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WO2012011160A1 - シリコンインゴットの電磁鋳造装置 - Google Patents

シリコンインゴットの電磁鋳造装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012011160A1
WO2012011160A1 PCT/JP2010/006739 JP2010006739W WO2012011160A1 WO 2012011160 A1 WO2012011160 A1 WO 2012011160A1 JP 2010006739 W JP2010006739 W JP 2010006739W WO 2012011160 A1 WO2012011160 A1 WO 2012011160A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
cooling crucible
electromagnetic casting
silicon
casting apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/006739
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宣正 内藤
草場　辰己
伸一 宮本
Original Assignee
株式会社Sumco
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Sumco filed Critical 株式会社Sumco
Publication of WO2012011160A1 publication Critical patent/WO2012011160A1/ja

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
    • B22D11/10—Supplying or treating molten metal
    • B22D11/11—Treating the molten metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
    • B22D11/14—Plants for continuous casting
    • B22D11/141—Plants for continuous casting for vertical casting

Definitions

  • the present invention relates to an electromagnetic casting apparatus for continuously casting a silicon ingot that is a material of a substrate for a solar cell.
  • Photovoltaic power generation is a power generation method in which solar energy is directly converted into electric power using a solar cell, and a polycrystalline silicon wafer is mainly used as a substrate of the solar cell.
  • a polycrystalline silicon wafer for solar cells is manufactured by slicing a unidirectionally solidified silicon ingot. For this reason, in order to promote the spread of solar cells, it is necessary to secure the quality of the silicon wafer and reduce the cost, and it is required to manufacture a high-quality silicon ingot at a low cost in the previous stage.
  • a continuous casting method using electromagnetic induction hereinafter also referred to as “electromagnetic casting method” has been put into practical use.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a configuration of a conventional typical electromagnetic casting apparatus used in the electromagnetic casting method.
  • the electromagnetic casting apparatus includes a chamber 1.
  • the chamber 1 is a water-cooled container having a double wall structure in which the inside is isolated from the outside air and maintained in an inert gas atmosphere suitable for casting.
  • a raw material supply device (not shown) is connected to the upper wall of the chamber 1 via an openable / closable shutter 2.
  • the chamber 1 is provided with an inert gas introduction port 5, and an exhaust port 6 is provided in a lower side wall.
  • a bottomless cooling crucible 7, an induction coil 8, and an after heater 9 are arranged in the chamber 1.
  • the cooling crucible 7 functions not only as a melting vessel but also as a mold and is a rectangular tube made of metal (for example, copper) excellent in thermal conductivity and conductivity, and is suspended in the chamber 1.
  • the cooling crucible 7 is divided into a plurality of strip-shaped pieces in the circumferential direction, leaving the upper part, and is forcibly cooled by cooling water flowing through the inside.
  • the induction coil 8 is provided concentrically with the cooling crucible 7 so as to surround the cooling crucible 7 and is connected to a power supply device (not shown).
  • a plurality of after-heaters 9 are concentrically connected to the cooling crucible 7 below the cooling crucible 7 and heat the silicon ingot 3 pulled down from the cooling crucible 7 to provide an appropriate temperature gradient in the axial direction thereof.
  • a raw material introduction pipe 10 is attached below the shutter 2 connected to the raw material supply device. Along with opening and closing of the shutter 2, granular or lump silicon raw material 11 is supplied from the raw material supply device into the raw material introduction pipe 10 and charged into the cooling crucible 7.
  • an outlet 4 for extracting the ingot 3 is provided directly under the after heater 9, and this outlet 4 is sealed with gas.
  • the ingot 3 is pulled down while being supported by a support base 14 that descends through the drawer opening 4.
  • a plasma torch 13 is provided directly above the cooling crucible 7 so as to be movable up and down.
  • the plasma torch 13 is connected to one pole of a plasma power supply device (not shown), and the other pole is connected to the ingot 3 side.
  • the plasma torch 13 is inserted into the cooling crucible 7 while being lowered.
  • the silicon raw material 11 is inserted into the cooling crucible 7, an alternating current is applied to the induction coil 8, and the lowered plasma torch 13 is energized.
  • an eddy current is generated in each piece due to electromagnetic induction by the induction coil 8, and the cooling crucible 7
  • the eddy current on the inner wall side generates a magnetic field in the cooling crucible 7.
  • the silicon raw material 11 in the cooling crucible 7 is melted by electromagnetic induction heating to form molten silicon 12.
  • a plasma arc is generated between the plasma torch 13 and the silicon raw material 11 and further the molten silicon 12, and the silicon raw material 11 is also heated and melted by the Joule heat, thereby reducing the burden of electromagnetic induction heating.
  • the molten silicon 12 is efficiently formed.
  • the molten silicon 12 has a force (pinch force) in the inner normal direction of the surface of the molten silicon 12 due to the interaction between the magnetic field generated along with the eddy current on the inner wall of the cooling crucible 7 and the current generated on the surface of the molten silicon 12. ) Is held in a non-contact state with the cooling crucible 7.
  • the support 14 supporting the molten silicon 12 is gradually lowered while melting the silicon raw material 11 in the cooling crucible 7, the induction magnetic field decreases as the distance from the lower end of the induction coil 8 decreases. Further, the molten silicon 12 is solidified from the outer peripheral portion by cooling from the cooling crucible 7. Then, the silicon raw material 11 is continuously charged as the support base 14 is lowered, and the melting and solidification are continued, whereby the molten silicon 12 is solidified in one direction, and the ingot 3 can be continuously cast.
  • the inert gas is sequentially supplied from the inert gas inlet 5 at the top of the chamber 1 to fill the chamber 1.
  • the inert gas in the chamber 1 is sequentially discharged from the exhaust port 6 on the lower side wall of the chamber 1.
  • SiO silicon oxide
  • the atmospheric temperature in the chamber 1 is high at the central portion where the ingot 3 exists, decreases as the side wall of the chamber 1 is approached, and increases toward the upper portion where the molten silicon 12 exists even at the same central portion. Due to this temperature difference, natural convection of the atmospheric gas occurs in the chamber 1 as shown by the solid line arrow in FIG. Specifically, it rises between the outer periphery of the ingot 3 and the inner periphery of the after heater 9, passes through the gap between the upper end of the uppermost after heater 9 and the lower end of the cooling crucible 7, further outside the cooling crucible 7. After rising, convection of the atmospheric gas descending near the side wall of the chamber 1 occurs. A part of the atmospheric gas that convects and rises outside the cooling crucible 7 also flows directly above the cooling crucible 7 as indicated by a dotted arrow in FIG.
  • the impurity is carried to a position just above the cooling crucible 7 along with the flow of the atmosphere gas, falls into the cooling crucible 7 and falls into the molten silicon 12. May be mixed.
  • the molten silicon 12 is contaminated with metal impurities, the quality of the ingot 3 cast from the molten silicon 12 is deteriorated.
  • the metal impurities are easily taken into the atmosphere gas in the process in which the atmosphere gas rises along the after heater 9.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and when silicon ingots are continuously cast by an electromagnetic casting method, molten silicon is contaminated with metal impurities due to the atmospheric gas that naturally convects in the chamber.
  • An object of the present invention is to provide an electromagnetic casting apparatus for a silicon ingot that can prevent this.
  • the present inventors made extensive studies by paying attention to the flow of atmospheric gas that naturally convects in the chamber during casting, and conducted various tests.
  • the metal impurities are removed from the atmosphere gas that has reached the upper side of the cooling crucible due to natural convection, or the atmosphere gas containing the metal impurities is forcibly exhausted, resulting in the convection atmosphere gas.
  • impurity contamination of the molten silicon was prevented, and the present invention was completed.
  • the gist of the present invention resides in a silicon ingot electromagnetic casting apparatus shown in the following (1) and (2).
  • a silicon raw material is charged into a conductive bottomless cooling crucible disposed in the chamber, and the silicon raw material is melted by electromagnetic induction heating from an induction coil surrounding the bottomless cooling crucible.
  • an electromagnetic casting apparatus that continuously solidifies a silicon ingot by pulling it down from the bottom cooling crucible, it is connected to the upper and lower portions of the side wall of the chamber, and the atmosphere gas above the bottomless cooling crucible is introduced to the bottom of the bottomless cooling crucible.
  • the silicon ingot electromagnetic casting apparatus is characterized in that a vent pipe for feeding out to the pipe is provided, and a dust collector is provided in the path of the vent pipe.
  • a magnetic separator is provided in the path of the vent pipe or a blower is provided in the path of the vent pipe.
  • a silicon raw material is charged into a conductive bottomless cooling crucible disposed in the chamber, and the silicon raw material is melted by electromagnetic induction heating from an induction coil surrounding the bottomless cooling crucible.
  • an electromagnetic casting apparatus for continuously casting a silicon ingot by solidifying while pulling down from the bottom cooling crucible it is connected to the upper part of the side wall of the chamber, and has an upper exhaust pipe for introducing and discharging the atmospheric gas above the bottomless cooling crucible
  • a silicon ingot electromagnetic casting apparatus comprising a lower exhaust pipe connected to a lower portion of a side wall of a chamber and introducing and discharging an atmospheric gas below a bottomless cooling crucible.
  • the electromagnetic casting apparatus for a silicon ingot of the present invention even if the atmospheric gas is convected under the cooling crucible and the metallic gas is contained in the atmospheric gas, the metallic impurity is removed from the atmospheric gas and reduced. Since the atmospheric gas containing the metal impurities can be forcibly exhausted, it is possible to prevent the impurity contamination of the molten silicon due to the convective atmospheric gas.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the electromagnetic casting apparatus of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of a modified example of the electromagnetic casting apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the electromagnetic casting apparatus of the second embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration of an electromagnetic casting apparatus used for comparison.
  • FIG. 5 is a diagram showing the measurement results of the Fe concentration in the silicon ingots in the present invention example and the comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a configuration of a typical representative electromagnetic casting apparatus used in the electromagnetic casting method.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the electromagnetic casting apparatus of the first embodiment.
  • the electromagnetic casting apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in the figure is based on the configuration of the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 6, and the same components are denoted by the same reference numerals, and repeated description is omitted as appropriate. .
  • the electromagnetic casting apparatus of the first embodiment has a vent pipe 15 connected to the upper and lower portions of the side wall of the chamber 1.
  • the upper and lower ends of the ventilation pipe 15 are opened at positions corresponding to the upper side of the cooling crucible 7 and positions corresponding to the lower side of the cooling crucible 7, respectively.
  • FIG. 1 shows an example in which the ventilation pipes 15 are provided on both sides sandwiching the central axis of the chamber 1, the ventilation pipe 15 may be installed only at one place or at three or more places.
  • a dust collector 20 is provided in the path of each vent pipe 15.
  • a dust collector such as a cyclone method, a filter method, or an electric dust collection method can be adopted.
  • a magnetic separator 21 is provided along with a dust collector 20 in the path of each vent pipe 15.
  • a magnetic separator using a magnet filter, a magnet bar, an electromagnet, or the like can be employed.
  • An inert gas inlet 5 for introducing an inert gas into the chamber 1 is provided on the upper wall of the chamber 1, and an inert gas inlet pipe 17 is connected to the inert gas inlet 5.
  • the exhaust port 6 for exhausting the atmospheric gas in the chamber 1 is provided in the lower side wall of the chamber 1 as in the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 6, and an exhaust pipe 16 is connected to the exhaust port 6. Yes.
  • an exhaust port 6 is shown in the bottom wall of the chamber 1. The exhaust amount of the atmospheric gas from the exhaust port 6 through the exhaust pipe 16 is adjusted by a flow rate adjusting valve (not shown) installed in the exhaust pipe 16.
  • the atmospheric gas existing above the cooling crucible 7 in the chamber 1 is a part thereof as shown by the solid line arrow in FIG. Is introduced into the vent pipe 15 from the upper end of the vent pipe 15 that opens here, and after descending the vent pipe 15, it is fed into the lower portion of the chamber 1 corresponding to the lower part of the cooling crucible 7, and into the vent pipe 15. The remainder that has not been introduced descends near the side wall of the chamber 1.
  • the atmospheric gas introduced into the lower portion of the chamber 1 through the vent pipe 15 and the atmospheric gas descending in the vicinity of the side wall of the chamber 1 are finally discharged from the exhaust port 6 to the outside of the chamber 1.
  • the metal impurities are captured and removed by the dust collector 20 in the process of passing through the dust collector 20 and the purified atmosphere gas is removed. It is sent out to the lower part of the chamber 1.
  • the atmospheric gas that has passed through the dust collector 20 further passes through the magnetic separator 21 so that the metal impurities are selectively captured by the magnetic separator 21, so that the metal impurities are effectively removed. Can be removed.
  • the electromagnetic casting apparatus of the first embodiment of the present invention even when the convection atmosphere gas contains metal impurities, the atmosphere gas reaching the upper side of the magnetic cooling crucible 7 is introduced into the vent pipe 15. Since the dust collector 20 and possibly the magnetic separator 21 remove metal impurities from the atmospheric gas and the purified atmospheric gas is sent out to the lower part of the chamber 1, the circulation is repeated. As a result, the amount of metal impurities carried directly above the cooling crucible 7 can be remarkably suppressed. As a result, impurity contamination of the molten silicon 12 due to the convection atmosphere gas can be prevented, and the ingot 3 having excellent quality can be manufactured.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of a modified example of the electromagnetic casting apparatus of the first embodiment.
  • the electromagnetic casting apparatus shown in the figure has a configuration in which a blower 22 is added to the path of each ventilation pipe 15 in the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. A fan or a blower can be adopted as the blower 22.
  • the flow of the atmospheric gas in the ventilation pipe 15 relies on natural convection, but in the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 2, the gas flow is forced by the installation of the blower 22.
  • metal impurities can be efficiently removed by the dust collector 20 and the magnetic separator 21.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the electromagnetic casting apparatus of the second embodiment.
  • the electromagnetic casting apparatus according to the second embodiment of the present invention shown in the figure is different from the electromagnetic casting apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1 in the following points.
  • the electromagnetic casting apparatus of the second embodiment has an upper exhaust pipe 23 connected to the upper side wall of the chamber 1 instead of the vent pipe 15 in the electromagnetic casting apparatus shown in FIG.
  • a lower exhaust pipe 24 connected to the lower side wall of the chamber 1 is provided.
  • the upper exhaust pipe 23 is opened at a position corresponding to the upper side of the cooling crucible 7, and introduces and discharges the atmospheric gas existing in the upper part of the chamber 1.
  • the lower exhaust pipe 24 opens at a position corresponding to the lower side of the cooling crucible 7, and introduces and discharges the atmospheric gas existing in the lower part of the chamber 1.
  • the exhaust amount of the atmospheric gas through each of the upper exhaust pipe 23 and the lower exhaust pipe 24 is adjusted by a flow rate adjusting valve (not shown) installed in each.
  • FIG. 3 shows an example in which the upper exhaust pipe 23 and the lower exhaust pipe 24 are provided on both sides sandwiching the central axis of the chamber 1, but the exhaust pipes 23 and 24 may be installed at only one place. And it does not matter even if it is three or more places.
  • the atmospheric gas existing above the cooling crucible 7 in the chamber 1 is partially a part as shown by the solid line arrow in FIG. However, it is introduced into the upper exhaust pipe 23 opened here and discharged to the outside, and the remainder not introduced into the upper exhaust pipe 23 descends in the vicinity of the side wall of the chamber 1.
  • the atmospheric gas that descends near the side wall of the chamber 1 and reaches the lower portion of the chamber 1 is finally discharged to the outside also from the exhaust port 6 on the bottom wall of the chamber 1, but most of it naturally convects in the chamber 1. . That is, as indicated by the solid line arrow in FIG. 3, a part of the atmospheric gas existing in the lower part in the chamber 1 is introduced into the lower exhaust pipe 24 opened here and discharged to the outside, and the lower exhaust The remainder that was not introduced into the pipe 24 entered the inside of the after heater 9 through the gap between the adjacent upper and lower after heaters 9 and ascended between the outer periphery of the ingot 3 and the inner periphery of the after heater 9 as it was.
  • the atmosphere gas reaching the upper side of the cooling crucible 7 is forced through the upper exhaust pipe 23 even when the convection atmosphere gas contains metal impurities. Since the exhaust gas is exhausted, the metal impurities contained in the atmospheric gas in the chamber 1 can be reduced, and accordingly, the amount of metal impurities carried directly above the cooling crucible 7 can be remarkably suppressed. As a result, impurity contamination of the molten silicon 12 due to the convection atmosphere gas can be prevented, and the ingot 3 having excellent quality can be manufactured.
  • the electromagnetic casting apparatus used in the present invention example 1 is the apparatus shown in FIG. 1 provided with only the dust collector of the dust collector and magnetic separator, in the present invention example 2, the apparatus shown in FIG. 1 and in the present invention example 3.
  • the apparatus shown in FIG. 2 and the apparatus shown in FIG. A cyclone type dust collector was adopted, a magnetic separator using a magnet filter was adopted, and a fan was adopted as a blower.
  • sample wafers are taken from the corresponding positions when the solidification rate is 0%, 10%, 30%, 50%, 70% and 90%, and the Fe concentration in each sample wafer is measured.
  • the solidification rate here represents the ratio of the weight of the solidified ingot to the total weight of the charged silicon raw material, and corresponds to the length from the lower end of the ingot (the first position of continuous casting).
  • a silicon ingot was continuously cast using the electromagnetic casting apparatus shown in FIG. 4 below, and a sample wafer was similarly collected from this ingot to measure the Fe concentration.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of an electromagnetic casting apparatus used for comparison.
  • the electromagnetic casting apparatus used in the comparative example shown in the same drawing is compared with the electromagnetic casting apparatus used in the inventive examples 1 to 3 shown in FIG.
  • the vent pipe 15 is different in that it does not include any of a dust collector, a magnetic separator, and a blower.
  • FIG. 5 is a diagram showing the measurement results of the Fe concentration in the silicon ingot in the present invention example and the comparative example.
  • the Fe concentration shown in the same figure is a relative value indexed with the minimum Fe concentration of 10 (reference) among the Fe concentrations obtained in the test of the comparative example. From the results shown in the figure, it is clear that the Fe concentration is reduced in all of the inventive examples 1 to 4 and the impurity contamination of the molten silicon can be prevented as compared with the comparative example using the electromagnetic casting apparatus having only the vent pipe. became.
  • the electromagnetic casting apparatus of the silicon ingot of the present invention even if the metal gas is contained in the atmospheric gas convection below the cooling crucible, it can be reduced by removing the metal impurity from the atmospheric gas, Alternatively, the atmospheric gas containing the metal impurities can be forcibly exhausted, and it is possible to prevent the molten silicon from being contaminated with the metal impurities due to the convective atmospheric gas. Therefore, the continuous casting method of the present invention is extremely useful in that a silicon ingot for a solar cell excellent in quality can be produced.

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Abstract

　チャンバー内に配置した無底冷却ルツボにシリコン原料を装入し、誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバーの側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボの上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボの下方に送り出す通気管を備え、この通気管の経路に集塵機および磁選機を設ける。これにより、連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できる。

Description

シリコンインゴットの電磁鋳造装置
　本発明は、太陽電池用基板の素材であるシリコンインゴットを連続鋳造するための電磁鋳造装置に関する。
　近年、ＣＯ２排出による地球温暖化問題やエネルギー資源の枯渇問題が深刻化しており、それらの問題の対応策の一つとして、無尽蔵に降りそそぐ太陽光エネルギーを活用する太陽光発電が注目されている。太陽光発電は、太陽電池を使用して太陽光エネルギーを直接電力に変換する発電方式であり、太陽電池の基板には、多結晶のシリコンウェーハを用いるのが主流である。
　太陽電池用の多結晶シリコンウェーハは、一方向性凝固のシリコンインゴットを素材とし、このインゴットをスライスして製造される。このため、太陽電池の普及を図るには、シリコンウェーハの品質を確保するとともに、コストを低減する必要があり、その前段階で、高品質のシリコンインゴットを安価に製造することが要求される。この要求に対応できる方法として、例えば、特許文献１に開示されるように、電磁誘導を利用した連続鋳造方法（以下、「電磁鋳造法」ともいう）が実用化されている。
　図６は、電磁鋳造法で用いられる従来の代表的な電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、電磁鋳造装置はチャンバー１を備える。チャンバー１は、内部を外気から隔離し鋳造に適した不活性ガス雰囲気に維持する二重壁構造の水冷容器である。チャンバー１の上壁には、開閉可能なシャッター２を介し、図示しない原料供給装置が連結されている。チャンバー１は、不活性ガス導入口５が設けられ、下部の側壁に排気口６が設けられている。
　チャンバー１内には、無底冷却ルツボ７、誘導コイル８およびアフターヒーター９が配置されている。冷却ルツボ７は、融解容器としてのみならず、鋳型としても機能し、熱伝導性および導電性に優れた金属（例えば、銅）製の角筒体で、チャンバー１内に吊り下げられている。この冷却ルツボ７は、上部を残して周方向で複数の短冊状の素片に分割され、内部を流通する冷却水によって強制冷却される。
　誘導コイル８は、冷却ルツボ７を囲繞するように、冷却ルツボ７と同芯に周設され、図示しない電源装置に接続されている。アフターヒーター９は、冷却ルツボ７の下方に冷却ルツボ７と同芯に複数連設され、冷却ルツボ７から引き下げられるシリコンインゴット３を加熱して、その軸方向に適切な温度勾配を与える。
　また、チャンバー１内には、原料供給装置に連結されたシャッター２の下方に原料導入管１０が取り付けられている。シャッター２の開閉に伴って、粒状や塊状のシリコン原料１１が原料供給装置から原料導入管１０内に供給され、冷却ルツボ７内に装入される。
　チャンバー１の底壁には、アフターヒーター９の真下に、インゴット３を抜き出すための引出し口４が設けられ、この引出し口４はガスでシールされている。インゴット３は、引出し口４を貫通して下降する支持台１４によって支えられながら引き下げられる。
　冷却ルツボ７の真上には、プラズマトーチ１３が昇降可能に設けられている。プラズマトーチ１３は、図示しないプラズマ電源装置の一方の極に接続され、他方の極は、インゴット３側に接続されている。このプラズマトーチ１３は、下降させた状態で冷却ルツボ７内に挿入される。
　このような電磁鋳造装置を用いた電磁鋳造法では、冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８に交流電流を印加するとともに、下降させたプラズマトーチ１３に通電を行う。このとき、冷却ルツボ７を構成する短冊状の各素片が互いに電気的に分割されていることから、誘導コイル８による電磁誘導に伴って各素片内で渦電流が発生し、冷却ルツボ７の内壁側の渦電流が冷却ルツボ７内に磁界を発生させる。これにより、冷却ルツボ７内のシリコン原料１１は電磁誘導加熱されて融解し、溶融シリコン１２が形成される。また、プラズマトーチ１３とシリコン原料１１、さらには溶融シリコン１２との間にプラズマアークが発生し、そのジュール熱によっても、シリコン原料１１が加熱されて融解し、電磁誘導加熱の負担を軽減して効率良く溶融シリコン１２が形成される。
　溶融シリコン１２は、冷却ルツボ７の内壁の渦電流に伴って生じる磁界と、溶融シリコン１２の表面に発生する電流との相互作用により、溶融シリコン１２の表面の内側法線方向に力（ピンチ力）を受けるため、冷却ルツボ７と非接触の状態に保持される。冷却ルツボ７内でシリコン原料１１を融解させながら、溶融シリコン１２を支える支持台１４を徐々に下降させると、誘導コイル８の下端から遠ざかるにつれて誘導磁界が小さくなることから、発熱量およびピンチ力が減少し、さらに冷却ルツボ７からの冷却により、溶融シリコン１２は外周部から凝固が進行する。そして、支持台１４の下降に伴ってシリコン原料１１を連続的に装入し、融解および凝固を継続することにより、溶融シリコン１２が一方向に凝固し、インゴット３を連続鋳造することができる。
　鋳造中は、チャンバー１内を不活性ガス雰囲気に維持するため、チャンバー１の上部の不活性ガス導入口５から不活性ガスが逐次供給され、チャンバー１内に充満する。チャンバー１内の不活性ガスは、チャンバー１の下部側壁の排気口６から逐次排出される。このとき、プラズマトーチ１３からのプラズマアークにより溶融シリコン１２からＳｉＯ（シリコン酸化物）が激しく蒸発しており、このＳｉＯガスは不活性ガスとともに排気口６から排出される。
　このような電磁鋳造装置によれば、溶融シリコン１２と冷却ルツボ７との接触が軽減されるため、その接触に伴う冷却ルツボ７からの不純物汚染が防止され、高品質のインゴット３を得ることができる。しかも、連続鋳造であることから、安価にインゴット３を製造することが可能になる。
国際公開ＷＯ０２／０５３４９６号パンフレット
　上述した電磁鋳造装置では、チャンバー１内の雰囲気温度は、インゴット３が存在する中心部で高く、チャンバー１の側壁に近づくほど低くなり、同じ中心部でも溶融シリコン１２が存在する上方ほど高くなる。この温度差に起因し、チャンバー１内には、図６中の実線矢印で示すように、雰囲気ガスの自然対流が発生する。具体的には、インゴット３の外周とアフターヒーター９の内周との間を上昇し、最上段のアフターヒーター９の上端と冷却ルツボ７の下端との隙間を抜けて冷却ルツボ７の外側をさらに上昇した後、チャンバー１の側壁近傍を下降する雰囲気ガスの対流が発生する。このように対流して冷却ルツボ７の外側を上昇する雰囲気ガスの一部は、図６中の点線矢印で示すように、冷却ルツボ７の真上にも流入する。
　すると、対流する雰囲気ガス中に金属不純物が含まれていた場合、その不純物が雰囲気ガスの流れに伴って冷却ルツボ７の真上まで運ばれ、冷却ルツボ７内に落下して溶融シリコン１２中に混入することがある。この場合、溶融シリコン１２が金属不純物で汚染されることから、この溶融シリコン１２から鋳造されたインゴット３は品質が低下する。金属不純物は、例えば、アフターヒーター９の構成部材にＦｅやＣｒを含有する耐熱合金を採用する場合に、雰囲気ガスがアフターヒーター９に沿って上昇する過程で雰囲気ガス中に取り込まれ易い。
　本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、電磁鋳造法によりシリコンインゴットを連続鋳造する際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するため、鋳造時にチャンバー内で自然対流する雰囲気ガスの流れに着目して鋭意検討を重ね、種々の試験を行った。その結果、自然対流に伴い金属不純物を含んで冷却ルツボの上方に達した雰囲気ガスから金属不純物を除去するか、またはその金属不純物を含む雰囲気ガスを強制排気することにより、対流する雰囲気ガスに起因した溶融シリコンの不純物汚染を防止できることを知見し、本発明を完成させた。
　本発明の要旨は、下記の（１）および（２）に示すシリコンインゴットの電磁鋳造装置にある。
　（１）チャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバーの側壁の上部と下部に連結され、無底冷却ルツボの上方の雰囲気ガスを導入して無底冷却ルツボの下方に送り出す通気管を備え、この通気管の経路に集塵機を設けたことを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置である。
　上記（１）の電磁鋳造装置では、さらに、前記通気管の経路に磁選機を設けたり、前記通気管の経路に送風機を設ける構成とすることが好ましい。
　（２）チャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバーの側壁の上部に連結され、無底冷却ルツボの上方の雰囲気ガスを導入して排出する上部排気管を備え、チャンバーの側壁の下部に連結され、無底冷却ルツボの下方の雰囲気ガスを導入して排出する下部排気管を備えたことを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置である。
　本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置によれば、冷却ルツボの下方で雰囲気ガスが対流し、この雰囲気ガスに金属不純物が含まれる場合であっても、その雰囲気ガスから金属不純物を除去して低減することができ、またはその金属不純物を含む雰囲気ガスを強制排気することができるため、対流する雰囲気ガスに起因した溶融シリコンの不純物汚染を防止することが可能になる。
図１は、第１実施形態の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。 図２は、第１実施形態の電磁鋳造装置の変形例の構成を模式的に示す図である。 図３は、第２実施形態の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。 図４は、比較のために用いた電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。 図５は、本発明例および比較例でのシリコンインゴットにおけるＦｅ濃度の測定結果を示す図である。 図６は、電磁鋳造法で用いられる従来の代表的な電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。
　以下に、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置について、その実施形態を第１実施形態と第２実施形態に区分して詳述する。
　＜第１実施形態＞
　図１は、第１実施形態の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。同図に示す本発明の第１実施形態の電磁鋳造装置は、前記図６に示す電磁鋳造装置の構成を基本とし、それと同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は適宜省略する。
　図１に示すように、第１実施形態の電磁鋳造装置は、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結された通気管１５を有する。この通気管１５の上下の各端は、冷却ルツボ７の上方に相当する位置と、冷却ルツボ７の下方に相当する位置にそれぞれ開口している。図１では、チャンバー１の中心軸を間に挟む両側にそれぞれ通気管１５を設けた例を示しているが、通気管１５の設置は１箇所のみでもよいし、３箇所以上でも構わない。
　第１実施形態の電磁鋳造装置では、各通気管１５の経路に集塵機２０が設けられている。集塵機２０としては、サイクロン方式やフィルター方式や電気集塵方式などの集塵機を採用できる。さらに各通気管１５の経路には、集塵機２０とともに磁選機２１が併設されている。磁選機２１としては、マグネットフィルターやマグネットバーや電磁石などを用いた磁選機を採用できる。
　なお、チャンバー１内に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入口５は、チャンバー１の上壁に設けられ、この不活性ガス導入口５には不活性ガス導入管１７が接続されている。チャンバー１内の雰囲気ガスを排出するための排気口６は、前記図６に示す電磁鋳造装置と同様にチャンバー１の下部の側壁に設けられ、この排気口６には排気管１６が接続されている。図１では、便宜上、排気口６をチャンバー１の底壁に設けた状態を示している。排気管１６を通じた排気口６からの雰囲気ガスの排気量は、排気管１６に設置した図示しない流量調整弁によって調整される。
　このような構成の第１実施形態の電磁鋳造装置を用いた電磁鋳造において、チャンバー１内で冷却ルツボ７の上方に存在する雰囲気ガスは、図１中の実線矢印で示すように、その一部が、ここに開口する通気管１５の上端から通気管１５内に導入され、通気管１５内を下降した後、冷却ルツボ７の下方に相当するチャンバー１の下部内に送り出され、通気管１５に導入されなかった残りが、チャンバー１の側壁近傍を下降する。
　通気管１５を通じてチャンバー１の下部内に導入された雰囲気ガス、およびチャンバー１の側壁近傍を下降した雰囲気ガスは、最終的には排気口６からチャンバー１の外部に排出されるが、大半はチャンバー１内で自然対流する。すなわち、チャンバー１内の下部に存在する雰囲気ガスは、図１中の実線矢印で示すように、上下に隣接するアフターヒーター９同士の隙間を抜けてアフターヒーター９の内側に進入し、そのままインゴット３の外周とアフターヒーター９の内周との間を上昇した後、最上段のアフターヒーター９の上端と冷却ルツボ７の下端との隙間を抜けて冷却ルツボ７の外側に到達する。そして、冷却ルツボ７の外側に到達した雰囲気ガスは、さらに上昇し、その一部が通気管１５に導入され、残りがチャンバー１の側壁近傍を再び下降する。このような雰囲気ガスの自然対流が発生する。
　その際、対流する雰囲気ガスに金属不純物が含まれる場合、通気管１５に導入された雰囲気ガスが集塵機２０を経る過程で金属不純物が集塵機２０に捕捉されて除去され、この浄化された雰囲気ガスがチャンバー１の下部に送り出される。このとき、集塵機２０による不純物除去が完全でない場合でも、集塵機２０を経た雰囲気ガスがさらに磁選機２１を経ることにより、金属不純物が磁選機２１に選択的に捕捉されるため、効果的に金属不純物を除去することができる。
　したがって、本発明の第１実施形態の電磁鋳造装置によれば、対流する雰囲気ガスに金属不純物が含まれる場合であっても、磁冷却ルツボ７の上方に達した雰囲気ガスが通気管１５に導入され、集塵機２０により、場合によってはさらには磁選機２１により、その雰囲気ガスから金属不純物が除去され、この浄化された雰囲気ガスがチャンバー１の下部に送り出されるという循環が繰り返されるため、チャンバー１内の雰囲気ガスに含まれる金属不純物を低減することができ、これに伴い、冷却ルツボ７の真上に運ばれる金属不純物の量を著しく抑制することが可能になる。その結果、対流する雰囲気ガスに起因した溶融シリコン１２の不純物汚染を防止することができ、品質に優れたインゴット３を製造することができる。
　図２は、第１実施形態の電磁鋳造装置の変形例の構成を模式的に示す図である。同図に示す電磁鋳造装置は、前記図１に示す電磁鋳造装置において、各通気管１５の経路に送風機２２を付加した構成である。送風機２２としては、ファンやブロアを採用できる。前記図１に示す電磁鋳造装置では、通気管１５での雰囲気ガスの流れを自然対流に頼っているが、図２に示す電磁鋳造装置では、送風機２２の設置により、そのガス流れを強制的に形成することができ、その結果として集塵機２０や磁選機２１による金属不純物の除去を効率良く行える。
　＜第２実施形態＞
　図３は、第２実施形態の電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。同図に示す本発明の第２実施形態の電磁鋳造装置は、前記図１に示す第１実施形態の電磁鋳造装置と比較し、以下の点で構成が相違する。
　図３に示すように、第２実施形態の電磁鋳造装置は、前記図１に示す電磁鋳造装置における通気管１５に代え、チャンバー１の上部の側壁に連結された上部排気管２３を有し、チャンバー１の下部の側壁に連結された下部排気管２４を有する。上部排気管２３は冷却ルツボ７の上方に相当する位置に開口し、チャンバー１の上部に存在する雰囲気ガスを導入して排出する。一方、下部排気管２４は冷却ルツボ７の下方に相当する位置に開口し、チャンバー１の下部に存在する雰囲気ガスを導入して排出する。上部排気管２３および下部排気管２４のそれぞれを通じた雰囲気ガスの排気量は、それぞれに設置した図示しない流量調整弁によって調整される。
　図３では、チャンバー１の中心軸を間に挟む両側にそれぞれ上部排気管２３および下部排気管２４を設けた例を示しているが、これらの排気管２３、２４の設置は１箇所のみでもよいし、３箇所以上でも構わない。
　このような構成の第２実施形態の電磁鋳造装置を用いた電磁鋳造において、チャンバー１内で冷却ルツボ７の上方に存在する雰囲気ガスは、図３中の実線矢印で示すように、その一部が、ここに開口する上部排気管２３内に導入されて外部に排出され、上部排気管２３に導入されなかった残りが、チャンバー１の側壁近傍を下降する。
　チャンバー１の側壁近傍を下降しチャンバー１の下部に達した雰囲気ガスは、最終的にはチャンバー１の底壁の排気口６からも外部に排出されるが、大半はチャンバー１内で自然対流する。すなわち、チャンバー１内の下部に存在する雰囲気ガスは、図３中の実線矢印で示すように、その一部が、ここに開口する下部排気管２４内に導入されて外部に排出され、下部排気管２４に導入されなかった残りが、上下に隣接するアフターヒーター９同士の隙間を抜けてアフターヒーター９の内側に進入し、そのままインゴット３の外周とアフターヒーター９の内周との間を上昇した後、最上段のアフターヒーター９の上端と冷却ルツボ７の下端との隙間を抜けて冷却ルツボ７の外側に到達する。そして、冷却ルツボ７の外側に到達した雰囲気ガスは、さらに上昇し、その一部が上部排気管２３から排出され、残りがチャンバー１の側壁近傍を再び下降する。このような雰囲気ガスの自然対流が発生する。
　したがって、本発明の第１実施形態の電磁鋳造装置によれば、対流する雰囲気ガスに金属不純物が含まれる場合であっても、冷却ルツボ７の上方に達した雰囲気ガスが上部排気管２３を通じて強制排気されるため、チャンバー１内の雰囲気ガスに含まれる金属不純物を低減することができ、これに伴い、冷却ルツボ７の真上に運ばれる金属不純物の量を著しく抑制することが可能になる。その結果、対流する雰囲気ガスに起因した溶融シリコン１２の不純物汚染を防止することができ、品質に優れたインゴット３を製造することができる。
　本発明の電磁鋳造装置による効果を確認するため、構成の異なる種々の電磁鋳造装置を用いてシリコンインゴットを電磁鋳造した。用いた電磁鋳造装置は、本発明例１では前記図１に示す装置で集塵機および磁選機のうちの集塵機のみを設けたもの、本発明例２では前記図１に示す装置、本発明例３では前記図２に示す装置、本発明例４では前記図３に示す装置とした。集塵機としてはサイクロン方式のものを採用し、磁選機としてはマグネットフィルターを用いたものを採用し、送風機としてはファンを採用した。
　製造した各インゴットにおいて、固化率が０％、１０％、３０％、５０％、７０％および９０％のときに対応する位置からそれぞれサンプルウェーハを採取し、各サンプルウェーハ中のＦｅ濃度を測定する試験を行った。ここでいう固化率とは、装入したシリコン原料の総重量に対する固化したインゴットの重量の比率を表わし、インゴットの下端（連続鋳造の最初の位置）からの長さに対応する。また、比較のために、下記の図４に示す電磁鋳造装置を用いてシリコンインゴットを連続鋳造し、このインゴットからも同様にサンプルウェーハを採取してＦｅ濃度を測定した。
　図４は、比較のために用いた電磁鋳造装置の構成を模式的に示す図である。同図に示す比較例で用いた電磁鋳造装置は、前記図１に示す本発明例１～３で用いた電磁鋳造装置と比較し、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結された通気管１５を有する点で共通するが、その通気管１５に集塵機、磁選機および送風機のいずれも有しない点で相違する。
　図５は、本発明例および比較例でのシリコンインゴットにおけるＦｅ濃度の測定結果を示す図である。同図に示すＦｅ濃度は、比較例の試験で得られたＦｅ濃度のうちで最小のＦｅ濃度を１０（基準）として指数化した相対値である。同図に示す結果から、単に通気管のみを有する電磁鋳造装置を用いた比較例と比べ、本発明例１～４のいずれもＦｅ濃度が低減し、溶融シリコンの不純物汚染を防止できることが明らかになった。
　本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造装置によれば、冷却ルツボの下方で対流する雰囲気ガスに金属不純物が含まれる場合であっても、その雰囲気ガスから金属不純物を除去して低減することができ、またはその金属不純物を含む雰囲気ガスを強制排気することができ、対流する雰囲気ガスに起因して溶融シリコンが金属不純物で汚染されるのを防止することが可能になる。したがって、本発明の連続鋳造方法は、品質に優れた太陽電池用のシリコンインゴットを製造することができる点で極めて有用である。
　　１：チャンバー、　　２：シャッター、　　３：シリコンインゴット、
　　４：引出し口、　　５：不活性ガス導入口、　　６：排気口、
　　７：無底冷却ルツボ、　　８：誘導コイル、
　　９：アフターヒーター、　　１０：原料導入管、
　　１１：シリコン原料、　　１２：溶融シリコン、
　　１３：プラズマトーチ、　　１４：支持台、　　１５：通気管、
　　１６：排気管、　１７：不活性ガス導入管、
　　２０：集塵機、　　２１：磁選機、　　２２：送風機、
　　２３：上部排気管、　　２４：下部排気管
 
 

Claims (4)

  1. 　チャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、
    　チャンバーの側壁の上部と下部に連結され、無底冷却ルツボの上方の雰囲気ガスを導入して無底冷却ルツボの下方に送り出す通気管を備え、
    　この通気管の経路に集塵機を設けたことを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
  2. 　さらに、前記通気管の経路に磁選機を設けたことを特徴とする請求項１に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
  3. 　さらに、前記通気管の経路に送風機を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
  4. 　チャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造装置において、
    　チャンバーの側壁の上部に連結され、無底冷却ルツボの上方の雰囲気ガスを導入して排出する上部排気管を備え、
    　チャンバーの側壁の下部に連結され、無底冷却ルツボの下方の雰囲気ガスを導入して排出する下部排気管を備えたことを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造装置。
     
     
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102797039A (zh) * 2012-08-21 2012-11-28 北京科技大学 一种利用电磁法生产超纯多晶硅锭的装置及方法
WO2015089959A1 (zh) * 2013-12-18 2015-06-25 陕西同心连铸管业科技有限公司 空心铸铁管材及其垂直连铸方法和专用设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01264920A (ja) * 1988-04-15 1989-10-23 Osaka Titanium Co Ltd シリコン鋳造装置
JPH0251493A (ja) * 1988-08-11 1990-02-21 Osaka Titanium Co Ltd シリコン鋳造装置
JPH04342496A (ja) * 1991-05-16 1992-11-27 Osaka Titanium Co Ltd 太陽電池用多結晶シリコン鋳塊の製造方法
WO2007020706A1 (ja) * 2005-08-19 2007-02-22 Sumco Solar Corporation シリコン電磁鋳造装置およびその操作方法
JP2008156166A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Sumco Solar Corp シリコンインゴットの鋳造方法および切断方法
JP2009046339A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sumco Solar Corp シリコン鋳造装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01264920A (ja) * 1988-04-15 1989-10-23 Osaka Titanium Co Ltd シリコン鋳造装置
JPH0251493A (ja) * 1988-08-11 1990-02-21 Osaka Titanium Co Ltd シリコン鋳造装置
JPH04342496A (ja) * 1991-05-16 1992-11-27 Osaka Titanium Co Ltd 太陽電池用多結晶シリコン鋳塊の製造方法
WO2007020706A1 (ja) * 2005-08-19 2007-02-22 Sumco Solar Corporation シリコン電磁鋳造装置およびその操作方法
JP2008156166A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Sumco Solar Corp シリコンインゴットの鋳造方法および切断方法
JP2009046339A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sumco Solar Corp シリコン鋳造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102797039A (zh) * 2012-08-21 2012-11-28 北京科技大学 一种利用电磁法生产超纯多晶硅锭的装置及方法
WO2015089959A1 (zh) * 2013-12-18 2015-06-25 陕西同心连铸管业科技有限公司 空心铸铁管材及其垂直连铸方法和专用设备

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