WO2013160994A1

WO2013160994A1 - スルーホールのめっき構造

Info

Publication number: WO2013160994A1
Application number: PCT/JP2012/060906
Authority: WO
Inventors: 哲男湯本
Original assignee: 三共化成株式会社
Priority date: 2012-04-24
Filing date: 2012-04-24
Publication date: 2013-10-31
Also published as: JP5753628B2; JPWO2013160994A1

Abstract

　スルーホール２を有する絶縁性基体１を射出成形する。スルーホール２の上部を円錐形状の空間２１に、下部を円筒形状の空間２３に形成する。円錐形状の頂角を６０～１２０度、スルーホール２の上端部の開口径を１０～１００μｍに形成する。絶縁性基体１の表裏面とスルーホールの内側面とに、それぞれ無電解めっき層３１～５１に電気銅めっき層３２～５２を積層して、導電層３～６を設ける。スルーホール２の上端部の開口２２の周縁は鋭角のため電流密度が高く、またこのスルーホールの下端から、電解銅めっき液が容易に進入・循環するため、この開口の周縁に電気銅めっき層を迅速に形成でき、このスルーホールの上端部を短時間に、表面が平坦な状態で閉塞することができる。

Description

スルーホールのめっき構造

　本発明は、絶縁性基板に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したスルーホールのめっき構造に関する。

　今日では、電子機器の高性能化及び小型軽量化に伴い、プリント配線基板についても、小型化及び高集積化が要求されている。このため導電性回路等を形成したプリント配線基板を、多数積みあげて３次元的な構造にした、多層プリント配線基板が普及している。

　この多層プリント配線基板において、各々のプリント配線基板に形成した導電性回路は、通常、これらのプリント配線基板を積層方向に貫通し、かつ導電性を有するスルーホール（または「ビアホール」ともいう。）を介して、相互に導通させている。またスルーホールに導電性を付与する手段として、このスルーホールを電気めっきによって充填する手段が提案されている。

　ところでスルーホールを電気めっきによって充填する場合には、次の問題があった。すなわちプリント配線基板の小型化及び高集積化に伴い、導電性回路の幅も極めて狭くなり、この導電性回路に連結するためのスルーホールの内径も極めて細くなる。したがってスルーホールのアスペクト比が大きくなり、電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなる。

　電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなると、スルーホールを電気めっきで充填するために、長時間を要するだけでなく、その長時間の間に、プリント配線基板の表面に同時に形成される導電性回路等のめっき厚さが肥大し、多層に積層したときの厚さが増すだけでなく、隣接する導電性回路間の短絡も生じ易くなる。また電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなると、専らスルーホールの入口と出口付近にのみ電気めっき層が形成され、入口と出口付近の開口径が小さくなって、入口と出口付近の内部では、電気めっき層の形成により長い時間が掛かるようになる。

　またスルーホールを電気めっきによって充填する場合には、スルーホールの出入口の部分を閉塞する電気めっき層の表面は、通常、平坦ではなく凹状に窪んだ表面に形成される。

　このようにスルーホールの出入口を閉塞する部分において、電気めっき層の表面が平坦ではなく凹面であると、スルーホール直上にスルーホールを設ける場合、あるいはスルーホール直上に電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装する場合の妨げとなり、多層プリント配線基板の構成の自由度を大きく減ずることになる。

　そこで、かかる問題を解決するための手段が各種提案されている。例えば、絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、特殊な電気めっき促進剤を付与し、次いでビアホールの内側面を除いて、この促進剤を除去した上で、導電性の下地層の上に電気めっきを行なって、ビアホールを充填する手段が提案されている（特許文献１等を参照。）。この手段では、促進剤が残存するビアホールの内側面では、電気めっきの形成が促進されるので、比較的短時間に電気めっきによってビアホールを充填できると記載されている。

　また絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、特殊な電気めっき促進剤と抑制剤とを付与し、次いで導電性の下地層の上に電気めっきを行なってビアホールを充填し、その後基体の表面の電気めっきを、エッチング液によって溶解して平坦にする手段が提案されている（特許文献２等を参照。）。この手段では、電気めっき促進剤と抑制剤とによって、ビアホールの内側面の電気めっきの形成が促進されるので、比較的短時間に電気めっきによってビアホールを充填でき、かつエッチング液によって、基体の表面に形成した電気めっきの表面を溶解することによって、ビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にできると記載されている。

　さらに絶縁性の基体の一方の面に導電層を設け、この基体の他方の面からこの導電層に達するビアホールを形成し、絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、このビアホール内に針状の電極を進入させて、このビアホール内に電気めっきを形成する手段が提案されている（特許文献３等を参照。）。この手段では、ビアホール内に進入した針状の電極によって、このビアホール内に迅速かつ均一に電気めっきを形成できるので、迅速・均一にビアホール内を充填でき、かつビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にできると記載されている。

　　　特許文献１　　特開２００１－２９１９５４号公報
　　　特許文献２　　特開２００５－３１１２４５号公報
　　　特許文献３　　特開２００６－０３２４７６号公報

　しかるに上述した特許文献１に記載の手段では、電気めっきの形成を促す特殊な促進剤が必要となり、さらにビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面が凹面になるという問題が残る。また特許文献２に記載の手段では、電気めっきの形成を促したり、抑えたりする特殊な促進剤と抑制剤が必要となり、さらにエッチング液によって、ビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にする工程が必要となる。さらに特許文献３に記載の手段では、微小なビアホール内に進入させる針状の電極が必要となる。

　また特許文献１～３に記載手段では、いずれもビアホールを電気めっきで充填するため、この充填に長い時間が掛かるという大きな問題がある。

　そこで本発明の目的は、通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞できる、スルーホールのめっき構造を提供することにある。

　上記課題を解決すべく本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、電気めっきにおいては、被めっき物の尖っている部分は電流密度が高くなって、他の平坦な個所に比べて、めっきが厚く形成されるという現象にヒントを得て、スルーホールを特定の形状にすれば、通常使用されている電気めっき方法によって、かつ短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞することができることを見出して、本発明を完成した。

　すなわち本発明者等は、上記現象に基づき、スルーホールの形状を各種変更しして電気めっきを行なった結果、スルーホールを次の形状にすると、通常の電気めっき方法によって、かつ短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞することができることを見出した。
　（１）　スルーホールの一端部を、頂角が６０～３０度の錘状形状に形成して、この錘状形状の先端部分を、絶縁性基板の表面に開口させる。これにより、スルーホールが絶縁性基板に開口する開口部の周縁が、断面形状において６０～３０度の鋭角になり、この周縁の先端の電流密度が高くなって、周縁の先端に電気めっき層を迅速に形成できる。またスルーホールが錘状形状であるため、絶縁性基板に開口する開口部の径を小さくしつつ、かつ末広がりの後端部分から、めっき液の進入を容易にして循環を促進することによって、開口部の周縁の先端に、より迅速に電気めっき層を形成することができる。

　（２）　また絶縁性基板の表面であって、スルーホールが開口する部分を平坦に、すなわち開口部の周縁を、断面形状において、上端部が平坦の片刃のナイフエッジに形成する。これにより絶縁性基体の表面であって、スルーホールが開口する部分を閉塞する電気めっき層の表面を、平坦面に形成することができる。

　（３）　さらにスルーホールが絶縁性基板の表面に開口する開口径を、１０～１００μｍの範囲に設定する。これによりスルーホールの開口部を、電気めっき層によって、短時間に閉塞することができる。

　なお本発明においては、スルーホールの内側面に所定の厚さの電気めっき層を形成する時間で、スルーホールの開口部分を、電気めっき層の表面が平坦な状態で閉塞することができる。したがって上述した従来技術のように、スルーホールを電気めっきで充填する場合に較べて、大幅に時間を短縮することができる。

　また本発明においては、スルーホールの他端部は、錘状形状の末広がりの底部であって口径が大きいため、電気めっき層によって閉塞されない。したがって本発明は、絶縁性基板の一方の面においてのみ、スルーホール直上にスルーホールを積層したり、電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装したりすることができる。絶縁性基板の他方の面においては、スルーホール直上を除けば、スルーホールを積層したり電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装したりすることに問題はなく、多層プリント配線基板の構成の自由度を大きく減ずることはない。

　以上により本発明は、絶縁性基体に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したスルーホールのめっき構造であって、上記スルーホールの一端部は、錐形状の空間に形成してあり、上記錐形状の空間の先端部分は、上記絶縁性基体の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に開口しており、上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成されている。また上記錐形状の空間の頂角は、６０～１２０度であって、上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、１０～１００μｍである。

　上記スルーホールの内側面と、上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり、上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続している。そして上記導電層は、それぞれ導電性の下地層に電気めっき層を積層したものであって、上記スルーホールが上記縁性基体の表面に開口する部分は、上記電気めっき層によって、表面が平坦になるように閉塞されていることを特徴とする。

　ここで錐形状の空間の底面側の開口面積が、必要以上に大きくなることを回避して、この底面側に位置する絶縁性基板の表面における導電性回路の配置への影響を少なくすることが望ましい。よって前記スルーホールは、その錐形状の空間の底面に円筒形状の空間を連通させた形状に形成することが望ましい。

　また絶縁性基体の表裏面であって導電性回路等を形成する特定の個所と、スルーホールの内側面とに、容易かつ精密に導電性の下地層を形成できることが期待される。よって前記導電性の下地層は、無電解めっき層であることが、より望ましい。

　先端部分が錐形状のスルーホールは、絶縁性基体と同時に、かつ精密に成形できることが期待される。よって絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることが、さらに望ましい。

　ここで上記「絶縁性基体」の材質としては、熱可塑性や熱硬化性の合成樹脂が望ましいが、セラミックやガラス等の他の絶縁材も使用できる。なお熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、芳香族系液晶ポリマー、及びノルボルネン樹脂が該当する。また「絶縁性基体」は、射出成形に限らず、圧縮成形や研削等の機械加工で成形してもよい。

　「錐形状」とは、先端に向かって断面積が徐々に減少していく形状を意味し、断面形状が円の円錐に限らず、例えば楕円及び多角形のものも含む。「上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成されている。」としたのは、スルーホールの開口する部分を、電気めっき層で閉塞する場合に、この閉塞した電気めっき層の表面を平坦にできるからである。例えばスルーホールの開口する部分が、軸心を含む断面形状において、軸心に隙間を空けたＸ型、すなわちスルーホールが絶縁性基体の表面に開口する部分がＶの字形に窪んでいると、スルーホールが開口する部分を閉塞した電気めっき層の表面が、凹面状に窪むことを回避することが困難であることが判明したからである。よって「平坦面に形成されている」とは、絶縁性基体の表面であってスルーホールが開口する部分には、窪み、突起及び段差等が形成されていないことを意味する。

　「錐形状の頂角を６０～１２０度」としたのは、６０度未満では、スルーホールが絶縁性基板に開口する開口の周縁の先端角度（軸を含む断面形状において）が６０度以上となり、この周縁の先端の電流密度を十分高くすることができず、周縁の先端に電気めっき層を形成する時間が長くなるからである。また１２０度を超えると、周縁の先端角度が３０度以下となって薄くなり過ぎて、スルーホールを射出成形する場合に、周縁の先端に樹脂が流れ難くなるからである。なお頂角としては、８０～１００度がさらに望ましい。

　「上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、１０～１００μｍである」としたのは、開口径が１０μｍ未満の場合は、電気めっき液が、スルーホールの開口部付近において還流することが困難となって、開口部における電気めっき層の付き回りが悪くなって、電気めっき層の形成が不均一になるからである。また１００μｍを超えると、開口部を閉塞して表面を平坦にするための時間が長くなり過ぎるからである。なおこの開口径としては、３０～６０μｍがさらに望ましい。

　「上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり」における「導電層」とは、絶縁性基体の表裏面にそれぞれ設けた、導電性回路や接続端子等を意味する。また「上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続している。」としたのは、スルーホールの内側面に設けた導電層を介して、絶縁性基体の表裏面に設けた導電層を、それぞれ導通させるためである。これによりスルーホールの直上位置に限らず、絶縁性基体の表裏面に設けた導電層を介して、積層したプリント基板を相互に導通させることが可能となる。

　「導電性の下地層」には、無電解めっき層が好ましいが、真空蒸着、スパタリング及びイオンプレーティング等の物理的蒸着も含まれる。また「電気めっき層」は、金属イオンを含んだ電解質溶液に電流を流して、電解質溶液中の金属イオンを、陰極に荷電した対象物に析出させたもので、公知の一般的に使用されるめっき液とめっき装置とを使用して、一般的な手順で形成するものを意味する。すなわち特殊なめっき液、めっき装置、及び手順を必要としない。なお電気めっきのめっき金属としては、銅、ニッケル、貴金属及び合金等が該当し、これらのめっき金属の単独の層に限らず、異なっためっき金属を複数積層したものも含む。

　通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞するスルーホールのめっき構造が得られる。

スルーホールを設けた絶縁性基体の断面図である。スルーホールの一端部の開口面を電気めっき層で閉塞したときの絶縁性基体の断面図である。

　本発明によるスルーホールのめっき構造は、絶縁性基体に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したものであり、図１と図２とを参照しつつ、その具体例を説明する。図１は、スルーホール２を形成した絶縁性基体１であって、電気めっき層を形成する前の状態を示す。すなわちブロック状の絶縁性基体１は、芳香族系液晶ポリエステルを射出成形したものであり、スルーホール２も同時に射出成形する。

　スルーホール２の一端部、すなわち図１において上端部は、円錐形状の空間２１に形成してあり、この円錐形状の空間の先端部分は、絶縁性基体１の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に円形の開口２２を開口している。また絶縁性基体１の表面であって、スルーホール２が開口する部分１１は、平坦面に形成されている。なおスルーホール２の円錐形状の空間２１の底面には、円筒形状の空間２３が連通して形成してある。

　スルーホール２の円錐形状の空間２１の頂角Ｂは、９０度に形成してある。したがって、図１に示すスルーホール２の軸を含む断面形状において、このスルーホールの円錐形状の空間２１の内側傾斜面２４と、絶縁性基体１の表面であってスルーホール２が開口する部分１１とが交差する角度Ｃは、４５度の鋭角になる。またスルーホール２の開口２２の開口径Ｂは、４０μｍに形成してある。

　さて図２は、上述したスルーホール２の内側面と、絶縁性基体１の表面１１と、この絶縁性基体の裏面１３と、この絶縁性基体の側面１４とに、それぞれ導電層３、４、５及び６を設けた場合を示している。そしてスルーホール２の内側面に設けた導電層４は、絶縁性基体の表面１１に設けた導電層３と、この絶縁性基体の裏面１３に設けた導電層５とに、それぞれ接続している。なお縁性基体１の裏面１３に設けた導電層５と、側面１４に設けた導電層６とは、相互に接続している。

　導電層３～６は、いずれも無電解銅めっき層３１、４１、５１及び６１の表面に、電気銅めっき層３２、４２、５２及び６２を積層したものである。そしてスルーホール２が絶縁性基体１の表面１１に開口する開口２２は、電気めっき層３２によって、表面が平坦になるように閉塞されている。

　次に上述した導電層３～６の形成方法を説明する。さて第１のステップとして、絶縁性基体１の全表面とスルーホール２の内側面とを粗化する。アンカー効果によって、後工程における無電解めっきの密着性を向上すると共に、親水性を付与するためである。粗化の手段は、公知の化学エッチングを使用することができ、例えばスルーホール２を設けた絶縁性基体１を脱脂し、エッチング液、例えば苛性カリの水溶液に浸漬する。

　次に表面を粗化した絶縁性基体１を、酸性の水溶液に浸漬して中和し、水洗浄後に、無電解めっき用の触媒を、この絶縁性基体の全表面とスルーホール２の内側面とに付与する。触媒の付与も、公知の手段を用いることができる。例えば、錫、パラジウム系の混合触媒液に、絶縁性基体１を浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化し、表面にパラジウムを析出させる。あるいは塩化第１錫等の比較的強い還元剤を表面に吸着させ、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、表面に金を析出させる。次に、後工程において乾式加工のレーザー光の照射に備えて、触媒を付与した絶縁性基体１の表面を乾燥させ、触媒をこの絶縁性基体の表面に定着させる。

　次に触媒を定着ささせた絶縁性基体１の全表面と、スルーホール２の内側面とに、無電解銅めっき層を形成する。後工程における電気めっき用の電極として、導電性の下地層を形成するためである。したがって、この無電解銅めっき層の厚さは、０．６μｍ程度で十分である。なお無電解銅めっき層の形成も、公知の手段を使用することができる。例えば、無電解銅めっきの場合には、めっき液として、金属塩として硫酸銅を５～１５ｇ／リットル、還元剤としてホルマリンの３７容量％の溶液を８～１２ｍリットル／リットル、錯化材としてロッシェル塩を２０～２５ｇ／リットル、そしてアルカリ剤として水酸化ナトリウムを５～１２ｇ／リットル混合した、温度２０℃の溶液を使用する。なお無電解銅めっきの替わりに無電解ニッケルめっきを行なうこともできる。

　次に絶縁性基体１の全表面に形成した無電解銅めっき層に対して、後工程において電気めっき層を積層することによって、導電性回路や接続端子等を形成する部分の輪郭に沿ってレーザー光を照射して、この輪郭上の無電解めっき層を除去する。このレーザー光は、例えば出力０．５ＷのＹＡＧレーザーを使用する。

　レーザー光を照射する輪郭としては、例えば図２に示すように、絶縁性基体１の表面であって、スルーホール２の開口２２が開口する部分１１、すなわち開口２２を取り囲む周囲、この絶縁性基体１の裏面であって、スルーホールの下端が開口する部分１３、すなわちこの開口を取り囲む周囲、およびこの絶縁性基体の側面あって、導電性回路や接続端子等を形成する部分１４の輪郭が含まれる。

　上述した部分の輪郭に沿ってレーザー光を照射して、この輪郭上の無電解めっき層を除去すれば、この輪郭の内側の無電解めっき層３１、４１、５１及び６１は、この輪郭の外側の無電解めっき層と、電気的に絶縁になる。そこでこの輪郭の内側の無電解めっき層３１、４１、５１及び６１にのみ通電して、この輪郭の内側の無電解めっき層の表面に電気銅めっき層を３２、４２、５２及び６２を積層する。なおこれらの電気銅めっき層３２等の厚さは、３０μｍとする。また電気銅めっき層の替わりに電気ニッケルめっき層を積層してもよい。

　電気銅めっき層の形成は、通常使用されている一般的な手段を使用することができる。例えば、電気銅めっきの場合には、浴組成は、例えばＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ（７５ｇ）／ｌＨ_２ＳＯ_４（１９０ｇ）／ｌＣｌ（６０ｐｐｍ）／添加剤（適量）とする。また陽極材料を含リン銅として、浴温度は２５℃に設定し、陰極電流密度を２．５Ａ／ｄｍ２とする。なお陽極電極は、平板形状のものを、絶縁性基体１の表面から２０～３０Ｃｍ離れた位置に置けばよい。

　上述した方法によって、特殊なめっき促進剤や抑制剤、あるいは特殊な構造の電極等を使用することなく、スルーホール２の開口２２を、短時間に、表面が平坦な状態で閉塞することができる。すなわちスルーホール２の先端部分は、円錐形状２１に形成され、この円錐形状の下端は円筒形状に形成されて断面積が大きくなっている。したがって導電性回路の微小化に応じて、絶縁性基体１の表面に開口するスルーホール２の開口２２の開口径を小さくしつつ、このスルーホール内へのめっき液の進入及び循環を促進することができる。

　また絶縁性基体１の表面に開口するスルーホール２の開口２２の周縁は、上面が平坦の鋭角になるため、この周縁の電流密度が大きくなって、この周縁に急速に電解銅めっき層が形成される。さらに上述したように、スルーホール２の開口２２の開口径を小さくして、かつ絶縁性基体１の表面であって、このスルーホールが開口する部分を平坦にすることによって、電解銅めっき層を３０μｍ程度の厚さに形成すれば、図２に示すように、スルーホールの開口２２を、表面が平坦な状態になるように閉塞することができる。なおスルーホール２の開口２２の開口径が１０～１００μｍの場合は、表面が平坦な状態になるように閉塞するためには、それぞれ電解銅めっき層を２５～４０μｍ程度の厚さに形成する。

　最後に、電気銅めっき層３２、４２、５２及び６２を積層した絶縁性基体１を、例えば塩化鉄水溶液に浸漬して、これらの電気銅めっき層が積層されていない、輪郭の外側の無電解銅めっき層を溶解除去する。これにより図２に示すように、絶縁性基体１の表面、スルーホール２の内側面、この絶縁性基体の裏面、及びこの絶縁性基体の側面に、それぞれ無電解銅めっき層３１～６１の表面に電気銅めっき層３２～６２を積層した導電層３～６を形成することができる。

　したがって、絶縁性基体１の表面のスルーホール２の直上にスルーホールを重ねて、別のプリント基板を積層することができ、あるいはこのスルーホールの開口２２を閉塞した電気銅めっき層３２の平坦な表面に、電子部品等を実装することが可能となる。また絶縁性基体１の裏面には、スルーホール２の内側面に形成した導電層４と連通する導電層５を有するため、この絶縁性基体の裏面に他のプリント基板等を積層することができる。

　通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を表面が平坦な状態で閉塞することができるため、多層プリント基板等の電子機器に関する産業に広く利用可能である。

　１　　　　　絶縁性基体
　１１　　　　スルーホールが開口する部分
　２　　　　　スルーホール
　２１　　　　円錐形状の空間（錐形状の空間）
　２２　　　　開口（するーホールの）
　２３　　　　円筒形状の空間
　３　　　　　導電層
　３１　　　　無電解銅めっき層（無電解めっき層）
　３２　　　　電気銅めっき層（電気めっき層）
　４　　　　　導電層
　４１　　　　無電解銅めっき層（無電解めっき層）
　４２　　　　電気銅めっき層（電気めっき層）
　５　　　　　導電層
　５１　　　　無電解銅めっき層（無電解めっき層）
　５２　　　　電気銅めっき層（電気めっき層）
　６　　　　　導電層
　６１　　　　無電解銅めっき層（無電解めっき層）
　６２　　　　電気銅めっき層（電気めっき層）

Claims

　　　絶縁性基体に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したスルーホールのめっき構造であって、
　　　上記スルーホールの一端部は、錐形状の空間に形成してあり、
　　　上記錐形状の空間の先端部分は、上記絶縁性基体の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に開口しており、
　　　上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成され、
　　　上記錐形状の空間の頂角は、６０～１２０度であって、
　　　上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、１０～１００μｍであり、
　　　上記スルーホールの内側面と、上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり、
　　　上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続しており、
　　　上記導電層は、いずれも導電性の下地層に電気めっき層を積層したものであって、
　　　上記スルーホールが上記縁性基体の表面に開口する部分は、上記電気めっき層によって、表面が平坦になるように閉塞されている
　　　ことを特徴とするスルーホールのめっき構造。
　　　前記スルーホールは、その錐形状の空間の底面に円筒形状の空間を連通させた形状である
　　　ことを特徴とする請求項１に記載のスルーホールのめっき構造。
　　　前記導電性の下地層は、無電解めっき層である
　　　ことを特徴とする請求項１または２に記載のスルーホールのめっき構造。
　　　前記絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のスルーホールのめっき構造。