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WO2019026868A1 - 回収レジスト剥離剤からのジメチルスルホキシドの回収方法 - Google Patents

回収レジスト剥離剤からのジメチルスルホキシドの回収方法 Download PDF

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WO2019026868A1
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recovered
resist remover
dmso
dimethyl sulfoxide
glycol
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邦男 馬屋原
耕司 田村
明展 竹田
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株式会社クラレ
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    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C315/00Preparation of sulfones; Preparation of sulfoxides
    • C07C315/06Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/34Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping with one or more auxiliary substances
    • B01D3/38Steam distillation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/34Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping with one or more auxiliary substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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    • C07C317/02Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups bound to acyclic carbon atoms
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    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/62Plastics recycling; Rubber recycling

Definitions

  • the present invention relates to a method of recovering dimethyl sulfoxide (DMSO) from a recovered resist stripper.
  • DMSO dimethyl sulfoxide
  • a resist remover When manufacturing a semiconductor element or the like by photolithography, after a fine circuit or the like is formed by etching, unnecessary removal of a resist film or etching residue is performed using a resist remover.
  • An aqueous solution of sodium hydroxide or a common organic solvent can be used alone as the resist remover, but the releasability is not sufficient, and various resist removers have been proposed so far to improve the releasability. .
  • Resist removers having high removability include, for example, quaternary ammonium hydroxide such as tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), and glycol ethers such as DMSO and 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (MMB) What was melt
  • TMAH tetramethyl ammonium hydroxide
  • MMB 3-methoxy-3-methyl-1-butanol
  • An object of the present invention is to provide a method for efficiently and inexpensively recovering high purity DMSO from a recovered resist remover.
  • the present invention relates to the following [1] to [3].
  • a method for recovering DMSO which comprises the steps of contacting with water a recovered resist remover containing at least one compound selected from the group consisting of glycol ether, glycol and triol and DMSO, and distilling.
  • the compound is at least one selected from the group consisting of 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, diethylene glycol, propylene glycol, glycerin and 2- (2-methoxyethoxy) ethanol,
  • Recovery method [3] The recovery method of [1], wherein the compound is 3-methoxy-3-methyl-1-butanol.
  • high purity DMSO can be efficiently recovered at low cost from the recovered resist stripping agent.
  • the "recovered resist remover" to be used to recover DMSO refers to a used resist remover after cleaning and removing a resist film and the like unnecessary for photolithography. And at least one compound selected from the group consisting of and triol, and DMSO. Usually, the recovered resist remover also contains quaternary ammonium hydroxide, a resist component and the like.
  • glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, 3-methoxy- Examples thereof include 3-methyl-1-butanol (MMB), dipropylene glycol monomethyl ether, 2- (2-methoxyethoxy) ethanol and the like.
  • glycols include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol and the like.
  • triols include glycerin and the like. Among these, the compound is preferably at least one selected from the group consisting of MMB, diethylene glycol, propylene glycol, glycerin and 2- (2-methoxyethoxy) ethanol, and more preferably MMB.
  • quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, dimethyldiethylammonium hydroxide, trimethyl ( 2-Hydroxyethyl) ammonium hydroxide, triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, spiro- [1,1 ']-bipyrrolidinium hydroxide and the like.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • TMAH tetraethylammonium hydroxide
  • tetrapropylammonium hydroxide tetrabutylammonium hydroxide
  • trimethylethylammonium hydroxide dimethyldiethylammonium hydroxide
  • quaternary ammonium hydroxide is preferably at least one selected from the group consisting of TMAH, tetrapropylammonium hydroxide and spiro- [1,1 ']-bipyrrolidinium hydroxide. And TMAH are more preferable.
  • the recovered resist remover may contain, as other components, water, alkanolamines, amino acids, surfactants, antifoaming agents, and the like.
  • the recovered resist remover is brought into contact with water and distilled.
  • at least one compound selected from the group consisting of glycol ether, glycol and triol can be distilled off, and then high purity DMSO can be distilled off.
  • the contact between the recovered resist remover and water can be performed, for example, by mixing the recovered resist remover with water.
  • water may be added at one time to the recovered resist remover and then distilled, and water may be added intermittently or at a constant rate. You may distill while doing.
  • the temperature at the time of distillation is preferably in the range of 30 to 250 ° C., and more preferably in the range of 50 to 230 ° C.
  • the distillation can be carried out under normal pressure or under reduced pressure.
  • the amount of water to be added is preferably in the range of 0.1 to 100 parts by mass and more preferably in the range of 0.1 to 10 parts by mass with respect to 1 part by mass of the recovered resist remover.
  • Example> A mixture of 70 g of DMSO and 30 g of MMB as a recovered resist remover was added to a 500 ml three-necked flask equipped with a Helipak 50 cm distillation column (number of distillation stages: 7). Thereto, 300 g of water was added, and distillation was performed under the conditions of an internal temperature of 104 to 140 ° C. and normal pressure. When the distillate disappeared, DMSO was distilled off at an internal temperature of 120 to 130 ° C. and 2 to 10 mmHg to obtain 62.2 g of DMSO having a purity of 99.9% (yield: 88.9%).
  • high purity DMSO can be efficiently recovered at low cost from the recovered resist stripping agent, and thus it is useful in that DMSO that has been conventionally discarded can be reused.

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Abstract

グリコールエーテル、グリコールおよびトリオールからなる群から選択され る少なくとも1種の化合物ならびにジメチルスルホキシドを含む回収レジスト剥離剤と水とを接触させて蒸留する工程を含む、ジメチルスルホキシドの回収方法。

Description

回収レジスト剥離剤からのジメチルスルホキシドの回収方法
 本発明は、回収レジスト剥離剤からのジメチルスルホキシド(DMSO)の回収方法に関する。
 半導体素子等をフォトリソグラフィで製造する際、エッチングにより微細回路等を形成した後、レジスト剥離剤を用いて不要なレジスト膜やエッチング残留物の洗浄除去が行われる。レジスト剥離剤としては水酸化ナトリウム水溶液や一般の有機溶剤を単独で用いることもできるが、剥離性が十分でなく、剥離性を向上させるためにこれまでに様々なレジスト剥離剤が提案されてきた。
 剥離性の高いレジスト剥離剤としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)等の水酸化第4級アンモニウムを、DMSOおよび3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール(MMB)等のグリコールエーテルなどの混合溶媒で溶解したものなどがよく用いられている(特許文献1)。
国際公開第2010/073430号
 現在、使用済みのレジスト剥離剤(回収レジスト剥離剤)は通常、産業廃棄物として廃棄されている。一方で、上記のようなレジスト剥離剤において用いられるDMSOは、レジスト剥離を行った後のリンス工程でリンス液としても使用されており、近年使用量が著しく増加している。そのため回収レジスト剥離剤から高純度のDMSOを回収して再利用することができれば、コスト面等で有利である。
 しかしながら、DMSO(沸点189℃)とグリコールエーテル等は沸点が近いことが多く(例えば、MMBは沸点174℃)、通常の減圧蒸留等の方法では高純度のDMSOを回収することが困難であり、DMSOの再利用は現実的ではなかった。
 本発明の目的は、回収レジスト剥離剤から高純度のDMSOを安価に効率よく回収する方法を提供することにある。
 本発明者らは鋭意検討した結果、回収レジスト剥離剤に水を添加して蒸留することにより高純度のDMSOを安価に効率よく回収することができることを見出し、当該知見に基づいてさらに検討を重ねて本発明を完成させた。
 本発明は、下記[1]~[3]に関する。
[1]グリコールエーテル、グリコールおよびトリオールからなる群から選択される少なくとも1種の化合物ならびにDMSOを含む回収レジスト剥離剤と水とを接触させて蒸留する工程を含む、DMSOの回収方法。
[2]前記化合物が3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンおよび2-(2-メトキシエトキシ)エタノールからなる群から選択される少なくとも1種である、[1]の回収方法。
[3]前記化合物が3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールである、[1]の回収方法。
 本発明の方法によれば、回収レジスト剥離剤から高純度のDMSOを安価に効率よく回収できる。
 以下、本発明の方法を具体的に説明する。
 本発明においてDMSOを回収する対象となる「回収レジスト剥離剤」とは、典型的にはフォトリソグラフィにおいて不要なレジスト膜等を洗浄除去した後の使用済みのレジスト剥離剤を指し、グリコールエーテル、グリコールおよびトリオールからなる群から選択される少なくとも1種の化合物ならびにDMSOが含まれる。
 また通常、回収レジスト剥離剤には、水酸化第4級アンモニウムやレジスト成分等も含まれる。
 グリコールエーテルとしては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール(MMB)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、2-(2-メトキシエトキシ)エタノール等が挙げられる。
 グリコールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール等が挙げられる。
 トリオールとしては、例えばグリセリン等が挙げられる。
 これらの中でも、前記化合物は、MMB、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンおよび2-(2-メトキシエトキシ)エタノールからなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましく、MMBであることがより好ましい。
 水酸化第4級アンモニウムとしては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル(2-ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、トリエチル(2-ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、スピロ-[1,1’]-ビピロリジニウムヒドロキシド等が挙げられる。
 これらの中でも、水酸化第4級アンモニウムは、TMAH、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドおよびスピロ-[1,1’]-ビピロリジニウムヒドロキシドからなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましく、TMAHであることがより好ましい。
 回収レジスト剥離剤には、他の成分として水、アルカノールアミン類、アミノ酸、界面活性剤、消泡剤などが含まれていてもよい。
 本発明のDMSOの回収方法では、回収レジスト剥離剤と水とを接触させて蒸留する。これにより、まずグリコールエーテル、グリコールおよびトリオールからなる群から選択される少なくとも1種の化合物を留出させ、その後に高純度のDMSOを留出させることができる。
 回収レジスト剥離剤と水との接触は、例えば回収レジスト剥離剤と水とを混合することにより行うことができる。回収レジスト剥離剤と水とを接触させて蒸留する際の具体的な方法としては、例えば、回収レジスト剥離剤に水を添加して蒸留する方法などが挙げられる。このような回収レジスト剥離剤に水を添加して蒸留する方法を実施するにあたっては、回収レジスト剥離剤に水を一括で添加してから蒸留してもよく、間欠的または一定速度で水を添加しながら蒸留してもよい。
 蒸留時の温度は、30~250℃の範囲が好ましく、50~230℃の範囲がより好ましい。蒸留は常圧下または減圧下で実施できる。
 加える水の量は、回収レジスト剥離剤1質量部に対し、0.1~100質量部の範囲が好ましく、0.1~10質量部の範囲がより好ましい。
 以下、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されない。
<実施例>
 ヘリパック50cm蒸留塔(蒸留段数:7段)を備えた500ml三口フラスコに、回収レジスト剥離剤としてDMSO70gおよびMMB30gの混合物を加えた。そこに水300gを投入し、内温を104~140℃、常圧の条件で蒸留を行った。留出物がなくなったところで、内温120~130℃、2~10mmHgの条件でDMSOを留出させ、純度99.9%のDMSOを62.2g得た(収率88.9%)。
<比較例>
 実施例において、水を投入しなかったこと以外は同様の操作を行ったところ、純度82.3%のDMSO22.3gが得られた。
 なお上記の実施例および比較例は、実際の回収レジスト剥離剤に通常含まれると考えられる水酸化第4級アンモニウムやレジスト成分等を含まない条件での試験ではあるが、これらの成分は蒸留により留出しないと考えられるため、上記の実施例および比較例はモデル試験として十分に機能するものである。
 実施例および比較例の結果から、本発明の方法によれば、回収レジスト剥離剤から高純度のDMSOを安価に効率よく回収できることがわかる。
 本発明の方法によれば、回収レジスト剥離剤から高純度のDMSOを安価に効率よく回収できるため、従来は廃棄されていたDMSOを再利用できる点で有用である。

Claims (3)

  1.  グリコールエーテル、グリコールおよびトリオールからなる群から選択される少なくとも1種の化合物ならびにジメチルスルホキシドを含む回収レジスト剥離剤と水とを接触させて蒸留する工程を含む、ジメチルスルホキシドの回収方法。
  2.  前記化合物が3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンおよび2-(2-メトキシエトキシ)エタノールからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1に記載の回収方法。
  3.  前記化合物が3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールである、請求項1に記載の回収方法。
PCT/JP2018/028539 2017-08-02 2018-07-31 回収レジスト剥離剤からのジメチルスルホキシドの回収方法 WO2019026868A1 (ja)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09278743A (ja) * 1996-04-12 1997-10-28 Toray Fine Chem Co Ltd Dmsoまたはdmso混合物の回収方法および回収品
JP2004043434A (ja) * 2002-05-13 2004-02-12 Toray Fine Chemicals Co Ltd 高純度ジメチルスルホキシドと、ジメチルスルホキシドとアミン類の混合物の精製方法
JP2005288329A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nippon Refine Kk 溶剤の回収装置および溶剤の回収方法
JP2006069960A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Nippon Refine Kk ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンを含有する混合系の分離精製方法
JP2010537231A (ja) * 2007-08-15 2010-12-02 ダイナロイ・エルエルシー レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151160A (en) * 1992-04-06 1992-09-29 Lloyd Berg Dehydration of 2-methoxyethanol by extractive distillation
JP3172401B2 (ja) * 1995-08-04 2001-06-04 シャープ株式会社 溶剤の再生回収方法及び再生回収装置
US20070243773A1 (en) * 2005-10-28 2007-10-18 Phenis Michael T Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) * 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
KR100901001B1 (ko) 2007-09-05 2009-06-04 주식회사 코렉스 포토레지스트 스트리퍼의 재생방법
KR101260599B1 (ko) 2008-12-26 2013-05-06 케이엔씨 래보러토리즈 컴패니, 리미티드 낮은 물 함량을 가지는 포토레지스트 박리제의 농축액을 제조하는 방법
TWI577641B (zh) 2011-03-09 2017-04-11 友達光電股份有限公司 光阻剝離劑廢液回收系統及其方法
WO2012160721A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 パナソニック株式会社 フォトレジスト用剥離液、剥離液リサイクルシステムと運転方法および剥離液のリサイクル方法
US8961744B2 (en) * 2013-02-25 2015-02-24 Korex Corporation System and method for recycling high-boiling-point waste photoresist stripper
KR101330653B1 (ko) * 2013-02-25 2013-11-19 주식회사 코렉스 포토레지스트 고비점 박리 폐액 재생 방법
WO2016084860A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 富士フイルム株式会社 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法
US10435360B2 (en) 2015-12-09 2019-10-08 Toray Fine Chemicals Co., Ltd. Method of purifying dimethyl sulfoxide

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09278743A (ja) * 1996-04-12 1997-10-28 Toray Fine Chem Co Ltd Dmsoまたはdmso混合物の回収方法および回収品
JP2004043434A (ja) * 2002-05-13 2004-02-12 Toray Fine Chemicals Co Ltd 高純度ジメチルスルホキシドと、ジメチルスルホキシドとアミン類の混合物の精製方法
JP2005288329A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nippon Refine Kk 溶剤の回収装置および溶剤の回収方法
JP2006069960A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Nippon Refine Kk ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンを含有する混合系の分離精製方法
JP2010537231A (ja) * 2007-08-15 2010-12-02 ダイナロイ・エルエルシー レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善

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