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WO2015063920A1 - 共振型高周波電源装置 - Google Patents

共振型高周波電源装置 Download PDF

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WO2015063920A1
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resonance
high frequency
power supply
supply device
frequency power
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阿久澤　好幸
酒井　清秀
俊裕 江副
有基 伊藤
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三菱電機エンジニアリング株式会社
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Definitions

  • the present invention relates to a resonance type high frequency power supply device that performs power transmission at a high frequency.
  • Non-Patent Document 1 is configured such that the amplitude of the output voltage Vout is adjusted by adjusting the capacitance of the variable capacitor C2 (see, for example, Non-Patent Document 1).
  • variable capacitor C2 is used to adjust the amplitude of the output voltage Vout, and there is a problem that the size of the parts increases and the cost increases.
  • This variable capacitor has a problem that it is difficult to maintain stable performance, such as a large capacitance value variation due to a temperature change and weakness against mechanical shock.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems. By adjusting the amplitude of the output voltage without using a variable capacitor, the device can be reduced in size and cost, and the temperature change can be achieved. Another object of the present invention is to provide a resonance type high frequency power supply device that is excellent in mechanical environment resistance, can maintain stable performance, and can operate at a high frequency exceeding 2 MHz.
  • a resonance type high frequency power supply device is a resonance type high frequency power supply device including a power element that performs a switching operation at a high frequency exceeding 2 MHz, and includes a variable inductor that adjusts the amplitude of the device output voltage. Is.
  • the present invention since it is configured as described above, it is possible to reduce the size and cost of the apparatus by adjusting the amplitude of the output voltage without using a variable capacitor, and also to withstand temperature changes and mechanical environment resistance. Excellent and stable performance can be maintained, and operation at a high frequency exceeding 2 MHz is possible.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a resonance type high frequency power supply device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1 shows a circuit when the power element Q1 has a single configuration.
  • the resonance type high frequency power supply device includes a power element Q1, a resonance circuit element (capacitors C1, C2 and an inductor L2), an inductor L1, a high frequency pulse drive circuit 1, a variable pulse signal generation circuit 2, and a bias circuit.
  • the power supply circuit 3 is configured.
  • the resonant transmitting antenna (power transmitting transmitting antenna) 10 is a power transmitting resonant antenna having LC resonance characteristics (not limited to a non-contact type).
  • the resonant transmission antenna 10 may be any of a magnetic field resonance type, an electric field resonance type, and an electromagnetic induction type.
  • the power element Q1 is a switching element that performs a switching operation in order to convert the input DC voltage Vin into AC.
  • the power element Q1 is not limited to an RF FET, and for example, an element such as Si-MOSFET, SiC-MOSFET, or GaN-FET can be used.
  • the resonant circuit elements are elements for resonant switching of the switching operation of the power element Q1. Resonance conditions can be matched with the resonant transmission antenna 10 by the resonant circuit element including the capacitors C1 and C2 and the inductor L2.
  • the inductor L2 is an element having a variable inductance value (L value). Then, by varying the L value of the inductor L2, the voltage amplitude of the output voltage Vout of the resonance type high frequency power supply device can be set to an arbitrary value.
  • FIG. 2 shows a variable inductor L2 of a type that can change the magnetic path length (L value) of the coil 21 manually or automatically.
  • the number of turns of the coil 21 is the same.
  • FIGS. 2A and 2B show a case where the magnetic path length (L value) of the coil 21 is varied by a magnetic path length adjustment mechanism (manually or a mechanism that can be automatically varied by a motor) 22.
  • c) shows a case where the L value is varied by electromagnetic induction by the L value control power source 23.
  • FIG. 3 shows a variable inductor L2 of a type in which a magnetic body 24 is installed on the projection surface of the coil 21.
  • the coil 21 shown in FIG. 3 is formed in a spiral shape with a pattern of a printed board.
  • the L value can be adjusted by changing the area covering the projection surface of the coil 21.
  • the inductor L1 functions to temporarily hold the energy of the input DC voltage Vin for each switching operation of the power element Q1.
  • the high-frequency pulse drive circuit 1 is a circuit for driving the power element Q1 by sending a high-frequency pulsed voltage signal exceeding 2 MHz to the G terminal of the power element Q1.
  • the high-frequency pulse drive circuit 1 is a circuit configured so that a high-speed ON / OFF output can be performed by using an FET element or the like as an output portion and a totem pole circuit configuration.
  • the variable pulse signal generation circuit 2 is a circuit that drives the high-frequency pulse drive circuit 1 by sending a high-frequency pulsed voltage signal exceeding 2 MHz, such as a logic signal, to the high-frequency pulse drive circuit 1.
  • the variable pulse signal generation circuit 2 includes a frequency setting oscillator and a logic IC such as a flip-flop or an inverter, and has functions such as a pulse width change and an inverted pulse output.
  • the bias power supply circuit 3 supplies drive power to the variable pulse signal generation circuit 2 and the high-frequency pulse drive circuit 1.
  • the input DC voltage Vin is applied to the D terminal of the power element Q1 through the inductor L1.
  • the power element Q1 converts the voltage into a positive AC voltage by an ON / OFF switching operation.
  • the inductor L1 temporarily holds energy to assist in converting power from direct current to alternating current.
  • the switching operation of the power element Q1 is a resonance circuit element including capacitors C1 and C2 and an inductor L2 so that ZVS (zero voltage switching) is established so that the switching loss due to the Ids current and the Vds voltage product is minimized.
  • Resonant switching conditions are set.
  • an AC voltage with the RTN voltage as an axis is output as the output voltage Vout.
  • the voltage amplitude of the output voltage Vout can be set to an arbitrary value as shown in FIG.
  • the power element Q1 is driven by inputting a pulsed voltage signal output from the high-frequency pulse drive circuit 1 that receives an arbitrary pulsed voltage signal from the variable pulse signal generation circuit 2 to the G terminal of the power element Q1. Is going on. At this time, the drive frequency of the power element Q1 becomes the operating frequency of the resonance type high frequency power supply device and is determined by the setting of the oscillator circuit in the variable pulse signal generation circuit 2.
  • variable inductor L2 that can set the voltage amplitude of the output voltage Vout to an arbitrary value by adjusting the L value is provided.
  • Capacitors are not required, and the device can be reduced in size and cost in operation at a high frequency exceeding 2 MHz. Further, it is excellent in temperature change and mechanical environment resistance, and stable performance can be maintained.
  • FIG. 1 shows the case where the high-frequency pulse drive circuit 1, the variable pulse signal generation circuit 2, and the bias power supply circuit 3 are used to drive the power element Q1, but the present invention is not limited to this.
  • the transformer type drive circuit 101, the RF power amplifier circuit 102, and the multi-output type power supply circuit 103 may be used.
  • the present invention shows a circuit in the case where the power element Q1 has a single configuration, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention also applies to a case where the power element Q1 has a push-pull configuration. Is applicable.
  • the resonance condition variable LC circuit 4 that makes the resonance condition variable may be used.
  • a resonance condition variable circuit 5 that varies the resonance condition by the resonance circuit elements (capacitors C1, C2 and inductor L2) may be provided separately.
  • the present invention can be modified with any component of the embodiment or omitted with any component of the embodiment.
  • the resonance type high frequency power supply device can reduce the size and cost of the device by adjusting the amplitude of the output voltage without using a variable capacitor, and is excellent in temperature change and mechanical environment resistance and stable.
  • the high-frequency operation exceeding 2 MHz is possible, and it is suitable for use in a resonance type high-frequency power supply device that performs power transmission at a high frequency.

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Abstract

　２ＭＨｚを超える高周波数でスイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、装置出力電圧の振幅調整を行う可変型のインダクタを備えた。

Description

共振型高周波電源装置
　この発明は、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置に関するものである。
　図８に示す従来の共振型高周波電源装置では、出力電圧Ｖｏｕｔの振幅調整は可変コンデンサＣ２の容量調整で行うように構成している（例えば非特許文献１参照）。
トランジスタ技術２００５年２月号１３章
　しかしながら、非特許文献１に開示された従来技術では、出力電圧Ｖｏｕｔの振幅調整を行うために可変コンデンサＣ２を用いており、部品が大型化し、さらにはコスト増加の原因となるという課題がある。この可変コンデンサは、温度変化による容量値変動が大きく、また、機械的衝撃に弱いなど、安定した性能を維持することが難しいという課題もある。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、可変コンデンサを用いずに出力電圧の振幅調整を行うことで、装置の小型化、低コスト化を図り、また、温度変化及び機械環境耐性に優れ、安定した性能を維持することができ、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能な共振型高周波電源装置を提供することを目的としている。
　この発明に係る共振型高周波電源装置は、２ＭＨｚを超える高周波数でスイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、装置出力電圧の振幅調整を行う可変型のインダクタを備えたものである。
　この発明によれば、上記のように構成したので、可変コンデンサを用いずに出力電圧の振幅調整を行うことで、装置の小型化、低コスト化を図り、また、温度変化及び機械環境耐性に優れ、安定した性能を維持することができ、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となる。
この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である（パワー素子がシングル構成の場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の可変型のインダクタの構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の可変型のインダクタの別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置によるＶｏｕｔ波形を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（パワー素子がプッシュプル構成）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（共振条件可変型ＬＣ回路を設けた場合）。 この発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の別の構成を示す図である（共振条件可変回路を設けた場合）。 従来の共振型高周波電源装置の構成を示す図である。
　以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
　図１はこの発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である。なお図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路を示している。
　共振型高周波電源装置は、図１に示すように、パワー素子Ｑ１、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）、インダクタＬ１、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３から構成されている。
　なお、共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）１０は、ＬＣ共振特性を持つ電力伝送用の共振型アンテナである（非接触型のみに限定されない）。この共振型送信アンテナ１０は、磁界共鳴型、電界共鳴型、電磁誘導型のいずれであってもよい。
　パワー素子Ｑ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎを交流に変換するためにスイッチング動作を行うスイッチング素子である。このパワー素子Ｑ１としては、ＲＦ用のＦＥＴに限らず、例えばＳｉ－ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ－ＦＥＴなどの素子を用いることが可能である。
　共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）は、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作を共振スイッチングさせるための素子である。このコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２からなる共振回路素子により、共振型送信アンテナ１０との間で共振条件を合わせることができる。また、インダクタＬ２はインダクタンス値（Ｌ値）可変型の素子である。そして、インダクタＬ２のＬ値を可変することで、共振型高周波電源装置の出力電圧Ｖｏｕｔの電圧振幅を任意の値に設定することができる。
　ここで、可変型のインダクタＬ２の構成としては、例えば図２，３に示すものが挙げられる。
　図２はコイル２１の磁路長（Ｌ値）を手動又は自動で可変するタイプの可変型のインダクタＬ２を示している。なお図２において、コイル２１のターン数は同じである。図２（ａ），（ｂ）は、磁路長調整機構（手動、又はモータにより自動で可変させる機構）２２によりコイル２１の磁路長（Ｌ値）を可変する場合を示し、図２（ｃ）は、Ｌ値制御電源２３により電磁誘導でＬ値を可変する場合を示している。
　また、図３はコイル２１の投影面に磁性体２４を設置するタイプの可変型のインダクタＬ２を示している。図３に示すコイル２１は、プリント基板のパターンによりスパイラル状に形成される。この可変型のインダクタＬ２では、コイル２１の投影面を覆う面積を変更することでＬ値を調整することができる。
　インダクタＬ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎのエネルギーを、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作ごとに一時的に保持する働きをするものである。
　高周波パルスドライブ回路１は、パワー素子Ｑ１のＧ端子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、パワー素子Ｑ１を駆動させる回路である。この高周波パルスドライブ回路１は、出力部をＦＥＴ素子などでトーテンポール回路構成にして高速のＯＮ／ＯＦＦ出力ができるように構成した回路である。
　可変型パルス信号発生回路２は、高周波パルスドライブ回路１にロジック信号などの２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、高周波パルスドライブ回路１を駆動させる回路である。この可変型パルス信号発生回路２は、周波数設定用のオシレータとフリップフロップやインバータなどのロジックＩＣで構成され、パルス幅の変更や反転パルス出力などの機能を持つ。
　バイアス用電源回路３は、可変型パルス信号発生回路２及び高周波パルスドライブ回路１への駆動電力の供給を行うものである。
　次に、上記のように構成された共振型高周波電源装置の動作について説明する。
　まず、入力の直流電圧ＶｉｎはインダクタＬ１を通してパワー素子Ｑ１のＤ端子に印加される。そして、パワー素子Ｑ１は、その電圧をＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作により正電圧の交流状電圧へ変換する。この変換動作のときに、インダクタＬ１は一時的にエネルギーを保持する働きをして、直流を交流へ電力変換する手助けを行う。
　ここで、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作は、Ｉｄｓ電流とＶｄｓ電圧積によるスイッチング損失が最も小さくなるように、ＺＶＳ（ゼロボルテージスイッチング）が成立するようコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２からなる共振回路素子で共振スイッチング条件が設定されている。この共振スイッチング動作により、出力電圧ＶｏｕｔにはＲＴＮ電圧を軸にした交流電圧が出力される。
　また、可変型のインダクタＬ２のＬ値を調整することで、図４に示すように、出力電圧Ｖｏｕｔの電圧振幅を任意の値に設定することができる。
　パワー素子Ｑ１の駆動は、可変型パルス信号発生回路２からの任意のパルス状の電圧信号を受けた高周波パルスドライブ回路１が出力する、パルス状の電圧信号をパワー素子Ｑ１のＧ端子へ入力することで行っている。このとき、パワー素子Ｑ１の駆動周波数は共振型高周波電源装置の動作周波数となり、可変型パルス信号発生回路２内部のオシレータ回路の設定により決まる。
　以上のように、この実施の形態１によれば、Ｌ値を調整することで出力電圧Ｖｏｕｔの電圧振幅を任意の値に設定することができる可変型のインダクタＬ２を備えるよう構成したので、可変コンデンサが不要となり、２ＭＨｚを超える高周波数の動作において、装置の小型化、低コスト化を図ることができ、また、温度変化及び機械環境耐性に優れ、安定した性能を維持することができる。
　また図１では、パワー素子Ｑ１を駆動させるため、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３を用いた場合について示したが、これに限るものではなく、例えば従来技術のように、トランス型ドライブ回路１０１、ＲＦパワーアンプ回路１０２及び多出力型電源回路１０３を用いるようにしてもよい。
　また図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路について示したが、これに限るものではなく、例えば図５に示すように、パワー素子Ｑ１がプッシュプル構成の場合にも同様に本発明を適用可能である。
　また図１では、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）の定数が固定であり、共振条件が固定であるとして説明を行ったが、これに限るものではなく、例えば図６に示すように、共振条件を可変とする共振条件可変型ＬＣ回路４を用いてもよい。また、例えば図７に示すように、上記共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）による共振条件を可変させる共振条件可変回路５を別途設けるようにしてもよい。
　また、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。
　この発明に係る共振型高周波電源装置は、可変コンデンサを用いずに出力電圧の振幅調整を行うことで、装置の小型化、低コスト化を図り、また、温度変化及び機械環境耐性に優れ、安定した性能を維持することができ、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となり、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置等に用いるのに適している。
　１　高周波パルスドライブ回路、２　可変型パルス信号発生回路、３　バイアス用電源回路、４　共振条件可変型ＬＣ回路、５　共振条件可変回路、１０　共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）、２１　コイル、２２　磁路長調整機構、２３　Ｌ値制御電源、２４　磁性体。

Claims (12)

  1. 　２ＭＨｚを超える高周波数でスイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、
    　装置出力電圧の振幅調整を行う可変型のインダクタを備えた
    　ことを特徴とする共振型高周波電源装置。
  2. 　前記パワー素子は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用のＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）以外のＦＥＴである
    　ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  3. 　前記パワー素子は、プッシュプル構成又はシングル構成である
    　ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  4. 　磁界共鳴による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
    　ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  5. 　電界共鳴による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
    　ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  6. 　電磁誘導による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
    　ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。
  7. 　前記共振回路素子は共振条件を可変とする
    　ことを特徴とする請求項４記載の共振型高周波電源装置。
  8. 　前記共振回路素子は共振条件を可変とする
    　ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。
  9. 　前記共振回路素子は共振条件を可変とする
    　ことを特徴とする請求項６記載の共振型高周波電源装置。
  10. 　前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
    　ことを特徴とする請求項４記載の共振型高周波電源装置。
  11. 　前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
    　ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。
  12. 　前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
    　ことを特徴とする請求項６記載の共振型高周波電源装置。
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