は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。例えば、保護層１３１は、互いに異なる成膜方法を用いて形成された２層の積層構造であってもよい。

　続いて、保護層１３１上に、着色層１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃを、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと重なる領域を有するように形成する。着色層１２５ａ、着色層１２５ｂ、及び着色層１２５ｃは、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成することができる。具体的には、画素ごとに異なる着色層１２５（着色層１２５ａ、着色層１２５ｂ、又は着色層１２５ｃ）を形成することができる。

　そして、保護層１３１上に、樹脂層１２２を用いて、基板１２０を貼り合わせることで、図１Ｂに示す表示装置１００を作製することができる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状のＥＬ層を均一の厚さで形成することができる。また、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。

　本発明の一態様の表示装置は、タンデム構造の発光デバイスを有する。そして、発光デバイスが有する画素電極、発光層、キャリア輸送層、キャリア注入層、及び中間層のそれぞれの側面は、側壁状の絶縁体、および土手状の絶縁体によって覆われる。このような構成にすることにより、共通電極などと、画素電極、発光層、キャリア輸送層、キャリア注入層、及び中間層のそれぞれの側面と、が接することが抑制されるので、発光デバイスのショートを抑制することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１４乃至図１６を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図１４に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図１５Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。

　表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図１４では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ａは、表示部１６２、回路１６４、配線１６５等を有する。図１４では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１４に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図１４では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図１５Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図１５Ａに示す表示装置１００Ａは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、着色層１２５ａ、及び着色層１２５ｂ等を有する。発光デバイス１３０ａ、及び発光デバイス１３０ｂは、白色の光を発する。着色層１２５ａと着色層１２５ｂは、互いに異なる色の光を透過する機能を有する。図１５Ａでは、２種類の着色層を示したが、表示装置１００Ａにおいて、着色層の種類はさらに多く設けられる。

　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色の光を透過する着色層１２５を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。

　保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１５Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　発光デバイス１３０ａは、図１Ｂに示す発光デバイス１３０ａと同様の積層構造を有し、発光デバイス１３０ｂは、図１Ｂに示す発光デバイス１３０ｂと同様の積層構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。また、発光デバイス１３０ａの側面、および発光デバイス１３０ｂの側面に接して絶縁体１２４が形成されている。また、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、絶縁体１２４、および絶縁体１２１を覆って、保護層１３１が形成されている。

　画素電極１１１ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。画素電極１１１ｂも同様に、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有するソース電極およびドレイン電極の一方に電気に接続されている。

　画素電極１１１ａ、１１１ｂの端部を含む領域は、絶縁体１２１によって覆われている。画素電極１１１ａ、１１１ｂは可視光を反射する材料を含み、共通電極１１５は可視光を透過する材料を含む。

　発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。したがって、基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア絶縁膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

　図１５Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　トランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１、及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１．１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　図１５Ｂ及び図１５Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図１５Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図１５Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１５Ｃに示す構造を作製できる。図１５Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得られた導電膜である。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１４８を設けることが好ましい。また、基板１５２の基板１５１側の面に、着色層１２５ａ、１２５ｂを設けてもよい。図１５Ａでは、基板１５２を基準としてみたときに、着色層１２５ａ、１２５ｂが遮光層１４８の一部を覆うように設けられている。

　また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

　発光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　表示装置１００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層１３１とが互いに接することが好ましい。特に、無機絶縁膜同士が接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１５１または基板１５２として偏光板を用いてもよい。

　基板１５１及び基板１５２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　接着層１４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

　また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

　図１５Ａでは、基板１５２側に光が射出されるトップエミッション型の表示装置１００Ａの例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図１６に示す表示装置１００Ｂのように、基板１５１側に光が射出されるボトムエミッション型の表示装置にしてもよい。

　表示装置１００Ｂは、着色層１２５ａ、１２５ｂが、絶縁層２１３と絶縁層２１４の間に設けられている点において、表示装置１００Ａと異なる。着色層１２５ａ、１２５ｂは、それぞれ、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂと重なるように設けられている。

　また、表示装置１００Ｂは、画素電極１１１ａ、１１１ｂが可視光を透過する材料を含み、共通電極１１５が可視光を反射する材料を含む点において、表示装置１００Ａと異なる。ここで、画素電極１１１ａ、１１１ｂと同一の導電膜を加工して得られる、導電層１６６も可視光を透過する材料を含む。

　また、表示装置１００Ｂは、基板１５１に、可視光に対する透過性が高い材料が用いられる。

　以上のような構成にすることで、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂの発光層から射出された光は、それぞれ、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、着色層１２５ａ、１２５ｂを透過して、基板１５１側から射出される。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュールの構成例について説明する。

　図１７Ａは、表示モジュール４８０の斜視概略図である。表示モジュール４８０は、表示装置４００と、ＦＰＣ４９０とを有する。

　表示モジュール４８０は、基板４０１、基板４０２を有する。また基板４０２側に表示部４８１を有する。表示部４８１は、表示モジュール４８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部４８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図１７Ｂに、基板４０１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板４０１は、回路部４８２と、回路部４８２上に画素回路部４８３と、画素回路部４８３上に画素部４８４と、が積層された構成を有する。また、基板４０１上の画素部４８４と重ならない部分に、ＦＰＣ４９０と接続するための端子部４８５を有する。また端子部４８５と回路部４８２とは、複数の配線により構成される配線部４８６により電気的に接続されている。

　画素部４８４は、周期的に配列した複数の画素４８４ａを有する。図１７Ｂの右側に、１つの画素４８４ａの拡大図を示している。画素４８４ａは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃを有する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ並びにその周囲の構成に関しては、先の実施の形態を参酌することができる。

　画素回路部４８３は、周期的に配列した複数の画素回路４８３ａを有する。複数の画素４８４ａおよび複数の画素回路４８３ａは、図１７Ｂに示す、ストライプ配列で配置してもよい。なお、ストライプ配列に限らず、複数の画素４８４ａおよび複数の画素回路４８３ａをデルタ配列などで配置してもよい。

　１つの画素回路４８３ａは、１つの画素４８４ａが有する３つの発光素子の発光を制御する回路である。１つの画素回路４８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路４８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部４８２は、画素回路部４８３の各画素回路４８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路等を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、電源回路等を有していてもよい。

　ＦＰＣ４９０は、外部から回路部４８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ４９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール４８０は、画素部４８４の下側に画素回路部４８３または回路部４８２等が積層された構成とすることができるため、表示部４８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部４８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素４８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部４８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部４８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素４８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール４８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール４８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール４８０は極めて高精細な表示部４８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール４８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

　以下では、上記の表示装置４００に用いることが可能な各表示装置（表示装置４００Ａ乃至表示装置４００Ｃ）の構造について説明する。

〔構成例１〕
　図１８Ａは、表示装置４００Ａの断面概略図である。

　表示装置４００Ａは、基板４０１、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、容量素子４４０、トランジスタ４１０等を有する。

　基板４０１から容量素子４４０までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ４１０は、基板４０１にチャネル形成領域が形成されるトランジスタである。基板４０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ４１０は、基板４０１の一部、導電層４１１、低抵抗領域４１２、絶縁層４１３、絶縁層４１４等を有する。導電層４１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層４１３は、基板４０１と導電層４１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域４１２は、基板４０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層４１４は、導電層４１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板４０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ４１０の間に素子分離層４１５が設けられている。

　また、トランジスタ４１０を覆って絶縁層４６１が設けられ、絶縁層４６１上に容量素子４４０が設けられている。

　容量素子４４０は、導電層４４１と、導電層４４２と、これらの間に位置する絶縁層４４３を有する。導電層４４１は容量素子４４０の一方の電極として機能し、導電層４４２は容量素子４４０の他方の電極として機能し、絶縁層４４３は容量素子４４０の誘電体として機能する。

　導電層４４１は絶縁層４６１上に設けられ、絶縁層４６１に埋め込まれたプラグ４７１によってトランジスタ４１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層４４３は導電層４４１を覆って設けられる。導電層４４２は、絶縁層４４３を介して導電層４４１と重なる領域に設けられている。

　容量素子４４０を覆って、絶縁層３２１が設けられ、絶縁層３２１上に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ等が設けられている。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの画素電極は、絶縁層３２１及び絶縁層４４３に埋め込まれたプラグ３３１によって、導電層４４１に電気的に接続されている。ここでは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ等の構成として、図１Ｂで例示した構成を用いた例を示しているが、これに限られず、上記で例示した様々な構成を適用することができる。

　表示装置４００Ａでは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの発光素子の共通電極１１５を覆うように、保護層１３１、絶縁層３６２、及び絶縁層３６３がこの順に設けられている。これら３つの絶縁層は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ保護層として機能する。絶縁層３６３には酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの、透湿性の低い無機絶縁膜を用いることが好ましい。また、絶縁層３６２には、透光性の高い有機絶縁膜を用いることができる。絶縁層３６２に有機絶縁膜を用いることで、絶縁層３６２よりも下側の凹凸形状の影響を緩和し、絶縁層３６３の被形成面を滑らかな面とすることができる。これにより、絶縁層３６３にピンホールなどの欠陥が生じにくいため、保護層の透湿性をより高めることができる。なお、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの発光素子を覆う保護層の構成はこれに限られず、単層、または２層構造としてもよいし、４層以上の積層構造としてもよい。

　表示装置４００Ａは、視認側に基板４０２を有する。基板４０２と基板４０１とは、透光性を有する接着層３６４により貼り合されている。基板４０２としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、プラスチック基板などの、透光性を有する基板を用いることができる。

　このような構成とすることで、極めて高精細で、表示品位の高い表示装置を実現できる。

〔構成例２〕
　図１９は、表示装置４００Ｂの断面概略図である。表示装置４００Ｂは、トランジスタの構成が異なる点で、上記表示装置４００Ａと主に相違している。

　トランジスタ４２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタである。

　トランジスタ４２０は、半導体層４２１、絶縁層４２３、導電層４２４、一対の導電層４２５、絶縁層４２６、導電層４２７等を有する。

　トランジスタ４２０が設けられる基板４０１としては、上述した絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板４０１上に、絶縁層４３２が設けられている。絶縁層４３２は、基板４０１から水または水素などの不純物がトランジスタ４２０に拡散すること、及び半導体層４２１から絶縁層４３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層４３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層４３２上に導電層４２７が設けられ、導電層４２７を覆って絶縁層４２６が設けられている。導電層４２７は、トランジスタ４２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層４２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層４２６の少なくとも半導体層４２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層４２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層４２１は、絶縁層４２６上に設けられる。半導体層４２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。半導体層４２１に好適に用いることのできる材料の詳細については後述する。

　一対の導電層４２５は、半導体層４２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　また、一対の導電層４２５の上面及び側面、ならびに半導体層４２１の側面等を覆って絶縁層４２８が設けられ、絶縁層４２８上に絶縁層４６１ｂが設けられている。絶縁層４２８は、半導体層４２１に絶縁層４６１ｂ等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層４２１から酸素が脱離することを防ぐバリア絶縁膜として機能する。絶縁層４２８としては、上記絶縁層４３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層４２８及び絶縁層４６１ｂに、半導体層４２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層４６１ｂ、絶縁層４２８、及び導電層４２５の側面、並びに半導体層４２１の上面に接する絶縁層４２３と、導電層４２４とが埋め込まれている。導電層４２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層４２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層４２４の上面、絶縁層４２３の上面、及び絶縁層４６１ｂの上面は、それぞれ高さが概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層４２９及び絶縁層４６１ａが設けられている。

　絶縁層４６１ａ及び絶縁層４６１ｂは、層間絶縁層として機能する。また絶縁層４２９は、トランジスタ４２０に絶縁層４６１ａ等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア絶縁膜として機能する。絶縁層４２９としては、上記絶縁層４２８及び絶縁層４３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層４２５の一方と電気的に接続するプラグ４７１は、絶縁層４６１ａ、絶縁層４２９、及び絶縁層４６１ｂに埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ４７１は、絶縁層４６１ａ、絶縁層４６１ｂ、絶縁層４２９、及び絶縁層４２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層４２５の上面の一部を覆う導電層４７１ａと、導電層４７１ａの上面に接する導電層４７１ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層４７１ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電性材料を用いることが好ましい。

〔構成例３〕
　図２０は、表示装置４００Ｃの断面概略図である。表示装置４００Ｃは、基板４０１にチャネルが形成されるトランジスタ４１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ４２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ４１０を覆って絶縁層４６１が設けられ、絶縁層４６１上に導電層４５１が設けられている。また導電層４５１を覆って絶縁層４６２が設けられ、絶縁層４６２上に導電層４５２が設けられている。導電層４５１及び導電層４５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層４５２を覆って絶縁層４６３、絶縁層４３２が設けられ、絶縁層４３２上にトランジスタ４２０が設けられている。また、トランジスタ４２０を覆って絶縁層４６５が設けられ、絶縁層４６５上に容量素子４４０が設けられている。容量素子４４０とトランジスタ４２０とは、プラグ４７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ４２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ４１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ４１０及びトランジスタ４２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光ユニットの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

　以下では、表示装置に適用可能なトランジスタ等の構成要素について説明する。

〔トランジスタ〕
　トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。

　なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

　以下では、特に金属酸化物膜をチャネルが形成される半導体層に用いるトランジスタ（ＯＳトランジスタ）について説明する。

　トランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む金属酸化物などであり、例えば、後述するＣＡＣ−ＯＳなどを用いることができる。

　シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい金属酸化物が用いられたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。

　半導体層は、例えばインジウム、亜鉛及びＭ（Ｍはアルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜とすることができる。

　半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

〔導電層〕
　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

〔絶縁層〕
　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

　また、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜（バリア絶縁膜）の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。

　透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、または窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

　例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

　また、金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

　なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。

　また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。

　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタンなどから選ばれた一種、または複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。

　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

　従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

　また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

　また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２１乃至図２３を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図２１Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２１Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図２２Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２２Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図２２Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図２２Ｃ、図２２Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図２２Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図２２Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図２２Ｃ、図２２Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図２２Ｃ、図２２Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図２３Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２３Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図２３Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図２３Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図２３Ｄ乃至図２３Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２３Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２３Ｆは折り畳んだ状態、図２３Ｅは図２３Ｄと図２３Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１０１：層、１１０：画素、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｄ１：副画素、１１０ｄ２：副画素、１１０ｄ３：副画素、１１１：画素電極、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１ｄ：画素電極、１１２：導電層、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１３：層、１１４：層、１１５：共通電極、１１８：犠牲層、１１８Ａ：犠牲層、１１９：犠牲層、１１９Ａ：犠牲層、１２０：基板、１２１：絶縁体、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２３ａ：導電層、１２３ｂ：導電層、１２４：絶縁体、１２４ａ：絶縁体、１２４Ａ：絶縁膜、１２４ｂ：絶縁体、１２４Ｂ：絶縁膜、１２５：着色層、１２５ａ：着色層、１２５ｂ：着色層、１２５ｃ：着色層、１２６：絶縁層、１２８ａ：画素、１２８ｂ：画素、１３０：発光デバイス、１３０ａ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３０ｄ：発光デバイス、１３１：保護層、１３３：空隙、１４０：接続部、１４２：接着層、１４８：遮光層、１５１：基板、１５２：基板、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１８１ａ：正孔注入層、１８１Ａ：正孔注入層、１８２ａ：正孔輸送層、１８２Ａ：正孔輸送層、１８２ｂ：正孔輸送層、１８２Ｂ：正孔輸送層、１８３ａ：発光層、１８３Ａ：発光層、１８３ｂ：発光層、１８３Ｂ：発光層、１８４ａ：電子輸送層、１８４Ａ：電子輸送層、１８４ｂ：電子輸送層、１８４Ｂ：電子輸送層、１９０：レジストマスク、１９１：中間層、１９１Ａ：中間層、１９２：発光ユニット、１９４：発光ユニット、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４２：接続層、３２１：絶縁層、３３１：プラグ、３６２：絶縁層、３６３：絶縁層、３６４：接着層、４００：表示装置、４００Ａ：表示装置、４００Ｂ：表示装置、４００Ｃ：表示装置、４０１：基板、４０２：基板、４１０：トランジスタ、４１１：導電層、４１２：低抵抗領域、４１３：絶縁層、４１４：絶縁層、４１５：素子分離層、４２０：トランジスタ、４２１：半導体層、４２３：絶縁層、４２４：導電層、４２５：導電層、４２６：絶縁層、４２７：導電層、４２８：絶縁層、４２９：絶縁層、４３２：絶縁層、４４０：容量素子、４４１：導電層、４４２：導電層、４４３：絶縁層、４５１：導電層、４５２：導電層、４６１：絶縁層、４６１ａ：絶縁層、４６１ｂ：絶縁層、４６２：絶縁層、４６３：絶縁層、４６５：絶縁層、４７１：プラグ、４７１ａ：導電層、４７１ｂ：導電層、４７４：プラグ、４８０：表示モジュール、４８１：表示部、４８２：回路部、４８３：画素回路部、４８３ａ：画素回路、４８４：画素部、４８４ａ：画素、４８５：端子部、４８６：配線部、４９０：ＦＰＣ、５００：表示装置、５０１：電極、５０２：電極、５１２Ｑ＿１：発光ユニット、５１２Ｑ＿２：発光ユニット、５１２Ｑ＿３：発光ユニット、５２１：層、５２２：層、５２３Ｑ＿１：発光層、５２３Ｑ＿２：発光層、５２３Ｑ＿３：発光層、５２４：層、５２５：層、５３１：中間層、５４０：保護層、５４５Ｂ：着色層、５４５Ｇ：着色層、５４５Ｒ：着色層、５５０Ｗ：発光デバイス、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の着色層と、第２の着色層と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
　前記第１の着色層は、前記第１の発光デバイスに重畳して配置され、
　前記第２の着色層は、前記第２の発光デバイスに重畳して配置され、
　前記第１の発光デバイス、および前記第２の発光デバイスは、白色光を発する機能を有し、
　前記第１の着色層は、前記第２の着色層とは異なる色の可視光を透過する機能を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第１の発光層と、を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第２の導電層と、前記第２の導電層上の第２の発光層と、を有し、
　前記第１の絶縁体は、前記第１の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、
　前記第２の絶縁体は、前記第２の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、
　前記第１の絶縁体、および前記第２の絶縁体は、前記第３の絶縁体の上に配置され、
　前記第３の絶縁体は、前記第１の導電層の端部および前記第２の導電層の端部を覆って配置される、
　表示装置。
　請求項１において、
　前記第１の発光層は、前記第２の発光層と、同一の材料を有する、
　表示装置。
　請求項１または請求項２において、
　前記第１の発光デバイスは、前記第１の発光層を含む第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上の第１の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有し、
　前記第２の発光ユニットは、第３の発光層を有し、
　前記第２の発光デバイスは、前記第２の発光層を含む第３の発光ユニットと、前記第３の発光ユニット上の第２の電荷発生層と、前記第２の電荷発生層上の第４の発光ユニットと、を有し、
　前記第４の発光ユニットは、第４の発光層を有する、
　表示装置。
　請求項３において、
　前記第１の発光ユニットは、前記第３の発光ユニットと、同一の材料を有し、
　前記第１の電荷発生層は、前記第２の電荷発生層と、同一の材料を有し、
　前記第２の発光ユニットは、前記第４の発光ユニットと、同一の材料を有し、
　表示装置。
　請求項３または請求項４において、
　前記第１の発光ユニットは、第１の正孔注入層と、第１の正孔輸送層と、第１の電子輸送層と、を有し、
　前記第２の発光ユニットは、第２の正孔輸送層と、第２の電子輸送層と、を有し、
　前記第３の発光ユニットは、第２の正孔注入層と、第３の正孔輸送層と、第３の電子輸送層と、を有し、
　前記第４の発光ユニットは、第４の正孔輸送層と、第４の電子輸送層と、を有し、
　前記第１の絶縁体は、前記第１の正孔注入層の側面、前記第１の正孔輸送層の側面、前記第１の発光層の側面、前記第１の電子輸送層の側面、前記第１の電荷発生層の側面、前記第２の正孔輸送層の側面、前記第３の発光層の側面、および前記第２の電子輸送層の側面に接し、
　前記第２の絶縁体は、前記第２の正孔注入層の側面、前記第３の正孔輸送層の側面、前記第２の発光層の側面、前記第３の電子輸送層の側面、前記第２の電荷発生層の側面、前記第４の正孔輸送層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第４の電子輸送層の側面に接する、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
　前記第１の絶縁体、および前記第２の絶縁体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
　前記第１の絶縁体において、
　前記第１の層の側面は、前記第１の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、
　前記第１の層の下面は、前記第３の絶縁体の少なくとも一部に接し、
　前記第２の層の側面および下面は、前記第１の層の少なくとも一部に接し、
　前記第２の絶縁体において、
　前記第１の層の側面は、前記第２の発光デバイスの側面の少なくとも一部に接し、
　前記第１の層の下面は、前記第３の絶縁体の少なくとも一部に接し、
　前記第２の層の側面および下面は、前記第１の層の少なくとも一部に接する、
　表示装置。
　請求項６において、
　前記第１の層は、酸化アルミニウムを含み、
　前記第２の層は、窒化シリコンを含む、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
　前記第１の発光層の側面と、前記第２の発光層の側面は、対向しており、
　前記第１の発光層の側面と、前記第２の発光層の側面との間の距離が８μｍ以下である、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示装置と、
　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
　請求項９に記載の表示モジュールと、
　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。