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WO2019064424A1 - マスクの製造方法 - Google Patents

マスクの製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2019064424A1
WO2019064424A1 PCT/JP2017/035215 JP2017035215W WO2019064424A1 WO 2019064424 A1 WO2019064424 A1 WO 2019064424A1 JP 2017035215 W JP2017035215 W JP 2017035215W WO 2019064424 A1 WO2019064424 A1 WO 2019064424A1
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WO
WIPO (PCT)
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metal layer
mask
layer
current
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/035215
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真博 犬塚
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2017/035215 priority Critical patent/WO2019064424A1/ja
Priority to US16/472,220 priority patent/US10865497B2/en
Publication of WO2019064424A1 publication Critical patent/WO2019064424A1/ja

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    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • One aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a mask used when depositing particles on a display device being manufactured.
  • a mask (also referred to as a metal mask) having a plurality of openings corresponding to each sub-pixel to deposit particles for forming a light emitting element corresponding to each sub-pixel Is used.
  • the openings of the mask are manufactured using an etching method or an electrolytic casting method (plating method).
  • the etching method is used, the mask can be manufactured at low cost, but it is difficult to form the openings with high definition.
  • the cost is higher when the plating method is used than when the etching method is used, the degree of freedom in pattern design of the opening is high. Therefore, in the formation of the opening, a plating method has attracted attention.
  • the manufacturing method of the mask which used such a plating method it is disclosed by patent document 1, for example.
  • Patent Document 1 does not mention the type of plating method used when forming the opening. Therefore, in Patent Document 1, due to the shape of the openings formed in the mask, particles are not uniformly deposited on the display device being manufactured, and shadows (film thickness differences) are formed on the end sides of the respective openings. Be done. In this case, in the light emitting element in which particles are not deposited uniformly, problems such as color unevenness occur at the time of light emission.
  • a manufacturing method of a mask concerning one mode of the present invention is a manufacturing method of a mask used when depositing particles on a display device under manufacture, and it is a plurality of openings on a mask substrate Forming a metal layer having a portion, and shaping the metal layer using pulse electrolysis.
  • FIG. 1 schematically shows a display device. It is a figure for demonstrating a vapor deposition process. It is a top view of the vapor deposition mask containing a mask sheet. It is a figure for demonstrating a pulse electrolysis method, (a) shows the state in which the forward current is flowing, (b) is a figure which shows the state in which the reverse current is flowing. (A) to (h) are diagrams showing an example of a method of manufacturing a mask sheet according to the first embodiment.
  • (A) is a figure which shows an example of a time-dependent change of the current density when forming a metal layer using direct current
  • (b) is an electric current when forming a metal layer using pulse electrolysis method It is a figure which shows an example of the time-dependent change of density. It is a figure for demonstrating the formation principle of a metal layer, (a) is a figure which shows the metal layer before an opening part is formed in taper shape, (b) is an opening part formed in taper shape. It is a figure which shows a metal layer.
  • (A) is a figure which shows an example of a mode that particle
  • (b) is using the mask sheet
  • (A) to (h) are diagrams showing an example of a method of manufacturing a mask sheet according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method of manufacturing the display device 2.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example of the display unit of the display device 2.
  • “lower layer” means that it is formed in a process earlier than the layer to be compared
  • “upper layer” is that it is formed in a process later than the layer to be compared
  • the resin layer 12 is formed on a translucent support substrate (for example, a mother glass substrate) (not shown) S1).
  • the barrier layer 3 is formed (S2).
  • a TFT (Thin Film Transistor) layer 4 is formed (S3).
  • a top emission type light emitting element layer for example, an OLED (Organic Light Emitting Diode) layer
  • the sealing layer 6 is formed (S5). Then, an upper film is attached on the sealing layer 6 (S6).
  • the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with laser light through the supporting substrate to reduce the bonding strength between the supporting substrate and the resin layer 12, and the supporting substrate is peeled off from the resin layer 12 (S7).
  • the lower film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (S8).
  • the laminate including the lower surface film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of individual pieces (S9).
  • the functional film 39 is attached to the obtained piece (S10).
  • an electronic circuit board for example, an IC chip
  • the display device 2 is obtained (S11). The above steps are performed by the display device manufacturing apparatus.
  • Examples of the material of the resin layer 12 include polyimide. Examples of the material of the lower film 10 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign matter such as water and oxygen from penetrating into the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device is used.
  • the barrier layer 3 is formed of, for example, a silicon oxide (SiO x ) film, a silicon nitride film (SiN x ), a silicon oxynitride film (SiO x N y ), or a laminated film of these films formed by chemical vapor deposition (CVD).
  • SiO x silicon oxide
  • SiN x silicon nitride film
  • SiO x N y silicon oxynitride film
  • CVD chemical vapor deposition
  • the TFT layer 4 includes the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, the gate electrode GE above the inorganic insulating film 16, and the inorganic insulating layer above the gate electrode GE.
  • a thin film transistor (TFT) Tr is configured to include the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film), and the gate electrode GE.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • FIG. 2 shows the case where the thin film transistor Tr having the semiconductor film 15 as a channel has a top gate structure.
  • the thin film transistor Tr may have a bottom gate structure (for example, in the case where the channel of the thin film transistor Tr is an oxide semiconductor).
  • aluminium (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), and copper It is comprised by the single layer film or laminated film of "metal containing at least 1 of Cu).
  • the inorganic insulating films 16, 18 and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by CVD.
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 21 can be made of, for example, a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an OLED layer) includes an anode (anode) 22 above the planarization film 21, an anode cover film 23 covering the edge of the anode 22, and an EL (Electro-Luminescence) above the anode 22. (Electroluminescence) layer 24 and a cathode 25 (cathode) above the EL layer 24.
  • a light emitting element for example, OLED
  • a sub pixel circuit for driving the light emitting element is provided.
  • the anode cover film 23 is an organic insulating film.
  • the anode cover film 23 is formed, for example, by applying a photosensitive organic material (eg, polyimide, acrylic or the like) and then patterning the photosensitive organic material by photolithography.
  • a photosensitive organic material eg, polyimide, acrylic or the like
  • the EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape for each sub pixel by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • the hole transport layer and the electron transport layer may be formed in an island shape for each sub-pixel.
  • the hole transport layer and the electron transport layer may be solidly formed as a common layer of a plurality of sub-pixels.
  • the anode 22 is formed, for example, by laminating an alloy containing ITO (Indium Tin Oxide) and Ag.
  • the anode 22 has light reflectivity.
  • the cathode 25 can be made of a translucent conductive material such as ITO or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the driving current between the anode 22 and the cathode 25 recombines holes and electrons in the EL layer 24.
  • Light is emitted by transition of excitons generated by recombination to the ground state.
  • the display device 2 since the cathode 25 is translucent and the anode 22 is light reflective, light emitted from the EL layer 24 is directed upward.
  • the display device 2 may be configured as a top emission type device.
  • the sealing layer 6 includes an inorganic sealing film 26 above the cathode 25, an organic sealing film 27 above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film 28 above the organic sealing film 27. including.
  • the sealing layer 6 prevents the penetration of foreign matter (eg, water, oxygen, etc.) into the inside of the light emitting element layer 5.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 can be made of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD.
  • the organic sealing film 27 can be made of a photosensitive organic material (eg, polyimide, acrylic, etc.) that can be applied to the upper surface of the inorganic sealing film 26.
  • the lower film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 after peeling off the support substrate. According to the lower surface film 10, a flexible (excellent in flexibility) display device 2 can be realized. Examples of the material of the lower film 10 include PET.
  • the functional film 39 has a predetermined function (eg, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, etc.).
  • FIG. 3 schematically shows the display device 2.
  • the display device 2 is provided with a display area DA (active area) and a non-display area NA (inactive area).
  • the display area DA can be connected to the above-described electronic circuit board (for example, an IC chip) through a terminal for external connection.
  • the non-display area NA is a frame area provided to surround the display area DA.
  • the light emitting element layer 5 may be formed using the vapor deposition mask 220 (refer FIG. 5 mentioned later).
  • S4 is a process (vapor deposition process) which forms the light emitting element layer 5 by vapor deposition is illustrated.
  • FIG. 4 is a view for explaining the vapor deposition process.
  • a vapor deposition mask 220 including a mask sheet 300 (mask) having a plurality of openings 304 (for example, see (h) in FIG. 7 described later) is adhered to the TFT substrate 43 including the TFT layer 4.
  • the opening 304 is also referred to as a through hole or a deposition hole.
  • the deposition mask 220 is also referred to as a metal mask.
  • the particles Z for example, an organic light emitting material
  • the deposition source 70 are deposited on the TFT substrate 43 through the mask sheet 300.
  • the vapor deposition pattern is formed in a pattern corresponding to the opening of the mask sheet 300.
  • the lower surface of the mask sheet 300 is the surface facing the deposition source 70
  • the upper surface of the mask sheet 300 is the surface facing the TFT substrate 43.
  • FIG. 5 is a plan view of the vapor deposition mask 220 including the mask sheet 300.
  • the deposition mask 220 includes (i) a frame (frame) 212, (ii) a plurality of support sheets 213 stretched in the longitudinal direction of the frame 212 (the width direction of the mask sheet 300), and (iii) the lateral direction of the frame 212.
  • a plurality of cover sheets 211b which can be hung in the longitudinal direction of the mask sheet 300, and (iv) a plurality of mask sheets 300 are provided.
  • FIG. 5 Only one mask sheet 300 is illustrated in FIG. 5 for the convenience of description. However, in practice, the mask sheets 300 are provided as many as the number of rows of panels to be arranged. YA in FIG. 5 indicates the effective part of the mask sheet 300. A plurality of openings 304 are formed in the effective portion YA of the mask sheet 300.
  • the mask sheet 300 includes two grippable side end portions G1 and G2 and a middle portion M.
  • the mask sheet 300 is aligned with the frame 212. Specifically, the mask sheet 300 is aligned such that the position of the opening 304 in the effective portion YA coincides with the pixel area (light emitting area) of the TFT substrate 43. Each of the effective portions YA corresponds to the display area DA of one display device 2 (for example, an OLED panel).
  • the particles Z emitted from the deposition source 70 are deposited on the display area DA through the opening 304.
  • the edge of the mask sheet 300 overlaps the non-display area NA.
  • the particles Z are blocked by the edge and do not reach the non-display area NA.
  • Embodiment 1 A method of manufacturing the mask sheet 300 according to the present embodiment, which is used to deposit the particles Z on the display device 2 being manufactured, will be described with reference to FIGS. 6 to 10.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the pulse electrolytic method, in which (a) shows a state in which a forward current is flowing, and (b) shows a state in which a reverse current is flowing.
  • Examples of the above-mentioned plating method include direct current electrolysis and pulse electrolysis.
  • a substrate to be plated target for deposition
  • cathode cathode
  • the pulse electrolysis method for example, pulse plating method in which a metal layer is formed on a substrate by repeating application (On-time) and stop (Off-time) of current, or a current flow periodically.
  • a PR Period Reverse
  • This pulse electrolysis method is applied to, for example, a technique of copper filling in through holes such as through silicon vias (TSVs).
  • TSVs through silicon vias
  • the substrate to be plated is immersed as the first electrode 101 in the solution 200 in the container 100 and, for example, stainless steel (Steel Use Stainless)
  • a metal plate such as SUS), nickel (Ni) or iron (Fe) is dipped as the second electrode 102;
  • the first electrode 101 and the second electrode 102 are connected to a rectifier 103 whose current density can be changed.
  • the rectifier 103 can change the positive / negative of current density. That is, the rectifier 103 can change (switch) the direction in which the current flows.
  • the current density (current value per unit area) of the current applied by the rectifier 103 is also referred to as an average current density.
  • the rectifier 103 causes a current to flow from the rectifier 103 toward the second electrode 102 by applying a positive current. That is, at this time, the first electrode 101 functions as a cathode electrode, and the second electrode 102 functions as an anode electrode. Further, in the solution 200, a current flows from the second electrode 102 to the first electrode 101. The current flowing at this time is also referred to as positive current or forward current.
  • the rectifier 103 causes a current to flow from the rectifier 103 toward the first electrode 101 when the rectifier 103 applies a negative current. That is, at this time, the first electrode 101 functions as an anode electrode, and the second electrode 102 functions as a cathode electrode. In addition, in the solution 200, a current flows from the first electrode 101 to the second electrode 102. The current flowing at this time is also called negative current or reverse current.
  • the substrate to be plated can be switched to the cathode electrode or the anode electrode by switching the forward current and the reverse current (that is, switching the flow direction of the current). Specifically, when the substrate functions as a cathode electrode, the metal in the solution 200 is deposited on the substrate, and when the substrate functions as an anode electrode, the metal deposited on the substrate is dissolved. As described above, in the pulse electrolysis method, the metal layer is deposited on the substrate by repetition of deposition and dissolution of the metal on the substrate.
  • pulse electrolysis is used in addition to direct current electrolysis.
  • the mask substrate 301 (the mask substrate 301 for forming the metal layers 302a and 302b) for manufacturing the mask sheet 300 to be plated functions as a cathode electrode.
  • the deposition and dissolution of the metal layer 302a is repeated by further using the pulse electrolysis method on the mask substrate 301 on which the metal layer 302a is formed using the direct current electrolysis method.
  • the pulse electrolytic method is described as the PR plating method.
  • FIGS. 7A to 7H are diagrams showing an example of a method of manufacturing the mask sheet 300 according to the present embodiment.
  • (A) of FIG. 8 is a figure which shows an example of a time-dependent change of the current density when forming the metal layer 302a using a direct-current electrolysis method
  • (b) shows the metal layer 302b using a pulse electrolysis method.
  • It is a figure which shows an example of the time-dependent change of the current density when forming.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the formation principle of the metal layer 302b, in which (a) shows the metal layer 302a and (b) shows the metal layer 302b.
  • a mask substrate 301 is prepared to manufacture the mask sheet 300, and as shown in (b) of FIG. 7, a metal layer functioning as an underlayer on the mask substrate 301.
  • the metal layer 302 is made of, for example, nickel, and is formed using an electroless plating method or a sputtering method. When the metal layer 302 is formed using the electroless plating method, the thickness of the metal layer 302 is, for example, 2 to 3 ⁇ m. When the metal layer 302 is formed by sputtering, the thickness of the metal layer 302 is, for example, 0.3 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • a resist layer 303 for patterning the plurality of openings 304 in a later step is formed on the metal layer 302.
  • the resist layer 303 is formed, for example, by applying a photosensitive organic material (photoresist) on the metal layer 302.
  • the space 303s is formed using, for example, photolithography. That is, in order to form the space 303s in the resist layer 303 (in other words, to form the plurality of openings 304 having the predetermined pattern), a portion (the space 303s is formed other than the predetermined pattern of the resist layer 303) The portion) is irradiated (exposed) with light or an electron beam to change the solubility of the portion, and the resist layer 303 after the exposure is developed. Thereby, the resist of the portion is removed, and the space 303s is formed in the portion.
  • At least two steps shown in (c) and (d) of FIG. 7 are a resist layer forming step of forming a resist layer 303 having a plurality of spaces 303s on the mask substrate 301.
  • a metal layer 302 a (electrolytic plating film) is formed in the space 303 s by direct current electrolysis.
  • a mask substrate 301 (see (d) in FIG. 7) having a resist layer 303 in which a space 303s is formed in the solution 200 is Then, it is dipped as the first electrode 101).
  • a metal plate such as stainless steel, nickel, or iron is immersed in the solution 200 as an anode electrode (here, the second electrode 102).
  • the rectifier 103 instead of the rectifier 103, a rectifier that allows direct current to flow to the anode electrode side is connected.
  • the metal layer 302a is formed on the mask substrate 301 functioning as a cathode electrode (specifically, on the metal layer 302 in the space 303s).
  • the metal layer 302 a is made of the same metal as the metal layer 302.
  • an iron-nickel alloy plating solution (a plating solution in which iron is contained in a plating solution containing nickel (nickel plating solution)) is used as the solution 200.
  • This iron-nickel alloy plating solution is, for example, a solution having a pH of 2.3 or more and 3.5 or less.
  • the temperature at which the metal layer 302a is formed by direct current electrolysis is, for example, 50.degree.
  • an example of the composition of the iron-nickel alloy plating solution and the molar concentration of each composition are as follows.
  • Nickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 ⁇ 6 H 2 O) ... 0.90 mol / L or more and 1.50 mol / L or less.
  • Nickel chloride hexahydrate (NiCl 2 ⁇ 6 H 2 O) ... 0.15 mol / L or more and 0.25 mol / L or less.
  • Boric acid H 3 BO 3) ... 0.45mol / L or more, 0.60 mol / L or less.
  • Iron sulfate heptahydrate (FeSO 4 ⁇ 7H 2 O) ... 0.30 mol / L or more and 0.60 mol / L or less. Saccharin sodium dihydrate (C 7 H 4 N NaO 3 S. 2H 2 O)...
  • Citric acid, tartaric acid, glycolic acid, gluconic acid, malic acid or malonic acid 0.05 mol / L or more and 0.012 mol / L or less.
  • level adjustment may be performed by adding butyne diol or propargyl alcohol.
  • the solution 200 is not limited to the iron-nickel alloy plating solution, but may be, for example, a nickel plating solution or a cobalt (Co) -nickel alloy plating solution (a plating solution containing cobalt in the nickel plating solution) I don't care.
  • the current density when forming the metal layer 302a using the direct current electrolysis method is constant as shown in (a) of FIG.
  • the current density is set to 2.0 A / dm 2 or more and 4.0 A / dm 2 or less.
  • FIG. 8 an example in which 2.0 A / dm 2 is set is shown.
  • the thickness of the portion of the metal layer 302a formed by direct current electrolysis (the thickness of the portion not including the metal layer 302 formed in (b) of FIG. 7) is, for example, 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less. That is, the total thickness of the metal layer 302a is 12 ⁇ m or more and 43 ⁇ m or less when the metal layer 302 is formed using the electroless plating method, and the metal layer 302 is formed using the sputtering method. 10.3 ⁇ m or more and 41 ⁇ m or less.
  • the mask substrate 301 on which the metal layer 302 a is formed is taken out of the solution 200. Then, as shown in (f) of FIG. 7, the resist layer 303 on the metal layer 302 and the metal layer 302 (the metal layer 302 on which the resist layer 303 is formed) at a position facing the resist layer 303 are Remove by etching process. Thereby, a plurality of openings 304 are formed.
  • steps shown in (e) and (f) of FIG. 7 are film forming steps of forming the metal layer 302 a having the plurality of openings 304 on the mask substrate 301.
  • the step of forming the metal layer 302 a on the mask substrate 301 (see (e) of FIG. 7), the resist layer 303, and the metal layer 302 on which the resist layer 303 is formed It includes at least two steps of removing (see FIG. 7F).
  • a mask sheet 1000 as a comparative example is formed of the metal layer 302a having a plurality of openings 304 which are not tapered). See (a)).
  • a plurality of openings formed in a tapered shape are further subjected to a shaping step of shaping the metal layer 302 a into the metal layer 302 b using pulse electrolysis.
  • a mask sheet 300 composed of the metal layer 302 b having the portion 304 is manufactured.
  • the mask substrate 301 in which the metal layer 302a having the plurality of openings 304 is formed in the solution 200 is Immerse as an electrode 101. That is, the metal layer 302 a to be shaped in the shaping step becomes the first electrode 101. Further, a metal plate such as stainless steel, nickel, or iron is dipped in the solution 200 as the second electrode 102. A rectifier 103 is connected to the first electrode 101 and the second electrode 102.
  • the solution 200 the above-mentioned solution used when forming the metal layer 302a by direct current electrolysis can be used.
  • the temperature of the solution 200 when the metal layer 302 b is formed by pulse electrolysis is, for example, 50 ° C.
  • the rectifier 103 switches the forward current and the reverse current over time (periodically), as shown in FIG. Thereby, in the shaping process, deposition and dissolution of the metal layer 302 a are repeated on the mask substrate 301 as the first electrode 101.
  • the metal layer 302a is shaped into a metal layer 302b so that the angle is approximately perpendicular to an obtuse angle.
  • the first electrode 101 can also be said to be an electrode on the side of shaping the metal layer 302 a in the shaping step.
  • the above-described angle can also be described as an angle formed by the TFT substrate 43 (see FIG. 10B) and the side surface on the side of the opening 304.
  • the first electrode 101 functions as a cathode electrode as in the direct current electrolysis method. Therefore, the metal layer 302 a grows in the direction (the facing electrode (second electrode 102) side) away from the mask substrate 301.
  • the first electrode 101 functions as an anode electrode. Therefore, as shown in (b) of FIG. 9, in the metal layer 302a, the current density is higher in the region farther from the mask substrate 301 (that is, closer to the facing electrode (the second electrode 102)), and dissolution is preferentially performed. Progress. As a result, the thickness of the metal layer 302a is reduced. On the other hand, in the metal layer 302a, the current density is lower in the region closer to the mask substrate 301 (closer to the facing electrode (second electrode 102)), so that the metal layer 302a is less likely to be dissolved even when switched to the anode electrode. Deposition of the metal layer is continued. As a result, in the metal layer 302 a, the one farther from the facing surface side is elongated along the surface of the mask substrate 301. As a result, a metal layer 302 b having a tapered opening 304 is formed.
  • the growth direction of the metal layer 302a is different. Specifically, by making the current density of the reverse current larger than the current density of the forward current, it is possible to form the opening 304 in a tapered shape.
  • dissolution is prioritized over deposition in a portion where electric lines of force tend to be concentrated (a side closer to the facing electrode, ie, a portion where the current density is higher). Further, on the side surface side of the metal layer 302a, the portion where the electric lines of force are not easily concentrated (the side far from the facing electrode, that is, the portion where the current density is low) is less likely to be dissolved. That is, on the side surface of the metal layer 302a, the metal layer deposited is less likely to be dissolved as it is farther from the facing electrode (closer to the mask substrate 301 side), and as a result of repeated application of forward current and reverse current Film formation is continued.
  • the reverse time is set to be shorter than the forward time, where the forward current is a forward time and the reverse current is a reverse time.
  • the reverse time is set to 1/20 or more and 1/10 or less of the forward time.
  • the forward time per time is set to 80 ms
  • the reverse time per time is set to 4 ms or more and 8 ms or less.
  • the forward time is set to 4 ms and the reverse time is set to 80 ms under the condition that the current density of the forward current and the reverse current is the same as the case where the forward time and the reverse time are set as described above.
  • the amount of dissolution also increases on the side surface side of the metal layer 302a (in particular, the side closer to the mask substrate 301), and as a result, the metal deposition amount is insufficient, and a taper is not formed on the side surface side. Therefore, in order to suppress the film formation on the side closer to the facing electrode (the side with high current density) and continue the deposition of the metal on the side far from the facing electrode (the side with low current density) It is preferable to set the time longer.
  • the above-mentioned angle is sufficient if the particles Z are substantially uniformly deposited on the TFT substrate 43 through the openings 304.
  • the degree of deformation of the metal layer 302a is sufficient if the angle is satisfied and the metal layer 302b does not close the openings 304 (the function of the mask sheet 300 is not impaired).
  • each of the openings 304 various conditions are set in the shaping process using the pulse electrolysis method.
  • various conditions for example, (1) composition of solution 200, pH or temperature, (2) the ratio of forward current to reverse current, (3) the ratio of forward time to reverse time, and (4) The total processing time of a shaping process etc. are mentioned.
  • the degree of reduction from the thickness of the metal layer 302a to the thickness of the metal layer 302b (reduction rate of the thickness of the metal layer 302a) and the growth rate on the side of the metal layer 302a (example: bottom of metal layer 302a) Growth rate etc.) is decided. That is, the angle formed as described above and the degree of deformation of the metal layer 302a are realized, and the shape of each opening 304 is tapered.
  • the mask substrate 301 is peeled off from the metal layer 302b to form the metal layer 302b having a plurality of openings 304.
  • the mask sheet 300 is completed.
  • FIG. 10A is a view showing an example of how particles Z are vapor-deposited on the TFT substrate 43 using the mask sheet 1000 as a comparative example.
  • FIG. 10B is a view showing an example of how particles Z are vapor-deposited on the TFT substrate 43 using the mask sheet 300 of the present embodiment.
  • the mask sheet 1000 shown to (a) of FIG. 10 is demonstrated as what is used as only the direct current electrolysis method as a plating method, and the some opening part 1004 was formed.
  • the angle between the TFT substrate 43 and the side surface of the mask sheet 1000 forming the opening 1004 is substantially vertical. It has become. That is, when the openings 1004 are formed using only the direct current electrolytic method, the shape of the openings 1004 is unlikely to be tapered.
  • the particle Z from the crucible (not shown) is vapor-deposited on the TFT substrate 43 through the opening 1004, whereby the EL layer 24 is formed on the TFT substrate 43.
  • the deposition direction of the particles Z is not necessarily substantially perpendicular to the TFT substrate 43. Therefore, when the angle formed is substantially vertical, the side surface of the mask sheet 1000 may inhibit the deposition of the particles Z on the region Ar of the TFT substrate 43 in the vicinity of the side surface.
  • the opening 1004 can not be made sufficiently large with respect to the region of the TFT substrate 43 where the particles Z are deposited (that is, the region where the island-shaped EL layer 24 is formed). Therefore, when the above-described angle is substantially vertical, the deposition of the particles Z in the region Ar is inhibited, and the cross-sectional shape of the island-shaped EL layer 24 tends to be substantially trapezoidal. In addition, the area
  • the thickness of the island-shaped EL layer 24 differs between the central portion and the peripheral portion. Specifically, the periphery of the island-shaped EL layer 24 is thinner than its central portion, or as shown in (a) of FIG. Also, a small island-shaped EL layer 24 is formed. As a result, in the mask sheet 1000, when the EL layer 24 emits light, a defect such as color unevenness occurs between the central portion and the peripheral portion of the sub-pixel.
  • the metal layer 302a is shaped by using a pulse electrolytic method in the shaping step, thereby forming a tapered shape as shown in (b) of FIG.
  • a metal layer 302b having each opening 304 (of ⁇ > 0 °) can be formed.
  • each opening 304 is tapered by adjusting the current density and application time of the forward current and the reverse current as described above (eg, making the current density of the reverse current larger than the current density of the forward current). It can be formed.
  • the particles Z can be deposited also in the region Ar that can be a mask shadow, and the particles Z can be deposited substantially uniformly on the TFT substrate 43. Therefore, the EL layer 24 can be formed so that the thickness of the EL layer 24 is substantially uniform in the central portion and the peripheral portion. That is, the EL layer 24 can be formed with high accuracy. As a result, when the EL layer 24 emits light, it is possible to avoid the occurrence of defects such as the above-mentioned color unevenness.
  • the mask sheet 300 is manufactured using a manufacturing method including at least a film forming process and a shaping process. Specifically, the mask sheet 300 is formed of a metal layer 302 b having a plurality of tapered openings 304.
  • a deposition step of depositing particles Z on the TFT substrate 43 using the mask sheet 300 (the mask sheet 300 formed of the metal layer 302 b) manufactured by the above-described manufacturing method is used. Including.
  • the particles Z can be deposited on the TFT substrate 43 with high accuracy.
  • the display device 2 having the EL layer 24 with a substantially uniform thickness can be manufactured. That is, the display device 2 in which the above-mentioned problem is avoided can be manufactured.
  • each process shown in FIG. 7 was demonstrated as a manufacturing method of the mask sheet 300, it is not restricted to this.
  • the deposition mask 220 may be manufactured through each process shown in FIG. 7.
  • PR plating method was used as a pulse electrolysis method was demonstrated at the shaping process shown to (g) of FIG. 7, for example, not only this but a pulse plating method may be used.
  • a pulse plating method instead of the rectifier 103, a rectifier that turns on or off the direct current at predetermined time intervals is used.
  • the metal layer 302 a is shaped into the metal layer 302 b using pulse electrolysis.
  • the various conditions described above are set so that each opening 304 is not clogged and formed in a tapered shape.
  • the side surface of the metal layer 302a may grow too much, and the openings 304 formed in FIG. 7F may be blocked by the metal layer 302b.
  • a suppressing portion forming step of forming a suppressing portion described later is added to the manufacturing method of the first embodiment.
  • FIGS. 11 (a) to 11 (h) are diagrams showing an example of a method of manufacturing the mask sheet 300 according to the present embodiment.
  • the steps shown in (a) to (f) of FIG. 11 are the steps up to the formation of the metal layer 302a having a plurality of openings 304, and are the same as the steps shown in (a) to (f) of FIG. is there.
  • the mask substrate 301 and the metal layer are formed.
  • a resist layer 305 is formed on 302 a.
  • the resist layer 305 is formed, for example, by applying a photosensitive organic material on the mask substrate 301 and the metal layer 302a.
  • the predetermined area is an area corresponding to the sub-pixel of the display device 2 (eg, an area including the center of the opening 304) and has a size that includes the size of the sub-pixel.
  • the size of the predetermined area is, for example, the size of a portion (portion in contact with the TFT substrate 43 in the vapor deposition process) of each opening 304 of the metal layer 302b of Embodiment 1 in contact with the mask substrate 301 (FIG. 7). See (g)).
  • the resist layer 305 (island resist layer 305) left in the predetermined area after the above-described processing functions as an inhibition section that prevents the metal layer 302a from spreading into the predetermined area in the post-process shaping step.
  • the step shown in (h) of FIG. 11 is a suppressing portion forming step of forming an island-shaped resist layer 305 as a suppressing portion in each opening portion 304.
  • the pulse electrolysis method is used to convert the metal layer 302a to the metal layer 302b as in the first embodiment.
  • shaping shaping process
  • the metal layer 302b is formed in the shaping step, as shown in (j) of FIG. 11, the island-shaped resist layer 305 as a suppressing portion is removed (removal step). And as shown to (k) of FIG. 11, the mask sheet
  • a method of producing a mask according to aspect 1 of the present invention is a method of producing a mask (mask sheet 300) used when depositing particles (Z) on a display device (2) in production, which is a mask substrate (301)
  • each opening can be tapered (each opening can be tapered). Therefore, particles can be deposited substantially uniformly in the regions where the sub-pixels opposed to the respective openings are formed. As a result, it is possible to manufacture a display device having sub-pixels in which color unevenness and the like do not occur.
  • the first electrode of the first electrode (101) and the second electrode (102) used in the pulse electrolysis method is shaped as described above.
  • the metal layer to be shaped in the process is a forward current when flowing from the second electrode to the first electrode, and a reverse current when flowing from the first electrode to the second electrode,
  • the current density of the reverse current may be larger than the current density of the forward current.
  • each opening can be reliably formed in a tapered shape.
  • the time during which the forward current flows is the forward time
  • the time during which the reverse current flows is the reverse time. It may be shorter than time.
  • each opening can be reliably formed in a tapered shape.
  • the mask manufacturing method according to aspect 4 of the present invention further includes, in any one of aspects 1 to 3, a resist layer forming step of forming a resist layer having a plurality of space portions on the mask substrate.
  • the metal layer having the plurality of openings may be formed by removing the resist layer after forming the metal layer in the plurality of space portions.
  • the metal layer may be formed in the plurality of space portions in the film forming step using direct current electrolysis.
  • a metal layer can be formed into a film using a direct current electrolysis method.
  • the metal in any one of aspects 1 to 5, in the shaping step, is introduced into predetermined regions in the plurality of openings formed in the film forming step.
  • a suppressing portion forming a suppressing portion (resist layer 305) for suppressing spreading of the layer in each of the plurality of openings, and the suppressing portion formed in the suppressing portion forming step after the shaping step And removing the material.
  • a resist layer is formed on the mask substrate and the metal layer formed in the film forming step.
  • the suppression portion may be formed in the predetermined region by removing a portion other than the predetermined region in the resist layer.
  • the suppression portion can be formed in the predetermined region by using the resist layer.

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Abstract

マスクシート（３００）の製造方法は、マスク基板（３０１）上に複数の開口部（３０４）を有する金属層（３０２ａ）を形成する成膜工程と、パルス電解法を用いて、金属層を整形する整形工程と、を含む。

Description

マスクの製造方法
　本発明の一態様は、製造中の表示デバイスに対して粒子を蒸着させるときに用いるマスクの製造方法に関する。
　従来、表示デバイスの製造において、各サブ画素に対応して発光素子を形成するための粒子を蒸着するために、各サブ画素に対応する複数の開口部を有するマスク（メタルマスクとも称される）が使用される。このマスクの開口部は、エッチング法又は電解鋳造法（めっき法）を用いて製造される。エッチング法を用いた場合、低コストでマスクを製造できるが、開口部を高精細に形成することが困難である。一方、めっき法を用いた場合、エッチング法を用いた場合よりも高コストにはなるが、開口部のパターンデザインの自由度が高い。そのため、開口部の形成において、めっき法が注目されている。このようなめっき法を用いたマスクの製造方法については、例えば特許文献１に開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１６－１００２９６号公報（２０１６年５月３０日公開）」
　しかしながら、特許文献１では、開口部を形成するときに用いられるめっき法の種類については言及されていない。そのため、特許文献１では、マスクに形成された開口部の形状に起因して、製造中の表示デバイスに粒子が均一に蒸着せず、各開口部の端側にシャドウ（膜厚段差）が形成される。この場合、均一に粒子が蒸着しなかった発光素子においては、発光時に色ムラ等の不具合が生じる。
　本発明の一態様では、発光素子の面内に対して、略均一に粒子を蒸着することが可能なマスクの製造方法の実現を目的とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るマスクの製造方法は、製造中の表示デバイスに粒子を蒸着させるときに用いるマスクの製造方法であって、マスク基板上に複数の開口部を有する金属層を形成する成膜工程と、パルス電解法を用いて、前記金属層を整形する整形工程と、を含む。
　本発明の一態様によれば、発光素子の面内に対して、略均一に粒子を蒸着できるという効果を奏する。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。 表示デバイスを概略的に示す図である。 蒸着工程を説明するための図である。 マスクシートを含む蒸着マスクの平面図である。 パルス電解法を説明するための図であり、（ａ）はフォワード電流が流れている状態を示し、（ｂ）はリバース電流が流れている状態を示す図である。 （ａ）～（ｈ）は、実施形態１に係るマスクシートの製造方法の一例を示す図である。 （ａ）は、直流電解法を用いて金属層を形成するときの電流密度の経時的変化の一例を示す図であり、（ｂ）は、パルス電解法を用いて金属層を形成するときの電流密度の経時的変化の一例を示す図である。 金属層の形成原理を説明するための図であり、（ａ）は開口部がテーパ状に形成される前の金属層を示す図であり、（ｂ）は開口部がテーパ状に形成された金属層を示す図である。 （ａ）は、比較例としてのマスクシートを用いて、粒子がＴＦＴ基板に蒸着される様子の一例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１のマスクシートを用いて、粒子がＴＦＴ基板に蒸着される様子の一例を示す図である。 （ａ）～（ｈ）は、実施形態２に係るマスクシートの製造方法の一例を示す図である。
　〔表示デバイスの構造及び製造方法の概要〕
　図１は、表示デバイス２の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイス２の表示部の構成例を示す断面図である。以下の説明では、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　例えば、フレキシブルな表示デバイス２を製造する場合、図１・図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）（不図示）上に樹脂層１２を形成する（Ｓ１）。次いで、バリア層３を形成する（Ｓ２）。次いで、ＴＦＴ（Thin Film Transistor，薄膜トランジスタ）層４を形成する（Ｓ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode，有機発光ダイオード）層）５を形成する（Ｓ４）。次いで、封止層６を形成する（Ｓ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（Ｓ６）。次いで、支持基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して支持基板および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する（Ｓ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（Ｓ８）。次いで、下面フィルム１０と樹脂層１２とバリア層３とＴＦＴ層４と発光素子層５と封止層６とを含む積層体を分断し、複数の個片を得る（Ｓ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（Ｓ１０）。次いで、外部接続用の端子に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（Ｓ１１）。なお、前記各ステップは表示デバイス製造装置が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成される、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極ＧＥを含むように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ，Low Temperature PolySilicon）または酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとする薄膜トランジスタＴｒがトップゲート構造を有する場合が示されている。但し、薄膜トランジスタＴｒは、ボトムゲート構造を有していてもよい（例えば、薄膜トランジスタＴｒのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、「アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、および銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属」の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤによって形成された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、ＯＬＥＤ層）は、平坦化膜２１よりも上層のアノード（陽極）２２と、アノード２２のエッジを覆うアノードカバー膜２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（Electro-Luminescence，エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５（陰極）とを含む。発光素子層５では、サブ画素（副画素）ごとに、（ｉ）島状のアノード２２、島状のＥＬ層２４、およびカソード（陰極）２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ）と、（ｉｉ）当該発光素子を駆動するサブ画素回路とが設けられる。
　アノードカバー膜２３は、有機絶縁膜である。アノードカバー膜２３は、例えば、感光性有機材料（例：ポリイミドまたはアクリル等）を塗布した後に、当該感光性有機材料をフォトリソグラフィによってパターニングすることで形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブ画素ごとに島状に形成される。正孔輸送層および電子輸送層は、サブ画素ごとに島状に形成されてよい。あるいは、正孔輸送層および電子輸送層は、複数のサブ画素の共通層としてベタ状に形成されてもよい。
　アノード２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇとを含む合金との積層によって構成される。アノード２２は、光反射性を有する。カソード２５は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード２２とカソード２５との間の駆動電流によって、正孔と電子とがＥＬ層２４内で再結合する。再結合によって生じたエキシトンが基底状態に遷移することによって、光が放出される。表示デバイス２では、カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かう。このように、表示デバイス２は、トップエミッション型のデバイスとして構成されてよい。
　封止層６は、カソード２５よりも上層の無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。封止層６は、異物（例：水および酸素等）が発光素子層５の内部へと浸透することを防ぐ。無機封止膜２６・２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、無機封止膜２６の上面に塗布可能な感光性有機材料（例：ポリイミドまたはアクリル等）によって構成することができる。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けられる。下面フィルム１０によれば、フレキシブルな（柔軟性に優れた）表示デバイス２を実現できる。下面フィルム１０の材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、所定の機能（例：光学補償機能、タッチセンサ機能、および保護機能等）を有する。
　以上、フレキシブルな表示デバイス２を製造する場合について説明した。但し、非フレキシブルな表示デバイス２を製造する場合は、支持基板の付け替え等が不要である。このため、例えば、図１のＳ５からＳ１０に移行する。
　図３は、表示デバイス２を概略的に示す図である。表示デバイス２には、表示領域ＤＡ（アクティブ領域）および非表示領域ＮＡ（非アクティブ領域）が設けられている。表示領域ＤＡは、外部接続用の端子を介して、上述の電子回路基板（例：ＩＣチップ）に接続可能である。電子回路基板によって表示領域ＤＡを駆動することで、当該アクティブ領域ＤＡに所望の画像を表示させることができる。非表示領域ＮＡは、表示領域ＤＡを取り囲むように設けられた、額縁領域である。
　〔蒸着工程〕
　上述のＳ４では、蒸着マスク２２０（後述の図５参照）を用い、発光素子層５が形成されてよい。以下、Ｓ４が、蒸着によって発光素子層５を形成する工程（蒸着工程）である場合を例示する。
　図４は、蒸着工程を説明するための図である。蒸着工程では、ＴＦＴ層４を含むＴＦＴ基板４３に、複数の開口部３０４（例：後述の図７の（ｈ）参照）を有するマスクシート３００（マスク）を含む蒸着マスク２２０を密着させる。開口部３０４は、貫通孔又は蒸着孔とも称される。また、蒸着マスク２２０は、メタルマスクとも称される。
　続いて、真空下において、蒸着源７０によって気化または昇華させた粒子Ｚ（例えば、有機発光材）を、マスクシート３００越しにＴＦＴ基板４３に蒸着させる。このように、マスクシート３００の開口部に対応するパターンにて蒸着パターンを形成する。
　なお、図４では、マスクシート３００の下面が蒸着源７０と対向する側の面であり、マスクシート３００の上面がＴＦＴ基板４３と対向する側の面である。
　〔蒸着マスク〕
　図５は、マスクシート３００を含む蒸着マスク２２０の平面図である。蒸着マスク２２０は、（ｉ）フレーム（枠体）２１２と、（ｉｉ）フレーム２１２の縦方向（マスクシート３００の幅方向）に架けられる複数のサポートシート２１３と、（ｉｉｉ）フレーム２１２の横方向（マスクシート３００の長手方向）に架けられる複数のカバーシート２１１ｂと、（ｉｖ）複数のマスクシート３００とを備える。
　図５では、説明の便宜上、１個のマスクシート３００のみが図示されている。但し、実際は、配置されるパネルの列の数だけマスクシート３００が設けられる。なお、図５のＹＡは、マスクシート３００の有効部を示す。マスクシート３００の有効部ＹＡには複数の開口部３０４が形成される。マスクシート３００は、グリップ可能な２つの側端部Ｇ１・Ｇ２と、中間部Ｍとを備える。
　マスクシート３００は、フレーム２１２に対して位置合わせされている。具体的には、マスクシート３００は、有効部ＹＡにおける開口部３０４の位置が、ＴＦＴ基板４３の画素エリア（発光エリア）と合致するように位置合わせされている。有効部ＹＡのそれぞれは、１つの表示デバイス２（例：ＯＬＥＤパネル）の表示領域ＤＡに相当する。
　すなわち、蒸着源７０から発せられた粒子Ｚは、開口部３０４を通って表示領域ＤＡに蒸着する。マスクシート３００の縁部は、非表示領域ＮＡと重畳している。粒子Ｚは、縁部によって遮断され、非表示領域ＮＡには到達しない。
　〔実施形態１〕
　図６～図１０を用いて、製造中の表示デバイス２に粒子Ｚを蒸着させるときに用いる、本実施形態に係るマスクシート３００の製造方法について説明する。
　＜直流電解法及びパルス電解法＞
　まず、マスクシート３００の製造方法で用いられるパルス電解法について説明する。図６は、パルス電解法を説明するための図であり、（ａ）はフォワード電流が流れている状態を示し、（ｂ）はリバース電流が流れている状態を示す図である。
　上述しためっき法の一例としては、直流電解法、及びパルス電解法が挙げられる。直流電解法は、めっき対象（析出対象）となる基板をカソード電極（陰極）とし、アノード電極（陽極）からカソード電極へと電流を流すことで、基板に金属層を形成する（金属膜を成膜する）方法である。つまり、直流電解法では、電流の流れる方向は一定であり、めっき対象となる基板が常にカソード電極として機能する。
　一方、パルス電解法には、例えば、電流の印加（On-time）と停止（Off-time）とを繰り返して、基板に金属層を形成するパルスめっき法、又は、電流の流れる方向を周期的に変えて、基板に金属層を形成するＰＲ（Periodic Reverse）めっき法がある。このパルス電解法は、例えば、Ｓｉ貫通電極（Through Silicon Via；ＴＳＶ）などのスルーホール中に銅フィリングする技術に適用されている。なお、ここでは、図６を用いて、パルス電解法がＰＲめっき法であるものとして説明する。
　図６の（ａ）及び（ｂ）に示すように、パルス電解法では、容器１００中の溶液２００に、めっき対象となる基板を第１電極１０１として浸すとともに、例えば、ステンレス鋼（Steel Use Stainless；ＳＵＳ）、ニッケル（Ｎｉ）、又は鉄（Ｆｅ）などの金属板を第２電極１０２として浸す。第１電極１０１及び第２電極１０２は、電流密度が変更可能な整流器１０３に接続されている。また、整流器１０３は、電流密度の正負が変更可能である。つまり、整流器１０３は、電流の流れる方向を変更（切替）可能である。なお、整流器１０３が印加する電流の電流密度（単位面積当たりの電流値）は、平均電流密度とも称される。
　図６の（ａ）に示すように、整流器１０３は、正の電流を印加することにより、整流器１０３から第２電極１０２の方向へと電流を流す。つまり、このとき、第１電極１０１がカソード電極として機能し、第２電極１０２がアノード電極として機能する。また、溶液２００中においては、第２電極１０２から第１電極１０１へと電流が流れる。このとき流れる電流は、正電流、又はフォワード電流とも称される。
　一方、図６の（ｂ）に示すように、整流器１０３は、整流器１０３が負の電流を印加することにより、整流器１０３から第１電極１０１の方向へと電流を流す。つまり、このとき、第１電極１０１がアノード電極として機能し、第２電極１０２がカソード電極として機能する。また、溶液２００中においては、第１電極１０１から第２電極１０２へと電流が流れる。このときの流れる電流は、負電流、又はリバース電流とも称される。
　このように、パルス電解法では、フォワード電流とリバース電流とを切り替える（つまり、電流の流れる方向を切り替える）ことで、めっき対象となる基板を、カソード電極又はアノード電極に切り替えることができる。具体的には、上記基板がカソード電極として機能するときには、当該基板において溶液２００中の金属が析出し、上記基板がアノード電極として機能するときには、当該基板において析出した金属が溶解する。このようにパルス電解法では、基板における金属の析出及び溶解の繰り返しによって、金属層が基板に析出する。
　＜マスクシートの製造方法＞
　本実施形態のマスクシート３００の製造方法では、直流電解法に加えて、パルス電解法が用いられる。少なくとも直流電解法においては、めっき対象となるマスクシート３００を製造するためのマスク基板３０１（金属層３０２ａ及び３０２ｂを形成するためのマスク基板３０１）をカソード電極として機能させる。直流電解法を用いて金属層３０２ａが形成されたマスク基板３０１に対して、さらにパルス電解法を用いることで、金属層３０２ａの析出及び溶解が繰り返される。なお、本実施形態では、パルス電解法がＰＲめっき法であるものとして説明する。
　以降、図７～図９を用いて、マスクシート３００の製造方法の具体例について説明する。図７の（ａ）～（ｈ）は、本実施形態に係るマスクシート３００の製造方法の一例を示す図である。図８の（ａ）は、直流電解法を用いて金属層３０２ａを形成するときの電流密度の経時的変化の一例を示す図であり、（ｂ）は、パルス電解法を用いて金属層３０２ｂを形成するときの電流密度の経時的変化の一例を示す図である。図９は、金属層３０２ｂの形成原理を説明するための図であり、（ａ）は金属層３０２ａを示す図であり、（ｂ）は金属層３０２ｂを示す図である。
　図７の（ａ）に示すように、マスクシート３００を製造するためにマスク基板３０１を準備し、図７の（ｂ）に示すように、マスク基板３０１上に、下地層として機能する金属層３０２を形成する。金属層３０２は、例えばニッケルで構成されるものであり、無電解めっき法、又はスパッタリング法を用いて形成される。無電解めっき法を用いて金属層３０２を形成した場合、金属層３０２の厚みは、例えば２～３μｍとなる。スパッタリング法を用いて金属層３０２を形成した場合、金属層３０２の厚みは、例えば０．３μｍ～１μｍとなる。
　次に、図７の（ｃ）に示すように、後工程で複数の開口部３０４をパターニングするためのレジスト層３０３が、金属層３０２上に形成される。レジスト層３０３は、例えば、金属層３０２上に感光性有機材料（フォトレジスト）を塗布することで構成される。
　レジスト層３０３が形成された後、図７の（ｄ）に示すように、マスクシート３００を構成する金属層３０２ａ（最終的には金属層３０２ｂ）を形成するための空間３０３ｓ（空間部）を、レジスト層３０３に形成する。
　空間３０３ｓは、例えばフォトリソグラフィを用いて形成される。つまり、レジスト層３０３に空間３０３ｓを形成するために（換言すれば、所定パターンを有する複数の開口部３０４を形成するために）、レジスト層３０３の所定パターン以外の部分（空間３０３ｓが形成される部分）に光又は電子線を照射（露光）して当該部分の溶解性を変化させ、露光後のレジスト層３０３を現像する。これにより、当該部分のレジストが除去され、当該部分に空間３０３ｓが形成される。
　つまり、少なくとも図７の（ｃ）及び（ｄ）に示す２工程は、マスク基板３０１の上に、複数の空間３０３ｓを有するレジスト層３０３を形成するレジスト層成膜工程である。
　次に、図７の（ｅ）に示すように、直流電解法を用いて、空間３０３ｓに金属層３０２ａ（電解めっき膜）を形成する。具体的には、図６の（ａ）に示すように、溶液２００中に、空間３０３ｓが形成されたレジスト層３０３を有するマスク基板３０１（図７の（ｄ）参照）を、カソード電極（ここでは第１電極１０１）として浸す。また、溶液２００中に、例えば、ステンレス鋼、ニッケル、又は鉄などの金属板をアノード電極（ここでは第２電極１０２）として浸す。但し、整流器１０３の代わりに、直流電流をアノード電極側へと流す整流器を接続する。そして、直流電流が印加されることにより、カソード電極として機能するマスク基板３０１上（具体的には、空間３０３ｓの金属層３０２上）に、金属層３０２ａが形成される。
　金属層３０２ａは、金属層３０２と同種の金属で構成される。本実施形態では、マスク基板３０１に金属層３０２ａを形成するために、溶液２００として、例えば、鉄－ニッケル合金めっき液（ニッケルを含むめっき液（ニッケルめっき液）に鉄を含ませためっき液）が用いられる。この鉄－ニッケル合金めっき液は、例えばｐＨ２．３以上３．５以下の溶液である。また、直流電解法にて金属層３０２ａが形成されるときの温度は、例えば５０℃である。また、鉄－ニッケル合金めっき液の組成、及び各組成のモル濃度の一例は、以下の通りである。
・硫酸ニッケル・６水和物（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）…０．９０ｍｏｌ／Ｌ以上、１．５０ｍｏｌ／Ｌ以下。
・塩化ニッケル・６水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）…０．１５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．２５ｍｏｌ／Ｌ以下。
・ホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）…０．４５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．６０ｍｏｌ／Ｌ以下。
・硫酸鉄・７水和物（ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）…０．３０ｍｏｌ／Ｌ以上、０．６０ｍｏｌ／Ｌ以下。
・サッカリンナトリウム・２水和物（Ｃ７Ｈ４ＮＮａＯ３Ｓ・２Ｈ２Ｏ）…０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．０２ｍｏｌ／Ｌ以下。
・クエン酸、酒石酸、グリコール酸、グルコン酸、リンゴ酸又はマロン酸…０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．０１２ｍｏｌ／Ｌ以下。
　なお、表面調整剤には、光沢剤として、サッカリンナトリウムの他、同程度量のナフタレンジスルホン酸ナトリウムを用いることができる。また、金属層３０２ａの表面の平坦化を目的として、ブチンジオール又はプロパルギルアルコールを添加してレベリング調整しても構わない。
　また、溶液２００としては、鉄－ニッケル合金めっき液に限らず、例えば、ニッケルめっき液、又は、コバルト（Ｃｏ）－ニッケル合金めっき液（ニッケルめっき液にコバルトを含ませためっき液）であっても構わない。
　また、直流電解法を用いて金属層３０２ａを形成するときの電流密度は、図８の（ａ）に示すように一定である。本実施形態では、当該電流密度は、２．０Ａ／ｄｍ２以上、４．０Ａ／ｄｍ２以下に設定される。図８の（ａ）では、２．０Ａ／ｄｍ２に設定されている例が示されている。
　金属層３０２ａの、直流電解法を用いて形成された部分の厚み（図７の（ｂ）で形成された金属層３０２を含まない部分の厚み）は、例えば、１０μｍ以上、４０μｍ以下となる。つまり、金属層３０２ａの全体の厚みは、無電解めっき法を用いて金属層３０２が形成された場合には１２μｍ以上、４３μｍ以下となり、スパッタリング法を用いて金属層３０２が形成された場合には１０．３μｍ以上、４１μｍ以下となる。
　上記厚みとなるまで金属層３０２ａを形成した後、金属層３０２ａが形成されたマスク基板３０１を溶液２００から取り出す。そして、図７の（ｆ）に示すように、金属層３０２上のレジスト層３０３、及びレジスト層３０３に対向する位置にある金属層３０２（レジスト層３０３が形成された金属層３０２）を、例えばエッチング処理にて除去する。これにより、複数の開口部３０４が形成される。
　つまり、少なくとも図７の（ｅ）及び（ｆ）に示す２工程は、マスク基板３０１上に複数の開口部３０４を有する金属層３０２ａを形成する成膜工程である。具体的には、この成膜工程は、金属層３０２ａをマスク基板３０１上に形成する工程（図７の（ｅ）参照）と、レジスト層３０３、及びレジスト層３０３が形成された金属層３０２を除去する工程（図７の（ｆ）参照）との少なくとも２工程を含む。
　この時点でマスク基板３０１を金属層３０２ａから剥離した場合、テーパ状に形成されていない複数の開口部３０４を有する金属層３０２ａで構成された、比較例としてのマスクシート１０００（後述の図１０の（ａ）参照）が製造される。本実施形態では、図７の（ｇ）に示すように、さらにパルス電解法を用いて金属層３０２ａを金属層３０２ｂへと整形する整形工程を経ることにより、テーパ状に形成された複数の開口部３０４を有する金属層３０２ｂで構成されたマスクシート３００が製造される。
　具体的には、図６の（ａ）に示すように、溶液２００中に、複数の開口部３０４を有する金属層３０２ａが形成されたマスク基板３０１（図７の（ｆ）参照）を第１電極１０１として浸す。つまり、整形工程で整形対象とする金属層３０２ａが第１電極１０１となる。また、溶液２００中に、例えば、ステンレス鋼、ニッケル、又は鉄などの金属板を第２電極１０２として浸す。第１電極１０１及び第２電極１０２に整流器１０３を接続する。溶液２００としては、直流電解法で金属層３０２ａを形成したときに用いた上述の溶液を使用できる。また、パルス電解法で金属層３０２ｂが形成されるときの溶液２００の温度は、例えば５０℃である。
　整流器１０３は、図８の（ｂ）に示すように、フォワード電流及びリバース電流を経時的（周期的）に切り替える。これにより、整形工程では、第１電極１０１としての上記マスク基板３０１において、金属層３０２ａの析出及び溶解が繰り返される。
　その結果、図７の（ｆ）及び図９の（ａ）に示す、テーパ状ではない（θ＝０の）開口部３０４を有する金属層３０２ａが、図７の（ｇ）及び図９の（ｂ）に示すように、テーパ状に形成された（θ＞０°の）開口部３０４を有する金属層３０２ｂへと整形される。換言すれば、図９の（ａ）及び（ｂ）に示すように、マスク基板３０１と、金属層３０２ａ又は金属層３０２ｂの側面（壁面）との、開口部３０４側のなす角（テーパ角）が、略垂直から鈍角となるように、金属層３０２ａが金属層３０２ｂへと整形される。
　なお、第１電極１０１は、整形工程において金属層３０２ａを整形する側の電極ともいえる。また、上記なす角は、ＴＦＴ基板４３（図１０の（ｂ）参照）と上記側面との、開口部３０４側のなす角とも換言できる。
　パルス電解法を用いた場合、フォワード電流が流れるときには、直流電解法と同様、第１電極１０１がカソード電極として機能する。そのため、金属層３０２ａは、マスク基板３０１から離れる方向（対面電極（第２電極１０２）側）へと成長する。
　リバース電流が流れるときには、第１電極１０１がアノード電極として機能する。そのため、図９の（ｂ）に示すように、金属層３０２ａにおいて、マスク基板３０１から遠い領域ほど（つまり、対面電極（第２電極１０２）に近い側ほど）電流密度が高くなり優先的に溶解が進行する。その結果、金属層３０２ａの厚みは減少する。一方、金属層３０２ａにおいて、マスク基板３０１に近い領域ほど（対面電極（第２電極１０２）から遠い側ほど）電流密度が低いため、金属層３０２ａがアノード電極に切り替わっても溶解されにくく、結果として金属層の析出が継続される。その結果、金属層３０２ａにおいて、対面表面側から遠い方が、マスク基板３０１の表面に沿って長く延伸する。その結果、テーパ状に形成された開口部３０４を有する金属層３０２ｂが形成される。
　このように、フォワード電流及びリバース電流の印加時では、金属層３０２ａの成長方向が異なる。具体的には、リバース電流の電流密度を、フォワード電流の電流密度よりも大きくすることで、開口部３０４をテーパ状に形成することが可能となる。
　この場合、金属層３０２ａにおいて電気力線が集中しやすい箇所（対面電極から近い側、つまり電流密度が高くなる箇所）では析出よりも溶解が優先される。また、金属層３０２ａの側面側では、電気力線が集中しにくい箇所（対面電極から遠い側、つまり電流密度が低い箇所）ほど溶解されにくい。つまり、金属層３０２ａの側面においては、対面電極から遠いほど（マスク基板３０１側に近い側ほど）析出した金属層が溶解されにくく、フォワード電流及びリバース電流の印加の繰り返しにより、結果として側面方向への成膜が継続される。
　本実施形態では、例えば、リバース電流の電流密度は、フォワード電流の電流密度の２倍以上、８倍以下に設定される。つまり、（フォワード電流の電流密度）：（リバース電流の電流密度）＝１：２以上、１：８以下に設定される。
　また、フォワード電流を流す時間をフォワード時間とし、リバース電流を流す時間をリバース時間としたとき、リバース時間は、フォワード時間よりも短く設定されることが好ましい。例えば、リバース時間は、フォワード時間の１／２０以上、１／１０以下に設定される。例えば、１回あたりのフォワード時間が８０ｍｓに設定されているとき、１回あたりのリバース時間は４ｍｓ以上、８ｍｓ以下に設定される。
　フォワード電流及びリバース電流の電流密度が、フォワード時間及びリバース時間が上記のように設定された場合と同じであるという条件下において、フォワード時間を４ｍｓ、リバース時間を８０ｍｓに設定した場合を考える。この場合、金属層３０２ａの側面側（特にマスク基板３０１に近い側）においても溶解量が多くなり、結果として金属の析出量が足りず、側面側にテーパが形成されない。そのため、対面電極に近い側（電流密度が高い側）での成膜を抑え、対面電極から遠い側（電流密度が低い側）での金属の析出を継続させるためには、リバース時間よりもフォワード時間を長く設定することが好ましい。
　図８の（ｂ）の例では、フォワード電流としての電流密度が＋２Ａ／ｄｍ２、リバース電流としての電流密度が－１２Ａ／ｄｍ２に設定されている（フォワード電流の電流密度をプラス、リバース電流の電流密度をマイナスで表現）。つまり、この例では、（フォワード電流の電流密度）：（リバース電流の電流密度）＝１：６に設定されている。フォワード電流としての電流密度が＋２Ａ／ｄｍ２に設定されている場合、リバース電流としての電流密度は－４Ａ／ｄｍ２以上、－１６Ａ／ｄｍ２以下の範囲で調整されることが好ましい。また、図８の（ｂ）の例では、１回あたりのフォワード時間が８０ｍｓ、１回あたりのリバース時間が４ｍｓに設定されている。
　なお、上記なす角は、各開口部３０４を介してＴＦＴ基板４３に粒子Ｚが略均一に蒸着される程度であれば十分である。また、金属層３０２ａの変形度は、当該なす角を満たし、かつ、金属層３０２ｂが各開口部３０４を塞がない（マスクシート３００の機能を損なわない）程度にあれば十分である。
　このような各開口部３０４の形成が実現されるために、パルス電解法を用いた整形工程において、種々の条件が設定される。種々の条件としては、例えば、（１）溶液２００の組成、ｐＨ又は温度、（２）フォワード電流とリバース電流との上記比率、（３）フォワード時間とリバース時間との上記比率、及び（４）整形工程の総処理時間等が挙げられる。この条件設定により、金属層３０２ａの厚みから金属層３０２ｂの厚みへの減少度（金属層３０２ａの厚みの減少率）、及び金属層３０２ａの側面側への成長率（例：金属層３０２ａの底面側の最大成長率）等が決まる。つまり、上記のようななす角、及び金属層３０２ａの変形度が実現され、各開口部３０４の形状はテーパ状に形成される。
　整形工程において金属層３０２ｂが形成された後、図７の（ｈ）に示すように、金属層３０２ｂからマスク基板３０１を剥離することにより、複数の開口部３０４を有する金属層３０２ｂで構成されたマスクシート３００が完成する。
　＜効果＞
　本実施形態のマスクシート３００の製造方法の効果について、図１０を用いて説明する。図１０の（ａ）は、比較例としてのマスクシート１０００を用いて、粒子ＺがＴＦＴ基板４３に蒸着される様子の一例を示す図である。図１０の（ｂ）は、本実施形態のマスクシート３００を用いて、粒子ＺがＴＦＴ基板４３に蒸着される様子の一例を示す図である。ここで、図１０の（ａ）に示すマスクシート１０００は、めっき法として直流電解法のみが用いられて複数の開口部１００４が形成されたものとして説明する。
　図１０の（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板４３にマスクシート１０００が位置決めされたときに、ＴＦＴ基板４３と、開口部１００４を形成するマスクシート１０００の側面とのなす角は、略垂直となっている。つまり、直流電解法のみを用いて開口部１００４を形成した場合、開口部１００４の形状はテーパ状になりにくい。
　図１０の（ａ）に示すように、るつぼ（不図示）からの粒子Ｚが、開口部１００４を介してＴＦＴ基板４３に蒸着することにより、ＴＦＴ基板４３にＥＬ層２４が形成される。このとき、粒子Ｚの蒸着方向はＴＦＴ基板４３に対して略垂直とは限らない。そのため、上記なす角が略垂直である場合、マスクシート１０００の上記側面によって、当該側面付近のＴＦＴ基板４３の領域Ａｒへの粒子Ｚの蒸着が阻害されてしまう可能性がある。
　特に、サブ画素（画素エリア）の微細化が進んでいる現状においては、開口部１００４の微細化の要求が高い。そのため、ＴＦＴ基板４３において粒子Ｚを蒸着させる領域（つまり、島状のＥＬ層２４が形成される領域）に対して、開口部１００４を十分に大きくすることができない。そのため、上記なす角が略垂直の場合、領域Ａｒへの粒子Ｚの蒸着が阻害されてしまい、島状のＥＬ層２４の断面形状が略台形状になりやすい。なお、この上記側面の影となって蒸着が阻害された領域は、マスクシャドウとも称される。
　上記のように領域Ａｒへの粒子Ｚの蒸着が阻害された結果、各開口部１００４に対応するサブ画素において、島状のＥＬ層２４の厚みが、中央部と周辺部とで異なってしまう。具体的には、島状のＥＬ層２４の周辺部がその中央部よりも薄くなったり、図１０の（ａ）に示すように当該周辺部に粒子Ｚが蒸着せずに、所望の面積よりも小さい島状のＥＬ層２４が形成されたりしてしまう。その結果、マスクシート１０００においては、ＥＬ層２４の発光時に、サブ画素の中央部と周辺部との間で色ムラ等の不具合が生じてしまう。
　一方、本実施形態のマスクシート３００の製造方法では、整形工程において、パルス電解法を用いて金属層３０２ａを整形することにより、図１０の（ｂ）に示すように、テーパ状に形成された（θ＞０°の）各開口部３０４を有する金属層３０２ｂを形成できる。
特に、フォワード電流及びリバース電流の電流密度及び印加時間を上述のように調整する（例：リバース電流の電流密度をフォワード電流の電流密度よりも大きくする）ことにより、各開口部３０４をテーパ状に形成できる。
　そのため、マスクシャドウとなり得る領域Ａｒにも粒子Ｚを蒸着させることが可能となるため、ＴＦＴ基板４３に対して粒子Ｚを略均一に蒸着させることができる。したがって、ＥＬ層２４の厚みがその中央部と周辺部とにおいて略均一となるように、ＥＬ層２４を形成できる。つまり、ＥＬ層２４を精度良く形成できる。その結果、ＥＬ層２４の発光時に、上記の色ムラ等の不具合が生じることを回避できる。
　＜その他＞
　マスクシート３００は、少なくとも成膜工程及び整形工程を含む製造方法を用いて製造されたものである。具体的には、マスクシート３００は、テーパ状の複数の開口部３０４を有する金属層３０２ｂで構成されたものである。
　また、表示デバイス２の製造方法においては、上記製造方法により製造されたマスクシート３００（上記金属層３０２ｂで構成されたマスクシート３００）を用いて、ＴＦＴ基板４３に粒子Ｚを蒸着させる蒸着工程を含む。
　このように、蒸着工程においてマスクシート３００を用いることにより、ＴＦＴ基板４３に粒子Ｚを精度良く蒸着させることができる。その結果、厚みが略均一のＥＬ層２４を有する表示デバイス２を製造できる。つまり、上記不具合を回避した表示デバイス２を製造できる。
　なお、図７に示す各工程をマスクシート３００の製造方法として説明したが、これに限られない。蒸着マスク２２０が複数のマスクシート３００を並設して製造されない場合には、図７に示す各工程を経て蒸着マスク２２０が製造されても構わない。
　また、図７の（ｇ）に示す整形工程では、パルス電解法としてＰＲめっき法を用いる場合について説明したが、これに限らず、例えばパルスめっき法が用いられても構わない。この場合、整流器１０３の代わりに、所定時間毎に、直流電流をオンまたはオフする整流器が使用される。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　実施形態１では、図７の（ｇ）に示すように、整形工程において、パルス電解法を用いて、金属層３０２ａを金属層３０２ｂへと整形している。実施形態１では、各開口部３０４が塞がれずに、かつテーパ状に形成されるように、上述した種々の条件が設定されている。しかし、何等かの要因によって、金属層３０２ａの側面の成長が進行し過ぎて、図７の（ｆ）で形成した各開口部３０４が金属層３０２ｂによって塞がれてしまう可能性も多少なりとも存在する。そのような可能性を回避すべく、本実施形態のマスクシート３００の製造方法では、実施形態１の製造方法に、後述の抑止部を形成する抑止部形成工程が追加されている。
　以降、図１１を用いて、本実施形態のマスクシート３００の製造方法の具体例について説明する。図１１の（ａ）～（ｈ）は、本実施形態に係るマスクシート３００の製造方法の一例を示す図である。
　図１１の（ａ）～（ｆ）に示す工程は、複数の開口部３０４を有する金属層３０２ａを形成するまでの工程であり、図７の（ａ）～（ｆ）に示す工程と同じである。図１１の（ｆ）に示すように、金属層３０２ａに複数の開口部３０４が形成された後（成膜工程の後）、図１１の（ｇ）に示すように、マスク基板３０１及び金属層３０２ａ上に、レジスト層３０５を形成する。レジスト層３０５は、例えば、マスク基板３０１及び金属層３０２ａ上に感光性有機材料を塗布することで構成される。
　レジスト層３０５が形成された後、図１１の（ｈ）に示すように、各開口部３０４の所定領域にのみレジスト層３０５を残すために、当該所定領域以外の部分のレジストを除去する。この処理は、例えばフォトリソグラフィを用いて行われる。上記所定領域は、表示デバイス２のサブ画素に対応する領域（例：開口部３０４の中心を含む領域）であり、かつサブ画素の大きさを含む程度の大きさを有する。上記所定領域の大きさは、例えば、実施形態１の金属層３０２ｂが有する各開口部３０４の、マスク基板３０１に接する部分（蒸着工程においてＴＦＴ基板４３と接する部分）の大きさである（図７の（ｇ）参照）。
　上記処理を経て上記所定領域に残されたレジスト層３０５（島状のレジスト層３０５）は、後工程である整形工程において、当該所定領域内へ金属層３０２ａが広がることを抑止する抑止部として機能する。つまり、図１１の（ｈ）に示す工程は、各開口部３０４に、抑止部としての島状のレジスト層３０５を形成する抑止部形成工程である。
　各開口部３０４に島状のレジスト層３０５が残された状態において、図１１の（ｉ）に示すように、実施形態１と同様、パルス電解法を用いて、金属層３０２ａを金属層３０２ｂへと整形する（整形工程）。各開口部３０４には島状のレジスト層３０５が形成されているため、各開口部３０４において金属層３０２ａが成長し過ぎたとしても、その成長は、島状のレジスト層３０５で抑止される。そのため、各開口部３０４が金属層３０２ｂによって塞がれてしまい、マスクシート３００の機能が損なわれてしまうという事態を確実に回避できる。
　整形工程において金属層３０２ｂが形成された後、図１１の（ｊ）に示すように、抑止部としての島状のレジスト層３０５を除去する（除去工程）。そして、図１１の（ｋ）に示すように、金属層３０２ｂからマスク基板３０１を剥離することにより、複数の開口部３０４を有する金属層３０２ｂで構成されたマスクシート３００が完成する。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係るマスクの製造方法は、製造中の表示デバイス（２）に粒子（Ｚ）を蒸着させるときに用いるマスク（マスクシート３００）の製造方法であって、マスク基板（３０１）上に複数の開口部（３０４）を有する金属層（３０２ａ）を形成する成膜工程と、パルス電解法を用いて、前記金属層を整形する整形工程と、を含む。
　上記の構成によれば、各開口部にテーパを形成できる（各開口部をテーパ状に形成できる）。そのため、各開口部に対向するサブ画素が形成される領域に、粒子を略均一に蒸着させることができる。その結果、色ムラ等が生じないサブ画素を有する表示デバイスを製造できる。
　さらに、本発明の態様２に係るマスクの製造方法では、態様１において、前記パルス電解法で用いられる第１電極（１０１）及び第２電極（１０２）のうち、前記第１電極を、前記整形工程において整形対象とする前記金属層とし、前記第２電極から前記第１電極に流れるときの電流をフォワード電流、前記第１電極から前記第２電極に流れるときの電流をリバース電流としたとき、前記リバース電流の電流密度は、前記フォワード電流の電流密度よりも大きくても構わない。
　上記の構成によれば、各開口部を確実にテーパ状に形成できる。
　さらに、本発明の態様３に係るマスクの製造方法では、態様２において、前記フォワード電流を流す時間をフォワード時間とし、前記リバース電流を流す時間をリバース時間としたとき、前記リバース時間は、前記フォワード時間よりも短くても構わない。
　上記の構成によれば、各開口部を確実にテーパ状に形成できる。
　さらに、本発明の態様４に係るマスクの製造方法では、態様１から３のいずれかにおいて、前記マスク基板の上に、複数の空間部を有するレジスト層を形成するレジスト層成膜工程をさらに含み、前記成膜工程では、前記複数の空間部に金属層を成膜した後に前記レジスト層を除去することで、前記複数の開口部を有する金属層が形成されても構わない。
　上記の構成によれば、レジスト層を用いることで、金属層に複数の開口部を形成できる。
　さらに、本発明の態様５に係るマスクの製造方法では、態様４において、前記成膜工程では、直流電解法を用いて、前記複数の空間部に金属層が成膜されても構わない。
　上記の構成によれば、直流電解法を用いて金属層を成膜できる。
　さらに、本発明の態様６に係るマスクの製造方法では、態様１から５のいずれかにおいて、前記整形工程において、前記成膜工程で形成された前記複数の開口部における所定領域内へと前記金属層が広がることを抑止する抑止部（レジスト層３０５）を、前記複数の開口部のそれぞれに形成する抑止部形成工程と、前記整形工程の後に、前記抑止部形成工程で形成された前記抑止部を除去する除去工程と、を含んでも構わない。
　上記の構成によれば、整形工程において、マスク基板上で金属層が広がりすぎてしまい、当該金属層で各開口部が塞がれてしまうことを回避できる。
　さらに、本発明の態様７に係るマスクの製造方法では、請求項６において、前記抑止部形成工程では、前記マスク基板上、及び前記成膜工程で形成された前記金属層上にレジスト層を形成した後、前記レジスト層において前記所定領域以外の部分を除去することで、前記所定領域に前記抑止部が形成されても構わない。
　上記の構成によれば、レジスト層を用いることで、所定領域に抑止部を形成できる。
　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　　　　表示デバイス
　１０１　　第１電極
　１０２　　第２電極
　３００　　マスクシート（マスク）
　３０１　　マスク基板
　３０２ａ　金属層
　３０４　　開口部
　３０５　　レジスト層（抑止部）
　Ｚ　　　　粒子

Claims (7)

  1. 　製造中の表示デバイスに粒子を蒸着させるときに用いるマスクの製造方法であって、
    　マスク基板上に複数の開口部を有する金属層を形成する成膜工程と、
    　パルス電解法を用いて、前記金属層を整形する整形工程と、を含む、マスクの製造方法。
  2. 　前記パルス電解法で用いられる第１電極及び第２電極のうち、前記第１電極を、前記整形工程において整形対象とする前記金属層とし、
    　前記第２電極から前記第１電極に流れるときの電流をフォワード電流、前記第１電極から前記第２電極に流れるときの電流をリバース電流としたとき、
    　前記リバース電流の電流密度は、前記フォワード電流の電流密度よりも大きい、請求項１に記載のマスクの製造方法。
  3. 　前記フォワード電流を流す時間をフォワード時間とし、前記リバース電流を流す時間をリバース時間としたとき、
    　前記リバース時間は、前記フォワード時間よりも短い、請求項２に記載のマスクの製造方法。
  4. 　前記マスク基板の上に、複数の空間部を有するレジスト層を形成するレジスト層成膜工程をさらに含み、
    　前記成膜工程では、前記複数の空間部に金属層を成膜した後に前記レジスト層を除去することで、前記複数の開口部を有する金属層が形成される、請求項１から３のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
  5. 　前記成膜工程では、直流電解法を用いて、前記複数の空間部に金属層が成膜される、請求項４に記載のマスクの製造方法。
  6. 　前記整形工程において、前記成膜工程で形成された前記複数の開口部における所定領域内へと前記金属層が広がることを抑止する抑止部を、前記複数の開口部のそれぞれに形成する抑止部形成工程と、
    　前記整形工程の後に、前記抑止部形成工程で形成された前記抑止部を除去する除去工程と、を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
  7. 　前記抑止部形成工程では、前記マスク基板上、及び前記成膜工程で形成された前記金属層上にレジスト層を形成した後、前記レジスト層において前記所定領域以外の部分を除去することで、前記所定領域に前記抑止部が形成される、請求項６に記載のマスクの製造方法。
     
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