WO2014178310A1 - 焼結体、同焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
Definitions
- the present invention relates to a sintered body, which is useful for forming a magnetic thin film of a magnetic recording medium, particularly a magnetic recording film used for forming a magnetic recording layer of a hard disk adopting a perpendicular magnetic recording system
- the present invention relates to a sputtering target made of the sintered body.
- a target prepared from a sintered body containing boron oxide particles of boron oxide are coarsened during or after sintering, so that many particles are generated during sputtering.
- This invention relates to the sputtering target which consists of a sintered compact which can solve such a problem, and the sintered compact.
- a material based on Co, Fe, or Ni which is a ferromagnetic metal, is used as a magnetic thin film material for recording.
- a Co—Cr-based or Co—Cr—Pt-based ferromagnetic alloy containing Co as a main component has been used for a recording layer of a hard disk employing an in-plane magnetic recording method.
- a composite material composed of a Co—Cr—Pt ferromagnetic alloy containing Co as a main component and a non-magnetic inorganic material is often used for a recording layer of a hard disk employing a perpendicular magnetic recording method that has been put into practical use in recent years. ing.
- a magnetic thin film of a magnetic recording medium such as a hard disk is often produced by sputtering a ferromagnetic material sputtering target containing the above material as a component because of high productivity. Further, boron oxide is added to such a sputtering target for a magnetic recording film in order to magnetically separate the alloy phase.
- a melting method or a powder metallurgy method can be considered as a method for producing a ferromagnetic material sputtering target. Which method is used depends on the required characteristics, so it cannot be generally stated, but the sputtering target made of a ferromagnetic alloy and non-magnetic inorganic particles used for the recording layer of a perpendicular magnetic recording hard disk is Generally, it is produced by a powder metallurgy method. This is because inorganic particles such as boron oxide need to be uniformly dispersed in the alloy substrate, and thus it is difficult to produce by the melting method.
- Patent Document 1 states that “a magnetic recording medium having a magnetic data recording layer, wherein the magnetic data recording layer has a magnetic difference of at least 0.5 ⁇ 10 7 erg / cm 3 (0.5 / Jcm 3 ).
- a magnetic recording medium comprising: a first alloy having an isotropic constant; and an oxide compound comprising oxygen and one or more elements in which at least one element has a negative reduction potential. 1) is described.
- “at least one of the one or more elements in the oxide compound is lithium (Li), beryllium (Be), boron (B), sodium (Na), magnesium.
- Mg aluminum (Al), silicon (Si), potassium (K), calcium (Ca), scandium (Sc), titanium (Ti), vanadium (V), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), gallium (Ga), rubidium (Rb), strontium (Sr), yttrium (Y), zirconium (Zr), niobium (Nb), cadmium (Cd), indium (In), cesium (Cs), barium (Ba), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neo (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), terbium (Tb), gadolinium (
- Claim 1 of the following Patent Document 2 states that “a target used for forming a Co-based magnetic layer of a magnetic recording medium by a sputtering method, wherein the target contains 5 mol% or more of Cr or Cr alloy, and contains CoO.
- the oxide having a melting point of 800 ° C. or lower is at least one selected from boron oxide, vanadium oxide, tellurium oxide, molybdenum oxide, and low-melting glass.
- “Target described in item 1" is described. In this case as well, there is no description about the problem of the presence of boron oxide in the sintered body or the target made of the sintered body and the solution to the problem, as in the case of the above-mentioned document 1.
- Patent Document 3 listed below is a sintered sputtering target made of a ferromagnetic alloy having a Cr content of 20 mol% or less and the balance being Co and a non-metallic inorganic material, and the volume ratio occupied by the non-metallic inorganic material is 40 vol% or less.
- the sputtering target is characterized in that the non-metallic inorganic material contains at least cobalt oxide and boron oxide.
- Sputtering which forms and sinters the mixed powder obtained by pulverizing and mixing the metal powder and the non-metallic inorganic material powder containing at least cobalt oxide and boron oxide at a holding temperature of 800 ° C or less.
- Patent Document 4 describes “a sputtering target for a magnetic recording film containing SiO 2 and containing 10 to 1000 wtppm of B (boron)”. Yes. In this case, boron oxide is also included. However, as in the above-mentioned documents 1, 2, and 3, the problem of the presence of boron oxide in the sintered body or the target composed of the sintered body, and the solution of the problem There is no mention of any method.
- a composite material composed of a ferromagnetic alloy and a nonmagnetic material is often used, and boron oxide is added as a nonmagnetic material.
- boron oxide particles become large after sintering. Therefore, if the sintering temperature is lowered in order to suppress grain growth, the density cannot be increased and many particles are generated. It was.
- boron oxide raw materials are highly hygroscopic and easily solidify, making it difficult to obtain fine boron oxide.
- the sintered body in which the boron oxide remains when wet-processed by machining or stored in a place with high humidity, it reacts with moisture to generate boric acid, which is baked. It precipitates on the surface of the bonded body (target) and causes stains and dirt, which also causes generation of particles during sputtering, and moisture is taken into the film and causes defects. It was. In order to ensure good quality of a sintered body for forming a magnetic recording film to which boron oxide is added, particularly a sputtering target, it is necessary to solve such a problem.
- the present invention 1) A sintered body comprising at least one metal selected from the group consisting of cobalt and one or more metals or alloys selected from boron and / or platinum group elements, and an oxide, wherein the phase comprising the oxide is Cr
- a sintered body characterized in that at least one of (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 is present.
- the present invention also provides: 2) A sintered body comprising at least cobalt as a metal, chromium, one or more metals or alloys selected from boron and / or platinum group elements, and an oxide, the phase comprising the oxide And a sintered body characterized in that at least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 is present.
- the present invention also provides: 3) The sintered body according to any one of 1) or 2) above, wherein the sintered body has no discoloration when contacted or immersed in water. .
- the present invention also provides: 4) The sintered body according to any one of 2) or 3) above, wherein the atomic ratio of chromium to boron is Cr / B ⁇ 1.
- the present invention also provides: 5) The sintered body according to any one of 1) to 4) above, wherein the atomic ratio of boron to oxygen is B / O ⁇ 0.5.
- the present invention also provides: 6) The ratio of the metal component is such that the chromium content is 0 to 50 mol%, the boron and / or platinum group element content is 0 (excluding 0) to 40 mol%, and the balance is cobalt.
- the sintered body according to any one of 1) to 5) above is provided.
- the present invention also provides: 7) The sintered body according to any one of 1) to 6) above, wherein the boron oxide content is 0.5 to 10 mol% in terms of B 2 O 3 .
- the present invention also provides: 8) The sintered body according to any one of 1) to 7) above, wherein the total content of chromium oxide is 0.5 to 10 mol% in terms of Cr 2 O 3 .
- the present invention also provides: 9) Further, Al, Co, Cu, Fe, Ga, Ge, Hf, Li, Mg, Mn, Mo, Nb, Ni, Sb, Si, Sn, Ta, Te, Ti, V, W, Y, Zn or Zr
- a sintered body is any one of 1) to 8) above, wherein an oxide containing at least one element selected from the group consisting of 2 to 8 wt% in terms of oxygen is contained.
- the present invention also provides: 10) The sintered body according to any one of 1) to 9) above, wherein the average area per one particle of the oxide in the sintered body is 2 ⁇ m 2 or less.
- the present invention also provides: 11) The sintered body according to any one of 1) to 10) described above further includes 0.5 mol% or more of at least one element selected from Ti, V, Mn, Zr, Nb, Mo, Ta, and W. A sintered body containing 10 mol% or less is provided.
- the present invention also provides: 12) The sintered body according to any one of 1) to 11) above, further comprising at least one selected from carbon, nitride, and carbide.
- the present invention also provides: 13) The sintered body according to any one of 1) to 12) above, wherein the relative density is 95% or more.
- the present invention also provides: 14) Provided is a sputtering target for forming a magnetic recording film comprising the sintered body according to any one of 1) to 13) above.
- the present invention also provides: 15) At least one of one or more metals or alloys selected from boron and / or platinum group elements, and at least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 , including at least cobalt as a metal.
- a method for producing a sintered body characterized by mixing and sintering seeds or more oxides.
- the present invention also provides: 16) At least cobalt as a metal, one or more metals or alloys selected from chromium, boron and / or platinum group elements, Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , Co 3 B 2 O 6 There is provided a method for producing a sintered body comprising mixing and sintering at least one kind of oxide.
- the present invention also provides: 17) Boron oxide and chromium oxide and / or cobalt oxide are prepared, and this is fired in the atmosphere, and at least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6
- the present invention also provides: 18) The sintered body according to any one of 1) to 13) above is manufactured by the method for manufacturing a sintered body according to any one of 15) to 17) above. A method for producing a sintered body is provided.
- the sintered body to which boron oxide is added has a problem that particles of boron oxide become large after sintering, and many particles are generated when used as a sputtering target for forming a magnetic recording film. .
- the cause is that boron oxide raw material is highly hygroscopic and solidifies easily, so it is difficult to obtain fine boron oxide.
- boron oxide has a low melting point, it easily liquefies during sintering, It grows into large particles.
- At least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 is included in the phase of the oxide in the sintered body of the present invention, in particular, the sputtering target for a magnetic recording film.
- Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 can maintain a fine structure, increase the melting point of boron oxide, and suppress reaction with water. It has the characteristics that can be. As a result, it has become possible to solve the above-mentioned problems caused by boron oxide in the sintered body.
- the sintered body of the present invention particularly a sputtering target for a magnetic recording film, includes cobalt as a metal, one or more metals or alloys selected from chromium and platinum group elements, and an oxide containing boron oxide and chromium oxide. It is a sintered body, particularly a sputtering target for a magnetic recording film. In addition to this (other than the above component composition), other metal materials and inorganic materials described later can be further added.
- the “one or more metals or alloys selected from chromium and platinum group elements” may be chromium metal alone, one or more metals selected from platinum group elements, or these It means that an alloy may be used.
- the sintered body of the present invention is mainly used as a sputtering target. In that sense, the following will be described mainly with respect to the sputtering target of the main application, but this sintered body is not prevented from being used as another coating (coating) method. For example, it can be used for physical and chemical vapor deposition such as ion beam vapor deposition.
- the sintered body of the present invention includes these.
- the present invention requires that at least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 is present in the phase comprising the oxide, and this is a requirement of the present application.
- This is one of the major features of the invention.
- boron oxide exists in the form of the compound as described above, it has characteristics and effects that can maintain a fine structure, increase the melting point of boron oxide, and suppress reaction with water. Can do.
- the atomic ratio of chromium and boron is preferably Cr / B ⁇ 1. This is confirmed by an experiment, and when it is out of this range, it easily reacts with water. Although other ranges can be used, this atomic ratio can be said to be a more preferable range.
- the atomic ratio of boron and oxygen is B / O ⁇ 0.5. This is confirmed by an experiment, and when it is out of this range, it easily reacts with water. Although other ranges can be used, this atomic ratio can be said to be a more preferable range.
- the sintered body of the present invention can be applied to a general magnetic material target.
- the chromium content is 0 to 50 mol%.
- the content of boron and / or platinum group elements is 0 (excluding 0) to 40 mol%, and the balance is cobalt.
- it may be a chromium metal alone, one or more metals selected from boron and / or platinum group elements, or an alloy thereof.
- inclusion of boron oxide in the above form is an important point of the invention, it can be said that it is not necessary to be limited to the above composition range, but as a basic composition of a suitable magnetic material, The above can be mentioned.
- the boron oxide content (also referred to as the addition amount) can be applied to 0.5 to 10 mol% in terms of B 2 O 3 .
- boron contained as a component exists as a compound of at least Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , or Co 3 B 2 O 6 .
- the total content of chromium oxide is preferably 0.5 to 10 mol% in terms of Cr 2 O 3 . This also shows a preferable range as a sputtering target for a magnetic recording film.
- An oxide containing one or more elements selected from Y, Zn, and Zr is included, and the total oxide amount is 2 to 8 wt% in terms of oxygen.
- These also show a suitable range as a sintered body, particularly as a sputtering target for a magnetic recording film.
- the addition of these oxides is not particularly shown in the examples, it is a suitable material generally added to the magnetic recording film, and can be similarly applied to the present invention.
- the average area per one particle of the oxide phase is desirably 2 ⁇ m 2 or less.
- an oxide phase can be observed, and it is desirable that the oxide phase is finely dispersed. This is because if there is a coarse oxide phase, arcing or particles are easily generated during sputtering.
- said area shows the suitable range as a sputtering target for magnetic recording films, and use of what exceeds these ranges is not prevented by the relation with the purpose of use or other materials.
- the sintered body of the present invention described above, particularly the sputtering target for a magnetic recording film, is additionally selected from Ti, V, Mn, Zr, Nb, Mo, Ta, and W as a single additive element. More than element and 0.5 mol% or more and 10 mol% or less can be contained. These additive elements are added as necessary in order to improve the characteristics as a magnetic recording medium. These additive elements are not particularly shown in the examples, but are suitable materials generally added to the magnetic recording film, and can be similarly applied to the present invention.
- an inorganic material having one or more components selected from carbon, nitride, and carbide can be contained as an additive material. These are elements that are added as necessary in order to improve the characteristics as a magnetic recording medium.
- the sintered body of the present invention having the above component composition, particularly a sputtering target for a magnetic recording film, a relative density of 95% or more, 98% or more, and 99% or more can be achieved.
- the density of the sintered body can be adjusted by the sintering temperature and the pressure of the hot press or HIP. However, if the temperature is too high, the oxide phase grows and coarsens, so the sintering temperature is lowered as much as possible to increase the pressure. It is desirable to do.
- the sintering temperature is desirably 1100 ° C. or lower and the pressure is preferably 250 kgf / cm 2 or higher. Molding / sintering is not limited to hot pressing, and plasma discharge sintering and hot isostatic pressing can also be used.
- the relative density is a value obtained by dividing the actually measured density of the target by the calculated density (also called the theoretical density).
- the calculation density is a density when it is assumed that the constituent components of the target are mixed without diffusing or reacting with each other, and is calculated by the following equation.
- Calculated density Sigma ⁇ (Molecular weight of constituent component x Molar ratio of constituent component) / ⁇ (Molecular weight of constituent component x Molar ratio of constituent component / Document value density of constituent component)
- ⁇ means taking the sum for all the constituent components of the target.
- the sintered body of the component composition range specified in the present invention particularly the sputtering target for magnetic recording film, It has the same effect as.
- the sintering raw material at least one metal containing cobalt as a metal and selected from chromium and platinum group elements, and further necessary raw material powders of oxides in the ratios shown in Table 1.
- a graphite die having a diameter of 50 ⁇ and subjected to hot press sintering at a sintering temperature of 900 to 1100 ° C. in vacuum.
- a sintering temperature of 900 to 1100 ° C. in vacuum.
- it was immersed in pure water for 1 hour at room temperature and then dried to observe the surface.
- the production method and test method were the same as those in this example.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix in Example 1 was Co: 69 mol%, Cr: 5 mol%, and Pt: 20 mol%.
- the oxides were Cr (BO 3 ): 2 mol%, Cr 2 O 3 : 2 mol%, and SiO 2 : 2 mol%.
- the ratio of Cr / B is 5.5.
- the B / O ratio was 0.1.
- the results are shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.5 ⁇ m 2 .
- grains of an oxide phase is calculated
- sputtering was performed by producing a target from a 180 ⁇ size sintered body produced with the same raw materials and production conditions, the number of particles generated in a steady state was 2, and thus a high-density target was obtained. The number of particles generated was small.
- Example 2 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 2 was set to Co: 60 mol%, Cr: 5 mol%, Pt: 20 mol%, Ru: 5 mol%.
- the oxide was Cr (BO 3 ): 10 mol%.
- the ratio of Cr / B is 1.5.
- the B / O ratio was 0.3.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.9 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered compact was 95.8%.
- Example 3 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 3 was Co: 77.8 mol%, Cr: 5.3 mol%, and Pt: 10.5 mol%.
- the oxides were Cr (BO 3 ): 4.2 mol%, Co 2 B 2 O 5 : 1.1, and Co 3 B 2 O 6 : 1.1.
- the ratio of Cr / B is 1.7.
- the B / O ratio was 0.3.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 1.1 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 96.1%.
- Example 4 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 4 was set to Co: 75.2 mol% and Pt: 21.5 mol%.
- the oxides were Co 2 B 2 O 5 : 2.2 and Co 3 B 2 O 6 : 1.1.
- the ratio of Cr / B is 0.0.
- the B / O ratio was 0.4. These satisfied the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 2.0 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 97.1%.
- Example 5 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- the composition of each component of the magnetic material serving as the matrix of Example 5 was Co: 71.4 mol% and Pt: 20.4 mol%.
- the oxides were Cr (BO 3 ): 4.1 mol%, Co 2 B 2 O 5 : 1, TiO 2 : 3.1 mol%.
- the ratio of Cr / B is 0.7.
- the B / O ratio was 0.3. Except for the Cr / B ratio, the conditions of the present invention were satisfied.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 1.2 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 97.5%.
- Example 6 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- the composition of each component of the magnetic material serving as the matrix of Example 6 was Co: 55 mol%, Cr: 30 mol%, and Ru: 5 mol%. Meanwhile, oxides, Cr (BO 3): 2mol %, TiO 2: was a 8 mol%.
- the ratio of Cr / B is 16. The B / O ratio was 0.09. All satisfied the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.9 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 99.5%.
- Example 7 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 7 was set to Co: 55 mol%, Cr: 30 mol%, and B: 5 mol%. Meanwhile, oxides, CoO: 6mol%, TiO 2 : was 4 mol%.
- the ratio of Cr / B is 6.
- the B / O ratio was 0.36. All satisfied the conditions of the present invention. After sintering, it was confirmed that a part of Cr (BO 3 ) was produced by XRD measurement of the sample.
- the XRD measurement conditions were using Rigaku's Ultimate IV, using CuK ⁇ rays, tube voltage 40 kv, tube current 30 mA, scan speed 1 ° / min, step 0.01 °, and scan angle range (2 ⁇ ) of 24 to 35. °.
- the intensity of the first peak was 120 cps
- the intensity of the second peak was 70 cps (the background intensity was approximately 50 cps).
- strength values are fluctuate
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.9 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 99%.
- Example 8 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 8 was Co: 60 mol%, Cr: 5 mol%, and Pt: 24 mol%.
- the oxides were Cr (BO 3 ): 4 mol%, SiO 2 : 4 mol%, and CoO: 3 mol%.
- the ratio of Cr / B is 2.25.
- the B / O ratio was 0.17. All satisfied the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 1.1 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 99.2%.
- Example 9 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 9 was Co: 73 mol%, Cr: 2 mol%, and Pt: 17 mol%.
- the ratio of Cr / B is 2.
- the B / O ratio was 0.07. All satisfied the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.5 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 98%.
- Example 10 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Example 10 was Co: 65 mol%, Cr: 4 mol%, and Pt: 25 mol%.
- the ratio of Cr / B is 1.
- the B / O ratio was 0.27. All satisfied the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 1.6 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water had no discoloration.
- the relative density of this sintered body was 98.8%.
- Example 1 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Comparative Example 1 was Co: 63 mol%, Cr: 5 mol%, Pt: 20 mol%, Ru: 5 mol%.
- the oxide, B 2 O 3: 5mol% , SiO 2: was a 2 mol%.
- the ratio of Cr / B is 0.5.
- in the sintered body at a B / O ratio of 0.5, Cr (BO 3) Co 2 B 2 O 5, compounds of Co 3 B 2 O 6 was not confirmed. These did not satisfy the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 4.3 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water was discolored.
- the relative density of this sintered body was 96%.
- Example 2 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1. However, compound powders of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 are not prepared in advance.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Comparative Example 2 was Co: 68 mol%, Cr: 5 mol%, and Pt: 20 mol%.
- the oxide, B 2 O 3: 5mol% , Cr 2 O 3: was a 2 mol%.
- the ratio of Cr / B is 0.9.
- the B / O ratio was 0.5.
- the Cr / B ratio did not satisfy the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 1.8 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water was discolored.
- the relative density of this sintered body was 93%.
- Example 3 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- the composition of each component of the magnetic material serving as the matrix of Comparative Example 3 was Co: 73 mol% and Pt: 20 mol%.
- the oxide, B 2 O 3: 6mol% , Co 3 B 2 O 6: was 1 mol%.
- the ratio of Cr / B is zero.
- the B / O ratio was 0.6. These did not satisfy the conditions of the present invention.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per particle of the oxide phase in the target was 5.1 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water was discolored.
- the relative density of this sintered compact was 96.3%.
- Example 4 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Comparative Example 4 was Co: 66 mol%, Cr: 9 mol%, and B: 10 mol%. Meanwhile, oxides, CoO: 7mol%, TiO 2 : was a 8 mol%.
- the ratio of Cr / B is 0.9.
- the B / O ratio was 0.43.
- the conditions of the present invention were not satisfied. Further, in the XRD measurement of the sample after sintering, generation of Cr (BO 3) was not confirmed.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 3.8 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water was discolored. This was thought to be because the ratio of Cr / B was small and the amount of B was large relative to the amount of Cr, so that a large amount of boron oxide was generated and the oxide particles were coarsened.
- the relative density of this sintered body was 99.0%.
- Example 5 A sintered body was produced under the same conditions as in Example 1 except that each component composition was adjusted to Table 1.
- Each component composition of the magnetic material used as the matrix of Comparative Example 5 was Co: 50 mol%, Cr: 30 mol%, and Ru: 10 mol%.
- the oxide, B 2 O 3: 7mol% , SiO 2: was a 3 mol%.
- the ratio of Cr / B is 2.1.
- the B / O ratio was 0.52.
- the conditions of the present invention were not satisfied. Further, in the XRD measurement of the sample after sintering, generation of Cr (BO 3) was not confirmed.
- the results are also shown in Table 1.
- the average area per one particle of the oxide phase in the target was 8.2 ⁇ m 2 .
- the appearance of the surface of the sintered body after being immersed in water was discolored. This is considered due to the coarsening of the oxide particles due to the presence of boron oxide.
- the relative density of this sintered body was 99.2%.
- At least one of Cr (BO 3 ), Co 2 B 2 O 5 , and Co 3 B 2 O 6 is included in the phase of the oxide in the sintered body of the present invention, particularly the sputtering target for a magnetic recording film. This is what exists.
- boric acid is generated by reacting with moisture and deposited on the target surface and the like. Although it was a cause of stains and dirt, this problem could be solved as well. Since particle generation can be suppressed, the magnetic recording film defect rate is reduced and the cost is reduced. This greatly contributes to the improvement of magnetic thin film quality and production efficiency. It is useful as a ferromagnetic sputtering target used for forming a magnetic thin film of a recording medium, particularly a hard disk drive recording layer.
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Abstract
少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする焼結体。ターゲット中に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物が存在する焼結体は、微細な組織を維持することができ、また水に対して安定な焼結体からなる磁気記録膜形成用焼結体を得ることができる。
Description
本発明は、焼結体に関し、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される磁気記録膜の形成に有用である焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲットに関するものである。
従来、酸化ホウ素を含有する焼結体から作製したターゲットを使用してスパッタリングした場合に、焼結時又はその後に酸化ホウ素の粒子が粗大化するために、スパッタリング時にパーティクルの発生が多く発生するという問題があった。
本願発明は、このような問題を解決できる焼結体及び同焼結体からなるスパッタリングターゲットに関する。
従来、酸化ホウ素を含有する焼結体から作製したターゲットを使用してスパッタリングした場合に、焼結時又はその後に酸化ホウ素の粒子が粗大化するために、スパッタリング時にパーティクルの発生が多く発生するという問題があった。
本願発明は、このような問題を解決できる焼結体及び同焼結体からなるスパッタリングターゲットに関する。
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系やＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
そしてハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。また、このような磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、合金相を磁気的に分離させるために、酸化ホウ素を添加することが行われている。
強磁性材スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるので一概には言えないが、垂直磁気記録方式のハードディスクの記録層に使用される、強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなるスパッタリングターゲットは、一般に粉末冶金法によって作製されている。これは酸化ホウ素等の無機物粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるため、溶解法では作製することが困難だからである。
一方、磁気記録媒体に酸化ホウ素添加する公知文献を探索すると、次のような特許文献を挙げることができる。
下記特許文献１には、「磁気データ記録層を有する磁気記録媒体であって、前記磁気データ記録層が、少なくとも０．５×１０７ｅｒｇ/ｃｍ３（０．５/Ｊｃｍ３）の磁気異方性定数を有する第１の合金と、酸素と少なくとも１つの元素が負の還元電位を持つ１つ以上の元素とからなる酸化化合物と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体」（請求項１）が記載されている。
下記特許文献１には、「磁気データ記録層を有する磁気記録媒体であって、前記磁気データ記録層が、少なくとも０．５×１０７ｅｒｇ/ｃｍ３（０．５/Ｊｃｍ３）の磁気異方性定数を有する第１の合金と、酸素と少なくとも１つの元素が負の還元電位を持つ１つ以上の元素とからなる酸化化合物と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体」（請求項１）が記載されている。
そして、同特許文献１の請求項６に、「前記酸化化合物内の１つ以上の元素の少なくとも１つは、リチウム（Ｌｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、カリウム（Ｋ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）からなるグループから選択されることを特徴とする磁気記録媒体」が、そしてこれらの材料がスパッタリングターゲットであること記載されている。
上記に記載されている多量の酸化物の中には酸化ホウ素の記載もあるが、ターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
上記に記載されている多量の酸化物の中には酸化ホウ素の記載もあるが、ターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
下記特許文献２の請求項１に、「磁気記録媒体のＣ ｏ 系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットであって、前記ターゲットはＣｒまたはＣｒ合金を５モル％ 以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％～２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下であることを特徴とするターゲット」が記載され、同請求項４に融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載のターゲット」が記載されている。
この場合も、上記文献１と同様に、焼結体又は焼結体からなるターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
この場合も、上記文献１と同様に、焼結体又は焼結体からなるターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
下記特許文献３には、Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである強磁性合金と非金属無機材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下で、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。金属粉末と少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含む非金属無機材料粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末を保持温度は８００°Ｃ以下で加圧焼結装置により成型・焼結するスパッタリングターゲット用焼結体の製造法」（要約書）が記載されている。
この場合も、上記文献１、２と同様に、「ホウ素酸化物」を含有させることが記載されているが、ターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
この場合も、上記文献１、２と同様に、「ホウ素酸化物」を含有させることが記載されているが、ターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
下記特許文献４には、「ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Ｂ（ボロン）を１０～１０００ｗｔｐｐｍ含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」が記載されている。この場合には、酸化ホウ素も含まれるものであるが、上記文献１、２、３と同様に、焼結体又は焼結体からなるターゲット中の酸化ホウ素の存在の問題点、その問題の解決方法については、一切記載がない。
磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、強磁性合金と非磁性材料からなる複合材料が多く用いられ、非磁性材料として酸化ホウ素を添加することが行なわれている。しかし、酸化ホウ素を添加したターゲットでは、焼結後に酸化ホウ素の粒子が大きくなるため、粒成長を抑制するために焼結温度を下げると密度が上げられず、パーティクルが多く発生するという問題があった。
この問題を究明すると、その理由は大きく二つあることが分かった。一つは、酸化ホウ素原料は吸湿性が高く容易に凝固してしまうため、細かい酸化ホウ素が得難いということ。二つめ目は、酸化ホウ素は融点が低いため焼結中に容易に液状化してしまい、焼結中に大きな粒子に成長してしまうからである。
更に、他の問題として、酸化ホウ素が残留した焼結体を、機械加工等で湿式加工したとき、又は湿度が高い場所に保管したときに、水分と反応してホウ酸が生成され、これが焼結体（ターゲット）の表面などに析出してシミや汚れの原因になり、これも亦スパッタリング時のパーティクル発生の原因になり、また膜中に水分が取り込まれ不良の原因になるという問題があった。酸化ホウ素を添加した磁気記録膜を形成するための焼結体、特にスパッタリングターゲットの良好な品質を確保する上では、このような問題を解決することが必要である。
このような知見に基づき、本発明は、
１）少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体、を提供する。
１）少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体、を提供する。
また、本発明は、
２）少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体、を提供する。
２）少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体、を提供する。
また、本発明は、
３）焼結体が水に接触又は浸漬した際に、焼結体の表面に変色が無いことを特徴とする上記１）又は２）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
４）クロムとホウ素の原子比がＣｒ／Ｂ≧１であることを特徴とする上記２）又は３）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
３）焼結体が水に接触又は浸漬した際に、焼結体の表面に変色が無いことを特徴とする上記１）又は２）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
４）クロムとホウ素の原子比がＣｒ／Ｂ≧１であることを特徴とする上記２）又は３）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
５）ホウ素と酸素の原子比がＢ／Ｏ≦０．５であることを特徴とする上記１）～４）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
６）金属成分の比率において、クロムの含有量が０～５０ｍｏｌ％、ホウ素及び／又は白金族元素の含有量が０（但し、０を除く）～４０ｍｏｌ％、残部がコバルトであることを特徴とする上記１）～５）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
５）ホウ素と酸素の原子比がＢ／Ｏ≦０．５であることを特徴とする上記１）～４）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
６）金属成分の比率において、クロムの含有量が０～５０ｍｏｌ％、ホウ素及び／又は白金族元素の含有量が０（但し、０を除く）～４０ｍｏｌ％、残部がコバルトであることを特徴とする上記１）～５）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
７）酸化ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする上記１）～６）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
８）酸化クロムの合計含有量がＣｒ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする上記１）～７）いずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
７）酸化ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする上記１）～６）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
８）酸化クロムの合計含有量がＣｒ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする上記１）～７）いずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
９）さらにＡｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ又はＺｒから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物が含まれ、全酸化物量が酸素換算で２～８ｗｔ％であることを特徴とする上記１）～８）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
９）さらにＡｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ又はＺｒから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物が含まれ、全酸化物量が酸素換算で２～８ｗｔ％であることを特徴とする上記１）～８）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１０）焼結体中の酸化物の１粒子当たりの平均面積が２μｍ２以下であることを特徴とする上記１）～９）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１１）前記上記１）～１０）のいずれか一項に記載の焼結体が、さらにＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする焼結体、を提供する。
１０）焼結体中の酸化物の１粒子当たりの平均面積が２μｍ２以下であることを特徴とする上記１）～９）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１１）前記上記１）～１０）のいずれか一項に記載の焼結体が、さらにＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１２）さらに炭素、窒化物、炭化物から選択した１種以上を含有することを特徴とする上記１）～１１）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１３）相対密度が９５％以上であることを特徴とする上記１）～１２）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
１２）さらに炭素、窒化物、炭化物から選択した１種以上を含有することを特徴とする上記１）～１１）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１３）相対密度が９５％以上であることを特徴とする上記１）～１２）のいずれか一項に記載の焼結体、を提供する。
また、本発明は、
１４）上記１）～１３）のいずれか一項に記載の焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット、を提供する。
１４）上記１）～１３）のいずれか一項に記載の焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット、を提供する。
また、本発明は、
１５）少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
１５）少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
１６）少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
１６）少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
１７）酸化ホウ素と、酸化クロム及び／又は酸化コバルトを準備し、これを大気中で焼成して、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を製造することを特徴とする上記１５）又は１６）のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
１８）上記１５）～１７）のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法により、上記１）～上記１３）のいずれか一項に記載の焼結体を製造することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
１７）酸化ホウ素と、酸化クロム及び／又は酸化コバルトを準備し、これを大気中で焼成して、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を製造することを特徴とする上記１５）又は１６）のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
１８）上記１５）～１７）のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法により、上記１）～上記１３）のいずれか一項に記載の焼結体を製造することを特徴とする焼結体の製造方法、を提供する。
上記の通り、酸化ホウ素を添加した焼結体は、焼結後に酸化ホウ素の粒子が大きくなってしまい、磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとして使用する場合に、パーティクルが多く発生するという問題があった。その原因は、酸化ホウ素原料は吸湿性が高く容易に凝固してしまうため、細かい酸化ホウ素が得難いということ、さらに酸化ホウ素は融点が低いため焼結中に容易に液状化してしまい、焼結中に大きな粒子に成長してしまうことである。
この点に鑑み、本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおける酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在するようにしたものである。
これらのＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物は、微細な組織を維持し、かつ酸化ホウ素の融点を上げることができ、水と反応を抑制することができる特性を持つものである。これによって、焼結体中の酸化ホウ素に起因する上記の問題を解決することが可能となった。
これらのＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物は、微細な組織を維持し、かつ酸化ホウ素の融点を上げることができ、水と反応を抑制することができる特性を持つものである。これによって、焼結体中の酸化ホウ素に起因する上記の問題を解決することが可能となった。
すなわち、酸化ホウ素を添加した焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットの良好な品質を確保することが可能となり、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制することが可能となった。また、酸化ホウ素が残留した焼結体を、機械加工等で湿式加工したとき、又は湿度が高い場所に保管したときに、水分と反応してホウ酸が生成され、焼結体（ターゲット）表面などに析出してシミや汚れの原因になっていたが、この問題も同様に解消することができた。
このようにパーティクル発生を抑制することができるので、磁気記録膜の不良率が減少し、コスト低減化になるという大きな効果を有し、磁性薄膜の品質及び生産効率の向上に大きく貢献するものである。
本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、金属としてコバルトを含み、クロムと白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、酸化ホウ素及び酸化クロムを含有する酸化物から構成された焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットである。これ以外（上記成分組成以外）に、後述する他の金属材料や無機質材料をさらに添加することもできる。
なお、上記「クロムと白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金」とは、クロム金属単体でも良いし、白金族元素から選択した１種又は２種以上の金属でも良く、又はこれらの合金でも良いことを意味する。
なお、上記「クロムと白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金」とは、クロム金属単体でも良いし、白金族元素から選択した１種又は２種以上の金属でも良く、又はこれらの合金でも良いことを意味する。
なお、本願発明の焼結体は、主としてスパッタリングターゲットとして使用される。その意味で、以下については、主たる用途のスパッタリングターゲットを中心に説明するが、この焼結体を、他のコーティング（被覆）方法としての利用を妨げるものではない。例えばイオンビーム蒸着法等の物理的、化学的蒸着法への利用も可能である。本願発明の焼結体は、これらを包含するものである。
本願発明は、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを要件とするものであり、これが本願発明の大きな特徴の一つである。酸化ホウ素が、上記のような化合物の形態で存在することにより、微細な組織を維持し、かつ酸化ホウ素の融点を上げることができ、水と反応を抑制することができる特性と効果を持つことができる。
事前に、上記化合物の形態になっている原料を採用することで、焼結体中に安定して、上記化合物を残留させることが可能となるが、反応焼結等により上記化合物を生成出来れば同様の効果を持つことが出来る。上記化合物の存在は、焼結体から採取したサンプルをＸＲＤ測定し、化合物相のピークが特定出来れば良い。
本願の焼結体において、クロムとホウ素の原子比は、Ｃｒ／Ｂ≧１であることが望ましい。これは実験により確認されたもので、この範囲から外れると水と反応し易くなるからである。これ以外の範囲を使用することも可能であるが、この原子比は、より好ましい範囲と言える。
また、本願の焼結体において、ホウ素と酸素の原子比がＢ／Ｏ≦０．５であることが望ましい。これは実験により確認されたもので、この範囲から外れると水と反応し易くなるからである。これ以外の範囲を使用することも可能であるが、この原子比は、より好ましい範囲と言える。
本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、一般的な磁性材ターゲットに適用できるものであるが、その代表的かつ好適な磁性材としては、クロムの含有量が０～５０ｍｏｌ％、ホウ素及び／又は白金族元素の含有量が０（但し、０を除く）～４０ｍｏｌ％、残部がコバルトである。この場合も、上記と同様に、クロム金属単体でも良いし、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種又は２種以上の金属でも良く、又はこれらの合金でも良いことを意味する。
本願発明は、酸化ホウ素を上記の形態で含有させることが、発明の重点（要）であるので、上記の組成範囲に限定される必要はないと言えるが、好適な磁性材の基本組成としては、上記を挙げることができる。
本願発明は、酸化ホウ素を上記の形態で含有させることが、発明の重点（要）であるので、上記の組成範囲に限定される必要はないと言えるが、好適な磁性材の基本組成としては、上記を挙げることができる。
本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットでは、酸化ホウ素の含有量（添加量とも言える）はＢ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％に適用できる。但し、成分として含まれるホウ素は、少なくともＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の何れかの化合物として存在することが望ましい。
酸化クロムの合計含有量はＣｒ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることが望ましい。これも磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしての好適な範囲を示すものである。
酸化クロムの合計含有量はＣｒ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることが望ましい。これも磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしての好適な範囲を示すものである。
前記載の酸化物以外に、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物が含まれ、全酸化物量が酸素換算で２～８ｗｔ％とする。これらも、焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしての好適な範囲を示すものである。
これらの酸化物の添加については、特に実施例には示さないが、磁気記録膜には一般的に添加される好適な材料であり、本願発明においても同様に適用できる。
これらの酸化物の添加については、特に実施例には示さないが、磁気記録膜には一般的に添加される好適な材料であり、本願発明においても同様に適用できる。
本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおいては、前記酸化物相の１粒子当たりの平均面積が２μｍ２以下であることが望ましい。通常、ターゲットの表面を研磨（必要に応じて研削を伴う）することにより、酸化物相を観察することができ、この酸化物相が微細に分散していることが望ましい。
粗大化した酸化物相があると、スパッタリング時のアーキング又はパーティクルの発生を伴い易くなるからである。なお、上記の面積は磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしての好適な範囲を示すものであり、使用目的や他の材料との関連によって、これらの範囲を超えるものの使用を妨げるものではない。
粗大化した酸化物相があると、スパッタリング時のアーキング又はパーティクルの発生を伴い易くなるからである。なお、上記の面積は磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしての好適な範囲を示すものであり、使用目的や他の材料との関連によって、これらの範囲を超えるものの使用を妨げるものではない。
上記に説明した本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットについて、さらに付加的に、単体の添加元素として、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有させることができる。これらの添加元素は、磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加するものである。
これらの添加元素については、特に実施例には示さないが、磁気記録膜には一般的に添加される好適な材料であり、本願発明においても同様に適用できる。
これらの添加元素については、特に実施例には示さないが、磁気記録膜には一般的に添加される好適な材料であり、本願発明においても同様に適用できる。
同様に、添加材料として、炭素、窒化物、炭化物から選択した１成分以上の無機物材料を含有させることができる。これらは亦、磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。
上記成分組成の本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットについては、相対密度を９５％以上、また９８％以上、さらには９９％以上を達成することができる。焼結体密度は、焼結温度とホットプレスやＨＩＰの圧力により調整出来るが、温度を高くし過ぎると酸化物相が粒成長して粗大化するので極力焼結温度を下げて、圧力を高くすることが望ましい。焼結温度は１１００℃以下、圧力は２５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上が望ましい。成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。
なお、相対密度は、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：計算密度＝シグマΣ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
式：計算密度＝シグマΣ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
下記に、本願発明の成分組成範囲の一部を、実施例（代表例）として挙げるが、本願発明で規定する成分組成範囲の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、下記の実施例と同等の効果を有するものである。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
酸化ホウ素と酸化クロム又は酸化コバルトを準備し、Ｂ２Ｏ３：Ｃｒ２Ｏ３＝１：１、Ｂ２Ｏ３：ＣｏＯ＝１：２、Ｂ２Ｏ３：ＣｏＯ＝１：３となるようにそれぞれ秤量し、ボールミルにて混合した後、これを７００～１２００℃の範囲で５時間以上、大気中で焼成し、これによりＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６から選択した１種又は２種以上の化合物を製造した。なお、調合比率を変えて、複数の化合物及び単純酸化物が共存するように原料調整することも可能である。
酸化ホウ素と酸化クロム又は酸化コバルトを準備し、Ｂ２Ｏ３：Ｃｒ２Ｏ３＝１：１、Ｂ２Ｏ３：ＣｏＯ＝１：２、Ｂ２Ｏ３：ＣｏＯ＝１：３となるようにそれぞれ秤量し、ボールミルにて混合した後、これを７００～１２００℃の範囲で５時間以上、大気中で焼成し、これによりＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６から選択した１種又は２種以上の化合物を製造した。なお、調合比率を変えて、複数の化合物及び単純酸化物が共存するように原料調整することも可能である。
さらに、これらを粉砕して焼結原料（酸化物）とした。なお、調合比率を変えて、複数の化合物及び単純酸化物が共存するように原料調整することも可能である。粉砕に際しては、ボールミルを使用した。
次に、この焼結原料と、少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと白金族元素から選択した１種以上の金属の原料粉末と、更に必要な酸化物の原料粉末を、表１に示す割合に調整し、ボールミルで２０時間以上混合した後、直径５０φサイズのグラファイトダイスに充填し、真空中焼結温度９００～１１００°Ｃでホットプレス焼結した。
そして機械加工により、円盤形状にした後、室温で純水に１時間浸漬し、その後乾燥して表面を観察した。なお、下記の実施例、比較例も製造法及び試験方法についても、本実施例と同様の条件とした。
そして機械加工により、円盤形状にした後、室温で純水に１時間浸漬し、その後乾燥して表面を観察した。なお、下記の実施例、比較例も製造法及び試験方法についても、本実施例と同様の条件とした。
実施例１のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６９ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物はＣｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３：２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は５．５である。またＢ／Ｏの比は０．１であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．５μｍ２であった。なお、酸化物相の１粒子当たりの平均面積は、次のようにして求めたものである。まず、ターゲットより任意に採取したサンプルの表面を鏡面になるように研磨し、２５×１８μｍの視野でレーザー顕微鏡画像を撮影する。酸化物相と金属相は反射率が大きく異なるので画像の明暗差で判別する。
それより酸化物相の全面積と個数を求め、１粒子当たりの平均面積（酸化物相の全面積÷個数）を算出した。以下の実施例、比較例も同様にして算出した。前記算出に際しては、ソフトウエア（ＫＥＹＥＮＣＥ社製形状解析アプリケーションＶＫ－Ｈ１Ａ１）を使用し、レーザー顕微鏡画像から求めた。
それより酸化物相の全面積と個数を求め、１粒子当たりの平均面積（酸化物相の全面積÷個数）を算出した。以下の実施例、比較例も同様にして算出した。前記算出に際しては、ソフトウエア（ＫＥＹＥＮＣＥ社製形状解析アプリケーションＶＫ－Ｈ１Ａ１）を使用し、レーザー顕微鏡画像から求めた。
水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９６．５％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は２個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例２）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例２のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６０ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｒ（ＢＯ３）：１０ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１．５である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例２のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６０ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｒ（ＢＯ３）：１０ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１．５である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．９μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９５．８％であった。
（実施例３）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例３のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７７．８ｍｏｌ％、Ｃｒ：５．３ｍｏｌ％、Ｐｔ：１０．５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｒ（ＢＯ３）：４．２ｍｏｌ％、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５：１．１、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１．１とした。Ｃｒ／Ｂの比は１．７である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例３のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７７．８ｍｏｌ％、Ｃｒ：５．３ｍｏｌ％、Ｐｔ：１０．５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｒ（ＢＯ３）：４．２ｍｏｌ％、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５：１．１、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１．１とした。Ｃｒ／Ｂの比は１．７である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．１μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９６．１％であった。
（実施例４）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例４のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７５．２ｍｏｌ％、Ｐｔ：２１．５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｏ２Ｂ２Ｏ５：２．２、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１．１とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．０である。またＢ／Ｏの比は０．４であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例４のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７５．２ｍｏｌ％、Ｐｔ：２１．５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物はＣｏ２Ｂ２Ｏ５：２．２、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１．１とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．０である。またＢ／Ｏの比は０．４であった。これらは、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は２．０μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９７．１％であった。
（実施例５）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例５のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７１．４ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０．４ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：４．１ｍｏｌ％、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５：１、ＴｉＯ２：３．１ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．７である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。Ｃｒ／Ｂ比以外は、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例５のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７１．４ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０．４ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：４．１ｍｏｌ％、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５：１、ＴｉＯ２：３．１ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．７である。またＢ／Ｏの比は０．３であった。Ｃｒ／Ｂ比以外は、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．２μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９７．５％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は３個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例６）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例６のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５５ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：８ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１６である。またＢ／Ｏの比は０．０９であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例６のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５５ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：８ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１６である。またＢ／Ｏの比は０．０９であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．９μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９９．５％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は９個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例７）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例７のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５５ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％、Ｂ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、ＣｏＯ：６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：４ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は６である。またＢ／Ｏの比は０．３６であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
焼結後、サンプルのＸＲＤ測定でＣｒ（ＢＯ３）が一部生成していることが確認できた。ＸＲＤ測定条件は、リガク社製のＵｌｔｉｍａＩＶを用い、ＣｕＫα線を使用し、管電圧４０ｋｖ、管電流３０ｍＡ、スキャンスピード１°／ｍｉｎ、ステップ０．０１°、走査角度範囲（２θ）は２４～３５°である。３３．７９°付近に現れるＣｒ（ＢＯ３）の第一ピーク又は２５．６８°付近に現れる第二ピークのうち、他の生成物のピークと重ならないピークにより確認できる。
本実施例では、第一ピークの強度が１２０ｃｐｓ、第二ピークの強度が７０ｃｐｓであった（バックグランド強度は、およそ５０ｃｐｓである）。なお、これらの強度値は、測定条件や試料調整により変動するので、上記の数値はあくまで一例であり、これらの数値に限定されるものではない。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例７のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５５ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％、Ｂ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、ＣｏＯ：６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：４ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は６である。またＢ／Ｏの比は０．３６であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
焼結後、サンプルのＸＲＤ測定でＣｒ（ＢＯ３）が一部生成していることが確認できた。ＸＲＤ測定条件は、リガク社製のＵｌｔｉｍａＩＶを用い、ＣｕＫα線を使用し、管電圧４０ｋｖ、管電流３０ｍＡ、スキャンスピード１°／ｍｉｎ、ステップ０．０１°、走査角度範囲（２θ）は２４～３５°である。３３．７９°付近に現れるＣｒ（ＢＯ３）の第一ピーク又は２５．６８°付近に現れる第二ピークのうち、他の生成物のピークと重ならないピークにより確認できる。
本実施例では、第一ピークの強度が１２０ｃｐｓ、第二ピークの強度が７０ｃｐｓであった（バックグランド強度は、およそ５０ｃｐｓである）。なお、これらの強度値は、測定条件や試料調整により変動するので、上記の数値はあくまで一例であり、これらの数値に限定されるものではない。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．９μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９９％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は１０個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例８）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例８のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６０ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２４ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：４ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：４ｍｏｌ％、ＣｏＯ：３ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２．２５である。またＢ／Ｏの比は０．１７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例８のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６０ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２４ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：４ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：４ｍｏｌ％、ＣｏＯ：３ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２．２５である。またＢ／Ｏの比は０．１７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．１μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９９．２％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は４個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例９）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例９のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７３ｍｏｌ％、Ｃｒ：２ｍｏｌ％、Ｐｔ：１７ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、Ｔａ２Ｏ５：２ｍｏｌ％、ＷＯ３：４ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２である。またＢ／Ｏの比は０．０７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例９のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７３ｍｏｌ％、Ｃｒ：２ｍｏｌ％、Ｐｔ：１７ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、Ｔａ２Ｏ５：２ｍｏｌ％、ＷＯ３：４ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２である。またＢ／Ｏの比は０．０７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．５μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９８％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は５個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（実施例１０）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例１０のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６５ｍｏｌ％、Ｃｒ：４ｍｏｌ％、Ｐｔ：２５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３：２ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１である。またＢ／Ｏの比は０．２７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
実施例１０のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６５ｍｏｌ％、Ｃｒ：４ｍｏｌ％、Ｐｔ：２５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｃｒ（ＢＯ３）：２ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３：２ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は１である。またＢ／Ｏの比は０．２７であった。いずれも、本願発明の条件を満たしていた。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．６μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色が全くなかった。また、この焼結体の相対密度は、９８．８％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は６個であり、このように、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。
（比較例１）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例１のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６３ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：５ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．５である。また、Ｂ／Ｏの比は０．５で焼結体中には、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物は確認できなかった。これらは、本願発明の条件を満たしていなかった。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例１のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６３ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％、Ｒｕ：５ｍｏｌ％とした。
一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：５ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．５である。また、Ｂ／Ｏの比は０．５で焼結体中には、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物は確認できなかった。これらは、本願発明の条件を満たしていなかった。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は４．３μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色があった。また、この焼結体の相対密度は、９６％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は２０個であり、パーティクル発生数は多い結果となった。
（比較例２）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。但し、事前にＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物粉は作製していない。
比較例２のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６８ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：５ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．９である。またＢ／Ｏの比は０．５であった。Ｃｒ／Ｂ比は、本願発明の条件を満たしていなかった。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。但し、事前にＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物粉は作製していない。
比較例２のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６８ｍｏｌ％、Ｃｒ：５ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：５ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３：２ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．９である。またＢ／Ｏの比は０．５であった。Ｃｒ／Ｂ比は、本願発明の条件を満たしていなかった。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は１．８μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色があった。また、この焼結体の相対密度は、９３％であった。同じ原料と製造条件で作製した１８０φサイズの焼結体からターゲットを製作してスパッタリングを実施したところ、定常状態時のパーティクル発生数は３４個であり、このように、密度が低いターゲットが得られ、パーティクル発生数が多い結果となった。
（比較例３）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例３のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７３ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：６ｍｏｌ％、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０である。またＢ／Ｏの比は０．６であった。これらは、本願発明の条件を満たしていなかった。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例３のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：７３ｍｏｌ％、Ｐｔ：２０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：６ｍｏｌ％、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６：１ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０である。またＢ／Ｏの比は０．６であった。これらは、本願発明の条件を満たしていなかった。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は５．１μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色があった。また、この焼結体の相対密度は、９６．３％であった。
（比較例４）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例４のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６６ｍｏｌ％、Ｃｒ：９ｍｏｌ％とし、Ｂ：１０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、ＣｏＯ：７ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：８ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．９である。またＢ／Ｏの比は０．４３であった。本願発明の条件を満たしていなかった。また、焼結後のサンプルのＸＲＤ測定では、Ｃｒ（ＢＯ３）の生成が確認できなかった。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例４のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：６６ｍｏｌ％、Ｃｒ：９ｍｏｌ％とし、Ｂ：１０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、ＣｏＯ：７ｍｏｌ％、ＴｉＯ２：８ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は０．９である。またＢ／Ｏの比は０．４３であった。本願発明の条件を満たしていなかった。また、焼結後のサンプルのＸＲＤ測定では、Ｃｒ（ＢＯ３）の生成が確認できなかった。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は３．８μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色があった。これは、Ｃｒ／Ｂの比は小さく、Ｃｒ量に対してＢ量が多いという結果、酸化ホウ素が多く発生し、酸化物粒子の粗大化が発生したと考えられた。また、この焼結体の相対密度は、９９．０％であった。
（比較例５）
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例５のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５０ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％とし、Ｒｕ：１０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：７ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：３ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２．１である。またＢ／Ｏの比は０．５２であった。本願発明の条件を満たしていなかった。また、焼結後のサンプルのＸＲＤ測定では、Ｃｒ（ＢＯ３）の生成が確認できなかった。
各成分組成を表１に調整した以外は、実施例１と同様の条件で焼結体を作製した。
比較例５のマトリックスとなる磁性材料の各成分組成は、Ｃｏ：５０ｍｏｌ％、Ｃｒ：３０ｍｏｌ％とし、Ｒｕ：１０ｍｏｌ％とした。一方、酸化物は、Ｂ２Ｏ３：７ｍｏｌ％、ＳｉＯ２：３ｍｏｌ％とした。Ｃｒ／Ｂの比は２．１である。またＢ／Ｏの比は０．５２であった。本願発明の条件を満たしていなかった。また、焼結後のサンプルのＸＲＤ測定では、Ｃｒ（ＢＯ３）の生成が確認できなかった。
この結果を、同様に表１に示す。ターゲット中の酸化物の相の１粒子当たりの平均面積は８．２μｍ２であった。水に浸漬した後の焼結体の表面の外観は、変色があった。これは、酸化ホウ素の存在に起因した酸化物粒子の粗大化が原因と考えられる。また、この焼結体の相対密度は、９９．２％であった。
従来、無機物として酸化ホウ素を添加した焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、焼結後に酸化ホウ素の粒子が大きく、粒成長を抑制するために焼結温度を下げると密度が上げられず、パーティクルが多く発生するという問題があった。
その原因は、酸化ホウ素原料は吸湿性が高く容易に凝固してしまうため、細かい酸化ホウ素が得難いということ、さらに酸化ホウ素は融点が低いため焼結中に容易に液状化してしまい、焼結中に大きな粒子に成長してしまうことであった。
この点に鑑み、本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおいて酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在するようにしたものである。
その原因は、酸化ホウ素原料は吸湿性が高く容易に凝固してしまうため、細かい酸化ホウ素が得難いということ、さらに酸化ホウ素は融点が低いため焼結中に容易に液状化してしまい、焼結中に大きな粒子に成長してしまうことであった。
この点に鑑み、本願発明の焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおいて酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在するようにしたものである。
これらのＣｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の化合物は、微細な組織を維持し、かつ酸化ホウ素の融点を上げることができ、水と反応を抑制することができる特性を持つものである。これによって、酸化ホウ素に起因する上記の問題を解決することが可能となった。このように、酸化ホウ素を添加した焼結体、特に磁気記録膜用スパッタリングターゲットの良好な品質を確保することが可能となり、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制することが可能となった。
また、酸化ホウ素が残留した焼結体を、機械加工等で湿式加工したとき、又は湿度が高い場所に保管したときに、水分と反応してホウ酸が生成され、ターゲット表面などに析出してシミや汚れの原因になっていたが、この問題も同様に解消することができた。
パーティクル発生を抑制することができるので、磁気記録膜の不良率が減少し、コスト低減化になるという大きな効果を有し、磁性薄膜の品質及び生産効率の向上に大きく貢献するものであり、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
パーティクル発生を抑制することができるので、磁気記録膜の不良率が減少し、コスト低減化になるという大きな効果を有し、磁性薄膜の品質及び生産効率の向上に大きく貢献するものであり、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (18)
- 少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体。
- 少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、酸化物から構成される焼結体であって、前記酸化物からなる相に、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上が存在することを特徴とする焼結体。
- 焼結体が水に接触又は浸漬した際に、焼結体の表面に変色が無いことを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の焼結体。
- クロムとホウ素の原子比がＣｒ／Ｂ≧１であることを特徴とする請求項２又は３のいずれか一項に記載の焼結体。
- ホウ素と酸素の原子比がＢ／Ｏ≦０．５であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の焼結体。
- 金属成分の比率において、クロムの含有量が０～５０ｍｏｌ％、ホウ素及び／又は白金族元素の含有量が０（但し、０を除く）～４０ｍｏｌ％、残部がコバルトであることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の焼結体。
- 酸化ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の焼結体。
- 酸化クロムの合計含有量がＣｒ２Ｏ３換算で０．５～１０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１～７いずれか一項に記載の焼結体。
- さらにＡｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ又はＺｒから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物が含まれ、全酸化物量が酸素換算で２～８ｗｔ％であることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の焼結体。
- 焼結体中の酸化物の１粒子当たりの平均面積が２μｍ２以下であることを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の焼結体。
- 前記請求項１～１０のいずれか一項に記載の焼結体が、さらにＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする焼結体。
- さらに炭素、窒化物、炭化物から選択した１種以上を含有することを特徴とする請求項１～１１のいずれか一項に記載の焼結体。
- 相対密度が９５％以上であることを特徴とする請求項１～１２のいずれか一項に記載の焼結体。
- 上記請求項１～１３のいずれか一項に記載の焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
- 少なくとも金属としてコバルトを含み、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属若しくは合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法。
- 少なくとも金属としてコバルトを含み、クロムと、ホウ素及び／又は白金族元素から選択した１種以上の金属又は合金と、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を混合して焼結することを特徴とする焼結体の製造方法。
- 酸化ホウ素と、酸化クロム及び／又は酸化コバルトを準備し、これを大気中で焼成して、Ｃｒ（ＢＯ３）、Ｃｏ２Ｂ２Ｏ５、Ｃｏ３Ｂ２Ｏ６の少なくとも１種以上の酸化物を製造することを特徴とする請求項１５又は１６のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法。
- 請求項１５～１７のいずれか一項に記載の焼結体の製造方法により、請求項１～請求項１３のいずれか一項に記載の焼結体を製造することを特徴とする焼結体の製造方法。
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