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WO2022168312A1 - 発光素子、表示装置 - Google Patents

発光素子、表示装置 Download PDF

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Publication number
WO2022168312A1
WO2022168312A1 PCT/JP2021/004589 JP2021004589W WO2022168312A1 WO 2022168312 A1 WO2022168312 A1 WO 2022168312A1 JP 2021004589 W JP2021004589 W JP 2021004589W WO 2022168312 A1 WO2022168312 A1 WO 2022168312A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
layer
emitting layer
light emitting
lower electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/004589
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真伸 水崎
Original Assignee
シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープディスプレイテクノロジー株式会社 filed Critical シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority to PCT/JP2021/004589 priority Critical patent/WO2022168312A1/ja
Priority to JP2022579298A priority patent/JPWO2022168312A1/ja
Priority to US18/275,019 priority patent/US20240114715A1/en
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the present invention relates to light-emitting elements and the like.
  • Patent Document 1 discloses a tandem-type organic EL device with high luminous efficiency.
  • the light-emitting element of Patent Document 1 has a problem that the luminance drops significantly (low viewing angle characteristics) when the viewing angle is away from 0 degrees (front view).
  • a light-emitting element includes a light-reflective lower electrode, a light-transmitting and light-reflective upper electrode, and a lower electrode disposed between the lower electrode and the upper electrode.
  • a first viewing angle at which a resonance effect of light of a selected wavelength emitted from the lower emission layer is maximized, and a resonance effect of the light of a selected wavelength emitted from the upper emission layer. is different from the second viewing angle at which is the maximum.
  • the viewing angle characteristics of the light-emitting element are enhanced.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a light-emitting element of this embodiment
  • FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the light emitting state of the light emitting element of the present embodiment
  • It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element. It is an example of a material used for a light-emitting element.
  • FIG. 9(a) and 9(b) are graphs showing the viewing angle-normalized luminance characteristics of the lower light emitting layer and the upper light emitting layer.
  • FIG. 10(a) is a graph showing the viewing angle characteristics of the blue light emitting device of this embodiment
  • FIG. 10(b) is a graph showing the viewing angle characteristics of the green light emitting device of this embodiment.
  • (c) is a graph showing the viewing angle characteristics of the red light emitting device of this embodiment.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a display device according to an embodiment
  • FIG. 4 is a flow chart showing a method for manufacturing multi-color light-emitting elements in a display device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device of this embodiment.
  • the light emitting device 80 includes a lower electrode 21, a hole injection layer 32, a lower hole transport layer 33, a lower electron blocking layer 34, a lower light emitting layer 35, a lower Side hole-blocking layer 36, lower electron-transporting layer 37, n-type charge-generating layer 41, p-type charge-generating layer 42, upper hole-transporting layer 53, upper electron-blocking layer 54, upper light-emitting layer 55, upper hole-blocking
  • It is a top-emission type (structure for extracting light from above) that includes a layer 56, an upper electron-transporting layer 57, an electron-injecting layer 58, and an upper electrode 71 in this order.
  • a hole-injecting layer 32 , a lower hole-transporting layer 33 , a lower electron-blocking layer 34 , a lower light-emitting layer 35 , a lower hole-blocking layer 36 , and a lower electron-transporting layer 37 constitute the first layer 30 .
  • the upper hole-transporting layer 53, the upper electron-blocking layer 54, the upper light-emitting layer 55, the upper hole-blocking layer 56, the upper electron-transporting layer 57, and the electron-injecting layer 58 constitute the second layer 50
  • the first layer 30 and the second layer 50 is disposed a charge generation layer 40 including an n-type charge generation layer (electron generation layer) 41 and a p-type charge generation layer (hole generation layer) 42 .
  • the first layer 30 , the charge generating layer 40 and the second layer 50 make up the organic stack 60 .
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the light emitting state of the light emitting element of this embodiment.
  • the lower electrode 21 functions as an anode and the upper electrode 71 functions as a cathode. Holes are supplied from the lower electrode 21 and electrons are supplied from the upper electrode 71.
  • the charge generation layer 41 generates electrons and the p-type charge generation layer 42 generates holes. As a result, electrons and holes recombine in the lower light emitting layer 35 (excitons transition to the ground state), thereby emitting light in a predetermined wavelength range, and electrons and holes recombine in the upper light emitting layer 55. By combining, light in the predetermined wavelength range (light of the same color as that of the lower light emitting layer 35) is emitted.
  • the electron transport material is not limited, for example, any one of electron transport organic materials such as oxadiazole compounds (eg, compound group A in FIG. 3 and compound group B in FIG. 4) can be used.
  • a material obtained by adding Yb (ytterbium) or Li (lithium) in the range of 5 to 20% to the electron transporting organic material can be used.
  • a material obtained by mixing an electron transporting organic material and Liq (lithium quinoline) at an appropriate ratio can be used.
  • An electron-transporting organic material can be used as the hole blocking material for the lower hole blocking layer 36 and the upper hole blocking layer 56 .
  • any one of the compound group C in FIG. 5 can be used.
  • a material obtained by adding 1 to 10% of an electron accepting material to a hole transporting material can be used.
  • any one of the compound group D in FIG. 6 can be used as the electron-accepting material, but the compound N (TCNQ-4F) is particularly suitable.
  • the same material can be used for the p-type charge generation layer 42 and the hole injection layer 32 .
  • Any one of the compound group E in FIG. 7, for example, can be used as the hole blocking material.
  • the blue-emitting lower emitting layer 35 and upper emitting layer 55 may each include a host material (eg, compound 1 in FIG. 8) and a fluorescent dopant material (eg, compound 2 in FIG. 8).
  • Each of the green-emitting lower emitting layer 35 and upper emitting layer 55 may comprise a host material (eg, compound 3 or compound 4 in FIG. 8) and a phosphorescent dopant material (eg, compound 5 in FIG. 8).
  • Each of the red-emitting lower emitting layer 35 and upper emitting layer 55 may comprise a host material (eg, compound 6 of FIG. 8) and a phosphorescent dopant material (eg, compound 7 of FIG. 8).
  • the lower electrode 21 (for example, the anode) can be configured by laminating ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, for example.
  • the upper electrode 71 (for example, cathode) can be made of a thin metal film such as a magnesium-silver alloy.
  • the lower electrode 21 is light reflective
  • the upper electrode 71 is light transmissive and light reflective
  • the upper electrode 71 transmits more light than reflected light. Therefore, in the light-emitting element 80, by forming a macrocavity between the lower electrode 21 and the upper electrode 71, the light emitted from the front lower light-emitting layer 35 and the upper light-emitting layer 55 (having the same selected wavelength) can produce a resonance effect for This increases the intensity of the light of the selected wavelength, which can increase brightness and color purity.
  • the lower electrode 21 and the lower electrode 21 are optimized (by approximating the resonance condition), the intensity becomes peaky near the selected wavelength of 625 [nm] for red light, near the selected wavelength of 535 [nm] for green light, and near the selected wavelength of 460 [nm] for blue light.
  • Equation 1 For example, light with a wavelength ⁇ can obtain a resonance effect at the viewing angle ⁇ when Da satisfies Equation 1.
  • m is an integer
  • ⁇ a is the phase difference caused by light reflection at the lower electrode 21
  • n is the refractive index of the organic laminate
  • ⁇ e is the incident angle to the upper electrode 71 at the viewing angle ⁇ .
  • the first viewing angle at which the resonance effect of the light of the selected wavelength emitted from the lower light emitting layer 35 is maximized, and the second viewing angle at which the resonance effect of the light of the selected wavelength emitted from the upper light emitting layer 55 is maximized It is different from the visual angle. That is, the first viewing angle is 0 degrees and the second viewing angle is an acute angle.
  • Da is set so that the resonance effect is maximized at a vertical viewing angle
  • Db is set so that the resonance effect is maximized at an oblique viewing angle
  • do. DL is set to maximize the resonance effect at vertical viewing angles.
  • LA in FIG. 9A is the normalized luminance of the lower light emitting layer 35 when Da is set so as to maximize the resonance effect at the vertical viewing angle (0 degrees), and LB in FIG.
  • LT in FIG. It is the normalized luminance of the light emitting element. Comparing LT with LA in FIG. 5A, it can be seen that the luminance characteristics at viewing angles of 0 to 60 degrees are improved, and the color purity and viewing angle characteristics are enhanced.
  • LA in FIG. 9B is the normalized luminance of the lower light emitting layer 35 when Da is set so as to maximize the resonance effect at the vertical viewing angle (0 degrees), and LB in FIG.
  • LT in FIG. It is the normalized luminance of the light emitting element. Comparing LT with LA in FIG. 5B, it can be seen that the luminance at a viewing angle of 25 degrees or more is improved, but the luminance at a vertical viewing angle is low.
  • Db is set to maximize the resonance effect at oblique viewing angles (10, 20, 25, 30, 40, 45, 50, and 60 degrees respectively). It is the normalized luminance of the element.
  • Db (B3 to B5) so that the resonance effect is maximized at an oblique viewing angle of 20 degrees to 40 degrees for the blue light emitting element.
  • Da is 116 [nm] to 126 [nm]
  • Db is 192 [nm] to 212 [nm]
  • DL is 220 [nm] to 240 [nm].
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the display device of this embodiment.
  • a barrier layer 18, a TFT (thin film transistor) substrate 20 including pixel circuits, a blue light emitting element 80B, a green light emitting element 80G, and a red light emitting element 80R are provided on a substrate 15.
  • An element layer 85, a sealing layer 87, and a functional layer 88 are provided in this order.
  • the substrate 15 is a glass substrate or a flexible substrate whose main component is a resin such as polyimide.
  • the substrate 15 can be composed of two layers of polyimide films and an inorganic film sandwiched between them.
  • the barrier layer 18 can be composed of an inorganic insulating layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering. Pixel circuits for controlling the blue light emitting element 80B, the green light emitting element 80G, and the red light emitting element 80R are formed in the TFT layer 20 .
  • the light emitting element layer 85 includes a blue light emitting element 80B, a green light emitting element 80G, a red light emitting element 80R, and an insulating edge cover film 23 covering the edge of the lower electrode 21.
  • the edge cover film 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic resin and then patterning it by photolithography.
  • the blue light emitting element 80B, green light emitting element 80G, and red light emitting element 80R are, for example, OLEDs (organic light emitting diodes).
  • the sealing layer 87 that covers the light emitting element layer 85 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 85.
  • the functional layer 88 is a layer having various functions such as optical control, touch sensor, and surface protection.
  • the blue light emitting element 80B includes the lower electrode 21, the hole injection layer 32, the lower hole transport layer 33, the lower electron blocking layer 34, the lower light emitting layer 35B corresponding to the lower light emitting layer 35, and the lower light emitting layer 35B.
  • the green light emitting element 80G includes the lower electrode 21, the hole injection layer 32, the lower hole transport layer 33, the lower electron blocking layer 34, the lower light emitting layer 35G corresponding to the lower light emitting layer 35, and the lower light emitting layer 35G.
  • the red light emitting element 80R includes the lower electrode 21, the hole injection layer 32, the lower hole transport layer 33, the lower electron blocking layer 34, the lower light emitting layer 35R corresponding to the lower light emitting layer 35, and the lower light emitting layer 35R.
  • 55R an upper hole blocking layer 56, an upper electron transport layer 57, an electron injection layer 58, and an upper electrode 71 in this order.
  • the blue light emitting element 80B is designed, for example, as follows. That is, for the lower light emitting layer 35B, the distance Da1 from the lower electrode 21 is set so that the resonance effect is maximized at the vertical viewing angle, and for the upper light emitting layer 55B, the resonance effect is maximized at the oblique viewing angle. , and the distance DL1 between the lower electrode 21 and the upper electrode 71 is set so as to maximize the resonance effect at the vertical viewing angle.
  • the design of the green light emitting element 80G is, for example, as follows. That is, for the lower light emitting layer 35G, the distance Da2 from the lower electrode 21 is set so that the resonance effect is maximized at the vertical viewing angle, and for the upper light emitting layer 55G, the resonance effect is maximized at the oblique viewing angle. , and the distance DL2 between the lower electrode 21 and the upper electrode 71 is set so as to maximize the resonance effect at the vertical viewing angle.
  • the design of the red light emitting element 80R is, for example, as follows. That is, for the lower light emitting layer 35R, the distance Da3 from the lower electrode 21 is set so that the resonance effect is maximized at the vertical viewing angle, and for the upper light emitting layer 55R, the resonance effect is maximized at the oblique viewing angle. , and the distance DL3 between the lower electrode 21 and the upper electrode 71 is set so as to maximize the resonance effect at the vertical viewing angle. As a result, Da1 ⁇ Da2 ⁇ Da3, Db1 ⁇ Db2 ⁇ Db3, and DL1 ⁇ DL2 ⁇ DL3.
  • each light emitting element can exhibit a microcavity effect (optical resonance effect), and color purity and viewing angle characteristics can be improved. It is possible to realize the display device 10 with high .
  • FIG. 12 is a flow chart showing a method for manufacturing multi-color light-emitting elements in a display device.
  • the lower electrode 21 is formed. Specifically, Ag and ITO are sequentially formed using a sputtering method.
  • the hole injection layer 32 is formed. Specifically, co-evaporation of the hole-transporting material and the electron-accepting material is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate.
  • the hole injection layer 32 is shared among the light emitting elements of a plurality of colors without using a fine metal mask.
  • the lower hole transport layer 33 is formed. Specifically, the hole transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the lower hole transport layer 33 is shared among the light emitting elements of a plurality of colors.
  • step S4 the lower electron blocking layer 34 is formed. Specifically, the hole transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is used, and vapor deposition is performed so that the film thicknesses corresponding to the respective colors (blue light emitting element ⁇ green light emitting element ⁇ red light emitting element) are obtained.
  • step S5 the lower light emitting layer 35 is formed. Specifically, co-evaporation of the light-emitting host and the dopant is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate.
  • a fine metal mask is used to vapor-deposit materials corresponding to each color.
  • the lower hole blocking layer 36 is formed. Specifically, the electron transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the lower hole blocking layer 36 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • the lower electron transport layer 37 is formed. Specifically, the electron transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Co-evaporation of an electron transporting material and lithium quinoline may also be used.
  • a fine metal mask is not used, and the lower electron transport layer 37 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • the n-type charge generation layer 41 is formed. Specifically, co-evaporation of the electron transport material and Yb or Li is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the n-type charge generation layer 41 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • the p-type charge generation layer 42 is formed. Specifically, co-evaporation of the hole-transporting material and the electron-accepting material is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate.
  • the p-type charge generation layer 42 is shared among the light emitting elements of a plurality of colors without using a fine metal mask.
  • the upper hole transport layer 53 is formed. Specifically, the hole transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the upper hole transport layer 53 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • the upper electron block layer 54 is formed. Specifically, the hole transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is used, and vapor deposition is performed so that the film thicknesses corresponding to the respective colors (blue light emitting element ⁇ green light emitting element ⁇ red light emitting element) are obtained.
  • step S12 the upper light emitting layer 55 is formed. Specifically, co-evaporation of the light-emitting host and the dopant is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate.
  • a fine metal mask is used to vapor-deposit materials corresponding to each color.
  • step S13 the upper hole blocking layer 56 is formed. Specifically, the electron transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the upper hole blocking layer 56 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • the upper electron transport layer 57 is formed. Specifically, the electron transport material is deposited at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Co-evaporation of an electron transporting material and lithium quinoline may also be used. Here, a fine metal mask is not used, and the upper electron transport layer 57 is shared between light emitting elements of a plurality of colors.
  • step S15 the electron injection layer 58 is formed. Specifically, vapor deposition of lithium fluoride is performed at a predetermined temperature and at a predetermined rate. Here, a fine metal mask is not used, and the electron injection layer 58 is shared among light emitting elements of a plurality of colors.
  • step S16 the upper electrode 71 is formed.
  • a sputtering method is used to form, for example, a magnesium-silver alloy thin film.
  • Light emission at a first viewing angle at which the resonance effect of the light of the selected wavelength emitted from the lower light emitting layer is maximized and a second viewing angle at which the resonance effect of the light of the selected wavelength emitted from the upper light emitting layer is maximized are different.
  • Aspect 2 It is a top emission type that extracts light from the upper side, Aspect 1, for example, the light emitting device of Aspect 1, wherein the second viewing angle is an acute angle.
  • the second viewing angle is an angle that forms 20 degrees or more and less than 45 degrees with respect to the normal to the upper light emitting layer.
  • Aspect 6 comprising a plurality of charge functional layers between the lower electrode and the upper electrode;
  • the light-emitting device eg, according to any one of aspects 1-5, wherein the plurality of charge functional layers includes a charge generating layer positioned between the lower light-emitting layer and the upper light-emitting layer.
  • the charge generation layer comprises an electron generation layer and a hole generation layer;
  • the organic laminate has a refractive index of 1.64 to 1.76.
  • the light-emitting device for example, the light-emitting device according to aspect 5, wherein the thickness of the lower light-emitting layer is from 5 [nm] to 20 [nm], and the thickness of the upper light-emitting layer is from 15 [nm] to 40 [nm].
  • the selected wavelength is 460 nm
  • the distance between the lower electrode and the lower light emitting layer is 116 [nm] to 126 [nm]
  • the distance between the lower electrode and the upper light emitting layer is 192 [nm] to 212 [nm]
  • the light-emitting device according to aspect 10 wherein the organic laminate has a thickness of 220 [nm] to 240 [nm].
  • the selected wavelength is 535 nm
  • the distance between the lower electrode and the lower light-emitting layer is 134 [nm] to 144 [nm]
  • the distance between the lower electrode and the upper light-emitting layer is 222 [nm] to 243 [nm]
  • the light-emitting device according to aspect 10 wherein the organic laminate has a thickness of 255 [nm] to 275 [nm].
  • the selected wavelength is 625 nm
  • the distance between the lower electrode and the lower light-emitting layer is 158 [nm] to 168 [nm]
  • the distance between the lower electrode and the upper light-emitting layer is 261 [nm] to 284 [nm]
  • the light-emitting device according to aspect 10 wherein the organic laminate has a thickness of 298 [nm] to 318 [nm].
  • the selected wavelength is 625 [nm], for example, the light emitting element according to Aspect 1 is included, and as a green light emitting element, the selected wavelength is 535 [nm], for example, the emission according to Aspect 1
  • a display device comprising, as a blue light-emitting element, the light-emitting element according to aspect 1, for example, wherein the selected wavelength is 460 [nm].
  • REFERENCE SIGNS LIST 10 display device 20 TFT substrate 21 lower electrode 35, 35B, 35G, 35R lower emitting layer 55, 55B, 55G, 55R upper emitting layer 60 organic laminate 71 upper electrode 80 light emitting element 85 light emitting element layer 87 sealing layer 88 Functional Layer 80R Red Light Emitting Element 80G Green Light Emitting Element 80B Blue Light Emitting Element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

光反射性を有する下側電極（３１）と、光透過性および光反射性を有する上側電極（６１）と、下側電極および上側電極の間に配された、下側発光層（３５）および上側発光層（５５）とを備える発光素子（１０）であって、下側発光層（３５）から出た選択波長の光の共振効果が最大となる第１視角と、上側発光層（５５）から出た前記選択波長の光の共振効果が最大となる第２視角とが異なる。

Description

発光素子、表示装置
　本発明は、発光素子等に関する。
　特許文献１には、発光効率が高いタンデム型の有機ＥＬ素子が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１２-１９５０５４」
　特許文献１の発光素子は、視角が０度（正面視）から離れると輝度が大きく低下する（視野角特性が低い）という問題がある。
　本発明の一態様にかかる発光素子は、光反射性を有する下側電極と、光透過性および光反射性を有する上側電極と、前記下側電極および前記上側電極の間に配された、下側発光層および上側発光層とを備え、前記下側発光層から出た選択波長の光の共振効果が最大となる第１視角と、前記上側発光層から出た前記選択波長の光の共振効果が最大となる第２視角とが異なる。
　本発明の一態様によれば、発光素子の視野角特性が高められる。
本実施形態の発光素子の構成を示す断面図である。 本実施形態の発光素子の発光状態を示す断面図である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 発光素子に用いられる材料の例示である。 図９（ａ）（ｂ）は、下側発光層および上側発光層の視角－規格化輝度特性を示すグラフである。 図１０（ａ）は、本実施形態の青色発光素子の視野角特性を示すグラフであり、図１０（ｂ）は、本実施形態の緑色発光素子の視野角特性を示すグラフであり、図１０（ｃ）は、本実施形態の赤色発光素子の視野角特性を示すグラフである。 本実施形態の表示装置の構成を示す模式的断面図である。 表示装置における複数色の発光素子の製造方法を示すフローチャートである。
　図１は、本実施形態の発光素子の構成を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態にかかる発光素子８０は、下側電極２１、正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側発光層３５、下側正孔ブロック層３６、下側電子輸送層３７、n型電荷生成層４１、p型電荷生成層４２、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側発光層５５、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、電子注入層５８、および上側電極７１をこの順に備えるトップエミッション型（上側から光を取り出す構造）である。正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側正孔ブロック層３６、下側電子輸送層３７、n型電荷生成層４１、p型電荷生成層４２、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、および電子注入層５８は、電荷（電子および正孔）の移動および生成の少なくとも一方に寄与する電荷機能層である。
　正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側発光層３５、下側正孔ブロック層３６、および下側電子輸送層３７が第１層３０を構成し、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側発光層５５、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、および電子注入層５８が第２層５０を構成し、第１層３０および第２層５０の間に、ｎ型電荷生成層（電子生成層）４１およびｐ型電荷生成層（ホール生成層）４２を含む電荷生成層４０が配されている。第１層３０、電荷生成層４０および第２層５０によって有機積層体６０が構成される。
　図２は、本実施形態の発光素子の発光状態を示す断面図である。発光素子８０では、例えば、下側電極２１がアノード、上側電極７１がカソードとして機能し、下側電極２１から正孔（ホール）が供給されるとともに、上側電極７１から電子が供給され、ｎ型電荷生成層４１が電子を生成するとともに、ｐ型電荷生成層４２が正孔（ホール）を生成する。これにより、下側発光層３５で電子および正孔が再結合する（エキシトンが基底状態に遷移する）ことで所定波長域の光が放出されるとともに、上側発光層５５で電子および正孔が再結合することで前記所定波長域の光（下側発光層３５と同色の光）が放出される。
　図３～図８は、発光素子に用いられる材料の例示である。電子輸送材料に制限はないが、例えば、オキサジアゾール系化合物等の電子輸送系有機材料（例えば、図３の化合物群Ａおよび図４の化合物群Ｂ）のいずれかを用いることができる。ｎ型電荷生成層４１については、電子輸送系有機材料に、５～２０％の範囲のＹｂ（イッテルビウム）もしくはＬｉ（リチウム）を添加した材料を用いることができる。下側電子輸送層３７および上側電子輸送層５７については、電子輸送系有機材料およびＬｉｑ（リチウムキノリン）を適切な比率で混合した材料を用いることができる。下側正孔ブロック層３６および上側正孔ブロック層５６のホールブロック材料としては電子輸送系有機材料を用いることができる。
　正孔輸送系有機材料（電子ブロック材料）には、例えば図５の化合物群Ｃのいずれかを用いることができる。ｐ型電荷生成層４２については、正孔輸送材料中に、１～１０％の電子受容材料を添加した材料を用いることができる。電子受容材料には、例えば図６の化合物群Ｄのいずれかを用いることができるが、特に化合物Ｎ（ＴＣＮＱ－４Ｆ）が好適である。ｐ型電荷生成層４２および正孔注入層３２には同材料を用いることができる。正孔ブロック材料には、例えば図７の化合物群Ｅのいずれかを用いることができる。
　青色発光の下側発光層３５および上側発光層５５はそれぞれが、ホスト材料（例えば、図８の化合物１）と蛍光ドーパント材料（例えば、図８の化合物２）を含んでもいてもよい。緑色発光の下側発光層３５および上側発光層５５それぞれが、ホスト材料（例えば、図８の化合物３または化合物４）と燐光ドーパント材料（例えば、図８の化合物５）を含んでもよい。赤色発光の下側発光層３５および上側発光層５５それぞれが、ホスト材料（例えば、図８の化合物６）と燐光ドーパント材料（例えば、図８の化合物７）を含んでもよい。
　下側電極２１（例えばアノード）は、例えば、ＩＴＯ（Indiuｍ Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成することができる。上側電極７１（例えばカソード）は、例えばマグネシウム銀合金等の金属薄膜で構成することができる。
　図２に示すように、下側電極２１は光反射性を有し、上側電極７１は光透過性および光反射性を有し、上側電極７１においては反射光よりも透過光が多い。このため、発光素子８０では、下側電極２１および上側電極７１間にマクロキャビティを形成することで、前下側発光層３５および上側発光層５５それぞれから出た光（同一の選択波長を有する）について共振効果を生じさせることができる。これにより、選択波長の光の強度が増大し、輝度および色純度を高めることができる。
　具体的には、下側発光層３５および上側発光層５５の選択波長、有機積層体６０の屈折率、下側電極２１での光反射で生じる位相差等に応じて、下側電極２１および下側発光層３５（発光点）間の距離Ｄａ、下側電極２１および上側発光層５５（発光点）間の距離Ｄｂ、並びに、下側電極２１および上側電極７１間の距離ＤＬを最適化する（共振条件に近づける）ことで、赤色光では選択波長の６２５〔ｎｍ〕付近、緑色光では選択波長の５３５〔ｎｍ〕付近、青色光では選択波長の４６０〔ｎｍ〕付近の強度がピーキーとなる。
　ここで、共振効果には大きな視角依存性があり、垂直視角（視角＝０度、発光層の法線に対して０度方向の視認）と、斜め視角（視角＝鋭角、発光層の法線に対して斜め方向の視認）とでは共振条件が異なる。
　例えば、波長λの光は、Ｄａが式１を満たす場合に視角θにおいて共振効果を得ることができる。なお、ｍは整数、Φａは下側電極２１での光反射で生じる位相差、ｎは有機積層体の屈折率、θｅは、視角θとなる場合の上側電極７１への入射角である。
　〔式１〕　Ｄａ＝（ｍ－Φａ／２π）×λ／（２×ｎ×ｃｏｓθｅ）
　また、波長λの光は、Ｄｂが式２を満たす場合に視角θにおいて共振効果を得ることができる。
　〔式２〕　Ｄｂ＝（ｍ－Φａ／２π）×λ／（２×ｎ×ｃｏｓθｅ）
　また、波長λの光は、ＤＬが式を満たす場合に視角θにおいて共振効果を得ることができる。なお、ｉは整数、Φｂは上側電極７１での光反射で生じる位相差とする。
　〔式３〕　ＤＬ＝{ｉ－（Φａ－Φｂ）／２π}×λ／（２×ｎ×ｃｏｓθｅ）
　本実施形態では、下側発光層３５から出た選択波長の光の共振効果が最大となる第１視角と、上側発光層５５から出た前記選択波長の光の共振効果が最大となる第２視角とを異ならせている。すなわち、第１視角を０度、第２視角を鋭角としている。
　具体的には、下側発光層３５については、垂直視角で共振効果が最大化するようにＤａを設定し、上側発光層５５については、斜め視角で共振効果が最大化するようにＤｂを設定する。ＤＬについては、垂直視角で共振効果が最大化するように設定する。
　図９（ａ）のＬＡは、垂直視角（０度）で共振効果が最大化するようにＤａを設定した場合の下側発光層３５の規格化輝度、図５（ａ）のＬＢは、斜め視角（３０度）で共振効果が最大化するようにＤｂを設定した場合の上側発光層５５の規格化輝度、図５（ａ）のＬＴは、前記のようにＤａおよびＤｂを設定した場合の発光素子の規格化輝度である。図５（ａ）のＬＴをＬＡと比較すると、視野角０～６０度の輝度特性が向上し、色純度および視野角特性が高められることがわかる。
　図９（ｂ）のＬＡは、垂直視角（０度）で共振効果が最大化するようにＤａを設定した場合の下側発光層３５の規格化輝度、図５（ｂ）のＬＢは、斜め視角（５０度）で共振効果が最大化するようにＤｂを設定した場合の上側発光層５５の規格化輝度、図５（ｂ）のＬＴは、前記のようにＤａおよびＤｂを設定した場合の発光素子の規格化輝度である。図５（ｂ）のＬＴをＬＡと比較すると、視野角２５度以上の輝度特性が向上しているものの、垂直視角の輝度が低いことがわかる。
　図１０（ａ）のＢ１・Ｂ２・Ｂ３・Ｂ４・Ｂ５・Ｂ６・Ｂ７・Ｂ８はそれぞれ、青色発光素子（選択波長λ＝４６０ｎｍ）において、垂直視角（０度）で共振効果が最大化するようにＤａを設定し、斜め視角（１０度・２０度・２５度・３０度・４０度・４５度・５０度・６０度それぞれ）で共振効果が最大化するようにＤｂを設定した場合の発光素子の規格化輝度である。図６（ａ）より、青色発光素子については、斜め視角２０度～４０度で共振効果が最大化するようにＤｂを設定すること（Ｂ３～Ｂ５）が好ましいことがわかる。具体的には、Ｄａが１１６〔ｎｍ〕～１２６〔ｎｍ〕、Ｄｂが１９２〔ｎｍ〕～２１２〔ｎｍ〕、ＤＬが２２０〔ｎｍ〕～２４０〔ｎｍ〕である。
　図１０（ｂ）のＧ１・Ｇ２・Ｇ３・Ｇ４・Ｇ５・Ｇ６・Ｇ７・Ｇ８はそれぞれ、緑色発光素子（選択波長λ＝５３５ｎｍ）において、垂直視角（０度）で共振効果が最大化するようにＤａを設定し、斜め視角（１０度・２０度・２５度・３０度・４０度・４５度・５０度・６０度それぞれ）で共振効果が最大化するようにＤｂを設定した場合の発光素子の規格化輝度である。図６（ｂ）より、緑色発光素子については、斜め視角２０度～４０度で共振効果が最大化するようにＤｂを設定すること（Ｇ３～Ｇ５）が好ましいことがわかる。具体的には、Ｄａが１３４〔ｎｍ〕～１４４〔ｎｍ〕、Ｄｂが２２２〔ｎｍ〕～２４３〔ｎｍ〕、ＤＬが２５５〔ｎｍ〕～２７５である。
　図１０（ｃ）のＲ１・Ｒ２・Ｒ３・Ｒ４・Ｒ５・Ｒ６・Ｒ７・Ｒ８はそれぞれ、赤色発光素子（選択波長λ＝６２５ｎｍ）において、垂直視角（０度）で共振効果が最大化するようにＤａを設定し、斜め視角（１０度・２０度・２５度・３０度・４０度・４５度・５０度・６０度それぞれ）で共振効果が最大化するようにＤｂを設定した場合の発光素子の規格化輝度である。図６（ｃ）より、赤色発光素子については、斜め視角２０度～４０度で共振効果が最大化するようにＤｂを設定すること（Ｒ３～Ｒ５）が好ましいことがわかる。具体的には、Ｄａが１５８〔ｎｍ〕～１６８〔ｎｍ〕、Ｄｂが２６１〔ｎｍ〕～２８４〔ｎｍ〕、ＤＬが２９８〔ｎｍ〕～３１８〔ｎｍ〕である。
　図１１は、本実施形態の表示装置の構成を示す模式的断面図である。図１１に示すように、表示装置１０においては、基板１５上に、バリア層１８、画素回路を含むＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板２０、青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、赤色発光素子８０Ｒを含む発光素子層８５、封止層８７、および機能層８８がこの順に設けられる。
　基板１５は、ガラス基板、あるいは、ポリイミド等の樹脂を主成分とする可撓性基板であり、例えば、２層のポリイミド膜およびこれらに挟まれた無機膜によって基板１５を構成することもできる。バリア層１８は、水、酸素等の異物の侵入を防ぐ無機絶縁層で構成することができる。ＴＦＴ層２０には、青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、および赤色発光素子８０Ｒを制御する画素回路が形成される。
　発光素子層８５は、青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、および赤色発光素子８０Ｒと、下側電極２１のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー膜２３を含む。エッジカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、および赤色発光素子８０Ｒは、例えば、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）である。
　発光素子層８５を覆う封止層８７は、水、酸素等の異物の発光素子層８５への浸透を防ぐ層であり、例えば、２層の無機封止膜とこれら間に形成される有機膜とで構成することができる。機能層８８は、光学制御、タッチセンサ、表面保護等の各種機能を有する層である。
　図１１に記載の青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、および赤色発光素子８０Ｒには、図１の素子構造を採用する。すなわち、青色発光素子８０Ｂは、下側電極２１、正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側発光層３５に対応する下側発光層３５Ｂ、下側正孔ブロック層３６、下側電子輸送層３７、ｎ型電荷生成層４１、ｐ型電荷生成層４２、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側発光層５５に対応する上側発光層５５Ｂ、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、電子注入層５８、および上側電極７１をこの順に備える。また、緑色発光素子８０Ｇは、下側電極２１、正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側発光層３５に対応する下側発光層３５Ｇ、下側正孔ブロック層３６、下側電子輸送層３７、ｎ型電荷生成層４１、ｐ型電荷生成層４２、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側発光層５５に対応する上側発光層５５Ｇ、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、電子注入層５８、および上側電極７１をこの順に備える。また、赤色発光素子８０Ｒは、下側電極２１、正孔注入層３２、下側正孔輸送層３３、下側電子ブロック層３４、下側発光層３５に対応する下側発光層３５Ｒ、下側正孔ブロック層３６、下側電子輸送層３７、ｎ型電荷生成層４１、ｐ型電荷生成層４２、上側正孔輸送層５３、上側電子ブロック層５４、上側発光層５５に対応する上側発光層５５Ｒ、上側正孔ブロック層５６、上側電子輸送層５７、電子注入層５８、および上側電極７１をこの順に備える。
　青色発光素子８０Ｂの設計は、例えば以下のとおりとする。すなわち、下側発光層３５Ｂについては、垂直視角で共振効果が最大化するように、下側電極２１との距離Ｄａ１を設定し、上側発光層５５Ｂについては、斜め視角で共振効果が最大化するように下側電極２１との距離Ｄｂ１を設定し、下側電極２１および上側電極７１の距離ＤＬ１は、垂直視角で共振効果が最大化するように設定する。
　緑色発光素子８０Ｇの設計は、例えば以下のとおりとする。すなわち、下側発光層３５Ｇについては、垂直視角で共振効果が最大化するように、下側電極２１との距離Ｄａ２を設定し、上側発光層５５Ｇについては、斜め視角で共振効果が最大化するように下側電極２１との距離Ｄｂ２を設定し、下側電極２１および上側電極７１の距離ＤＬ２は、垂直視角で共振効果が最大化するように設定する。
　赤色発光素子８０Ｒの設計は、例えば以下のとおりとする。すなわち、下側発光層３５Ｒについては、垂直視角で共振効果が最大化するように、下側電極２１との距離Ｄａ３を設定し、上側発光層５５Ｒについては、斜め視角で共振効果が最大化するように下側電極２１との距離Ｄｂ３を設定し、下側電極２１および上側電極７１の距離ＤＬ３は、垂直視角で共振効果が最大化するように設定する。これにより、Ｄａ１＜Ｄａ２＜Ｄａ３，Ｄｂ１＜Ｄｂ２＜Ｄｂ３，ＤＬ１＜ＤＬ２＜ＤＬ３となる。
　青色発光素子８０Ｂ、緑色発光素子８０Ｇ、および赤色発光素子８０Ｒを上記のように設計することで、各発光素子でマイクロキャビティ効果（光共振効果）を発現させることができ、色純度および視野角特性が高い表示装置１０を実現することができる。
　図１２は、表示装置における複数色の発光素子の製造方法を示すフローチャートである。図１および図１２に示すように、ステップＳ１では、下側電極２１の形成を行う。具体的には、スパッタ法を用いて、ＡｇおよびＩＴＯを順次形成する。ステップＳ２では、正孔注入層３２の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料と電子受容材料の共蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、正孔注入層３２を複数色の発光素子間で共通とする。ステップＳ３では、下側正孔輸送層３３の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、下側正孔輸送層３３を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ４では、下側電子ブロック層３４の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用い、各色に応じた膜厚（青色発光素子＜緑色発光素子＜赤色発光素子）となるように蒸着する。ステップＳ５では、下側発光層３５の形成を行う。具体的には、発光ホスト＋ドーパントの共蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用い、各色に応じた材料を蒸着する。
　ステップＳ６では、下側正孔ブロック層３６の形成を行う。具体的には、電子輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、下側正孔ブロック層３６を複数色の発光素子間で共通とする。ステップＳ７では、下側電子輸送層３７の形成を行う。具体的には、電子輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。電子輸送材料とリチウムキノリンの共蒸着でもよい。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、下側電子輸送層３７を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ８では、ｎ型電荷生成層４１の形成を行う。具体的には、電子輸送材料とＹｂもしくはＬｉとの共蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、ｎ型電荷生成層４１を複数色の発光素子間で共通とする。ステップＳ９では、ｐ型電荷生成層４２の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料と電子受容材料の共蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、ｐ型電荷生成層４２を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ１０では、上側正孔輸送層５３の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、上側正孔輸送層５３を複数色の発光素子間で共通とする。ステップＳ１１では、上側電子ブロック層５４の形成を行う。具体的には、正孔輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用い、各色に応じた膜厚（青色発光素子＜緑色発光素子＜赤色発光素子）となるように蒸着する。
　ステップＳ１２では、上側発光層５５の形成を行う。具体的には、発光ホスト＋ドーパントの共蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用い、各色に応じた材料を蒸着する。
　ステップＳ１３では、上側正孔ブロック層５６の形成を行う。具体的には、電子輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、上側正孔ブロック層５６を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ１４では、上側電子輸送層５７の形成を行う。具体的には、電子輸送材料の蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。電子輸送材料とリチウムキノリンの共蒸着でもよい。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、上側電子輸送層５７を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ１５では、電子注入層５８の形成を行う。具体的には、フッ化リチウムの蒸着を、所定温度かつ所定レートで行う。ここでは、ファインメタルマスクを用いず、電子注入層５８を複数色の発光素子間で共通とする。
　ステップＳ１６では、上側電極７１の形成を行う。具体的には、スパッタ法を用いて、例えばマグネシウム銀合金薄膜を形成する。
　上述の各実施形態は、例示および説明を目的とするものであり、限定を目的とするものではない。これら例示および説明に基づけば、多くの変形形態が可能になることが、当業者には明らかである。
　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　光反射性を有する下側電極と、光透過性および光反射性を有する上側電極と、前記下側電極および前記上側電極の間に配された、下側発光層および上側発光層とを備え、
　前記下側発光層から出た選択波長の光の共振効果が最大となる第１視角と、前記上側発光層から出た前記選択波長の光の共振効果が最大となる第２視角とが異なる発光素子。
　〔態様２〕
　上側から光を取り出すトップエミッション型であり、
　前記第２視角が鋭角である、例えば態様１に記載の発光素子。
　〔態様３〕
　前記第１視角が０度である、例えば態様２に記載の発光素子。
　〔態様４〕
　前記第２視角が、前記上側発光層の法線に対して２０度以上４５度未満をなす角である、例えば態様２または３に記載の発光素子。
　〔態様５〕
　前記下側発光層は、前記上側発光層よりも薄い、例えば態様１～４のいずれか１つに記載の発光素子。
　〔態様６〕
　前記下側電極および前記上側電極の間に複数の電荷機能層を備え、
　前記複数の電荷機能層に、前記下側発光層および前記上側発光層間に位置する電荷生成層が含まれる、例えば態様１～５のいずれか１つに記載の発光素子。
　〔態様７〕
　前記電荷生成層は、電子生成層およびホール生成層を含み、
　前記電子生成層は、電子輸送系有機材料にイッテルビウムまたはリチウムが添加された材料で構成されている、例えば態様６に記載の発光素子。
　〔態様８〕
　前記下側電極および前記上側電極の間に、前記下側発光層および前記上側発光層並びに前記複数の電荷機能層で構成された有機積層体が配されている、例えば態様６に記載の発光素子。
　〔態様９〕
　前記下側電極および前記上側発光層間の距離が、前記選択波長、前記有機積層体の屈折率、および前記下側電極での光反射で生じる位相差に応じて設定される、例えば態様８に記載の発光素子。
　〔態様１０〕
　前記選択波長は、４６０ｎｍ、５３５ｎｍ、または６２５ｎｍである、例えば態様８に記載の発光素子。
　〔態様１１〕
　前記有機積層体の屈折率は１．６４～１．７６である、例えば態様１０に記載の発光素子。
　〔態様１２〕
　前記下側発光層の厚みが、５〔ｎｍ〕～２０〔ｎｍ〕であり、前記上側発光層の厚みが、１５〔ｎｍ〕～４０〔ｎｍ〕である、例えば態様５に記載の発光素子。
　〔態様１３〕
　前記選択波長が４６０ｎｍであり、
　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１１６〔ｎｍ〕～１２６〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が１９２〔ｎｍ〕～２１２〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２２０〔ｎｍ〕～２４０〔ｎｍ〕である、例えば態様１０に記載の発光素子。
　〔態様１４〕
　前記選択波長が５３５ｎｍであり、
　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１３４〔ｎｍ〕～１４４〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が２２２〔ｎｍ〕～２４３〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２５５〔ｎｍ〕～２７５〔ｎｍ〕である、例えば態様１０に記載の発光素子。
　〔態様１５〕
　前記選択波長が６２５ｎｍであり、
　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１５８〔ｎｍ〕～１６８〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が２６１〔ｎｍ〕～２８４〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２９８〔ｎｍ〕～３１８〔ｎｍ〕である、例えば態様１０に記載の発光素子。
　〔態様１６〕
　赤色発光素子として、前記選択波長が６２５〔ｎｍ〕である、例えば態様１に記載の発光素子を含み、緑色発光素子として、前記選択波長が５３５〔ｎｍ〕である、例えば態様１に記載の発光素子を含み、青色発光素子として、前記選択波長が４６０〔ｎｍ〕である、例えば態様１に記載の発光素子を含む表示装置。
　〔態様１７〕
　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離である、例えば態様１６に記載の表示装置。
　〔態様１８〕
　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離である、例えば態様１６に記載の表示装置。
　〔態様１９〕
　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離である、例えば態様１６に記載の表示装置。
 
　１０　表示装置
　２０　ＴＦＴ基板
　２１　下側電極
　３５、３５Ｂ、３５Ｇ、３５Ｒ　下側発光層
　５５、５５Ｂ、５５Ｇ、５５Ｒ　上側発光層
　６０　有機積層体
　７１　上側電極
　８０　発光素子
　８５　発光素子層
　８７　封止層
　８８　機能層
　８０Ｒ　赤色発光素子
　８０Ｇ　緑色発光素子
　８０Ｂ　青色発光素子

Claims (19)

  1. 　光反射性を有する下側電極と、光透過性および光反射性を有する上側電極と、前記下側電極および前記上側電極の間に配された、下側発光層および上側発光層とを備え、
    　前記下側発光層から出た選択波長の光の共振効果が最大となる第１視角と、前記上側発光層から出た前記選択波長の光の共振効果が最大となる第２視角とが異なる発光素子。
  2. 　上側から光を取り出すトップエミッション型であり、
    　前記第２視角が鋭角である請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記第１視角が０度である請求項２に記載の発光素子。
  4. 　前記第２視角が、前記上側発光層の法線に対して２０度以上４５度未満をなす角である請求項２または３に記載の発光素子。
  5. 　前記下側発光層は、前記上側発光層よりも薄い請求項１～４のいずれか１項に記載の発光素子。
  6. 　前記下側電極および前記上側電極の間に複数の電荷機能層を備え、
    　前記複数の電荷機能層に、前記下側発光層および前記上側発光層間に位置する電荷生成層が含まれる請求項１～５のいずれか１項に記載の発光素子。
  7. 　前記電荷生成層は、電子生成層およびホール生成層を含み、
    　前記電子生成層は、電子輸送系有機材料にイッテルビウムまたはリチウムが添加された材料で構成されている請求項６に記載の発光素子。
  8. 　前記下側電極および前記上側電極の間に、前記下側発光層および前記上側発光層並びに前記複数の電荷機能層で構成された有機積層体が配されている請求項６に記載の発光素子。
  9. 　前記下側電極および前記上側発光層間の距離が、前記選択波長、前記有機積層体の屈折率、および前記下側電極での光反射で生じる位相差に応じて設定される請求項８に記載の発光素子。
  10. 　前記選択波長は、４６０ｎｍ、５３５ｎｍ、または６２５ｎｍである請求項８に記載の発光素子。
  11. 　前記有機積層体の屈折率は１．６４～１．７６である請求項１０に記載の発光素子。
  12. 　前記下側発光層の厚みが、５〔ｎｍ〕～２０〔ｎｍ〕であり、前記上側発光層の厚みが、１５〔ｎｍ〕～４０〔ｎｍ〕である請求項５に記載の発光素子。
  13. 　前記選択波長が４６０ｎｍであり、
    　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１１６〔ｎｍ〕～１２６〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が１９２〔ｎｍ〕～２１２〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２２０〔ｎｍ〕～２４０〔ｎｍ〕である請求項１０に記載の発光素子。
  14. 　前記選択波長が５３５ｎｍであり、
    　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１３４〔ｎｍ〕～１４４〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が２２２〔ｎｍ〕～２４３〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２５５〔ｎｍ〕～２７５〔ｎｍ〕である請求項１０に記載の発光素子。
  15. 　前記選択波長が６２５ｎｍであり、
    　前記下側電極および前記下側発光層の距離が１５８〔ｎｍ〕～１６８〔ｎｍ〕であり、前記下側電極および前記上側発光層の距離が２６１〔ｎｍ〕～２８４〔ｎｍ〕であり、前記有機積層体の厚みが２９８〔ｎｍ〕～３１８〔ｎｍ〕である請求項１０に記載の発光素子。
  16. 　赤色発光素子として、前記選択波長が６２５〔ｎｍ〕である請求項１に記載の発光素子を含み、緑色発光素子として、前記選択波長が５３５〔ｎｍ〕である請求項１に記載の発光素子を含み、青色発光素子として、前記選択波長が４６０〔ｎｍ〕である請求項１に記載の発光素子を含む表示装置。
  17. 　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記上側発光層間の距離である請求項１６に記載の表示装置。
  18. 　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記下側発光層間の距離である請求項１６に記載の表示装置。
  19. 　前記赤色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離＞前記緑色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離＞前記青色発光素子の前記下側電極および前記上側電極間の距離である請求項１６に記載の表示装置。
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