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WO2016031294A1 - 有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器 - Google Patents

有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器 Download PDF

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Publication number
WO2016031294A1
WO2016031294A1 PCT/JP2015/061331 JP2015061331W WO2016031294A1 WO 2016031294 A1 WO2016031294 A1 WO 2016031294A1 JP 2015061331 W JP2015061331 W JP 2015061331W WO 2016031294 A1 WO2016031294 A1 WO 2016031294A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
solar cell
film solar
cell module
organic thin
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/061331
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
陽一 青木
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
Publication of WO2016031294A1 publication Critical patent/WO2016031294A1/ja
Priority to US15/442,360 priority Critical patent/US10886484B2/en

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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present embodiment relates to an organic thin film solar cell module, a manufacturing method thereof, and an electronic device.
  • Organic thin-film solar cells featuring ultra-thin, light weight, and flexibility are manufactured by printing methods such as the ink-jet method at room temperature and atmospheric pressure, realizing a high degree of freedom in shape and excellent design. Is possible.
  • a general organic thin film solar cell module adopts a structure that is folded in a strip shape so that adjacent cells are connected in series in order to realize a high open circuit voltage.
  • This embodiment provides an organic thin-film solar cell module that has a good appearance without impairing the appearance, a manufacturing method thereof, and an electronic device.
  • the substrate, the first and second transparent electrode layers disposed on the substrate, and the substrate and the first and second transparent electrode layers are disposed.
  • An organic layer, a plurality of dot-shaped contact holes arranged in a direction perpendicular to the organic layer to the second transparent electrode layer, and the organic layer and the dot-shaped contact hole There is provided an organic thin-film solar cell module including a metal electrode layer disposed on a second transparent electrode layer and a passivation layer disposed on the metal electrode layer.
  • a substrate disposed on the substrate, and disposed on the substrate and the first and second transparent electrode layers.
  • the organic layer a plurality of dot-like contact holes arranged in a direction perpendicular to the organic layer to the second transparent electrode layer, and the organic layer and via the dot-like contact holes
  • an organic thin film solar cell module in which a plurality of organic thin film solar cells each having a metal electrode layer disposed on the second transparent electrode layer and a passivation layer disposed on the metal electrode layer are connected in series. Is done.
  • an electronic device including the above organic thin film solar cell module is provided.
  • the steps of forming the first transparent electrode layer and the second transparent electrode layer on the substrate, and on the substrate and the first and second transparent electrode layers A step of forming an organic layer, a step of forming a plurality of dot-shaped contact holes penetrating to the second transparent electrode layer in a direction perpendicular to the organic layer, and the dot-shaped contact on the organic layer.
  • a method for producing an organic thin-film solar cell module comprising a step of forming a metal electrode layer on the second transparent electrode layer through a hole and a step of forming a passivation layer on the metal electrode layer.
  • an organic thin-film solar cell module it is possible to provide an organic thin-film solar cell module, a method for manufacturing the same, and an electronic device that improve the structure of the series junction portion and have a good appearance without impairing the appearance.
  • FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line II of FIG. 2.
  • FIG. 3 is a schematic enlarged view of a portion C in FIG. 2. Explanatory drawing of the dimension of each part by the side of the terminal extraction surface of the organic thin-film solar cell module which concerns on a comparative example.
  • FIG. 10 is a schematic enlarged view of a portion E in FIG. 9.
  • FIG. 11 is a schematic enlarged view of a portion F in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along the line II-II in FIG. 10 corresponding to a portion having a dot-like contact hole in the organic thin film solar cell module according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along the line III-III in FIG. 10 corresponding to a portion having no dot-like contact hole in the organic thin film solar cell module according to the embodiment.
  • the organic thin-film solar cell module which concerns on embodiment It is a dot-like contact hole shape, Comprising: (a) Arrangement example of circular dot, (b) Arrangement example of rectangular dot, (c) Arrangement example of square dot.
  • the organic thin-film solar cell module according to the embodiment is an arrangement example in which circular dot-shaped contact holes are applied, (a) a schematic plan pattern configuration diagram on the light-receiving surface side, and (b) a schematic diagram on the terminal extraction surface side.
  • FIG. 25A is a schematic plan configuration diagram showing one state of a method for manufacturing an organic thin film solar cell module according to an embodiment, wherein (a) a transparent electrode layer is patterned on a substrate;
  • FIG. 4 is a schematic sectional view taken along line IV-IV.
  • FIG. 26A is a schematic plan configuration diagram showing one state of a method for manufacturing an organic thin-film solar cell module according to an embodiment, in which (a) an organic layer is patterned on a transparent electrode layer, and (b) FIG.
  • FIG. 1B Is a schematic sectional view taken along the line VV of FIG. 1B is a schematic plan configuration diagram showing a state in which a contact hole reaching the transparent electrode layer is patterned on the organic layer, which is a step of the method for manufacturing the organic thin-film solar cell module according to the embodiment;
  • FIG. 28 is a schematic sectional view taken along the line VI-VI in FIG. It is one process of the manufacturing method of the organic thin-film solar cell module which concerns on embodiment, Comprising: (a) The typical plane block diagram which shows the state which patterned the metal electrode layer on the organic layer, (b) FIG. ) Is a schematic sectional view taken along line VII-VII.
  • FIG. 4B is a schematic sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 30A is a schematic plan configuration diagram showing a state in which a passivation layer is formed on a metal electrode layer, which is a step of the method for manufacturing an organic thin-film solar cell module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line IX-IX.
  • the manufacturing method of the organic thin-film solar cell module which concerns on embodiment, it is a manufacturing method of the ITO substrate which patterned the transparent electrode layer on the board
  • FIG. 31 (e) it is the mode of the etching cross section of patterning part SP of a transparent electrode layer, Comprising: (a) SEM observation example, (b) Cross-section profile example.
  • “transparent” is defined as having a transmittance of about 50% or more. Further, “transparent” is also used in the meaning of being colorless and transparent to visible light in the organic thin film solar cell module according to the embodiment. Visible light corresponds to a wavelength of about 360 nm to 830 nm and an energy of about 3.45 eV to 1.49 eV, and is transparent if the transmittance is 50% or more in this region.
  • FIG. 1 The schematic plane pattern configuration on the light receiving surface side of the organic thin film solar cell module 100A according to the comparative example is expressed as shown in FIG. 1, and the schematic plane pattern configuration on the terminal extraction surface side is expressed as shown in FIG. Is done. 2 is represented as shown in FIG. 3, and an example of an optical micrograph corresponding to the portion A in FIG. 1 is represented as shown in FIG.
  • FIG. 5 a schematic enlarged view of part C in FIG. 2 is represented as shown in FIG.
  • an organic thin-film solar cell module 100A includes a substrate 10, and a first transparent electrode layer 11 1 and a second transparent electrode layer 11 2 disposed on the substrate 10.
  • the organic layer 14 disposed on the substrate 10 and on the transparent electrode layers 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 , 11 5 , and the transparent electrode layers 11 2 , 11 in a direction perpendicular to the organic layer 14.
  • Striped contact holes arranged through 3 ⁇ 11 4 ⁇ 11 5, and on the organic layer 14 and the transparent electrode layers 11 2 , 11 3 , 11 4 and 11 5 through the striped contact holes.
  • the metal electrode layer is disposed, and the passivation layers 26, 28, 30, and 32 are disposed on the metal electrode layers 16 1 , 16 2 , 16 3, and 16 4 .
  • the width W1 of the organic thin-film solar cell module according to the comparative example is about 10.3 mm
  • the module length L1 is about 29.6 mm
  • the length L A of the anode extraction electrode A is about 3. 8 mm.
  • the cell width W E of the organic thin-film solar cell module according to the comparative example is, for example, about 8.6 mm, and the cell length L C is, for example, about 6.75 mm.
  • the length L E of the light-receiving active area of 4 cells in series arrangement for example, about 27.85Mm
  • overall length L Et of receiving the effective area is, for example, about 28.2 mm.
  • the organic power generation layer is exposed using a printing method such as an inkjet method in order to expose the organic power generation layer to the external atmosphere.
  • the organic layer is scribed in stripes using high-density oxygen plasma, a semiconductor laser (for example, a wavelength of about 532 nm), or a mechanical scriber.
  • the organic thin-film solar cell module 100A according to the comparative example employs a structure that is folded in a strip shape so that adjacent organic thin-film solar cells 1 are connected in series in order to realize a high open circuit voltage.
  • the transparent electrode layer 11 and the metal electrode layer 16 are in direct contact with each other at the portion D where the cells are joined, the stripe line 60 of the metal electrode layer 16 appears on the appearance as shown in FIGS. It is visible and the appearance is damaged.
  • FIG. 9 The schematic planar pattern configuration on the light-receiving surface side of the organic thin-film solar cell module 100 according to the embodiment is represented as shown in FIG. 9, and the schematic planar pattern configuration on the terminal extraction surface side is as shown in FIG. expressed. Further, a schematic enlarged view of the E portion in FIG. 9 is represented as shown in FIG. 11, and a schematic enlarged view of the F portion in FIG. 10 is represented as shown in FIG.
  • the joint portions of the transparent electrode layer 11 and the metal electrode layer 16 provided for connecting the adjacent organic thin film solar cells 1 in series are provided in stripes. Instead, as shown in FIG. 11 to FIG. 12, the influence of the appearance is suppressed by arranging the dot-like contact holes 50 at regular intervals.
  • a schematic cross-sectional structure taken along line II-II in FIG. 10 corresponding to a portion where the dot-shaped contact hole 50 is present is expressed as shown in FIG.
  • a schematic cross-sectional structure taken along line III-III in FIG. 10 corresponding to a portion where the contact hole 50 is not present is expressed as shown in FIG.
  • the organic thin-film solar cell module 100 includes a substrate 10 and transparent electrode layers 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4, and 11 arranged on the substrate 10. 5 , the organic layer 14 disposed on the substrate 10 and the transparent electrode layers 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 , 11 5 , and the transparent electrode layer 11 2.
  • the organic thin-film solar cell module 100 includes a substrate 10, transparent electrode layers 11 1 and 11 2 disposed on the substrate 10, and on the substrate 10 and An organic layer 14 disposed on the transparent electrode layers 11 1 and 11 2 , a plurality of dot-like contact holes 50 disposed penetrating to the transparent electrode layer 11 2 in a direction perpendicular to the organic layer 14, and an organic layer comprises a metal electrode layer 16 1 disposed on the transparent electrode layer 11 2 through 14 and the dot-shaped contact hole 50, and a passivation layer 26, 28, 30, 32 placed on the metal electrode layer 16 1
  • a plurality of organic thin film solar cells may be connected in series.
  • the dot-shaped contact hole 50 may have a circular, rectangular, or square shape.
  • the passivation layers 26, 28, 30, 32 may include SiN films or SiON films.
  • the passivation layer may be repeatedly laminated to form a multi-layer protective film.
  • the passivation layers 26 and 30 may be formed of an inorganic protective film such as a SiN film or a SiON film, and the passivation layers 28 and 32 may be formed of an organic protective film such as a resin layer.
  • the organic thin film solar cell module 100 employs a structure that is folded in a strip shape so that adjacent organic thin film solar cells 1 are connected in series in order to achieve a high open circuit voltage. Moreover, by arranging the contact portions 50 between the transparent electrode layer 11 and the metal electrode layer 16 provided for connecting the adjacent organic thin-film solar cells 1 in series with the dot-like contact holes 50 at regular intervals or irregular intervals, The influence of can be suppressed.
  • explanatory drawing of the dimension of each part by the side of the terminal extraction surface of the organic thin film solar cell module which concerns on embodiment is represented as shown in FIG. 15, and explanatory drawing of the dimension of each part by the side of a light-receiving surface is shown in FIG. Represented as shown.
  • the width W1 of the organic thin film solar cell module according to the embodiment is, for example, about 10.3 mm
  • the module length L1 is, for example, about 29.6 mm
  • the length L A of the anode extraction electrode A is, for example, about 3 .8 mm.
  • the cell width W E of the organic thin film solar cell module according to the embodiment is, for example, about 8.6 mm, and the cell length L C is, for example, about 6.75 mm.
  • the length L E of the light-receiving active area of 4 cells in series arrangement for example, about 27.85Mm
  • overall length L Et of receiving the effective area is, for example, about 28.2 mm.
  • the dot-shaped contact hole 50 has a shape, and an arrangement example of circular dots is represented as shown in FIG. 17A, and an arrangement example of rectangular dots is shown in FIG. As shown in FIG. 17B, an example of the arrangement of square dots is shown as shown in FIG.
  • the diameter D1 of the circular dot is, for example, about 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the horizontal width D2 of the rectangular dots is, for example, about 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the horizontal width D3 of the rectangular dots is, for example, about 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the interval between the dots is, for example, about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m. Further, the interval between the dots may be a constant interval or an indefinite interval.
  • the organic thin-film solar cell module 100 it is an arrangement example in which the circular dot contact hole 50 is applied, and a typical plane pattern configuration example on the light receiving surface side is represented as shown in FIG. Then, a typical plane pattern configuration example on the terminal extraction surface side is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 1 A typical plane pattern configuration example on the terminal extraction surface side is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 1 A typical plane pattern configuration example on the terminal extraction surface side is expressed as shown in FIG.
  • the shape of the dot-shaped contact hole 50 is not limited to the above, but may be arranged in a line shape such as a broken line shape or a one-dot chain line shape although it is not a stripe. That is, the dot shape for patterning the organic layer is not limited to a circle but may be linear, rectangular, rectangular, square, or the like.
  • the three-dimensional shape may be a cylindrical shape or a rectangular shape.
  • the rectangular shape is a solid whose all six surfaces are rectangular (including at least one) or square.
  • the organic power generation layer is exposed using a printing method such as an inkjet method in order to expose the organic power generation layer to the external atmosphere.
  • the organic layer is scribed in stripes using high-density oxygen plasma, a semiconductor laser (for example, a wavelength of about 532 nm), or a mechanical scriber.
  • the organic layer is provided, for example, at intervals of about 10 ⁇ m or more, for example, circular dots having a diameter of about 1.0 ⁇ m or more at regular or indefinite intervals.
  • the junction with the adjacent cell is carried out.
  • the organic layer 14 includes a hole transport layer disposed on the transparent electrode layer 11 and a bulk heterojunction organic active layer disposed on the hole transport layer. May be.
  • the multi-layer protective film includes a passivation layer 26, a passivation layer (colored barrier layer) 28, a backsheet passivation layer 30, and a resin layer 40.
  • the colored barrier layer 28 can be formed of, for example, an ultraviolet curable resin.
  • a coloring agent may be added to the colored barrier layer 28.
  • black can be applied, for example, carbon black
  • blue can be applied, for example, a phthalocyanine paint
  • red for example, alizarin paint.
  • the colored barrier layer 28 can cover spots formed on the passivation layer 26 such as a SiN film or a SiON film.
  • the colored barrier layer 28 disposed on the passivation layer 26 serves as a protective layer for the cell.
  • the colored barrier layer 28 can be formed of a color filter that can be patterned arbitrarily by ultraviolet (UV) irradiation.
  • UV ultraviolet
  • the organic thin-film solar cell module 100 is formed by laminating an organic layer 14 having a thickness of about several hundreds of nm serving as a power generation layer on a glass substrate 10 with ITO.
  • the second electrode layer 16 is made by vapor-depositing a metal layer such as aluminum.
  • a passive film may be formed in order to provide durability.
  • the organic layer 14 is disposed on the substrate 10, it is possible to prevent the organic layer from being damaged when the passivation layer 26 is formed by forming a passivation film.
  • an organic thin-film solar cell module that improves the structure of the series junction site and has a good appearance without impairing the appearance.
  • FIG. 21 A schematic diagram for explaining the operation principle of the organic thin-film solar battery cell 1 applicable to the organic thin-film solar battery module according to the embodiment is expressed as shown in FIG. Moreover, the energy band structure of the various materials of the organic thin film photovoltaic cell 1 shown in FIG. 21 is expressed as shown in FIG. With reference to FIG. 21 and FIG. 22, the fundamental structure and operation
  • the organic thin-film solar cell 1 includes a substrate 10, a transparent electrode layer 11 disposed on the substrate 10, and a hole transport layer 12 disposed on the transparent electrode layer 11.
  • the bulk heterojunction organic active layer 14A disposed on the hole transport layer 12 and the second electrode layer 16 disposed on the bulk heterojunction organic active layer 14A.
  • the second electrode layer 16 is made of, for example, aluminum (Al) and serves as a cathode electrode layer.
  • the bulk heterojunction organic active layer 14A includes a p-type organic active layer region and an n-type organic active layer region, as shown in the right diagram of FIG. 21, and forms a complex bulk hetero pn junction.
  • the p-type organic active layer region is formed of, for example, P3HT (poly (3-hexylthiophene-2,5diyl)), and the n-type organic active layer region is, for example, PCBM (6,6-phenyl-C61-). butyric acid methyl ester).
  • P3HT poly (3-hexylthiophene-2,5diyl
  • PCBM 6,6-phenyl-C61-
  • the chemical structural formula of P3HT applied to the bulk heterojunction organic active layer 14A is expressed as shown in FIG. 24A, and the chemistry of PCBM applied to the bulk heterojunction organic active layer 14A.
  • the structural formula is expressed as shown in FIG.
  • the passive film is composed of an oxide film of the metal electrode layer 16.
  • the oxide film of the metal electrode layer 16 can be formed by subjecting the surface of the metal electrode layer 16 to oxygen plasma treatment.
  • the thickness of the passive film is, for example, from about 10 angstroms to about 100 angstroms.
  • a passivation film disposed on the passivation film may be provided. This passivation film can be composed of, for example, a SiN film or a SiON film.
  • the metal electrode layer 16 may be made of any one of Al, W, Mo, Mn, and Mg.
  • the passive film is an alumina (Al 2 O 3 ) film.
  • the metal electrode layer 16 is oxidized by the moisture / oxygen. Can be prevented. Thereby, deterioration of an organic thin film photovoltaic cell can be suppressed and durability can be improved.
  • the organic thin-film solar cell module 100 is formed by laminating an organic layer 14 of about several hundreds of nanometers serving as a power generation layer on a glass substrate 10 with ITO and depositing a metal such as aluminum. Since pure aluminum formed as a metal electrode layer is easily oxidized, an inorganic passivation film such as SiN or SiON by chemical vapor deposition (CVD) method and a resin protective film are used for durability. A multi-layer protective film laminated in multiple layers is used as a barrier film.
  • the method of manufacturing the organic thin-film solar cell module 100 includes the steps of forming the transparent electrode layers 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4, and 11 5 on the substrate 10, the substrate 10 and the transparent electrode layer Step of forming organic layer 14 on 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 , 11 5, and up to transparent electrode layers 11 2 , 11 3 , 11 4 , 11 5 in the direction perpendicular to the organic layer 14
  • the step of forming the passivation layers 26, 28, 30, 32 may include a step of forming a multi-layer protective film.
  • the step of forming the dot-like contact hole 50 may include a patterning step using oxygen plasma.
  • the step of forming the organic layer 14 may include a forming step by an ink jet method.
  • the step of forming the dot-shaped contact hole 50 may include a step of forming the organic layer 14 separately by an inkjet method.
  • FIG. 25A shows a schematic plan configuration showing a state in which the transparent electrode layer 11 is patterned on the substrate 10 in one step of the method for manufacturing the organic thin film solar cell module 100 according to the embodiment.
  • a schematic cross-sectional structure taken along line IV-IV in FIG. 25A is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 26A shows a schematic plan configuration showing a state in which the organic layer 14 is patterned on the transparent electrode layer 11 in one process of the method for manufacturing the organic thin-film solar cell module 100 according to the embodiment.
  • a schematic cross-sectional structure taken along the line VV in FIG. 26A is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 27A A schematic plan configuration showing a state in which the dot-shaped contact hole 50 reaching the transparent electrode layer 11 is patterned in the organic layer 14 in one step of the method for manufacturing the organic thin-film solar cell module 100 according to the embodiment.
  • the schematic cross-sectional structure shown in FIG. 27A and taken along the line VI-VI in FIG. 27A is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 28A A schematic plan configuration is expressed as shown in FIG. 28A, and a schematic cross-sectional structure taken along line VII-VII in FIG. 28A is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 28B shows a schematic cross-sectional structure in a portion where the dot-like contact hole 50 is not present.
  • FIG. 29A A schematic plan configuration showing the state is expressed as shown in FIG. 29A, and a schematic cross-sectional structure taken along line VIII-VIII in FIG. 29A is expressed as shown in FIG.
  • FIG. 29B shows a schematic cross-sectional structure in a portion where the dot-like contact hole 50 exists.
  • FIG. 30 is a schematic plan view showing a state in which the passivation layers 26, 25, 30, and 32 are formed on the metal electrode layer 16 in one step of the method of manufacturing the organic thin film solar cell module 100 according to the embodiment.
  • a schematic cross-sectional structure expressed as shown in FIG. 30A and taken along line IX-IX in FIG. 30A is expressed as shown in FIG.
  • a glass substrate 10 (for example, about 50 mm in length ⁇ about 50 mm in width ⁇ about 0.7 mm in thickness) washed with pure water, acetone, and ethanol is placed in an ICP etcher, and the surface of the glass substrate 10 is obtained by O 2 plasma Remove deposits (glass substrate surface treatment).
  • O 2 plasma Remove deposits glass substrate surface treatment.
  • the glass substrate for example, an alkali-free glass substrate with ITO may be used.
  • the transparent electrode layer 11 made of, for example, ITO is patterned on the glass substrate 10.
  • the TCO is patterned by wet etching using aqua regia etching using a positive resist.
  • the patterning of the transparent electrode layer 11 requires 5 steps and about 120 minutes. As a result, a plurality of transparent electrode layers 11 are formed in a stripe pattern across the groove.
  • the organic layer 14 (the hole transport layer 12 and the bulk heterojunction organic active layer 14 ⁇ / b> A) is formed on each transparent electrode layer 11. .
  • the coating formation of the organic layer 14 takes about 60 minutes in two steps. For example, it consists of a film formation by spin coating and a patterning process by high density plasma etching.
  • C-1) For the formation of the hole transport layer 12, spin coating technology, spray technology, screen printing technology, or the like can be applied.
  • PEDOT: PSS is formed by spin coating, and annealing is performed at 120 ° C. for about 10 minutes to remove moisture.
  • An oxygen plasma etching technique, a laser patterning technique, or the like can be applied to the formation of the groove.
  • a bulk heterojunction organic active layer 14 A is formed on each hole transport layer 12.
  • P3HT and PCBM are formed by spin coating.
  • a plurality of dot-like contact holes 50 are formed penetrating to the transparent electrode layer 11 in the direction perpendicular to the organic layer 14.
  • an etching technique using high-density (oxygen) plasma is used to form the dot-like contact hole 50 in the organic layer 14 (12 ⁇ 14A) necessary for making contact with the transparent electrode layer 11 (TCO).
  • laser light having a diameter of about 5 ⁇ m may be used.
  • the dot-like contact hole 50 is formed at a joint portion for connecting adjacent organic thin-film solar cells in series.
  • the transparent electrode layer is formed on the organic layer 14 and through the dot-like contact hole 50.
  • a second electrode layer (cathode electrode layer) 16 is formed on the pattern.
  • the cathode electrode layer 16 is formed, for example, by depositing a metal layer such as Al, W, Mo, Mn, and Mg by a vacuum heating vapor deposition method. A screen printing technique may be applied instead of the vacuum heating deposition method.
  • the step of forming the cathode electrode layer 16 takes about 2 minutes in one step.
  • an oxide film may be formed on the surface of the cathode electrode layer 16 after etching the excess organic layer 14.
  • the passive film can be formed by treating the second electrode layer 16 with oxygen plasma.
  • the passive film can be formed using, for example, a high-density plasma etching apparatus.
  • a passivation layer 26 is formed on the entire surface of the device.
  • a silicon nitride film or the like may be formed by a CVD method.
  • the thickness of the silicon nitride film is, for example, about 0.5 ⁇ m to 1.5 ⁇ m.
  • durability can be further improved by sealing with a SiN film formed by CVD.
  • a colored barrier layer 28 is formed on the passivation layer 26.
  • a UV curable resin material is applied by a spin coat method or the like and cured by UV irradiation.
  • the colored barrier layer 28 uses a protective film to which a colorant is added, so that the module can be arbitrarily colored with a thinned element structure.
  • a backsheet passivation layer 30 is formed on the colored barrier layer 28.
  • a silicon nitride film or the like may be formed by a CVD method.
  • the thickness of the silicon nitride film is, for example, about 0.5 ⁇ m to 1.5 ⁇ m.
  • durability can be further improved by sealing with a SiN film formed by CVD.
  • Cell sealing with a multi-layer protective film is four steps and takes about 120 minutes.
  • a bonding junction is formed with the terminal electrodes for the anode A and cathode K of the organic thin film solar cell modules connected in series.
  • bonding for example, carbon paste, Ag paste, or the like is used.
  • the terminal electrode can be formed of, for example, a gold wire.
  • FIG. 31B Next, as shown in FIG. 31B, a positive mask 17 is patterned on the positive resist layer 13, and UV exposure is performed.
  • C Next, as shown in FIG. 31C, the positive resist layer 13 is developed.
  • D Next, as shown in FIG. 31D, the transparent electrode layer 11 is subjected to aqua regia etching.
  • E Next, as shown in FIG. 31 (e), the positive resist layer 13 is removed and substrate cleaning is performed. As a result, an ITO substrate in which the transparent electrode layer 11 is patterned on the glass substrate 10 is completed.
  • the thickness of the transparent electrode layer 11 is about 0.15 ⁇ m, for example.
  • FIG. 31 (e) shows the state of the etched cross section of the patterning portion SP of the transparent electrode layer 11, and an SEM observation example is represented as shown in FIG. 32 (a), and a cross-sectional profile example is shown in FIG. 32 (b). It is expressed as shown in As shown in FIG. 32A, the patterning portion SP has a width of about 40 ⁇ m and a depth of about 140 nm.
  • a spin coating method as shown in FIG. 32A can be applied.
  • a spin coater including a spindle 62 that can be rotated at a high speed and connected to a driving source such as a motor, and a table 63 that is fixed to the spindle 62 and places the substrate 10 thereon is used. It is done.
  • the substrate 10 is placed on the table 63, a driving source such as a motor is operated, and the table 63 is rotated at a high speed in the directions of arrows A and B, for example, at 2000 to 4000 rpm.
  • a solution droplet 64 that forms the hole transport layer 12 and the bulk heterojunction organic active layer 14 ⁇ / b> A is dropped.
  • the droplet 64 can form the hole transport layer 12 and the bulk heterojunction organic active layer 14A (see FIG. 32B) having a uniform thickness on the substrate 10 by centrifugal force.
  • the method for forming the dot-shaped contact hole is expressed as shown in FIGS. 34 (a) to 34 (c). That is, the step of forming the organic layer 14 on the transparent electrode layer 11 by the spin coating method is expressed as shown in FIG. 34A, and after forming the pattern of the metal mask 19 for forming the dot-shaped contact hole, The step of patterning the organic layer 14 and the transparent electrode layer 11 with the high-density (oxygen) plasma 21 is represented as shown in FIG. 34B, and the step of removing the metal mask 19 is as shown in FIG. It is expressed in (A) First, as shown in FIG.
  • the organic layer 14 is applied and formed on the ITO substrate by spin coating. This process takes about 80 seconds.
  • B Next, as shown in FIG. 33 (b), after patterning a metal mask 19 for forming dot-like contact holes on the organic layer 14, the organic layer 14.
  • the transparent electrode layer 11 is patterned. The patterning process using oxygen plasma takes about 50 minutes.
  • C Next, as shown in FIG. 33C, the metal mask is removed. As a result, dot contact holes 50 are formed in the organic layer 14 and the transparent electrode layer 11.
  • the dot-like contact hole 50 can also be formed by an inkjet method. That is, in the method for manufacturing the organic thin film solar cell module 100 according to the embodiment, the state in which the organic material ink 14I is applied from the ink head 23 to the ITO substrate by the ink jet method is expressed as shown in FIG. Is done.
  • step of forming the dot-shaped contact hole 50 by separately forming the organic layer 14 on the ITO substrate by the inkjet method is represented as shown in FIG.
  • PEDOT: PSS is applied on the ITO substrate 10.
  • the PEDOT: PSS aqueous solution is filtered with a 0.45 ⁇ m PTFE membrane filter to remove undissolved residues and impurities, and the PEDOT: PSS aqueous solution is applied onto the ITO substrate 10 and spin-coated (for example, 4000 rpm, 30 sec).
  • step S2 PEDOT: PSS is sintered. That is, after film formation, heat treatment is performed at 120 ° C. for 10 minutes to remove moisture. In addition, it is good to cover the petri dish previously warmed with the hot plate so that heat may be transmitted to the whole substrate 10.
  • the hole transport layer 12 is formed on the transparent electrode layer 11 on the ITO substrate 10 through the steps so far.
  • step S3 P3HT: PCBM is applied. Specifically, for example, 16 mg of P3HT and 16 mg of PCBM are dissolved in dichlorobenzene (o-dichlorobenzen). The solution is stirred overnight at 50 ° C. in a nitrogen atmosphere and then sonicated at 50 ° C. for 1 minute. The solution is spin-coated on the ITO substrate 10 cleaned in a nitrogen-substituted glove box ( ⁇ 1 ppm O 2 , H 2 O). The number of rotations is, for example, 2000 rpm ⁇ 1 sec after 550 rpm ⁇ 60 sec.
  • step S4 pre-annealing is performed. That is, after the application in step S3, heating is performed at 120 ° C. for 10 minutes. In addition, it is good to cover the petri dish previously warmed with the hot plate so that heat may be transmitted to the whole substrate 10.
  • the bulk heterojunction organic active layer 14A is formed on the hole transport layer 12, and the organic layer 14 (12 + 14A) is formed.
  • step S5 LiF vacuum deposition is performed. Specifically, LiF (purity: 99.98%) is subjected to vacuum heating deposition with a degree of vacuum: 1.1 ⁇ 10 ⁇ 6 torr ⁇ deposition rate of 0.1 ⁇ / sec. LiF serves as an electron injection layer to the bulk heterojunction organic active layer 14A.
  • step S6 a dot-like contact hole 50 that penetrates the organic layer 14 and reaches the transparent electrode layer 11 is formed.
  • step S ⁇ b> 7 Al vacuum deposition is performed to form the second electrode layer 16 on the organic layer 14 and on the transparent electrode layer 11 in the dot-like contact hole 50. Specifically, Al (purity: 99.999%) is subjected to vacuum heating deposition with a degree of vacuum: 1.1 ⁇ 10 ⁇ 6 torr and a deposition rate of ⁇ 2 ⁇ / sec.
  • step S8 an electrode oxide film treatment is performed on the second electrode layer 16. Specifically, the surface of the second electrode layer 16 is oxidized by oxygen plasma using a high-density plasma etching apparatus to form an oxide film (passive film).
  • step S9 passivation sealing is performed. Specifically, a passivation layer 26, a colored barrier layer 28, and a backsheet passivation layer 30 are sequentially laminated on the entire device, and a passivation process is performed.
  • step S10 a terminal electrode is formed. Carbon paste, Ag paste, or the like is used for the bonding joint of the terminal electrode.
  • step S11 sealing is performed. Specifically, the peripheral portion is protected by a resin layer 32 such as a UV curable resin so that moisture, oxygen and the like do not enter.
  • a resin layer 32 such as a UV curable resin
  • the organic thin film solar cell having a good appearance without impairing the appearance is provided by improving the structure of the series junction portion, it can be easily mounted on an electronic device such as a mobile terminal device.
  • the appearance is important, so it is better not to stand out when mounting organic thin-film solar cells on the display panel bezel (periphery of the display) or on the back.
  • a plurality of dot-like contact holes to the organic layer 14 (12 ⁇ 14A) necessary for contact with the transparent electrode layer 11 (TCO) is formed by a high density (oxygen) plasma etching technique or a laser beam having a diameter of about 5 ⁇ m (for example, , Wavelength 532 nm).
  • the present embodiment it is possible to improve the structure of the series junction site and provide an organic thin-film solar cell having a good appearance without impairing the appearance, a manufacturing method thereof, and an electronic device.
  • the present embodiment includes various embodiments that are not described here.
  • the organic thin film solar cell module of this embodiment can be applied to a wide range of fields such as a solar power generation panel and a charger for mobile terminals.

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Abstract

　基板（１０）と、基板（１０）上に配置された第１の透明電極層（１１1）および第２の透明電極層（１１2）と、基板（１０）上および第１の透明電極層（１１1）および第２の透明電極層（１１2）上に配置された有機層（１４）と、有機層（１４）に対して面直方向に第２の透明電極層（１１2）まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホール（５０）と、有機層(１４)上およびドット状コンタクトホール(５０)を介して第２の透明電極層(１１2)上に配置された金属電極層(１６)と、金属電極層(１６)上に配置されたパッシベーション層（２６・２８・３０・３２）とを備える有機薄膜太陽電池モジュール(１００)およびその製造方法、およびこの有機薄膜太陽電池モジュール(１００)を搭載した電子機器。直列接合部位の構造を改善し、外観を損なわず見栄えの良好な有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器を提供する。

Description

有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器
　本実施の形態は、有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器に関する。
　極薄、軽量、フレキシブルを特徴とする有機薄膜太陽電池は、常温、大気圧下でインクジェット法などの印刷法により製造されるため、形状の自由度が高く、意匠性に優れた太陽電池が実現可能である。
　一般的な有機薄膜太陽電池モジュールは、高い開放電圧を実現するため隣り合うセル同士が直列接続するように短冊状に折り重なった構造を採用する。
特表２００７－５３４１１９号公報
　本実施の形態は、外観を損なわず見栄えの良好な有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器を提供する。
　本実施の形態の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１および第２の透明電極層と、前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に配置された有機層と、前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホールと、前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に配置された金属電極層と、前記金属電極層上に配置されたパッシベーション層とを備える有機薄膜太陽電池モジュールが提供される。
　本実施の形態の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１および第２の透明電極層と、前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に配置された有機層と、前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホールと、前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に配置された金属電極層と、前記金属電極層上に配置されたパッシベーション層とを備える有機薄膜太陽電池セルを複数個直列に接続した有機薄膜太陽電池モジュールが提供される。
　本実施の形態の他の態様によれば、上記の有機薄膜太陽電池モジュールを備える電子機器が提供される。
　本実施の形態の他の態様によれば、基板上に第１の透明電極層および第２の透明電極層を形成する工程と、前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に有機層を形成する工程と、前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数のドット状コンタクトホールを形成する工程と、前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に金属電極層を形成する工程と、前記金属電極層上にパッシベーション層を形成する工程とを有する有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法が提供される。
　本実施の形態によれば、直列接合部位の構造を改善し、外観を損なわず見栄えの良好な有機薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法、および電子機器を提供することができる。
比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの受光面側の模式的平面パターン構成図。 比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の模式的平面パターン構成図。 図２のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面構造図。 図１のＡ部分に対応した光学顕微鏡写真例。 図１のＢ部分の模式的拡大図。 図２のＣ部分の模式的拡大図。 比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の各部の寸法の説明図。 比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの受光面側の各部の寸法の説明図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの受光面側の模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の模式的平面パターン構成図。 図９のＥ部分の模式的拡大図。 図１０のＦ部分の模式的拡大図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、ドット状コンタクトホールがある部分に対応した図１０のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、ドット状コンタクトホールがない部分に対応した図１０のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の各部の寸法の説明図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの受光面側の各部の寸法の説明図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、ドット状コンタクトホール形状であって、（ａ）円形ドットの配置例、（ｂ）長方形ドットの配置例、（ｃ）正方形ドットの配置例。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、円形ドット状コンタクトホールを適用した配置例であって、（ａ）受光面側の模式的平面パターン構成図、（ｂ）端子取出し面側の模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、長方形ドット状コンタクトホールを適用した配置例であって、（ａ）受光面側の模式的平面パターン構成図、（ｂ）端子取出し面側の模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、正方形ドット状コンタクトホールを適用した配置例であって、（ａ）受光面側の模式的平面パターン構成図、（ｂ）端子取出し面側の模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールに適用可能な有機薄膜太陽電池セルの原理的な構成および動作を説明する模式図。 図２１に示された有機薄膜太陽電池セルの各種材料のエネルギーバンド構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて適用する（ａ）ＰＥＤＯＴの化学構造式、（ｂ）ＰＳＳの化学構造式。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて適用する（ａ）ｐ型材料となるＰ３ＨＴの化学構造式、（ｂ）ｎ型材料となるＰＣＢＭの化学構造式。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）基板上に透明電極層をパターン形成した状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図２５（ａ）のＩＶ－ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）透明電極層上に有機層をパターン形成した状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図２６（ａ）のＶ－Ｖ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）有機層に透明電極層まで到達するコンタクトホールをパターン形成した状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図２７（ａ）のＶＩ－ＶＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）有機層上に金属電極層をパターン形成した状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図２８（ａ）のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）有機層上およびコンタクトホール内の透明電極層上に金属電極層をパターン形成する状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図２９（ａ）のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法の一工程であって、（ａ）金属電極層上にパッシベーション層を形成する状態を示す模式的平面構成図、（ｂ）図３０（ａ）のＩＸ－ＩＸ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、基板上に透明電極層をパターン形成したＩＴＯ基板の製造方法であって、（ａ）レジスト層の塗布・焼成工程図、（ｂ）レジスト層の露光工程図、（ｃ）レジスト層の現像工程図、（ｄ）透明電極層の王水エッチング工程図、（ｅ）レジスト剥離・基板洗浄工程図。 図３１（ｅ）において、透明電極層のパターニング部ＳＰのエッチング断面の様子であって、（ａ）ＳＥＭ観察例、（ｂ）断面プロファイル例。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、（ａ）正孔輸送層およびバルクへテロ接合有機活性層を形成する際のスピンコート法を示す概略図、（ｂ）形成された正孔輸送層およびバルクへテロ接合有機活性層の例を示す模式的鳥瞰構成図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、（ａ）スピンコート法により透明電極層上に有機層を形成する工程図、（ｂ）メタルマスクをパターン形成後、高密度（酸素）プラズマによるパターニング工程図、（ｃ）メタルマスク除去工程図 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、（ａ）インクジェット法によりインクヘッドから有機材料インクが塗布される様子の説明図、（ｂ）インクジェット法により透明電極層上に有機層を形成する工程図。 実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの作成手順を示すフローチャート。
　次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
　又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
　以下の実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、「透明」とは、透過率が約５０％以上であるものと定義する。また「透明」とは、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールにおいて、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約３６０ｎｍ～８３０ｎｍ程度、エネルギー約３．４５ｅＶ～１．４９ｅＶ程度に相当し、この領域で透過率が５０％以上あれば透明である。
　[比較例]
　比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００Ａの受光面側の模式的平面パターン構成は、図１に示すように表され、端子取出し面側の模式的平面パターン構成は、図２に示すように表される。また、図２のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面構造は、図３に示すように表され、図１のＡ部分に対応した光学顕微鏡写真例は、図４に示すように表される。
　また、図１のＢ部分の模式的拡大図は、図５に示すように表され、図２のＣ部分の模式的拡大図は、図６に示すように表される。
　比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００Ａは、図１～図３に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１の透明電極層１１1および第２の透明電極層１１2と、基板１０上および透明電極層１１1・１１2・１１3・１１4・１１5上に配置された有機層１４と、有機層１４に対して面直方向に透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5まで貫通して配置されたストライプット状コンタクトホールと、有機層１４上およびストライプット状コンタクトホールを介して透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5上に配置された金属電極層と、金属電極層１６1・１６2・１６3・１６4上に配置されたパッシベーション層２６・２８・３０・３２とを備える。
　また、比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の各部の寸法の説明図は、図７に示すように表され、受光面側の各部の寸法の説明図は、図８に示すように表される。
　図７において、比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールの幅Ｗ１は、例えば約１０．３ｍｍ、モジュール長Ｌ１は、例えば約２９．６ｍｍ、アノード取出し電極Ａの長さＬAは、例えば約３．８ｍｍである。
　また、図８において、比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュールのセル幅ＷEは、例えば約８．６ｍｍ、セル長ＬCは、例えば約６．７５ｍｍである。また、４セル直列構成の受光有効領域の長さＬEは、例えば約２７．８５ｍｍであり、受光有効領域の全体の長さＬEtは、例えば約２８．２ｍｍである。
　比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００Ａにおいては、透明電極層と金属電極層を接合する際に、有機発電層を外部雰囲気に剥き出しにするため、インクジェット法などの印刷法を用いて有機発電層を任意に直接塗り分けるか、高密度酸素プラズマ若しくは半導体レーザ（例えば、波長約５３２ｎｍ）、メカニカルスクライバーを用いて有機層をストライプ状にスクライブする。
　比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００Ａは、高い開放電圧を実現するため隣り合う有機薄膜太陽電池セル１同士が直列接続するように短冊状に折り重なった構造を採用する。しかし、セルとセルを接合する部位Ｄは、透明電極層１１と金属電極層１６が直接接触しているため、図４～図６に示すように、外観に金属電極層１６のストライプライン６０が見えてしまい外観を損なう。
　[実施の形態]
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の受光面側の模式的平面パターン構成は、図９に示すように表され、端子取出し面側の模式的平面パターン構成は、図１０に示すように表される。また、図９のＥ部分の模式的拡大図は、図１１に示すように表され、図１０のＦ部分の模式的拡大図は、図１２に示すように表される。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００においては、隣り合う有機薄膜太陽電池セル１を直列接続するために設けていた透明電極層１１と金属電極層１６との接合部位をストライプ状に設けるのではなく、図１１～図１２に示すように、ドット状コンタクトホール５０を一定間隔で配置することによって、外観の影響を抑制している。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、ドット状コンタクトホール５０がある部分に対応した図１０のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１３に示すように表され、ドット状コンタクトホール５０がない部分に対応した図１０のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１４に示すように表される。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００は、図９～図１４に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された透明電極層１１1・１１2・１１3・１１4・１１5と、基板１０上および透明電極層１１1・１１2・１１3・１１4・１１5上に配置された有機層１４と、有機層１４に対して面直方向に透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホール５０と、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０を介して透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5上に配置された金属電極層１６1・１６2・１６3・１６4と、金属電極層１６1・１６2・１６3・１６4上に配置されたパッシベーション層２６・２８・３０・３２とを備える。
　また、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００は、図９～図１４に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された透明電極層１１1・１１2と、基板１０上および透明電極層１１1・１１2上に配置された有機層１４と、有機層１４に対して面直方向に透明電極層１１2まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホール５０と、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０を介して透明電極層１１2上に配置された金属電極層１６1と、金属電極層１６1上に配置されたパッシベーション層２６・２８・３０・３２とを備える有機薄膜太陽電池セルを複数個直列に接続しても良い。
　ここで、ドット状コンタクトホール５０は、円形、長方形若しくは正方形のいずれかの形状を備えていても良い。
　パッシベーション層２６・２８・３０・３２は、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜を備えていても良い。
　また、パッシベーション層は、複数層繰り返し積層化されて、多重積層保護膜を形成しても良い。例えば、パッシベーション層２６・３０は、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜などの無機保護膜で形成し、パッシベーション層２８・３２は、樹脂層などの有機保護膜で形成しても良い。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００は、高い開放電圧を実現するため隣り合う有機薄膜太陽電池セル１同士が直列接続するように短冊状に折り重なった構造を採用する。しかも隣り合う有機薄膜太陽電池セル１を直列接続するために設けていた透明電極層１１と金属電極層１６との接合部位をドット状コンタクトホール５０を一定間隔若しくは不定間隔で配置することによって、外観の影響を抑制することができる。
　また、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの端子取出し面側の各部の寸法の説明図は、図１５に示すように表され、受光面側の各部の寸法の説明図は、図１６に示すように表される。
　図１５において、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの幅Ｗ１は、例えば約１０．３ｍｍ、モジュール長Ｌ１は、例えば約２９．６ｍｍ、アノード取出し電極Ａの長さＬAは、例えば約３．８ｍｍである。
　また、図１６において、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールのセル幅ＷEは、例えば約８．６ｍｍ、セル長ＬCは、例えば約６．７５ｍｍである。また、４セル直列構成の受光有効領域の長さＬEは、例えば約２７．８５ｍｍであり、受光有効領域の全体の長さＬEtは、例えば約２８．２ｍｍである。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、ドット状コンタクトホール５０の形状であって、円形ドットの配置例は図１７（ａ）に示すように表され、長方形ドットの配置例は図１７（ｂ）に示すように表され、正方形ドットの配置例は図１７（ｃ）に示すように表される。ここで、円形ドットの直径Ｄ１は、例えば、約１μｍ～１００μｍ程度である。また、長方形ドットの横幅Ｄ２も、例えば、約１μｍ～１００μｍ程度である。また、長方形ドットの横幅Ｄ３も、例えば、約１μｍ～１００μｍ程度である。
　また、各ドットの間隔も例えば、約１０μｍ～１００μｍ程度である。また、各ドットの間隔は、一定間隔であっても、或いは不定の間隔であっても良い。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、円形ドット状コンタクトホール５０を適用した配置例であって、受光面側の模式的平面パターン構成例は、図１８（ａ）に示すように表され、端子取出し面側の模式的平面パターン構成例は、図１８（ｂ）に示すように表される。
　同様に、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、長方形ドット状コンタクトホール５０を適用した配置例であって、受光面側の模式的平面パターン構成例は、図１９（ａ）に示すように表され、端子取出し面側の模式的平面パターン構成例は、図１９（ｂ）に示すように表される。
　同様に、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、正方形ドット状コンタクトホール５０を適用した配置例であって、受光面側の模式的平面パターン構成例は、図２０（ａ）に示すように表され、端子取出し面側の模式的平面パターン構成例は、図２０（ｂ）に示すように表される。
　なお、ドット状コンタクトホール５０の形状は、上記に限定されず、ストライプではないが破線状、一点鎖線状などのライン状に配置されていても良い。すなわち、有機層をパターニングするドット形状は、円形に限らず、線形、直方形、長方形、正方形等であっても良い。また、立体形状としては、円柱形、直方形であっても良い。ここで、直方形とは、６面全てが長方形(必ず１つは含む)か正方形である立体である。 
　比較例に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００Ａにおいては、透明電極層と金属電極層を接合する際に、有機発電層を外部雰囲気に剥き出しにするため、インクジェット法などの印刷法を用いて有機発電層を任意に直接塗り分けるか、高密度酸素プラズマ若しくは半導体レーザ（例えば、波長約５３２ｎｍ）、メカニカルスクライバーを用いて有機層をストライプ状にスクライブする。
　一方、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００においては、有機層を、例えば、約１０μｍ以上の間隔で、例えば、直径約１．０μｍ以上の円形ドットを一定若しくは不定の間隔で設けることで、隣接セルとの接合を実施している。この構成を採用することによって、接合部位で外観が損なわれることがなく意匠性に優れたモジュールを実現可能である。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、有機層１４は、透明電極層１１上に配置された正孔輸送層と、正孔輸送層上に配置されたバルクヘテロ接合有機活性層を備えていても良い。
　また、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、多重積層保護膜は、パッシベーション層２６と、パッシベーション層（カラー化バリア層）２８と、バックシートパッシベーション層３０と、樹脂層４０とを備えていても良い。ここで、カラー化バリア層２８は、例えば、紫外線硬化樹脂で形成可能である。また、カラー化バリア層２８には、着色剤を添加しても良い。着色剤としては、黒色では、例えば、カーボンブラック、青色では、例えば、フタロシアニン塗料、赤色では、例えば、アリザリン塗料などを適用可能である。カラー化バリア層２８は、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜などのパッシベーション層２６に形成されるスポットを被覆可能である。パッシベーション層２６上に配置されたカラー化バリア層２８は、セルの保護層としての役割を有する。
　カラー化バリア層２８は、紫外線（ＵＶ）照射により任意のパターニングが可能なカラーフィルタで形成可能である。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００は、図１３・図１４に示すように、ＩＴＯ付きガラス基板１０上に発電層となる約数１００ｎｍ程度の厚さを有する有機層１４を積層し、第２電極層１６として、アルミニウムなどの金属層を蒸着して作られる。
　第２電極層１６として形成された純アルミニウムは、酸化され易いため、耐久性を持たせるために、不動態膜を形成しても良い。
　基板１０上には、有機層１４が配置されるため、不動態膜の形成によって、パッシベーション層２６を形成する際に、これらの有機層に損傷を与えることを防止可能である。
　本実施の形態によれば、直列接合部位の構造を改善し、外観を損なわず見栄えの良好な有機薄膜太陽電池モジュールを提供することができる。
　（動作原理）
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールに適用可能な有機薄膜太陽電池セル１の動作原理を説明する模式図は、図２１に示すように表される。また、図２１に示された有機薄膜太陽電池セル１の各種材料のエネルギーバンド構造は、図２２に示すように表される。図２１および図２２を参照して、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池セル１の原理的な構成と、その動作について説明する。
　図２１の左図に示すように、有機薄膜太陽電池セル１は、基板１０と、基板１０上に配置された透明電極層１１と、透明電極層１１上に配置された正孔輸送層１２と、正孔輸送層１２上に配置されたバルクへテロ接合有機活性層１４Ａと、バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａ上に配置された第２電極層１６とを備える。第２電極層１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で形成され、カソード電極層となる。
　ここで、バルクへテロ接合有機活性層１４Ａは、図２１の右図に示すように、ｐ型有機活性層領域とｎ型有機活性層領域が混在し、複雑なバルクへテロｐｎ接合を形成している。ここで、ｐ型有機活性層領域は、例えば、Ｐ３ＨＴ（poly(3-hexylthiophene-2,5diyl)）で形成され、ｎ型有機活性層領域は、例えば、ＰＣＢＭ（6,6-phenyl-C61-butyric acid methyl ester）で形成されている。
（ａ）まず、光を吸収すると、バルクへテロ接合有機活性層１４Ａ内で、励起子が生成される。
（ｂ）次に、励起子は、バルクへテロ接合有機活性層１４Ａ内のｐｎ接合界面において、自発分極によって、電子（ｅ－）と正孔（ｈ＋）の自由キャリアに解離する。
（ｃ）次に、解離した正孔（ｈ＋）は、アノード電極となる透明電極層１１に向けて走行し、解離した電子（ｅ－）は、カソード電極層１６に向けて走行する。
（ｄ）結果として、カソード電極層１６・透明電極層１１間には、逆方向電流が導通して、開放電圧Ｖocが発生し、有機薄膜太陽電池セル１が得られる。
　有機薄膜太陽電池セル１において、正孔輸送層１２に適用するＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの内、ＰＥＤＯＴの化学構造式は、図２３（ａ）に示すように表され、ＰＳＳの化学構造式は、図２３（ｂ）に示すように表される。
　有機薄膜太陽電池セル１において、バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａに適用されるＰ３ＨＴの化学構造式は、図２４（ａ）に示すように表され、バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａに適用されるＰＣＢＭの化学構造式は、図２４（ｂ）に示すように表される。
　なお、図示は省略するが、不動態膜は、金属電極層１６の酸化膜で構成される。また、金属電極層１６の酸化膜は、金属電極層１６の表面を酸素プラズマ処理することによって形成可能である。不動態膜の厚さは、例えば、約１０オングストローム～約１００オングストロームである。不動態膜上に配置されたパッシベーション膜を備えていても良い。このパッシベーション膜は、例えば、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜で構成可能である。
　金属電極層１６は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｍｇの何れかの金属で構成されていても良い。金属電極層１６をＡｌで形成する場合には、不動態膜は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜となる。
　金属電極層１６の表面に不動態膜を備える有機薄膜太陽電池セル１は、有機層１４内に水分や酸素が侵入した場合であっても、金属電極層１６がその水分・酸素によって酸化する事態を防止することができる。これにより、有機薄膜太陽電池セルの劣化を抑制することができ、耐久性を高めることができる。
　（製造方法）
　有機薄膜太陽電池モジュール１００は、ＩＴＯ付きガラス基板１０上に発電層となる数１００ｎｍ程度の有機層１４を積層し、アルミニウムなどの金属を蒸着して形成される。金属電極層として形成された純アルミニウムは酸化され易いため、耐久性を持たせるために、化学的気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によるＳｉＮやＳｉＯＮなどの無機パッシベーション膜と樹脂保護膜を多層に積層した多重積層保護膜をバリア膜として用いる。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法は、基板１０上に透明電極層１１1・１１2・１１3・１１4・１１5を形成する工程と、基板１０上および透明電極層１１1・１１2・１１3・１１4・１１5上に有機層１４を形成する工程と、有機層１４に対して面直方向に透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5まで貫通して複数のドット状コンタクトホール５０を形成する工程と、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０を介して透明電極層１１2・１１3・１１4・１１5上に金属電極層１６1・１６2・１６3・１６4を形成する工程と、金属電極層１６1・１６2・１６3・１６4上にパッシベーション層２６・２８・３０・３２を形成する工程とを有する。
　パッシベーション層２６・２８・３０・３２を形成する工程は、多重積層保護膜を形成する工程を有していても良い。
　ドット状コンタクトホール５０を形成する工程は、酸素プラズマによるパターニング工程を有していても良い。
　有機層１４を形成する工程は、インクジェット法による形成工程を有していても良い。
　ドット状コンタクトホール５０を形成する工程は、インクジェット法により有機層１４を塗り分けて形成する工程を有していても良い。
　複数個（図の例では３個）直列に配置された実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、基板１０上に透明電極層１１をパターン形成した状態を示す模式的平面構成は、図２５（ａ）に示すように表され、図２５（ａ）のＩＶ－ＩＶ線に沿う模式的断面構造は、図２５（ｂ）に示すように表される。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、透明電極層１１上に有機層１４をパターン形成した状態を示す模式的平面構成は、図２６（ａ）に示すように表され、図２６（ａ）のＶ－Ｖ線に沿う模式的断面構造は、図２６（ｂ）に示すように表される。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、有機層１４に透明電極層１１まで到達するドット状コンタクトホール５０をパターン形成した状態を示す模式的平面構成は、図２７（ａ）に示すように表され、図２７（ａ）のＶＩ－ＶＩ線に沿う模式的断面構造は、図２７（ｂ）に示すように表される。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０内の透明電極層１１上に金属電極層１６をパターン形成した状態を示す模式的平面構成は、図２８（ａ）に示すように表され、図２８（ａ）のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２８（ｂ）に示すように表される。ここで、図２８（ｂ）は、ドット状コンタクトホール５０が無い部分における模式的断面構造を表わしている。
　同様に、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０内の透明電極層１１上に金属電極層１６をパターン形成した状態を示す模式的平面構成は、図２９（ａ）に示すように表され、図２９（ａ）のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２９（ｂ）に示すように表される。ここで、図２９（ｂ）は、ドット状コンタクトホール５０が存在する部分における模式的断面構造を表わしている。
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法の一工程であって、金属電極層１６上にパッシベーション層２６・２５・３０・３２を形成する状態を示す模式的平面構成は、図３０（ａ）に示すように表され、図３０（ａ）のＩＸ－ＩＸ線に沿う模式的断面構造は、図３０（ｂ）に示すように表される。
　図２５～図３０を参照して、有機薄膜太陽電池セルを複数個（図の例では３個）直列に配置された実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
　（ａ）まず、純水、アセトン、エタノールで洗浄したガラス基板１０（例えば、長さ約５０ｍｍ×幅約５０ｍｍ×厚さ約０．７ｍｍ）をＩＣＰエッチャ－に入れ、Ｏ２プラズマにより、表面の付着物を取り除く（ガラス基板表面処理）。なお、基板１０をガラス基板で形成し、有機層へ光を効率的に誘導するために、ガラス表面に反射防止処理を実施しても良い。なお、ガラス基板として、例えば、ＩＴＯ付き無アルカリガラス基板を用いても良い。
　（ｂ）次に、図２５（ａ）および図２５（ｂ）に示すように、ガラス基板１０上に、例えば、ＩＴＯからなる透明電極層１１をパターン形成する。具体的には、例えば、ポジレジストを用いた王水エッチングによるウェツトエッチングにより、ＴＣＯをパターニングする。透明電極層１１のパターニングは、５工程、約１２０分要する。結果として、透明電極層１１は溝部を挟んだストライプパターンで複数形成される。
　（ｃ）次に、図２６（ａ）および図２６（ｂ）に示すように、各透明電極層１１上に、有機層１４（正孔輸送層１２およびバルクヘテロ接合有機活性層１４Ａ）を形成する。有機層１４の塗布形成は、２工程で約６０分要する。例えば、スピンコート法による製膜と高密度プラズマエッチングによるパターニング工程からなる。
　（ｃ－１）正孔輸送層１２の形成には、スピンコート技術、スプレー技術、スクリーン印刷技術などを適用することができる。ここで、正孔輸送層１２の形成工程では、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをスピンコートによって製膜を行い、水分除去のために、アニ－ルを１２０℃で約１０分間行う。溝部の形成には、酸素プラズマエッチング技術、レーザパターニング技術などを適用することができる。
　（ｃ－２）次に、各正孔輸送層１２上に、バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａを形成する。バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａの形成工程においては、例えば、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭをスピンコートによって製膜を行う。
　（ｄ）次に、図２７（ａ）および図２７（ｂ）に示すように、有機層１４に対して面直方向に透明電極層１１まで貫通して複数のドット状コンタクトホール５０を形成する。透明電極層１１（ＴＣＯ）と接触させるために必要な有機層１４（１２・１４Ａ）へのドット状コンタクトホール５０の形成には、例えば、高密度（酸素）プラズマによるエッチング技術を用いる。また、直径約５μｍ程度のレーザ光（例えば、波長５３２ｎｍ）を用いても良い。この結果、隣り合う有機薄膜太陽電池セルを直列接続するための接合部位に、ドット状コンタクトホール５０が形成される。
　（ｅ）次に、図２８（ａ）・図２８（ｂ）および図２９（ａ）・図２９（ｂ）に示すように、有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０を介して透明電極層１１
上に第２電極層（カソード電極層）１６をパターン形成する。カソード電極層１６の形成には、例えばＡｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｍｇなどの金属層を真空加熱蒸着法により堆積することによって行われる。真空加熱蒸着法の代わりに、スクリーン印刷技術を適用しても良い。カソード電極層１６の形成工程は、１工程で約２分要する。
　（ｆ）次に、図示は省略するが、余分な有機層１４をエッチング処理した後、カソード電極層１６の表面に酸化膜（不動態膜）を形成しても良い。不動態膜は、第２電極層１６を酸素プラズマ処理することによって形成することができる。不動態膜の形成は、例えば、高密度プラズマエッチング装置を用いて行うことができる。なお、第２電極層１６を酸素プラズマ処理することによって不動態膜を形成すると同時に、有機層１４をエッチング処理することも可能である。
　（ｇ）次に、図３０（ａ）および図３０（ｂ）に示すように、デバイス全面にパッシベーション層２６を形成する。ここで、パッシベーション層２６は、シリコン窒化膜などをＣＶＤ法で形成しても良い。シリコン窒化膜の厚さは、例えば、約０．５μｍ～１．５μｍ程度である。大気中の水分と酸素による劣化を抑えるため、ＣＶＤにより形成したＳｉＮ膜による封止を行うことで、さらに耐久性を向上可能である。
　（ｈ）次に、図３０（ａ）および図３０（ｂ）に示すように、パッシベーション層２６上にカラー化バリア層２８を形成する。ここでは、ＳｉＮ膜で形成されたパッシベーション層２６のスポットなどの不良を無くし、モジュールの背面を平滑化するために、ＵＶ硬化樹脂素材をスピンコート法などで塗布し、ＵＶ照射により硬化させる。なお、ここで、カラー化バリア層２８には着色剤を添加した保護膜を用いることで、薄層化された素子構造で、モジュールに任意の着色を可能にしている。
　（ｉ）次に、図３０（ａ）および図３０（ｂ）に示すように、カラー化バリア層２８上にバックシートパッシベーション層３０を形成する。バックシートパッシベーション層３０は、例えば、シリコン窒化膜などをＣＶＤ法で形成しても良い。シリコン窒化膜の厚さは、例えば、約０．５μｍ～１．５μｍ程度である。大気中の水分と酸素による劣化を抑えるため、ＣＶＤにより形成したＳｉＮ膜による封止を行うことで、さらに耐久性を向上可能である。多層積層保護膜によるセル封止は、４工程であり、約１２０分要する。
　（ｊ）次に、図示は省略するが、直列接続された有機薄膜太陽電池モジュールのアノードＡ・カソードＫ用の端子電極とのボンディング接合を形成する。ボンディング接合には、例えば、カーボンペースト、Ａｇペーストなどを用いる。端子電極には、例えば、金ワイヤなどで形成可能である。
　（ｋ）最後に、図３０（ａ）および図３０（ｂ）に示すように、水分・酸素などが浸入しないように、ＵＶ硬化樹脂で保護する。
　以上の工程により、複数個（図の例では３個）直列に配置された実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００を完成することができる。
　（ＩＴＯ基板の製造方法）
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法において、基板１０上に透明電極層１１をパターン形成したＩＴＯ基板の製造方法であって、ポジレジスト層１３の塗布・焼成工程は図３１（ａ）に示すように表され、ポジレジスト層１３の露光工程は図３１（ｂ）に示すように表され、ポジレジスト層１３の現像工程は図３１（ｃ）に示すように表され、透明電極層１１の王水エッチング工程は図３１（ｄ）に示すように表され、ポジレジスト層１３の剥離・基板洗浄工程は図３１（ｅ）に示すように表される。
（ａ）まず、図３１（ａ）に示すように、ＩＴＯ基板上にポジレジスト層１３の塗布し、焼成する。
（ｂ）次に、図３１（ｂ）に示すように、ポジレジスト層１３上にポジマスク１７をパターン形成し、ＵＶ露光する。
（ｃ）次に、図３１（ｃ）に示すように、ポジレジスト層１３を現像処理する。
（ｄ）次に、図３１（ｄ）に示すように、透明電極層１１を王水エッチングする。
（ｅ）次に、図３１（ｅ）に示すように、ポジレジスト層１３を剥離し、基板洗浄うを実施する。結果として、ガラス基板１０上に透明電極層１１をパターン形成したＩＴＯ基板が完成する。透明電極層１１の厚さは、例えば、約０．１５μｍである。
　図３１（ｅ）において、透明電極層１１のパターニング部ＳＰのエッチング断面の様子であって、ＳＥＭ観察例は図３２（ａ）に示すように表され、断面プロファイル例は、図３２（ｂ）に示すように表される。図３２（ａ）に示すように、パターニング部ＳＰの幅は、約４０μｍであり、深さは、約１４０ｎｍである。
　（スピンコート法）
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法において、正孔輸送層１２およびバルクへテロ接合有機活性層１４Ａを形成する際のスピンコート法を示す概略は図３２（ａ）に示すように表され、形成された正孔輸送層１２およびバルクへテロ接合有機活性層１４Ａの例を示す模式的鳥瞰構成は、図３２（ｂ）に示すように表される。
　例えば、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００において、比較的小面積の素子を作成する場合には、図３２（ａ）に示すようなスピンコート法を適用することができる。
　即ち、図３２（ａ）に示すように、モータ等の駆動源に接続される高速回転可能なスピンドル６２と、スピンドル６２に固設され基板１０を載置するテーブル６３とを備えるスピンコーターが用いられる。
　そして、テーブル６３上に基板１０を載置し、モータ等の駆動源を稼働させてテーブル６３を例えば２０００～４０００ｒｐｍで矢印Ａ、Ｂ方向に高速回転させる。次いで、スポイト６５を用いて、正孔輸送層１２やバルクへテロ接合有機活性層１４Ａを形成する溶液の液滴６４を落下させる。これにより、液滴６４は遠心力により基板１０上に均一な厚さの正孔輸送層１２およびバルクへテロ接合有機活性層１４Ａ（図３２（ｂ）参照）を形成することができる。
　（ドット状コンタクトホールの形成方法）
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法において、ドット状コンタクトホールの形成方法は、図３４（ａ）～図３４（ｃ）に示すように表される。すなわち、スピンコート法により透明電極層１１上に有機層１４を形成する工程は、図３４（ａ）に示すように表され、ドット状コンタクトホールの形成のためのメタルマスク１９をパターン形成後、高密度（酸素）プラズマ２１により有機層１４・透明電極層１１をパターニングする工程は、図３４（ｂ）に示すように表され、メタルマスク１９の除去工程は、図３４（ｃ）に示すように表される。
（ａ）まず、図３３（ａ）に示すように、ＩＴＯ基板上に有機層１４をスピンコート法により、塗布形成する。この工程は、約８０秒要する。
（ｂ）次に、図３３（ｂ）に示すように、有機層１４上にドット状コンタクトホールの形成のためのメタルマスク１９をパターン形成後、高密度（酸素）プラズマ２１により有機層１４・透明電極層１１をパターニングする。酸素プラズマによるパターニング工程は、約５０分要する。
（ｃ）次に、図３３（ｃ）に示すように、メタルマスク除去する。結果として、有機層１４・透明電極層１１には、ドット状コンタクトホール５０が形成される。
　（インクジェット法）
　実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法において、ドット状コンタクトホール５０は、インクジェット法により形成することもできる。すなわち、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の製造方法において、ＩＴＯ基板上に、インクジェット法によりインクヘッド２３から有機材料インク１４Ｉを塗布する様子は、図３５（ａ）に示すように表される。
　また、ＩＴＯ基板上に、インクジェット法により有機層１４を塗り分けて形成し、ドット状コンタクトホール５０を形成する工程は、図３５（ｂ）に示すように表される。
　（有機薄膜太陽電池の作成手順）
　図３６に示すフローチャートに基づいて、実施の形態に係る有機薄膜太陽電池モジュール１００の作成手順について説明する。
　（ａ）ステップＳ１では、ＩＴＯ基板１０上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを塗布する。例えば、０．４５μｍＰＴＦＥメンブレンフィルターでＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液を濾過し、溶け残りや不純物を取り除き、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液をＩＴＯ基板１０上に塗布し、スピンコート（例えば、４０００ｒｐｍ，３０ｓｅｃ）する。
　（ｂ）ステップＳ２では、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを焼結する。即ち、製膜後、水分除去のために１２０℃、１０分間加熱処理をする。なお、基板１０全体に熱が伝わるように予めホットプレートで温めておいたシャーレを被せると良い。ここまでの工程でＩＴＯ基板１０上の透明電極層１１上に正孔輸送層１２が形成される。
　（ｃ）ステップＳ３では、Ｐ３ＨＴ：ＰＣＢＭを塗布する。具体的には、例えば、ジクロロベンゼン（o-dichlorobenzen）にＰ３ＨＴ１６ｍｇとＰＣＢＭ１６ｍｇを溶解させる。溶液は、窒素雰囲気中の５０℃で一晩攪拌を行った後に、５０℃で１分間超音波処理を行う。溶液は窒素置換されたグローブボックス（＜１ｐｐｍＯ２、Ｈ２Ｏ）内で洗浄処理したＩＴＯ基板１０上にスピンコートを行う。回転数は例えば５５０ｒｐｍ・６０ｓｅｃの後に２０００ｒｐｍ・１ｓｅｃである。
　（ｄ）ステップＳ４では、プレアニールを行う。即ち、ステップＳ３の塗布の後、１２０℃で１０分間加熱を行う。なお、基板１０全体に熱が伝わるように予めホットプレートで温めておいたシャーレを被せると良い。ここまでの工程で正孔輸送層１２上にバルクへテロ接合有機活性層１４Ａが形成され、有機層１４（１２＋１４Ａ）が形成される。
　（ｅ）ステップＳ５では、ＬｉＦ真空蒸着を行う。具体的には、ＬｉＦ（純度：９９．９８％）は、真空度：１．１×１０－６ｔｏｒｒ・蒸着レートが０．１Å／ｓｅｃで真空加熱蒸着を行う。ＬｉＦはバルクへテロ接合有機活性層１４Ａへの電子注入層となる。
　（ｆ）ステップＳ６では、有機層１４を貫通し透明電極層１１まで到達するドット状コンタクトホール５０を形成する。
　（ｇ）ステップＳ７では、Ａｌ真空蒸着を行って有機層１４上およびドット状コンタクトホール５０内の透明電極層１１上に第２電極層１６を形成する。具体的には、Ａｌ（純度：９９．９９９％）は、真空度：１．１×１０－６ｔｏｒｒで蒸着レートが～２Å／ｓｅｃで真空加熱蒸着を行う。
　（ｈ）ステップＳ８では、第２電極層１６について、電極酸化被膜処理を行う。具体的には、高密度プラズマエッチング装置を用いて酸素プラズマにより第２電極層１６表面を酸化し、酸化膜（不動態膜）を形成する。
　（ｉ）ステップＳ９では、パッシベーション封止を行う。具体的には、デバイス全体に、パッシベーション層２６・カラー化バリア層２８・バックシートパッシベーション層３０を順次積層化形成して、パッシベーション処理する。
　（ｊ）ステップＳ１０では、端子電極を形成する。端子電極のボンディング接合部には、カーボンペースト、Ａｇペーストなどを用いる。
　（ｋ）ステップＳ１１では、封止を行う。具体的には、水分・酸素などが浸入しないように、ＵＶ硬化樹脂等の樹脂層３２で周辺部を保護する。
　（電子機器）
　実施の形態においては、直列接合部位の構造を改善し、外観を損なわず見栄えの良好である有機薄膜太陽電池を提供されることから、モバイル端末機器等の電子機器への搭載が容易になる。特にスマートホンやタブレット端末に代表される電子機器は、外観が重要であるため表示パネルのべゼル（ディスプレイの周辺部）や背面に有機薄膜太陽電池のセルを搭載するに当たり、目立たない方が良い。透明電極層１１（ＴＣＯ）と接触させるために必要な有機層１４（１２・１４Ａ）への複数のドット状コンタクトホールは、高密度（酸素）プラズマエッチング技術若しくは直径約５μｍ程度のレーザ光（例えば、波長５３２ｎｍ）を用いて形成可能である。この手法を用いることで、外観を損なうことなく、接触抵抗を低減化可能であり、良好な接合を形成可能である。
　以上説明したように、本実施の形態によれば、直列接合部位の構造を改善し、外観を損なわず見栄えの良好な有機薄膜太陽電池およびその製造方法、および電子機器を提供することができる。
　[その他の実施の形態]
　上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
　このように、本実施の形態はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
　本実施の形態の有機薄膜太陽電池モジュールは、太陽光発電パネル、モバイル端末向け充電器など幅広い分野に適用可能である。
１…有機薄膜太陽電池セル
１０…基板（ＩＴＯ基板）
１１、１１1、１１2、１１3、１１4、１１5…第１電極層（アノード電極層、透明電極層）
１２…正孔輸送層
１４…有機層（正孔輸送層１２＋バルクヘテロ接合有機活性層１４Ａ）
１４Ａ…バルクへテロ接合有機活性層
１６、１６1、１６2、１６3、１６4…第２電極層（カソード電極層）
２６、２８、３０、３２…パッシベーション層
６２…スピンドル
６３…テーブル
６４…液滴
６５…スポイト
１００、１００Ａ…有機薄膜太陽電池モジュール

Claims (18)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に配置された第１および第２の透明電極層と、
    　前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に配置された有機層と、
    　前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホールと、
    　前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に配置された金属電極層と、
    　前記金属電極層上に配置されたパッシベーション層と
    　を備える有機薄膜太陽電池モジュール。
  2. 　前記ドット状コンタクトホールは、円形、長方形若しくは正方形のいずれかの形状を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  3. 　前記パッシベーション層は、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  4. 　前記パッシベーション層は、複数層繰り返し積層化されて、多重積層保護膜を形成したことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  5. 　基板と、
    　前記基板上に配置された第１および第２の透明電極層と、
    　前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に配置された有機層と、
    　前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数配置されたドット状コンタクトホールと、
    　前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に配置された金属電極層と、
    　前記金属電極層上に配置されたパッシベーション層と
    　を備える有機薄膜太陽電池セルを複数個直列に接続したことを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュール。
  6. 　前記ドット状コンタクトホールは、円形、長方形若しくは正方形のいずれかの形状を備えることを特徴とする請求項５に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  7. 　前記パッシベーション層は、ＳｉＮ膜若しくはＳｉＯＮ膜を備えることを特徴とする請求項５または６に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  8. 　前記パッシベーション層は、複数層繰り返し積層化されて、多重積層保護膜を形成したことを特徴とする請求項５～７のいずれか１項に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  9. 　前記有機層は、
    　正孔輸送層と、
    　前記正孔輸送層上に配置されたバルクへテロ接合有機活性層と
    　を備えることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  10. 　前記金属電極層は、表面に形成された不動態膜を備えることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の有機薄膜太陽電池モジュール。
  11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の有機薄膜太陽電池モジュールを備える電子機器。
  12. 　基板上に第１の透明電極層および第２の透明電極層を形成する工程と、
    　前記基板上および前記第１および第２の透明電極層上に有機層を形成する工程と、
    　前記有機層に対して面直方向に前記第２の透明電極層まで貫通して複数のドット状コンタクトホールを形成する工程と、
    　前記有機層上および前記ドット状コンタクトホールを介して前記第２の透明電極層上に金属電極層を形成する工程と、
    　前記金属電極層上にパッシベーション層を形成する工程と
    　を有することを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  13. 　前記パッシベーション層を形成する工程は、多重積層保護膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  14. 　前記ドット状コンタクトホールを形成する工程は、酸素プラズマによるパターニング工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  15. 　前記有機層を形成する工程は、インクジェット法による形成工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  16. 　前記ドット状コンタクトホールを形成する工程は、前記インクジェット法により前記有機層を塗り分けて形成する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  17. 　前記有機層を形成する工程は、
    　正孔輸送層を形成する工程と、
    　前記正孔輸送層上にバルクへテロ接合有機活性層を形成する工程と
    　を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
  18. 　前記金属電極層表面に不動態膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
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