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WO2019225319A1 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

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Publication number
WO2019225319A1
WO2019225319A1 PCT/JP2019/018443 JP2019018443W WO2019225319A1 WO 2019225319 A1 WO2019225319 A1 WO 2019225319A1 JP 2019018443 W JP2019018443 W JP 2019018443W WO 2019225319 A1 WO2019225319 A1 WO 2019225319A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lid
cooling body
chamber
cooling
heat treatment
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/018443
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢一 重冨
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020207035452A priority Critical patent/KR20210011395A/ko
Priority to JP2020521144A priority patent/JP6937906B2/ja
Priority to CN201980031901.8A priority patent/CN112119482B/zh
Publication of WO2019225319A1 publication Critical patent/WO2019225319A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus.
  • This disclosure has been made in view of the above circumstances, and aims to shorten the temperature lowering time of the lid with a simple configuration.
  • a substrate processing apparatus includes a heat plate that places and heats a substrate to be processed, a lid body that can be disposed so as to surround a placement surface of the substrate in the heat plate, and a lid body And an elevating mechanism configured to be able to move up and down, and a cooling body configured to be able to cool the lid when the lid approaches or contacts.
  • the lid surrounding the hot plate can be moved up and down by an elevating mechanism, and the lid can be cooled by approaching or contacting the cooling body.
  • the lid can be cooled by a simple configuration. It becomes possible.
  • the temperature lowering time of the lid can be shortened with a simple configuration.
  • the cooling body is provided above the lid body, and may be close to or in contact with the upper surface of the lid body moved upward by the lifting mechanism. Thereby, the lid can be appropriately cooled by the cooling body when the lid is opened (moved upward) after the heat treatment.
  • the cooling body includes a temperature adjustment plate that delivers the substrate between the hot plate and the external transfer arm and adjusts the temperature of the substrate to a predetermined temperature.
  • the temperature adjustment plate is formed at the lower end of the lid. It may be close to or in contact with the part. As a result, the lid can be cooled using a temperature adjustment plate already provided for transporting and cooling the substrate, and the lid can be cooled with a simpler configuration.
  • the heat treatment module further includes a bottom wall portion on which a support portion for supporting the heat plate is placed, and a heat treatment module having a heat plate, a lid, an elevating mechanism, and a bottom wall portion is arranged in a plurality of stages above and below, and the lower heat treatment module
  • the cooling body may include the bottom wall portion of the upper heat treatment module.
  • the upper bottom wall portion functions as a cooling body, so that the lid body can be cooled using the already provided bottom wall portion in a configuration in which the heat treatment modules are arranged in multiple stages in the vertical direction.
  • the cooling of the lid can be realized with a simpler configuration.
  • the cooling body raising / lowering part comprised so that raising / lowering of the cooling body may be further provided. Thereby, it becomes possible to move a cooling body and cooling of a cover body can be implement
  • An elastic body provided between at least one of the lid body and the cooling body and disposed between the lid body and the cooling body while contacting both the lid body and the cooling body when the lid body and the cooling body are close to each other. Furthermore, you may provide.
  • the elastic body when the lid body is close to the cooling body, the elastic body is interposed between the lid body and the cooling body, and the lid body is brought close to the cooling body substantially in parallel. It becomes easy. Thereby, the whole cover body can be cooled uniformly.
  • the control unit moves the lid close to or in contact with the cooling body, the control unit moves the lid to a cooling position different from the rising position when the lid is raised at the end of the heat treatment by the hot plate.
  • the lifting mechanism may be controlled.
  • a temperature sensor for measuring the temperature of the lid body and the control unit determines whether or not to end the cooling of the lid body by the cooling body based on the temperature of the lid body measured by the temperature sensor;
  • the temperature lowering time of the lid can be shortened with a simple configuration.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
  • It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows an example of the heat processing unit.
  • It is a figure which shows typically the cooling image by a cooling body. It is a figure explaining the cooling structure of a cooling body.
  • It is a hard wafer block diagram of a controller.
  • It is a flowchart of a chamber cooling process.
  • It is a figure which shows typically the heat processing unit which concerns on 2nd Embodiment.
  • It is a figure which shows typically the heat processing unit which concerns on 3rd Embodiment.
  • It is a figure explaining the cooling structure of a cooling body.
  • the substrate processing system 1 is a system for forming a photosensitive film, exposing the photosensitive film, and developing the photosensitive film on a substrate.
  • the substrate to be processed is, for example, a semiconductor wafer W.
  • the photosensitive film is, for example, a resist film.
  • the substrate processing system 1 includes a coating / developing device 2 and an exposure device 3.
  • the exposure apparatus 3 performs an exposure process on the resist film formed on the wafer W. Specifically, the exposure target portion of the resist film is irradiated with energy rays by a method such as immersion exposure.
  • the coating / developing apparatus 2 performs a process of forming a resist film on the surface of the wafer W before the exposure process by the exposure apparatus 3, and performs a development process of the resist film after the exposure process.
  • the coating / developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a controller 100.
  • the carrier block 4 introduces the wafer W into the coating / developing apparatus 2 and derives the wafer W from the coating / developing apparatus 2.
  • the carrier block 4 can support a plurality of carriers 11 for the wafer W and incorporates a delivery arm A1.
  • the carrier 11 accommodates a plurality of circular wafers W, for example.
  • the delivery arm A ⁇ b> 1 takes out the wafer W from the carrier 11 and delivers it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it into the carrier 11.
  • the processing block 5 has a plurality of processing modules 14, 15, 16, and 17.
  • the processing modules 14, 15, 16, and 17 include a plurality of liquid processing units U1, a plurality of heat treatment units U2, and a transfer arm A3 that transfers the wafer W to these units.
  • the processing module 17 further includes a direct transfer arm A6 that transfers the wafer W without passing through the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the liquid processing unit U1 applies the processing liquid to the surface of the wafer W.
  • the heat treatment unit U2 includes, for example, a hot plate and a cooling plate, heats the wafer W with the hot plate, and cools the heated wafer W with the cooling plate to perform the heat treatment.
  • the processing module 14 forms a lower layer film on the surface of the wafer W by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the liquid processing unit U1 of the processing module 14 applies a processing liquid for forming a lower layer film on the wafer W.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 14 performs various heat treatments associated with the formation of the lower layer film.
  • the processing module 15 forms a resist film on the lower layer film by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the liquid processing unit U1 of the processing module 15 applies a processing liquid (coating liquid) for forming a resist film on the lower layer film.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 15 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film. Details of the liquid processing unit U1 of the processing module 15 will be described later.
  • the processing module 16 forms an upper layer film on the resist film by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the liquid processing unit U1 of the processing module 16 applies a processing liquid for forming an upper layer film on the resist film.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 16 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.
  • the processing module 17 develops the resist film after exposure by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the liquid processing unit U1 of the processing module 17 applies a developing processing liquid (developing liquid) on the exposed surface of the wafer W, and then rinses it with a cleaning processing liquid (rinsing liquid) to thereby remove the resist.
  • the film is developed.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 17 performs various heat treatments associated with the development processing. Specific examples of the heat treatment include heat treatment before development processing (PEB: Post Exposure Bake), heat treatment after development processing (PB: Post Bake), and the like.
  • a shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U10 is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • An elevating arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10.
  • the raising / lowering arm A7 raises / lowers the wafer W between the cells of the shelf unit U10.
  • a shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U11 is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • the interface block 6 delivers the wafer W to and from the exposure apparatus 3.
  • the interface block 6 includes a delivery arm A8 and is connected to the exposure apparatus 3.
  • the delivery arm A8 delivers the wafer W arranged on the shelf unit U11 to the exposure apparatus 3, receives the wafer W from the exposure apparatus 3, and returns it to the shelf unit U11.
  • the controller 100 controls the coating / developing apparatus 2 so as to execute the coating / developing process in the following procedure, for example.
  • the controller 100 controls the transfer arm A1 so as to transfer the wafer W in the carrier 11 to the shelf unit U10, and controls the lift arm A7 so as to place this wafer W in the cell for the processing module 14.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 14, and forms a lower layer film on the surface of the wafer W.
  • the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 are controlled.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W on which the lower layer film is formed to the shelf unit U10, and controls the lifting arm A7 so as to place the wafer W in the cell for the processing module 15.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 15, and forms a resist film on the lower layer film of the wafer W.
  • the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 are controlled.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the lift arm A7 so as to place the wafer W in the cell for the processing module 16.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to each unit in the processing module 16, and the liquid processing unit so as to form an upper layer film on the resist film of the wafer W.
  • U1 and heat treatment unit U2 are controlled.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the lifting arm A7 so as to place the wafer W in the cell for the processing module 17.
  • the controller 100 directly controls the transfer arm A6 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the shelf unit U11, and controls the transfer arm A8 so as to send this wafer W to the exposure apparatus 3. Thereafter, the controller 100 controls the transfer arm A8 so that the wafer W subjected to the exposure process is received from the exposure apparatus 3 and returned to the shelf unit U11.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U11 to each unit in the processing module 17, and the liquid processing unit U1 and the processing unit U1 and the resist film of the wafer W are subjected to development processing.
  • the heat treatment unit U2 is controlled.
  • the controller 100 controls the transfer arm A3 to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the lift arm A7 and the delivery arm A1 to return the wafer W into the carrier 11.
  • the coating / developing process is completed.
  • the specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the coating / developing apparatus 2 exemplified above. Any substrate processing apparatus may be used as long as it includes a liquid processing unit U1 for forming a film (liquid processing unit U1 of the processing modules 14, 15, and 16) and a controller 100 that can control the unit. Good.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 15 includes a housing 90, a temperature adjustment mechanism 50, a heating mechanism 30, a cooling body 70 (see FIG. 5), and an elastic body 72 (see FIG. 6). And a temperature sensor 80 and a controller 100 (control unit). 4 to 6 show only a part of the configuration of the heat treatment unit U2, and do not show the entire configuration of the heat treatment unit U2.
  • the housing 90 is a processing container that houses the heating mechanism 30 and the temperature adjustment mechanism 50.
  • An entrance 91 for the wafer W is opened on the side wall of the housing 90.
  • a floor plate 92 that divides the inside of the housing 90 into an upper region that is a movement region of the wafer W and a lower region is provided in the housing 90.
  • the temperature adjusting mechanism 50 is configured to deliver (carry) the wafer W between the hot plate 34 and the external transfer arm A3 (see FIG. 3) and adjust the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.
  • the temperature adjustment mechanism 50 includes a temperature adjustment plate 51 and a connection bracket 52.
  • the temperature adjustment plate 51 is a plate that adjusts the temperature of the mounted wafer W. Specifically, the wafer W heated by the hot plate 34 of the heating mechanism 30 is mounted and the wafer W is cooled to a predetermined temperature. It is a cool plate to do.
  • the temperature adjustment plate 51 is formed in a substantially disk shape.
  • the temperature adjustment plate 51 is made of, for example, a metal having a high thermal conductivity, such as aluminum, silver, or copper, and may be made of the same material from the viewpoint of preventing deformation due to heat. Inside the temperature adjustment plate 51, a cooling flow path (not shown) for flowing cooling water and / or cooling gas is formed.
  • connection bracket 52 is connected to the temperature adjustment plate 51 and is driven by the drive mechanism 53 controlled by the controller 100 to move in the housing 90. More specifically, the connection bracket 52 is movable along a guide rail (not shown) extending from the carry-in port 91 of the housing 90 to the vicinity of the heating mechanism 30. The temperature adjustment plate 51 can be moved from the carry-in port 91 to the heating mechanism 30 by the connection bracket 52 moving along a guide rail (not shown).
  • the connection bracket 52 is made of, for example, a metal having a high thermal conductivity such as aluminum, silver, or copper.
  • the heating mechanism 30 is configured to heat the wafer W.
  • the heating mechanism 30 includes a support base 31, a heat plate 34, a chamber 32 (lid body), an elevating mechanism 33, a support pin 35, and an elevating mechanism 36.
  • the support base 31 is a member having a cylindrical shape in which a concave portion is formed in the central portion.
  • the support base 31 supports the heat plate 34.
  • the hot plate 34 is fitted in the concave portion of the support base 31 and is configured to be able to place the processing target wafer W, and heats the placed wafer W.
  • the hot plate 34 has a heater for heating the wafer W.
  • the heater is composed of a resistance heating element, for example.
  • the chamber 32 is a lid configured to be disposed so as to surround the mounting surface of the wafer W on the hot platen 34.
  • the chamber 32 has a top plate portion 32a and a foot portion 32b.
  • the top plate portion 32a is a disk-shaped portion having a diameter similar to that of the support base 31, and is disposed so as to face the mounting surface of the heat plate 34 in the vertical direction.
  • the foot portion 32b is a portion extending downward from the outer edge of the top plate portion 32a.
  • An exhaust duct 37 is connected to the top of the top plate portion 32a. The exhaust duct 37 exhausts the inside of the chamber.
  • the elevating mechanism 33 is configured to elevate and lower the chamber 32 according to the control of the controller 100.
  • the space for performing the heat treatment of the wafer W is opened, and when the chamber 32 is lowered, the space for performing the heat treatment is closed.
  • the support pins 35 are members that extend through the support base 31 and the hot plate 34 and support the wafer W from below.
  • the support pins 35 are moved up and down to place the wafer W at a predetermined position.
  • the support pins 35 are configured to deliver the wafer W to and from the temperature adjustment plate 51 that transports the wafer W.
  • three support pins 35 are provided at equal intervals in the circumferential direction.
  • the elevating mechanism 36 is configured to raise and lower the support pin 35 in accordance with the control of the controller 100.
  • the elevating mechanism 36 is configured to be able to raise and lower the wafer W (specifically, support pins 35 that support the wafer W) so that the wafer W is brought close to the hot plate 34 and the wafer W is placed on the hot plate 34. Has been.
  • the cooling body 70 is a member configured to be able to cool the chamber 32 when the chamber 32 approaches or comes into contact with the cooling body 70.
  • the cooling body 70 is a disk-shaped member having the same diameter as the top plate portion 32a of the chamber 32. It is a member.
  • a cooling flow path 71 for circulating a cooling medium (for example, cooling water and / or cooling gas) is formed inside the cooling body 70.
  • the cooling body 70 is provided above the chamber 32, and approaches or contacts the upper surface of the top plate portion 32 a of the chamber 32 moved upward by the elevating mechanism 33.
  • FIG. 5C shows a state in which the top surface of the top plate portion 32a of the chamber 32 moved upward is close to or in contact with the cooling body 70.
  • the position of the chamber 32 (cooling position) in this state is the position of the chamber 32 during the heat treatment (see FIG. 5A) and the position of the chamber 32 when the chamber 32 is opened when cooling is not performed ( This is different from any of FIG. That is, for example, the cooling body 70 is disposed above the position of the chamber 32 when the chamber 32 is opened when cooling is not performed (see FIG. 5B) (see FIG. 5C). Only when the chamber 32 is raised to the cooling position, it is arranged so as to be close to or in contact with the upper surface of the top plate portion 32a.
  • the elastic body 72 is provided on the lower surface of the cooling body 70, and the chamber 32 and the cooling body 70 are in contact with both the chamber 32 and the cooling body 70 when the chamber 32 and the cooling body 70 come close to each other.
  • a plurality of elastic bodies 72 are arranged at equal intervals on the lower surface of the cooling body 70.
  • the upper surface of the top plate portion 32a of the chamber 32 does not directly contact the cooling body 70 but approaches (closes to) the cooling body 70 via the elastic body 72. It becomes.
  • the separation distance between the chamber 32 and the cooling body 70 is, for example, about 0.1 mm to 10 mm.
  • a gas having a high thermal conductivity such as helium may be injected at the time of cooling.
  • the temperature sensor 80 is a sensor that is provided on the top 32 a of the chamber 32 and measures the temperature in the chamber 32.
  • a plurality of temperature sensors 80 may be provided on the top plate portion 32a, or only one temperature sensor 80 may be provided.
  • the temperature sensor 80 outputs the measured temperature of the chamber 32 to the controller 100.
  • the controller 100 includes a chamber open / close control unit 101, a support pin lifting / lowering control unit 102, and a plate movement control unit 103 as functional modules.
  • the chamber opening / closing control unit 101 controls the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 opens and closes.
  • the chamber opening / closing control unit 101 determines, for example, whether the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the next processing lot at the timing when the heat treatment of the wafer W is completed. When it is determined that the chamber opening / closing control unit 101 is high, the chamber opening / closing control unit 101 controls the elevating mechanism 33 so that the chamber 32 approaches or contacts the cooling body 70.
  • the chamber opening / closing control unit 101 When the chamber opening / closing control unit 101 is brought close to or in contact with the cooling body 70, the chamber opening / closing control unit 101 opens a normal position when the chamber 32 is opened (raised) at the end of the heat treatment by the hot plate 34 (FIG. 5B).
  • the elevating mechanism 33 is controlled so that the chamber 32 is moved to a cooling position (see FIG. 5C) different from that of (see FIG. 5).
  • the chamber opening / closing control unit 101 moves the raising / lowering mechanism 33 so as to move the chamber 32 to a cooling position above the normal ascent position. Control.
  • the chamber opening / closing control unit 101 acquires the temperature of the chamber 32 from the temperature sensor 80 and ends the cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 based on the temperature. It is determined whether or not to do. For example, the chamber opening / closing control unit 101 may determine that the cooling is to be terminated when the temperature has reached a predetermined target temperature (or target temperature range). Note that such a target temperature can be easily set by acquiring in advance a relational expression of the temperature of the chamber 32 with respect to the temperature of the hot plate 34. When it is determined that the cooling is finished, the chamber opening / closing control unit 101 controls the elevating mechanism 33 so that the chamber 32 is separated from the cooling body 70.
  • a predetermined target temperature or target temperature range
  • the chamber opening / closing control unit 101 determines that the cooling is finished, for example, the chamber 32 is lowered from the cooling position (see FIG. 5C) to the normal ascending position (see FIG. 5B).
  • the lifting mechanism 33 is controlled.
  • the chamber opening / closing control unit 101 may cool the chamber 32 by the cooling body 70 for a predetermined time without using the measurement value of the temperature sensor 80.
  • the support pin elevating control unit 102 controls the elevating mechanism 36 so that the wafer W is transferred between the temperature adjustment plate 51 and the support pins 35 by elevating the support pins 35.
  • the support pin lifting / lowering control unit 102 controls the lifting / lowering mechanism 36 so that the support pins 35 that support the wafer W are lowered and the wafer W is placed on the hot plate 34 from the support pins 35.
  • the plate movement control unit 103 controls the drive mechanism 53 so that the temperature adjustment plate 51 moves in the housing 90.
  • the controller 100 includes one or a plurality of control computers.
  • the controller 100 includes a circuit 120 illustrated in FIG.
  • the circuit 120 includes one or more processors 121, a memory 122, a storage 123, an input / output port 124, and a timer 125.
  • the input / output port 124 inputs and outputs electrical signals between the lifting mechanism 33, the lifting mechanism 36, the drive mechanism 53, and the temperature sensor 80.
  • the timer 125 measures the elapsed time by, for example, counting a reference pulse with a fixed period.
  • the storage 123 includes a computer-readable recording medium such as a hard disk.
  • the recording medium records a program for executing a substrate processing procedure described later.
  • the recording medium may be a removable medium such as a nonvolatile semiconductor memory, a magnetic disk, and an optical disk.
  • the memory 122 temporarily records the program loaded from the recording medium of the storage 123 and the calculation result by the processor 121.
  • the processor 121 configures each functional module described above by executing the program in cooperation with the memory 122.
  • each functional module of the controller 100 may be configured by a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) in which the functional modules are integrated.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • the flowchart of FIG. 8 shows a chamber cooling processing procedure that is started, for example, when the heating processing of the wafer W is completed.
  • the controller 100 determines whether or not the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the next processing lot (step S1). If it is determined in S1 that it is not high, the process ends. On the other hand, when it is determined that the temperature is high in S1, that is, when it is determined that the set temperature of the hot plate 34 needs to be lowered and the temperature of the chamber 32 needs to be lowered, the controller 100 sets the cooling position (the chamber 32 is a cooling body). The elevating mechanism 33 is controlled so as to raise the chamber to a position close to or in contact with 70 (step S2). Thereby, cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 is started.
  • the controller 100 acquires the temperature of the chamber 32 from the temperature sensor 80, and whether or not the chamber 32 has reached the target temperature by cooling by the cooling body 70 (whether cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 is finished) or not. Is determined (step S3). If it is determined in S3 that it has not reached, the determination in step S3 is performed again after a predetermined time has elapsed. On the other hand, when it determines with having reached
  • the heat treatment unit U2 includes a hot plate 34 that places and heats the wafer W to be processed, and a chamber 32 that can be disposed so as to surround the wafer W placement surface of the hot plate 34, An elevating mechanism 33 configured to be able to move up and down the chamber 32 and a cooling body 70 configured to be able to cool the chamber 32 when the chamber 32 approaches or comes into contact therewith.
  • the chamber 32 surrounding the hot plate 34 can be raised and lowered by the raising / lowering mechanism 33, and the chamber 32 can be cooled by approaching or contacting the cooling body 70.
  • the chamber 32 is cooled by a simple configuration by providing the configuration for moving the chamber 32 (elevating mechanism 33) and the configuration for cooling the chamber 32 by simply approaching or contacting (cooling body 70). It becomes possible.
  • the temperature lowering time of the chamber 32 can be shortened with a simple configuration.
  • the temperature lowering time of the chamber 32 can be shortened, and the time required for maintenance can be shortened.
  • the cooling body 70 is provided above the chamber 32, and approaches or comes into contact with the upper surface of the chamber 32 moved upward by the elevating mechanism 33. Thereby, the chamber 32 can be appropriately cooled by the cooling body 70 when the chamber 32 is opened (moved upward) after the heat treatment.
  • the heat treatment unit U2 described above is provided on the lower surface of the cooling body 70, and is disposed between the chamber 32 and the cooling body 70 while contacting both the chamber 32 and the cooling body 70 when the chamber 32 and the cooling body 70 are close to each other.
  • the elastic body 72 is further provided. By providing such an elastic body 72, when the chamber 32 is close to the cooling body 70, the elastic body 72 is interposed between the chamber 32 and the cooling body 70, and the chamber 32 is separated from the cooling body 70. It becomes easy to make them approach in parallel. Thereby, the whole chamber 32 can be cooled uniformly.
  • the heat treatment unit U2 described above determines whether or not the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the processing lot to be processed next time. Or a controller 100 configured to perform control of the elevating mechanism 33 so as to come into contact. Thereby, when it is necessary to lower the set temperature of the hot plate 34 and it is desired to cool the chamber 32 accordingly, the chamber 32 can be appropriately cooled by the cooling body 70.
  • the controller 100 moves the chamber 32 to a cooling position different from the normal ascending position when raising the chamber 32 at the end of the heat treatment by the hot plate 34.
  • the elevating mechanism 33 is controlled so that Thus, by setting a cooling position different from the normal open position (ascending position) after the heat treatment, it is possible to switch between normal open and movement during cooling by simple control.
  • a temperature sensor 80 for measuring the temperature of the chamber 32 is further provided, and the controller 100 determines whether or not the cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 is finished based on the temperature of the chamber 32 measured by the temperature sensor 80. And controlling the elevating mechanism 33 so that the chamber 32 is separated from the cooling body 70 when it is determined to end. By controlling in this way, the chamber 32 can surely reach the cooling target temperature, and the cooling process can be finished immediately after the cooling is completed.
  • a plurality of heat treatment modules 300 are arranged in multiple stages in the vertical direction.
  • the heat treatment module 300 is configured to include at least the heating mechanism 30 including the above-described hot plate 34, chamber 32, and elevating mechanism 33, and a bottom wall portion 270 that acts as a cooling body.
  • the bottom wall portion 270 is a portion on which the support base 31 (see FIG. 4) that supports the hot plate 34 is placed, and is disposed at the lowermost end in the heat treatment module 300.
  • the bottom wall portion 270 is used as a cooling body (specifically, a cooling body in the lower heat treatment module).
  • the bottom wall portion 270 may be any as long as it can always maintain a temperature lower than the temperature assumed as the set temperature of the heat plate 34. Since the bottom wall portion 270 is located below the hot plate 34 and is separated from the hot plate 34, it is easy to maintain a low temperature.
  • the bottom wall part 270 may have a cooling flow path for circulating the cooling medium, like the cooling body of the first embodiment.
  • the cooling body in the lower heat treatment module 300b is the same as that in the upper heat treatment module 300a.
  • the bottom wall 270 is included. Even in such a configuration, as in the first embodiment, the controller 100 controls the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 moves upward, so that the chamber 32 of the lower heat treatment module 300b is moved to the upper stage.
  • the bottom wall portion 270 of the heat treatment module 300a (a cooling body for the lower heat treatment module 300b) can be brought close to or in contact with.
  • the bottom wall portion 270 of the upper heat treatment module 300a functions as a cooling body for the lower heat treatment module 300b, so that the heat treatment modules are conventionally provided in a multi-stage arrangement.
  • the chamber 32 can be cooled using the bottom wall portion 270, and the cooling of the chamber 32 can be realized with a simpler configuration because there is no need to provide a separate cooling body.
  • the uppermost heat treatment module (for example, the heat treatment module 300a) has no upper heat treatment module and there is no bottom wall portion 270 to be used as a cooling body.
  • a cooling body 170 may be provided above.
  • a temperature adjustment plate 351 (cool plate) that delivers the wafer W between the hot plate 34 and the external transfer arm A3 (see FIG. 3) and adjusts the temperature of the wafer W to a predetermined temperature. ) Also functions as a cooling body for cooling the chamber 32.
  • the temperature adjustment plate 351 cools the chamber 32 by approaching or coming into contact with the lower end of the foot 32b of the chamber 32 (see FIG. 10).
  • the temperature adjustment plate 351 is formed with a cooling flow path 352 for circulating the cooling medium.
  • the temperature adjustment plate 351 stands by at a position away from the hot plate 34 as shown in FIG.
  • the chamber 32 is opened as shown in FIG. 10B, and the temperature adjustment plate 351 is disposed on the hot plate 34 to transport the wafer W.
  • the temperature adjustment plate 351 normally only delivers the wafer W, but in this embodiment, as shown in FIG. 10C, the foot 32b of the chamber 32 is placed on the upper surface of the temperature adjustment plate 351. The lower ends of the chambers 32 are brought close to or in contact with each other, and the chamber 32 is cooled.
  • the elastic body 400 may be provided on the upper surface of the temperature adjustment plate 351.
  • the elastic body 400 is a spring-like member disposed between the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 while being in contact with both the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 when the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 are close to each other.
  • the chamber 32 is cooled by using the temperature adjustment plate 351 that has been conventionally provided in order to transport the wafer W and to cool the chamber W, thereby realizing the cooling of the chamber 32 with a simpler configuration. Can do.
  • this indication is not limited to the above-mentioned embodiment.
  • a cooling body elevating unit configured to be able to raise and lower the cooling body 70 may be further provided. Thereby, the cooling body 70 can be moved, and the cooling of the chamber 32 can be realized more easily.
  • the elastic body 72 provided in the cooling body 70 was demonstrated as one aspect

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Abstract

熱処理ユニットは、処理対象のウェハを載置し加熱する熱板と、熱板におけるウェハの載置面を囲うように配置可能に構成されたチャンバーと、チャンバーを昇降可能に構成された昇降機構と、チャンバーが近接又は接触することによりチャンバーを冷却可能に構成された冷却体と、を備える。

Description

基板処理装置
　本開示は、基板処理装置に関する。
　熱処理では、熱板温度の設定値を変更する際、熱板を覆うチャンバー（蓋体）についても熱板と同様に温度を変更する必要がある。このようなチャンバーの温度変更に関して、熱板温度を下げる場合（これに伴ってチャンバーの温度も下げる場合）には、チャンバーの熱容量によって、チャンバーの温度低下に時間を要してしまう。
　特許文献１に記載された技術では、熱板温度が高温から低温に変更された場合には、ペルチェ素子を作動させることにより、ヒートパイプを介してチャンバーの冷却作用を促進させている。
特開２００２－２２８３７５号公報
　ここで、上述した特許文献１のように、ペルチェ素子及びヒートパイプを介してチャンバーの冷却を行う場合には、構成が複雑になることが問題となる。
　本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成によって、蓋体の降温時間を短縮することを目的とする。
　本開示の一態様に係る基板処理装置は、処理対象の基板を載置し加熱する熱板と、熱板における基板の載置面を囲うように配置可能に構成された蓋体と、蓋体を昇降可能に構成された昇降機構と、蓋体が近接又は接触することにより蓋体を冷却可能に構成された冷却体と、を備える。
　本開示に係る基板処理装置では、熱板を囲う蓋体が昇降機構によって昇降可能とされており、蓋体が冷却体に近接又は接触することにより蓋体を冷却可能とされている。このように、蓋体を動かす構成（昇降機構）を設けると共に、単に近接又は接触することにより蓋体を冷却する構成（冷却体）を設けることにより、簡易な構成によって蓋体を冷却することが可能となる。このことで、簡易な構成によって蓋体の降温時間を短縮することができる。
　冷却体は、蓋体の上方に設けられており、昇降機構によって上方に移動した蓋体の上面と近接又は接触してもよい。これにより、熱処理後に蓋体をオープンする（上方に移動させる）際に冷却体によって適切に蓋体を冷却することができる。
　冷却体は、熱板と外部の搬送アームとの間で基板を受け渡すと共に、基板の温度を所定温度に調整する温度調整プレートを含んで構成されており、温度調整プレートは、蓋体の下端部と近接又は接触してもよい。これにより、基板を運搬すると共に冷却等するために既に設けられている温度調整プレートを用いて蓋体の冷却を行うことができ、より簡易な構成によって蓋体の冷却を実現することができる。
　熱板を支持する支持部を載置する底壁部を更に備え、熱板、蓋体、昇降機構、及び底壁部を有する加熱処理モジュールが上下に多段配置されており、下段の加熱処理モジュールにおける冷却体は、上段の加熱処理モジュールにおける底壁部を含んで構成されていてもよい。このように、上段の底壁部が冷却体として機能することにより、加熱処理モジュールが上下に多段配置された構成において、既に設けられている底壁部を用いて蓋体の冷却を行うことができ、より簡易な構成によって蓋体の冷却を実現することができる。
　冷却体を昇降可能に構成された冷却体昇降部を更に備えていてもよい。これにより、冷却体を動かすことが可能となり、より簡易に蓋体の冷却を実現することができる。
　蓋体及び冷却体の少なくともいずれか一方に設けられ、蓋体及び冷却体が近接する際に、蓋体及び冷却体の双方に接触しながら蓋体及び冷却体の間に配置される弾性体を更に備えていてもよい。このような弾性体が設けられることにより、蓋体が冷却体に近接する際には蓋体と冷却体との間に弾性体が介在し、蓋体を冷却体に対して略平行に近接させやすくなる。これにより、蓋体の全体を均一的に冷却することができる。
　基板の加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定することと、高いと判定した場合に蓋体が冷却体に近接又は接触するように昇降機構を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備えていてもよい。これにより、熱板の設定温度を下げる必要がありこれに伴って蓋体を冷却したい場合において、冷却体によって適切に蓋体を冷却することができる。
　制御部は、蓋体を冷却体に近接又は接触させる際には、熱板による加熱処理終了時において蓋体を上昇させる際の上昇位置とは異なる冷却位置に、蓋体を移動させるように、昇降機構を制御してもよい。このように、加熱処理後の通常のオープン時の位置（上昇位置）とは異なる冷却位置を設定することにより、簡易な制御によって、通常のオープンと冷却時の移動とを切り替えることができる。
　蓋体の温度を測定する温度センサを更に備え、制御部は、温度センサにより測定された蓋体の温度に基づいて、冷却体による蓋体の冷却を終了するか否かを判定することと、終了すると判定した場合に蓋体が冷却体から離間するように昇降機構を制御することと、を更に実行するように構成されていてもよい。このように制御することで、蓋体を確実に冷却目標温度に到達させることができると共に、冷却完了後においてすぐに冷却処理を終了することができる。
　本開示によれば、簡易な構成によって、蓋体の降温時間を短縮することができる。
第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 熱処理ユニットの一例を示す概略縦断面図である。 冷却体による冷却イメージを模式的に示す図である。 冷却体の冷却構造を説明する図である。 コントローラのハードウェハ構成図である。 チャンバー冷却処理のフローチャートである。 第２実施形態に係る熱処理ユニットを模式的に示す図である。 第３実施形態に係る熱処理ユニットを模式的に示す図である。 冷却体の冷却構造を説明する図である。
［第１実施形態］
　以下、第１実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板処理システム〕
　基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
　基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
（塗布・現像装置）
　以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１～図３に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。
　キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
　処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示されるように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
　処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（塗布液）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１についての詳細は後述する。
　処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ　Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
　コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。
　まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
　次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
　なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
〔熱処理ユニット〕
　続いて、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２について図４～図７を参照して詳細に説明する。図４～図６に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、筐体９０と、温度調整機構５０と、加熱機構３０と、冷却体７０（図５参照）と、弾性体７２（図６参照）と、温度センサ８０と、コントローラ１００（制御部）とを有する。なお、図４～図６については、いずれも熱処理ユニットＵ２の一部の構成を示すものであり、熱処理ユニットＵ２の全ての構成を示すものではない。
　筐体９０は、加熱機構３０及び温度調整機構５０を収容する処理容器である。筐体９０の側壁にはウェハＷの搬入口９１が開口されている。また、筐体９０内には、筐体９０内をウェハＷの移動領域である上方領域と、下方領域とに区画する床板９２が設けられている。
　温度調整機構５０は、熱板３４と外部の搬送アームＡ３（図３参照）との間でウェハＷを受け渡す（搬送する）と共に、ウェハＷの温度を所定温度に調整する構成である。温度調整機構５０は、温度調整プレート５１と、連結ブラケット５２とを有する。
　温度調整プレート５１は、載置されたウェハＷの温度調整を行うプレートであり、詳細には、加熱機構３０の熱板３４により加熱されたウェハＷを載置し該ウェハＷを所定温度に冷却するクールプレートである。本実施形態では、温度調整プレート５１は、略円盤状に形成されている。温度調整プレート５１は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されており、熱による変形を防止する観点等から同一の材料で構成されていてもよい。温度調整プレート５１の内部には、冷却水及び（又は）冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されている。
　連結ブラケット５２は、温度調整プレート５１に連結されると共に、コントローラ１００によって制御される駆動機構５３によって駆動させられ、筐体９０内を移動する。より詳細には、連結ブラケット５２は、筐体９０の搬入口９１から加熱機構３０の近傍にまで延びるガイドレール（不図示）に沿って移動可能とされている。連結ブラケット５２がガイドレール（不図示）に沿って移動することにより、温度調整プレート５１が搬入口９１から加熱機構３０まで移動可能となっている。連結ブラケット５２は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されている。
　加熱機構３０は、ウェハＷを加熱処理する構成である。加熱機構３０は、支持台３１と、熱板３４と、チャンバー３２（蓋体）と、昇降機構３３と、支持ピン３５と、昇降機構３６と、を有する。
　支持台３１は、中央部分に凹部が形成された円筒形状を呈する部材である。支持台３１は、熱板３４を支持する。熱板３４は、支持台３１の凹部に嵌合されると共に、処理対象のウェハＷを載置可能に構成されており、載置したウェハＷを加熱する。熱板３４は、ウェハＷを加熱処理するためのヒータを有している。当該ヒータは例えば抵抗発熱体から構成されている。
　チャンバー３２は、熱板３４におけるウェハＷの載置面を囲うように配置可能に構成された蓋体である。チャンバー３２は、天板部３２ａと、足部３２ｂとを有している。天板部３２ａは、支持台３１と同程度の直径の円板状の部分であり、熱板３４の載置面と上下方向で対向するように配置される。足部３２ｂは、天板部３２ａの外縁から下方に延びる部分である。天板部３２ａの上部には排気ダクト３７が接続されている。排気ダクト３７は、チャンバー内の排気を行う。
　昇降機構３３は、コントローラ１００の制御に応じてチャンバー３２を昇降させる構成である。昇降機構３３によってチャンバー３２が上昇させられることにより、ウェハＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、チャンバー３２が下降させられることにより、加熱処理を行う空間が閉じられた状態となる。
　支持ピン３５は、支持台３１及び熱板３４を貫通するように延びウェハＷを下方から支持する部材である。支持ピン３５は、上下方向に昇降することにより、ウェハＷを所定の位置に配置する。支持ピン３５は、ウェハＷを搬送する温度調整プレート５１との間でウェハＷの、受け渡しを行う構成である。支持ピン３５は、例えば周方向等間隔に３本設けられている。昇降機構３６は、コントローラ１００の制御に応じて支持ピン３５を昇降させる構成である。昇降機構３６は、熱板３４に対してウェハＷを近づけ、熱板３４にウェハＷが載置されるように、ウェハＷ（詳細にはウェハＷを支持する支持ピン３５）を昇降可能に構成されている。
　冷却体７０は、チャンバー３２が近接又は接触することによりチャンバー３２を冷却可能に構成された部材である冷却体７０は、例えば、チャンバー３２の天板部３２ａと同程度の直径の円板状の部材である。図６に示されるように、冷却体７０の内部には、冷却用媒体（例えば冷却水及び（又は）冷却気体）を流通させるための冷却流路７１が形成されている。図５に示されるように、冷却体７０は、チャンバー３２の上方に設けられており、昇降機構３３によって上方に移動したチャンバー３２の天板部３２ａの上面と近接又は接触する。
　図５（ｃ）は、上方に移動したチャンバー３２の天板部３２ａの上面が冷却体７０に近接又は接触した状態を示している。この状態におけるチャンバー３２の位置（冷却位置）は、加熱処理中におけるチャンバー３２の位置（図５（ａ）参照）、及び、冷却を行わない場合にチャンバー３２をオープンした際のチャンバー３２の位置（図５（ｂ）参照）のいずれとも異なっている。すなわち、冷却体７０は、例えば、冷却を行わない場合にチャンバー３２をオープンした際のチャンバー３２の位置（図５（ｂ）参照）よりも上方に配置されており（図５（ｃ）参照）、チャンバー３２が冷却位置まで上昇した場合にのみ、天板部３２ａの上面と近接又は接触するように配置されている。
　弾性体７２は、図６に示されるように、冷却体７０の下面に設けられ、チャンバー３２及び冷却体７０が近接する際に、チャンバー３２及び冷却体７０の双方に接触しながらチャンバー３２及び冷却体７０の間に配置されるバネ状部材である。弾性体７２は、例えば、冷却体７０の下面において等間隔で複数配置されている。このように弾性体７２が設けられている構成においては、チャンバー３２の天板部３２ａの上面は冷却体７０に直接接触せず、弾性体７２を介して冷却体７０に近づく（近接する）こととなる。弾性体７２を介した状態において、チャンバー３２と冷却体７０との離間距離は、例えば０．１ｍｍ～１０ｍｍ程度とされる。なお、弾性体７２を用いる場合のように、チャンバー３２と冷却体７０とを接触させない構成においては、例えばヘリウム等の熱伝導率が高い気体を冷却時に噴射してもよい。
　温度センサ８０は、チャンバー３２の天板部３２ａに設けられ、チャンバー３２における温度を測定するセンサである。温度センサ８０は、天板部３２ａに複数設けられていてもよいし、１つのみ設けられていてもよい。温度センサ８０は、測定したチャンバー３２の温度をコントローラ１００に出力する。
　コントローラ１００は、図４に示されるように、機能モジュールとして、チャンバー開閉制御部１０１と、支持ピン昇降制御部１０２と、プレート移動制御部１０３と、を有する。
　チャンバー開閉制御部１０１は、チャンバー３２が開閉するように、昇降機構３３を制御する。チャンバー開閉制御部１０１は、例えばウェハＷの加熱処理が終了したタイミングにおいて、ウェハＷの加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定する。チャンバー開閉制御部１０１は、高いと判定した場合において、チャンバー３２が冷却体７０に近接又は接触するように、昇降機構３３を制御する。
　チャンバー開閉制御部１０１は、チャンバー３２を冷却体７０に近接又は接触させる際には、熱板３４による加熱処理終了時においてチャンバー３２をオープン（上昇）させる際の通常の上昇位置（図５（ｂ）参照）とは異なる冷却位置（図５（ｃ）参照）に、チャンバー３２を移動させるように、昇降機構３３を制御する。具体的には、チャンバー開閉制御部１０１は、チャンバー３２を冷却体７０に近接又は接触させる際には、通常の上昇位置よりも上方の冷却位置にチャンバー３２を移動させるように、昇降機構３３を制御する。
　チャンバー開閉制御部１０１は、冷却体７０によるチャンバー３２の冷却が開始された後において、温度センサ８０からチャンバー３２の温度を取得し、該温度に基づいて、冷却体７０によるチャンバー３２の冷却を終了するか否かを判定する。チャンバー開閉制御部１０１は、例えば、温度が予め定められた目標温度（或いは、目標温度帯）に達している場合に、冷却を終了すると判定してもよい。なお、このような目標温度は、熱板３４の温度に対するチャンバー３２の温度の関係式を予め取得しておくことにより、容易に設定することができる。チャンバー開閉制御部１０１は、冷却を終了すると判定した場合に、チャンバー３２が冷却体７０から離間するように昇降機構３３を制御する。チャンバー開閉制御部１０１は、冷却を終了すると判定した場合には、例えば、チャンバー３２を冷却位置（図５（ｃ）参照）から通常の上昇位置（図５（ｂ）参照）下降させるように、昇降機構３３を制御する。なお、チャンバー開閉制御部１０１は、温度センサ８０の測定値を用いずに、予め定められた時間だけ冷却体７０によるチャンバー３２の冷却を行うこととしてもよい。
　支持ピン昇降制御部１０２は、支持ピン３５の昇降によって温度調整プレート５１と支持ピン３５との間でウェハＷの受け渡しが行われるように、昇降機構３６を制御する。また、支持ピン昇降制御部１０２は、ウェハＷを支持する支持ピン３５が降下し支持ピン３５から熱板３４にウェハＷが載置されるように、昇降機構３６を制御する。
　プレート移動制御部１０３は、温度調整プレート５１が筐体９０内を移動するように、駆動機構５３を制御する。
　コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図１３に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。
　入出力ポート１２４は、昇降機構３３、昇降機構３６、駆動機構５３、及び温度センサ８０との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
　なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
〔チャンバー冷却処理手順〕
　次に、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて熱処理ユニットＵ２が実行するチャンバー冷却処理手順を、図８を参照して説明する。
　図８のフローチャートは、例えばウェハＷの加熱処理が終了した時点から開始される、チャンバー冷却処理手順を示している。図８に示されるように、まず、コントローラ１００は、ウェハＷの加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定する（ステップＳ１）。Ｓ１において高くないと判定した場合には、処理が終了する。一方で、Ｓ１において高いと判定した場合、すなわち、熱板３４の設定温度を下げる共にチャンバー３２の温度を下げる必要があると判定した場合には、コントローラ１００は、冷却位置（チャンバー３２が冷却体７０に近接又は接触する位置）までチャンバーを上昇させるように、昇降機構３３を制御する（ステップＳ２）。これにより、冷却体７０によるチャンバー３２の冷却が開始される。
　つづいて、コントローラ１００は、温度センサ８０からチャンバー３２の温度を取得し、冷却体７０による冷却によってチャンバー３２が目標温度に到達しているか（冷却体７０によるチャンバー３２の冷却を終了するか）否かを判定する（ステップＳ３）。Ｓ３において到達していないと判定した場合には、所定時間経過後に再度ステップＳ３の判定を行う。一方で、Ｓ３において到達していると判定して場合には、チャンバー３２が冷却体７０から離間して下方に移動するように、昇降機構３３を制御する（ステップＳ４）。以上が、冷却処理手順である。
〔作用効果〕
　本実施形態に係る熱処理ユニットＵ２は、処理対象のウェハＷを載置し加熱する熱板３４と、熱板３４におけるウェハＷの載置面を囲うように配置可能に構成されたチャンバー３２と、チャンバー３２を昇降可能に構成された昇降機構３３と、チャンバー３２が近接又は接触することによりチャンバー３２を冷却可能に構成された冷却体７０と、を備える。
　本実施形態の熱処理ユニットＵ２では、熱板３４を囲うチャンバー３２が昇降機構３３によって昇降可能とされており、チャンバー３２が冷却体７０に近接又は接触することによりチャンバー３２を冷却可能とされている。このように、チャンバー３２を動かす構成（昇降機構３３）を設けると共に、単に近接又は接触することによりチャンバー３２を冷却する構成（冷却体７０）を設けることにより、簡易な構成によってチャンバー３２を冷却することが可能となる。このことで、簡易な構成によってチャンバー３２の降温時間を短縮することができる。なお、熱処理ユニットＵ２では、基板処理後だけでなく、メンテナンス時においてもチャンバー３２の降温時間を短縮し、メンテナンスにかかる時間を短縮することができる。
　冷却体７０は、チャンバー３２の上方に設けられており、昇降機構３３によって上方に移動したチャンバー３２の上面と近接又は接触する。これにより、加熱処理後にチャンバー３２をオープンする（上方に移動させる）際に冷却体７０によって適切にチャンバー３２を冷却することができる。
　上述した熱処理ユニットＵ２は、冷却体７０の下面に設けられ、チャンバー３２及び冷却体７０が近接する際に、チャンバー３２及び冷却体７０の双方に接触しながらチャンバー３２及び冷却体７０の間に配置される弾性体７２を更に備える。このような弾性体７２が設けられることにより、チャンバー３２が冷却体７０に近接する際にはチャンバー３２と冷却体７０との間に弾性体７２が介在し、チャンバー３２を冷却体７０に対して略平行に近接させやすくなる。これにより、チャンバー３２の全体を均一的に冷却することができる。
　上述した熱処理ユニットＵ２は、ウェハＷの加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定することと、高いと判定した場合にチャンバー３２が冷却体７０に近接又は接触するように昇降機構３３を制御することと、を実行するように構成されたコントローラ１００を更に備える。これにより、熱板３４の設定温度を下げる必要がありこれに伴ってチャンバー３２を冷却したい場合において、冷却体７０によって適切にチャンバー３２を冷却することができる。
　コントローラ１００は、チャンバー３２を冷却体７０に近接又は接触させる際には、熱板３４による加熱処理終了時においてチャンバー３２を上昇させる際の通常の上昇位置とは異なる冷却位置に、チャンバー３２を移動させるように、昇降機構３３を制御する。このように、加熱処理後の通常のオープン時の位置（上昇位置）とは異なる冷却位置を設定することにより、簡易な制御によって、通常のオープンと冷却時の移動とを切り替えることができる。
　チャンバー３２の温度を測定する温度センサ８０を更に備え、コントローラ１００は、温度センサ８０により測定されたチャンバー３２の温度に基づいて、冷却体７０によるチャンバー３２の冷却を終了するか否かを判定することと、終了すると判定した場合にチャンバー３２が冷却体７０から離間するように昇降機構３３を制御することと、を更に実行するように構成されている。このように制御することで、チャンバー３２を確実に冷却目標温度に到達させることができると共に、冷却完了後においてすぐに冷却処理を終了することができる。
［第２実施形態］
　以下、第２実施形態について図９を参照しつつ説明する。なお、第２実施形態の説明においては、第１実施形態と異なる点について主に説明し、同様の説明を省略する。
　図９に示される熱処理ユニットでは、複数の加熱処理モジュール３００（例えば、図９中に示した加熱処理モジュール３００ａ，３００ｂ）が上下に多段配置されている。加熱処理モジュール３００とは、上述した熱板３４、チャンバー３２、及び昇降機構３３を含む加熱機構３０と、冷却体として作用する底壁部２７０と、を少なくとも有する構成である。
　底壁部２７０は、熱板３４を支持する支持台３１（図４参照）を載置する部分であり、加熱処理モジュール３００において最下端に配置されている。本実施形態では、底壁部２７０を冷却体（詳細には、下段の加熱処理モジュールにおける冷却体）として利用している。底壁部２７０は、熱板３４の設定温度として想定される温度よりも常に低い温度を保てるものであればよい。底壁部２７０は、熱板３４よりも下方に位置し且つ熱板３４から離間しているため、低い温度を保ちやすくなっている。なお、底壁部２７０は、第１実施形態の冷却体と同様に、冷却用媒体を流通させる冷却流路を有するものであってもよい。
　図９に示されるように、上段の加熱処理モジュール３００ａと下段の加熱処理モジュール３００ｂとが上下に多段配置された構成において、下段の加熱処理モジュール３００ｂにおける冷却体は、上段の加熱処理モジュール３００ａにおける底壁部２７０を含んで構成されている。このような構成においても、第１実施形態と同様に、チャンバー３２が上方に移動するように、コントローラ１００が昇降機構３３を制御することによって、下段の加熱処理モジュール３００ｂのチャンバー３２を、上段の加熱処理モジュール３００ａの底壁部２７０（下段の加熱処理モジュール３００ｂにとっての冷却体）に近接又は接触させることができる。
　このように、上段の加熱処理モジュール３００ａの底壁部２７０が、下段の加熱処理モジュール３００ｂにとっての冷却体として機能することにより、加熱処理モジュールが上下に多段配置された構成において、従来から設けられている底壁部２７０を用いてチャンバー３２の冷却を行うことができ、別途冷却体を設ける必要がないので、より簡易な構成によってチャンバー３２の冷却を実現することができる。なお、一番上段の加熱処理モジュール（例えば加熱処理モジュール３００ａ）については、それよりも上段の加熱処理モジュールがなく、冷却体として利用する底壁部２７０が存在しないため、該一番上段の加熱処理モジュール３００ａ用の冷却体として、上方に冷却体１７０（図９参照）を設けてもよい。
［第３実施形態］
　以下、第３実施形態について図１０及び図１１を参照しつつ説明する。なお、第３実施形態の説明においては、第１実施形態及び第２実施形態と異なる点について主に説明し、同様の説明を省略する。
　図１０に示される熱処理ユニットでは、熱板３４と外部の搬送アームＡ３（図３参照）との間でウェハＷを受け渡すと共にウェハＷの温度を所定温度に調整する温度調整プレート３５１（クールプレート）が、チャンバー３２を冷却する冷却体としても機能する。温度調整プレート３５１は、チャンバー３２の足部３２ｂの下端部と近接又は接触することにより、チャンバー３２を冷却する（図１０参照）。温度調整プレート３５１には、図１１に示されるように、冷却用媒体を流通させる冷却流路３５２が形成されている。
　温度調整プレート３５１は、加熱処理中においては図１０（ａ）に示されるように熱板３４から離れた位置で待機している。そして、加熱処理が完了すると、図１０（ｂ）に示されるようにチャンバー３２がオープンされ、温度調整プレート３５１は、ウェハＷを搬送すべく、熱板３４上に配置される。この状態において、通常は、温度調整プレート３５１はウェハＷの受け渡しのみを行うが、本実施形態では、図１０（ｃ）に示されるように、温度調整プレート３５１の上面にチャンバー３２の足部３２ｂの下端が近接又は接触させられ、チャンバー３２の冷却が行われる。
　図１１に示されるように、弾性体４００が温度調整プレート３５１の上面に設けられていてもよい。弾性体４００は、チャンバー３２及び温度調整プレート３５１が近接する際に、チャンバー３２及び温度調整プレート３５１の双方に接触しながらチャンバー３２及び温度調整プレート３５１の間に配置されるバネ状部材である。
　このように、ウェハＷを運搬すると共に冷却等するために従来から設けられている温度調整プレート３５１を用いてチャンバー３２の冷却を行うことによって、より簡易な構成によりチャンバー３２の冷却を実現することができる。
　以上、実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。例えば、昇降機構３３によってチャンバー３２を冷却体７０に近接又は接触させるとして説明したが、これに加えて、冷却体７０を昇降可能に構成された冷却体昇降部を更に備えていてもよい。これにより、冷却体７０を動かすことが可能となり、より簡易にチャンバー３２の冷却を実現することができる。また、一態様として、冷却体７０に設けられた弾性体７２を説明したが、弾性体は、チャンバー３２に設けられていてもよい。
　２…塗布・現像装置（基板処理装置）、３２…チャンバー（蓋体）、３３…昇降機構、３４…熱板、３５１…温度調整プレート、７０…冷却体、７２，４００…弾性体、８０…温度センサ、１００…コントローラ（制御部）、２７０…底壁部、３００…加熱処理モジュール、Ｗ…ウェハ（基板）。

Claims (9)

  1. 　処理対象の基板を載置し加熱する熱板と、
    　前記熱板における前記基板の載置面を囲うように配置可能に構成された蓋体と、
    　前記蓋体を昇降可能に構成された昇降機構と、
    　前記蓋体が近接又は接触することにより前記蓋体を冷却可能に構成された冷却体と、を備える基板処理装置。
  2. 　前記冷却体は、前記蓋体の上方に設けられており、前記昇降機構によって上方に移動した前記蓋体の上面と近接又は接触する、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記冷却体は、
    　前記熱板と外部の搬送アームとの間で前記基板を受け渡すと共に、前記基板の温度を所定温度に調整する温度調整プレートを含んで構成されており、
    　前記温度調整プレートは、前記蓋体の下端部と近接又は接触する、請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 　前記熱板を支持する支持部を載置する底壁部を更に備え、
    　前記熱板、前記蓋体、前記昇降機構、及び前記底壁部を有する加熱処理モジュールが上下に多段配置されており、
    　下段の前記加熱処理モジュールにおける前記冷却体は、上段の前記加熱処理モジュールにおける前記底壁部を含んで構成されている、請求項１～３のいずれか一項記載の基板処理装置。
  5. 　前記冷却体を昇降可能に構成された冷却体昇降部を更に備える、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
  6. 　前記蓋体及び前記冷却体の少なくともいずれか一方に設けられ、前記蓋体及び前記冷却体が近接する際に、前記蓋体及び前記冷却体の双方に接触しながら前記蓋体及び前記冷却体の間に配置される弾性体を更に備える、請求項１～５のいずれか一項記載の基板処理装置。
  7. 　前記基板の加熱処理温度が、次回処理する処理ロットの加熱処理温度よりも高いか否かを判定することと、高いと判定した場合に前記蓋体が前記冷却体に近接又は接触するように前記昇降機構を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
  8. 　前記制御部は、前記蓋体を前記冷却体に近接又は接触させる際には、前記熱板による加熱処理終了時において前記蓋体を上昇させる際の上昇位置とは異なる冷却位置に、前記蓋体を移動させるように、前記昇降機構を制御する、請求項７記載の基板処理装置。
  9. 　前記蓋体の温度を測定する温度センサを更に備え、
    　前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記蓋体の温度に基づいて、前記冷却体による前記蓋体の冷却を終了するか否かを判定することと、終了すると判定した場合に前記蓋体が前記冷却体から離間するように前記昇降機構を制御することと、を更に実行するように構成されている、請求項７又は８記載の基板処理装置。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079677A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2008034739A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム
JP2008244224A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sumitomo Precision Prod Co Ltd プラズマ処理装置
JP2009176862A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2011044663A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164333A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP3898895B2 (ja) 2001-01-26 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置及び加熱処理方法
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
JP2010182906A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5322847B2 (ja) * 2009-08-20 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置及び熱処理装置
JP5501193B2 (ja) * 2010-10-26 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3180048U (ja) * 2012-09-20 2012-11-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079677A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2008034739A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム
JP2008244224A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sumitomo Precision Prod Co Ltd プラズマ処理装置
JP2009176862A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2011044663A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

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