[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2018185086A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
WO2018185086A1
WO2018185086A1 PCT/EP2018/058461 EP2018058461W WO2018185086A1 WO 2018185086 A1 WO2018185086 A1 WO 2018185086A1 EP 2018058461 W EP2018058461 W EP 2018058461W WO 2018185086 A1 WO2018185086 A1 WO 2018185086A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
contact points
semiconductor layer
optoelectronic semiconductor
connection carrier
semiconductor component
Prior art date
Application number
PCT/EP2018/058461
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Isabel OTTO
Christian LEIRER
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to DE112018001835.0T priority Critical patent/DE112018001835A5/de
Priority to US16/498,331 priority patent/US11069842B2/en
Publication of WO2018185086A1 publication Critical patent/WO2018185086A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present application relates to a method for
  • Control circuits based on silicon find application over which the radiation-emitting areas are individually controlled. Placement of these areas on the associated drive circuit, however, is complicated and thus costly.
  • One object is to provide a method with which an optoelectronic semiconductor component having a plurality of
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a semiconductor layer sequence with an active region provided for generating radiation is provided.
  • the active area emits radiation in the
  • the active region is arranged, for example, between a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type different from the first conductivity type.
  • the active area is thus in a pn junction.
  • the active region has a plurality of emission regions.
  • the emission areas are in
  • the active area is thus functionally divided into several emission areas.
  • adjacent active regions are completely separated from one another, for example by trench-shaped recesses in the semiconductor layer sequence, which cut through the active region.
  • the active region can also extend continuously over two or more emission regions, in particular also over all emission regions, as long as the emission regions can be operated during operation with mutually different current intensities.
  • a plurality of first contact locations which are each electrically conductively connected to an emission area, are formed on the semiconductor layer sequence.
  • the first contact points are electrically conductively connected to the first semiconductor layer.
  • gaps between the contact points with a molding compound filled in particular completely.
  • the molding compound is molded onto the contact points and adjoins the contact points at least in places.
  • the molding compound is in particular electrically insulating.
  • the filling takes place by means of a casting process.
  • the molding compound contains, for example, a polymer material, such as a silicone, an epoxy or another by a casting process
  • a casting process is generally understood to mean a process by means of which a molding composition can be designed according to a predetermined shape and, if necessary, cured.
  • the term "casting method” includes molding, film assisted casting (film assisted casting)
  • the semiconductor layer sequence is arranged on a connection carrier with a drive circuit and a plurality of connection surfaces, wherein the first contact points are each electrically conductively connected to a connection surface.
  • the term pad generally refers to a region of the terminal carrier which is provided for electrical contacting of an element to be controlled by the drive circuit.
  • the emission regions can be controlled independently of one another by means of the drive circuit.
  • the connection carrier has, for example, an active matrix circuit for controlling the emission regions.
  • each emission region is assigned at least one switch, for example in the form of a transistor.
  • a semiconductor layer sequence having an active region provided for generating radiation and having a plurality of emission regions is provided.
  • Emission region are electrically connected, is formed on the semiconductor layer sequence. Gaps between the first contact points are filled with a molding compound.
  • the semiconductor layer sequence is on a
  • Connection carrier with a drive circuit and a
  • the spaces between the first contact points can be filled in a simple and reliable manner.
  • the spaces between the first contact points can be filled in a simple and reliable manner.
  • Dielectric layers which are applied by vapor deposition or sputtering, quickly and inexpensively large
  • connection carrier is in a connection carrier assembly
  • connection carrier composite and the connection carrier composite are provided and the connection carrier composite and the connection carrier composite
  • connection carrier composite the composite of connection carrier composite and
  • Emission areas and a drive circuit, via which the emission areas are controlled on The production steps upstream of the singulation can take place in the composite, ie at the wafer level,
  • Optoelectronic semiconductor component can be dispensed with.
  • connection carrier assembly and the molding compound are severed during singulation.
  • the connection carrier assembly and the molding compound are severed during singulation.
  • connection carrier and the molded body can
  • a growth substrate for the semiconductor layer sequence is removed.
  • the growth substrate used for the epitaxial deposition for example by means of MOCVD or MBE, is no longer present in the finished optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component is therefore free of a growth substrate.
  • the connection carrier can the
  • the growth substrate is therefore at the time at which the composite with semiconductor layer sequence and
  • Connection carrier composite is made, already removed. This can circumvent the danger that
  • thermal expansion coefficients of sapphire and silicon differ
  • the first contact points are completely covered during the application of the molding compound and subsequently exposed.
  • the exposure is carried out by means of a mechanical, a chemical or a chemomechanical process, such as by means of chemomechanical polishing.
  • the first contact points are completely covered, the
  • the molding compound can thus have a greater thickness than in
  • the molding compound serves as a temporary Subcarrier which mechanically stabilizes the semiconductor layer sequence during this step.
  • the first contact points and the connection points are connected to one another by means of a direct bond connection.
  • the connection partners to be connected in particular prefabricated, are without a joining layer, in particular without an adhesive layer or
  • Bonding takes place, for example, via van der Waals interactions and / or hydrogen bond bonds. Deviating from this, however, a connection can also take place by means of a particularly electrically conductive bonding layer.
  • the active region is arranged between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.
  • the second semiconductor layer is electrically conductively connected to at least one second contact point and material for the first contact points and the second contact points is deposited in a common manufacturing step.
  • Material for the first contact points and the second contact points is deposited in a common manufacturing step.
  • Electrodeposition can, in particular compared to methods such as vapor deposition or sputtering, large layer thicknesses can be realized quickly and inexpensively.
  • material can be saved because the deposition takes place only in places where the material is desired.
  • nickel, copper and gold are particularly suitable for the electrodeposition.
  • it can also find another metal application.
  • a multi-layer deposition is possible.
  • an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • the optoelectronic semiconductor component the optoelectronic
  • Semiconductor device comprises a semiconductor layer sequence with an active region for generating radiation active region, wherein the active regions a plurality of
  • the optoelectronic semiconductor component has a connection carrier with a drive circuit and a
  • Contact points are each electrically conductively connected to a pad and the emission regions are controlled independently by means of the drive circuit. In particular, is in between the first
  • Contact points arranged a shaped body which is integrally formed on the first contact points.
  • the shaped body thus fills intermediate spaces, which are in the lateral direction, ie parallel to a main extension plane of the active region, between adjacent first contact points and in the vertical direction, ie perpendicular to
  • Main extension plane of the active area, between the Semiconductor layer sequence and the connection carrier consist, in particular completely.
  • connection points on a side facing the connection carrier a flat surface.
  • the first contact points do not protrude beyond the molding compound and vice versa.
  • the surface is so flat that there can be a direct bond between the connection surfaces and the first contact points.
  • the area facing the connection carrier has a mean square roughness (rms roughness) of at most 10 nm, in particular of at most 5 nm. However, a greater roughness may be sufficient, such as in a compound by means of a bonding layer.
  • Connection carrier in the lateral direction at least locally flush.
  • the drive circuit together form in places a lateral surface delimiting the optoelectronic semiconductor component in the lateral direction.
  • the optoelectronic semiconductor component is characterized in particular in that the lateral extent of the semiconductor component is only slightly larger than the lateral extent of the active region.
  • an area running within an outer border of the active area covers at least 80% of the connection carrier.
  • Outline determined by a thought elastic band be that fully circumscribes the active area in the lateral direction.
  • this includes
  • Optoelectronic semiconductor component one or more phosphors and / or one or more imaging optics.
  • phosphors which can be individually assigned to the emission areas, RGB pixels can be realized.
  • imaging optics By means of at least one imaging optics for all
  • Emission regions of the semiconductor device or for individual emission regions or groups of emission regions can be a projection device build.
  • the semiconductor component may comprise a plurality of the semiconductor bodies.
  • the semiconductor bodies may be designed as modules from which the semiconductor component is constructed.
  • FIGS. 1F and 1G illustrate an exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component.
  • FIGS. 2 and 3 are schematic sectional views
  • Figure 4 is a schematic plan view of a
  • FIGS. 1A to 1C show an exemplary embodiment of a method with reference to intermediate steps, wherein, for the purpose of simplified illustration in FIGS. 1A to 1F, only a partial region of an optoelectronic component to be produced is shown
  • a semiconductor layer sequence 200 is provided, as shown in FIG. 1A, for example on one side
  • the semiconductor layer sequence 200 has an active radiation intended for generating radiation
  • the first semiconductor layer 21 is on the
  • the semiconductor layer sequence 200 has a
  • a plurality of recesses 25 which extend through the first semiconductor layer 21 and the active region 20 into the second semiconductor layer 22 in. In the recesses 25, the second semiconductor layer 22 is exposed for electrical contacting.
  • the first semiconductor layer 21 is provided with a first one
  • the first contacting layer is for example as a
  • the first one contains
  • the second semiconductor layer 22 is provided with a second one
  • the second contacting layer 44 electrically conductively connected.
  • the second contacting layer 44 adjoins the second semiconductor layer 22 in the recesses 25.
  • Contacting layer 44 can, for example, by means of
  • Layer thickness is, for example, between 1 ⁇ m and 150 ⁇ m inclusive.
  • Contacting layer 44 may give the semiconductor layer sequence 200 increased mechanical stability and in the
  • optoelectronic semiconductor device fulfill the function of a lateral StromaufWeitungs für.
  • the first contacting layer 43 and the second contacting layer 44 overlap in the vertical direction, ie perpendicular to a main extension plane of the active region 20, in places.
  • a first insulating layer 71 is arranged on the semiconductor layer sequence 200.
  • the first insulating layer 71 covers at the side surfaces of
  • Recesses 25 at least the active region 20 and the first semiconductor layer 21. An electrical short circuit between the second contacting layer 44 and the first semiconductor layer 21 can be reliably avoided.
  • the second contacting layer 44 has a plurality of openings 440. In the openings lies the first
  • the second contacting layer 44 free.
  • the second contacting layer 44 extends, in particular despite the openings, continuously over several
  • the active region 20 has a plurality of
  • the emission regions are arranged side by side in a lateral direction, that is to say along a main extension plane of the active region,
  • the recesses 25 can completely circulate an emission region 3 in the lateral direction, so that
  • the active region 20 can also extend continuously over a plurality of or even across all emission regions 3. In this case essentially determines the lateral extent of the first Contacting layer 43 each have the lateral extent of the associated emission region 3.
  • a second insulation layer 72 is applied to the semiconductor layer sequence 200.
  • the second insulation layer 72 is covered
  • the second insulating layer 72 is formed such that the first contacting layer 43 in the openings 440
  • a plurality of first contact points 41 are deposited, in particular by means of a galvanic
  • Each emission area 3 is a first one
  • the first contact point 41 assigned, in particular one-to-one.
  • the first contact point 41 adjoins in the openings 440 in each case to the first contacting layer 43 of the associated
  • Emission range 3 In the same deposition step, a plurality of second contact pads 42 are formed. Deviating from this, it is also conceivable that the first contact points 41 and the second contact points 42 are separated from one another
  • the second contact points 42 are connected to the second
  • the second contact point 42 serves for the electrical contacting of the second semiconductor layer 22, in particular as
  • Contact point is basically sufficient.
  • optoelectronic semiconductor component may also have two or more second contact points.
  • Interspaces 45 between adjacent first contact points 41 are subsequently filled with a molding compound 50, as shown in FIG.
  • the filling takes place for example by means of a casting process and, if necessary, with a subsequent curing.
  • the molding compound 50 can
  • the molding compound 50 can be formed so thick that it mechanically stabilizes the semiconductor layer sequence 200. At this stage of the procedure, the molding compound 50 can be formed so thick that it mechanically stabilizes the semiconductor layer sequence 200.
  • Growth substrate 29 are removed, for example by means of a mechanical process, a chemical process or by means of coherent radiation, such as by means of a
  • the molding compound 50 thus fulfills temporarily the function of a subcarrier for the removal of the growth substrate 29, wherein a part of this subcarrier, that is a part of
  • Molding composition 50 remains in the finished optoelectronic semiconductor device 1 as a shaped body 5.
  • the thus-exposed second semiconductor layer 22 may be provided with a roughening 28 (FIG. 1D).
  • semiconductor layer sequence 200 may optionally
  • Radiation conversion element 8 are applied.
  • the radiation conversion element is intended to convert primary radiation generated in the active region, for example in the blue spectral region, partially into secondary radiation, for example in the yellow spectral region, so that the optoelectronic semiconductor component emits mixed light as a whole, such as light appearing white to the human eye.
  • the first contact points 41 and the second contact points 42 are exposed, in particular after removal of the
  • This can, for example, mechanically, for example by grinding or polishing, chemically, for example by etching, or chemo-mechanically, for example by means of a chemomechanical
  • polishing done. As a result, a planar surface 55 is formed on the side of the molding compound 50 facing away from the semiconductor layer sequence 200.
  • This flat surface is formed in places by the molding compound 50, the first contact points 41 and the second contact points 42.
  • a mean square roughness (rms roughness) of the flat surface is, for example, at most 10 nm or at most 5 nm.
  • connection carrier assembly 60 Semiconductor layer sequence 200 attached to the connection carrier assembly 60 by means of a connection 69, for example by means of a direct bond.
  • connection 69 for example by means of a direct bond.
  • Bond connection can also be a connection by means of a Bonding layer, such as an electrically conductive adhesive layer or a solder layer done.
  • the flat surface 55 may also have a larger surface roughness, for example, 100 nm or more.
  • the semiconductor layer sequence 200 can at the time of
  • the individual segments each have a plurality of emission regions, in particular all emission regions of the optoelectronic semiconductor component to be produced.
  • the segments each represent, for example, a semiconductor chip with one of the
  • Semiconductor layer sequence 200 formed semiconductor body, which is applied individually to the Anschlußussaviverbund 60, such as by soldering. The center distances of neighboring
  • Segments in the composite 9 may also be greater than the center distances of these segments before the formation of the
  • connection carrier assembly 60 has a drive circuit 65 with a plurality of connection surfaces 61 for each optoelectronic semiconductor component to be produced.
  • the drive circuit 65 is an active matrix circuit, wherein each emission region 3, a switch 650, for example in the form of a transistor associated.
  • connection carrier assembly is a silicon based wafer, on which transistors and other electronic components are manufactured in CMOS technology
  • Contact point 42 are each electrically connected to a connection surface 61 of the connection carrier assembly 60.
  • the composite 9 can subsequently along
  • Separation lines 91 are isolated ( Figure 1F). This can be, for example, mechanically, chemically or by means of
  • Optoelectronic semiconductor device 1 a Optoelectronic semiconductor device 1 a
  • Semiconductor layer sequence 200 and a shaped body 5 as part of the molding compound 50 has.
  • Semiconductor component 1 of the molded body 5 of the molding compound 50 The molded body 5 and the connection carrier 6 terminate in the lateral direction at least in places flush,
  • Shaped body 5 and the connection carrier 6 may have traces of the singulation process in places, for example traces of material removal such as saw marks, etching traces or traces of material removal by coherent radiation.
  • the semiconductor layer sequence 200 may be in the range of
  • the formation of the side surfaces can in particular take place from the side facing away from the growth substrate 29, for example together with the formation of the recesses 25 (see FIG. 1A). This is shown schematically in FIG. 1F with reference to a side surface 26 of the semiconductor body 2.
  • a finished optoelectronic semiconductor component 1 is shown schematically in plan view in FIG. 1G, with only twelve being shown for the sake of simplicity
  • Emission ranges can be varied within wide limits and also be 100 or more or even 1000 or more.
  • optoelectronic semiconductor components can be produced in which the
  • Radiation generating area ie the area of the active area, in plan view is almost as large as the
  • an area running within an outer border 27 of the active area 20 covers at least 80% of the connection carrier 6.
  • the optoelectronic semiconductor component can also be made particularly compact in the vertical direction. Overall, the material requirements and the manufacturing costs can be reduced.
  • Manufacturing steps relating to the semiconductor layer sequence 200 may already be carried out before the Composite 9 is formed.
  • the growth substrate 29 may already be removed before the composite 9 is formed. After the production of the composite 9, no further steps are required apart from the singling. For editing the
  • Connection carrier such as the silicon technology to be adjusted. This concerns, for example, an adaptation of
  • connection carrier assembly 60 The assembly of the connection carrier assembly 60 with
  • Semiconductor bodies 2 can be done at the wafer level. A complex single placement of semiconductor bodies is therefore not required.
  • Semiconductor layer sequence 200 and the Anschlußussskaverbunds 60 arise optoelectronic semiconductor devices 1, each having a plurality of emission regions 3, which over the integrated into the connection carrier 6
  • Control circuit 65 are independently controllable. In the embodiment of the semiconductor device 1 of the
  • Figure 2 are associated with a portion of the emission regions 3 phosphors 11, 12 for red and green light. Especially together with blue light directly from the semiconductor body 2 can thus build up RGB pixels 13.
  • RGB pixels 13 Such
  • Phosphors 11, 12 can also be used in all others
  • the semiconductor body 2 is followed by an optical system 14, for example, to project the generated radiation to a remote area.
  • an optical system 14 for example, to project the generated radiation to a remote area.
  • individual emission regions can also be used
  • Pixels or groups of emission regions associated optics 15 may be present.
  • the semiconductor device 1, as illustrated in FIG. 4, has a plurality of modules 16.
  • Each of the modules 16 is, for example, by one of the semiconductor body 2 or by one of the
  • Connection carrier 6 is formed. If the modules 16 are formed only from the semiconductor body 2, a common connection carrier 6 is preferably present for all the modules 16.
  • modules 16 There may be more than the exemplary three modules 16. Per module 16 or for a plurality of modules 16 may be an optics, not drawn, may be provided. The modules 16 are preferably arranged close to each other.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 is suitable, for example, as a light source in an adaptive
  • Headlamp for a motor vehicle for a pixellated flash in a handheld electronic device such as a mobile phone or in general for all applications in which in the operation of the optoelectronic semiconductor device, a spatial variation of the power density of the
  • the semiconductor device 1 may be a display, for example in a smartphone, a tablet, a notebook, a camera, a touch screen, a
  • the semiconductor device 1 as Projection device, especially as a so-called pico projector used. Pico projectors are
  • Projection device to a projector about for
  • Emission areas 3 can be described by the
  • the first semiconductor layer 21 facing the connection carrier 6 may also be provided with a common electrical contact for the

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (41), die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge; c) Befüllen der Zwischenräume (45) zwischen den Kontaktstellen mit einer Formmasse (50); und d) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61), wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement.
Bei Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen mit mehreren Strahlungsemittierenden Bereichen können
Ansteuerschaltungen auf der Basis von Silizium Anwendung finden, über die die Strahlungsemittierenden Bereiche einzeln ansteuerbar sind. Eine Platzierung dieser Bereiche auf der zugehörigen Ansteuerschaltung ist jedoch aufwendig und damit kostenintensiv.
Eine Aufgabe ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit mehreren
Emissionsbereichen auf einfache Weise hergestellt werden kann. Weiterhin soll ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement mit mehreren Emissionsbereichen
angegeben werden, das einfach und kompakt herstellbar ist.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein Verfahren beziehungsweise ein optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere
Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich bereitgestellt. Zum Beispiel emittiert der aktive Bereich Strahlung im
ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise zwischen einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps angeordnet. Der aktive Bereich befindet sich also in einem pn-Übergang.
Beispielsweise weist der aktive Bereich eine Mehrzahl von Emissionsbereichen auf. Die Emissionsbereiche sind in
lateraler Richtung nebeneinander angeordnet und insbesondere unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar . Der aktive Bereich ist also funktional in mehrere Emissionsbereiche unterteilt. Beispielsweise sind benachbarte aktive Bereiche vollständig voneinander getrennt, etwa durch grabenförmige Ausnehmungen in der Halbleiterschichtenfolge, die den aktiven Bereich durchtrennen. Der aktive Bereich kann sich jedoch auch durchgängig über zwei oder mehr Emissionsbereiche, insbesondere auch über alle Emissionsbereiche erstrecken, solange die Emissionsbereiche im Betrieb mit voneinander verschiedenen Stromstärken betreibbar sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl von ersten Kontaktstellen, die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Insbesondere sind die ersten Kontaktstellen mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden Zwischenräume zwischen den Kontaktstellen mit einer Formmasse befüllt, insbesondere vollständig. Die Formmasse wird an die Kontaktstellen angeformt und grenzt zumindest stellenweise unmittelbar an die Kontaktstellen an. Die Formmasse ist insbesondere elektrisch isolierend. Zum Beispiel erfolgt das Befüllen mittels eines Gießverfahrens. Die Formmasse enthält beispielsweise ein Polymer-Material, etwa ein Silikon, ein Epoxid oder ein anderes durch ein Gießverfahren
verarbeitbares Material. Unter einem Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Gießverfahren" Gießen (molding) , Folien assistiertes Gießen (film assisted
molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding) .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Halbleiterschichtenfolge auf einem Anschlussträger mit einer Ansteuerschaltung und einer Mehrzahl von Anschlussflächen angeordnet, wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden. Der Begriff Anschlussfläche bezeichnet allgemein einen Bereich des Anschlussträgers, der für eine elektrische Kontaktierung eines von Ansteuerschaltung zu steuernden Elements vorgesehen ist. Zum Beispiel sind die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar. Der Anschlussträger weist zum Beispiel eine Aktiv-Matrix- Schaltung zur Ansteuerung der Emissionsbereiche auf. Zum Beispiel ist jedem Emissionsbereich mindestens ein Schalter, etwa in Form eines Transistors, zugeordnet.
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zum
Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich, der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen aufweist, bereitgestellt. Eine Mehrzahl von ersten Kontaktstellen, die jeweils mit einem
Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, wird auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Zwischenräume zwischen den ersten Kontaktstellen werden mit einer Formmasse befüllt. Die Halbleiterschichtenfolge wird auf einem
Anschlussträger mit einer Ansteuerschaltung und einer
Mehrzahl von Anschlussflächen angeordnet, wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind .
Mittels der Formmasse können die Zwischenräume zwischen den ersten Kontaktstellen auf einfache und zuverlässige Weise befüllt werden. Insbesondere können im Vergleich zu
dielektrischen Schichten, die durch Aufdampfen oder Sputtern aufgebracht werden, schnell und kostengünstig große
Schichtdicken erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Anschlussträger in einem Anschlussträgerverbund
bereitgestellt und der Anschlussträgerverbund und die
Halbleiterschichtenfolge werden nach dem Anordnen der
Halbleiterschichtenfolge an dem Anschlussträger in eine
Mehrzahl von Halbleiterbauelementen vereinzelt. Mit anderen Worten wird der Verbund aus Anschlussträgerverbund und
Halbleiterschichtenfolge gemeinsam vereinzelt. Die beim
Vereinzeln entstehenden optoelektronischen
Halbleiterbauelemente weisen jeweils mehrere
Emissionsbereiche und eine Ansteuerschaltung, über die die Emissionsbereiche ansteuerbar sind, auf. Die dem Vereinzeln vorgelagerten Herstellungsschritte können im Verbund, also auf Wafer-Ebene (engl, wafer level) ,
durchgeführt werden. Insbesondere kann die laterale
Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge so groß sein, dass eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen hergestellt werden kann, die jeweils einen Teil dieser
Halbleiterschichtenfolge mit jeweils mehreren
Emissionsbereichen aufweist. Auf ein einzelnes Platzieren eines Halbleiterkörpers für jedes herzustellende
optoelektronische Halbleiterbauelement kann verzichtet werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden beim Vereinzeln der Anschlussträgerverbund und die Formmasse durchtrennt. Beim Vereinzeln werden also zwei Elemente durchtrennt, die erst beim Ausbilden des Verbunds mit
Halbleiterschichtenfolge und Anschlussträgerverbund
zusammengefügt worden sind. An Stellen, an denen der
Anschlussträgerverbund und die Formmasse durchtrennt werden, schließen der so gebildete Anschlussträger und der aus der Formmasse gebildete Formkörper in lateraler Richtung bündig ab. Der Anschlussträger und der Formkörper können
insbesondere für das Vereinzelungsverfahren spezifische
Spuren aufweisen, etwa Spuren eines Materialabtrags.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge entfernt. Das für die epitaktische Abscheidung, etwa mittels MOCVD oder MBE, verwendete Aufwachssubstrat ist im fertiggestellten optoelektronischen Halbleiterbauelement nicht mehr vorhanden. Das optoelektronischen Halbleiterbauelement ist also frei von einem Aufwachssubstrat . Der Anschlussträger kann die
Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisieren, so dass das Aufwachssubstrat hierfür nicht mehr erforderlich ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
wird das Aufwachssubstrat vor dem Verbinden der
Halbleiterschichtenfolge mit dem Anschlussträger entfernt. Das Aufwachssubstrat ist also zu dem Zeitpunkt, zu dem der Verbund mit Halbleiterschichtenfolge und
Anschlussträgerverbund hergestellt wird, bereits entfernt. Dadurch kann die Gefahr umgangen werden, dass
unterschiedliche große thermische Ausdehnungskoeffizienten für den Anschlussträger und das Aufwachssubstrat zu einer Schädigung, etwa zu Rissen in der Halbleiterschichtenfolge führen. Beispielsweise unterscheiden sich die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Saphir und Silizium
vergleichsweise stark voneinander. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die ersten Kontaktstellen beim Aufbringen der Formmasse vollständig überdeckt und nachfolgend freigelegt.
Beispielsweise wird Material der Formmasse von der der
Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite her vollflächig so lange abgetragen, bis die ersten Kontaktstellen erreicht sind. Beispielsweise erfolgt das Freilegen mittels eines mechanischen, eines chemischen oder eines chemomechanischen Verfahrens, etwa mittels chemomechanischen Polierens. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die ersten Kontaktstellen vollständig überdeckt, das
Aufwachssubstrat entfernt und die ersten Kontaktstellen nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats freigelegt. Zum Zeitpunkt des Entfernens des Aufwachssubstrats kann die Formmasse also eine größere Dicke aufweisen als im
fertiggestellten optoelektronischen Halbleiterbauelement. Mit anderen Worten dient die Formmasse als ein temporärer Hilfsträger, der die Halbleiterschichtenfolge während dieses Schritts mechanisch stabilisiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die ersten Kontaktstellen und die Anschlussstellen mittels einer direkten Bondverbindung miteinander verbunden. Bei einer direkten Bondverbindung werden die zu verbindenden, insbesondere vorgefertigten Verbindungspartner ohne eine Fügeschicht, insbesondere ohne eine Klebeschicht oder
Lotschicht, miteinander verbunden, beispielsweise unter Einwirkung von Druck und/oder Hitze. Eine direkte
Bondverbindung erfolgt beispielsweise über van-der-Waals- Wechselwirkungen und/oder Wasserstoffbrücken-Bindungen . Davon abweichend kann aber auch eine Verbindung mittels einer insbesondere elektrisch leitfähigen Fügeschicht erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der aktive Bereich zwischen einer ersten Halbleiterschicht und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die ersten
Kontaktstellen sind mit der ersten Halbleiterschicht
elektrisch leitend verbunden. Die zweite Halbleiterschicht wird mit zumindest einer zweiten Kontaktstelle elektrisch leitend verbunden und Material für die ersten Kontaktstellen und die zweiten Kontaktstellen wird in einem gemeinsamen Herstellungsschritt abgeschieden. Material für
Kontaktstellen, die im späteren Betrieb auf einem
unterschiedlichen elektrischen Potenzial liegen, kann also in einem gemeinsamen Schritt abgeschieden werden. Die
Herstellung wird so vereinfacht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
werden die ersten Kontaktstellen mittels galvanischer
Abscheidung ausgebildet. Durch galvanische Abscheidung können, insbesondere im Vergleich zu Verfahren wie Aufdampfen oder Sputtern, große Schichtdicken schnell und kostengünstig realisiert werden. Zudem kann Material eingespart werden, da die Abscheidung nur an Stellen erfolgt, an denen das Material gewünscht ist. Beispielsweise eignen sich Nickel, Kupfer und Gold besonders für die galvanische Abscheidung. Es kann jedoch auch ein anderes Metall Anwendung finden. Auch eine mehrschichtige Abscheidung ist möglich.
Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das optoelektronische
Halbleiterbauelement eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf, wobei der aktive Bereiche eine Mehrzahl von
Emissionsbereichen aufweist und die Emissionsbereiche jeweils mit einer ersten Kontaktstelle elektrisch leitend verbunden sind. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Anschlussträger mit einer Ansteuerschaltung und einer
Mehrzahl von Anschlussflächen auf, wobei die ersten
Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden sind und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Insbesondere ist in Zwischenräumen zwischen den ersten
Kontaktstellen ein Formkörper angeordnet, der an die ersten Kontaktstellen angeformt ist.
Der Formkörper füllt also Zwischenräume, die in lateraler Richtung, also parallel zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs, zwischen benachbarten ersten Kontaktstellen und in vertikaler Richtung, also senkrecht zur
Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs, zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Anschlussträger bestehen, insbesondere vollständig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements bilden der Formkörper und die ersten
Kontaktstellen an einer dem Anschlussträger zugewandten Seite eine ebene Fläche. Die ersten Kontaktstellen ragen nicht über die Formmasse hinaus und umgekehrt. Insbesondere ist die Fläche so eben, dass zwischen den Anschlussflächen und den ersten Kontaktstellen eine direkte Bondverbindung bestehen kann. Beispielsweise weist die dem Anschlussträger zugewandte Fläche eine mittlere quadratische Rauigkeit (rms-Rauigkeit ) von höchstens 10 nm, insbesondere von höchstens 5 nm auf. Es kann jedoch auch eine größere Rauigkeit ausreichend sein, etwa bei einer Verbindung mittels einer Fügeschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements schließen der Formkörper und der
Anschlussträger in lateraler Richtung zumindest stellenweise bündig ab. Der Formkörper und die Anschlussträger mit der
Ansteuerschaltung bilden also stellenweise gemeinsam eine das optoelektronische Halbleiterbauelement in lateraler Richtung begrenzende Seitenfläche. Das optoelektronische Halbleiterbauelement zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass die laterale Ausdehnung des Halbleiterbauelements nur geringfügig größer ist als die laterale Ausdehnung des aktiven Bereichs. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements überdeckt eine innerhalb einer äußeren Umrandung des aktiven Bereichs verlaufende Fläche mindestens 80 % des Anschlussträgers. Im Zweifel kann die äußere
Umrandung durch ein gedachtes elastisches Band ermittelt werden, dass den aktiven Bereich in lateraler Richtung vollständig umläuft.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauelement einen oder mehrere Leuchtstoffe und/oder eine oder mehrere Abbildungsoptiken. Über Leuchtstoffe, die den Emissionsbereichen individuell zugeordnet sein können, sind RGB-Bildpunkte realisierbar. Mittels zumindest einer Abbildungsoptik für alle
Emissionsbereiche des Halbleiterbauelements oder für einzelne Emissionsbereiche oder für Gruppen von Emissionsbereichen lässt sich eine Projektionsvorrichtung aufbauen.
Es ist möglich, dass das Halbleiterbauelement mehrere der Halbleiterkörper umfasst. Die Halbleiterkörper können als Module gestaltet sein, aus denen das Halbleiterbauelement aufgebaut ist.
Das vorstehend beschriebene Verfahren ist für die Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit den Verfahren angeführte
Merkmale können daher auch für das optoelektronische
Halbleiterbauelement herangezogen werden und umgekehrt. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in
Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Die Figuren 1A, 1B, IC, 1D, IE, 1F und IG ein
Ausführungsbeispiel für Verfahren anhand von schematisch dargestellten Zwischenschritten in Schnittansicht
(Figuren 1A bis 1F) und in Draufsicht (Figur IG) , wobei die Figuren 1F und IG ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement darstellen.
Die Figuren 2 und 3 schematische Schnittdarstellungen
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelementen .
Die Figur 4 eine schematische Draufsicht eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
optoelektronischen Halbleiterbauelements .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können
vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere
Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein .
In den Figuren 1A bis IG ist ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren anhand von Zwischenschritten gezeigt, wobei zur vereinfachten Darstellung in den Figuren 1A bis 1F nur ein Teilbereich eines herzustellenden optoelektronischen
Halbleiterbauelements gezeigt ist. Mit dem Verfahren kann eine Vielzahl von derartigen optoelektronischen
Halbleiterbauelementen gleichzeitig hergestellt werden.
Eine Halbleiterschichtenfolge 200 wird, wie in Figur 1A dargestellt, bereitgestellt, beispielsweise auf einem
Aufwachssubstrat 29. Die Halbleiterschichtenfolge 200 weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven
Bereich 20 auf, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht 21 eines ersten Leitungstyps, beispielsweise p-leitend, und einer zweiten Halbleiterschicht 22 eines zweiten Leitungstyps, beispielsweise n-leitend, angeordnet ist.
Die erste Halbleiterschicht 21 ist auf der dem
Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite des aktiven Bereichs 20 angeordnet. Die Halbleiterschichtenfolge 200 weist eine
Mehrzahl von Ausnehmungen 25 auf, die sich durch die erste Halbleiterschicht 21 und den aktiven Bereich 20 in die zweite Halbleiterschicht 22 hinein erstrecken. In den Ausnehmungen 25 ist die zweite Halbleiterschicht 22 für eine elektrische Kontaktierung freigelegt.
Die erste Halbleiterschicht 21 ist mit einer ersten
Kontaktierungsschicht 43 elektrisch leitend verbunden. Die erste Kontaktierungsschicht ist beispielsweise als eine
Spiegelschicht für die im aktiven Bereich 20 zu erzeugende Strahlung ausgebildet. Beispielsweise enthält die erste
Kontaktierungsschicht Silber, Aluminium, Rhodium, Palladium, Nickel oder Chrom oder eine metallische Legierung mit
zumindest einem der genannten Metalle.
Die zweite Halbleiterschicht 22 ist mit einer zweiten
Kontaktierungsschicht 44 elektrisch leitend verbunden. Die zweite Kontaktierungsschicht 44 grenzt in den Ausnehmungen 25 an die zweite Halbleiterschicht 22 an. Die zweite
Kontaktierungsschicht 44 kann beispielsweise mittels
galvanischer Abscheidung ausgebildet werden. Eine
Schichtdicke beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 1 ym und einschließlich 150 ym. Die zweite
Kontaktierungsschicht 44 kann der Halbleiterschichtenfolge 200 eine erhöhte mechanische Stabilität geben und im
herzustellenden optoelektronischen Halbleiterbauelement die Funktion einer lateralen StromaufWeitungsschicht erfüllen. Die erste Kontaktierungsschicht 43 und die zweite Kontaktierungsschicht 44 überlappen in vertikaler Richtung, also senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs 20, stellenweise. Auf der Halbleiterschichtenfolge 200 ist eine erste Isolationsschicht 71 angeordnet. Die erste Isolationsschicht 71 bedeckt an den Seitenflächen der
Ausnehmungen 25 zumindest den aktiven Bereich 20 und die erste Halbleiterschicht 21. Ein elektrischer Kurzschluss zwischen der zweiten Kontaktierungsschicht 44 und der ersten Halbleiterschicht 21 kann so zuverlässig vermieden werden. Die zweite Kontaktierungsschicht 44 weist eine Mehrzahl von Öffnungen 440 auf. In den Öffnungen liegt die erste
Kontaktierungsschicht 43 frei. Die zweite Kontaktierungsschicht 44 verläuft, insbesondere trotz der Öffnungen, durchgängig über mehrere
Emissionsbereiche 3, insbesondere über alle Emissionsbereiche eines herzustellenden optoelektronischen
Halbleiterbauelements .
Der aktive Bereich 20 weist eine Mehrzahl von
Emissionsbereichen 3 auf. Die Emissionsbereiche sind in lateraler Richtung, also entlang einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs, nebeneinander angeordnet,
beispielsweise matrixförmig .
Die Ausnehmungen 25 können einen Emissionsbereich 3 jeweils in lateraler Richtung vollständig umlaufen, sodass
benachbarte Emissionsbereiche 3 vollständig voneinander getrennt sind. Davon abweichend kann sich der aktive Bereich 20 jedoch auch durchgängig über mehrere oder auch über alle Emissionsbereiche 3 erstrecken. In diesem Fall bestimmt im Wesentlichen die laterale Ausdehnung der ersten Kontaktierungsschicht 43 jeweils die laterale Ausdehnung des zugehörigen Emissionsbereichs 3.
Nachfolgend wird, wie in Figur 1B dargestellt, eine zweite Isolationsschicht 72 auf die Halbleiterschichtenfolge 200 aufgebracht. Die zweite Isolationsschicht 72 bedeckt
insbesondere die zweite Kontaktierungsschicht 44 vollständig. Die zweite Isolationsschicht 72 wird so ausgebildet, dass die erste Kontaktierungsschicht 43 in den Öffnungen 440
stellenweise freiliegt.
Nachfolgend wird eine Mehrzahl von ersten Kontaktstellen 41 abgeschieden, insbesondere mittels eines galvanischen
Verfahrens. Jedem Emissionsbereich 3 ist eine erste
Kontaktstelle 41 zugeordnet, insbesondere eineindeutig. Die erste Kontaktstelle 41 grenzt in den Öffnungen 440 jeweils an die erste Kontaktierungsschicht 43 des zugeordneten
Emissionsbereichs 3 an. In demselben Abscheideschritt wird eine Mehrzahl von zweiten Kontaktstellen 42 ausgebildet. Davon abweichend ist auch denkbar, dass die ersten Kontaktstellen 41 und die zweiten Kontaktstellen 42 in voneinander getrennten
Herstellungsschritten ausgebildet werden.
Die zweiten Kontaktstellen 42 sind mit der zweiten
Kontaktierungsschicht 44 elektrisch leitend verbunden. Die zweite Kontaktstelle 42 dient der elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22, insbesondere als
gemeinsamer Gegenkontakt für mehrere oder auch alle
Emissionsbereiche 3. Für jedes herzustellende
Halbleiterbauelement ist daher genau eine zweite
Kontaktstelle grundsätzlich ausreichend. Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann jedoch auch zwei oder mehr zweite Kontaktstellen aufweisen.
Zwischenräume 45 zwischen benachbarten ersten Kontaktstellen 41 werden nachfolgend, wie in Figur IC dargestellt, mit einer Formmasse 50 befüllt. Das Befüllen erfolgt beispielsweise mittels eines Gießverfahrens und erforderlichenfalls mit einem nachfolgenden Aushärten. Die Formmasse 50 kann
insbesondere so ausgebildet werden, dass sie die
Halbleiterschichtenfolge 200 vollständig überdeckt und auch die ersten Kontaktstellen 41 und die zweiten Kontaktstellen 42 überdeckt sind .
Insbesondere kann die Formmasse 50 so dick ausgebildet werden, dass sie die Halbleiterschichtenfolge 200 mechanisch stabilisiert. In diesem Verfahrensstadium kann das
Aufwachssubstrat 29 entfernt werden, beispielsweise mittels eines mechanischen Verfahrens, eines chemischen Verfahrens oder mittels kohärenter Strahlung, etwa mittels eines
Laserablöseverfahrens (Laser Lift-Off, LLO) .
Die Formmasse 50 erfüllt also temporär die Funktion eines Hilfsträgers für die Entfernung des Aufwachssubstrats 29, wobei ein Teil dieses Hilfsträgers, also ein Teil der
Formmasse 50, in dem fertiggestellten optoelektronischen Halbleiterbauelement 1 als Formkörper 5 verbleibt.
Nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats 29 kann die so freigelegte zweite Halbleiterschicht 22 mit einer Aufrauung 28 versehen werden (Figur 1D) . Mittels der Aufrauung kann die Effizienz der Strahlungsauskopplung im Betrieb des
optoelektronischen Halbleiterbauelements verbessert werden.
Auf die Halbleiterschichtenfolge 200 kann optional ein
Strahlungskonversionselement 8 aufgebracht werden. Beispielsweise ist das Strahlungskonversionselement dafür vorgesehen, im aktiven Bereich erzeugte Primärstrahlung, etwa im blauen Spektralbereich, teilweise in Sekundärstrahlung, etwa im gelben Spektralbereich, umzuwandeln, sodass das optoelektronische Halbleiterbauelement insgesamt Mischlicht, etwa für das menschliche Auge weiß erscheinendes Licht, abstrahlt .
Die ersten Kontaktstellen 41 und die zweiten Kontaktstellen 42 werden freigelegt, insbesondere nach dem Entfernen des
Aufwachssubstrats 29. Hierfür kann Material der Formmasse 50 vollflächig von der der Halbleiterschichtenfolge 200
abgewandten Seite her solange abgetragen werden, bis die ersten Kontaktstellen 41 und die zweiten Kontaktstellen 42 freiliegen. Dies kann beispielsweise mechanisch, etwa durch Schleifen oder Polieren, chemisch, etwa durch Ätzen, oder chemomechanisch, etwa mittels eines chemomechanischen
Polierens, erfolgen. Dadurch entsteht an der der Halbleiterschichtenfolge 200 abgewandten Seite der Formmasse 50 eine ebene Fläche 55.
Diese ebene Fläche wird stellenweise durch die Formmasse 50, die ersten Kontaktstellen 41 und die zweiten Kontaktstellen 42 gebildet. Eine mittlere quadratische Rauigkeit (rms- Rauigkeit) der ebenen Fläche beträgt beispielsweise höchstens 10 nm oder höchstens 5 nm.
Nachfolgend wird ein Verbund 9 ausgebildet, der die
Halbleiterschichtenfolge 200 und einen Anschlussträgerverbund 60 aufweist (Figur IE) . Hierfür wird die
Halbleiterschichtenfolge 200 an dem Anschlussträgerverbund 60 mittels einer Verbindung 69 befestigt, beispielsweise mittels einer direkten Bondverbindung. Anstelle einer direkten
Bondverbindung kann auch eine Verbindung mittels einer Fügeschicht, etwa einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht oder einer Lotschicht, erfolgen. In diesem Fall kann die ebene Fläche 55 auch eine größere Oberflächenrauigkeit aufweisen, beispielsweise 100 nm oder mehr.
Die Halbleiterschichtenfolge 200 kann zum Zeitpunkt der
Herstellung des Verbunds 9 bereits in eine Mehrzahl von
Segmenten unterteilt sein, etwa durch ein
Vereinzelungsverfahren, wobei die einzelnen Segmente jeweils eine Mehrzahl von Emissionsbereichen aufweisen, insbesondere alle Emissionsbereiche des herzustellenden optoelektronischen Halbleiterbauelements. Die Segmente stellen beispielsweise jeweils einen Halbleiterchip mit einem aus der
Halbleiterschichtenfolge 200 gebildeten Halbleiterkörper dar, der einzeln auf den Anschlussträgerverbund 60 aufgebracht wird, etwa durch Löten. Die Mittenabstände benachbarter
Segmente im Verbund 9 können so auch größer sein als die Mittenabstände dieser Segmente vor der Ausbildung des
Verbunds, etwa auf dem ursprünglichen Aufwachssubstrat 29. Die Mittenabstände der Segmente auf dem
Anschlussträgerverbund sind also nicht zwingend durch den Mittenabstand der Segmente auf dem ursprünglichen
Aufwachssubstrat festgelegt. Der Mittenabstand benachbarter Emissionsbereiche innerhalb eines Segments entspricht dagegen auf dem Anschlussträgerverbund dem ursprünglichen
Mittenabstand der Emissionsbereiche auf dem Aufwachssubstrat .
Der Anschlussträgerverbund 60 weist für jedes herzustellende optoelektronische Halbleiterbauelement eine Ansteuerschaltung 65 mit einer Mehrzahl von Anschlussflächen 61 auf.
Beispielsweise ist die Ansteuerschaltung 65 eine Aktiv- Matrix-Schaltung, wobei jedem Emissionsbereich 3 ein Schalter 650, etwa in Form eines Transistors, zugeordnet ist.
Beispielsweise ist der Anschlussträgerverbund ein Silizium- basierter Wafer, auf dem Transistoren und weitere elektronische Bauelemente in CMOS-Technologie gefertigt
Die Halbleiterschichtenfolge 200 und der
Anschlussträgerverbund 60 werden so miteinander verbunden, dass jede erste Kontaktstelle 41 und jede zweite
Kontaktstelle 42 jeweils mit einer Anschlussfläche 61 des Anschlussträgerverbunds 60 elektrisch leitend verbunden werden .
Der Verbund 9 kann nachfolgend entlang von
Vereinzelungslinien 91 vereinzelt werden (Figur 1F) . Dies kann beispielsweise mechanisch, chemisch oder mittels
kohärenter Strahlung erfolgen. Bei der Vereinzelung entsteht eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 1, wobei jedes aus dem Verbund 9 hervorgehende
optoelektronische Halbleiterbauelement 1 einen
Anschlussträger 6 als Teil des Anschlussträgerverbunds 60, einen Halbleiterkörper 2 als Teil der
Halbleiterschichtenfolge 200 und einen Formkörper 5 als Teil der Formmasse 50 aufweist.
Beim Vereinzeln werden insbesondere der
Anschlussträgerverbund 60 und die Formmasse 50 durchtrennt. Dadurch entsteht für jedes optoelektronische
Halbleiterbauelement 1 der Formkörper 5 aus der Formmasse 50. Der Formkörper 5 und der Anschlussträger 6 schließen in lateraler Richtung zumindest stellenweise bündig ab,
insbesondere entlang der Vereinzelungslinien 91. Der
Formkörper 5 und der Anschlussträger 6 können stellenweise Spuren des Vereinzelungsverfahrens aufweisen, etwa Spuren eines Materialabtrags wie Sägespuren, Ätzspuren oder Spuren eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge 200 kann im Bereich der
Vereinzelungslinien 91 bereits in einem vorangegangenen
Verfahrensschritt entfernt sein, sodass die
Halbleiterschichtenfolge 200 beim Vereinzeln nicht
notwendigerweise durchtrennt werden muss. Das Ausbilden der Seitenflächen kann insbesondere von der dem Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite her erfolgen, beispielsweise gemeinsam mit der Ausbildung der Ausnehmungen 25 (vgl. Figur 1A) . Dies ist in Figur 1F schematisch anhand einer Seitenfläche 26 des Halbleiterkörpers 2 gezeigt.
Ein fertiggestelltes optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 ist in Figur IG schematisch in Draufsicht gezeigt, wobei lediglich zur vereinfachten Darstellung zwölf
Emissionsbereiche gezeigt sind. Die Anzahl der
Emissionsbereiche kann in weiten Grenzen variiert werden und auch 100 oder mehr oder auch 1000 oder mehr betragen. Mit dem beschriebenen Verfahren können optoelektronische Halbleiterbauelemente hergestellt werden, bei denen die
Strahlung erzeugende Fläche, also die Fläche des aktiven Bereichs, in Draufsicht beinahe so groß ist wie die
Gesamtgröße des optoelektronischen Halbleiterbauelements inklusive des Anschlussträgers 6 mit der Ansteuerschaltung 65. Beispielsweise überdeckt eine innerhalb einer äußeren Umrandung 27 des aktiven Bereichs 20 verlaufende Fläche mindestens 80 % des Anschlussträgers 6. Auch in vertikaler Richtung kann das optoelektronische Halbleiterbauelement besonders kompakt ausgebildet werden. Insgesamt können der Materialbedarf und die Herstellungskosten reduziert werden.
Herstellungsschritte, die die Halbleiterschichtenfolge 200 betreffen, können bereits durchgeführt werden, noch bevor der Verbund 9 ausgebildet wird. Insbesondere kann das Aufwachssubstrat 29 bereits entfernt sein, bevor der Verbund 9 ausgebildet wird. Nach der Herstellung des Verbunds 9 sind abgesehen von der Vereinzelung keine weiteren Schritte erforderlich. Für die Bearbeitung der
Halbleiterschichtenfolge 200 durchzuführende Prozesse müssen daher nicht auf die Herstellungstechnologie des
Anschlussträgers, etwa die Silizium-Technologie, angepasst werden. Dies betrifft beispielsweise eine Anpassung von
Prozessen der LED-Technologie auf die typischerweise größeren Wafer der Silizium-Technologie.
Die Bestückung des Anschlussträgerverbunds 60 mit
Halbleiterkörpern 2 kann auf Wafer-Ebene erfolgen. Eine aufwändige einzelne Platzierung von Halbleiterkörpern ist also nicht erforderlich.
Durch die gemeinsame Vereinzelung der
Halbleiterschichtenfolge 200 und des Anschlussträgerverbunds 60 entstehen optoelektronische Halbleiterbauelemente 1, die jeweils eine Mehrzahl von Emissionsbereichen 3 aufweisen, welche über die in den Anschlussträger 6 integrierte
Ansteuerschaltung 65 unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Beim Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauelements 1 der
Figur 2 sind einem Teil der Emissionsbereiche 3 Leuchtstoffe 11, 12 für rotes und grünes Licht zugeordnet. Speziell zusammen mit blauem Licht direkt vom Halbleiterkörper 2 lassen sich damit RGB-Bildpunkte 13 aufbauen. Solche
Leuchtstoffe 11, 12 können auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen vorhanden sein.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist veranschaulicht, dass dem Halbleiterkörper 2 eine Optik 14 nachgeordnet ist, beispielsweise zur Projektion der erzeugten Strahlung auf eine entfernt liegende Fläche. Alternativ oder zusätzlich zur Optik 14, die den gesamten Halbleiterkörper 2 überspannen kann, können auch einzelnen Emissionsbereichen oder
Bildpunkten oder Gruppen von Emissionsbereichen zugeordnete Optiken 15 vorhanden sein.
Das Halbleiterbauelement 1, wie in Figur 4 illustriert, weist mehrere Module 16 auf. Jedes der Module 16 ist zum Beispiel durch einen der Halbleiterkörper 2 oder durch einen der
Halbleiterkörper 2 zusammen mit dem zugehörigen
Anschlussträger 6 gebildet. Sind die Module 16 nur aus dem Halbleiterkörper 2 gebildet, so ist bevorzugt ein für alle Module 16 gemeinsamer Anschlussträger 6 vorhanden.
Es können mehr als die Beispielhaft drei Module 16 vorhanden sein. Pro Modul 16 oder für je mehrere Module 16 kann eine Optik, nicht gezeichnet, vorgesehen sein. Die Module 16 sind bevorzugt dicht nebeneinander angeordnet.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 eignet sich beispielsweise als Lichtquelle in einem adaptiven
Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug, für ein pixellierten Blitzlicht in einem handgehaltenen elektronischen Gerät wie einem Mobiltelefon oder generell für alle Anwendungen, bei denen im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements eine räumliche Variation der Leistungsdichte der
abgestrahlten Strahlung gewünscht ist. Insbesondere kann das Halbleiterbauelement 1 ein Display sein, beispielsweise in einem Smartphone, einem Tablet, einem Notebook, einem Fotoapparat, einem Touchscreen, einem
Fernseher, einem Computerbildschirm oder einer Anzeigetafel. Außerdem kann das Halbleiterbauelement 1 als Projektionsvorrichtung, speziell als sogenannter Pico- Projektor, verwendet werden. Pico-Proj ektoren sind
beispielsweise in tragbaren Geräten wie Smartphones verbaut. Ebenso kann es sich bei dem Halbleiterbauelement 1 als
Projektionsvorrichtung um einen Beamer etwa für
Videodarstellungen handeln.
Die Art der elektrischen Kontaktierung der einzelnen
Emissionsbereiche 3 kann von dem beschriebenen
Ausführungsbeispiel abweichend in weiten Grenzen variiert werden, solange in die aktiven Bereiche 20 der einzelnen Emissionsbereiche 3 Ladungsträger von entgegengesetzten
Seiten injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren können. Beispielsweise können auch die dem Anschlussträger 6 zugewandte erste Halbleiterschicht 21 mit einem gemeinsamen elektrischen Kontakt für die
Emissionsbereiche 3 versehen und jeweils die zweite
Halbleiterschicht 22 mit einem Schalter 650 der
Ansteuerschaltung 65 elektrisch leitend verbunden sein.
Verschiedene Ausgestaltungen der elektrischen Kontaktierung von einzelnen Emissionsbereichen sind in der Druckschrift WO 2013/092304 AI beschrieben, deren gesamter
Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 107 201.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauelement
2 Halbleiterkörper
20 aktiver Bereich
200 Halbleiterschichtenfolge
21 erste Halbleiterschicht
22 zweite Halbleiterschicht
25 Ausnehmung
26 Seitenfläche
27 äußere Umrandung
28 Aufrauung
29 AufwachsSubstrat
3 Emissionsbereich
41 erste Kontaktstelle
42 zweite Kontaktstelle
43 erste Kontaktierungsschicht
44 zweite Kontaktierungsschicht
440 Öffnung
45 Zwischenraum
5 Formkörper
50 Formmasse
55 ebene Fläche
6 Anschlussträger
60 Anschlussträgerverbund
61 Anschlussfläche
65 AnsteuerSchaltung
650 Schalter
69 Verbindung
71 erste Isolationsschicht
72 zweite Isolationsschicht
8 Strahlungskonversionselement
9 Verbund
91 Vereinzelungslinie erster Leuchtstoff zweiter Leuchtstoff Bildpunkt
Optik
Optik
Modul

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements mit den Schritten:
a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (41), die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge;
c) Befüllen der Zwischenräume (45) zwischen den ersten
Kontaktstellen mit einer Formmasse (50); und
d) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf einem
Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61), wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind .
2. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei der Anschlussträger in einem Anschlussträgerverbund bereitgestellt wird und wobei der Anschlussträgerverbund und die Halbleiterschichtenfolge nach Schritt d) in eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen vereinzelt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
wobei beim Vereinzeln der Anschlussträgerverbund und die Formmasse durchtrennt werden.
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei ein Aufwachssubstrat (29) für die
Halbleiterschichtenfolge entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
wobei das Aufwachssubstrat vor Schritt d) entfernt wird.
6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die ersten Kontaktstellen in Schritt c) vollständig überdeckt und nachfolgend freigelegt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5,
wobei die ersten Kontaktstellen in Schritt c) vollständig überdeckt werden, das Aufwachssubstrat entfernt wird und die ersten Kontaktstellen nach dem Entfernen des
Aufwachssubstrats freigelegt werden.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die ersten Kontaktstellen und die Anschlussstellen mittels einer direkten Bondverbindung miteinander verbunden werden .
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei
- der aktive Bereich zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist;
- die ersten Kontaktstellen mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden sind;
- die zweite Halbleiterschicht mit zumindest einer zweiten Kontaktstelle (42) elektrisch leitend verbunden wird; und
- Material für die ersten Kontaktstellen und die zweiten Kontaktstellen in einem gemeinsamen Herstellungsschritt abgeschieden wird.
10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die ersten Kontaktstellen mittels galvanischer
Abscheidung ausgebildet werden.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich, wobei
- der aktive Bereiche eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist;
- die Emissionsbereiche jeweils mit einer ersten
Kontaktstelle (41) elektrisch leitend verbunden sind;
- das optoelektronische Halbleiterbauelement einen
Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61) aufweist, wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden sind und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander
ansteuerbar sind; und
- in Zwischenräumen (45) zwischen den ersten Kontaktstellen ein Formkörper (5) angeordnet ist, der an die ersten
Kontaktstellen angeformt ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei der Formkörper und die ersten Kontaktstellen an einer dem Anschlussträger zugewandten Seite eine ebene Fläche (55) bilden .
13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12,
wobei der Formkörper und der Anschlussträger in lateraler Richtung zumindest stellenweise bündig abschließen.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 13,
wobei eine innerhalb einer äußeren Umrandung (27) des aktiven Bereichs verlaufende Fläche mindestens 80 % des
Anschlussträgers überdeckt.
15. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 14,
das nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt ist.
16. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 15,
ferner umfassend einen oder mehrere Leuchtstoffe und/oder eine Abbildungsoptik.
PCT/EP2018/058461 2017-04-04 2018-04-03 Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement WO2018185086A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112018001835.0T DE112018001835A5 (de) 2017-04-04 2018-04-03 Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US16/498,331 US11069842B2 (en) 2017-04-04 2018-04-03 Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017107201.2 2017-04-04
DE102017107201.2A DE102017107201A1 (de) 2017-04-04 2017-04-04 Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018185086A1 true WO2018185086A1 (de) 2018-10-11

Family

ID=61868526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2018/058461 WO2018185086A1 (de) 2017-04-04 2018-04-03 Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11069842B2 (de)
DE (2) DE102017107201A1 (de)
WO (1) WO2018185086A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019105402A1 (de) 2019-03-04 2020-09-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip, strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und scheinwerfer
CN115863526A (zh) * 2019-05-09 2023-03-28 群创光电股份有限公司 电子装置
DE102020200621A1 (de) * 2020-01-21 2021-07-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013092304A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
US20150255439A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
US20170092820A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
US8952413B2 (en) * 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
DE102012217533A1 (de) 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102012109460B4 (de) * 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102014101492A1 (de) 2014-02-06 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN104393137B (zh) * 2014-09-30 2017-08-25 厦门市三安光电科技有限公司 一种倒装发光器件及其制作方法
DE102015120642A1 (de) * 2015-11-27 2017-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US10529696B2 (en) * 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013092304A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
US20150014716A1 (en) * 2011-12-22 2015-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Display Device and Method for Producing a Display Device
US20150255439A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
US20170092820A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017107201A1 (de) 2018-10-04
US11069842B2 (en) 2021-07-20
DE112018001835A5 (de) 2020-01-02
US20200220056A1 (en) 2020-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112012005357B4 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
EP2162928B1 (de) Verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
DE102009056386B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP2162927B1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauelementen
DE102011015821B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102012112302A1 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
EP2294614B1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementen
DE102013102667A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102007046337A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014154632A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE102015111558B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2019145350A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102012216738A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2014048830A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102011011378A1 (de) Trägersubstrat und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
DE102014102184A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2015010997A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102015111492B4 (de) Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
WO2018185086A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102014103828A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen
DE102014100772B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2020074351A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
EP2486604B1 (de) Kontaktierung eines optoelektronischen halbleiterbauteils durch konversionselement
WO2017046000A1 (de) Lichtemittierendes bauelement sowie verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
WO2016087360A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen modulen und anordnung mit einem solchen modul

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18715030

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112018001835

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18715030

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1