WO2017057741A1 - 樹脂薄膜形成用組成物 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a composition for forming a resin thin film, and more specifically to a composition for forming a resin thin film suitable for use in a display substrate such as a flexible display substrate.
- JP-A-60-188427 JP 58-208322 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-63655 International Publication 2011/149018 Pamphlet US Patent Application Publication No. 2011/130495 International Publication 2012/129422 Pamphlet
- the resin material when a polyimide resin material is used as a display substrate, it is desirable and required that the resin material not only has excellent transparency and flexibility, but also has a low retardation as one of the required performances.
- the retardation phase difference
- the retardation means the product of birefringence (difference between two orthogonal refractive indexes) and the film thickness. This numerical value, particularly the retardation in the thickness direction, is important because it affects the viewing angle characteristics. It is a numerical value. It is known that a large retardation value can cause a deterioration in display quality of a display (see, for example, Patent Document 4).
- the present invention has been made in view of such circumstances, and has not only excellent heat resistance and flexibility, but also has a feature of low retardation, and further excellent transparency and solvent resistance.
- Another object of the present invention is to provide a resin thin film forming composition that provides a resin thin film that is suitable as a base film for a display substrate, and particularly has excellent performance as a base film for a flexible display substrate.
- Patent Documents 5 and 6 disclose compositions containing a crosslinking agent. However, none of the documents includes a description that teaches the configuration of the present invention or a specific effect produced thereby, or a description that suggests them.
- the present invention provides the first aspect as follows: Polyimide, Silicon dioxide particles having an average particle size of 100 nm or less calculated from a specific surface area value measured by a nitrogen adsorption method, A compound composed only of a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom and an oxygen atom, having two or more groups selected from the group consisting of a hydroxy group, an epoxy group and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and The present invention also relates to a composition for forming a resin thin film comprising a crosslinking agent comprising a compound having a cyclic structure, and an organic solvent.
- the polyimide imidizes a polyamic acid obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride component containing an alicyclic tetracarboxylic dianhydride and a diamine component containing a fluorine-containing aromatic diamine. It is related with the composition for resin thin film formation as described in a 1st viewpoint which is a polyimide obtained. As a 3rd viewpoint, the said alicyclic tetracarboxylic dianhydride is related with the composition for resin thin film formation as described in a 2nd viewpoint containing the tetracarboxylic dianhydride represented by Formula (C1).
- B 1 represents a tetravalent group selected from the group consisting of formulas (X-1) to (X-12).
- a plurality of R's independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and * represents a bond.
- the said fluorine-containing aromatic diamine is related with the composition for resin thin film formation as described in a 2nd viewpoint or a 3rd viewpoint containing the diamine represented by a formula (A1).
- B 2 represents a divalent group selected from the group consisting of formulas (Y-1) to (Y-34)).
- the present invention relates to the composition for forming a resin thin film according to any one of the first aspect to the fourth aspect, wherein the mass ratio of the polyimide and the silicon dioxide particles is 7: 3 to 3: 7. .
- the present invention relates to the resin thin film forming composition according to any one of the first aspect to the fifth aspect, in which an average particle diameter of the silicon dioxide particles is 60 nm or less.
- a 7th viewpoint it is related with the resin thin film formed from the composition for resin thin film formation as described in any one among a 1st viewpoint thru
- a resin thin film having a low linear expansion coefficient, excellent heat resistance, high transparency and low retardation, and excellent flexibility and solvent resistance is reproducible. Can be well formed.
- the resin thin film according to the present invention exhibits a low linear expansion coefficient, high transparency (high light transmittance, low yellowness), low retardation, and excellent flexibility and solvent resistance. It can be suitably used as a display substrate.
- Such a resin thin film forming composition and resin thin film according to the present invention are required to have properties such as high flexibility, low linear expansion coefficient, high transparency (high light transmittance, low yellowness), and low retardation. It can sufficiently cope with the progress in the field of wireless device substrates, particularly flexible display substrates.
- composition for forming a resin thin film of the present invention contains the following specific polyimide, silicon dioxide particles, a crosslinking agent and an organic solvent.
- the polyimide used in the present invention is preferably a polyamic acid obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride component containing an alicyclic tetracarboxylic dianhydride with a diamine component containing a fluorine-containing aromatic diamine. It is a polyimide obtained by converting.
- the alicyclic tetracarboxylic dianhydride includes a tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula (C1), and the fluorine-containing aromatic diamine is represented by the following formula (A1). It is preferable that the diamine contains.
- B 1 represents a tetravalent group selected from the group consisting of formulas (X-1) to (X-12). (In the formula, a plurality of R's independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and * represents a bond.)
- B 2 represents a divalent group selected from the group consisting of formulas (Y-1) to (Y-34)). (In the formula, * represents a bond.)
- B 1 in the formula is represented by the formulas (X-1), (X-4), (X-6), (X-7). It is preferable that it is a compound.
- B 2 in the formula is preferably a compound represented by the formula (Y-12) or (Y-13).
- a polyimide obtained by imidizing a polyamic acid obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (C1) and a diamine represented by the above formula (A1) is described below.
- the monomer unit represented by Formula (2) is included.
- the alicyclic tetracarboxylic dianhydride for example, the tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (C1) is preferably 90 mol% or more, more preferably 95 mol% or more, particularly all Optimally, (100 mol%) is a tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (C1).
- the fluorine-containing aromatic diamine is preferably 90 mol% or more, and more preferably 95 mol% or more.
- the diamine represented by the said Formula (A1) may be sufficient as all (100 mol%) of a diamine component.
- the polyimide used by this invention contains the monomer unit represented by following formula (2).
- the polyimide of the present invention includes an alicyclic tetracarboxylic dianhydride component containing a tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (C1), a diamine component containing a diamine represented by the formula (A1), and In addition to the monomer unit derived from, other monomer units may be included.
- the content ratio of the other monomer units is arbitrarily determined as long as the properties of the resin thin film formed from the resin thin film forming composition of the present invention are not impaired.
- the ratio is derived from the alicyclic tetracarboxylic dianhydride component containing the tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (C1) and the diamine component containing the diamine represented by the formula (A1).
- the total number of moles of monomer units is preferably less than 20 mol%, more preferably less than 10 mol%, and even more preferably less than 5 mol%.
- Examples of such other monomer units include, but are not limited to, monomer units having other polyimide structures represented by the formula (3).
- A represents a tetravalent organic group, preferably a tetravalent group represented by any of the following formulas (A-1) to (A-4).
- B represents a divalent organic group, preferably a divalent group represented by any one of formulas (B-1) to (B-11).
- * represents a bond.
- B represents the above formulas (Y-1) to ( Y-34) may be a divalent group.
- A represents the above formulas (X-1) to (X It may be a tetravalent group represented by any of -12).
- a and B may contain only a monomer unit composed of only one of the groups exemplified by the following formula, for example.
- at least one of A and B may contain two or more monomer units selected from two or more groups exemplified below.
- each monomer unit is bonded in an arbitrary order.
- the polyimide used by this invention contains the diamine represented by the alicyclic tetracarboxylic dianhydride component containing the tetracarboxylic dianhydride represented by the above-mentioned formula (C1), and a formula (A1).
- the polyimide containing each monomer unit is represented by the above formula (C1) as a tetracarboxylic dianhydride component.
- a in the above formula (5) and B in the formula (6) have the same meaning as A and B in the above formula (3), respectively.
- tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (5)
- tetracarboxylic dianhydrides in which A in the formula (5) is a tetravalent group represented by any one of the above formulas (A-1) to (A-4) are preferable.
- 4,8-bis (trifluoromethoxy) benzo [1,2-c: 4,5 -C '] difuran-1,3,5,7-tetraone can benzo
- Examples of the diamine represented by the formula (6) include 2- (trifluoromethyl) benzene-1,4-diamine, 5- (trifluoromethyl) benzene-1,3-diamine, and 5- (trifluoromethyl).
- aromatic diamines in which B in the formula (6) is a divalent group represented by any one of the formulas (B-1) to (B-11) are preferable, that is, 2,2 ′.
- -Bis (trifluoromethoxy)-(1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine [other name: 2,2'-dimethoxybenzidine], 4,4 '-(perfluoropropane-2,2- Diyl) dianiline, 2,5-bis (trifluoromethyl) benzene-1,4-diamine, 2- (trifluoromethyl) benzene-1,4-diamine, 2-fluorobenzene-1,4-diamine, 4, 4′-oxybis [3- (trifluoromethyl) aniline], 2,2 ′, 3,3 ′, 5,5 ′, 6,6′-octafluoro [1,1′-biphenyl] -4,4 ′ -
- the polyimide used in the present invention is represented by the tetracarboxylic dianhydride component including the alicyclic tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (C1) and the above formula (A1). It is obtained by imidizing a polyamic acid obtained by reacting a diamine component containing a fluorine-containing aromatic diamine.
- the reaction from the two components to the polyamic acid is advantageous in that it can proceed relatively easily in an organic solvent and no by-product is formed.
- the charging ratio (molar ratio) of the diamine component in the reaction between the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component is appropriately set in consideration of the molecular weight of the polyamic acid and the polyimide obtained by subsequent imidization.
- the tetracarboxylic dianhydride component can usually be about 0.8 to 1.2, for example about 0.9 to 1.1, preferably about 0.1. It is about 95 to 1.02. Similar to the normal polycondensation reaction, the closer the molar ratio is to 1.0, the higher the molecular weight of the polyamic acid produced.
- the organic solvent used in the reaction between the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction and the produced polyamic acid dissolves. Specific examples are given below.
- the solvent does not dissolve the polyamic acid, it may be used by mixing with the above solvent as long as the produced polyamic acid does not precipitate.
- water in the organic solvent inhibits the polymerization reaction and further causes hydrolysis of the generated polyamic acid, it is preferable to use a dehydrated and dried organic solvent as much as possible.
- a dispersion or solution in which the diamine component is dispersed or dissolved in an organic solvent is stirred, and the tetracarboxylic dianhydride is added here.
- a method of alternately adding a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine compound component may be used.
- the tetracarboxylic dianhydride component and / or the diamine component are composed of a plurality of types of compounds, they may be reacted in a premixed state, individually individually, or further individually. Low molecular weight substances may be mixed and reacted to form high molecular weight substances.
- the temperature at the time of synthesizing the polyamic acid may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, and can be selected, for example, from -20 ° C to 150 ° C. C. to 100.degree. C., usually about 0 to 100.degree. C., preferably about 0 to 70.degree.
- the reaction time depends on the reaction temperature and the reactivity of the raw material, it cannot be defined unconditionally, but is usually about 1 to 100 hours.
- the reaction can be carried out at any concentration, but if the concentration is too low, it is difficult to obtain a high molecular weight polymer, and if the concentration is too high, the viscosity of the reaction solution becomes too high and uniform stirring is difficult.
- the total concentration of the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component in the reaction solution is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass.
- the initial stage of the reaction can be performed at a high concentration, and then an organic solvent can be added.
- Examples of the method for imidizing the polyamic acid include thermal imidization in which the polyamic acid solution is heated as it is, and catalytic imidization in which a catalyst is added to the polyamic acid solution.
- the temperature at which the polyamic acid is thermally imidized in the solution is 100 ° C. to 400 ° C., preferably 120 ° C. to 250 ° C., and it is preferable to carry out while removing water generated by the imidation reaction from the system.
- the chemical (catalyst) imidization of polyamic acid is carried out by adding a basic catalyst and an acid anhydride to a polyamic acid solution, and igniting the system under a temperature condition of ⁇ 20 to 250 ° C., preferably 0 to 180 ° C. This can be done by stirring.
- the amount of the basic catalyst is 0.5 to 30 mol times, preferably 1.5 to 20 mol times the amide acid group of the polyamic acid, and the amount of the acid anhydride is 1 to 50 mol of the amide acid group of the polyamic acid. Double, preferably 2 to 30 mole times.
- Examples of the basic catalyst include pyridine, triethylamine, trimethylamine, tributylamine, trioctylamine, 1-ethylpiperidine and the like. Among them, pyridine is preferable because it has an appropriate basicity for proceeding with the reaction.
- Examples of the acid anhydride include acetic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, and the like. Among them, use of acetic anhydride is preferable because purification after completion of the reaction is facilitated.
- the imidization rate by catalytic imidation can be controlled by adjusting the amount of catalyst, reaction temperature, and reaction time.
- the dehydration cyclization rate (imidization rate) of the amic acid group is not necessarily 100%, and can be arbitrarily adjusted according to the use and purpose. Particularly preferably, it is 50% or more.
- the filtrate after filtering the reaction solution, the filtrate may be used as it is, or may be diluted or concentrated, and silicon dioxide or the like to be described later may be added thereto to form a resin thin film forming composition.
- silicon dioxide or the like to be described later may be added thereto to form a resin thin film forming composition.
- the polyimide used in the present invention has a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of gel permeation chromatography (GPC) in consideration of the strength of the resin thin film, workability when forming the resin thin film, uniformity of the resin thin film, and the like. ) Is preferably 5,000 to 200,000.
- the reaction solution may be poured into a poor solvent and precipitated.
- the poor solvent used for precipitation include methanol, acetone, hexane, butyl cellosolve, heptane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethanol, toluene, benzene, isopropanol, and water.
- the polymer precipitated in a poor solvent and collected by filtration can be dried by normal temperature or reduced pressure at room temperature or by heating.
- the organic solvent for dissolving the resin component in the reprecipitation collection step is not particularly limited. Specific examples include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-pyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, tetra Methyl urea, pyridine, dimethyl sulfone, ⁇ -butyrolactone, 1,3-dimethyl-imidazolidinone, dipentene, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoamyl ketone, methyl isopropyl ketone, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, Examples include diglyme and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone. Two or more kinds of these solvent
- Silicon dioxide (silica) used in the present invention is not particularly limited, but silicon dioxide in the form of particles, for example, having an average particle diameter of 100 nm or less, for example, 5 nm to 100 nm, preferably 5 nm to 55 nm, can produce a highly transparent thin film. From the viewpoint of well being obtained, the thickness is preferably 5 nm to 50 nm, more preferably 5 nm to 45 nm, still more preferably 5 nm to 35 nm, and further preferably 5 nm to 30 nm.
- the average particle diameter of silicon dioxide particles is an average particle diameter value calculated from specific surface area values measured by a nitrogen adsorption method using silicon dioxide particles.
- colloidal silica having the above average particle size can be suitably used, and silica sol can be used as the colloidal silica.
- silica sol there can be used an aqueous silica sol produced by a known method using a sodium silicate aqueous solution as a raw material, and an organosilica sol obtained by substituting water as a dispersion medium of the aqueous silica sol with an organic solvent.
- alkoxysilanes such as methyl silicate and ethyl silicate are obtained by hydrolysis and condensation in an organic solvent such as alcohol in the presence of a catalyst (for example, an alkali catalyst such as ammonia, an organic amine compound, or sodium hydroxide).
- a silica sol obtained by replacing the silica sol with another organic solvent can be used.
- the present invention preferably uses an organosilica sol whose dispersion medium is an organic solvent.
- Examples of the organic solvent in the above-described organosilica sol include: lower alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol and isopropanol; linear amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; N-methyl-2- Examples include cyclic amides such as pyrrolidone; ethers such as ⁇ -butyrolactone; glycols such as ethyl cellosolve and ethylene glycol, acetonitrile, and the like. This substitution can be performed by a usual method such as a distillation method or an ultrafiltration method.
- the viscosity of the organosilica sol is about 0.6 mPa ⁇ s to 100 mPa ⁇ s at 20 ° C.
- organosilica sols examples include, for example, trade name MA-ST-S (methanol-dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), trade name MT-ST (methanol-dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.).
- Product name XBA-ST xylene / n-butanol mixed solvent dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
- product name EAC-ST ethyl acetate dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
- product Name PMA-ST propylene glycol monomethyl ether acetate dispersed silica sol, Nissan Chemical Industries, Ltd.
- Trade name MEK-ST methyl ethyl ketone dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
- trade name MEK-ST-UP methyl ethyl ketone dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
- trade name MEK-ST-L examples thereof include, but are not limited to, methyl ethyl ketone-dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., and trade name MIBK-ST (methyl isobutyl ketone-dispersed silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries
- the cross-linking agent used in the present invention is a compound composed only of a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom and an oxygen atom, and is selected from the group consisting of a hydroxy group, an epoxy group and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.
- a cross-linking agent comprising a compound having two or more groups and a ring structure.
- “consisting only of hydrogen atoms, carbon atoms, nitrogen atoms and oxygen atoms” refers to comprising only atoms selected from the group consisting of the above four atoms, ie, all the above four atoms are included.
- the crosslinking agent In addition to being composed of only those atoms, it may be composed of only three atoms (for example, hydrogen atom, carbon atom and oxygen atom) of the above four atoms.
- a crosslinking agent By using such a crosslinking agent, not only can a resin thin film excellent in solvent resistance be obtained with good reproducibility, but also a resin composition with improved storage stability can be realized.
- the total number of hydroxy groups, epoxy groups and alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms per compound in the crosslinking agent is preferably 3 or more from the viewpoint of realizing the solvent resistance of the resulting resin thin film with good reproducibility. From the viewpoint of realizing the flexibility of the resulting resin thin film with good reproducibility, it is preferably 10 or less, more preferably 8 or less, and even more preferably 6 or less.
- ring structure possessed by the crosslinking agent include aryl rings such as benzene, nitrogen-containing heteroaryl rings such as pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, 1,3,5-triazine, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, etc.
- cyclic amines such as cycloalkane ring, piperidine, piperazine, hexahydropyrimidine, hexahydropyridazine, hexahydro-1,3,5-triazine and the like.
- the number of ring structures per compound in the crosslinking agent is not particularly limited as long as it is 1 or more. However, from the viewpoint of obtaining a resin thin film having high flatness by ensuring the solubility of the crosslinking agent in a solvent, 1 or 2 is preferable.
- the ring structures may be condensed with each other, and an alkane having 1 to 5 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a triethylene group, or a propane-2,2-diyl group.
- the ring structures may be bonded to each other through a linking group such as a diyl group.
- the molecular weight of the crosslinking agent is not particularly limited as long as it has crosslinking ability and dissolves in the solvent to be used, but the solvent resistance of the resulting resin thin film, the solubility of the crosslinking agent itself in an organic solvent, and easy availability In consideration of properties, price, etc., it is preferably about 100 to 500, more preferably about 150 to 400.
- the crosslinking agent may further have a group that can be derived from a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, and an oxygen atom, such as a ketone group or an ester group (bond).
- Preferred examples of the crosslinking agent include compounds represented by the following formulas (K1) to (K5), and one preferred embodiment of the formula (K4) is a compound represented by the formula (K4-1).
- a compound represented by the formula (5-1) can be exemplified.
- each of A 1 and A 2 independently represents an alkane-diyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a triethylene group, or a propane-2,2-diyl group.
- a 1 is preferably a methylene group or an ethylene group, more preferably a methylene group
- a 2 is preferably a methylene group or a propane-2,2-diyl group.
- Each X is independently of each other hydroxy group, epoxy group (oxa-cyclopropyl group), methoxy group, ethoxy group, 1-propyloxy group, isopropyloxy group, 1-butyloxy group, t-butyloxy group, etc.
- An alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is represented.
- X is preferably an epoxy group in the formulas (K1) and (K5), and has 1 to 5 carbon atoms in the formulas (K2) and (K3) in consideration of the availability, price, etc. of the crosslinking agent.
- An alkoxy group is preferable, and a hydroxy group is preferable in the formula (K4).
- each n is bonded to the benzene ring - (A 1 -X) indicates the number of groups, is an integer of 1 to 5 independently of one another, preferably 2 to 3, more preferably 3.
- each A 1 is preferably the same group, and each X is preferably the same group.
- the compounds represented by the above formulas (K1) to (K5) are skeleton compounds such as aryl compounds, heteroaryl compounds, and cyclic amines having the same ring structure as the ring structure in these compounds, epoxy alkyl halide compounds, It can be obtained by reacting an alkoxy halide compound or the like with a carbon-carbon coupling reaction or an N-alkylation reaction, or hydrolyzing the resulting alkoxy moiety.
- a commercial item may be used for a crosslinking agent, and what was synthesize
- combining method may be used for it.
- Commercially available products include CYMEL (registered trademark) 300, 301, 303LF, 303ULF, 304, 350, 3745, XW3106, MM-100, 323, 325, 327, 328, Same 385, Same 370, Same 373, Same 380, Same 1116, Same 1130, Same 1133, Same 1141, Same 1161, Same 1168, Same 3020, Same 202, Same 203, Same 1156, Same MB-94, Same MB- 96, MB-98, 247-10, 651, 658, 683, 683, 688, 1158, MB-14, MI-12-I, MI-97-IX, U-65 UM-15, U-80, U-21-511, U-21-510, U-216-8, U-227-8, U-1050-10, U-1052 -8, the same
- TEPIC registered trademark
- V, S, HP, etc. L, PAS, VL, UC manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
- TM-BIP-A manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.
- 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) ) Glycoluril hereinafter abbreviated as TMG) (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Ltd.), 4,4'-methylenebis (N, N-diglycidyl aniline) (Aldrich Co., Ltd.).
- the blending ratio of the crosslinking agent is 0.1 to 200% by mass, preferably 0.2 to 100% by mass with respect to the total mass of the polyimide and the silicon dioxide.
- the resin thin film forming composition of the present invention contains an organic solvent in addition to the polyimide and silicon dioxide.
- This organic solvent is not specifically limited, For example, the thing similar to the specific example of the reaction solvent used at the time of preparation of the said polyamic acid and a polyimide is mentioned. More specifically, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone, ⁇ - Examples include butyrolactone.
- an organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Among these, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and ⁇ -butyrolactone are preferable in view of obtaining a resin film having high flatness with good reproducibility.
- the present invention is a resin thin film forming composition containing the polyimide, silicon dioxide, and an organic solvent.
- the composition for forming a resin thin film of the present invention is uniform, and phase separation is not recognized.
- the blending ratio of the crosslinking agent is 0.1 to 200% by mass, preferably 0.2 to 100% by mass, based on the total mass of the polyimide and the silicon dioxide. .
- the blending amount of the solid content in the composition for forming a resin thin film of the present invention is usually about 0.5 to 30% by mass, preferably about 5 to 25% by mass.
- the solid content concentration is less than 0.5% by mass, the production efficiency of the resin thin film is lowered and the viscosity of the resin thin film forming composition is lowered, so that a coating film having a uniform surface can be obtained. Hateful.
- the viscosity of the resin thin film forming composition becomes too high, and there is a possibility that the film forming efficiency is deteriorated and the surface uniformity of the coating film is also lacking.
- solid content here means the total mass of components other than an organic solvent, and even if it is a liquid monomer etc., it shall be included in a weight as solid content.
- the viscosity of the composition for forming a resin thin film is appropriately set in consideration of the thickness of the resin thin film to be produced. In particular, when the purpose is to obtain a resin thin film having a thickness of about 5 to 50 ⁇ m with good reproducibility. Usually, it is about 500 to 50,000 mPa ⁇ s at 25 ° C., preferably about 1,000 to 20,000 mPa ⁇ s.
- various other organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be blended with the resin thin film-forming composition of the present invention.
- a catalyst an antifoaming agent, a leveling agent, a surfactant, a dye, a plasticizer, fine particles, a coupling agent, a sensitizer, and the like can be used.
- the catalyst may be added for the purpose of reducing the retardation and linear expansion coefficient of the resin thin film.
- the composition for resin thin film formation which contains a catalyst in addition to the said polyimide, silicon dioxide, and an organic solvent can also be made into the object of this invention.
- composition for forming a resin thin film of the present invention can be obtained by dissolving the polyimide and silicon dioxide obtained by the above-mentioned method in the above-mentioned organic solvent, and adding silicon dioxide to the reaction solution after preparing the polyimide. If desired, the organic solvent may be further added.
- the organic solvent is removed by applying the composition for forming a resin thin film of the present invention described above to a substrate, drying and heating, high heat resistance, high transparency, moderate flexibility, and moderate line.
- a resin thin film having an expansion coefficient and low retardation can be obtained.
- the resin thin film containing the said resin thin film, ie, the said polyimide, and the said inorganic silica compound is also the object of this invention.
- a resin thin film containing a catalyst in addition to the polyimide and silicon dioxide is also an object of the present invention.
- the base material used for the production of the resin thin film examples include plastics (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetylcellulose, ABS, AS, norbornene resin, etc.), metal, stainless steel (SUS ), Wood, paper, glass, silicon wafer, slate and the like.
- plastics polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetylcellulose, ABS, AS, norbornene resin, etc.
- metal stainless steel
- Wood wood, paper, glass, silicon wafer, slate and the like.
- the base material to be applied is a glass or silicon wafer, and the obtained resin thin film is excellently peeled. It is more preferable that it is glass because it shows the property.
- a linear expansion coefficient of the base material to apply from a viewpoint of the curvature of the base material after coating, it is 30 ppm / degrees C or less, More preferably, it is more preferable that it is 20 ppm / degrees C or less.
- the coating method of the resin thin film forming composition on the substrate is not particularly limited, but for example, cast coating method, spin coating method, blade coating method, dip coating method, roll coating method, bar coating method, Examples thereof include a die coating method, an inkjet method, and a printing method (such as a relief plate, an intaglio plate, a planographic plate, and a screen printing), and these can be appropriately used depending on the purpose.
- the heating temperature is preferably 300 ° C. or lower. If the temperature exceeds 300 ° C., the resulting resin thin film becomes brittle, and a resin thin film particularly suitable for display substrate use may not be obtained. Also, considering the heat resistance and linear expansion coefficient characteristics of the resulting resin thin film, after heating the applied resin thin film forming composition at 40 ° C. to 100 ° C. for 5 minutes to 2 hours, the heating temperature is gradually increased. Finally, it is desirable to heat at over 175 ° C. to 280 ° C. for 30 minutes to 2 hours. Thus, the low thermal expansion characteristic can be expressed by heating at a temperature of two or more stages of drying the solvent and promoting molecular orientation. In particular, the applied composition for forming a resin thin film is heated at 40 ° C.
- Heating for minutes to 2 hours is preferred.
- the appliance used for heating include a hot plate and an oven.
- the heating atmosphere may be under air or under an inert gas such as nitrogen, and may be under normal pressure or under reduced pressure, and different pressures are applied at each stage of heating. May be.
- the thickness of the resin thin film is usually about 1 to 60 ⁇ m, preferably about 5 to 50 ⁇ m, particularly when used as a substrate for a flexible display.
- the thickness of the coating film before heating is adjusted to obtain a resin having a desired thickness.
- a thin film is formed.
- the method for peeling the resin thin film formed in this way from the substrate is not particularly limited, and the resin thin film is cooled together with the substrate, and a thin film is cut and peeled or tension is applied via a roll. And a method of peeling off.
- the resin thin film according to a preferred embodiment of the present invention thus obtained can achieve high transparency with a light transmittance of 75% or more at a wavelength of 400 nm. Furthermore, the resin thin film can have a low linear expansion coefficient of, for example, 50 ppm / ° C. or less, particularly 10 ppm / ° C. to 35 ppm / ° C. at 50 ° C. to 200 ° C., and has excellent dimensional stability during heating. It is.
- the resin thin film has an in-plane retardation R 0 expressed by the product of birefringence (difference between two in-plane orthogonal refractive indexes) and a film thickness when the wavelength of incident light is 590 nm,
- the film thickness thickness direction retardation R th represented are both featuring a very small.
- Resin thin film of the present invention when the average film thickness of approximately 15 [mu] m ⁇ 40 [mu] m, less than the retardation R th in the thickness direction is 700 nm, for example 300nm or less, for example, 1 nm ⁇ 300nm, plane retardation R 0 is less than 4, For example, it is 0.1 to 3.9, and the birefringence ⁇ n has a very low value of less than 0.01, for example, 0.0003 to 0.009.
- the resin thin film of the present invention described above has the above-mentioned characteristics, it satisfies each condition necessary for a base film of a flexible display substrate, and can be particularly suitably used as a base film of a flexible display substrate.
- CBDA 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride
- BODAxx bicyclo [2,2,2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride
- TFMB 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine
- NMP N-methyl-2-pyrrolidone
- GBL ⁇ -butyrolactone
- the average particle diameter calculated from the specific surface area value measured by the nitrogen adsorption method was 22 nm.
- the specific surface area of the dry powder of silica sol was measured using a specific surface area measuring device Monosorb MS-16 manufactured by Yuasa Ionics Co., and D was measured using the measured specific surface area S (m 2 / g).
- Example 1-1 except that instead of 1.428 g of Cymel 303, 1.442 g of 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) glycoluril (TMG) (99% purity) was used.
- TMG 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) glycoluril
- the composition for resin thin film formation was obtained by the same method.
- Example 1 except that instead of 9.24 g of GBL-M silica sol and 1.428 g of Cymel 303, 3.96 g of GBL-M silica sol and 0.866 g of TEPIC-L (99% purity) were used. 1 was used to obtain a resin thin film forming composition.
- Example 1-4 Example 1 except that Cymel 303 (purity 100%) 0.594 g and TM-BIP-A (purity 98%) 0.0396 g were used instead of Cymel 303 1.428 g. 1 was used to obtain a resin thin film forming composition.
- Cymel 303 purity 100%
- TM-BIP-A purity 98%) 0.0396 g were used instead of Cymel 303 1.428 g. 1 was used to obtain a resin thin film forming composition.
- Comparative Example 1-A A resin thin film forming composition was obtained in the same manner as in Example 1-1, except that 1.428 g of Cymel 303 was not used.
- Example 2-1 The composition for forming a resin thin film obtained in Example 1-1 was applied to a glass substrate, and the coating was applied in the air at 50 ° C. for 30 minutes, 140 ° C. for 30 minutes, 200 ° C. for 60 minutes, and then a nitrogen atmosphere. Under heating at 280 ° C. for 60 minutes, a resin thin film was obtained. The obtained thin film was peeled off by mechanical cutting and subjected to subsequent evaluation.
- Example 2-2 to Example 2-4, Comparative Example 2-A Except for using the resin thin film forming composition obtained in Examples 1-2 to 1-4 and Comparative Example 1-A instead of the resin thin film forming composition obtained in Example 1-1, Each resin thin film was obtained by the same method as described above.
- Td 5% 5% weight loss temperature
- Td [°C] 5% weight loss temperature
- Example 3-1 The thin film (3 cm ⁇ 3 cm rectangular film) obtained in Example 2-1 was immersed in a test solvent at 60 to 70 ° C. for 3 to 5 minutes at room temperature.
- Examples 3-2 to 3-4, Comparative Example 3-A Using the thin films obtained in Examples 2-2 to 2-4 and Comparative Example 2-A, a solvent immersion test was conducted in the same manner as in Example 3-1. In Examples 3-3 and 3-4, tests were conducted using only TOK106 as a test solvent.
- Table 1 shows the heat resistance and optical properties of the resin thin films obtained from the respective resin thin film forming compositions
- Table 2 shows the results of the solvent immersion test.
- the resin thin film of the present invention has a low coefficient of linear expansion [ppm / ° C.] (50 to 200 ° C.) (less than 35 ppm / ° C.), a high light transmittance [%], As a result, the heat resistance was improved and the yellowness (CIE b * ) was low. Further, the thickness direction retardation Rth was as extremely low as less than 300 nm, the birefringence ⁇ n was also as extremely low as less than 0.01, and it was resistant to various solvents. On the other hand, although the resin thin film of the comparative example had the heat resistance and optical characteristics similar to those of the examples, the result was inferior in solvent resistance.
- the resin thin film produced using the diamine for the resin thin film forming composition of the present invention has a low linear expansion coefficient, high transparency (high light transmittance, low yellowness), low retardation, and excellent solvent resistance. That is, it satisfies the requirements for a base film of a flexible display substrate, and can be expected to be particularly suitably used as a base film of a flexible display substrate.
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Abstract
Description
これらのデバイスにはガラス基板上に様々な電子素子、例えば、薄膜トランジスタや透明電極等が形成されているが、このガラス材料を柔軟かつ軽量な樹脂材料に替えることで、デバイス自体の薄型化や軽量化、フレキシブル化が図れる。そして、そのような樹脂材料の候補としては、ポリイミドが注目を集めており、ポリイミドフィルムに関する種々の報告が従来よりなされている(例えば特許文献1,2参照)。
なお、リタデーション(位相差)とは、複屈折(直交する2つの屈折率の差)と膜厚との積をいうが、この数値、特に厚さ方向のリタデーションは視野角特性に影響する重要な数値である。大きなリタデーション値は、ディスプレイの表示品質の低下を招く原因となり得ることが知られている(例えば特許文献4参照)。
なお、特許文献5および6には、架橋剤を含む組成物が開示されている。しかしながら、いずれの文献にも、本発明の構成やそれによって奏される特有の効果を教示する記載や、それらを示唆する記載はない。
ポリイミド、
窒素吸着法により測定された比表面積値から算出される平均粒子径が100nm以下である二酸化ケイ素粒子、
水素原子、炭素原子、窒素原子および酸素原子のみから構成される化合物であって、ヒドロキシ基、エポキシ基および炭素原子数1~5のアルコキシ基からなる群から選ばれる基を2以上有し、且つ、環状構造を有する化合物からなる架橋剤、及び
有機溶媒
を含む樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第2観点として、前記ポリイミドが、脂環式テトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物成分と含フッ素芳香族ジアミンを含むジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミドである、第1観点に記載の樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第3観点として、前記脂環式テトラカルボン酸二無水物が、式(C1)で表されるテトラカルボン酸二無水物を含む、第2観点に記載の樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第4観点として、前記含フッ素芳香族ジアミンが、式(A1)で表されるジアミンを含む、第2観点または第3観点に記載の樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第5観点として、前記ポリイミドと前記二酸化ケイ素粒子の質量比が、7:3~3:7である、第1観点乃至第4観点のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第6観点として、前記二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が、60nm以下である、第1観点乃至第5観点のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物に関する。
第7観点として、第1観点乃至第6観点のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物から形成される樹脂薄膜に関する。
また本発明に係る樹脂薄膜は、低線膨張係数、高い透明性(高い光線透過率、低い黄色度)、低いリタデーションを示し、さらに柔軟性及び溶剤耐性にも優れることから、フレキシブルデバイス、特にフレキシブルディスプレイの基板として好適に用いることができる。
このような本発明に係る樹脂薄膜形成用組成物及び樹脂薄膜は、高い柔軟性、低い線膨張係数、高い透明性(高い光線透過率、低い黄色度)、低いリタデーション等の特性が求められるフレキシルデバイス用基板、特にフレキシブルディスプレイ用基板の分野における進展に十分対応し得るものである。
本発明の樹脂薄膜形成用組成物は、下記特定のポリイミド、二酸化ケイ素粒子、架橋剤及び有機溶媒を含有する。
本発明で使用するポリイミドは、好ましくは、脂環式テトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物成分と含フッ素芳香族ジアミンを含むジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミドである。
中でも、前記脂環式テトラカルボン酸二無水物が、下記式(C1)で表されるテトラカルボン酸二無水物を含むものであり、前記含フッ素芳香族ジアミンが、下記式(A1)で表されるジアミンを含むものであることが好ましい。
また上記(A1)で表されるジアミンの中でも、式中のB2が式(Y-12)、(Y-13)で表される化合物であることが好ましい。
好適な例として、上記式(C1)で表されるテトラカルボン酸二無水物と上記式(A1)で表されるジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミドは、後述する式(2)で表されるモノマー単位を含む。
また同様に、上記低線膨張係数、低リタデーション及び高透明性の特性を有し、柔軟性に優れる樹脂薄膜を得るためには、ジアミン成分の全モル数に対して、含フッ素芳香族ジアミン、例えば式(A1)で表されるジアミンが90モル%以上であることが好ましく、95モル%以上であることがより好ましい。またジアミン成分の全て(100モル%)が上記式(A1)で表されるジアミンであってもよい。
本発明のポリイミドにおいて式(3)で表されるモノマー単位が含まれる場合、A及びBは、例えば下記式で例示された基のうち一種のみで構成されるモノマー単位のみを含んでいてもよいし、A及びBの少なくとも一方が下記に例示された二種以上の基から選択される二種以上のモノマー単位を含んでいてもよい。
これらの中でも、式(5)中のAが前記式(A-1)~(A-4)のいずれかで表される4価の基であるテトラカルボン酸二無水物が好ましく、すなわち、11,11-ビス(トリフルオロメチル)-1H-ジフルオロ[3,4-b:3’,4’-i]キサンテン-1,3,7,9-(11H-テトラオン)、6,6’-ビス(トリフルオロメチル)-[5,5’-ビイソベンゾフラン]-1,1’,3,3’-テトラオン、4,6,10,12-テトラフルオロジフロ[3,4-b:3’,4’-i]ジベンゾ[b,e][1,4]ジオキシン-1,3,7,9-テトラオン、4,8-ビス(トリフルオロメトキシ)ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジフラン-1,3,5,7-テトラオンを好ましい化合物として挙げることができる。
これらの中でも、式(6)中のBが前記式(B-1)~(B-11)のいずれかで表される2価の基である芳香族ジアミンが好ましく、すなわち、2,2’-ビス(トリフロオロメトキシ)-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン[別称:2,2’-ジメトキシベンジジン]、4,4’-(パーフルオロプロパン-2,2-ジイル)ジアニリン、2,5-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン-1,4-ジアミン、2-(トリフルオロメチル)ベンゼン-1,4-ジアミン、2-フルオロベンゼン-1,4-ジアミン、4,4’-オキシビス[3-(トリフルオロメチル)アニリン]、2,2’,3,3’,5,5’,6,6’-オクタフルオロ[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン[別称:オクタフルオロベンジジン]、2,3,5,6-テトラフルオロベンゼン-1,4-ジアミン、4,4’-{[3,3”-ビス(トリフルオロメチル)-(1,1’:3’,1”-ターフェニル)-4,4”-ジイル]-ビス(オキシ)}ジアニリン、4,4’-{[(パーフルオロプロパン-2,2-ジイル)ビス(4,1-フェニレン)]ビス(オキシ)}ジアニリン、1-(4-アミノフェニル)-2,3-ジヒドロ-1,3,3-トリメチル-1H-インデン-5(または6)アミンを好ましいジアミンとして挙げることができる。
本発明で使用するポリイミドは、前述したように、上記式(C1)で表される脂環式テトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物成分と、上記式(A1)で表される含フッ素芳香族ジアミンを含むジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸をイミド化して得られる。
上記二成分からポリアミック酸への反応は、有機溶媒中で比較的容易に進行させることができ、かつ副生成物が生成しない点で有利である。
例えば、m-クレゾール、2-ピロリドン、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-ビニル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、3-メトキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-エトキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-プロポキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-イソプロポキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-ブトキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-sec-ブトキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、3-tert-ブトキシ-N,N-ジメチルプロピルアミド、γ-ブチロラクトン、N-メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール-tert-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、3-メチル-3-メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、n-へキサン、n-ペンタン、n-オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチルエチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸、3-メトキシプロピオン酸、3-メトキシプロピオン酸プロピル、3-メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等があげられるがこれらに限定されない。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
さらに、ポリアミック酸を溶解させない溶媒であっても、生成したポリアミック酸が析出しない範囲で、上記溶媒に混合して使用してもよい。また、有機溶媒中の水分は重合反応を阻害し、さらには生成したポリアミック酸を加水分解させる原因となるので、有機溶媒はなるべく脱水乾燥させたものを用いることが好ましい。
また、テトラカルボン酸二無水物成分及び/又はジアミン成分が複数種の化合物からなる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させてもよく、個別に順次反応させてもよく、さらに個別に反応させた低分子量体を混合反応させ高分子量体としてもよい。
反応時間は、反応温度や原料物質の反応性に依存するため一概に規定できないが、通常1~100時間程度である。
また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な撹拌が困難となるので、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分との反応溶液中での合計濃度が、好ましくは1~50質量%、より好ましくは5~40質量%である。反応初期は高濃度で行い、その後、有機溶媒を追加することもできる。
ポリアミック酸をイミド化させる方法としては、ポリアミック酸の溶液をそのまま加熱する熱イミド化、ポリアミック酸の溶液に触媒を添加する触媒イミド化が挙げられる。
ポリアミック酸を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、100℃~400℃、好ましくは120℃~250℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方が好ましい。
塩基性触媒の量はポリアミック酸のアミド酸基の0.5~30モル倍、好ましくは1.5~20モル倍であり、酸無水物の量はポリアミック酸のアミド酸基の1~50モル倍、好ましくは2~30モル倍である。
酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。
触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。
ポリアミック酸及びポリイミドの反応溶液から、ポリマー成分を回収し、用いる場合には、反応溶液を貧溶媒に投入して沈殿させればよい。沈殿に用いる貧溶媒としてはメタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン、イソプロパノール、水などを挙げることができる。貧溶媒に投入して沈殿させたポリマーは濾過して回収した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱して乾燥することができる。
また、沈殿回収した重合体を、有機溶媒に再溶解させ、再沈殿回収する操作を2から10回繰り返すと、重合体中の不純物を少なくすることができる。この際の貧溶媒として例えばアルコール類、ケトン類、炭化水素など3種類以上の貧溶媒を用いると、より一層精製の効率が上がるので好ましい。
本発明に用いる二酸化ケイ素(シリカ)は特に限定されないが、粒子形態の二酸化ケイ素、例えば平均粒子径が100nm以下、例えば5nm~100nm、好ましくは5nm~55nmであり、より高透明の薄膜を再現性よく得る観点から、好ましくは5nm~50nm、より好ましくは5nm~45nm、より一層好ましくは5nm~35nm、さらに好ましくは5nm~30nmである。
本発明において二酸化ケイ素粒子の平均粒子径とは、二酸化ケイ素粒子を用いて窒素吸着法により測定された比表面積値から算出される平均粒子径値である。
また、メチルシリケートやエチルシリケート等のアルコキシシランを、アルコール等の有機溶媒中で触媒(例えば、アンモニア、有機アミン化合物、水酸化ナトリウム等のアルカリ触媒)の存在下において加水分解し、縮合して得られるシリカゾル、又はそのシリカゾルを他の有機溶媒に溶媒置換したオルガノシリカゾルも用いることができる。
これらの中でも本発明は分散媒が有機溶媒であるオルガノシリカゾルを用いることが好ましい。
上記のオルガノシリカゾルの粘度は、20℃で、0.6mPa・s~100mPa・s程度である。
本発明において二酸化ケイ素、例えばオルガノシリカゾルとして使用される上記製品に挙げたような二酸化ケイ素は、二種以上を混合して用いてもよい。
本発明で使用する架橋剤は、水素原子、炭素原子、窒素原子および酸素原子のみから構成される化合物であって、ヒドロキシ基、エポキシ基および炭素原子数1~5のアルコキシ基からなる群から選ばれる基を2つ以上有し、且つ、環構造を有する化合物からなる架橋剤である。ここで“水素原子、炭素原子、窒素原子および酸素原子のみから構成される”とは、上記4原子からなる群から選択される原子のみから構成されることを指し、すなわち、上記4原子を全て含みてそれら原子のみから構成されるだけでなく、上記4原子のうちの3原子のみ(例えば水素原子、炭素原子及び酸素原子、など)から構成されていてもよい。このような架橋剤を用いることで、耐溶剤性に優れる樹脂薄膜を再現性よく得ることができるだけでなく、保存安定性がより改善された樹脂組成物を実現することができる。
中でも、架橋剤における一化合物あたりのヒドロキシ基、エポキシ基および炭素原子数1~5のアルコキシ基の合計数は、得られる樹脂薄膜の耐溶剤性を再現性よく実現する観点から、好ましくは3以上であり、得られる樹脂薄膜の柔軟性を再現性よく実現する観点から、好ましく10以下、より好ましくは8以下、より一層好ましくは6以下である。
なお、環構造が2以上存在する場合、環構造同士が縮合していてもよく、メチレン基、エチレン基、トリエチレン基、プロパン-2,2-ジイル基等の炭素原子数1~5のアルカン-ジイル基等の連結基を介して環構造同士が結合していてもよい。
中でも、架橋剤の入手容易性、価格等を考慮すると、Xは、式(K1)および(K5)においてはエポキシ基が好ましく、式(K2)および(K3)においては炭素原子数1~5のアルコキシ基が好ましく、式(K4)においてはヒドロキシ基が好ましい。
市販品としては、CYMEL(登録商標)300、同301、同303LF,同303ULF、同304、同350、同3745、同XW3106、同MM-100、同323、同325、同327、同328、同385、同370、同373、同380、同1116、同1130、同1133、同1141、同1161、同1168、同3020、同202、同203、同1156、同MB-94、同MB-96、同MB-98、同247-10、同651、同658、同683、同688、同1158、同MB-14、同MI-12-I、同MI-97-IX、同U-65、同UM-15、同U―80、同U-21-511、同U-21-510、同U-216-8、同U-227-8、同U-1050-10、同U-1052-8、同U-1054、同U-610、同U-640、同UB-24-BX、同UB-26-BX、同UB-90-BX、同UB-25-BE、同UB-30-B、同U-662、同U-663、同U-1051、同UI-19-I、同UI-19-IE、同UI-21-E、同UI-27-EI、同U-38-I、同UI-20-E同659、同1123、同1125、同5010、同1170、同1172、同NF3041、同NF2000等(以上、allnex社製);TEPIC(登録商標)V、同S、同HP、同L、同PAS、同VL、同UC(以上、日産化学工業(株)製)、TM-BIP-A(旭有機材工業(株)製)、1,3,4,6-テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(以下、TMGと略す)(東京化成工業(株)製)、4,4’-メチレンビス(N,N-ジグリシジルアニリン)(Aldrich社製)等が挙げられる。
本発明の樹脂薄膜形成用組成物は、前記ポリイミド及び二酸化ケイ素に加えて、有機溶媒を含む。該有機溶媒は、特に限定されるものではなく、例えば、上記ポリアミック酸及びポリイミドの調製時に用いた反応溶媒の具体例と同様のものが挙げられる。より具体的には、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N-エチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。なお、有機溶媒は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらの中でも、平坦性の高い樹脂薄膜を再現性よく得ることを考慮すると、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトンが好ましい。
本発明は、前記ポリイミドと二酸化ケイ素と有機溶媒とを含有する樹脂薄膜形成用組成物である。ここで本発明の樹脂薄膜形成用組成物は、均一なものであって、相分離は認められないものである。
本発明の樹脂薄膜形成用組成物において、前記ポリイミドと前記二酸化ケイ素の配合比は、質量比で、ポリイミド:二酸化ケイ素=10:1~1:10であることが好ましく、より好ましくは8:2~2:8、例えば7:3~3:7である。
本発明の樹脂薄膜形成用組成物において、架橋剤の配合割合は、前記ポリイミド及び前記二酸化ケイ素の合計質量に対して、0.1~200質量%、好ましくは0.2~100質量%である。
また本発明の樹脂薄膜形成用組成物における固形分量の配合量は、通常0.5~30質量%程度、好ましくは5~25質量%程度である。固形分濃度が0.5質量%未満であると樹脂薄膜を作製する上において製膜効率が低くなり、また樹脂薄膜形成用組成物の粘度が低くなるため、表面が均一な塗膜を得られにくい。また固形分濃度が30質量%を超えると、樹脂薄膜形成用組成物の粘度が高くなりすぎて、やはり成膜効率の悪化や塗膜の表面均一性に欠ける虞がある。なおここでいう固形分量とは、有機溶媒以外の成分の総質量を意味し、液状のモノマー等であっても固形分として重量に含めるものとする。
なお樹脂薄膜形成用組成物の粘度は、作製する樹脂薄膜の厚み等を勘案し適宜設定するものではあるが、特に5~50μm程度の厚さの樹脂薄膜を再現性よく得ること目的とする場合、通常、25℃で500~50,000mPa・s程度、好ましくは1,000~20,000mPa・s程度である。
本発明の樹脂薄膜形成用組成物は、上述の方法で得られたポリイミド並びに二酸化ケイ素を上述の有機溶媒に溶解して得ることができるし、ポリイミドの調製後の反応溶液に二酸化ケイ素を添加し、所望により前記有機溶媒を更に加えたものとしてもよい。
以上説明した本発明の樹脂薄膜形成用組成物を基材に塗布して乾燥・加熱することで有機溶媒を除去し、高い耐熱性と、高い透明性と、適度な柔軟性と、適度な線膨張係数とを有し、しかもリタデーションの小さい樹脂薄膜を得ることができる。
そして上記樹脂薄膜、すなわち上記ポリイミドと、上記無機シリカ化合物とを含有する樹脂薄膜も本発明の対象である。さらに前記ポリイミド及び二酸化ケイ素に加え、さらに触媒を含む樹脂薄膜も本発明の対象である。
特に、電子デバイスの基板材料として適用する場合においては、既存設備を利用することができるという観点から、適用する基材がガラス、シリコンウェハであることが好ましく、また得られる樹脂薄膜が良好な剥離性を示すことからガラスであることがさらに好ましい。なお、適用する基材の線膨張係数としては塗工後の基材の反りの観点から、30ppm/℃以下、さらに好ましくは、20ppm/℃以下あることがさらに好ましい。
また、得られる樹脂薄膜の耐熱性と線膨張係数特性を考慮すると、塗布した樹脂薄膜形成用組成物を40℃~100℃で5分間~2時間加熱した後に、そのまま段階的に加熱温度を上昇させ、最終的に175℃超~280℃で30分~2時間加熱することが望ましい。このように、溶媒を乾燥させる段階と分子配向を促進する段階の2段階以上の温度で加熱することにより、低熱膨張特性を発現させることができる。
特に、塗布した樹脂薄膜形成用組成物は、40℃~100℃で5分間~2時間加熱した後に、100℃超~175℃で5分間~2時間、次いで、175℃超~280℃で5分~2時間加熱することが好ましい。
加熱に用いる器具は、例えばホットプレート、オーブン等が挙げられる。加熱雰囲気は、空気下であっても窒素等の不活性ガス下であってもよく、また、常圧下であっても減圧下であってもよく、また加熱の各段階において異なる圧力を適用してもよい。
なおこのようにして形成された樹脂薄膜を基材から剥離する方法としては特に限定はなく、該樹脂薄膜を基材ごと冷却し、薄膜に切れ目を入れ剥離する方法やロールを介して張力を与えて剥離する方法等が挙げられる。
更に、該樹脂薄膜は、例えば50℃乃至200℃における線膨張係数が60ppm/℃以下、特に10ppm/℃乃至35ppm/℃という低い値を有することができ、加熱時の寸法安定性に優れたものである。
特に該樹脂薄膜は、入射光の波長を590nmとした場合における複屈折(面内の直交する2つの屈折率の差)と膜厚との積で表される面内リタデーションR0、並びに、厚さ方向の断面からみたときの2つの複屈折(面内の2つの屈折率と厚さ方向の屈折率との夫々の差)にそれぞれ膜厚を掛けて得られる2つの位相差の平均値として表される厚さ方向リタデーションRthが、いずれも非常に小さいことを特長とする。本発明の樹脂薄膜は、平均膜厚がおよそ15μm~40μmの場合に、厚さ方向のリタデーションRthが700nm未満、例えば300nm以下、例えば1nm~300nmであり、面内リタデーションR0が4未満、例えば0.1~3.9であり、複屈折Δnが、0.01未満、例えば0.0003~0.009といった非常に低い値を有する。
装置:昭和電工(株)製、Showdex GPC-101
カラム:KD803およびKD805
カラム温度:50℃
溶出溶媒:DMF、流量:1.5ml/分
検量線:標準ポリスチレン
CBDA:1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
BODAxx:ビシクロ[2,2,2]オクタン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物
<ジアミン>
TFMB:2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
<有機溶媒>
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
GBL:γ-ブチロラクトン
窒素注入/排出口を有し、ディーンスターク装置とメカニカルスターラーが取り付けられた250mLの三口反応フラスコ内に、TFMB 12.8092g(0.04mol)、γ-ブチロラクトン(GBL)60.85gを加え、撹拌を開始した。ジアミン(TFMB)が溶媒に完全に溶解した後、BODAxx 5.001g(0.02モル)及びGBL 13.04gを加え、窒素雰囲気下にて90℃で20分間加熱した。その後、CBDA 3.922g(0.02mol)とGBL(γ-ブチロラクトン)13.04gを加え、窒素雰囲気下にて20分間反応させた。1-エチルピペリジン 0.87g(0.0076mol)を反応物に加え、温度180℃に昇温させ、7時間保持した。反応混合物にGBLを加えて、固形分濃度(有機溶媒を除いた成分の濃度)が10質量%となるように希釈した。その後、希釈した反応混合物をメタノール760gに加え、30分間撹拌し、そしてろ過によってろ物を回収した。この手順を3回繰り返した。
最後に、得られたろ物を真空オーブン下150℃で8時間乾燥し、目的とするポリイミド(I) 18.77gを得た。(収率86.4%、Mw:205,321、Mn:77,087)。
1000mLの丸底フラスコに、日産化学工業(株)製メタノール分散シリカゾル:MA-ST-M 350g(シリカ固形分濃度:40.4質量%)とγ-ブチルラクトン419gを入れた。そして、そのフラスコを真空エバポレーターと繋いでフラスコ内を減圧にし、約35℃の温水浴に20~50分間浸すことで、溶媒がメタノールからγ-ブチルラクトンに置換されたシリカゾル(GBL-M)約560.3gを得た(シリカ固形分濃度:25.25質量%)。
なお、上記シリカゾルにおいて、窒素吸着法により測定された比表面積値から算出される平均粒子径は22nmであった。なお具体的には、シリカゾルの乾燥粉末の比表面積をユアサアイオニクス社製、比表面積測定装置モノソーブMS-16を用いて測定し、測定された比表面積S(m2/g)を用いてD(nm)=2720/Sの式で平均一次粒子径を算出した。
[実施例1-1]
室温で、合成例で調製した粉末ポリイミド(I)1gをGBLに溶解し、得られた溶液を5μmのフィルタを用いてゆっくりと加圧ろ過し、固形分濃度が8質量%の溶液(ポリイミド溶液(I))を調製した。このポリイミド(I)溶液中に、調製例で調製したGBL-Mシリカゾル(シリカ固形分濃度:25.25質量%)9.24gとサイメル(Cymel)303(純度100%) 1.428gを加え、一晩撹拌して、樹脂薄膜形成用組成物を得た。
[実施例1-2]
サイメル(Cymel)303 1.428gの代わりに、1,3,4,6-テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(TMG)(純度99%) 1.442gを用いた以外には、実施例1-1と同じ方法で樹脂薄膜形成用組成物を得た。
[実施例1-3]
GBL-Mシリカゾル 9.24gとサイメル(Cymel)303 1.428gの代わりに、GBL-Mシリカゾル 3.96gとTEPIC-L(純度99%) 0.866gを用いた以外には、実施例1-1と同じ方法で樹脂薄膜形成用組成物を得た。
[実施例1-4]
サイメル(Cymel)303 1.428gの代わりに、サイメル(Cymel)303(純度100%) 0.594gとTM-BIP-A(純度98%) 0.0396gを用いた以外には、実施例1-1と同じ方法で樹脂薄膜形成用組成物を得た。
[比較例1-A]
サイメル(Cymel)303 1.428gを使用しない以外には、実施例1-1と同じ方法で樹脂薄膜形成用組成物を得た。
[実施例2-1]
実施例1-1で得られた樹脂薄膜形成用組成物をガラス基板に塗布し、塗膜を大気下で50℃で30分間、140℃で30分間、200℃で60分間、続いて窒素雰囲気下で280℃で60分間順次加熱して樹脂薄膜を得た。
得られた薄膜を機械的切断にて剥がし、その後の評価に供した。
[実施例2-2~実施例2-4、比較例2-A]
実施例1-1で得られた樹脂薄膜形成用組成物の代わりに、実施例1-2~1-4及び比較例1-Aで得られた樹脂薄膜形成用組成物を用いた以外は、上記と同様の方法にて、各樹脂薄膜を得た。
上述の手順にて作製した各樹脂薄膜(評価試料)の耐熱性及び光学特性、すなわち、50℃乃至200℃における線膨張係数(CTE)、5%重量減少温度(Td5%)、光線透過率(T308nm、T400nm、T550nm)及びCIE b*値(黄色評価)、リタデーション(Rth、R0)並びに複屈折(Δn)に関して、下記手順に従いそれぞれ評価した。結果を表1に示す。
1)線膨張係数(CTE)
TAインスツルメンツ社製 TMA Q400を用いて、薄膜を幅5mm、長さ16mmのサイズにカットし、まず10℃/minで昇温して50乃至300℃まで加熱(第一加熱)し、次いで10℃/minで降温して50℃まで冷却した後に、10℃/minで昇温して50乃至420℃まで加熱(第二加熱)した際の、第二加熱の50℃乃至200℃における線膨張係数(CTE[ppm/℃])の値を測定することで求めた。なお、第一加熱、冷却および第二加熱を通じて、荷重0.05Nを加えた。
2)5%重量減少温度(Td5%)
5%重量減少温度(Td5%[℃])は、TAインスツルメンツ社製 TGA Q500を用い、窒素中、薄膜約5乃至10mgを50乃至800℃まで10℃/minで昇温して測定することで求めた。
3)光線透過率(透明性)(T308nm、T400nm、T550nm)及びCIE b値(CIE b*)
波長308nm、400nm及び550nmの光線透過率(T308nm、T400nm、T550nm[%])及びCIE b値(CIE b*)は、日本電色工業(株)製 SA4000スペクトロメーターを用いて、室温にて、リファレンスを空気として、測定を行った。
4)リタデーション(Rth、R0)
厚さ方向リタデーション(Rth)及び面内リタデーション(R0)を、王子計測機器(株)製、KOBURA 2100ADHを用いて、室温にて測定した。
なお、厚さ方向リタデーション(Rth)及び面内リタデーション(R0)は以下の式にて算出される。
R0=(Nx-Ny)×d=ΔNxy×d
Rth=[(Nx+Ny)/2-Nz]×d=[(ΔNxz×d)+(ΔNyz×d)/2
Nx、Ny:面内の直交する2つの屈折率(Nx>Ny、Nxを遅相軸、Nyを進相軸とも称する)
Nz:面に対して厚さ(垂直)方向(垂直)の屈折率
d:膜厚
ΔNxy:面内の2つの屈折率の差(Nx-Ny)(複屈折)
ΔNxz:面内の屈折率Nxと厚さ方向の屈折率Nzの差(複屈折)
ΔNyz:面内の屈折率Nyと厚さ方向の屈折率Nzの差(複屈折)
5)膜厚(d)
得られた薄膜の膜厚は、(株)テクロック製 シックネスゲージにて測定した。
6)複屈折(Δn)
前述の<4)リタデーション>により得られた厚さ方向リタデーション(Rth)の値を用い、以下の式にて算出した。
ΔN=[Rth/d(フィルム膜厚)]/1000
室温にて、実施例2-1で得られた薄膜(3cm×3cmの長方形フィルム)を、60乃至70℃の試験溶媒に3乃至5分間浸漬した。試験溶媒として、TOK106(東京応化工業(株)製)、NMP、溶媒A(NMP:PGME:脱イオン水:テトラヒドロフルフリルアルコール=30質量%:30質量%:20質量%:20質量%)、又は溶媒B(NMP:PGME:脱イオン水:テトラヒドロフルフリルアルコール=50質量%:10質量%:20質量%:20質量%)を用いた。
溶媒試験後、フィルムを脱イオン水で洗浄し、水滴を200℃の大気オーブンにて10分間乾燥させた。
本試験前後にフィルム質量を測定し、その変化率を算出して質量減少[%]として評価した(マイナス値は質量が減少したことを反映)。また本試験前後のフィルム外観を目視にて観察した。
[実施例3-2~3-4、比較例3-A]
実施例2-2~2-4及び比較例2-Aで得られた薄膜を用いて、実施例3-1と同様に溶媒浸漬試験を実施した。なお実施例3-3及び実施例3-4は試験溶媒としてTOK106のみを用いて試験を実施した。
一方比較例の樹脂薄膜は、実施例と同様の耐熱性及び光学特性を有してはいたものの、耐溶剤性に劣る結果となった。
このように、本発明の樹脂薄膜形成用組成物をジアミンを用いて製造した樹脂薄膜は、低線膨張係数、高い透明性(高い光線透過率、低い黄色度)、低いリタデーション、優れた溶剤耐性という特性を有し、すなわちフレキシブルディスプレイ基板のベースフィルムとして必要な要件を満たすものであり、フレキシブルディスプレイ基板のベースフィルムとして特に好適に用いることができることが期待できる。
Claims (7)
- ポリイミド、
窒素吸着法により測定された比表面積値から算出される平均粒子径が100nm以下である二酸化ケイ素粒子、
水素原子、炭素原子、窒素原子および酸素原子のみから構成される化合物であって、ヒドロキシ基、エポキシ基および炭素原子数1~5のアルコキシ基からなる群から選ばれる基を2以上有し、且つ、環状構造を有する化合物からなる架橋剤、及び
有機溶媒
を含む樹脂薄膜形成用組成物。 - 前記ポリイミドが、脂環式テトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物成分と含フッ素芳香族ジアミンを含むジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸をイミド化して得られるポリイミドである、請求項1に記載の樹脂薄膜形成用組成物。
- 前記ポリイミドと前記二酸化ケイ素粒子の質量比が、7:3~3:7である、請求項1乃至請求項4のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物。
- 前記二酸化ケイ素粒子の平均粒子径が、60nm以下である、請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物。
- 請求項1乃至請求項6のうちいずれか一項に記載の樹脂薄膜形成用組成物から形成される樹脂薄膜。
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