[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2012101942A1 - レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2012101942A1
WO2012101942A1 PCT/JP2011/079736 JP2011079736W WO2012101942A1 WO 2012101942 A1 WO2012101942 A1 WO 2012101942A1 JP 2011079736 W JP2011079736 W JP 2011079736W WO 2012101942 A1 WO2012101942 A1 WO 2012101942A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
structural unit
hydrocarbon group
resist pattern
polymer component
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/079736
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宏和 榊原
泰一 古川
雅史 堀
亘史 伊藤
拡 宮田
Original Assignee
Jsr株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsr株式会社 filed Critical Jsr株式会社
Priority to JP2012554648A priority Critical patent/JP5928345B2/ja
Priority to KR1020137019877A priority patent/KR101853154B1/ko
Publication of WO2012101942A1 publication Critical patent/WO2012101942A1/ja
Priority to US13/940,119 priority patent/US9223207B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking

Definitions

  • the present invention relates to a resist pattern forming method and a radiation sensitive resin composition.
  • the present invention has been made on the basis of the circumstances as described above, and its purpose is high in suppressing film loss after pattern formation of a resist film while enabling formation of a fine pattern by development using an organic solvent. It is to provide a resist pattern forming method that combines etching resistance with excellent lithography properties such as CDU, MEEF, and resolution, and a radiation-sensitive resin composition that is optimal for this resist pattern forming method.
  • the invention made to solve the above problems is (1) a resist film forming step using a radiation sensitive resin composition; (2) an exposure step, and (3) a resist pattern forming method including a development step using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more,
  • the radiation sensitive resin composition is [A] a polymer component containing a polymer having an acid dissociable group (hereinafter also referred to as “[A] polymer component”), and [B] a radiation-sensitive acid generator (hereinafter referred to as “[B] acid generation”).
  • the polymer component contains the structural unit (I) having a hydrocarbon group (a1) and the structural unit (II) having a hydrocarbon group (a2) in the same or different polymers,
  • the hydrocarbon group (a1) is an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 carbon atoms,
  • the hydrocarbon group (a2) has an adamantane skeleton;
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is less than 1, and the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the polymer component [A] is less than 5 mol%. .
  • the polarity of the [A] polymer component is increased by the action of the acid generated from the [B] acid generator in the radiation-sensitive resin composition, and the organic solvent is removed.
  • a negative resist pattern is obtained by being hardly soluble in a developer containing a predetermined ratio or more.
  • the [A] polymer component an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic group having 3 to 8 carbon atoms.
  • the reason why it is possible to combine the suppression of the film loss of the resist film and the high etching resistance is not necessarily clear by using the above-described configuration.
  • the [A] polymer component is relatively bulky.
  • the volume shrinkage of the resist film due to the elimination of the acid dissociable group can be suppressed while keeping
  • the structural unit having a hydroxyl group to less than the above range, one of the reasons is that the interaction between the hydroxyl group, which is considered to be a cause of film reduction, and the carboxyl group generated in the exposed portion is reduced. Conceivable.
  • the reason for the improvement of lithography properties such as CDU is that, in addition to suppressing the above-mentioned film reduction, the dissolution contrast between the exposed and unexposed areas is further increased by suppressing the hydroxyl group content to less than a predetermined value. It can be considered.
  • the structural unit (I) is preferably represented by the following formula (1), and the structural unit (II) is preferably represented by the following formula (2).
  • R and R ′ are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • R 1 is a monovalent hydrocarbon group (a1
  • R 2 is a monovalent hydrocarbon group (a2), wherein R 1 and R 2 are each independently a group consisting of a hydroxyl group, a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group. It may have at least one group selected from
  • the polymer component can be easily synthesized, and the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon (a1) can be adjusted in detail. As a result, it is possible to easily improve the lithography characteristics such as CDU.
  • R 1 in the above formula (1) in the polymer component [A] is preferably an acid dissociable group.
  • R 1 having a relatively high content in the polymer component as an acid dissociable group the pattern forming property can be improved. Further, since the desorbed R 1 is relatively small, it is evaporated by post-exposure bake (PEB) after the exposure process and hardly remains in the resist film, so that the lithography characteristics such as CDU of the obtained resist pattern are further improved. Can be improved.
  • PEB post-exposure bake
  • R 2 in the above formula (2) in the polymer component [A] is at least one selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (2-1) to (2-4) and acid dissociable groups.
  • a seed group is preferred.
  • R p1 , R p2 and R p3 are each independently a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group or a sulfonamide group.
  • R a1 and R a2 are each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms.
  • R a3 is a single bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms.
  • q1 is an integer of 1 to 6.
  • * shows the coupling
  • the above formulas (2-1) to (2-4) are non-acid dissociable adamantane skeleton-containing groups having a carbonyl group, a hydroxyl group, a cyano group, or a sulfonamide group.
  • R 2 as the group having the specific structure, it is possible to further suppress film loss caused by dissolution of a highly hydrophobic exposed portion surface in a developer containing an organic solvent. Even when the acid-dissociable group of the R 2, R 2 desorbed is to remain in the resist film hardly transpires even when such PEB, the same effect can be obtained.
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is preferably from 0.1 to 0.9.
  • the hydrocarbon group (a2) preferably has at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group and a carbonyl group.
  • the polymer component preferably further includes a structural unit having at least one group selected from the group consisting of a lactone group and a cyclic carbonate group.
  • a structural unit having the specific group basic resist characteristics such as adhesion between the resulting resist film and the substrate can be further improved.
  • the ratio of the acid dissociable group in the hydrocarbon group (a1) and the hydrocarbon group (a2) is preferably 50 mol% or more.
  • the radiation-sensitive acid generator is preferably represented by the following formula (B-1), and Rr in the following formula (B-1) is more preferably represented by the following formula (i). .
  • Rf 1 and Rf 2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 3. .
  • each of the plurality of Rf 1 and Rf 2 are the same R r is a monovalent organic group having 3 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure, and X + is a monovalent cation.
  • A is a (m + 1) -valent linking group.
  • M is an integer of 1 to 3.
  • R r1 is a monovalent valent ring having 3 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure. Organic group.
  • the radiation-sensitive acid generator has an alicyclic structure similar to the polymer component [A], so that compatibility is improved and dispersibility is improved, and diffusion in the resist film is appropriately controlled. The As a result, the lithography characteristics such as CDU of the obtained resist pattern are further enhanced.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention is A radiation-sensitive resin composition for a resist pattern forming method using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more, [A] a polymer component containing a polymer having an acid-dissociable group, and [B] a radiation-sensitive acid generator, [A]
  • the polymer component contains the structural unit (I) having a hydrocarbon group (a1) and the structural unit (II) having a hydrocarbon group (a2) in the same or different polymers,
  • the hydrocarbon group (a1) is an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 ring carbon atoms,
  • the hydrocarbon group (a2) has an adamantane skeleton;
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is less than 1, and the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the polymer component [A] is less
  • the radiation-sensitive resin composition in a resist pattern forming method using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more, the reduction of the resist film thickness and the high etching resistance are combined, and lithography such as CDU is performed. A resist pattern having excellent characteristics can be obtained.
  • branched chain group refers to a chain group having a branched structure and having no cyclic structure such as an aliphatic ring or an aromatic ring.
  • the “monocyclic aliphatic cyclic group” refers to a group in which one or more hydrogen atoms bonded to the carbon atoms constituting the carbocycle are removed from the monocyclic aliphatic cyclic hydrocarbon.
  • the resist pattern forming method of the present invention and the radiation-sensitive resin composition suitable for this method, it is possible to form a fine pattern by development using an organic solvent, while suppressing the decrease in the thickness of the resist film and high etching resistance.
  • a resist pattern having excellent lithography properties such as CDU, MEEF, and resolution can be formed.
  • the present invention includes (1) a resist film forming step (hereinafter also referred to as “(1) step”) for applying a radiation-sensitive resin composition on a substrate, and (2) an exposure step (hereinafter referred to as “(2) step”). And (3) a resist pattern forming method having a developing step (hereinafter also referred to as “(3) step”) using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more, wherein the radiation-sensitive resin
  • the composition contains [A] a polymer component and [B] a radiation-sensitive acid generator.
  • the composition used in the present invention is applied onto a substrate to form a resist film.
  • a substrate for example, a conventionally known substrate such as a silicon wafer or a wafer coated with aluminum can be used.
  • an organic or inorganic antireflection film disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-12452 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-93448 may be formed on the substrate.
  • the thickness of the resist film to be formed is usually 0.01 ⁇ m to 1 ⁇ m, preferably 0.01 ⁇ m to 0.5 ⁇ m.
  • the solvent in the coating film may be volatilized by pre-baking (PB) as necessary.
  • PB pre-baking
  • the heating conditions for PB are appropriately selected depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but are usually about 30 ° C. to 200 ° C., preferably 50 ° C. to 150 ° C.
  • a protective film disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-188598 can be provided on the resist layer.
  • an immersion protective film disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-352384 can be provided on the resist layer.
  • exposure is performed by reducing and projecting a desired pattern on the resist film formed in step (1) through a mask having a specific pattern and, if necessary, an immersion liquid.
  • an isotrench pattern can be formed by performing reduced projection exposure on a desired region through an isoline pattern mask.
  • a first reduced projection exposure is performed on a desired area via a line and space pattern mask, and then the second is so that the line intersects the exposed portion where the first exposure has been performed. Reduced projection exposure is performed.
  • the first exposure part and the second exposure part are preferably orthogonal. By being orthogonal, it becomes easy to form a perfect circular contact hole pattern in the unexposed area surrounded by the exposed area.
  • the immersion liquid used for exposure include water and a fluorine-based inert liquid.
  • the immersion liquid is preferably a liquid that is transparent to the exposure wavelength and has a refractive index temperature coefficient that is as small as possible so as to minimize distortion of the optical image projected onto the film.
  • excimer laser light wavelength 193 nm
  • an additive that decreases the surface tension of water and increases the surface activity may be added in a small proportion. This additive is preferably one that does not dissolve the resist layer on the wafer and can ignore the influence on the optical coating on the lower surface of the lens.
  • the water used is preferably distilled water.
  • the radiation used for exposure is appropriately selected according to the type of [B] acid generator, and examples thereof include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams. Among these, far ultraviolet rays represented by ArF excimer laser and KrF excimer laser (wavelength 248 nm) are preferable, and ArF excimer laser is more preferable.
  • the exposure conditions such as the exposure amount are appropriately selected according to the blending composition of the radiation-sensitive resin composition, the type of additive, and the like.
  • the exposure process may be performed a plurality of times, and the plurality of exposures may be performed using the same light source or different light sources, but ArF excimer laser is used for the first exposure. It is preferable to use light.
  • PEB post-exposure baking
  • step (3) Process In this step, after the exposure in step (2), development is performed using a negative developer having an organic solvent content of 80% by mass or more to form a resist pattern.
  • the negative developer is a developer that selectively dissolves and removes the low-exposed portion and the unexposed portion.
  • the organic solvent contained in the negative developer is at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ether solvents, ketone organic solvents, amide solvents, ester organic solvents, and hydrocarbon solvents. It is preferable.
  • alcohol solvent examples include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, iso-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, tert-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol , Sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec -und
  • ether solvents include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, methoxybenzene, and the like.
  • ketone solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n- And ketone solvents such as hexyl ketone, di-iso-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, etc. .
  • amide solvents include N, N′-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, Examples thereof include N-methylpropionamide and N-methylpyrrolidone.
  • ester solvent examples include diethyl carbonate, propylene carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, n-propyl acetate, iso-propyl acetate, n-butyl acetate, iso-butyl acetate, sec -Butyl, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl pentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, acetoacetic acid Methyl, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate,
  • hydrocarbon solvents examples include n-pentane, iso-pentane, n-hexane, iso-hexane, n-heptane, iso-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, iso-octane, cyclohexane , Aliphatic hydrocarbon solvents such as methylcyclohexane; Fragrances such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, iso-propylbenzene, diethylbenzene, iso-butylbenzene, triethylbenzene, di-iso-propylbenzene, n-amylnaphthalene Group hydrocarbon solvents and the like.
  • n-butyl acetate isopropyl acetate, amyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl-n-butyl ketone, and methyl-n-amyl ketone are preferred.
  • These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the organic solvent in the developer is 80% by mass or more.
  • the contrast of the pattern depending on the presence or absence of exposure can be improved, and as a result, a resist pattern having excellent development characteristics and lithography characteristics can be formed.
  • Examples of components other than the organic solvent include water and silicone oil.
  • a surfactant can be added to the developer as necessary.
  • a surfactant for example, an ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactant can be used.
  • a developing method for example, a method in which a substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and is left stationary for a certain time (paddle method) ), A method of spraying the developer on the substrate surface (spray method), a method of continuously applying the developer while scanning the developer coating nozzle on the substrate rotating at a constant speed (dynamic dispensing method) Etc.
  • a rinsing liquid it is preferable to wash the resist film with a rinsing liquid after the development in the step (3).
  • an organic solvent can be used also as the rinse liquid in the rinse process, and the generated scum can be efficiently washed.
  • the rinsing liquid hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and the like are preferable. Of these, alcohol solvents and ester solvents are preferable, and monovalent alcohol solvents having 6 to 8 carbon atoms are more preferable.
  • Examples of monohydric alcohols having 6 to 8 carbon atoms include linear, branched or cyclic monohydric alcohols such as 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, and 4-methyl-2-pentanol.
  • 1-hexanol, 2-hexanol, 2-heptanol, and 4-methyl-2-pentanol are preferable.
  • Each component of the rinse liquid may be used alone or in combination of two or more.
  • the water content in the rinse liquid is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less. By setting the water content to 10% by mass or less, good development characteristics can be obtained.
  • the surfactant mentioned later can be added to the rinse liquid.
  • a cleaning method for example, a method of continuously applying a rinse liquid onto a substrate rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the substrate in a tank filled with the rinse liquid for a predetermined time (dip method) ), A method (spray method) of spraying a rinse liquid on the substrate surface, and the like.
  • the radiation sensitive resin composition used for the resist pattern formation method of this invention contains a [A] polymer component and a [B] acid generator. Furthermore, you may contain an arbitrary component, unless the effect of this invention is impaired. Hereinafter, each component will be described in detail.
  • the polymer component is a polymer component including a polymer having an acid dissociable group.
  • the polymer component may be composed of one type of polymer or a plurality of types of polymers.
  • the content form of the acid-dissociable group of the polymer component is not particularly limited, and may be composed only of a polymer having an acid-dissociable group.
  • the polymer having an acid-dissociable group and the acid-dissociable group may consist of a polymer that does not have
  • the acid dissociable group is a group that replaces a hydrogen atom such as a carboxyl group or a hydroxyl group, and means a group that dissociates by the action of an acid generated from the [B] acid generator upon exposure.
  • the polymer component is In the same or different polymers, the structural unit (I) having a hydrocarbon group (a1) and the structural unit (II) having a hydrocarbon group (a2),
  • the hydrocarbon group (a1) is an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 ring carbon atoms,
  • the hydrocarbon group (a2) has an adamantane skeleton;
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is less than 1, and the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group is less than 5 mol%.
  • the [A] polymer component has the above-mentioned specific structure, the film thickness reduction of the resist film and high etching resistance can be combined.
  • the resist pattern which is excellent in lithography characteristics, such as CDU can be formed by the combination of the radiation sensitive resin composition containing the polymer component [A] and the characteristic resist pattern forming method.
  • the form of inclusion of the structural unit (I) and the structural unit (II) in the polymer component is not particularly limited, and the [A] polymer component has both the structural unit (I) and the structural unit (II). It may be composed of a polymer, and may be composed of a polymer having the structural unit (I) and a polymer having the structural unit (II).
  • the structural unit (I) is a hydrocarbon group (an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 ring carbon atoms). a structural unit having a1).
  • the valence of the hydrocarbon group (a1) is not particularly limited.
  • the hydrocarbon group (a1) as long as it is an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 ring carbon atoms, Even if it is a monovalent group such as an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a monocyclic cycloalkyl group, a group in which some or all of these hydrogen atoms are substituted, an alkanediyl group, an alkanetriyl group, although it may be a divalent or higher valent group such as a cycloalkanediyl group, a cycloalkanetriyl group, or a group in which some or all of these hydrogen atoms are substituted, [A] the rigidity of the polymer of the polymer component From the viewpoint of improving lithography properties such as CDU as a result of moderately reducing the properties, monovalent is preferable.
  • the number of hydrocarbon groups (a1) in the structural unit (I) is not particularly limited and may be one or more, but one is preferable.
  • the structural unit (I) may have one or more hydrocarbon groups (a1).
  • polar groups such as a hydroxyl group, a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, a sulfonamide group, an alkyl group, the alkyl group which has the said polar group, etc. are mentioned.
  • the structural unit (I) is preferably a structural unit represented by the above formula (1).
  • R is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • R 1 is a monovalent hydrocarbon group (a1).
  • R 1 may have at least one group (polar group) selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group.
  • the structural unit (I) represented by the above formula (1) has a monovalent hydrocarbon group (a1), whereby the rigidity of the polymer of the [A] polymer component is moderately reduced, As a result, lithography characteristics such as CDU of the obtained resist pattern are improved. Moreover, the monomer which gives such a structural unit (I) can be easily synthesized, and the monomer is used to highly control the content of the structural unit (I) [ A] A polymer component can be synthesized.
  • the hydrocarbon group (a1) may have a polar group or may not have a polar group.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group (a1) represented by R 1 and having no polar group include: As a branched chain group having 8 or less carbon atoms, Methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, sec-pentyl group , T-pentyl group, neo-pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, sec-hexyl group, t-hexyl group, neo-hexyl group, n-heptyl group, i-heptyl group, sec-heptyl group T-heptyl group, neo-heptyl group, n-octyl group, i-octyl
  • Examples of the monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 ring carbon atoms include cyclopropyl group, 1-methylcyclopropyl group, cyclobutyl group, 1-methylcyclobutyl group, 1-ethylcyclobutyl group, cyclopentyl group, 1- Methylcyclopentyl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-n-propylcyclopentyl group, 1-i-propylcyclopentyl group, cyclohexyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 1-n-propylcyclohexyl group, 1 -I-propylcyclohexyl group, cycloheptyl group, 1-methylcycloheptyl group, 1-ethylcycloheptyl group, 1-n-propylcycloheptyl group, 1-i-propylcycloheptyl group, cyclo
  • hydrocarbon group (a1) represented by R 1 and having a polar group examples include, for example, a part of hydrogen atoms of the hydrocarbon group (a1) not having the polar group. Or the group which all substituted by the said polar group can be mentioned.
  • the monovalent hydrocarbon group (a1) represented by R 1 may be an acid dissociable group or not an acid dissociable group, but is preferably an acid dissociable group.
  • R 1 having a relatively high content in the polymer component is an acid dissociable group, so that the pattern forming property can be improved. Further, since the desorbed R 1 is relatively small, it is evaporated by PEB or the like after the exposure process. As a result, lithography characteristics such as CDU of the obtained resist pattern can be improved.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group (a1) represented by R 1 which is an acid dissociable group include a t-butyl group, a t-pentyl group, a t-hexyl group, a t-heptyl group, and a t-octyl group.
  • Examples of the structural unit (I) include those having a hydrocarbon group (a1) that does not have a polar group, for example, a structural unit represented by the following formula.
  • R is synonymous with the above formula (1).
  • Examples of the structural unit (I) containing a hydrocarbon group (a1) having a polar group include structural units represented by the following formulas.
  • R is synonymous with the above formula (1).
  • the structural unit (II) is a structural unit containing a hydrocarbon group (a2) having an adamantane skeleton. Since the hydrocarbon group (a2) has a bulky adamantane skeleton, the etching resistance of the resulting resist film can be increased.
  • the valence of the hydrocarbon group (a2) is not particularly limited. As long as it has an adamantane skeleton, the hydrocarbon group (a2) may be a monovalent group such as an adamantyl group or a bivalent or higher group such as an adamantanediyl group or an adamantanetriyl group.
  • the number of hydrocarbon groups (a2) in the structural unit (II) is not particularly limited and may be one or more, but one is preferable.
  • the structural unit (II) may have one kind or two or more kinds of hydrocarbon groups (a2).
  • part or all of the hydrogen atoms may be substituted with the above polar group, alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, a combination of these, or the like.
  • the structural unit (II) is preferably a structural unit represented by the above formula (2).
  • R is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • R 2 is a monovalent hydrocarbon group (a2).
  • R 2 may have at least one group (polar group) selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group.
  • the structural unit (II) represented by the above formula (2) has a monovalent hydrocarbon group (a2), whereby the rigidity of the polymer of the [A] polymer component is moderately reduced, As a result, lithography characteristics such as CDU of the obtained resist pattern are improved. Moreover, the monomer which gives such a structural unit (II) can be easily synthesized, and by using this monomer, the content ratio of the structural unit (II) is highly controlled [ A] A polymer component can be synthesized.
  • the hydrocarbon group (a2) may have the polar group or may not have the polar group.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group (a2) represented by R 2 that does not have a polar group include: 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 2-n-propyl-2-adamantyl group, 2-i-propyl-2-adamantyl group 1 -Adamantyl-2-propyl group, 2-adamantyl-2-propyl group and the like.
  • hydrocarbon group (a2) having a polar group examples include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the monovalent hydrocarbon group (a2) represented by R 2 are substituted with a polar group. It is done.
  • the monovalent hydrocarbon group (a2) represented by R 2 may be an acid dissociable group or not an acid dissociable group.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group (a2) represented by R 2 which is an acid-dissociable group include 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 2-n-propyl. Examples include -2-adamantyl group, 2-i-propyl-2-adamantyl group, 1-adamantyl-2-propyl group, and 2-adamantyl-2-propyl group.
  • hydrocarbon group (a2) those having the polar group are preferably used.
  • the polar group is at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group.
  • a hydroxyl group and More preferred is at least one group selected from the group consisting of carbonyl groups.
  • the hydrocarbon group (a2) having a polar group is preferably at least one group selected from the group consisting of groups represented by the above formulas (2-1) to (2-4).
  • R p1 , R p2 and R p3 are each independently a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group or a sulfonamide group.
  • R a1 and R a2 are each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms.
  • R a3 is a single bond or a methylene group.
  • q1 is an integer of 1 to 6.
  • q2 and q3 are each independently an integer of 1 to 15.
  • R p1, R when p2 and R a1 is plural, respectively, a plurality of R p1, R p2 and R a1 may be the same as or different from each other.
  • * shows the coupling
  • Examples of the alkylene group having 2 to 10 carbon atoms represented by R a1 and R a2 include ethylene group, 1,2-propylene group, 1,3-propylene group, 1,2-butylene group, 1,3 -Butylene group, 1,4-butylene group, 1,5-pentylene group, 1,6-hexylene group, 1,7-heptylene group, 1,8-octylene group, 1,9-nonylene group, 1, A 10-decylene group and the like can be mentioned.
  • * represents a bonding site to the ester group in the above formula (2).
  • * represents a bonding site to the ester group in the above formula (2).
  • * represents a bonding site to the ester group in the above formula (2).
  • * represents a bonding site to the ester group in the above formula (2).
  • Examples of the structural unit (II) include those having a hydrocarbon group (a2) having no polar group, for example, a structural unit represented by the following formula.
  • R ′ has the same meaning as the above formula (2).
  • examples of the structural unit (II) containing the hydrocarbon group (a2) having a polar group include structural units represented by the following formulas.
  • R ′ has the same meaning as the above formula (2).
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) needs to be less than 1. Balancing the suppression of the solubility of the [A] polymer component in the exposed area and the high carbon content by the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) being less than 1. As a result, it is possible to combine suppression of film loss after pattern formation of the resulting resist film and high etching resistance. In addition, a resist pattern having excellent lithography properties such as CDU can be obtained.
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is preferably 0.1 or more and 0.9 or less, more preferably 0.15 or more and 0.85 or less, and 0.2 or more. 0.8 or less is more preferable, and 0.3 or more and 0.7 or less is particularly preferable. By setting the molar ratio within the above range, the reduction in resist film thickness and etching resistance can be combined at a higher level.
  • the ratio of the acid dissociable group in the hydrocarbon group (a1) and the hydrocarbon group (a2) is preferably 50 mol% or more.
  • the ratio of the acid dissociable group in the hydrocarbon group (a1) and the hydrocarbon group (a2) is more preferably 60 mol% or more, and further preferably 70 mol% or more.
  • the content of the structural unit (I) in the polymer component is preferably 20 mol% to 80 mol% or more, preferably 25 mol% to 70 mol, based on all structural units constituting the [A] polymer component. % Is more preferable, and 30 mol% to 60 mol% is more preferable. When the content ratio of the structural unit (I) is less than 20 mol%, the pattern formability may be lowered. On the other hand, when the content ratio of the structural unit (I) exceeds 80 mol%, the etching resistance tends to decrease.
  • the [A] polymer component may have 1 type, or 2 or more types of structural units (I).
  • the content ratio of the structural unit (II) in the polymer component is preferably 5 mol% to 40 mol% or less with respect to all the structural units constituting the [A] polymer component, and 5 mol% to 35 mol. % Is more preferable, and 10 mol% to 30 mol% is more preferable.
  • the content ratio of the structural unit (II) is less than 5 mol%, the etching resistance tends to decrease.
  • the content ratio of the structural unit (II) exceeds 40 mol%, the resolution tends to decrease.
  • the [A] polymer component may have 1 type, or 2 or more types of structural units (II).
  • the polymer component preferably further has a structural unit (hereinafter also referred to as “structural unit (III)”) having at least one selected from the group consisting of a lactone group and a cyclic carbonate group.
  • structural unit (III) having at least one selected from the group consisting of a lactone group and a cyclic carbonate group.
  • the polymer component further includes a structural unit having a lactone group and / or a cyclic carbonate group, basic resist characteristics such as adhesion between the resist film and the substrate can be further improved. Further, the solubility of the resist film in the developer can be increased.
  • the lactone group refers to a cyclic group containing one ring (lactone ring) containing a bond represented by —O—C (O) —.
  • the cyclic carbonate group refers to a cyclic group containing one ring (cyclic carbonate ring) containing a bond represented by —O—C (O) —O—.
  • the lactone ring or cyclic carbonate ring is counted as the first ring, and if it has only a lactone ring or cyclic carbonate ring, it is called a monocyclic group, and if it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. .
  • Examples of the structural unit having a lactone group include a structural unit represented by the following formula.
  • R L1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • Examples of the structural unit having a cyclic carbonate group include a structural unit represented by the following formula.
  • R L1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • the content of the structural unit (III) in the polymer component is preferably 10 mol% to 80 mol%, preferably 20 mol% to 70 mol%, based on all structural units constituting the [A] polymer component. Is more preferable, and 25 mol% to 60 mol% is more preferable. If the content ratio of the structural unit (III) is less than 10 mol%, the adhesion between the resist film and the substrate may not be improved. On the other hand, when the content ratio of the structural unit (III) exceeds 80 mol%, the pattern formability may be lowered.
  • the [A] polymer component may have 1 type, or 2 or more types of structural units (III).
  • the polymer component further has other structural units such as a structural unit having a hydroxyl group not corresponding to the structural unit (I) and the structural unit (II). You may do it.
  • the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the [A] polymer component is required to be less than 5 mol% with respect to all the structural units constituting the [A] polymer component.
  • the content ratio of the hydrocarbon group (a1) and the hydrocarbon group (a2) is less than a predetermined value.
  • the reason why the above effect is exhibited by making the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the [A] polymer component less than the above value is not necessarily clear.
  • the carbon content of the polymer component is improved and the interaction between the hydroxyl group considered to be the cause of film loss and the carboxyl group generated at the exposed portion is reduced.
  • the reason for improving the lithography properties such as CDU may be that the dissolution contrast between the exposed and unexposed areas is further increased by suppressing the hydroxyl group content to less than a predetermined value.
  • the structural unit having a hydroxyl group is not particularly limited as long as it constitutes the polymer component [A], and may be the structural unit (I) or the structural unit (II). Other structural units may be used.
  • the number of hydroxyl groups in the structural unit having a hydroxyl group may be one or two or more. From the viewpoint of increasing the polarity change of the polymer component [A] before and after the formation of the resist pattern, the number of hydroxyl groups is The smaller number is preferable, 2 or less is more preferable, and 1 is particularly preferable. Further, the position of the hydroxyl group in the structural unit having a hydroxyl group is not particularly limited.
  • the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the polymer component is preferably 4 mol% or less, more preferably 2 mol% or less, and 0 mol%, that is, the structural unit [A] the polymer component has a hydroxyl group. It is particularly preferred not to have
  • structural unit having a hydroxyl group examples include, for example, structural units represented by the following formula, in addition to those exemplified as the structural unit (I) and the structural unit (II).
  • R ′′ is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • the polymer constituting the polymer component can be produced, for example, by polymerizing monomers corresponding to predetermined respective structural units in a suitable solvent using a radical polymerization initiator.
  • a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is dropped into a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction; a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator Respectively, a method of dropping a solution into a reaction solvent or a monomer-containing solution to cause a polymerization reaction; a plurality of types of solutions each containing a monomer, and a solution containing a radical initiator, It is preferable to synthesize by a method such as a method of dropping it into a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction.
  • the resin obtained by the polymerization reaction is preferably recovered by a reprecipitation method. That is, after completion of the polymerization reaction, the target resin is recovered as a powder by introducing the polymerization solution into a reprecipitation solvent.
  • a reprecipitation solvent alcohols or alkanes can be used alone or in admixture of two or more.
  • the resin can be recovered by removing low-molecular components such as monomers and oligomers by a liquid separation operation, a column operation, an ultrafiltration operation, or the like.
  • the polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer component by gel permeation chromatography (GPC) is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 500,000 or less, and preferably 2,000 or more and 400,000 or less. More preferably, it is 3,000 or more and 300,000 or less.
  • Mw weight average molecular weight
  • GPC gel permeation chromatography
  • the ratio (Mw / Mn) of Mw to polystyrene-converted number average molecular weight (Mn) by GPC of the polymer component is usually from 1 to 5, preferably from 1 to 3, preferably from 1 to 2. Is more preferable. By setting Mw / Mn in such a range, the resist film has excellent resolution performance.
  • Mw and Mn in this specification are GPC columns (manufactured by Tosoh Corporation, 2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL), under the analysis conditions of a flow rate of 1.0 ml / min, elution solvent tetrahydrofuran, and column temperature of 40 ° C. The value measured by GPC using monodisperse polystyrene as a standard.
  • [B] Acid generator generates an acid upon exposure, and the acid dissociates an acid dissociable group present in the [A] polymer component to generate an acid.
  • the content form of the [B] acid generator in the radiation sensitive resin composition may be a compound form as described later (hereinafter sometimes referred to as “[B] acid generator” as appropriate). It may be a form incorporated as part or both of these forms.
  • Examples of the acid generator include onium salt compounds, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazoketone compounds, and the like. Of these [B] acid generators, onium salt compounds are preferred.
  • onium salt compounds examples include sulfonium salts (including tetrahydrothiophenium salts), iodonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, pyridinium salts, and the like.
  • sulfonium salt examples include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept- 2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyclohexyl Phenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-cyclohexylphen
  • triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate and triphenylphosphonium 1,1,2,2-tetrafluoro-6- (1-adamantane carbonyloxy) -hexane-1 Sulfonate is preferred.
  • tetrahydrothiophenium salt examples include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nona.
  • iodonium salt examples include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl- 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, diphenyliodonium camphorsulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, Bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bic
  • hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate bis (4-t- butylphenyl) iodonium camphorsulfonate, and the like.
  • bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate is preferred.
  • sulfonimide compound examples include N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) bicyclo [ 2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (perfluoro-n-octanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3- Dicarboximide, N- (2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene -2,3-dicarboximide, N- (2- (3-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecanyl) -1,1-difluoroethanesulf
  • the [B] acid generator represented by the above formula (B-1) has an alicyclic structure in the same manner as the above [A] polymer component.
  • [A] The compatibility with the polymer component is increased and the dispersibility is improved. Moreover, the diffusion in the resist film is appropriately controlled. As a result, lithography characteristics such as CDU of the resist pattern obtained can be improved.
  • Rf 1 and Rf 2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • n is an integer of 1 to 3.
  • Rf 1 and Rf 2 bonded to the ⁇ -position carbon of the sulfonate group are hydrogen atoms.
  • Rf 1 and Rf 2 are a plurality of each may be different in each of a plurality of Rf 1 and Rf 2 are the same.
  • R r is a C 3-20 monovalent organic group having an alicyclic structure.
  • X + is a monovalent cation.
  • Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Rf 1 and Rf 2 include a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a fluoroethyl group, a difluoroethyl group, and a trifluoroethyl group.
  • Perfluoroethyl group fluoropropyl group, difluoropropyl group, trifluoropropyl group, pentafluoropropyl group, hexafluoropropyl group, perfluoropropyl group, fluorobutyl group, difluorobutyl group, trifluorobutyl group, tetrafluorobutyl Group, pentafluorobutyl group, perfluorobutyl group and the like.
  • Examples of the monovalent organic group having an alicyclic structure represented by R r include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 1-norbornyl group, a 2-norbornyl group, a 1-norbornenyl group, a 2-norbornenyl group, 1- Examples thereof include an adamantyl group, a 2-adamantyl group, a furyl group, and the like, and a methylene group to which these groups are bonded or an alkylene group such as an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.
  • a group having a polycyclic alicyclic structure such as a norbornyl group or an adamantyl group is preferable, and a group having an adamantyl group is more preferable.
  • Part or all of the hydrogen atoms possessed by R r may be substituted with a substituent.
  • substituents include a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkylcarbonyl group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group.
  • keto group formed by replacing two hydrogen atoms attached to the same carbon atom of R r may be mentioned.
  • the monovalent organic group having an alicyclic structure represented by R r is preferably a group represented by the formula (i).
  • A is an (m + 1) -valent linking group.
  • m is an integer of 1 to 3.
  • R r1 is a monovalent organic group having 3 to 20 carbon atoms having an alicyclic structure.
  • Examples of the (m + 1) -valent linking group represented by A above include: Examples of the divalent linking group include an ester group, an ether group, a carbonyl group, an amide group, an imino group, an alkanediyl group, a cycloalkanediyl group, an arylene group, and an aralkylene group. Examples of the trivalent linking group include an alkanetriyl group, a cycloalkanetriyl group, and an arenetriyl group. Examples of the tetravalent linking group include an alkanetetrayl group, a cycloalkanetetrayl group, and an arenetetrayl group.
  • Examples of the monovalent organic group having 3 to 20 carbon atoms having the alicyclic structure represented by R r1 include the examples of R r described above.
  • Examples of the cation represented by X +, sulfur, iodine, phosphorus include onium cations such as nitrogen, specifically, sulfonium cation, tetrahydrothiophenium cation, iodonium cation, phosphonium cation, diazonium cation, pyridinium And cations.
  • onium cations such as nitrogen, specifically, sulfonium cation, tetrahydrothiophenium cation, iodonium cation, phosphonium cation, diazonium cation, pyridinium And cations.
  • a sulfonium cation and a tetrahydrothiophenium cation are preferable, and a sulfonium cation is more preferable.
  • Preferable examples of the acid generator include those represented by the following formula.
  • X + is a monovalent cation.
  • the amount used when the acid generator is an acid generator is usually 0.1% with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A] from the viewpoint of ensuring sensitivity and developability as a resist. It is not less than 20 parts by mass and preferably not less than 0.5 parts by mass and not more than 15 parts by mass. In this case, if the amount of the [B] acid generator used is less than 0.1 parts by mass, the sensitivity and developability tend to decrease. On the other hand, if it exceeds 15 parts by mass, the transparency to radiation decreases, There is a tendency that it is difficult to obtain a desired resist pattern.
  • the radiation-sensitive resin composition may contain a fluorine atom-containing polymer (excluding the [A] polymer component).
  • a fluorine atom-containing polymer excluding the [A] polymer component.
  • the radiation sensitive resin composition contains a fluorine atom-containing polymer, when the resist film is formed, the distribution is near the resist film surface due to the oil-repellent characteristics of the fluorine atom-containing polymer in the film. Therefore, it is possible to prevent the acid generator, the acid diffusion control agent, and the like from being eluted into the immersion medium during immersion exposure. Further, due to the water repellency characteristics of the fluorine atom-containing polymer, the advancing contact angle between the resist film and the immersion medium can be controlled within a desired range, and the occurrence of bubble defects can be suppressed.
  • the receding contact angle between the resist film and the immersion medium becomes high, and high-speed scanning exposure is possible without leaving water droplets.
  • the said radiation sensitive resin composition contains a fluorine atom containing polymer
  • the resist film suitable for an immersion exposure method can be formed.
  • the fluorine atom-containing polymer is not particularly limited as long as it has fluorine atoms, but it is preferable that the fluorine atom content (% by mass) is higher than that of the [A] polymer component.
  • the fluorine atom content is higher than that of the polymer component, the degree of uneven distribution described above becomes higher, and characteristics such as water repellency and elution suppression of the resulting resist film are improved.
  • the fluorine atom-containing polymer is formed by polymerizing one or more monomers containing fluorine atoms in the structure.
  • the monomer containing a fluorine atom in the structure includes a monomer containing a fluorine atom in the main chain, a monomer containing a fluorine atom in the side chain, and a monomer containing a fluorine atom in the main chain and the side chain. Is mentioned.
  • Examples of monomers that give a polymer containing a fluorine atom in the main chain include ⁇ -fluoroacrylate compounds, ⁇ -trifluoromethyl acrylate compounds, ⁇ -fluoroacrylate compounds, ⁇ -trifluoromethyl acrylate compounds, ⁇ , ⁇ - Examples include a fluoroacrylate compound, an ⁇ , ⁇ -trifluoromethyl acrylate compound, a compound in which a hydrogen atom of one or more kinds of vinyl sites is substituted with a fluorine atom or a trifluoromethyl group, and the like.
  • Examples of the monomer that gives a polymer containing a fluorine atom in the side chain include those having a fluorine atom or a fluoroalkyl group or a derivative group in the side chain of an alicyclic olefin compound such as norbornene, acrylic acid or methacrylic acid. And an ester compound having a fluoroalkyl group or a derivative group thereof, one or more olefin side chains (parts not containing a double bond) having a fluorine atom or a fluoroalkyl group or a derivative group thereof.
  • Examples of the monomer that gives a polymer containing fluorine atoms in the main chain and the side chain include ⁇ -fluoroacrylic acid, ⁇ -fluoroacrylic acid, ⁇ , ⁇ -fluoroacrylic acid, ⁇ -trifluoromethylacrylic acid, Fluoroalkyl groups such as ⁇ -trifluoromethylacrylic acid and ⁇ , ⁇ -trifluoromethylacrylic acid, and ester compounds having a derivative group thereof.
  • the hydrogen atom of one or more vinyl moieties is a fluorine atom or a trifluoromethyl group
  • the substituted side chain of the compound is substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group or its derivative group.
  • the hydrogen atom bonded to the double bond of one or more alicyclic olefin compounds is a fluorine atom or trifluoromethyl. And those having a fluoroalkyl group or a derivative group thereof in the side chain.
  • this alicyclic olefin compound means the compound in which a part of ring is a double bond.
  • Examples of the structural unit possessed by the fluorine atom-containing polymer include a structural unit represented by the following formula (F1) (hereinafter also referred to as “structural unit (FI)”).
  • R 3 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
  • E is a divalent linking group.
  • R 4 is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms containing at least one fluorine atom, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, or a derivative thereof. .
  • Examples of the divalent linking group represented by E include a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an amide group, a sulfonylamide group, and a urethane group.
  • Monomers that give structural units (FI) include trifluoromethyl (meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, and perfluoroethyl (meth) acrylate.
  • the fluorine atom-containing polymer may contain only one type of structural unit (FI) or may contain two or more types.
  • the content ratio of the structural unit (FI) is usually 5 mol% or more, preferably 10 mol% or more, more preferably 15 mol% or more when all the structural units in the fluorine atom-containing polymer are 100 mol%. It is. If the content of the structural unit (FI) is less than 5 mol%, a receding contact angle of 70 degrees or more may not be achieved, or elution of an acid generator or the like from the resist film may not be suppressed.
  • the fluorine atom-containing polymer includes, for example, a structural unit having an acid dissociable group for controlling the dissolution rate in a developer, a lactone group, a cyclic carbonate group, a hydroxyl group, and a carboxyl group.
  • a structural unit having an acid dissociable group for controlling the dissolution rate in a developer a lactone group, a cyclic carbonate group, a hydroxyl group, and a carboxyl group.
  • other structural units such as a structural unit which has a group such as alicyclic structure, or a structural unit derived from an aromatic compound.
  • Examples of the other structural unit having an acid dissociable group include those similar to the structural unit having an acid dissociable group exemplified in the structural unit (I) and the structural unit (II) in the polymer component [A]. It is done.
  • Examples of the other structural unit having the lactone group and / or cyclic carbonate group include those similar to the structural unit (III) in the polymer component [A].
  • Examples of the other structural unit having a hydroxyl group include those similar to the structural unit having a hydroxyl group exemplified in the structural unit (I) and the structural unit (II) in the polymer component [A].
  • structural unit (F-II) As another structural unit having the alicyclic structure (hereinafter, also referred to as “structural unit (F-II)”), a structural unit represented by the following formula (F2) may be mentioned.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
  • G is an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms represented by G include cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, bicyclo [2.2.1] heptane, bicyclo [2.2.2] octane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . And hydrocarbon groups composed of alicyclic rings derived from cycloalkanes such as 0 2,7 ] dodecane and tricyclo [3.3.1.1 3,7 ] decane.
  • cycloalkane-derived alicyclic rings may have a substituent, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, It may be substituted with one or more linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms such as 1-methylpropyl group and t-butyl group.
  • Examples of the monomer that gives the structural unit (F-II) include (meth) acrylic acid-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl ester, (meth) acrylic acid-bicyclo [2.2.2]. ] Oct-2-yl ester, (meth) acrylic acid-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-7-yl ester, (meth) acrylic acid-tetracyclo [6.2.1.1 3 , 6 . 0 2,7 ] dodec-9-yl ester, (meth) acrylic acid-tricyclo [3.3.1.1 3,7 ] dec-1-yl ester, (meth) acrylic acid-tricyclo [3.3. 1.1,7 ] dec-2-yl ester and the like.
  • the content ratio of other structural units in the fluorine atom-containing polymer is usually 80 mol% or less, preferably 75 mol% or less, more preferably when all the structural units in the fluorine atom-containing polymer are 100 mol%. It is 70 mol% or less.
  • the Mw of the fluorine atom-containing polymer is preferably 1,000 to 50,000, more preferably 1,000 to 30,000, and particularly preferably 1,000 to 10,000.
  • Mw of the fluorine atom-containing polymer is less than 1,000, a sufficient advancing contact angle cannot be obtained.
  • Mw exceeds 50,000 the developability of the resist tends to decrease.
  • the ratio (Mw / Mn) of Mw and Mn of the fluorine atom-containing polymer is usually 1 to 3, preferably 1 to 2.
  • the content of the fluorine atom-containing polymer in the radiation-sensitive resin composition is preferably 0 to 50 parts by mass, more preferably 0 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. Is more preferably from 10 to 10 parts by weight, particularly preferably from 2 to 8 parts by weight.
  • the content of the fluorine atom-containing polymer in the radiation-sensitive resin composition is in the above range, the water repellency and elution suppression of the resist film surface obtained can be further enhanced.
  • the fluorine atom-containing polymer can be synthesized, for example, by polymerizing a monomer giving each predetermined structural unit in a suitable solvent using a radical polymerization initiator.
  • the radiation sensitive resin composition usually contains a solvent.
  • a solvent will not be specifically limited if at least said [A] polymer component, [B] acid generator, and the arbitrary component added as needed can be melt
  • the solvent include alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ether solvents, ester solvents, and mixed solvents thereof.
  • alcohol solvent examples include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, iso-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, tert-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol , Sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec -und
  • ketone solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n- Ketones such as hexyl ketone, di-iso-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonyl acetone, diacetone alcohol, acetophenone A solvent is mentioned.
  • amide solvents include N, N′-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, Examples thereof include N-methylpropionamide and N-methylpyrrolidone.
  • ester solvent examples include diethyl carbonate, propylene carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, n-propyl acetate, iso-propyl acetate, n-butyl acetate, iso-butyl acetate, sec -Butyl, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl pentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, acetoacetic acid Methyl, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate,
  • solvents examples include n-pentane, iso-pentane, n-hexane, iso-hexane, n-heptane, iso-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, iso-octane, cyclohexane, Aliphatic hydrocarbon solvents such as methylcyclohexane; Fragrances such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, iso-propylbenzene, diethylbenzene, iso-butylbenzene, triethylbenzene, di-iso-propylbenzene, n-amylnaphthalene Group hydrocarbon solvents; Halogen-containing solvents such as dichloromethane, chloroform, fr
  • ester solvents and ketone solvents are preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, and ⁇ -butyrolactone are more preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the acid diffusion controller controls the diffusion phenomenon in the resist film of the acid generated from the [B] acid generator by exposure, has the effect of suppressing undesirable chemical reactions in the non-exposed areas, and the resulting radiation sensitive resin composition
  • the storage stability of the product is further improved, the resolution of the resist is further improved, and the change in the line width of the resist pattern due to fluctuations in the holding time from exposure to development processing can be suppressed, which greatly improves process stability.
  • An excellent composition is obtained.
  • the content of the acid diffusion controller in the radiation-sensitive resin composition was incorporated as part of the polymer even in the form of a free compound (hereinafter sometimes referred to as “acid diffusion controller” as appropriate). It may be in the form or both forms.
  • Examples of the acid diffusion controller include amine compounds, amide group-containing compounds, urea compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds, and the like.
  • Examples of the amine compound include mono (cyclo) alkylamines; di (cyclo) alkylamines; tri (cyclo) alkylamines; substituted alkylanilines or derivatives thereof; ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetra Methylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4 -Aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-amino) Phenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1 4-bis (1- (4-a
  • amide group-containing compounds include Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, Examples thereof include benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, N-acetyl-1-adamantylamine, and isocyanuric acid tris (2-hydroxyethyl).
  • urea compounds include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tri-n-butylthiourea, etc. Is mentioned.
  • nitrogen-containing heterocyclic compound examples include imidazoles; pyridines; piperazines; pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, piperidine ethanol, 3-piperidino-1,2-propanediol, morpholine, 4- Methylmorpholine, 1- (4-morpholinyl) ethanol, 4-acetylmorpholine, 3- (N-morpholino) -1,2-propanediol, 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2 ] Octane etc. are mentioned.
  • a photodegradable base that is exposed to light and generates a weak acid upon exposure can also be used.
  • the photodegradable base there is an onium salt compound that is decomposed by exposure and loses acid diffusion controllability.
  • the onium salt compound include a sulfonium salt compound represented by the following formula (D1) and an iodonium salt compound represented by the following formula (D2).
  • R 6 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a hydroxyl group, or a halogen atom.
  • Z - is OH -, R D -COO - or R D -SO 3 - is.
  • RD is an anion represented by an alkyl group, an aryl group, an alkaryl group, or a following formula (D3).
  • R 11 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms may be substituted with fluorine atoms, or 1 to 12 carbon atoms. These are linear or branched alkoxyl groups. u is an integer of 0-2. )
  • the content of the acid diffusion controller is preferably less than 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the total amount used exceeds 5 parts by mass, the sensitivity as a resist tends to decrease.
  • An alicyclic skeleton compound is a component that exhibits an action of further improving dry etching resistance, pattern shape, adhesion to a substrate, and the like.
  • Examples of the alicyclic skeleton compound include adamantane derivatives such as 1-adamantanecarboxylic acid, 2-adamantanone, and 1-adamantanecarboxylic acid t-butyl; deoxycholic acid t-butyl, deoxycholic acid t-butoxycarbonylmethyl, Deoxycholic acid esters such as 2-ethoxyethyl deoxycholate; Lithocholic acid esters such as tert-butyl lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, 2-ethoxyethyl lithocholic acid; 3- [2-hydroxy-2 , 2-Bis (trifluoromethyl) ethyl] tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane
  • Surfactants are components that have the effect of improving coatability, striation, developability, and the like.
  • examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol diacrylate.
  • nonionic surfactants such as stearate
  • the following trade names are KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no.
  • the sensitizer absorbs radiation energy and transmits the energy to the [A] acid generator, thereby increasing the amount of acid produced. It has the effect of improving the “apparent sensitivity”.
  • the sensitizer include carbazoles, acetophenones, benzophenones, naphthalenes, phenols, biacetyl, eosin, rose bengal, pyrenes, anthracenes, phenothiazines and the like.
  • the said radiation sensitive resin composition can be prepared by mixing a [A] polymer component, a [B] acid generator, and arbitrary components in a predetermined ratio, for example in an organic solvent. Moreover, the said radiation sensitive resin composition can be prepared and used in the state melt
  • the organic solvent is exemplified as the above-mentioned solvent, and is not particularly limited as long as the [A] polymer component, the [B] acid generator, and the optional component can be dissolved or dispersed.
  • the radiation-sensitive resin composition is usually prepared by dissolving in a solvent and then filtering with a filter having a pore size of about 0.2 ⁇ m, for example.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention is A radiation-sensitive resin composition for a resist pattern forming method using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more, [A] a polymer component containing a polymer having an acid-dissociable group, and [B] a radiation-sensitive acid generator, [A]
  • the polymer component contains the structural unit (I) having a hydrocarbon group (a1) and the structural unit (II) having a hydrocarbon group (a2) in the same or different polymers,
  • the hydrocarbon group (a1) is an optionally substituted branched group having 8 or less carbon atoms or an optionally substituted monocyclic aliphatic cyclic group having 3 to 8 carbon atoms,
  • the hydrocarbon group (a2) has an adamantane skeleton;
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) is less than 1, and the content ratio of the structural unit having a hydroxyl group in the polymer component [A] is less than 5
  • the radiation-sensitive resin composition in a resist pattern forming method using a developer having an organic solvent of 80% by mass or more, suppression of film thickness reduction of the resist film and high etching resistance are combined, and CDU or the like is used. A resist pattern having excellent lithography characteristics can be obtained. Since the radiation sensitive resin composition is described in the description of the resist pattern forming method, the description is omitted here.
  • Mw and Mn of the polymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) using Tosoh's GPC columns ("G2000HXL”, “G3000HXL”, “G4000HXL”) under the following conditions. did.
  • Eluent Tetrahydrofuran (Wako Pure Chemical Industries)
  • Flow rate 1.0 mL / min
  • Sample concentration 1.0% by mass
  • Sample injection volume 100 ⁇ L
  • Detector Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
  • This polymer (A-1) had an Mw of 9,830, an Mw / Mn of 1.47, and a fluorine atom content of 0.0%.
  • the polymer (A-1) was found to have a structural unit derived from the compound (M-1): a structural unit derived from the compound (M-10): a structure derived from the compound (M-16).
  • the copolymer had a unit content ratio of 33.0: 12.9: 54.1 (mol%).
  • the molar ratio of the hydrocarbon group (a2) to the hydrocarbon group (a1) in the polymer (A-1) was 0.391.
  • the polymerization solution was cooled with water and cooled to 30 ° C. or lower. After the reaction solution was transferred to a 1 L separatory funnel, the polymerization solution was uniformly diluted with 200 g of n-hexane, and 800 g of methanol was added and mixed. Next, 20 g of distilled water was added, and the mixture was further stirred and allowed to stand for 30 minutes. Thereafter, the lower layer was recovered to obtain a polymer (C-1) as a propylene glycol monomethyl ether solution (yield 60%). This polymer (C-1) had Mw of 6,000 and Mw / Mn of 1.45.
  • the polymer (C-1) was found to have a content ratio of the structural unit derived from the compound (M-2) to the structural unit derived from the compound (M-18) of 69:31 (mol%). ).
  • B-1 Triphenylsulfonium 6-adamantylcarbonyloxy-1,1,2,2-tetrafluorohexanesulfonate (compound represented by the following formula (B-1))
  • B-2 Triphenylsulfonium 2-adamantyl-1,1-difluoroethanesulfonate (compound represented by the following formula (B-2))
  • D-1 t-pentyl 4-hydroxypyridine-N-carboxylate (compound represented by the following formula (D-1))
  • D-2 Triphenylsulfonium salicylate (compound represented by the following formula (D-2))
  • D-3 Triphenylsulfonium camphorsulfonate (compound represented by the following formula (D-3))
  • Example 1 100 parts by weight of polymer (A-1), 3 parts by weight of polymer (C-1), 11 parts by weight of acid generator (B-1), 4.5 parts by weight of acid diffusion controller (D-1), and The solvent (E-1) 1,620 parts by mass, (E-2) 700 parts by mass and (E-3) 30 parts by mass were mixed, and the resulting mixed solution was filtered through a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m.
  • a radiation resin composition (J-1) was prepared.
  • Examples 2 to 13 and Synthesis Examples 21 to 28 A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of each component shown in Table 3 were used.
  • NSR-S610C ArF excimer laser immersion exposure apparatus
  • PEB post-exposure baking
  • Example 14 In Example 14, except that each radiation sensitive resin composition prepared in the above Examples and Comparative Examples was used, and the PEB temperature was changed to the temperature described in Table 4, the same operation as in Example 14 was performed, and a resist pattern was obtained. Formed.
  • the entire surface of the wafer was exposed with an optimal exposure amount (Eop) (unit: mJ / cm 2 ) for forming a hole pattern.
  • Eop optimal exposure amount
  • PEB was performed at the temperature shown in Table 4 for 60 seconds.
  • development was performed with butyl acetate at 23 ° C. for 30 seconds, rinse treatment with 4-methyl-2-pentanol was performed for 10 seconds, and then drying was performed.
  • the film thickness of the remaining film after completion of the series of processes was measured, and the value obtained by subtracting the remaining film thickness from the initial film thickness was defined as the amount of film reduction (unit: nm).
  • the optical interference type film thickness measuring apparatus (“Lambda Ace”, manufactured by Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd.) was used for the film thickness measurement.
  • the case where the measured film loss was less than 20 nm was evaluated as “A”, and the case where it was 20 nm or more was evaluated as “B”.
  • Table 4 below shows the value of the obtained film loss and the evaluation.
  • CDU Crohn's Disease
  • a total of 30 hole patterns with a diameter of 55 nm formed by the above Eop were measured, and the average deviation of the total 30 measured values was calculated and multiplied by 3.
  • the case where the value of CDU was less than 2.5 was evaluated as “A”, the case of 2.5 or more and less than 3.0 was evaluated as “B”, and the case of 3.0 or more was evaluated as “C”.
  • the obtained CDU values and evaluation are shown in Table 4 below.
  • MEEF Mask Error Enhancement Factor
  • An organic antireflection film-forming agent (ARC66, manufactured by Nissan Chemical Industries) was applied to the wafer surface to form an organic antireflection film having a film thickness of 105 nm.
  • the radiation sensitive resin compositions of the above examples and synthesis examples were applied to the surface of the substrate by spin coating using a clean track (ACT12, manufactured by Tokyo Electron), and on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds. Soft baking was performed to form a resist film having a thickness of 0.10 ⁇ m.
  • the wafer surface was exposed with an exposure amount 3 times the optimum exposure amount (Eop) for forming a hole pattern with a diameter of 55 nm on the resist film on the substrate.
  • etching rate of the resist film was measured using an etching system (Telius, manufactured by Tokyo Electron) under the following etching conditions.
  • CF 4 gas flow rate 150sccm Chamber pressure: 100 mTorr Power: 300W (upper) / 300W (bottom) Time: 20sec
  • the resist pattern forming method of the present invention it is possible to combine the suppression of the film thickness reduction of the resist film and the high etching resistance, and the lithography characteristics of CDU, MEEF, and resolution. A resist pattern with excellent resistance can be obtained.
  • the resist pattern formation method which combines the suppression of the film loss of a resist film and high etching tolerance, and is excellent in lithography characteristics, such as CDU, and the radiation sensitive resin composition optimal for this resist pattern formation method Can be provided.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

　本発明は、（１）感放射線性樹脂組成物を用いるレジスト被膜形成工程、（２）露光工程、及び（３）有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とする。

Description

レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
　本発明は、レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物に関する。
　半導体デバイス、液晶デバイス等の各種電子デバイス構造の微細化に伴って、リソグラフィー工程におけるレジストパターンの微細化が要求され、短波長の放射線であるＡｒＦエキシマレーザーを用いて線幅９０ｎｍ程度の微細なレジストパターンを形成することが検討されている。かかる短波長の放射線に対応できる種々のレジスト用組成物が検討されており、これらのレジスト用組成物としては放射線の照射（露光）によって露光部に酸を生成させ、この酸の触媒作用により露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度に差を生じさせ、基板上にレジストパターンを形成させる感放射線性樹脂組成物が知られている。
　一方、かかる感放射線性樹脂組成物の特徴を利用し、かつ既存の装置を用いて工程を増やすことなく解像力を高める技術として、現像液にアルカリ水溶液よりも極性の低い有機溶媒を用いる技術が知られている（特開２０００－１９９９５３号公報参照）。このように、有機溶媒を用いた場合、光学コントラストを高くすることができ、その結果、微細パターンを形成するができる。
　かかる有機溶媒を現像液として用いるレジストパターン形成方法において、従来の感放射線性樹脂組成物を用いた場合、現像液に有機溶媒を用いることに起因して、露光部表面においてレジストパターン形成後の膜減りが起こり得る。一方、露光部においては炭素含有率が低下するため、エッチング耐性が低くなるという不都合もある。この膜減りの抑制と高いエッチング耐性との併立は困難であるとされている。また、膜減りが起こると、これが影響するためか、ＣＤＵ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ　Ｅｒｒｏｒ　Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ　Ｆａｃｔｏｒ）、微細領域における解像性等のリソグラフィー特性を高めることが難しくなっており、これらを向上させることができる感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法が望まれている。
特開２０００－１９９９５３号公報
　本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、有機溶媒を用いる現像により微細パターンの形成を可能としつつ、レジスト被膜のパターン形成後の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつ、ＣＤＵ、ＭＥＥＦ、解像性等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターン形成方法、及びこのレジストパターン形成方法に最適な感放射線性樹脂組成物を提供することである。
　上記課題を解決するためになされた発明は、
　（１）感放射線性樹脂組成物を用いるレジスト被膜形成工程、
　（２）露光工程、及び
　（３）有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いる現像工程
を有するレジストパターン形成方法であって、
　上記感放射線性樹脂組成物が、
　［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分（以下、「［Ａ］重合体成分」ともいう）、及び
　［Ｂ］感放射線性酸発生体（以下、「［Ｂ］酸発生体」ともいう）
を含有し、
　［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とする。
　本発明のレジストパターン形成方法において、露光部では、感放射線性樹脂組成物中の［Ｂ］酸発生体から発生した酸の作用により、［Ａ］重合体成分の極性が増大し、有機溶媒を所定割合以上含有する現像液に難溶となることで、ネガ型のレジストパターンが得られる。当該レジストパターン形成方法においては、この［Ａ］重合体成分として、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい炭素数３～８の単環の脂肪族環式基である炭化水素基（ａ１）と、アダマンタン骨格を有する炭化水素基（ａ２）とを含み、この炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満、すなわち、炭化水素基（ａ１）より炭化水素基（ａ２）の数が少なく、かつ水酸基を有する構造単位の含有割合が上記値未満であるものを用いることで、得られるレジスト被膜のパターン形成後の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつ、ＣＤＵ、ＭＥＥＦ、解像性等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを得ることができる。
　当該レジストパターン形成方法において、上記構成とすることで、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性を併立できる理由については必ずしも明らかではないが、例えば、［Ａ］重合体成分における比較的嵩高さの小さい上記炭化水素基（ａ１）と比較的嵩高いアダマンタン骨格を有する炭化水素基（ａ２）の含有比を上記特定範囲に設定することで、エッチング耐性と高い相関を有する炭素含有率の高さを保ちつつ酸解離性基の脱離によるレジスト被膜の体積収縮を抑制可能であること等が考えられる。加えて、水酸基を有する構造単位を上記範囲未満に抑えることで、膜減りの原因と考えられる水酸基と露光部で生成したカルボキシル基等との相互作用等を低減させていることも理由の一つと考えられる。また、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性の向上の理由についても、上記膜減りを抑制したことに加え、水酸基の含有割合を所定値未満に抑えることで、露光部と未露光部との溶解コントラストがより増大したこと等が考えられる。
　上記構造単位（Ｉ）は下記式（１）で表され、かつ構造単位（ＩＩ）は下記式（２）で表されることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（１）及び（２）中、Ｒ及びＲ’は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ１は、１価の炭化水素基（ａ１）である。Ｒ２は、１価の炭化水素基（ａ２）である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基及びスルホンアミド基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい。）
　上記［Ａ］重合体成分における構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）をそれぞれ上記特定の構造とすることで、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を与える単量体から［Ａ］重合体成分を簡便に合成することができ、上記の炭化水素（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比を詳細に調整することができる。その結果、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性の改良を容易に実施することが可能となる。
　上記［Ａ］重合体成分における上記式（１）のＲ１は、酸解離性基であることが好ましい。［Ａ］重合体成分において相対的に含有割合が高いＲ１を酸解離性基とすることで、パターン形成性を向上することができる。また、脱離したＲ１は比較的小さいので、露光工程後のポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）等によって蒸散し、レジスト被膜中に残存しにくいことから、得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性をさらに向上させることができる。
　上記［Ａ］重合体成分における上記式（２）のＲ２は、下記式（２－１）～（２－４）でそれぞれ表される基及び酸解離性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（２－１）～（２－４）中、
　Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ３は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基又はスルホンアミド基である。Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立して、メチレン基又は炭素数２～１０のアルキレン基である。Ｒａ３は、単結合、メチレン基又は炭素数２～１０のアルキレン基である。ｑ１は、１～６の整数である。ｑ２及びｑ３は、それぞれ独立して、１～１５の整数である。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１がそれぞれ複数の場合、複数のＲｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、＊は上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。）
　上記式（２－１）～（２－４）は、カルボニル基、ヒドロキシル基、シアノ基又はスルホンアミド基を有する非酸解離性のアダマンタン骨格含有基である。上記Ｒ２を上記特定構造を有する基とすることで、疎水性の高い露光部表面が有機溶媒を含有する現像液に溶解して起こる膜減りをさらに抑制することができる。上記Ｒ２を酸解離性基とした場合も、脱離したＲ２はＰＥＢ等の際にも蒸散しにくくレジスト被膜中に留まるため、上記同様の効果が得られる。
　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比は、０．１以上０．９以下であることが好ましい。炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比を上記特定範囲に制御することで、レジスト被膜の膜減り抑制とエッチング耐性とをより高いレベルで併立させることができる。
　炭化水素基（ａ２）は、ヒドロキシル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有することが好ましい。炭化水素基（ａ２）を上記特定の基を有する基とすることで、得られるレジストパターンのＭＥＥＦ特性が向上する。
　［Ａ］重合体成分は、ラクトン基及び環状カーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する構造単位をさらに含むことが好ましい。［Ａ］重合体成分が上記特定基を有する構造単位をさらに含むことで、得られるレジスト被膜と基板との密着性等、レジスト基本特性をより向上できる。
　炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）における酸解離性基の割合は、５０モル％以上であることが好ましい。炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）における酸解離性基の割合を５０モル％以上とすることで、パターン形成性を向上させ、その結果、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性をさらに向上させることができる。
　［Ｂ］感放射線性酸発生体は、下記式（Ｂ－１）で表されることが好ましく、下記式（Ｂ－１）におけるＲｒが、下記式（ｉ）で表されることがさらに好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式（Ｂ－１）中、Ｒｆ１及びＲｆ２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数１～４のフッ素化アルキル基である。ｎは、１～３の整数である。但し、スルホネート基のα位の炭素に結合するＲｆ１及びＲｆ２の両方が水素原子である場合はない。Ｒｆ１及びＲｆ２がそれぞれ複数の場合、複数のＲｆ１及びＲｆ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｒは、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。Ｘ＋は、１価のカチオンである。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式（ｉ）中、Ａは、（ｍ＋１）価の連結基である。ｍは、１～３の整数である。Ｒｒ１は、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。）
　［Ｂ］感放射線性酸発生体は、［Ａ］重合体成分と同様に脂環式構造を有することで、相溶性が高まり分散性が向上すると共に、レジスト被膜中における拡散が適度に制御される。その結果、得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性がさらに高まる。
　本発明の感放射線性樹脂組成物は、
　有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び
　［Ｂ］感放射線性酸発生体
を含有し、
　［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とする。
　当該感放射線性樹脂組成物を有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成方法に用いることにより、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつＣＤＵ等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを得ることができる。
　ここで、「分岐鎖状基」とは、分岐構造を有する鎖状の基であって、脂肪族環、芳香族環等の環状構造を有さない基をいう。また、「単環の脂肪族環式基」とは、単環の脂肪族環状炭化水素から炭素環を構成する炭素原子に結合する１個以上の水素原子を除いた基をいう。
　本発明のレジストパターン形成方法及びこの方法に好適な感放射線性樹脂組成物によれば、有機溶媒を用いる現像により微細パターンの形成を可能としつつ、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつＣＤＵ、ＭＥＥＦ、解像性等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成できる。
＜レジストパターン形成方法＞
　本発明は、（１）感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト被膜形成工程（以下、「（１）工程」ともいう）、（２）露光工程（以下、「（２）工程」ともいう）、及び（３）有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いる現像工程（以下、「（３）工程」ともいう）を有するレジストパターンの形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］重合体成分及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。以下、各工程を詳述する。
［（１）工程］
　本工程では、本発明に用いられる組成物を基板上に塗布し、レジスト被膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平６－１２４５２号公報や特開昭５９－９３４４８号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。
　塗布方法としては、例えば回転塗布（スピンコーティング）、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト被膜の膜厚としては、通常０．０１μｍ～１μｍであり、０．０１μｍ～０．５μｍが好ましい。
　当該感放射線性樹脂組成物を塗布した後、必要に応じてプレベーク（ＰＢ）によって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。ＰＢの加熱条件としては、当該感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常３０℃～２００℃程度であり、５０℃～１５０℃が好ましい。
　環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平５－１８８５９８号公報等に開示されている保護膜をレジスト層上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開２００５－３５２３８４号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト層上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。
［（２）工程］
　本工程では、（１）工程で形成したレジスト被膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって２回以上行ってもよい。２回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第１の縮小投影露光を行い、続けて第１の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第２の縮小投影露光を行う。第１の露光部と第２の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）である場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤は、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。
　露光に使用される放射線としては、［Ｂ］酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ＡｒＦエキシマレーザーやＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）に代表される遠紫外線が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、当該感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のレジストパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、１回目の露光にはＡｒＦエキシマレーザー光を用いることが好ましい。
　また、露光後にポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行なうことが好ましい。ＰＥＢを行なうことにより、当該感放射線性樹脂組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。ＰＥＢの加熱条件としては、通常３０℃～２００℃であり、５０℃～１７０℃が好ましい。
［（３）工程］
　本工程では、（２）工程の露光後に、有機溶媒が８０質量％以上のネガ型現像液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する。ネガ型現像液とは低露光部及び未露光部を選択的に溶解・除去させる現像液のことである。ネガ型現像液に含有される有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　アルコール系溶媒としては、例えば
　メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉｓｏ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉｓｏ－ペンタノール、２－メチルブタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ペンタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－エチルブタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、３－ヘプタノール、ｎ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｓｅｃ－オクタノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチル－４－ヘプタノール、ｎ－デカノール、ｓｅｃ－ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ－テトラデシルアルコール、ｓｅｃ－ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒；
　エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、２，４－ペンタンジオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２，５－ヘキサンジオール、２，４－ヘプタンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒；
　エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、メトキシベンゼン等が挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。
　アミド系溶媒としては、例えばＮ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン等が挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｉｓｏ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸ｉｓｏ－ブチル、酢酸ｓｅｃ－ブチル、酢酸ｎ－ペンチル、酢酸ｓｅｃ－ペンチル、酢酸３－メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ－ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ－アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ－ｎ－ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル、乳酸ｎ－アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。
　炭化水素系溶媒としては、例えば
　ｎ－ペンタン、ｉｓｏ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｉｓｏ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｉｓｏ－ヘプタン、２，２，４－トリメチルペンタン、ｎ－オクタン、ｉｓｏ－オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；
　ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ－プロピルベンゼン、ｉｓｏ－プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｉｓｏ－ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ－ｉｓｏ－プロピルベンセン、ｎ－アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
　これらのうち、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－アミルケトンが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
　現像液中の有機溶媒の含有量は８０質量％以上である。現像液中の有機溶媒の含有量を８０質量％以上とすることにより、露光の有無によるパターンのコントラストを向上させることができ、その結果、現像特性及びリソグラフィー特性に優れたレジストパターンを形成することができる。なお、有機溶媒以外の成分としては、例えば、水、シリコンオイル等が挙げられる。
　現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
　現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。
　当該レジストパターン形成では、（３）工程の現像後にレジスト被膜をリンス液により洗浄することが好ましい。また、リンス工程におけるリンス液としても有機溶媒を使用することができ、発生したスカムを効率よく洗浄することができる。リンス液としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が好ましい。これらのうちアルコール系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、炭素数６～８の１価のアルコール系溶媒がより好ましい。炭素数６～８の１価のアルコールとしては直鎖状、分岐状又は環状の１価のアルコールが挙げられ、例えば１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、４－メチル－２－ペンタノール、２－ヘキサノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのうち、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、２－ヘプタノール、４－メチル－２－ペンタノールが好ましい。
　上記リンス液の各成分は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、さらにより好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。含水率を１０質量％以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。なお、リンス液には後述する界面活性剤を添加できる。
　洗浄処理の方法としては、例えば一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。
＜感放射線性樹脂組成物＞
　本発明のレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］重合体成分及び［Ｂ］酸発生体を含有する。さらに、本発明の効果を損なわない限り、任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。
＜［Ａ］重合体成分＞
　［Ａ］重合体成分は、酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分である。［Ａ］重合体成分を構成する１種類の重合体からなってもよく、複数種の重合体からなっていてもよい。［Ａ］重合体成分の酸解離性基の含有形態としては特に限定されず、酸解離性基を有する重合体のみからなっていてもよく、酸解離性基を有する重合体と酸解離性基を有しない重合体とからなっていてもよい。酸解離性基とは、カルボキシル基、水酸基等の水素原子を置換する基であって、露光により［Ｂ］酸発生体から発生する酸の作用により解離する基を意味する。
　［Ａ］重合体成分は、
　同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
　水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満である。
　当該感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］重合体成分が上記特有の構造を有することで、レジスト被膜の膜減りと高いエッチング耐性とを併立させることができる。また、［Ａ］重合体成分を含有する当該感放射線性樹脂組成物と特徴的な当該レジストパターン形成方法との組み合わせによって、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができる。
　［Ａ］重合体成分における構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）の含有形態としては特に限定されず、［Ａ］重合体成分が構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）の両方を有する重合体からなっていてもよく、構造単位（Ｉ）を有する重合体と構造単位（ＩＩ）を有する重合体とからなっていてもよい。
［構造単位（Ｉ）］
　構造単位（Ｉ）は、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基である炭化水素基（ａ１）を有する構造単位である。炭化水素基（ａ１）の価数は特に限定されない。炭化水素基（ａ１）としては、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基である限り、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、単環のシクロアルキル基、これらの水素原子の一部又は全部が置換された基等の１価の基であっても、アルカンジイル基、アルカントリイル基、シクロアルカンジイル基、シクロアルカントリイル基、これらの水素原子の一部又は全部が置換された基等の２価以上の基であってもよいが、［Ａ］重合体成分の重合体の剛直性が適度に低減される結果、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性が向上する観点から、１価が好ましい。構造単位（Ｉ）中の炭化水素基（ａ１）の数は特に限定されず、１個でも複数個でもよいが、１個が好ましい。構造単位（Ｉ）は、炭化水素基（ａ１）を１種、又は２種以上有していてもよい。上記置換基としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、スルホンアミド基等の極性基、アルキル基、上記極性基を有するアルキル基等が挙げられる。
　構造単位（Ｉ）としては、上記式（１）で表される構造単位が好ましい。
　上記式（１）において、Ｒは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ１は、１価の炭化水素基（ａ１）である。Ｒ１は、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基及びスルホンアミド基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基（極性基）を有していてもよい。
　上記式（１）で表される構造単位（Ｉ）は１価の炭化水素基（ａ１）を有しており、それにより［Ａ］重合体成分の重合体の剛直性が適度に低減され、その結果、得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性が向上する。また、このような構造単位（Ｉ）を与える単量体は、簡便に合成することができ、かつ、この単量体を用いて、構造単位（Ｉ）の含有割合を高度に制御して［Ａ］重合体成分を合成することができる。
　炭化水素基（ａ１）は、極性基を有していても、極性基を有していなくてもよい。
　上記Ｒ１で表される１価の炭化水素基（ａ１）で、かつ極性基を有していないものとしては、例えば、
　炭素数８以下の分岐鎖状基として、
　メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｉ－ペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔ－ペンチル基、ｎｅｏ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－ヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔ－ヘキシル基、ｎｅｏ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｉ－ヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔ－ヘプチル基、ｎｅｏ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｉ－オクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔ－オクチル基、ｎｅｏ－オクチル基等が挙げられ、
　環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基として、シクロプロピル基、１－メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、１－メチルシクロブチル基、１－エチルシクロブチル基、シクロペンチル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－ｎ－プロピルシクロペンチル基、１－ｉ－プロピルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１－ｎ－プロピルシクロヘキシル基、１－ｉ－プロピルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、１－メチルシクロヘプチル基、１－エチルシクロヘプチル基、１－ｎ－プロピルシクロヘプチル基、１－ｉ－プロピルシクロヘプチル基、シクロオクチル基、１－メチルシクロオクチル基、１－エチルシクロオクチル基、１－ｎ－プロピルシクロオクチル基、１－ｉ－プロピルシクロオクチル基等が挙げられる。
　上記Ｒ１で表される炭化水素基（ａ１）で、かつ極性基を有しているものの例としては、例えば、上記極性基を有していない炭化水素基（ａ１）の水素原子の一部又は全部が上記極性基で置換された基を挙げることができる。
　上記Ｒ１で表される１価の炭化水素基（ａ１）は、酸解離性基であっても、酸解離性基でなくてもよいが、酸解離性基であることが好ましい。［Ａ］重合体成分において相対的に含有割合が高いＲ１が酸解離性基であることでパターン形成性を向上させることができる。また、脱離したＲ１は比較的小さいので、露光工程後のＰＥＢ等によって蒸散する。その結果、得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性を向上させることができる。
　酸解離性基である上記Ｒ１で表される１価の炭化水素基（ａ１）としては、例えば、ｔ－ブチル基、ｔ－ペンチル基、ｔ－ヘキシル基、ｔ－ヘプチル基、ｔ－オクチル基、１－メチルシクロプロピル基、１－メチルシクロブチル基、１－エチルシクロブチル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－ｎ－プロピルシクロペンチル基、１－ｉ－プロピルシクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１－ｎ－プロピルシクロヘキシル基、１－ｉ－プロピルシクロヘキシル基、１－メチルシクロヘプチル基、１－エチルシクロヘプチル基、１－ｎ－プロピルシクロヘプチル基、１－ｉ－プロピルシクロヘプチル基、１－メチルシクロオクチル基、１－エチルシクロオクチル基、１－ｎ－プロピルシクロオクチル基、１－ｉ－プロピルシクロオクチル基等が挙げられる。
　上記構造単位（Ｉ）としては、極性基を有していない炭化水素基（ａ１）を含むものとして、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式中、Ｒは、上記式（１）と同義である。
　極性基を有する炭化水素基（ａ１）を含む構造単位（Ｉ）としては、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　上記式中、Ｒは、上記式（１）と同義である。
［構造単位（ＩＩ）］
　構造単位（ＩＩ）は、アダマンタン骨格を有する炭化水素基（ａ２）を含む構造単位である。炭化水素基（ａ２）が嵩高いアダマンタン骨格を有することで、得られるレジスト被膜のエッチング耐性を高めることができる。炭化水素基（ａ２）の価数は特に限定されない。炭化水素基（ａ２）としては、アダマンタン骨格を有する限り、アダマンチル基等の１価の基であっても、アダマンタンジイル基、アダマンタントリイル基等の２価以上の基であってもよいが、［Ａ］重合体成分の重合体が適度に低減される結果、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性が向上する観点から、１価が好ましい。構造単位（ＩＩ）中の炭化水素基（ａ２）の数は特に限定されず１個でも複数個でもよいが、１個が好ましい。構造単位（ＩＩ）は、炭化水素基（ａ２）を１種、又は２種以上有していてもよい。また、炭化水素基（ａ２）は、その水素原子の一部又は全部が、上記極性基、アルキル基、脂環式炭化水素基、これらを組み合わせた基等で置換されていてもよい。
　構造単位（ＩＩ）としては、上記式（２）で表される構造単位が好ましい。
　上記式（２）において、Ｒは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ２は、１価の炭化水素基（ａ２）である。Ｒ２は、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基及びスルホンアミド基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基（極性基）を有していてもよい。
　上記式（２）で表される構造単位（ＩＩ）は１価の炭化水素基（ａ２）を有しており、それにより［Ａ］重合体成分の重合体の剛直性が適度に低減され、その結果、得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性が向上する。また、このような構造単位（ＩＩ）を与える単量体は、簡便に合成することができ、かつ、この単量体を用いて、構造単位（ＩＩ）の含有割合を高度に制御して［Ａ］重合体成分を合成することができる。
　炭化水素基（ａ２）は、上記極性基を有していても、極性基を有していなくてもよい。
　上記Ｒ２で表される１価の炭化水素基（ａ２）で、極性基を有していないものとしては、例えば、
　１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、２－ｎ－プロピル－２－アダマンチル基、２－ｉ－プロピル－２－アダマンチル基１－アダマンチル－２－プロピル基、２－アダマンチル－２－プロピル基等が挙げられる。
　極性基を有する炭化水素基（ａ２）の例としては、例えば、上記Ｒ２で表される１価の炭化水素基（ａ２）の水素原子の一部又は全部を極性基で置換した基が挙げられる。
　上記Ｒ２で表される１価の炭化水素基（ａ２）は、酸解離性基であっても、酸解離性基でなくてもよい。
　酸解離性基である上記Ｒ２で表される１価の炭化水素基（ａ２）としては、例えば、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、２－ｎ－プロピル－２－アダマンチル基、２－ｉ－プロピル－２－アダマンチル基１－アダマンチル－２－プロピル基、２－アダマンチル－２－プロピル基等が挙げられる。
　上記炭化水素基（ａ２）としては、上記極性基を有するものを用いることが好ましい。炭化水素基（ａ２）が上記極性基を有することで、アダマンタン骨格に主に起因すると考えられる膜減りを効果的に抑制することができる。上記極性基としては、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基及びスルホンアミド基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基であるが、この中でも、ＭＥＥＦ特性が向上する観点から、ヒドロキシル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基がより好ましい。
　極性基を有する炭化水素基（ａ２）としては、上記式（２－１）～（２－４）でそれぞれ表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基が好ましい。
　上記式（２－１）～（２－４）において、
　Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ３は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基又はスルホンアミド基である。Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立して、メチレン基又は炭素数２～１０のアルキレン基である。Ｒａ３は、単結合又はメチレン基である。ｑ１は、１～６の整数である。ｑ２及びｑ３は、それぞれ独立して、１～１５の整数である。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１がそれぞれ複数の場合、複数のＲｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、＊は上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。
　上記Ｒａ１及びＲａ２で表される炭素数２～１０のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、１，２－プロピレン基、１，３－プロピレン基、１，２－ブチレン基、１，３－ブチレン基、１，４－ブチレン基、１，５－ペンチレン基、１，６－へキシレン基、１，７－へプチレン基、１，８－オクチレン基、１，９－ノニレン基、１，１０－デシレン基等が挙げられる。
　上記式（２－１）で表される基の具体例としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　上記式中、＊は、上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。
　上記式（２－２）で表される基の具体例としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　上記式中、＊は、上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。
　上記式（２－３）で表される基の具体例としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記式中、＊は、上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。
　上記式（２－４）で表される基の具体例としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記式中、＊は、上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。
　構造単位（ＩＩ）としては、極性基を有していない炭化水素基（ａ２）を含むものとして、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　上記式中、Ｒ’は、上記式（２）と同義である。
　また、極性基を有する炭化水素基（ａ２）を含む構造単位（ＩＩ）としては、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　上記式中、Ｒ’は、上記式（２）と同義である。
＜炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）の関係＞
　［Ａ］重合体成分において、上記炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比は、１未満であることを要する。上記炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であることで、露光部における［Ａ］重合体成分の溶解性の抑制と炭素含有率の高さをバランスさせることができると考えられ、その結果、得られるレジスト被膜のパターン形成後の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立させることができる。加えて、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを得ることができる。
　上記炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比としては、０．１以上０．９以下であることが好ましく、０．１５以上０．８５以下がより好ましく、０．２以上０．８以下がさらに好ましく、０．３以上０．７以下が特に好ましい。上記モル比を上記範囲に設定することで、レジスト被膜の膜減り抑制とエッチング耐性とをより高いレベルで併立させることができる。
　上記炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）における酸解離性基の割合としては、５０モル％以上であることが好ましい。上記炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）における酸解離性基の割合を５０モル％以上とすることで、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性をさらに向上させることができる。上記酸解離性基の割合が５０モル％未満であると、パターン形成性が低下する傾向にある。上記酸解離性基の割合は、６０モル％以上がより好ましく、７０モル％以上がさらに好ましい。
　［Ａ］重合体成分における構造単位（Ｉ）の含有割合としては、［Ａ］重合体成分を構成する全構造単位に対して２０モル％～８０モル％以上が好ましく、２５モル％～７０モル％がより好ましく、３０モル％～６０モル％がさらに好ましい。構造単位（Ｉ）の含有割合が２０モル％未満であると、パターン形成性が低下するおそれがある。一方、構造単位（Ｉ）の含有割合が８０モル％を超えると、エッチング耐性が低下する傾向にある。なお、［Ａ］重合体成分は、構造単位（Ｉ）を１種、又は２種以上有していてもよい。
　［Ａ］重合体成分における構造単位（ＩＩ）の含有割合としては、［Ａ］重合体成分を構成する全構造単位に対して５モル％～４０モル％以下が好ましく、５モル％～３５モル％がより好ましく、１０モル％～３０モル％がさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）の含有割合が５モル％未満であると、エッチング耐性が低下する傾向にある。一方、構造単位（ＩＩ）の含有割合が４０モル％を超えると、解像性が低下する傾向にある。なお、［Ａ］重合体成分は、構造単位（ＩＩ）を１種、又は２種以上有していてもよい。
［構造単位（ＩＩＩ）］
　［Ａ］重合体成分は、ラクトン基及び環状カーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する構造単位（以下、「構造単位（ＩＩＩ）」ともいう）をさらに有することが好ましい。［Ａ］重合体成分が、ラクトン基及び／又は環状カーボネート基を有する構造単位をさらに含むことで、レジスト被膜と基板との密着性等、レジスト基本特性をより向上させることができる。また、レジスト被膜の現像液への可溶性を高めることができる。ここで、ラクトン基とは、－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－で表される結合を含むひとつの環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。また、環状カーボネート基とは、－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－で表される結合を含むひとつの環（環状カーボネート環）を含有する環式基を示す。ラクトン環又は環状カーボネート環を１つめの環として数え、ラクトン環又は環状カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
　上記ラクトン基を有する構造単位としては、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　上記式中、ＲＬ１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
　上記環状カーボネート基を有する構造単位としては、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　上記式中、ＲＬ１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
　［Ａ］重合体成分における構造単位（ＩＩＩ）の含有割合としては、［Ａ］重合体成分を構成する全構造単位に対して１０モル％～８０モル％が好ましく、２０モル％～７０モル％がより好ましく、２５モル％～６０モル％がさらに好ましい。構造単位（ＩＩＩ）の含有割合が１０モル％未満であると、レジスト被膜と基板との密着性等を向上できないおそれがある。一方、構造単位（ＩＩＩ）の含有割合が８０モル％を超えるとパターン形成性が低下するおそれがある。なお、［Ａ］重合体成分は構造単位（ＩＩＩ）を１種、又は２種以上有していてもよい。
［その他の構造単位］
　［Ａ］重合体成分は、上記構造単位（Ｉ）～（ＩＩＩ）以外にも、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）に該当しない水酸基を有する構造単位等のその他の構造単位をさらに有していてもよい。
＜水酸基を有する構造単位の含有割合＞
　本発明において、［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合としては、［Ａ］重合体成分を構成する全構造単位に対して５モル％未満であることを要する。［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることで、上述した炭化水素基（ａ１）と炭化水素基（ａ２）との含有比が所定値未満であることとの相乗効果により、得られるレジスト被膜のパターン形成後の膜減りの抑制と、高いエッチング耐性との併立を可能にする。また、膜減りを抑制することに加えて、［Ａ］重合体成分の酸解離性基の解離前後での［Ａ］重合体成分の極性変化をより増大させることができるので、その結果、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性を向上させることができる。
　本発明のレジストパターン形成方法において、［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合を上記値未満とすることで、上記効果が発揮される理由は必ずしも明らかではないが、例えば、［Ａ］重合体成分の炭素含有率を向上させると共に、膜減りの原因と考えられる水酸基と露光部で生成したカルボキシル基との相互作用等を低減させていること等が考えられる。また、ＣＤＵ等のリソグラフィー特性の向上の理由についても、水酸基の含有割合を所定値未満に抑えることで、露光部と未露光部との溶解コントラストがより増大したこと等が考えられる。これらと上述の炭化水素基（ａ１）と炭化水素基（ａ２）の含有比を特定範囲とすることとの相乗効果として、膜減りの抑制と高いエッチング耐性との併立、及び優れたＣＤＵ等のリソグラフィー特性等が発揮されるものと考えられる。
　水酸基を有する構造単位は、水酸基を有する限り、［Ａ］重合体成分を構成するものであれば特に限定されず、構造単位（Ｉ）であっても構造単位（ＩＩ）であってもよく、それ以外の構造単位であってもよい。水酸基を有する構造単位中における水酸基の数は１個でもよく、２個以上であってもよいが、レジストパターン形成前後の［Ａ］重合体成分の極性変化を大きくする観点から、水酸基の数は少ない方が好ましく、２個以下がより好ましく、１個が特に好ましい。また、水酸基を有する構造単位における水酸基の位置も特に限定されない。
　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合としては、４モル％以下が好ましく、２モル％以下がより好ましく、０モル％、すなわち［Ａ］重合体成分が水酸基を有する構造単位を有しないことが特に好ましい。
　水酸基を有する構造単位の具体例としては、上記構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）として例示したもの以外に、例えば、下記式で表される構造単位が挙げられる。
　上記式中、Ｒ”は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
＜［Ａ］重合体成分の合成方法＞
　［Ａ］重合体成分を構成する重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法；単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法；各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。
　重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。
　［Ａ］重合体成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、１，０００以上５００，０００以下が好ましく、２，０００以上４００，０００以下がより好ましく、３，０００以上３００，０００以下が特に好ましい。なお、［Ａ］重合体成分のＭｗが１，０００未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、［Ａ］重合体成分のＭｗが５００，０００を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。
　また、［Ａ］重合体成分のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）に対するＭｗの比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１以上５以下であり、１以上３以下が好ましく、１以上２以下がより好ましい。Ｍｗ／Ｍｎをこのような範囲とすることで、レジスト被膜が解像性能に優れたものとなる。
　本明細書のＭｗ及びＭｎは、ＧＰＣカラム（東ソー製、Ｇ２０００ＨＸＬ　２本、Ｇ３０００ＨＸＬ　１本、Ｇ４０００ＨＸＬ　１本）を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするＧＰＣにより測定した値をいう。
＜［Ｂ］酸発生体＞
　［Ｂ］酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により［Ａ］重合体成分中に存在する酸解離性基を解離させ酸を発生させる。当該感放射線性樹脂組成物における［Ｂ］酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態（以下、適宜「［Ｂ］酸発生剤」ということがある。）でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。
　［Ｂ］酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの［Ｂ］酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。
　オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩（テトラヒドロチオフェニウム塩を含む）、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。
　スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルホスホニウム１，１，２，２－テトラフルオロ－６－（１－アダマンタンカルボニロキシ）－ヘキサン－１－スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート及びトリフェニルホスホニウム１，１，２，２－テトラフルオロ－６－（１－アダマンタンカルボニロキシ）－ヘキサン－１－スルホネートが好ましい。
　テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート及び１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネートが好ましい。
　ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネートが好ましい。
　スルホンイミド化合物としては、例えばＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（ノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（パーフルオロ－ｎ－オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（２－（３－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）－１，１－ジフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、Ｎ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミドが好ましい。
　［Ｂ］酸発生体としては、上記式（Ｂ－１）で表されるものが好ましい。
　上記式（Ｂ－１）で表される［Ｂ］酸発生体は、上記［Ａ］重合体成分と同様に脂環式構造を有していることで、当該感放射線性樹脂組成物中において、［Ａ］重合体成分との相溶性が高まり、分散性が向上する。また、レジスト被膜中の拡散が適度に制御される。その結果得られるレジストパターンのＣＤＵ等のリソグラフィー特性を向上させることができる。
　上記式（Ｂ－１）において、Ｒｆ１及びＲｆ２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数１～４のフッ素化アルキル基である。ｎは、１～３の整数である。但し、スルホネート基のα位の炭素に結合するＲｆ１及びＲｆ２の両方が水素原子である場合はない。Ｒｆ１及びＲｆ２がそれぞれ複数の場合、複数のＲｆ１及びＲｆ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｒは、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。Ｘ＋は、１価のカチオンである。
　上記Ｒｆ１及びＲｆ２で表される炭素数１～４のフッ素化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、ジフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、フルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロプロピル基、ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロプロピル基、フルオロブチル基、ジフルオロブチル基、トリフルオロブチル基、テトラフルオロブチル基、ペンタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基等が挙げられる。
　Ｒｒで表される脂環式構造を有する１価の有機基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１－ノルボルニル基、２－ノルボルニル基、１－ノルボルネニル基、２－ノルボルネニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、フリル基等、及びこれらの基が結合したメチレン基もしくはエチレン基、プロピレン基、ブチレン基等のアルキレン基等が挙げられる。この中で、ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環の脂環式構造を有する基が好ましく、アダマンチル基を有する基がさらに好ましい。
　上記Ｒｒが有する水素原子の一部又は全部は、置換基で置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルキルカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、スルホンアミド基等が挙げられる。また、Ｒｒの同一炭素原子に結合する２個の水素原子を置換して形成されるケト基も挙げられる。
　上記Ｒｒで表される脂環式構造を有する１価の有機基としては、上記式（ｉ）で表される基が好ましい。
　上記式（ｉ）において、Ａは、（ｍ＋１）価の連結基である。ｍは、１～３の整数である。Ｒｒ１は、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。
　上記Ａで表される（ｍ＋１）価の連結基としては、例えば、
　２価の連結基として、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミド基、イミノ基、アルカンジイル基、シクロアルカンジイル基、アリーレン基、アラルキレン基等が挙げられる。
　３価の連結基として、アルカントリイル基、シクロアルカントリイル基、アレーントリイル基等が挙げられる。
　４価の連結基として、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、アレーンテトライル基等が挙げられる。
　上記Ｒｒ１で表される脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基の例としては、上記Ｒｒの例を挙げることができる。
　上記Ｘ＋で表されるカチオンとしては、硫黄、ヨウ素、リン、窒素等のオニウムカチオンが挙げられ、具体的には、スルホニウムカチオン、テトラヒドロチオフェニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。この中で、スルホニウムカチオン及びテトラヒドロチオフェニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオンがより好ましい。
　［Ｂ］酸発生体の好ましい例としては、下記式で表されるものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　上記式中、Ｘ＋は、１価のカチオンである。
　これらの［Ｂ］酸発生体は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。［Ｂ］酸発生体が酸発生剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上２０質量部以下、好ましくは０．５質量部以上１５質量部以下である。この場合、［Ｂ］酸発生剤の使用量が０．１質量部未満だと、感度および現像性が低下する傾向があり、一方１５質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。
［フッ素原子含有重合体］
　当該感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子含有重合体（［Ａ］重合体成分を除く）を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト被膜を形成した際に、膜中のフッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト被膜表面近傍で偏在化する傾向があるので、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。また、このフッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト被膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト被膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性樹脂組成物がフッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト被膜を形成することができる。
　上記フッ素原子含有重合体としては、フッ素原子を有している限り、特に限定されないが、［Ａ］重合体成分よりフッ素原子含有率（質量％）が高いことが好ましい。［Ａ］重合体成分よりフッ素原子含有率が高いことで、上述の偏在化の度合いがより高くなり、得られるレジスト被膜の撥水性及び溶出抑制性等の特性が向上する。
　上記フッ素原子含有重合体は、フッ素原子を構造中に含む単量体を１種類以上重合することにより形成される。
　上記フッ素原子を構造中に含む単量体としては、主鎖にフッ素原子を含む単量体、側鎖にフッ素原子を含む単量体、主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む単量体が挙げられる。
　主鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα－フルオロアクリレート化合物、α－トリフルオロメチルアクリレート化合物、β－フルオロアクリレート化合物、β－トリフルオロメチルアクリレート化合物、α，β－フルオロアクリレート化合物、α，β－トリフルオロメチルアクリレート化合物、１種類以上のビニル部位の水素原子がフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。
　側鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖にフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導基を有するもの、アクリル酸又はメタクリル酸のフルオロアルキル基やその誘導基を有するエステル化合物、１種類以上のオレフィンの側鎖（二重結合を含まない部位）がフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導基を有するもの等が挙げられる。
　主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα－フルオロアクリル酸、β－フルオロアクリル酸、α，β－フルオロアクリル酸、α－トリフルオロメチルアクリル酸、β－トリフルオロメチルアクリル酸、α，β－トリフルオロメチルアクリル酸等のフルオロアルキル基やその誘導基を有するエステル化合物、１種類以上のビニル部位の水素原子がフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導基で置換したもの、１種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素原子をフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換し、かつ側鎖にフルオロアルキル基やその誘導基を有するもの等が挙げられる。なお、この脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物をいう。
　フッ素原子含有重合体が有する構造単位としては、下記式（Ｆ１）で表される構造単位（以下、「構造単位（Ｆ－Ｉ）」ともいう）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　上記式（Ｆ１）中、Ｒ３は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｅは２価の連結基である。Ｒ４は少なくとも１つ以上のフッ素原子を含有する炭素数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数４～２０の１価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導基である。
　Ｅで表される２価の連結基としては、例えば単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。
　構造単位（Ｆ－Ｉ）を与える単量体としては、トリフルオロメチル（メタ）アクリル酸エステル、２，２，２－トリフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ－プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ－プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ－ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ－ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｔ－ブチル（メタ）アクリル酸エステル、２－（１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１－（２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロペンチル）（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリル酸エステル、１－（２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１－（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロデシル）（メタ）アクリル酸エステル、１－（５－トリフルオロメチル－３，３，４，４，５，６，６，６－オクタフルオロヘキシル）（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。
　フッ素原子含有重合体は、構造単位（Ｆ－Ｉ）を１種のみ含有していてもよく、２種以上含有していてもよい。構造単位（Ｆ－Ｉ）の含有割合は、フッ素原子含有重合体における全構造単位を１００モル％とした場合に、通常５モル％以上、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは１５モル％以上である。この構造単位（Ｆ－Ｉ）の含有率が５モル％未満であると、７０度以上の後退接触角を達成できない場合や、レジスト被膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できないおそれがある。
　フッ素原子含有重合体は、構造単位（Ｆ－Ｉ）以外にも、例えば現像液に対する溶解速度を制御するために酸解離性基を有する構造単位や、ラクトン基、環状カーボネート基、水酸基、カルボキシル基等の基、又は脂環式構造を有する構造単位や、芳香族化合物に由来する構造単位等の「他の構造単位」を１種類以上含有することができる。
　上記酸解離性基を有する他の構造単位としては、［Ａ］重合体成分における上記構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）において例示した酸解離性基を有する構造単位と同様のものが挙げられる。上記ラクトン基及び／又は環状カーボネート基を有する他の構造単位としては、［Ａ］重合体成分における上記構造単位（ＩＩＩ）と同様のものが挙げられる。上記水酸基を有する他の構造単位としては、［Ａ］重合体成分における上記構造単位（Ｉ）、構造単位（ＩＩ）等において例示した水酸基を有する構造単位と同様のものが挙げられる。
　上記脂環式構造を有する他の構造単位（以下、「構造単位（Ｆ－ＩＩ）」ともいう）としては、下記式（Ｆ２）で表される構造単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　上記式（Ｆ２）中、Ｒ５は水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。Ｇは炭素数４～２０の脂環式炭化水素基である。
　上記Ｇで表される炭素数４～２０の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、ビシクロ［２．２．２］オクタン、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカン、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカン等のシクロアルカン類に由来する脂環族環からなる炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカン由来の脂環族環は、置換基を有していてもよく、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、２－メチルプロピル基、１－メチルプロピル基、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の１種以上又は１個以上で置換してもよい。
　構造単位（Ｆ－ＩＩ）を与える単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イルエステル、（メタ）アクリル酸－ビシクロ［２．２．２］オクタ－２－イルエステル、（メタ）アクリル酸－トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカ－７－イルエステル、（メタ）アクリル酸－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－９－イルエステル、（メタ）アクリル酸－トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカ－１－イルエステル、（メタ）アクリル酸－トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカ－２－イルエステル等が挙げられる。
　フッ素原子含有重合体における他の構造単位の含有割合としては、フッ素原子含有重合体における全構造単位を１００モル％とした場合に、通常８０モル％以下、好ましくは７５モル％以下、より好ましくは７０モル％以下である。
　フッ素原子含有重合体のＭｗとしては、１，０００～５０，０００が好ましく、１，０００～３０，０００がより好ましく、１，０００～１０，０００が特に好ましい。フッ素原子含有重合体のＭｗが１，０００未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない。一方、Ｍｗが５０，０００を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。
　フッ素原子含有重合体のＭｗとＭｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、通常１～３であり、好ましくは１～２である。
　上記感放射線性樹脂組成物におけるフッ素原子含有重合体の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、０～５０質量部が好ましく、０～２０質量部がより好ましく、１～１０質量部がさらに好ましく、２～８質量部が特に好ましい。上記感放射線性樹脂組成物における上記フッ素原子含有重合体の含有量が上記範囲であることで、得られるレジスト被膜表面の撥水性及び溶出抑制性をさらに高めることができる。
［フッ素原子含有重合体の合成方法］
　上記フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。
［溶媒］
　当該感放射線性樹脂組成物は通常、溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の［Ａ］重合体成分、［Ｂ］酸発生体、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解又は分散できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。
　アルコール系溶媒としては、例えば
　メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉｓｏ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉｓｏ－ペンタノール、２－メチルブタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ペンタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－エチルブタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、３－ヘプタノール、ｎ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｓｅｃ－オクタノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチル－４－ヘプタノール、ｎ－デカノール、ｓｅｃ－ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ－テトラデシルアルコール、ｓｅｃ－ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒；
　エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、２，４－ペンタンジオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２，５－ヘキサンジオール、２，４－ヘプタンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒；
　エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。
　アミド系溶媒としては、例えばＮ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン等が挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｉｓｏ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸ｉｓｏ－ブチル、酢酸ｓｅｃ－ブチル、酢酸ｎ－ペンチル、酢酸ｓｅｃ－ペンチル、酢酸３－メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ－ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ－アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ－ｎ－ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル、乳酸ｎ－アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。
　その他の溶媒としては、例えば
　ｎ－ペンタン、ｉｓｏ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｉｓｏ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｉｓｏ－ヘプタン、２，２，４－トリメチルペンタン、ｎ－オクタン、ｉｓｏ－オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；
　ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ－プロピルベンゼン、ｉｓｏ－プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｉｓｏ－ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ－ｉｓｏ－プロピルベンセン、ｎ－アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒；
　ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒；
　エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒等が挙げられる。
　これらの溶媒のうち、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトンがより好ましい。これらの溶媒は１種でもよく、２種以上を組み合わせて使用することができる。
［酸拡散制御体］
　酸拡散制御体は、露光により［Ｂ］酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態（以下、適宜「酸拡散制御剤」ということがある。）でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。
　酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。
　アミン化合物としては、例えばモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ（シクロ）アルキルアミン類；置換アルキルアニリン又はその誘導体；エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２－（３－アミノフェニル）－２－（４－アミノフェニル）プロパン、２－（４－アミノフェニル）－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（４－アミノフェニル）－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４－ビス（１－（４－アミノフェニル）－１－メチルエチル）ベンゼン、１，３－ビス（１－（４－アミノフェニル）－１－メチルエチル）ベンゼン、ビス（２－ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２－ジエチルアミノエチル）エーテル、１－（２－ヒドロキシエチル）－２－イミダゾリジノン、２－キノキサリノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。
　アミド基含有化合物としては、例えばＮ－ｔ－ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－アセチル－１－アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス（２－ヒドロキシエチル）等が挙げられる。
　ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、１，１－ジメチルウレア、１，３－ジメチルウレア、１，１，３，３－テトラメチルウレア、１，３－ジフェニルウレア、トリ－ｎ－ブチルチオウレア等が挙げられる。
　含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類；ピリジン類；ピペラジン類；ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、３－ピペリジノ－１，２－プロパンジオール、モルホリン、４－メチルモルホリン、１－（４－モルホリニル）エタノール、４－アセチルモルホリン、３－（Ｎ－モルホリノ）－１，２－プロパンジオール、１，４－ジメチルピペラジン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
　また、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式（Ｄ１）で示されるスルホニウム塩化合物、下記式（Ｄ２）で表されるヨードニウム塩化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　上記式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）中、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。Ｚ－はＯＨ－、ＲＤ－ＣＯＯ－又はＲＤ－ＳＯ３ －である。但し、ＲＤは、アルキル基、アリール基、アルカリール基又は下記式（Ｄ３）で表されるアニオンである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　上記式（Ｄ３）中、Ｒ１１は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数１～１２の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。ｕは０～２の整数である。）
　酸拡散制御剤の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、５質量部未満が好ましい。合計使用量が５質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。
［脂環式骨格化合物］
　脂環式骨格化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格化合物としては、例えば１－アダマンタンカルボン酸、２－アダマンタノン、１－アダマンタンカルボン酸ｔ－ブチル等のアダマンタン誘導体類；デオキシコール酸ｔ－ブチル、デオキシコール酸ｔ－ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２－エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類；リトコール酸ｔ－ブチル、リトコール酸ｔ－ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２－エトキシエチル等のリトコール酸エステル類；３－［２－ヒドロキシ－２，２－ビス（トリフルオロメチル）エチル］テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン、２－ヒドロキシ－９－メトキシカルボニル－５－オキソ－４－オキサ－トリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン等が挙げられる。
［界面活性剤］
　界面活性剤は塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ－オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ－ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名として、ＫＰ３４１（信越化学工業製）、ポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（以上、共栄社化学製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、トーケムプロダクツ製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３（以上、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ－３８２、同ＳＣ－１０１、同ＳＣ－１０２、同ＳＣ－１０３、同ＳＣ－１０４、同ＳＣ－１０５、同ＳＣ－１０６（以上、旭硝子製）等が挙げられる。
［増感剤］
　増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを［Ａ］酸発生剤に伝達しそれにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物の「みかけの感度」を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。
＜感放射線性樹脂組成物の調製＞
　当該感放射線性樹脂組成物は、例えば有機溶媒中で［Ａ］重合体成分、［Ｂ］酸発生体、及び任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該感放射線性樹脂組成物は適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。有機溶媒としては、上記の溶媒として例示したものであって、［Ａ］重合体成分、［Ｂ］酸発生剤、及び任意成分を溶解又は分散可能であれば特に限定されない。当該感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、溶媒に溶解した後、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって調製される。
＜感放射線性樹脂組成物＞
　本発明の感放射線性樹脂組成物は、
　有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び
　［Ｂ］感放射線性酸発生体
を含有し、
　［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とする。
　当該感放射線性樹脂組成物を、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成方法に用いることにより、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつＣＤＵ等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを得ることができる。当該感放射線性樹脂組成物については、上記レジストパターン形成方法の説明において記載しているので、ここでは説明を省略する。
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を下記に示す。
［重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）］
　重合体のＭｗ及びＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により東ソー製のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本、「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、以下の条件により測定した。
　溶離液：テトラヒドロフラン（和光純薬工業製）
　流量：１．０ｍＬ／分
　試料濃度：１．０質量％
　試料注入量：１００μＬ
　検出器：示差屈折計
　標準物質：単分散ポリスチレン
［１３Ｃ－ＮＭＲ分析］：
　日本電子製「ＪＮＭ－ＥＸ４００」を使用し、測定溶媒としてＤＭＳＯ－ｄ６を使用して分析を行った。
＜［Ａ］重合体成分の合成＞
　［Ａ］重合体成分を構成する重合体及び後述するフッ素原子重合体の合成に用いた単量体を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
［合成例１］
　化合物（Ｍ－１）２８．４ｇ（３５モル％）、化合物（Ｍ－１０）１８．０ｇ（１５モル％）及び化合物（Ｍ－１６）５３．６ｇ（５０モル％）を２００ｇの２－ブタノンに溶解し、ＡＩＢＮ２．３８ｇ（３モル％）を添加して単量体溶液を調製した。１００ｇの２－ブタノンを入れた１，０００ｍＬの三口フラスコを３０分窒素パージした後、攪拌しながら８０℃に加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗を用いて３時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を６時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して３０℃以下に冷却した。２，０００ｇのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を４００ｇのメタノールで２回洗浄した後、ろ別し、５０℃で１７時間乾燥させて白色粉末状の重合体（Ａ－１）を得た（収率８１％）。この重合体（Ａ－１）は、Ｍｗが９，８３０であり、Ｍｗ／Ｍｎが１．４７であり、フッ素原子含有率は０．０％であった。また、１３Ｃ－ＮＭＲ分析の結果、重合体（Ａ－１）は、化合物（Ｍ－１）由来の構造単位：化合物（Ｍ－１０）由来の構造単位：化合物（Ｍ－１６）由来の構造単位の含有比率が３３．０：１２．９：５４．１（モル％）の共重合体であった。また、重合体（Ａ－１）における炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比は０．３９１であった。
［合成例２～１９］
　表１に示す種類、量の各単量体化合物を使用した以外は、合成例１と同様に操作して重合体（Ａ－２）～（Ａ－１１）及び（ＣＡ－１）～（ＣＡ－８）を得た。また、得られた各重合体における各単量体に由来する構造単位の含有率、炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比、各重合体のＭｗ、及びＭｗ／Ｍｎ比の測定値を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
＜フッ素原子含有重合体の合成＞
［合成例２０］
　化合物（Ｍ－２）３５．８ｇ（７０モル％）、及び化合物（Ｍ－１８）１４．２ｇ（３０モル％）を１００ｇの２－ブタノンに溶解し、ジメチル２，２’－アゾビスイソブチレート２．３４ｇを添加して単量体溶液を調製した。２０ｇの２－ブタノンを入れた５００ｍＬの三口フラスコを３０分窒素パージした後、撹拌しながら８０℃に加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて３時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし重合反応を６時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して３０℃以下に冷却した。反応溶液を１Ｌの分液漏斗に移液した後、２００ｇのｎ－ヘキサンでその重合溶液を均一に希釈し、８００ｇのメタノールを投入して混合した。次いで、２０ｇの蒸留水を投入し、さらに攪拌して３０分静置した。その後、下層を回収し、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液として重合体（Ｃ－１）を得た（収率６０％）。この重合体（Ｃ－１）は、Ｍｗが６，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎが１．４５であった。また、１３Ｃ－ＮＭＲ分析の結果、重合体（Ｃ－１）は、化合物（Ｍ－２）由来の構造単位：化合物（Ｍ－１８）由来の構造単位の含有比率が６９：３１（モル％）の共重合体であった。
＜感放射線性樹脂組成物の調製＞
　感放射線性樹脂組成物の調製に用いた［Ｂ］酸発生剤、酸拡散制御剤及び溶媒について以下に示す。
［［Ｂ］酸発生剤］
　Ｂ－１：トリフェニルスルホニウム６－アダマンチルカルボニルオキシ－１，１，２，２－テトラフルオロヘキサンスルホネート（下記式（Ｂ－１）で表される化合物）
　Ｂ－２：トリフェニルスルホニウム２－アダマンチル－１，１－ジフルオロエタンスルホネート（下記式（Ｂ－２）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
［酸拡散制御剤］
　Ｄ－１：ｔ－ペンチル４－ヒドロキシピリジン－Ｎ－カルボキシレート（下記式（Ｄ－１）で表される化合物）
　Ｄ－２：トリフェニルスルホニウムサリチレート（下記式（Ｄ－２）で表される化合物）
　Ｄ－３：トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート（下記式（Ｄ－３）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
［溶媒］
　Ｅ－１：酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
　Ｅ－２：シクロヘキサノン
　Ｅ－３：γ－ブチロラクトン
［実施例１］
　重合体（Ａ－１）１００質量部、重合体（Ｃ－１）３質量部、酸発生剤（Ｂ－１）１１質量部、酸拡散制御剤（Ｄ－１）４．５質量部、並びに溶媒（Ｅ－１）１，６２０質量部、（Ｅ－２）７００質量部及び（Ｅ－３）３０質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物（Ｊ－１）を調製した。
［実施例２～１３及び合成例２１～２８］
　表３に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例１と同様に操作して、感放射線性樹脂組成物を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
＜レジストパターンの形成＞
［実施例１４］
　膜厚１０５ｎｍの下層反射防止膜（ＡＲＣ６６、日産化学製）を形成した１２インチシリコンウェハ上に、実施例１で調製した感放射線性樹脂組成物によって、膜厚１００ｎｍの被膜を形成し８０℃で６０秒間ソフトベークを行った。次に、この被膜をＡｒＦエキシマレーザー液浸露光装置（ＮＳＲ－Ｓ６１０Ｃ、ＮＩＫＯＮ製）を用い、ＮＡ＝１．３、ｉＮＡ＝１．２７、ｒａｔｉｏ＝０．８００、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅの条件により、縮小投影後のパターンが５５ｎｍＤｏｔ１１０ｎｍＰｉｔｃｈとなるマスクパターンを介して露光した。露光後、１００℃で６０秒間ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行った。その後、酢酸ブチルにより２３℃で３０秒間現像し、４－メチル－２－ペンタノール溶媒で１０秒間リンス処理を行った後、乾燥してレジストパターンを得た。このとき、縮小投影後のパターンが５５ｎｍＤｏｔ１１０ｎｍＰｉｔｃｈとなるマスクパターンを介して露光した部分が、直径５５ｎｍのホールパターンを形成する露光量を最適露光量（Ｅｏｐ）とした。なお測長には走査型電子顕微鏡（ＣＧ－４０００、日立ハイテクノロジーズ製）を用いた。
［実施例１５～２６及び比較例１～８］
　実施例１４において、上記実施例及び比較例で調製した各感放射線性樹脂組成物を用い、ＰＥＢ温度を表４に記載した温度とした以外は、実施例１４と同様に操作して、レジストパターンを形成した。
＜評価＞
　レジスト被膜の膜減り量については、下記方法によってレジスト被膜を形成し評価した。また、ＣＤＵ、ＭＥＥＦ、解像性、及びエッチング耐性については、実施例１４～２６及び比較例１～７において形成したレジストパターンについて下記の方法にて評価を行った。結果を表４に示す。
［膜減り量］
　まず、膜厚７７ｎｍの下層反射防止膜（ＡＲＣ２９Ａ、ブルワー・サイエンス製）を形成した８インチシリコンウェハ上に、上記実施例及び比較例で調製した感放射線性樹脂組成物によって、初期膜厚１５０ｎｍの被膜を形成し、９０℃で６０秒間ソフトベーク（ＳＢ）を行った。次に、この被膜を、ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（ＮＳＲ－Ｓ３０６Ｃ、ＮＩＫＯＮ製）を用い、ＮＡ＝０．７８、ｓｉｇｍａ＝０．９０、Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌの条件により、マスクを介する事無く、上記の直径５５ｎｍのホールパターンを形成する最適露光量（Ｅｏｐ）（単位：ｍＪ／ｃｍ２）でウェハ全面を露光した。露光後、ＰＥＢを表４に記載の温度で６０秒間行った。その後、酢酸ブチルにより２３℃で３０秒間現像し、４－メチル－２－ペンタノールで１０秒間リンス処理を行った後、乾燥を行った。一連のプロセス完了後の残存被膜の膜厚を測定し、初期膜厚から残存膜厚を引いた値を膜減り量（単位：ｎｍ）とした。なお、膜厚測定には光干渉式膜厚測定装置（「ラムダエース」、大日本スクリーン製造製）を用いた。測定された膜減り量が、２０ｎｍ未満の場合を「Ａ」と、２０ｎｍ以上の場合を「Ｂ」として評価した。得られた膜減り量の値と、評価について下記表４に示す。
［ＣＤＵ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）］
　上記各実施例及び比較例のレジストパターン形成において上記Ｅｏｐにて形成された直径５５ｎｍのホールパターンを計３０個測長し、計３０個の測長値の平均偏差を算出し、３倍した値をＣＤＵとして算出した。ＣＤＵの値が２．５未満の場合を「Ａ」と、２．５以上３．０未満の場合を「Ｂ」、３．０以上の場合を「Ｃ」として評価した。得られたＣＤＵの値と評価について下記表４に示す。
［ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ　Ｅｒｒｏｒ　Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ　Ｆａｃｔｏｒ）］
　上記各実施例及び比較例のレジストパターン形成の場合と同様にして、上記Ｅｏｐにて、縮小投影後のパターンのドット直径が５１ｎｍ、５３ｎｍ、５５ｎｍ、５７ｎｍ、５９ｎｍとなるマスクパターン部分を用いてレジスト被膜に形成されたホールの直径（ｎｍ）を縦軸に、マスクパターンのサイズ（ｎｍ）を横軸にプロットしたときの直線の傾きをＭＥＥＦとして算出した。ＭＥＥＦ（直線の傾き）は、その値が１に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。値が３．５未満の場合を「Ａ」と、３．５以上４．５未満の場合を「Ｂ」と、４．５以上の場合を「Ｃ」として評価した。得られたＭＥＥＦの値と評価について下記表４に示す。
［解像性］
　上記各実施例及び比較例のレジストパターン形成において、上記Ｅｏｐ以上の露光量にて縮小投影後のパターンが５５ｎｍドット１１０ｎｍピッチとなるマスクパターンを介して露光した際、露光量の増加に伴い得られるホールパターンの最小寸法を測定し解像性（単位：ｎｍ）を評価した。最小寸法が４８ｎｍ未満の場合を「Ａ」と、４８ｎｍ以上の場合を「Ｂ」と評価した。得られた解像性と評価について下記表４に示す。
［エッチング耐性］
　ウェハ表面に有機反射防止膜形成剤（ＡＲＣ６６、日産化学製）を塗布し、膜厚１０５ｎｍの有機反射防止膜を形成した。上記実施例及び合成例の感放射線性樹脂組成物を上記基板の表面に、クリーントラック（ＡＣＴ１２、東京エレクトロン製）を用いて、スピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、９０℃で６０秒間ソフトベークを行い、膜厚０．１０μｍのレジスト被膜を形成した。次いで、基板上のレジスト被膜に上記の直径５５ｎｍのホールパターンを形成する最適露光量（Ｅｏｐ）の３倍の露光量でウェハ表面を露光した。露光後、ＰＥＢを表４に記載の温度で６０秒間行い、酢酸ブチルにより２３℃で３０秒間現像し、４－メチル－２－ペンタノールで１０秒間リンス処理を行った後、乾燥を行った。その後、露光する前のレジスト被膜と、リンス処理までの一連のプロセス完了後のレジスト被膜について、それぞれエッチングレートを測定した。一連のプロセス完了後のレジスト被膜のエッチングレートと露光する前のレジスト被膜のエッチングレートとの差が、露光する前のレジスト被膜のエッチングレートの１０％以内の場合を「Ａ」と、１０％を超える場合を「Ｂ」と評価した。得られたエッチングレートの差の値及び評価を下記表４に示す。上記レジスト被膜のエッチングレート測定は、エッチングシステム（Ｔｅｌｉｕｓ、東京エレクトロン製）を用い、下記のエッチング条件により実施した。
ＣＦ４ガス流量：　１５０ｓｃｃｍ
チャンバー圧力：　１００ｍＴｏｒｒ
パワー：　３００Ｗ（ｕｐｐｅｒ）／３００Ｗ（ｂｏｔｔｏｍ）
時間：　２０ｓｅｃ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　表４から明らかなように、本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立することができ、また、ＣＤＵ、ＭＥＥＦ、解像性のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを得ることができる。
　本発明によれば、レジスト被膜の膜減りの抑制と高いエッチング耐性とを併立し、かつＣＤＵ等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターン形成方法と、このレジストパターン形成方法に最適な感放射線性樹脂組成物を提供することができる。

Claims (11)

  1. 　（１）感放射線性樹脂組成物を用いるレジスト被膜形成工程、
    　（２）露光工程、及び
    　（３）有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いる現像工程
    を有するレジストパターン形成方法であって、
    　上記感放射線性樹脂組成物が、
    　［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び
    　［Ｂ］感放射線性酸発生体
    を含有し、
    　［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
    　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
    　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
    　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
    　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
  2. 　構造単位（Ｉ）が下記式（１）で表され、かつ構造単位（ＩＩ）が下記式（２）で表される請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）及び（２）中、Ｒ及びＲ’は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ１は、１価の炭化水素基（ａ１）である。Ｒ２は、１価の炭化水素基（ａ２）である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基及びスルホンアミド基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい。）
  3. 　上記式（１）のＲ１が、酸解離性基である請求項２に記載のレジストパターン形成方法。
  4. 　上記式（２）のＲ２が、下記式（２－１）～（２－４）でそれぞれ表される基及び酸解離性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基である請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２－１）～（２－４）中、
    　Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ３は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基又はスルホンアミド基である。Ｒａ１及びＲａ２は、それぞれ独立して、メチレン基又は炭素数２～１０のアルキレン基である。Ｒａ３は、単結合、メチレン基又は炭素数２～１０のアルキレン基である。ｑ１は、１～６の整数である。ｑ２及びｑ３は、それぞれ独立して、１～１５の整数である。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１がそれぞれ複数の場合、複数のＲｐ１、Ｒｐ２及びＲａ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、＊は上記式（２）におけるエステル基への結合部位を示す。）
  5. 　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が、０．１以上０．９以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
  6. 　炭化水素基（ａ２）が、ヒドロキシル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
  7. 　［Ａ］重合体成分が、ラクトン基及び環状カーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する構造単位をさらに含む請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
  8. 　炭化水素基（ａ１）及び炭化水素基（ａ２）における酸解離性基の割合が、５０モル％以上である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
  9. 　［Ｂ］感放射線性酸発生体が、下記式（Ｂ－１）で表される請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（Ｂ－１）中、Ｒｆ１及びＲｆ２は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数１～４のフッ素化アルキル基である。ｎは、１～３の整数である。但し、スルホネート基のα位の炭素に結合するＲｆ１及びＲｆ２の両方が水素原子である場合はない。Ｒｆ１及びＲｆ２がそれぞれ複数の場合、複数のＲｆ１及びＲｆ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒｒは、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。Ｘ＋は、１価のカチオンである。）
  10. 　上記式（Ｂ－１）におけるＲｒが、下記式（ｉ）で表される請求項９に記載のレジストパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（ｉ）中、Ａは、（ｍ＋１）価の連結基である。ｍは、１～３の整数である。Ｒｒ１は、脂環式構造を有する炭素数３～２０の１価の有機基である。）
  11. 　有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、
    　［Ａ］酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び
    　［Ｂ］感放射線性酸発生体
    を含有し、
    　［Ａ］重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基（ａ１）を有する構造単位（Ｉ）及び炭化水素基（ａ２）を有する構造単位（ＩＩ）を含み、
    　炭化水素基（ａ１）が、置換されていてもよい炭素数８以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数３～８の単環の脂肪族環式基であり、
    　炭化水素基（ａ２）が、アダマンタン骨格を有し、
    　炭化水素基（ａ１）に対する炭化水素基（ａ２）のモル比が１未満であり、かつ
    　［Ａ］重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が５モル％未満であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
PCT/JP2011/079736 2011-01-28 2011-12-21 レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 WO2012101942A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012554648A JP5928345B2 (ja) 2011-01-28 2011-12-21 レジストパターン形成方法
KR1020137019877A KR101853154B1 (ko) 2011-01-28 2011-12-21 레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물
US13/940,119 US9223207B2 (en) 2011-01-28 2013-07-11 Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011016814 2011-01-28
JP2011-016814 2011-07-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/940,119 Continuation US9223207B2 (en) 2011-01-28 2013-07-11 Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012101942A1 true WO2012101942A1 (ja) 2012-08-02

Family

ID=46580524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/079736 WO2012101942A1 (ja) 2011-01-28 2011-12-21 レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9223207B2 (ja)
JP (1) JP5928345B2 (ja)
KR (1) KR101853154B1 (ja)
TW (1) TW201235780A (ja)
WO (1) WO2012101942A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230174A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2013057923A (ja) * 2011-02-28 2013-03-28 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP2015079261A (ja) * 2014-11-26 2015-04-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP2015127827A (ja) * 2015-03-12 2015-07-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2016006364A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
US9316910B2 (en) 2011-02-28 2016-04-19 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5690584B2 (ja) 2010-12-28 2015-03-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2013152450A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
TWI602015B (zh) * 2012-07-18 2017-10-11 住友化學股份有限公司 光阻組成物及光阻圖案之產生方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009025723A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Fujifilm Corp ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
WO2009051088A1 (ja) * 2007-10-15 2009-04-23 Jsr Corporation スルホン化合物、スルホン酸塩および感放射線性樹脂組成物
JP2010072273A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2010164958A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Fujifilm Corp ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン
JP2011248019A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612452B2 (ja) 1982-09-30 1994-02-16 ブリュ−ワ−・サイエンス・インコ−ポレイテッド 集積回路素子の製造方法
US4910122A (en) 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4743529A (en) * 1986-11-21 1988-05-10 Eastman Kodak Company Negative working photoresists responsive to shorter visible wavelengths and novel coated articles
JP2643056B2 (ja) 1991-06-28 1997-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 表面反射防止コーティング形成組成物及びその使用
JP3943741B2 (ja) 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4551701B2 (ja) 2004-06-14 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7799507B2 (en) * 2006-05-18 2010-09-21 Tokyo Ohka Co., Ltd. Positive resist composition for immersion lithography and method for forming resist pattern
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8057983B2 (en) * 2008-04-21 2011-11-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Chemically amplified positive resist composition
KR101569214B1 (ko) * 2008-04-21 2015-11-13 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
US8318403B2 (en) * 2009-05-28 2012-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
US9023579B2 (en) * 2009-07-10 2015-05-05 Fujifilm Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, compound and method of forming pattern using the composition
JP5645510B2 (ja) * 2009-07-10 2014-12-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5750272B2 (ja) * 2010-02-18 2015-07-15 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
IL213195A0 (en) * 2010-05-31 2011-07-31 Rohm & Haas Elect Mat Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns
JP5557621B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP5848869B2 (ja) * 2010-08-25 2016-01-27 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2012068544A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Fujifilm Corp パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5728190B2 (ja) * 2010-09-28 2015-06-03 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、
JP5850607B2 (ja) * 2010-09-28 2016-02-03 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
KR20140007797A (ko) * 2010-10-07 2014-01-20 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 가이드 패턴 형성용 네거티브형 현상용 레지스트 조성물, 가이드 패턴 형성 방법, 블록 코폴리머를 포함하는 층의 패턴 형성 방법
JP5690703B2 (ja) * 2010-11-30 2015-03-25 富士フイルム株式会社 ネガ型パターン形成方法及びレジストパターン
TWI506370B (zh) * 2011-01-14 2015-11-01 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009025723A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Fujifilm Corp ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
WO2009051088A1 (ja) * 2007-10-15 2009-04-23 Jsr Corporation スルホン化合物、スルホン酸塩および感放射線性樹脂組成物
JP2010072273A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2010164958A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Fujifilm Corp ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン
JP2011248019A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013057923A (ja) * 2011-02-28 2013-03-28 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP2016006510A (ja) * 2011-02-28 2016-01-14 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
US9316910B2 (en) 2011-02-28 2016-04-19 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film
JP2012230174A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、レジストパターン形成方法
WO2016006364A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JPWO2016006364A1 (ja) * 2014-07-10 2017-04-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2015079261A (ja) * 2014-11-26 2015-04-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP2015127827A (ja) * 2015-03-12 2015-07-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201235780A (en) 2012-09-01
JPWO2012101942A1 (ja) 2014-06-30
KR20140007827A (ko) 2014-01-20
US20130295506A1 (en) 2013-11-07
US9223207B2 (en) 2015-12-29
US20140363766A9 (en) 2014-12-11
JP5928345B2 (ja) 2016-06-01
KR101853154B1 (ko) 2018-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5994882B2 (ja) レジストパターン形成方法
JP5716751B2 (ja) パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5928345B2 (ja) レジストパターン形成方法
JP6531397B2 (ja) パターン形成方法及びこれに用いられる組成物
JP5035466B1 (ja) レジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物
JP5967083B2 (ja) ダブルパターン形成方法
JP2013225094A (ja) フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5263453B2 (ja) レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
WO2014017144A1 (ja) ネガ型レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP5879719B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法
JP2015087644A (ja) 感放射線性樹脂組成物及びネガ型レジストパターン形成方法
JP6060967B2 (ja) フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6443000B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP6319291B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物
JP5867298B2 (ja) フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
WO2012077433A1 (ja) パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5573730B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
WO2012046543A1 (ja) レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP5803806B2 (ja) レジストパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11857244

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012554648

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137019877

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11857244

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1