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WO2019013131A1 - プレーナ型トランス及びｄｃｄｃコンバータ - Google Patents

プレーナ型トランス及びｄｃｄｃコンバータ Download PDF

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WO2019013131A1
WO2019013131A1 PCT/JP2018/025717 JP2018025717W WO2019013131A1 WO 2019013131 A1 WO2019013131 A1 WO 2019013131A1 JP 2018025717 W JP2018025717 W JP 2018025717W WO 2019013131 A1 WO2019013131 A1 WO 2019013131A1
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WO
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planar
air core
primary side
core coil
secondary side
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/025717
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English (en)
French (fr)
Inventor
文洋 岡▲崎▼
悟司 小笠原
寛人 船渡
Original Assignee
カルソニックカンセイ株式会社
国立大学法人北海道大学
国立大学法人宇都宮大学
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a planar transformer.
  • the above-described transformer is mainly configured to actively generate a leakage inductance on the secondary side, there is a possibility that a sufficient leakage inductance can not be secured when viewed as a whole of the transformer.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to ensure sufficient leakage inductance.
  • the planar type transformer according to one aspect of the present invention is disposed at a distance from the planar air core coil on the primary side and the planar air core coil on the primary side in the winding center axis direction of the planar air core coil on the primary side.
  • a planar air core coil on the secondary side having a non-facing portion not facing the planar air core coil on the primary side in the winding central axis direction, a planar air core coil on the primary side in the winding central axis direction and a planar surface on the secondary side
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a DCDC converter using a planar transformer according to an embodiment of the present invention.
  • 2A and 2B show the basic configuration of a planar type transformer constituting the transformer of FIG. 1, wherein FIG. 2A is an exploded perspective view, FIG. 2B is a side view, and FIG. 2C is a plan view.
  • FIG. 3 (a) is an explanatory view showing a leakage inductance and an excitation inductance generated in the planar air core coil of the primary side and the secondary side of the planar type transformer arranged in FIG. 2, and FIG. It is explanatory drawing which shows the leakage inductance and excitation inductance which arise in the planar air core coil of the primary side and secondary side which were made to match.
  • FIG. 3 (a) is an explanatory view showing a leakage inductance and an excitation inductance generated in the planar air core coil of the primary side and the secondary side of the planar type transformer arranged in FIG. 2, and FIG. It is ex
  • FIG. 4 is a graph showing the correlation between the magnitudes of leakage inductance and excitation inductance generated in the planar air core coil on the primary side and the secondary side of FIG. 2 and the deviation of the winding central axis of both planar air core coils.
  • FIG. 5 shows a specific configuration of a planar type transformer used as the transformer of FIG. 1, where (a) is a plan view, (b) is a cross-sectional view taken along the line II of (a), and (c) is a first order
  • FIG. 7D is a plan view showing the front surface side of the substrate on which the side planar core is formed, and FIG. 7D is a plan view showing the back surface side of the substrate on which the secondary side planar core is formed.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a planar type transformer used as the transformer of FIG. 1 in which the size of the planar air core coil differs between the primary side and the secondary side.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a DCDC converter using a planar transformer according to an embodiment of the present invention.
  • the DCDC converter 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 is an isolated DCDC converter using an asymmetric half bridge LLC converter 3 on the primary side of a transformer T.
  • the DC-DC converter 1 converts the direct-current voltage Vin input to the primary side into alternating current by switching of the semiconductor elements Q1 and Q2 configured with the MOSFET of the LLC converter 3 and the like, and coils on the primary and secondary sides of the transformer T After boosting between Np and Ns, the voltage is returned to direct current by the rectifying diodes D1 and D2 and the smoothing capacitor Co, and is supplied to the load Ro on the secondary side.
  • switching loss in the LLC converter 3 is suppressed by alternately turning on and off the semiconductor elements Q1 and Q2 in the cycle of the resonance frequency of the series resonance circuit of the leakage inductance of the primary coil Np and the resonance capacitor Cr.
  • the DC voltage Vin can be boosted with high efficiency.
  • the DCDC converter 1 is constituted by a resonant circuit, and turns on and off the semiconductor elements Q1 and Q2 at a high frequency (at least 1 MHz as the high frequency referred to here). Also, in order to establish a resonant circuit at a high frequency, a very small excitation inductance (for example, 0.8 ⁇ H for driving at 2 MHz) and a large leakage inductance (for example, 1.1 ⁇ H for driving at 2 MHz) are required. .
  • a planar transformer is used as the transformer T.
  • the configuration of the planar transformer will be described with reference to FIG. 2A and 2B show the basic configuration of the planar type transformer that constitutes the transformer T, wherein (a) is an exploded perspective view, (b) is a side view, and (c) is a plan view.
  • the planar type transformer Tp in the example shown in FIG. 2A is configured of a primary side planar core Cp made of a magnetic material, a metal primary side planar air core coil Nap laminated thereon, and a magnetic material. And the metallic secondary side planar air core coil Nas stacked on the secondary side planar core Cs.
  • planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side are formed in an annular shape having the same diameter, and are disposed non-coaxially.
  • planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side are formed in a rectangular shape of the same size.
  • the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side have an outer diameter larger than the outer diameters of the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side.
  • the planar core Cp on the primary side is disposed to face the planar core Cs on the secondary side at an interval. Then, the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side are respectively stacked on mutually opposing surfaces of the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side.
  • planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side are the spacing direction between the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side, that is, the respective winding central axes Sp, There is a gap in the axial direction of Ss.
  • the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side wind the positions of the winding central axes Sp and Ss such that the air cores Ap and As partially overlap with each other. They are arranged to be shifted in the radial direction orthogonal to the line central axes Sp and Ss.
  • the primary side flat air core coil Nap overlaps the secondary side flat air core coil Nas in the radial direction of the winding central axis Sp.
  • a facing portion Fp and a non-facing portion NFp located on the outside of the planar air core coil Nas on the secondary side are provided.
  • an opposing portion Fs overlapping the planar air core coil Nap on the primary side in the radial direction of the winding central axis Ss and the outside of the planar air core coil Nap on the primary side A non-facing portion NFs located is provided.
  • the explanatory view of FIG. As shown in the diagram, between the two planar air core coils Nap and Nas, the excitation inductance Lm is generated in the facing portions Fp and Fs, and the leakage inductance Lr is generated in the non-facing portions NFp and NFs.
  • FIG. 3A a planar type in which the winding central axis Sp of the primary side flat air core coil Nap and the winding central axis Ss of the secondary side flat air core coil Nas are mutually offset.
  • the transformer Tp is a coaxial planar type transformer in which the winding central axis Sp of the primary side flat air core coil Nap and the winding central axis Ss of the secondary side flat air core coil Nas shown in FIG. 3B overlap.
  • the transformer T of FIG. 1 is more suitable than the transformer Tp as a transformer T for causing the leakage inductance of the primary side coil Np to be in series resonance with the resonance capacitor Cr.
  • a leakage inductance Lr having a size that resonates in series with the resonance capacitor Cr of FIG. 1 between the two planar air core coils Nap and Nas of the primary side and the secondary side of FIG.
  • a planar type transformer Tp having a displacement amount that produces an excitation inductance Lm of a size that satisfies the necessary coupling coefficient between the coils Np and Ns on the secondary side is used as the transformer T in FIG.
  • the amount of deviation between the primary and secondary planar air core coils Nap and Nas for obtaining a desired leakage inductance Lr can be set to a range in which at least the outer edges of the two overlap each other. .
  • 5 (a) is a plan view of the planar transformer Tp
  • (b) is a cross-sectional view taken along the line II of (a)
  • (c) is a plan view showing the surface side of the substrate on which the planar core of the primary side is formed.
  • (D) is a top view which shows the back surface side of the board
  • the planar type transformer Tp of this embodiment shown in FIG. 5 (a) is a plane empty on the primary side between the front surface 51 and the back surface 53, as shown in FIG. 5 (b) which is a sectional view taken along the line II of FIG. It has the board
  • the substrate 5 is rigidly formed of, for example, an insulating resin material such as glass epoxy.
  • the primary side flat air core coil Nap formed on the surface 51 of the substrate 5 has terminal portions Rp provided on both ends of the conductor looped in a square shape, the long sides of the surface 51 It is extended to the side.
  • the secondary side flat air core coil Nas formed on the back surface 53 of the substrate 5 is, as shown in FIG. 5 (d), a primary side looped in a square shape. Terminal portions Rs provided at both ends of a conductor having the same shape as the planar air core coil Nap are extended to the short side of the back surface 53.
  • both the terminal portions Rp and Rs are magnetic circuits.
  • the planar transformer Tp configured as described above is used as the transformer T of the LLC converter 3
  • the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core on the secondary side are used.
  • the deviation between the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side means the deviation of the center of both windings.
  • a leakage inductance Lr of a size large enough to cause series resonance with the large capacity resonance capacitor Cr matched to the semiconductor elements Q1 and Q2 switching at high frequency is generated in the planar transformer Tp.
  • the LLC converter 3 can be driven at high frequency.
  • planar core Cp on the primary side It is possible to eliminate the need to process the structure of the planar transformer Tp including the planar core Cs of the secondary side and the secondary side with high accuracy.
  • planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side have a center pole inserted into the air cores Ap and As of the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side. I did not. Therefore, the biplanar cores Cp and Cs sandwich the air cores Ap and As of the primary and secondary flat air core coils Nap and Nas, and the winding central axes Sp and Ss of the flat air core coils Nap and Nas. It is arranged to face each other at intervals in the axial direction of.
  • the magnetic flux passing through the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side is the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side. There is no concentration.
  • the center pole inserted into the air cores Ap and As of the planar air core coils Nap and Nas on the primary side and the secondary side is a planar core on the primary side.
  • the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side may be configured by an EE core or an EI core by providing the planar core Cs on the Cp or secondary side.
  • the planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side of the planar transformer Tp can be replaced by the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core on the secondary side.
  • the outer diameter of the coil Nas was larger than the outer diameter.
  • planar core Cp on the primary side and the planar core Cs on the secondary side may have an outer diameter smaller than the outer diameter of the planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side.
  • planar air core coil Nap on the primary side of the planar transformer Tp and the planar air core coil Nas on the secondary side have the same shape except for the terminal portions Rp and Rs.
  • the sizes of the planar air core coils Nap and Nas may be made different between the primary side and the secondary side, or the planar air core coils Nap and Nas may be different on the primary side
  • the number of turns of the core coils Nap and Nas may be made different.
  • planar air core coil Nap on the primary side and the planar air core coil Nas on the secondary side can be formed by etching or the like, and the respective positions can be processed with high accuracy. Then, when performing such processing, a reference portion (for example, a through hole) may be opened somewhere on the substrate 5.
  • planar air core coil Nas on the secondary side it is processed so as to shift the winding center of the planar air core coil Nas by a predetermined distance from the reference portion, and the primary side is formed.
  • the deviation accuracy between the planar air core coil Nap and the planar air core coil Nas on the secondary side can be increased.
  • the present invention is not limited to the transformer of the isolated DC-DC converter using the asymmetric half bridge LLC converter, and can be widely applied to various transformers used in the field utilizing leakage inductance.
  • One aspect of the present invention can be used in various transformers used in the field utilizing leakage inductance.

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Abstract

プレーナ型トランス（Ｔｐ）は、一次側の平面空芯コイル（Ｎａｐ）と、二次側の平面空芯コイル（Ｎａｓ）と、一次側の平面コア（Ｃｐ）及び二次側の平面コア（Ｃｓ）と、を備える。二次側の平面空芯コイル（Ｎａｓ）は、一次側の平面空芯コイル（Ｎａｐ）から該一次側の平面空芯コイル（Ｎａｐ）の巻線中心軸（Ｓｐ）方向に間隔をおいて配置され、巻線中心軸（Ｓｓ）方向において一次側の平面空芯コイル（Ｎａｐ）と対向しない非対向部（ＮＦｓ）を有する。一次側の平面コア（Ｃｐ）及び二次側の平面コア（Ｃｓ）は、巻線中心軸（Ｓｐ，Ｓｓ）方向における、一次側の平面空芯コイル（Ｎａｐ）及び前記二次側の平面空芯コイル（Ｎａｓ）の外側にそれぞれ積層される。

Description

プレーナ型トランス及びＤＣＤＣコンバータ
　本発明は、プレーナ型トランスに関する。
　例えば、非対称ハーフブリッジ型のＬＬＣコンバータを用いた絶縁型ＤＣＤＣコンバータでは、高周波でトランスの漏れインダクタンスと共振用コンデンサとを直列共振させる必要がある。そのため、絶縁型ＤＣＤＣコンバータでは、高周波用の大容量の共振用コンデンサに合わせて、トランスの漏れインダクタンスを大きくする必要がある。
　ところで、トランスの漏れインダクタンスを調整できる提案として、副コアを設け、変圧器の二次側コイルを巻回した副コアのギャップに対するコア片の挿入度合いを調整することで、漏れインダクタンスをコントロールしようとした変圧器が知られている（特許文献１）。
実開昭６１－１８８３３８号公報
　しかし、上述した変圧器は、主に二次側に対して漏れインダクタンスを積極的に発生させる構成であるため、トランス全体として見た場合に漏れインダクタンスを十分に確保できない恐れがある。
　本発明は前記事情に鑑みなされたもので、本発明の目的は、漏れインダクタンスを十分に確保できるようにすることにある。
　本発明の一態様によるプレーナ型トランスは、一次側の平面空芯コイルと、一次側の平面空芯コイルから該一次側の平面空芯コイルの巻線中心軸方向に間隔をおいて配置され、巻線中心軸方向において一次側の平面空芯コイルと対向しない非対向部を有する二次側の平面空芯コイルと、巻線中心軸方向における一次側の平面空芯コイル及び二次側の平面空芯コイルの外側にそれぞれ積層された、一次側の平面コア及び二次側の平面コアと、を備える。
　本発明の一態様によれば、漏れインダクタンスを十分に確保できるプレーナ型トランスを提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係るプレーナ型トランスを用いたＤＣＤＣコンバータを示す回路図である。 図２は、図１のトランスを構成するプレーナ型トランスの原理的な構成を示すもので、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図である。 図３（ａ）は、図２の配置としたプレーナ型トランスの一次側及び二次側の平面空芯コイルに生じる漏れインダクタンス及び励磁インダクタンスを示す説明図であり、図３（ｂ）は、正対させた一次側及び二次側の平面空芯コイルに生じる漏れインダクタンス及び励磁インダクタンスを示す説明図である。 図４は、図２の一次側及び二次側の平面空芯コイルに生じる漏れインダクタンス及び励磁インダクタンスの強さと両平面空芯コイルの巻線中心軸のずれ量との相関を示すグラフである。 図５は、図１のトランスとして用いるプレーナ型トランスの具体的な構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ－Ｉ線断面図、（ｃ）は一次側の平面コアを形成した基板の表面側を示す平面図、（ｄ）は二次側の平面コアを形成した基板の裏面側を示す平面図である。 図６は、一次側と二次側とで平面空芯コイルの大きさが異なり図１のトランスとして用いるプレーナ型トランスの断面図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係るプレーナ型トランスを用いたＤＣＤＣコンバータを示す回路図である。
　図１に示す本実施形態のＤＣＤＣコンバータ１は、非対称ハーフブリッジ型のＬＬＣコンバータ３をトランスＴの一次側に用いた絶縁型ＤＣＤＣコンバータである。
　このＤＣＤＣコンバータ１は、一次側に入力された直流電圧Ｖｉｎを、ＬＬＣコンバータ３のＭＯＳＦＥＴ等で構成した半導体素子Ｑ１，Ｑ２のスイッチングにより交流に変換し、トランスＴの一次側及び二次側のコイルＮｐ，Ｎｓ間で昇圧した後、整流用ダイオードＤ１，Ｄ２及び平滑用コンデンサＣｏで直流に戻して、二次側の負荷Ｒｏに供給する。
　このとき、半導体素子Ｑ１，Ｑ２を、一次側コイルＮｐの漏れインダクタンスと共振用コンデンサＣｒとの直列共振回路の共振周波数の周期で交互にオンオフさせることで、ＬＬＣコンバータ３におけるスイッチング損失を抑えて、直流電圧Ｖｉｎを高効率で昇圧することができる。
　ところで、ＤＣＤＣコンバータ１は、共振回路で構成され、半導体素子Ｑ１，Ｑ２を高周波（ここで言う高周波とは少なくとも１ＭＨｚ以上）でオンオフさせる。また、共振回路を高周波で成立させるためには、極めて小さな励磁インダクタンス（例えば、２ＭＨｚで駆動させる場合、０．８μＨ）と大きな漏れインダクタンス（例えば、２ＭＨｚで駆動させる場合、１．１μＨ）が求められる。
　そこで、本実施形態のＤＣＤＣコンバータ１では、トランスＴとしてプレーナ型トランスを用いている。以下、プレーナ型トランスの構成について、図２を参照して説明する。図２はトランスＴを構成するプレーナ型トランスの原理的な構成を示すもので、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図である。
　図２（ａ）に示す例のプレーナ型トランスＴｐは、磁性体で構成された一次側の平面コアＣｐ及びこれに積層された金属製の一次側の平面空芯コイルＮａｐと、磁性体で構成された二次側の平面コアＣｓ及びこれに積層された金属製の二次側の平面空芯コイルＮａｓとを有する。
　なお、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとは、同じ径の円環状に形成されており、非同軸に配置されている。また、一次側の平面コアＣｐと二次側の平面コアＣｓとは、同じ大きさの矩形状に形成されている。そして、一次側の平面コアＣｐ及び二次側の平面コアＣｓは、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓの外径よりも大きい外形を有している。
　図２（ｂ）に示すように、一次側の平面コアＣｐは二次側の平面コアＣｓと間隔をおいて正対するように配置される。そして、一次側の平面空芯コイルＮａｐ及び二次側の平面空芯コイルＮａｓは、一次側の平面コアＣｐ及び二次側の平面コアＣｓの互いに対向する面にそれぞれ積層される。
　一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとは、一次側の平面コアＣｐと二次側の平面コアＣｓとの間隔方向、つまり、それぞれの巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓの軸方向に隙間を空けて配置される。また、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとは、それぞれの空芯Ａｐ，Ａｓが一部重なるように、それぞれの巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓの位置を巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓに直交する径方向にずらして配置される。
　このような配置とすることで、図２（ｃ）に示すように、一次側の平面空芯コイルＮａｐには、巻線中心軸Ｓｐの径方向において二次側の平面空芯コイルＮａｓと重なる対向部分Ｆｐと、二次側の平面空芯コイルＮａｓの外側に位置する非対向部分ＮＦｐとが設けられる。
　同様に、二次側の平面空芯コイルＮａｓにも、巻線中心軸Ｓｓの径方向において一次側の平面空芯コイルＮａｐと重なる対向部分Ｆｓと、一次側の平面空芯コイルＮａｐの外側に位置する非対向部分ＮＦｓとが設けられる。
　なお、図２（ａ）～（ｃ）の各図では、各平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの端子部分の図示を省略している。
　このように一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとを、巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓの径方向にずらして配置することで、図３（ａ）の説明図に示すように、両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓ間には、対向部分Ｆｐ，Ｆｓにおいて励磁インダクタンスＬｍが生じ、非対向部分ＮＦｐ，ＮＦｓにおいて漏れインダクタンスＬｒが生じる。
　仮に、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとを、巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓが径方向において重なるように配置すると、図３（ｂ）の説明図に示すように、両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓ間に生じるのは、殆ど、対向部分Ｆｐ，Ｆｓにおける励磁インダクタンスＬｍのみとなる。
　このため、図３（ａ）に示すように、一次側の平面空芯コイルＮａｐの巻線中心軸Ｓｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓの巻線中心軸Ｓｓとを互いにずらしたプレーナ型トランスＴｐは、図３（ｂ）に示す、一次側の平面空芯コイルＮａｐの巻線中心軸Ｓｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓの巻線中心軸Ｓｓとが重なる同軸のプレーナ型トランスＴｐよりも、図１のＬＬＣコンバータ３において一次側コイルＮｐの漏れインダクタンスを共振用コンデンサＣｒと直列共振させるトランスＴとして適している。
　そして、図３（ａ）に示すプレーナ型トランスＴｐでは、図４のグラフに示すように、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとのずれ量が大きくなるほど、両者に生じる漏れインダクタンスＬｒは増加し、励磁インダクタンスＬｍは減少する。なお、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとのずれとは、双方の巻線中心のずれのことである。
　そこで、図３（ａ）の一次側と二次側の両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓ間に、図１の共振用コンデンサＣｒと直列共振する大きさの漏れインダクタンスＬｒと、図１の一次側及び二次側のコイルＮｐ，Ｎｓ間に必要な結合係数を満たす大きさの励磁インダクタンスＬｍとが生じるずれ量を持たせたプレーナ型トランスＴｐを、図１のトランスＴとして用いる。
　なお、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとの磁気結合は、少なくとも両者の一部が対向すれば、空芯Ａｐ，Ａｓどうしが対向しなくても得られる。このため、所望の漏れインダクタンスＬｒを得るための、一次側及び二次側の両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓ間のずれ量は、両者の少なくとも外縁どうしが重なる大きさまでの範囲とすることができる。
　次に、図１のトランスＴとして用いるプレーナ型トランスＴｐの具体的な構成について、図５（ａ）～（ｄ）を参照して説明する。図５（ａ）はプレーナ型トランスＴｐの平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ－Ｉ線断面図、（ｃ）は一次側の平面コアを形成した基板の表面側を示す平面図、（ｄ）は二次側の平面コアを形成した基板の裏面側を示す平面図である。
　図５（ａ）に示す本実施形態のプレーナ型トランスＴｐは、同図のＩ－Ｉ線断面図である図５（ｂ）に示すように、表面５１と裏面５３とに一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとをそれぞれ形成した基板５を有している。この基板５は、例えばガラスエポキシ等の絶縁性樹脂材料によってリジットに形成されている。
　基板５の表面５１に形成した一次側の平面空芯コイルＮａｐは、図５（ｃ）に示すように、方形状にループさせた導体の両端に設けた端子部Ｒｐを、表面５１の長辺側に延出させている。一方、図５（ｂ）に示すように、基板５の裏面５３に形成した二次側の平面空芯コイルＮａｓは、図５（ｄ）に示すように、方形状にループさせた一次側の平面空芯コイルＮａｐと同一形状の導体の両端に設けた端子部Ｒｓを、裏面５３の短辺側に延出させている。
　このように、一次側の平面空芯コイルＮａｐの端子部Ｒｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓの端子部Ｒｓとを重ならないように配置することで、両端子部Ｒｐ，Ｒｓが磁気回路の一部を構成するのを防いでいる。
　そして、本実施形態のＤＣＤＣコンバータ１では、上述したように構成されたプレーナ型トランスＴｐをＬＬＣコンバータ３のトランスＴとして用いることから、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとのずれ量を増やして、両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓに生じる漏れインダクタンスＬｒを増やすことができる。
　なお、この例においても、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとのずれとは、双方の巻線中心のずれのことを言う。
　そして、この例においても、高周波でスイッチングする半導体素子Ｑ１，Ｑ２に合わせた大容量の共振用コンデンサＣｒと直列共振させるのに十分な大きさの漏れインダクタンスＬｒをプレーナ型トランスＴｐに生じさせて、ＬＬＣコンバータ３を高周波で駆動することができる。
　しかも、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとのずれ量によって、両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓに生じる漏れインダクタンスＬｒを調整できるので、一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓを含むプレーナ型トランスＴｐの構造物を高精度に加工する必要をなくすことができる。
　また、一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓは、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓの空芯Ａｐ，Ａｓに挿入されるセンターポールを有していない。したがって、両平面コアＣｐ，Ｃｓは、一次側や二次側の平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの空芯Ａｐ，Ａｓを挟んで、各平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの巻線中心軸Ｓｐ，Ｓｓの軸方向に間隔をおいて正対するように配置される。
　このため、本実施形態のプレーナ型トランスＴｐでは、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓを通る磁束が一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓに集中することがない。
　よって、図２（ｃ）に示す一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとの非対向部分ＮＦｐ，ＮＦｓに、両平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓのずれ量に応じた大きさの漏れインダクタンスＬｒを確実に生じさせることができる。
　但し、必要な大きさの漏れインダクタンスＬｒを生じさせることができる限り、一次側や二次側の平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの空芯Ａｐ，Ａｓに挿入されるセンターポールを一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓに設けて、一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓをＥＥコアやＥＩコアで構成してもよい。
　さらに、本実施形態のＤＣＤＣコンバータ１によれば、プレーナ型トランスＴｐの一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓを、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓの外径よりも大きい外形で形成した。
　このため、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓに生じる漏れ磁束をプレーナ型トランスＴｐに留めて、プレーナ型トランスＴｐの漏れインダクタンスＬｒを効率的に構成させることができる。
　但し、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓに生じる漏れ磁束の磁路を全て覆って、必要な大きさの漏れインダクタンスＬｒを生じさせることができるのであれば、一次側の平面コアＣｐや二次側の平面コアＣｓを、一次側の平面空芯コイルＮａｐや二次側の平面空芯コイルＮａｓの外径よりも小さい外形で形成してもよい。
　また、本実施形態では、プレーナ型トランスＴｐの一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとを、それぞれの端子部Ｒｐ，Ｒｓを除いて同じ形状とした。しかし、例えば図６の断面図に示すように、一次側と二次側とで平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの大きさを異ならせてもよく、あるいは、一次側と二次側とで平面空芯コイルＮａｐ，Ｎａｓの巻数を異ならせてもよい。
　なお、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓとをエッチング等によって形成することができ、それぞれの位置を高精度に加工することができる。そして、このような加工をするにあたって、基板５のどこかに基準部（例えば貫通孔）を開けておくようにしてもよい。
　そのようにすることで、二次側の平面空芯コイルＮａｓを形成する際に、当該基準部から所定距離分、平面空芯コイルＮａｓの巻線中心をずらすように加工して、一次側の平面空芯コイルＮａｐと二次側の平面空芯コイルＮａｓのずれ精度を高くすることができる。
　そして、本発明は、非対称ハーフブリッジ型のＬＬＣコンバータを用いた絶縁型ＤＣＤＣコンバータのトランスに限らず、漏れインダクタンスを利用する分野で使用される各種のトランスに広く適用可能である。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は本発明の理解を容易にするために記載された単なる例示に過ぎず、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、その発明の範囲内において種々の変形が可能であることはいうまでもない。
　本出願は、２０１７年７月１４日に出願された日本国特許出願第２０１７－１３７９９７号に基づく優先権を主張しており、この出願の全内容が参照により本願明細書に組み込まれる。
　本発明の一態様は、漏れインダクタンスを利用する分野で使用される各種のトランスにおいて利用することができる。
　１　ＤＣＤＣコンバータ
　３　ＬＬＣコンバータ
　５　基板（絶縁基板）
　５１　基板表面（第１面）
　５３　基板裏面（第２面）
　Ａｐ　一次側の平面空芯コイルの空芯
　Ａｓ　二次側の平面空芯コイルの空芯
　Ｃｏ　平滑用コンデンサ
　Ｃｐ　一次側の平面コア
　Ｃｒ　共振用コンデンサ
　Ｃｓ　二次側の平面コア
　Ｄ１，Ｄ２　整流用ダイオード
　Ｆｐ，Ｆｓ　対向部分
　Ｌｍ　励磁インダクタンス
　Ｌｒ　漏れインダクタンス
　Ｎａｐ　一次側の平面空芯コイル
　Ｎａｓ　二次側の平面空芯コイル
　ＮＦｐ，ＮＦｓ　非対向部分
　Ｎｐ　一次側コイル
　Ｎｓ　二次側コイル
　Ｑ１，Ｑ２　半導体素子
　Ｒｏ　負荷
　Ｒｐ　一次側の平面空芯コイルの端子部
　Ｒｓ　二次側の平面空芯コイルの端子部
　Ｓｐ　一次側の平面空芯コイルの巻線中心軸
　Ｓｓ　二次側の平面空芯コイルの巻線中心軸
　Ｔｐ　プレーナ型トランス
　Ｖｉｎ　直流電圧

Claims (7)

  1. 　一次側の平面空芯コイルと、
    　前記一次側の平面空芯コイルから該一次側の平面空芯コイルの巻線中心軸方向に間隔をおいて配置され、前記巻線中心軸方向において前記一次側の平面空芯コイルと対向しない非対向部を有する二次側の平面空芯コイルと、
    　前記巻線中心軸方向における、前記一次側の平面空芯コイル及び前記二次側の平面空芯コイルの外側にそれぞれ積層された、一次側の平面コア及び二次側の平面コアと、
    　を備えるプレーナ型トランス。
  2. 　前記一次側及び二次側の各平面空芯コイルは、前記巻線中心軸方向において互いに対向する対向部分をそれぞれ有している請求項１に記載のプレーナ型トランス。
  3. 　前記一次側の平面コアと前記二次側の平面コアとは、非同軸で配置されている請求項１又は２に記載のプレーナ型トランス。
  4. 　前記一次側の平面コア及び前記二次側の平面コアは、前記巻線中心軸方向における前記一次側及び二次側の各平面空芯コイルの空芯部どうしの対向部分を挟んで前記巻線中心軸方向に間隔をおいて配置されている請求項１～３の何れか１項に記載のプレーナ型トランス。
  5. 　前記一次側及び二次側の各平面コアは、前記巻線中心軸方向と交差する平面における前記一次側及び二次側の各平面空芯コイルの輪郭よりも大きい外形を有している請求項１～４の何れか１項に記載のプレーナ型トランス。
  6. 　前記巻線中心軸方向における前記一次側の平面空芯コイル及び前記二次側の平面空芯コイルの間に介設された絶縁基板をさらに備えており、該絶縁基板の第１面に前記一次側の平面空芯コイルが形成され、前記絶縁基板の前記第１面とは反対側の第２面に前記二次側の平面空芯コイルが形成されている請求項１～５の何れか１項に記載のプレーナ型トランス。
  7. 　ＬＬＣコンバータを用いた絶縁型のＤＣＤＣコンバータのトランスとして、請求項１～６の何れか１項に記載のプレーナ型トランスを用いたＤＣＤＣコンバータ。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7182513B2 (ja) * 2019-05-24 2022-12-02 株式会社Soken 磁気部品及びこれを備えた電力変換装置
US11631523B2 (en) * 2020-11-20 2023-04-18 Analog Devices International Unlimited Company Symmetric split planar transformer
CN114864238A (zh) * 2022-04-25 2022-08-05 武汉大学 一种用于太赫兹谐波提取的片上低插损双频变压器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326295A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Matsushita Electric Works Ltd 平面型トランス
JP2000243637A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Nec Kansai Ltd 薄型インダクタ及びこれを用いた薄型ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP2013080881A (ja) * 2011-10-05 2013-05-02 Tdk Corp コイル部品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152110A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Kourin Giken:Kk Composite coil
JPS61188338U (ja) 1985-05-16 1986-11-25
US7405951B2 (en) * 2003-08-11 2008-07-29 Sanken Electric Co., Ltd. Switching power supply device
JP4391314B2 (ja) * 2004-05-10 2009-12-24 パナソニック株式会社 高周波加熱装置
KR101122983B1 (ko) * 2007-02-20 2012-03-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 코일 유닛 및 전자 기기
JP2009267077A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Seiko Epson Corp コイルユニット及びそれを用いた電子機器
CN101630578A (zh) * 2008-07-22 2010-01-20 光诠科技股份有限公司 高压可调漏磁变压器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326295A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Matsushita Electric Works Ltd 平面型トランス
JP2000243637A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Nec Kansai Ltd 薄型インダクタ及びこれを用いた薄型ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP2013080881A (ja) * 2011-10-05 2013-05-02 Tdk Corp コイル部品

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