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WO2015019019A1 - Procede de test de resistance d'une carte a puce et dispositif pour la realisation d'un tel test - Google Patents

Procede de test de resistance d'une carte a puce et dispositif pour la realisation d'un tel test Download PDF

Info

Publication number
WO2015019019A1
WO2015019019A1 PCT/FR2014/052035 FR2014052035W WO2015019019A1 WO 2015019019 A1 WO2015019019 A1 WO 2015019019A1 FR 2014052035 W FR2014052035 W FR 2014052035W WO 2015019019 A1 WO2015019019 A1 WO 2015019019A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
card
determined
smart card
smart
support
Prior art date
Application number
PCT/FR2014/052035
Other languages
English (en)
Inventor
Mathieu GARCON
Lucien Amiot
Original Assignee
Oberthur Technologies
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oberthur Technologies filed Critical Oberthur Technologies
Publication of WO2015019019A1 publication Critical patent/WO2015019019A1/fr

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/20—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying steady bending forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M5/00—Investigating the elasticity of structures, e.g. deflection of bridges or air-craft wings
    • G01M5/0041—Investigating the elasticity of structures, e.g. deflection of bridges or air-craft wings by determining deflection or stress
    • G01M5/005—Investigating the elasticity of structures, e.g. deflection of bridges or air-craft wings by determining deflection or stress by means of external apparatus, e.g. test benches or portable test systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0722—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips comprising an arrangement for testing the record carrier
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
    • G01N2203/022—Environment of the test
    • G01N2203/0222—Temperature
    • G01N2203/0226—High temperature; Heating means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N2203/02—Details not specific for a particular testing method
    • G01N2203/026—Specifications of the specimen
    • G01N2203/0262—Shape of the specimen
    • G01N2203/0278—Thin specimens
    • G01N2203/0282—Two dimensional, e.g. tapes, webs, sheets, strips, disks or membranes

Definitions

  • the present invention relates to smart cards and more particularly relates to a method for testing the resistance of such cards and a device for implementing such a test method.
  • Such cards are for example used as bank cards, loyalty cards, access cards, mobile phone cards, M2M cards (for "machine to machine”), etc. and can take various formats according to their respective use.
  • a smart card generally comprises a card body comprising a microcircuit (or microchip) capable of processing signals and performing various functions depending on the use for which the card is intended.
  • Contact pads electrically connected to the microcircuit are provided on the surface of the card body so as to be accessible by an external reading device.
  • Smart cards generally conform to a format whose dimensions are standardized.
  • Credit cards for example, generally conform to the ISO ID-1 format defined by ISO 7816 (equivalent to "IFF” (FF for "Form Factor”) format).
  • SIM cards are generally compliant with the 2FF format (“Mini-SIM”), 3 FF (“Micro-SIM”) or 4FF of the ISO 7816 standard.
  • the ISO 7816 standard requires that the dimensions of the smart cards remain within a tolerance close to the dimensions envisaged by this standard for the format considered. It is important that the dimensional deviations and possible deflections in curvature of the card vis-à-vis the standard format remain limited even when the card is exposed to a certain level of mechanical and thermal stresses.
  • the GSM standard today refers to the ISO 7810 standard and more particularly to its Annex A which defines a normative test for the temperature resistance of ID-1 format cards.
  • the aim of this normative test is to determine whether the structural or dimensional specifications of the card body conform to the ID-1 format when this card is subjected to a certain temperature. This is consists mainly of fixing the smart card to a support and then to submit the assembly at a temperature of 85 ° C for 4 hours (hours). The measurement of the deformation in curvature of the card body at the end of this heating step makes it possible to assess the level of temperature resistance of the ID-1 card considered.
  • a smart card can be subjected to a certain level of thermal and mechanical stresses during its normal use, in particular when this card is intended to be implemented in an electronic device such as a mobile phone or a mobile phone. tablet for example.
  • the normative test mentioned above is exclusively designed to measure the temperature resistance of ID-1 format cards.
  • the lower format cards e.g. 2FF or 3FF
  • the lower format cards have conditions of use and structural features that differ substantially from those of an ID-1 format card.
  • a card format 2FF or lower in which a microcircuit module has been inserted does not have the same mechanical properties as the ID-1 cards due in particular very different ratios of dimension of the card body relative to the module.
  • a 2FF card is more likely to be weakened during embedding (embedding) of the microcircuit module in the card body.
  • the present invention relates to a method for testing the resistance of a smart card comprising a card body in which a microcircuit module is disposed, said module comprising at least one contact pad accessible from outside the body. card, the method comprising:
  • the resistance test makes it possible to evaluate the deformation of the card with the stresses applied under real operating conditions.
  • the test method of the invention advantageously makes it possible to test the resistance of a smart card under conditions representative of the actual conditions of use of certain smart cards, in particular chip cards of format less than the ID format. -1 (eg 2FF or 3FF format).
  • certain smart cards such as SIM cards are intended to be subjected, during their operation, to mechanical constraints imposed by an electronic device with which the smart card cooperates (eg the case of a SIM card in a mobile phone).
  • the invention provides for the application of a pressing force on the contact area or pads of the card, which makes it possible to appreciate more precisely the manufacturing quality of smart cards and evaluate their resistance to constraints reflecting their conditions of use.
  • the invention makes it possible to better control the structural or dimensional deviations of smart cards subjected to such constraints.
  • the method further comprises a step d) of heating the smart card to a predetermined temperature, the heating step being performed simultaneously in step b).
  • the method comprises exposing the smart card to a humidity level determined simultaneously in step b), the moisture content being between 30% and 95%.
  • control step c) comprises measuring a deformation in curvature of the smart card with respect to a reference plane on which can be (or is) placed the smart card.
  • the smart card is positioned so that the entire card body can freely deform in the direction perpendicular to the determined plane.
  • the card bears on the support, the support comprising a cavity in the direction perpendicular to the determined plane. This cavity allows the card to deform more freely during the test.
  • step a) the card body is fixed to the support so as to allow deformation of the card in the direction perpendicular to the determined plane.
  • the method comprises before steps b) and c):
  • step d) the value of the pressure force applied in step b) and that of the determined temperature applied in step d) (in the case where step d) is performed) being determined according to the data determined in step al).
  • the data obtained in step a1) are determined from the actual conditions of use to which the smart card can be subjected in a specific electronic device such as a mobile phone.
  • the format of the smart card is less than the ID-1 format according to the ISO 7816 standard.
  • step b) a said pressure force is applied to each contact pad of the microcircuit module.
  • the invention also relates to a method of sorting smart cards comprising, for each smart card considered: the implementation of a method for testing the resistance of the smart card as defined above; and
  • step c The discarding or not of the smart card according to the result of the control performed in step c).
  • the smart card is discarded if a curvature deformation measured in the control step c) is greater than or equal to a predetermined threshold value.
  • the invention relates to a device for testing a smart card comprising a card body in which is disposed a microcircuit module, the module comprising at least one contact pad accessible from outside the card body, the device comprising:
  • a support adapted to hold the card in a determined position, the support comprising a cavity allowing the deformation of the card in the direction perpendicular to the plane in which the card extends; and pressure means capable of applying a pressure force over at least one contact zone of the microcircuit module for a predetermined period of time;
  • the support being adapted to be heated at a predetermined temperature simultaneously with the application of the pressing force.
  • the determined temperature is for example between 85 ° C and 125 ° C and can rise for example to 85 ° C or 120 ° C as appropriate.
  • the determined duration is for example greater than or equal to 1 hour (e.g. 4h).
  • the microcircuit module comprises a plurality of contact pads, the pressure means being configured to apply a pressing force to each contact pad of the module during the determined duration.
  • the pressure means are configured to apply a pressure force of 0.5 N on each of the at least one contact pad for the determined duration.
  • the pressure means are configured to apply each pressure force perpendicular to the corresponding contact area (or perpendicular to the plane in which the card extends when it is in position on the support).
  • FIG. 1 is a general perspective view schematically showing an example of a conventional microcircuit card (a SIM card in this example);
  • FIG. 2 is a sectional view schematically showing the design of the smart card of FIG. 1;
  • FIG. 3 is a general perspective view schematically showing a support according to a particular embodiment of the invention.
  • FIGS. 4 to 6 are perspective views schematically showing a test method and a test device according to a particular embodiment of the invention.
  • FIG. 7 is a perspective view of the microcircuit card of FIG. 1 during a step of checking structural specifications according to a particular embodiment of the invention.
  • the present invention relates to smart cards and relates more particularly to a method for testing the temperature resistance of such cards and a device for implementing such a test method.
  • SIM card 2 of 2FF format As represented in FIG. 1. It will be understood, however, that this SIM card 2 is only a non-limiting example of a smart card that can be the subject of FIG. a resistance test according to the invention. Other designs of smart cards are nevertheless conceivable within the scope of the invention.
  • the method of the invention can also apply to an M2M smart card allowing communication between two devices.
  • the SIM card 2 here comprises a card body 4 and a microcircuit module 6 which is embedded (or embedded) in the card body 4.
  • the microcircuit module 6 comprises a support 10 and a microcircuit 12 disposed on the lower face of the support 10 so as to be engaged in a cavity 14 of the card body during insertion.
  • Contact pads 8 are present on the upper face of the module 6 so as to be flush with the external surface of the card body 4.
  • the module 6 can be limited to an electronic chip having at least one contact pad.
  • the card body 4 is for example plastic although other materials can be envisaged as needed.
  • a SIM card for example is typically intended to be implemented in a mobile phone so that, under conventional conditions of use, this card is not only exposed to heat emanating from the mobile phone, or from the place in which is the mobile phone, but is also subject to mechanical stresses resulting in particular pressure forces applied by the conductive pins of the phone on the contact pads of the SIM card.
  • the present invention therefore relates to a temperature resistance test method taking into account the reality of the use of smart cards, including smart cards of size smaller than the ID-1 format.
  • the method of the invention also aims to better take into account the structural characteristics of chip cards smaller than the ID-1 format, although other formats are possible within the scope of the invention.
  • the invention provides for applying a pressure force to the contact pads of the microcircuit module for a predetermined period of time.
  • the invention comprises, simultaneously with the application of the pressure force, the exposure of the card to a determined temperature during the same determined duration (by heating the smart card).
  • the invention also relates to a device for implementing a resistance test method according to the invention and, more particularly, to a device capable of implementing the pressure force application step. on the contact area (s).
  • a resistance test method (steps E2 to E8) and a resistance test device 50 according to a particular embodiment of the invention are now described with reference to FIGS. 3 to 7.
  • Figure 3 is a perspective view schematically showing an example of support 30 adapted to receive the SIM card 2 to implement the method of the invention.
  • the support 30 comprises a cavity 32 opening on the upper face 30a of the support, as well as a step formed on each of the two peripheral portions of the cavity 32, these steps being able to support (support) the SIM card 2.
  • the support 30 is for example formed in a thermostable plastic material which is easy to machine. This type of material advantageously allows the support 30 to withstand higher or lower temperatures and, possibly, an atmosphere with a high humidity level, when the process of the invention is carried out (examples of temperatures and humidity levels will be provided later in this document).
  • the SIM card 2 is thus positioned on the support 34, the cavity 32 allowing the deformation of the SIM card 2 in the direction DR, this direction DR being perpendicular to the plane PL which extends the SIM card 2.
  • PL plane here means the plane according to which the card body extends before the possible appearance of deformations induced by the constraints (mechanical in particular) applied in the context of the invention.
  • the SIM card 2 is placed on the steps 34 in step E2 so as to partially or completely cover the cavity 32 of the support 30 (FIG. 4) and to extend along a plane PL.
  • the support 30 is thus configured to enable the SIM card 2, once in position on the support, to be deformed freely (under the effect of external constraints) in the direction DR perpendicular to the plane PL in which the card extends. SIM 2.
  • the support 30 is conceivable within the scope of the invention.
  • the smart card can simply be placed on a support so for example to cover at least partially a cavity in the support.
  • the support of the invention on which the smart card is to be positioned is configured to allow at least a portion of the body of the card to deform freely in a direction perpendicular to the plane PL of the card when the latter is in position on the support.
  • the smart card 2 is positioned (E2) on the support 30 so that the whole of the card body 2 can freely deform in the direction DR perpendicular to the plane PL of the card 2.
  • Embodiments in which the support is devoid of cavity are also conceivable.
  • the resistance testing device 50 comprises pressure means 40 able to apply a pressure force Fp external to the smart card 2 to at least one contact pad of the microcircuit module 6.
  • the pressure means 40 are configured to apply a pressing force Fp to each of the contact pads of the module 6.
  • the pressure means 50 comprise in this example six push cylinders 42, each of them being configured to apply a pressing force Fp to a respective contact pad 8 for a determined period of time DR
  • Each push cylinder 42 here comprises a rod sliding in a cylinder, the rod being held under pressure by a compressed spring housed in the cylinder.
  • each push cylinder 40 here applies the same pressure force Fp to a corresponding contact area 8 of the SIM card 2, the latter being in position on the support 30 (it is possible to apply different pressure forces on different contact pads).
  • the pressure means 40 are here configured to apply the pressing force Fp along the axis DR (i.e. perpendicular to the plane PL).
  • the push cylinders are each configured to apply a pressure force Fp substantially equal to
  • the value of the pressure Fp is constant in time and identical for each contact area.
  • a total pressure force of approximately 3 N is applied to all the contact pads 8.
  • the pressure force Fp is only applied to the contact pads 8.
  • this pressure force Fp is not applied to the external face of the card body 4.
  • this pressure force Fp is not applied to the part of the external face of the microcircuit module 6 having no contact pad 8.
  • pressure points 46 are applied (E6) by means of the head 44 of each jack 42 to each corresponding contact pad 8 for a determined period of time DR which will be defined more precisely below.
  • the pressure force Fp is here applied to the contact pads 8 continuously (or permanently) by the pressure means 40 and not intermittently. This also makes it possible to reproduce test conditions close to the conditions of use of a smart card such as a SIM card for example.
  • the positioning of the SIM card 2 on the support 34 is such that at least a portion of the card body 4 can deform freely under the action of the pressure force Fp applied to the contact pads 8.
  • the SIM card 2 is then heated (E6) to a predetermined temperature Ttest while maintaining the application of the pressure forces Fp on the contact pads.
  • This heating step E6 is however optional.
  • the step E4 of application of the pressure or pressure is performed at any temperature, the latter may vary in time if necessary.
  • steps E4 and E6 are thus carried out simultaneously during the determined duration DR fixed in this example at 4 o'clock.
  • the assembly comprising the device 50 and the SIM card 2 is placed in a chamber or oven capable of heating the assembly to a temperature Ttest which is set at 85 ° C in this example.
  • Ttest is preferably chosen to reflect actual thermal conditions of use of the smart card tested with a given device (a mobile phone for example) with which it is intended to cooperate.
  • Ttest is for example the maximum internal temperature of the device to which the smart card 2 can be exposed when the latter is used with such a device.
  • the temperature Ttest is for example set at 120 ° C.
  • the application of the pressure forces Fp is initiated before starting the heating E6 of the smart card.
  • the time required from the initiation of the forces Fp to apply the determined temperature Ttest is considered here as being marginal.
  • the method of the invention provides for applying (E4) the pressure force (s) Fp and heating (E6) the smart card to a temperature Tt is determined during the same period of time DR, one of the two steps being able to if necessary be initiated before the other and / or continue after the end of the period DR.
  • steps E4 and E6 may vary depending on the case. It is in particular possible to apply a humidity RH determined during steps E4 and E6, this rate rising for example from 30 to 95% RH, preferably 60% RH in this case.
  • a check (E8) of the structural (or dimensional) specifications of the SIM card 2 is carried out.
  • This check can be of different nature and is intended to evaluate the resistance of the card 2, in particular at the pressure (and possibly at the thermal and / or humidity stresses applied during the resistance test).
  • a delay DL of 30 min for example is respected between the end of steps E4 and E6 on the one hand, and the completion of the control step E8, on the other hand.
  • This control may comprise a visual inspection of the card body 4 in order to check the possible presence of deformations or failures such as delaminations or breaks, for example.
  • This control E8 can also include the measurement of certain structural characteristics of the smart card such as, for example, the measurement of dimensions of the smart card (thicknesses, etc.) and / or the measurement of deformations in curvature.
  • control E8 can be achieved by keeping the smart card in position on the support 30 or, alternatively, after removing the smart card from the support 30.
  • the control E8 comprises the measurement of a curvature deformation of the card body 4.
  • the smart card is placed on a reference plane PL2 that can possibly be formed by the support 30 itself.
  • Hmax the maximum height difference defined between the reference plane PL2 on which rests (or at least can be put) the smart card 2, on the one hand, and the point of the card furthest from this plane reference PL2, on the other hand.
  • This difference in height Hmax is for example measured by means of an optical device by placing the smart card on a support (made of marble for example) extending along the reference plane PL2.
  • this difference Hmax can be measured without the smart card being physically placed on a plane support extending along the reference plane PL2.
  • the strain DF experienced by the SIM card 2 is for example calculated as follows:
  • DF Hmax - where el is the initial thickness of the SIM card 2 before testing.
  • This deviation DF may for example be of the order of 1.8 to 2.4 mm for a SIM card 2FF.
  • the test method of the invention therefore advantageously makes it possible to test the resistance of a smart card under conditions that are more representative of the actual conditions of use of certain smart cards, in particular chip cards with a format smaller than the ID-format. 1 (eg 2FF or 3FF format).
  • certain smart cards such as SIM cards are intended to be subjected, during their operation, to mechanical and thermal constraints imposed by an electronic device with which the smart card cooperates (eg the case of a card). SIM card in a mobile phone).
  • the invention provides for the application of a pressure force on the contact pads of this card (and possibly for heating the card simultaneously). at a certain temperature), this makes it possible to more precisely assess the quality of manufacture of smart cards and to evaluate their resistance to constraints reflecting their conditions of use which can be extreme in certain cases. In particular, the invention makes it possible to better control the structural or dimensional deviations of smart cards subjected to such constraints.
  • the chip card is attached to the support so as to allow the deformation of the card in the direction DR.
  • the smart card is, for example, cantilevered into the support of the invention, as provided for example by the ISO 7818 normative test in its operating mode.
  • the support comprises attachment means (a slot or a clamp for example) for receiving and fixedly holding an edge of the smart card considered. Only a portion of the card body is then attached to the holder so that the rest of the card body can freely deform during steps E4 and E6.
  • test method of the invention may further comprise a preliminary step El prior to steps E4 and E6 (and preferably in step E2).
  • This step El comprises the determination of DN data relating to:
  • the DN data above concerns, for example, the particular conditions of use to which the smart card 8 in question (or to which identical or similar cards are subject) are subjected in a specific electronic device with which the smart card is intended to cooperate.
  • a specific electronic device can be a mobile phone, a tablet or a computer.
  • the value of the pressure force Fp applied to the contact pad (s) in step E4 and the value of the temperature Tt applied, if necessary, to step E6 are both determined as a function of DN data determined during the preliminary step El.
  • the value of the pressure forces Fp is thus determined from the pressure forces applied by conductive pins in a mobile phone intended to cooperate with a smart card such as the smart card 2. From even, the temperature Ttest can be deduced from the maximum temperature at which a smart card such as the card 2 can be subjected to in such a mobile telephone in operation.
  • the present invention further relates to a method of sorting smart cards for discarding smart cards found to be non-compliant in view of the results of the control performed during a resistance test method according to the invention.
  • the method of sorting smart cards according to the invention comprises, for each smart card controlled:
  • the chip card is discarded if a curvature deformation measured at the control step E8 is greater than or equal to a predetermined threshold value.
  • This threshold is for example set at 0.5 mm.

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Abstract

L'invention concerne un procédé de test de résistance d'une carte à puce (2) comprenant un corps de carte (4) dans lequel est disposé un module à microcircuit (6), ce module (6) comportant des plages de contact (8) accessibles depuis l'extérieur du corps de carte (4), le procédé comprenant :• a) le positionnement de la carte à puce (2) sur un support (30) suivant un plan déterminé de sorte qu'au moins une partie du corps de carte puisse se déformer librement selon une direction (DR) perpendiculaire au plan déterminé;• b) puis l'application (E4) pendant une durée déterminée d'une force de pression (Fp) sur les plages de contact (8) du module (6); • c) puis le contrôle de spécifications structurelles de la carte à puce (2).

Description

Procédé de test de résistance d'une carte à puce et dispositif pour la réalisation d'un tel test
Arrière-plan de l'invention
La présente invention concerne les cartes à puce et porte plus particulièrement sur un procédé de test de résistance de telles cartes ainsi qu'un dispositif permettant la mise en œuvre d'un tel procédé de test.
L'utilisation des cartes à puce est aujourd'hui largement répandue dans la vie courante. De telles cartes sont par exemple utilisées comme cartes bancaires, cartes de fidélité, cartes d'accès, cartes pour téléphones portables, cartes M2M (pour « machine to machine »), etc. et peuvent prendre divers formats selon leur utilisation respective.
Une carte à puce comprend généralement un corps de carte comportant un microcircuit (ou puce électronique) apte à traiter des signaux et à réaliser divers fonctions selon l'utilisation à laquelle la carte est destinée. Des plages de contact reliées électriquement au microcircuit sont ménagées à la surface du corps de carte de façon à être accessibles par un dispositif de lecture externe.
Les cartes à puce respectent généralement un format dont les dimensions sont normalisées. Les cartes de crédit, par exemple, sont généralement conformes au format ISO ID-1 défini par la norme ISO 7816 (équivalent au format « IFF » (FF pour « Form Factor »)). Les cartes SIM sont quant à elles généralement conformes au format 2FF (« Mini-SIM »), 3 FF (« Micro-SIM ») ou 4FF de la norme ISO 7816.
Le standard ISO 7816 impose que les dimensions des cartes à puce restent conformes à une tolérance près aux dimensions prévues par cette norme pour le format considéré. Il est important que les écarts dimensionnels et les possibles déviations en courbure de la carte vis-à-vis du format standard restent limités y compris lorsque la carte est exposée à un certain niveau de contraintes mécaniques et thermiques.
Ainsi, le standard GSM fait aujourd'hui référence à la norme ISO 7810 et plus particulièrement à son Annexe A qui définit un test normatif de résistance en température des cartes de format ID-1. Ce test normatif a pour but de déterminer si les spécifications structurelles ou dimensionnelles du corps de carte restent conformes au format ID-1 lorsque cette carte est soumise à une certaine température. Ce test consiste principalement à fixer la carte à puce à un support puis à soumettre l'ensemble à une température de 85 °C pendant 4h (heures). La mesure de la déformation en courbure du corps de carte à l'issue de cette étape de chauffage permet d'apprécier le niveau de résistance en température de la carte ID-1 considérée.
La déposante a toutefois constaté que le test normatif ci-dessus prévu par la norme ISO 7816 Annexe A n'est pas toujours adapté pour tester la résistance de cartes à puce, notamment en ce qui concerne les cartes à puce de format inférieur au format ID-1. En général, une carte à puce peut être soumise à un certain niveau de contraintes thermiques et mécaniques au cours de son utilisation normale, en particulier lorsque cette carte est destinée à être mise en œuvre dans un dispositif électronique tel qu'un téléphone mobile ou une tablette par exemple.
Or, le test normatif de résistance à la température défini par la norme ISO 7810 Annexe A ne permet pas de prendre en compte les contraintes mécaniques auxquelles les cartes à puce peuvent être soumises en fonctionnement normal. Ce test n'est donc pas toujours satisfaisant en ce qu'il ne produit pas des résultats suffisamment proches de la réalité d'utilisation de certaines cartes à puce.
En outre, le test normatif évoqué ci-dessus est exclusivement conçu pour mesurer la résistance en température de cartes de format ID-1. Or, les cartes de format inférieur (e.g. 2FF ou 3FF) présentent des conditions d'utilisation et des caractéristiques structurelles qui divergent sensiblement de celles d'une carte de format ID-1. Par exemple, une carte de format 2FF ou inférieur dans lequel un module à microcircuit a été inséré ne présente pas les mêmes propriétés mécaniques que les cartes ID-1 du fait notamment des rapports très différents de dimension du corps de carte par rapport au module. Une carte 2FF est davantage susceptible d'être fragilisée lors de l'intégration (encartage) du module à microcircuit dans le corps de carte.
La déposante a donc constaté que le test normatif prévu par la norme ISO 7810 Annexe A n'est pas satisfaisant en particulier pour l'évaluation de la résistance des cartes à puce de format inférieur au format ID-1.
Il existe donc un besoin pour une solution permettant de mieux contrôler les déviations structurelles ou dimensionnelles des cartes à puce soumises à des contraintes reflétant leurs conditions réelles d'utilisation. Aucun test actuel ne permet en particulier d'évaluer de façon satisfaisante la stabilité structurelle de cartes à puce de format inférieur au format ID-1 (de format 2FF ou 3FF par exemple). Objet et résumé de l'invention
A cet effet, la présente invention concerne un procédé de test de résistance d'une carte à puce comprenant un corps de carte dans lequel est disposé un module à microcircuit, ledit module comportant au moins une plage de contact accessible depuis l'extérieur du corps de carte, le procédé comprenant :
a) le positionnement (E2) de la carte à puce sur un support suivant un plan déterminé de sorte qu'au moins une partie du corps de carte puisse se déformer librement selon une direction perpendiculaire audit plan déterminé ; b) puis l'application (E4) pendant une durée déterminée d'une force de pression sur au moins une plage de contact du module ;
c) puis le contrôle (E8) de spécifications structurelles de la carte à puce.
Le test de résistance permet d'évaluer la déformation de la carte avec les contraintes appliquées dans des conditions de fonctionnement réelles.
Plus particulièrement, le procédé de test de l'invention permet avantageusement de tester la résistance d'une carte à puce dans des conditions représentatives des conditions d'utilisation réelles de certaines cartes à puce, notamment des cartes à puce de format inférieur au format ID-1 (e.g. format 2FF ou 3FF). Comme indiqué précédemment, certaines cartes à puce telles que les cartes SIM sont destinées à être soumises, au cours de leur fonctionnement, à des contraintes mécaniques imposées par un dispositif électronique avec lequel la carte à puce coopère (e.g. le cas d'une carte SIM dans un téléphone mobile).
A la différence du test normatif prévu par la norme ISO 7810 Annexe A qui vise exclusivement les cartes ID-1, l'invention prévoit d'appliquer une force de pression sur la ou les plages de contact de la carte, ceci permettant d'apprécier de manière plus précise la qualité de fabrication des cartes à puce et d'évaluer leur résistance à des contraintes reflétant leurs conditions d'utilisation.
Il est ainsi possible de mesurer la déformation plastique de la carte, l'adhérence du module au corps de carte, ou encore les modifications de la structure de la carte.
L'invention permet en particulier de mieux contrôler les déviations structurelles ou dimensionnelles des cartes à puce soumises à de telles contraintes.
Dans un mode de réalisation particulier, le procédé comprend en outre une étape d) de chauffage de la carte à puce à une température déterminée, l'étape de chauffage étant réalisée simultanément à l'étape b).
Ceci permet d'apprécier de manière encore plus précise la qualité de fabrication des cartes à puce et d'évaluer leur résistance à des contraintes reflétant leurs conditions d'utilisation. Dans un mode de réalisation particulier, le procédé comprend l'exposition de la carte à puce à un taux d'humidité déterminé simultanément à l'étape b), le taux d'humidité étant compris entre 30% et 95%. Ces caractéristiques permettent de réaliser un test de résistance dans des conditions de fonctionnement réelles sévères ou inhabituelles et d'évaluer la déformation de la carte face aux contraintes appliquées.
Dans un mode de réalisation particulier, l'étape de contrôle c) comprend la mesure d'une déformation en courbure de la carte à puce par rapport à un plan de référence sur lequel peut être (ou est) posée la carte à puce.
Selon un mode de réalisation particulier, lors de l'étape a), la carte à puce est positionnée de sorte que la totalité du corps de carte puisse se déformer librement selon la direction perpendiculaire au plan déterminé.
Dans une variante de ce mode de réalisation, la carte est en appui sur le support, le support comprenant une cavité selon la direction perpendiculaire au plan déterminé. Cette cavité permet à la carte de se déformer plus librement pendant le test.
Selon un mode de réalisation particulier, à l'étape a), le corps de carte est fixé au support de façon à autoriser la déformation de la carte selon la direction perpendiculaire au plan déterminée.
Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend préalablement aux étapes b) et c) :
al) la détermination de données relatives à au moins une force de pression sur une plage de contact et à au moins une température auxquelles est soumise la carte à puce dans des conditions d'utilisation particulières,
la valeur de la force de pression appliquée à l'étape b) et celle de la température déterminée appliquée à l'étape d) (dans le cas où l'étape d) est réalisée) étant déterminées en fonction des données déterminées à l'étape al).
Dans une variante de ce mode de réalisation, les données obtenues à l'étape al) sont déterminées à partir des conditions réelles d'utilisation auxquelles peut être soumise la carte à puce dans un dispositif électronique déterminé tel qu'un téléphone portable.
Selon un mode de réalisation particulier, le format de la carte à puce est inférieur au format ID-1 selon la norme ISO 7816.
Selon un mode de réalisation particulier, à l'étape b), une dite force de pression est appliquée sur chaque plage de contact du module à microcircuit.
L'invention concerne également un procédé de tri de cartes à puce comprenant, pour chaque carte à puce considérée : - la mise en œuvre d'un procédé de test de la résistance de la carte à puce tel que défini ci-avant ; et
- la mise ou non au rebut de la carte à puce en fonction du résultat du contrôle réalisé à l'étape c).
Dans un cas particulier, la carte à puce est mise au rebut si une déformation en courbure mesurée à l'étape de contrôle c) est supérieure ou égale à une valeur seuil prédéterminée.
Corrélativement, l'invention concerne un dispositif de test d'une carte à puce comprenant un corps de carte dans lequel est disposé un module à microcircuit, le module comportant au moins une plage de contact accessible depuis l'extérieur du corps de carte, le dispositif comprenant :
- un support adapté à faire tenir la carte dans une position déterminée, le support comportant une cavité autorisant la déformation de la carte selon la direction perpendiculaire au plan dans lequel s'étend la carte ; et - des moyens de pression aptes à appliquer pendant une durée déterminée une force de pression sur au moins une plage de contact du module à microcircuit ;
le support étant apte à subir un chauffage à une température déterminée simultanément à l'application de la force de pression.
La température déterminée est par exemple comprise entre 85 °C et 125 °C et peut s'élever par exemple à 85 °C ou 120 °C selon le cas.
La durée déterminée est par exemple supérieure ou égale à 1 heure (e.g. 4h). Selon un mode de réalisation particulier, le module à microcircuit comprend une pluralité de plages de contact, les moyens de pression étant configurés pour appliquer une force de pression sur chaque plage de contact du module pendant la durée déterminée.
Selon un mode de réalisation particulier, les moyens de pression sont configurés pour appliquer une force de pression de 0,5 N sur chacune des au moins une plage de contact pendant la durée déterminée.
Selon un mode de réalisation particulier, les moyens de pression sont configurés pour appliquer chaque force de pression perpendiculairement à la plage de contact correspondante (ou perpendiculairement au plan dans lequel s'étend la carte lorsqu'elle est en position sur le support).
Les avantages et commentaires exposés ci-dessus en relation avec le procédé de test de résistance en température d'une carte à puce s'appliquent de la même manière au dispositif de test de l'invention. Brève description des dessins
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures:
- la figure 1 est une vue en perspective générale représentant schématiquement un exemple de carte à microcircuit conventionnelle (une carte SIM dans cet exemple) ;
- la figure 2 est une vue en coupe représentant schématiquement la conception de la carte à puce de la figure 1 ;
- la figure 3 est une vue en perspective générale représentant schématiquement un support conforme à un mode de réalisation particulier de l'invention;
- les figures 4 à 6 sont des vues en perspective représentant schématiquement un procédé de test et un dispositif de test conformes à un mode de réalisation particulier de l'invention ; et
- la figure 7 est une vue en perspective de la carte à microcircuit de la figure 1 lors d'une étape de contrôle de spécifications structurelles selon un mode de réalisation particulier de l'invention.
Description détaillée de plusieurs modes de réalisation
La présente invention concerne les cartes à puce et porte plus particulièrement sur un procédé de test de résistance en température de telles cartes ainsi qu'un dispositif permettant la mise en œuvre d'un tel procédé de test.
Dans ce document, des exemples de mise en œuvre de l'invention sont décrits dans le cadre du test de résistance en température de cartes de format 2FF, et plus particulièrement des cartes SIM 2FF dans le cas présent. Toutefois, bien que la présente invention s'applique de façon préférentielle aux cartes de format inférieur au format ID-1 (1FF) (e.g. 2FF ou 3FF), on comprendra que l'invention s'applique plus généralement aux cartes à puce de format quelconque (conforme ou non à la norme ISO 7816).
Les exemples de réalisation décrits plus bas font référence à une carte SIM 2 de format 2FF comme représentée en figure 1. On comprendra toutefois que cette carte SIM 2 ne constitue qu'un exemple non limitatif de carte à puce pouvant faire l'objet d'un test de résistance selon l'invention. D'autres conceptions de cartes à puce sont néanmoins envisageables dans le cadre de l'invention. Le procédé de l'invention peut s'appliquer également à une carte à puce M2M permettant la communication entre deux appareils.
Comme représenté en figure 2, la carte SIM 2 comporte ici un corps de carte 4 et un module à microcircuit 6 encarté (ou incorporé) dans le corps de carte 4. Le module à microcircuit 6 comporte un support 10 et un microcircuit 12 disposé sur la face inférieure du support 10 de façon à être engagé dans une cavité 14 du corps de carte lors de l'encartage. Des plages de contact 8 (au nombre de six dans cet exemple) sont présents sur la face supérieure du module 6 de sorte à affleurer la surface externe du corps de carte 4. Dans une variante, le module 6 peut se limiter à une puce électronique comportant au moins une plage de contact.
Le corps de carte 4 est par exemple en plastique bien que d'autres matériaux puissent être envisagés selon les besoins.
Comme indiqué ci-avant, la déposante a observé que le test normatif ISO 7810 Annexe A n'offre pas de résultats satisfaisants en particulier pour des cartes à puces dont le format est inférieur au format ID-1. Une carte SIM par exemple est typiquement destinée à être mise en œuvre dans un téléphone mobile de sorte que, dans des conditions d'utilisation classiques, cette carte est non seulement exposée à la chaleur émanant du téléphone mobile, ou de l'endroit dans lequel se trouve le téléphone mobile, mais est également soumise à des contraintes mécaniques résultant notamment des forces de pression appliquées par les picots conducteurs du téléphone sur les plages de contact de la carte SIM.
La présente invention a donc pour objet un procédé de test de résistance en température tenant compte de la réalité de l'utilisation des cartes à puce, notamment des cartes à puce de format inférieur au format ID-1. Le procédé de l'invention a également pour objet de mieux prendre en compte les caractéristiques structurelles propres aux cartes à puce de format inférieur au format ID-1, bien que d'autres formats soient envisageables dans le cadre de l'invention.
Pour ce faire, l'invention prévoit d'appliquer pendant une durée déterminée une force de pression sur les plages de contact du module à microcircuit. Dans un cas particulier, l'invention comprend, simultanément à l'application de la force de pression, l'exposition de la carte à une température déterminée pendant cette même durée déterminée (en chauffant la carte à puce).
L'invention concerne également un dispositif permettant la mise en œuvre d'un procédé de test de résistance conforme à l'invention et, plus particulièrement, un dispositif apte à la mise en œuvre de l'étape d'application de la force de pression sur la ou les plages de contact. Un procédé de test de résistance (étapes E2 à E8) et un dispositif 50 de test de résistance conformes à un mode de réalisation particulier de l'invention sont à présent décrits en référence aux figures 3 à 7.
La figure 3 est une vue en perspective représentant schématiquement un exemple de support 30 apte à recevoir la carte SIM 2 pour mettre en œuvre le procédé de l'invention.
Le support 30 comporte dans cet exemple une cavité 32 débouchant sur la face supérieure 30a du support, ainsi qu'une marche formée sur chacune des deux portions périphériques de la cavité 32, ces marches 34 étant aptes à recevoir en appui (à supporter) la carte SIM 2.
Le support 30 est par exemple formé dans une matière plastique thermostable qui est facile à usiner. Ce type de matériau permet avantageusement au support 30 de résister à des plus ou moins hautes températures et, éventuellement, à une atmosphère à taux d'humidité important, lors de la mise en œuvre du procédé de l'invention (des exemples de valeurs de températures et de taux d'humidité seront fournis dans la suite de ce document).
Au cours d'une étape E2, la carte SIM 2 est ainsi positionnée sur le support 34, la cavité 32 autorisant la déformation de la carte SIM 2 selon la direction DR, cette direction DR étant perpendiculaire au plan PL selon lequel s'étend la carte SIM 2. On entend ici par « plan PL » le plan selon lequel s'étend le corps de carte avant l'apparition éventuelle de déformations induites par les contraintes (mécaniques notamment) appliquées dans le cadre de l'invention.
Dans l'exemple considéré ici, la carte SIM 2 est placée sur les marches 34 à l'étape E2 de façon à recouvrir partiellement ou totalement la cavité 32 du support 30 (figure 4) et à s'étendre selon un plan PL.
Le support 30 est donc configuré pour permettre à la carte SIM 2, une fois en position sur le support, de se déformer librement (sous l'effet de contraintes extérieures) selon la direction DR perpendiculaire au plan PL dans lequel s'étend la carte SIM 2.
Comme expliqué plus en détail ultérieurement, d'autres modes de réalisation du support 30 sont envisageables dans le cadre de l'invention. La présence notamment des marches dans le support n'est pas obligatoire, la carte à puce pouvant simplement être posée sur un support de façon par exemple à recouvrir au moins partiellement une cavité ménagée dans le support.
Plus généralement, le support de l'invention sur lequel doit être positionnée la carte à puce est configuré de sorte à permettre à au moins une partie du corps de carte de se déformer librement suivant une direction perpendiculaire au plan PL de la carte lorsque cette dernière est en position sur le support.
Dans le mode de réalisation considéré ici, la carte à puce 2 est positionnée (E2) sur le support 30 de sorte que la totalité du corps de carte 2 puisse se déformer librement suivant la direction DR perpendiculaire au plan PL de la carte 2. Des modes de réalisation dans lesquels le support est dépourvu de cavité sont aussi envisageables.
Outre le support 30, le dispositif 50 de test de résistance comprend des moyens de pression 40 aptes à appliquer une force de pression Fp externes à la carte à puce 2 sur au moins une plage de contact du module à microcircuit 6. Dans cet exemple de réalisation, les moyens de pression 40 sont configurés pour appliquer une force de pression Fp sur chacune des plages de contact du module 6.
Plus spécifiquement, les moyens de pression 50 comprennent dans cet exemple six vérins poussoirs 42, chacun d'eux étant configuré pour appliquer une force de pression Fp sur une plage de contact 8 respective pendant une durée déterminée DR
(figure 5). Chaque vérin poussoir 42 comporte ici une tige coulissant dans un cylindre, la tige étant maintenue sous pression par un ressort comprimé logé dans le cylindre.
Au cours d'une étape E4, chaque vérin poussoir 40 applique ici une même force de pression Fp sur une plage de contact 8 correspondante de la carte SIM 2, cette dernière étant en position sur le support 30 (il est toutefois possible d'appliquer des forces de pression différentes sur différentes plages de contact).
Bien que cela ne soit pas obligatoire, les moyens de pression 40 sont ici configurés pour appliquer la force de pression Fp selon l'axe DR (i.e. perpendiculairement au plan PL). De plus, dans cet exemple, les vérins poussoirs sont chacun configurés de façon à appliquer une force de pression Fp sensiblement égale à
0,5 N (Newton) chacun. De manière préférée, la valeur de la pression Fp est constante dans le temps et identique pour chaque plage de contact. On applique ainsi dans le cas présent une force de pression totale d'environ 3 N sur l'ensemble des plages de contact 8.
Dans le mode particulier de la figure 5, la force de pression Fp est uniquement appliquée sur les plages de contact 8. Ainsi, cette force de pression Fp n'est pas appliquée sur la face externe du corps de carte 4. En outre, cette force de pression Fp n'est pas appliquée sur la partie de la face externe du module à microcircuit 6 ne comportant pas de plage de contact 8.
Cette configuration permet de reproduire fidèlement les contraintes mécaniques auxquelles peut réellement être soumis ce type de carte SIM dans un téléphone mobile classique (les picots du téléphone imposent en général une force de pression de l'ordre de 0,5 N perpendiculairement aux plages de contact). D'autres réglages des moyens de pression 40 peuvent toutefois être choisis selon notamment les conditions d'utilisation prévues pour la carte à puce considérées.
On applique (E6) ainsi des points de pression 46 au moyen de la tête 44 de chaque vérin 42 sur chaque plage de contact 8 correspondante et ce, pendant une durée déterminée DR qui sera définie plus précisément ci-dessous.
A noter également que la force de pression Fp est ici appliquée sur les plages de contact 8 de manière continue (ou permanente) par les moyens de pression 40 et non par intermittence. Ceci permet également de reproduire des conditions de test proches de conditions d'utilisation d'une carte à puce telle qu'une carte SIM par exemple.
Le positionnement de la carte SIM 2 sur le support 34 est tel qu'au moins une partie du corps de carte 4 peut se déformer librement sous l'action de la force de pression Fp appliquée sur les plages de contact 8.
Dans le mode de réalisation décrit ici, la carte SIM 2 est ensuite chauffée (E6) à une température déterminée Ttest tout en maintenant l'application des forces de pression Fp sur les plages de contact. Cette étape de chauffage E6 est toutefois facultative. De manière alternative, l'étape E4 d'application de la ou des forces de pression est réalisée à une température quelconque, celle-ci pouvant varier dans le temps le cas échéant.
Dans le mode de réalisation décrit ici, on réalise ainsi de façon simultanée les étapes E4 et E6 pendant la durée déterminée DR fixée dans cet exemple à 4h.
Plus précisément, dans cet exemple, l'ensemble comprenant le dispositif 50 et la carte SIM 2 est placé dans une enceinte ou étuve apte à chauffer l'ensemble à une température Ttest qui est fixée à 85 °C dans cet exemple. La valeur de Ttest est de préférence choisie de façon à refléter des conditions thermiques réelles d'utilisation de la carte à puce testée avec un appareil donné (un téléphone mobile par exemple) avec lequel elle est destinée à coopérer. Ttest est par exemple la température interne maximale de l'appareil à laquelle la carte à puce 2 peut être exposée lorsque cette dernière est utilisée avec un tel appareil.
Selon une variante dans laquelle la carte à puce 2 est une carte M2M, la température Ttest est par exemple fixée à 120 °C.
A noter que dans le mode de réalisation décrit ici, l'application des forces de pression Fp est initiée avant de débuter le chauffage E6 de la carte à puce. Le temps nécessaire à compter de l'initiation des forces Fp pour appliquer la température déterminée Ttest est considéré ici comme étant marginale. En tout état de cause, le procédé de l'invention prévoit d'appliquer (E4) la ou les forces de pression Fp et de chauffer (E6) la carte à puce à une température Ttest déterminée pendant une même période de temps DR, l'une des deux étapes pouvant le cas échéant être initiée avant l'autre et/ou se poursuivre après la fin de la durée DR.
A noter que les conditions notées condl dans lesquelles les étapes E4 et E6 sont réalisées peuvent varier selon le cas. Il est notamment possible d'appliquer un taux d'humidité RH déterminé lors des étapes E4 et E6, ce taux s'élevant par exemple de 30 à 95%RH, de préférence 60% RH dans le cas présent.
Une fois l'étape E4 (et éventuellement E6) réalisée, il est procédé à un contrôle (E8) des spécifications structurelles (ou dimensionnelles) de la carte SIM 2. Ce contrôle peut être de différente nature et vise à évaluer la résistance de la carte 2 notamment à la pression (et éventuellement aux contraintes thermiques et/ou d'humidité appliquées lors du test de résistance). Dans un cas particulier, un délai DL de 30 min par exemple est respecté entre la fin des étapes E4 et E6 d'une part, et la réalisation de l'étape de contrôle E8, d'autre part.
Ce contrôle peut comprendre un contrôle visuel du corps de carte 4 afin de vérifier la présence éventuelle de déformations ou de défaillances telles que des délaminations ou cassures par exemple. Ce contrôle E8 peut également comprendre la mesure de certaines caractéristiques structurelles de la carte à puce comme par exemple la mesure de dimensions de la carte à puce (épaisseurs etc.) et/ou la mesure de déformations en courbure.
On notera que le contrôle E8 peut être réalisé en gardant la carte à puce en position sur le support 30 ou, alternativement, après avoir retiré la carte à puce du support 30.
Comme représenté en figure 7, dans l'exemple considéré ici, le contrôle E8 comprend la mesure d'une déformation en courbure du corps de carte 4. Pour ce faire, la carte à puce est posée sur un plan de référence PL2 pouvant éventuellement être formé par le support 30 lui-même. On mesure alors la différence de hauteur maximale Hmax définie entre le plan de référence PL2 sur lequel repose (ou du moins peut être posée) la carte à puce 2, d'une part, et le point de la carte le plus éloigné de ce plan de référence PL2, d'autre part. Cette différence de hauteur Hmax est par exemple mesurer au moyen d'un appareil optique en plaçant la carte à puce sur un support (en marbre par exemple) s'étendant suivant le plan de référence PL2. Selon une alternative, on peut mesurer cette différence Hmax sans que la carte à puce soit physiquement posée sur un support plan s'étendant suivant le plan de référence PL2. La déformation DF subi par la carte SIM 2 est par exemple calculée de la manière suivante :
DF = Hmax - el où el est l'épaisseur initiale de la carte SIM 2 avant test.
Cette déviation DF peut par exemple être de l'ordre de 1,8 à 2,4 mm pour une carte SIM 2FF.
Le procédé de test de l'invention permet donc avantageusement de tester la résistance d'une carte à puce dans des conditions plus représentatives des conditions d'utilisation réelles de certaines cartes à puce, notamment des cartes à puce de format inférieur au format ID-1 (e.g. format 2FF ou 3FF). Comme indiqué précédemment, certaines cartes à puce telles que les cartes SIM sont destinées à être soumises, au cours de leur fonctionnement, à des contraintes mécaniques et thermiques imposées par un dispositif électronique avec lequel la carte à puce coopère (e.g. le cas d'une carte SIM dans un téléphone mobile).
A la différence du test normatif prévu par la norme ISO 7810 Annexe A qui vise exclusivement les cartes ID-1, l'invention prévoit d'appliquer une force de pression sur les plages de contact de cette carte (et éventuellement de chauffer simultanément la carte à puce à une certaine température), ceci permettant d'apprécier de manière plus précise la qualité de fabrication des cartes à puce et d'évaluer leur résistance à des contraintes reflétant leurs conditions d'utilisation pouvant être extrêmes dans certains cas. L'invention permet en particulier de mieux contrôler les déviations structurelles ou dimensionnelles des cartes à puce soumises à de telles contraintes.
Dans une variante de réalisation, la carte à puce est fixée au support de façon à autoriser la déformation de la carte selon la direction DR. Dans un cas particulier, la carte à puce est par exemple encastrée en porte-à-faux dans le support de l'invention, comme le prévoit par exemple le test normatif ISO 7818 Annexe A dans son mode opératoire. Dans ce cas particulier, le support comprend des moyens d'attache (une fente ou une pince par exemple) permettant d'accueillir et de maintenir fixement un bord de la carte à puce considérée. Une portion seulement du corps de carte est alors fixée au support de sorte que le reste du corps de carte puisse se déformer librement pendant les étapes E4 et E6.
D'autre part, le procédé de test de l'invention peut en outre comprendre une étape préliminaire El préalable aux étapes E4 et E6 (et de préférence à l'étape E2). Cette étape El comprend la détermination de données DN relatives à :
- au moins une force de pression à laquelle est soumise au moins une plage de contact (de préférence chaque plage de contact) de la carte à puce 2 dans des conditions d'utilisation particulières notées cond2 ; et - une température (e.g. la température maximale) à laquelle est soumise la carte à puce 2 dans les conditions d'utilisation particulières cond2. Les données DN ci-dessus concernent par exemple les conditions particulières d'utilisation auxquelles est soumises la carte à puce 8 considérée (ou auxquelles sont soumises des cartes identiques ou similaires) dans un dispositif électronique déterminé avec lequel la carte à puce est destinée à coopérer. A titre d'exemple, un tel dispositif électronique peut être un téléphone mobile, une tablette ou un ordinateur.
Dans cette variante de réalisation, la valeur de la force de pression Fp appliquée sur la ou les plages de contact à l'étape E4 et la valeur de la température Ttest appliquée le cas échéant à l'étape E6 sont toutes deux déterminées en fonction des données DN déterminées lors de l'étape préliminaire El.
Dans l'exemple considéré plus haut, la valeur des forces de pression Fp est ainsi déterminée à partir des forces de pression appliquées par des picots conducteurs dans un téléphone mobile destiné à coopérer avec une carte à puce telle que la carte à puce 2. De même, la température Ttest peut être déduite de la température maximale à laquelle peut être soumise une carte à puce telle que la carte 2 dans un tel téléphone mobile en fonctionnement.
La présente invention concerne en outre un procédé de tri de cartes à puce permettant de mettre au rebut les cartes à puce jugées non conformes au vu des résultats du contrôle opéré lors d'un procédé de test de résistance conforme à l'invention.
Plus précisément, le procédé de tri de cartes à puce selon l'invention comprend, pour chaque carte à puce contrôlée :
- la mise en œuvre d'un procédé de test de la résistance de la carte à puce conformément à l'invention ; et
- la mise ou non au rebut de la carte à puce en fonction du résultat du contrôle opéré à l'étape E8.
Selon un mode de réalisation particulier, la carte à puce est mise au rebut si une déformation en courbure mesurée à l'étape de contrôle E8 est supérieure ou égale à une valeur seuil prédéterminée. Ce seuil est par exemple fixé à 0,5 mm.
Un homme du métier comprendra que les modes de réalisation et variantes décrits ci-avant ne constituent que des exemples non limitatifs de mise en œuvre de l'invention. En particulier, l'homme du métier pourra envisager une quelconque combinaison des variantes et modes de réalisation décrits ci-avant afin de répondre à un besoin bien particulier.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de test de résistance d'une carte à puce (2) comprenant un corps de carte (4) dans lequel est disposé un module à microcircuit (6), ledit module (6) comportant au moins une plage de contact (8) accessible depuis l'extérieur du corps de carte (4), le procédé comprenant :
a) le positionnement (E2) de la carte à puce (2) sur un support (30) suivant un plan déterminé (PL) de sorte qu'au moins une partie du corps de carte puisse se déformer librement selon une direction (DR) perpendiculaire audit plan déterminé (PL) ;
b) puis l'application (E4) pendant une durée déterminée d'une force de pression (Fp) sur au moins une plage de contact (8) dudit module ;
c) puis le contrôle (E8) de spécifications structurelles de la carte à puce (2).
2. Procédé de test de résistance selon la revendication 1, dans lequel ladite force de pression (Fp) est uniquement appliquée sur ladite au moins une plage de contact (8).
3. Procédé de test de résistance selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le positionnement de la carte à puce (2) sur le support (30) permet la déformation libre d'au moins une partie du corps de carte (4) sous l'action de la force de pression (Fb) appliquée sur ladite au moins une plage de contact (8).
4. Procédé de test de résistance selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre une étape d) de chauffage (E6) de la carte à puce à une température déterminée, l'étape de chauffage étant réalisée simultanément à l'étape b).
5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la température déterminée est d'au moins 85 degrés Celsius.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant l'exposition de la carte à puce (2) à un taux d'humidité déterminé simultanément à l'étape b), le taux d'humidité étant compris entre 30% et 95%.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, l'étape de contrôle c) comprend la mesure d'une déformation en courbure (Hmax) de la carte à puce par rapport à un plan de référence (PL2) sur lequel peut être posée la carte à puce.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, lors de l'étape a), la carte à puce est positionnée de sorte que la totalité du corps de carte (4) puisse se déformer librement selon la direction (DR) perpendiculaire au plan déterminé (PL).
9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la carte est en appui sur le support (30), le support comprenant une cavité (32) autorisant la déformation de la carte selon ladite direction (DR).
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, à l'étape a), le corps de carte est fixé audit support de façon à autoriser la déformation de la carte selon ladite direction (DR).
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant préalablement aux étapes b) et c) :
al) la détermination de données relatives à au moins une force de pression sur une plage de contact et à au moins une température auxquelles est soumise ladite carte à puce (2) dans des conditions d'utilisation particulières,
la valeur de la force de pression (Fp) appliquée à l'étape (b) et celle de la température déterminée appliquée à l'étape (c) étant déterminées en fonction desdites données déterminées à l'étape al).
12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel lesdites données obtenues à l'étape al) sont déterminées à partir des conditions réelles d'utilisation auxquelles peut être soumise ladite carte à puce dans un dispositif électronique déterminé tel qu'un téléphone portable.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le format de la carte à puce (2) est inférieur au format ID-1 selon la norme ISO 7816.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel, à l'étape b), une dite force de pression (Fp) est appliquée sur chaque plage de contact (8) du module à microcircuit (6).
15. Procédé de tri de cartes à puce comprenant, pour chaque carte à puce considérée :
- la mise en œuvre d'un procédé de test de la résistance de ladite carte à puce (2) conformément à l'une des revendications 1 à 14 ; et
- la mise ou non au rebut de la carte à puce (2) en fonction du résultat dudit contrôle réalisé à l'étape c).
16. Procédé de tri selon la revendication 15, dans lequel la carte à puce est mise au rebut si une déformation en courbure mesurée à l'étape de contrôle c) est supérieure ou égale à une valeur seuil prédéterminée.
17. Dispositif (50) de test de résistance d'une carte à puce (2) comprenant un corps de carte (4) dans lequel est disposé un module à microcircuit (6), ledit module comportant au moins une plage de contact (8) accessible depuis l'extérieur du corps de carte (4), le dispositif comprenant :
- un support (30) adapté à faire tenir la carte dans une position déterminée, le support comportant une cavité (32) autorisant la déformation de la carte selon la direction (DR) perpendiculaire au plan dans lequel s'étend la carte ; et
- des moyens de pression (40) aptes à appliquer pendant une durée déterminée une force de pression (Fp) sur au moins une plage de contact dudit module à microcircuit.
18. Dispositif selon la revendication 17, dans lequel le module à microcircuit (6) comprend une pluralité de plages de contact (8), lesdits moyens de pression (40) étant configurés pour appliquer une force de pression (Fp) sur chaque plage de contact dudit module pendant ladite durée déterminée.
19. Dispositif selon la revendication 17 ou 18, lesdits moyens de pression (40) étant configurés pour appliquer une force de pression (Fp) de 0,5 N sur chacune des au moins une plage de contact (8) pendant la durée déterminée.
20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 17 à 19, lesdits moyens de pression (40) étant configurés pour appliquer chaque force de pression (Fp) perpendiculairement à la plage de contact correspondante.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3015947A (en) * 1960-08-17 1962-01-09 Gerald H Kadel Apparatus for testing plastic laminates at elevated temperatures in an oxygen free atmosphere
EP0704819A1 (fr) * 1994-09-30 1996-04-03 France Telecom Dispositif et procédé de test mécanique de cartes de circuit(s) intégré(s)
EP0997740A1 (fr) * 1998-10-28 2000-05-03 SCHLUMBERGER Systèmes Appareil de test pour cartes à mémoire électronique
JP2000321188A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Ltd 試験装置
JP2010078325A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Nec Tokin Corp カード曲げ試験装置
CN102607963A (zh) * 2012-02-29 2012-07-25 博罗县精汇电子科技有限公司 金手指弯折性能检验方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3015947A (en) * 1960-08-17 1962-01-09 Gerald H Kadel Apparatus for testing plastic laminates at elevated temperatures in an oxygen free atmosphere
EP0704819A1 (fr) * 1994-09-30 1996-04-03 France Telecom Dispositif et procédé de test mécanique de cartes de circuit(s) intégré(s)
EP0997740A1 (fr) * 1998-10-28 2000-05-03 SCHLUMBERGER Systèmes Appareil de test pour cartes à mémoire électronique
JP2000321188A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Ltd 試験装置
JP2010078325A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Nec Tokin Corp カード曲げ試験装置
CN102607963A (zh) * 2012-02-29 2012-07-25 博罗县精汇电子科技有限公司 金手指弯折性能检验方法

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