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WO2011131535A1 - Method and device for producing electronic and/or energy generating and/or energy converting elements and components - Google Patents

Method and device for producing electronic and/or energy generating and/or energy converting elements and components Download PDF

Info

Publication number
WO2011131535A1
WO2011131535A1 PCT/EP2011/055802 EP2011055802W WO2011131535A1 WO 2011131535 A1 WO2011131535 A1 WO 2011131535A1 EP 2011055802 W EP2011055802 W EP 2011055802W WO 2011131535 A1 WO2011131535 A1 WO 2011131535A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
energy
elements
beam elements
application
coating
Prior art date
Application number
PCT/EP2011/055802
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Nikita Hirsch
Boris Tarasov
Original Assignee
Noecker, Sven
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noecker, Sven filed Critical Noecker, Sven
Publication of WO2011131535A1 publication Critical patent/WO2011131535A1/en

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    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
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    • H01L31/03926Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
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    • HELECTRICITY
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    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a method and a device for producing an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element.
  • Electronic elements such as integrated circuits, or CHIP
  • power-generating elements such as photovoltaic elements
  • energy-converting elements such as light-emitting diodes (LEDs), organic light-emitting diodes (OLEDs), and lasers
  • LEDs light-emitting diodes
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • lasers become essentially everywhere information is processed , transmitted, controlled, stored and projected to the outside, used.
  • the fields of application of such electronic and / or power-generating and / or energy-converting elements include computers, televisions, industrial equipment, advertising industry and many other fields.
  • Inorganic semiconductors are used essentially for the production of electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements, in particular silicon, arsenide gallium and others. Such elements are usually firmly shaped.
  • such flexible elements could be arbitrarily shaped during use and arbitrarily bent as they conform to the curved surface.
  • Some of the best-known methods for producing electronic elements are the methods for producing integrated electronic circuit elements, which are usually also called microchips.
  • Individual elements are produced by the doping by introducing impurities into the semiconductor structure or the epitaxy (the deposition with regular continuation of the crystal lattice of the substrate) on the surface of the substrate material or by layer application.
  • the oxidation for the production of insulating layers in the form of silicon oxide, the metallization for the production of the contacts and printed conductors as well as the lithography (painting, masking, exposure, etching) for the structuring of the individual layers must be mentioned.
  • the sputtering process is mostly used.
  • the liquid silicon is usually doped positive-conductive.
  • the starting materials are predominantly the monocrystalline silicon rods, which are cut into approximately 300 ⁇ m thin slices.
  • the silicon blocks or plates are doped on a surface with a pentavalent element, either by passing suitable gases at high temperatures or by bombardment with ions.
  • electrical contacts must be vapor-deposited or printed on the silicon wafers.
  • the semiconductor elements are placed on a flexible support by classical chemical vapor deposition or wet chemical deposition.
  • This process is also characterized as very expensive.
  • the non-uniform densities at phase boundaries or phase transitions reduce the reproducibility of the electronic elements fabricated in this way as well as the efficiency of the photovoltaic devices fabricated in this way.
  • UV nanoimprint is a lithography technology for the fabrication of nanoscale structures in the field of nanoelectronics, photonics and biotechnology.
  • the basic idea is the replication of structures which are etched into a template (stamp) by imprinting this template into a low viscosity UV curable resist. After filling all the hollows of the template with the paint, the lacquer layer is cured by means of UV light. In the final step, the template is removed and a 3-dimensional replication of the structures in the resist film remains. By further anisotropic etching, the nanostructures can then be transferred into a substrate.
  • the process has the following disadvantages: low reproducibility, like all roll-to-roll processes, as well as the many technologically complex steps, in particular by the etching.
  • OLEDs Organic Light Emitting Diodes
  • Disadvantages of this method also include a very uneven distribution of the guest material concentration, insufficient reproducibility and poor efficiency of the electronic components produced in this way.
  • Another known method is a spray coating method for the production of organic photovoltaic elements.
  • Disadvantages include substantial difficulties of doping organic semiconductors.
  • All known methods for producing electronic and / or energy-generating, and / or energy-converting elements and components also include the production of thin insulating layers. Such thin dielectric layers must have a very high homogeneity.
  • Liquid materials should form a solid and hard or firm and flexible substrate.
  • Sintering is the densification of green bodies under certain physical applications, such as heat treatment by the diffusion transport of atoms.
  • the compaction may only lead to a uniform and reproducible shrinkage.
  • Decisive properties for the shaping and / or the emergence of basic elements and / or components of electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components are the properties of the material mixtures or "feedstocks" to be used, such as, for example, the mixtures of nanotubes, organic semiconductors and doping materials as well as the flow behavior and the packing behavior of the mixtures to be used.
  • Stable suspensions are understood to mean well-dispersed powder slurries in which the particles do not accumulate.
  • Van der Walls attraction can be diminished or compensated by charge of the particles (electrostatic repulsion) and / or by coating the particles with polymers that hinder mutual contact of the Patrtikelober inhabit (steric hindrance).
  • the interactions between the particles are essentially determined by the different ranges of attraction, repulsion and hindrance forces.
  • Solid phase sintering occurs at temperatures below the melting point of the lowest melting component.
  • At least one component In liquid phase sintering, at least one component must form a low melting percentage.
  • Another possibility is sintering by viscous flow, in which case there is a high melting percentage.
  • Reaction sintering is characterized by the emergence of a new phase (from the transitional melt that first formed).
  • the driving force for sintering, neck growth, pore shape change, shrinkage and grain growth is the reduction in surface and interfacial energy, as part of free Gibbs energy G.
  • gs, gb specific surface energy and grain boundary energy and As and Ab are the entire surface or grain boundary surface of the sintered body.
  • Atomic transport takes place with differences in the chemical potential of atoms or vacancies.
  • the different chemical potential ⁇ in the sintered body is associated with locally different curvatures of the grains. Mathematically, this can be formulated as
  • ⁇ K is the difference in surface curvature between two sites in the sintered body and ⁇ is the volume of the atomic species.
  • the curvature scales with 1 / grain size.
  • the ratio of chemical potential to volume ⁇ is the sintering potential ⁇ (unit MPa):
  • the object of the present invention is to provide a method and a device of the type mentioned which avoids the disadvantages of the above-described methods / devices.
  • Compaction and formation of semiconductor structures - inorganic, as well as organic, and / or metal powder semiconductor structures and / or semiconductor ceramic structures and / or semiconductor polymer structures, and / or ceramic powder semiconductor structures, and / or polymer nanocomposite structures, and / or semiconductor Metal polymer structures and / or semiconductor nanocomposite structures and / or semiconductor nanocomposite metallo-polymer structures and / or semiconductor nanocomposite polymer structures and / or their arbitrary compositions are made by Van der Walls forces or at the nano-base by Casimir forces.
  • electro-insulating materials in the support materials and / or their arbitrary combinations can be significantly influenced and controlled by the application of special consequences of pulsed controllable Ehergieeinflüssen.
  • the method according to the invention has further advantages in comparison with the known methods.
  • a further advantage is that the method according to the invention makes it possible to produce the electronic and / or energy-generating, and / or energy-converting elements and components from a plurality of different materials previously not to be combined with dramatically different properties and combinations thereof without additional technological steps ,
  • a further advantage lies in the fact that the specially nano- and microscopically defined geometrical structures can be embossed into the surface as well as in inner layers by the novel process according to the invention.
  • Such structures are necessary in the manufacture of screens, integrated circuits, electronic components as well as in the manufacture of photovoltaic elements.
  • a further advantage resides in the fact that different selectable components and / or parts of the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components can have different hardness and / or strength properties and / or elasticity properties due to the novel method according to the invention.
  • an outer surface of an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element and / or component may have a higher hardness and higher scratch resistance relative to the inner part.
  • a further advantage is that flexible flexible electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and / or components with very high efficiencies produced by the novel process according to the invention are highly reproducible.
  • a further advantage is that the novel process according to the invention makes it possible to produce flexible flexible electronic and / or energy-generating and / or energy-converted elements and / or components in the form of endless, flexible, thin-film films.
  • the single FIGURE shows a schematic side view as an embodiment, an apparatus for producing electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components by the use of a printing press.
  • a carrier material for example in the form of a thin film, is supplied by a supply roll 4 by printing units 2 and 3 and by treatment units 5 to 11 to the take-up roll for the finished electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements or components containing products, for example a light emitting screen based on a thin film photovoltaic film or thin film organic light emitting diode (OLED).
  • a supply roll 4 by printing units 2 and 3 and by treatment units 5 to 11 to the take-up roll for the finished electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements or components containing products, for example a light emitting screen based on a thin film photovoltaic film or thin film organic light emitting diode (OLED).
  • OLED organic light emitting diode
  • the treatment units include pulsed controllable energy introduction units, such as one or more ultrasound beam elements and / or one or more megasonic beam elements and / or one or more gigasound beam elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beams Elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements and / or any combinations thereof.
  • pulsed controllable energy introduction units such as one or more ultrasound beam elements and / or one or more megasonic beam elements and / or one or more gigasound beam elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beams Elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements and / or any combinations thereof.
  • the pressure generating elements which serve to generate pulsed pressures could be designed in various ways, for example as a pneumatic, hydraulic, gas-dynamic pulsed pressure generator, ultrasonic or megasonic pulsed pressure generator, pulsed laser pressure generator, pulsed magnetostrictive pressure generator, pulsed plasma pressure generator, pulsed thermostrictive pressure generator, pulsed chemical pressure generator, microscopic explosion pressure generator, electric discharge pressure generator.
  • the inventive method was further tested using the example of a thin-film photovoltaic element with different material combinations, including, for example:
  • a thin-layered stainless steel foil and a modified polyimide film were tested as carrier materials.
  • the thickness of the films was, for example, 1 ⁇ m and 1.5 ⁇ m.
  • Thin-film photovoltaic elements were produced according to the invention by the use of an offset printing machine.
  • Photovoltaic elements produced according to the invention have shown good flexibility.
  • a quality test of the photovoltaic elements produced according to the invention has given the necessary homogeneity and excellent reproducibility.

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Abstract

The invention relates to a method for producing an electronic and/or energy generating and/or energy converting element, characterized by activating and/or mobilizing and/or controlling quantum mechanical and/or quantum chemical effects and forces and/or an arbitrary combination thereof on the basis of applying particular energy influences.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender und/oder energieumwandelnder Elemente und KomponentenMethod and device for producing electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elementes. The present invention relates to a method and a device for producing an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element.
Elektronische Elemente, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise, oder CHIP, energieerzeugende Elemente, wie zum Beispiel Photovoltaikelemente, und energieumwandelnde Elemente, wie zum Beispiel lichtemittierende Dioden (LED), organische lichtemittierende Dioden (OLED) und Laser, werden in wesentlichen überall, wo Informationen bearbeitet, übertragen, gesteuert, gespeichert und nach Außen projeziert werden, verwendet. Electronic elements, such as integrated circuits, or CHIP, power-generating elements, such as photovoltaic elements, and energy-converting elements, such as light-emitting diodes (LEDs), organic light-emitting diodes (OLEDs), and lasers, become essentially everywhere information is processed , transmitted, controlled, stored and projected to the outside, used.
Die Anwendungsbereiche solcher elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elemente sind unter anderen Computer, Fernsehgeräte, industrielle Anlagen, Werbungsindustrie und viele andere Gebiete. The fields of application of such electronic and / or power-generating and / or energy-converting elements include computers, televisions, industrial equipment, advertising industry and many other fields.
Heutzutage basieren an sich bekannte elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Elemente auf verschiedenen Halbleiterwerkstoffen und deren Kompositionen. Nowadays known electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements are based on various semiconductor materials and their compositions.
Anorganische Halbleiter werden im wesentlichen für die Herstellung von elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elementen benutzt, hierbei insbesondere Silizium, Arsenidgallium und andere. Solche Elemente sind meistens fest geformt.Inorganic semiconductors are used essentially for the production of electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements, in particular silicon, arsenide gallium and others. Such elements are usually firmly shaped.
Es wäre wünschenswert die elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elemente als auch halbleitende Bauelemente in verschiedenen biegsamen Formen zu produzieren. It would be desirable to produce the electronic and / or energy-producing and / or energy-converting elements as well as semiconducting devices in various flexible forms.
Solche biegsame Elemente könnten zum Beispiel während der Verwendung beliebig geformt und bei der Anpassung an die gekrümmte Oberfläche beliebig gebogen werden. For example, such flexible elements could be arbitrarily shaped during use and arbitrarily bent as they conform to the curved surface.
Es wäre auch wünschenswert die elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnde Elemente als auch halbleitende Bauelemente so einfach wie möglich zu produzieren. It would also be desirable to produce the electronic and / or energy-producing and / or energy-converting elements as well as semiconducting devices as simply as possible.
Es wäre auch wünschenswert die elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elemente als auch halbleitende Bauelemente so günstig wie möglich zu produzieren. It would also be desirable to produce the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements as well as semiconducting devices as cheaply as possible.
Heutzutage sind einige Verfahren zur Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender, und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten bekannt.Nowadays, some processes for producing electronic and / or energy-producing and / or energy-converting elements and components are known.
Einige der bekanntesten Verfahren zur Herstellung elektronischer Elemente sind die Verfahren zur Herstellung integrierter elektronischer Schaltelemente, die meistens auch Mikrochips genannt werden. Some of the best-known methods for producing electronic elements are the methods for producing integrated electronic circuit elements, which are usually also called microchips.
In der Produktion integrierter Schaltkreise werden immer aufwendigere Herstellungsverfahren erforderlich, um immer mehr Schaltungen auf einer Grundfläche unterzubringen. Mit laufend verbesserten Verfahrenstechniken stiegen die Kosten laufend an. Sie waren in den letzten beiden Jahrzehnten nur durch eine lineare Zunahme der Integrationsdichte aufzufangen. In the production of integrated circuits more and more complex manufacturing processes are required to accommodate more and more circuits on a floor space. With constantly improved process technologies, costs rose steadily. Over the past two decades, they have only been offset by a linear increase in the density of integration.
Im Fall von monolitischen integrierten Schaltkreisen werden alle Bauelemente auf einem einzigen Stück einkristallinen Halbleitermaterials hergestellt.In the case of monolithic integrated circuits, all devices are fabricated on a single piece of single crystal semiconductor material.
Einzelne Elemente werden durch die Dotierung durch Einbringen von Fremdatomen in die Halbleiterstruktur oder die Epitaxie ( die Abscheidung unter regelmäßiger Fortsetzung des Kristallgitters des Substrates) an der Oberfläche des Substratmaterials oder durch Schichtauftrag gefertigt. Individual elements are produced by the doping by introducing impurities into the semiconductor structure or the epitaxy (the deposition with regular continuation of the crystal lattice of the substrate) on the surface of the substrate material or by layer application.
Als weitere technologische Schritte müssen die Oxidation zur Herstellung isolierender Schichten in Form von Siliziumoxid, die Metallisierung zur Herstellung der Kontakte und Leiterbahnen sowie die Lithografie (Lackieren, Maskieren, Belichten, Ätzen) zur Strukturierung der einzelnen Schichten genannt werden. As further technological steps, the oxidation for the production of insulating layers in the form of silicon oxide, the metallization for the production of the contacts and printed conductors as well as the lithography (painting, masking, exposure, etching) for the structuring of the individual layers must be mentioned.
Im Fall von Dünnschichtschaltkreisen wird das Bedampfungsverfahren meistens angewendet. In the case of thin film circuits, the sputtering process is mostly used.
Im Falle von Dickschicht-Hybridschaltkreisen werden mehrere monolitische integrierte Schaltkreise, gedruckte Leiterzüge und andere elektronische Elemente in einem Dickschichtverfahren auf einem Träger gefertigt.In the case of thick film hybrid circuits, multiple monolithic integrated circuits, printed circuit traces and other electronic elements are fabricated on a substrate in a thick film process.
Schließlich werden in den Prozessschritten der sogenannten Back-End-Technologie die Schaltungen vereinzelt (durch Sägen bzw. Ritzen und immer häufiger unter Einsatz von Lasern). Finally, in the process steps of the so-called back-end technology, the circuits are isolated (by sawing or scribing and increasingly with the use of lasers).
Zur Herstellung von Solarzellen aus Silizium wird das flüssige Silizium meist positiv-leitend dotiert. For the production of solar cells made of silicon, the liquid silicon is usually doped positive-conductive.
Als Ausgangsmaterial dienen überwiegend die monokristallinen Silizium-Stäbe, die in etwa 300 μm dünne Scheiben zerschnitten werden. Die Siliziumblöcke oder Platten werden an einer Oberfläche mit einem fünfwertigen Element dotiert, und zwar entweder durch Überleiten von geeigneten Gasen bei hohen Temperaturen oder durch Beschuss mit Ionen. Zusätzlich müssen elektrische Kontakte auf den Silizium-Wafern aufgedampft oder aufgedruckt werden. The starting materials are predominantly the monocrystalline silicon rods, which are cut into approximately 300 μm thin slices. The silicon blocks or plates are doped on a surface with a pentavalent element, either by passing suitable gases at high temperatures or by bombardment with ions. In addition, electrical contacts must be vapor-deposited or printed on the silicon wafers.
Alle diese Technologieschritte sind sehr kostenaufwendig und benötigen sehr komplexe Geräte und Anlagen, wie zum Beispiel Ionenimplantationsanlagen, Gasphasenepitaxieanlagen, chemische Dampfabsetzungsanlagen, Plasma unterstützte Absetzungsanlagen. All of these technology steps are very costly and require very complex equipment and facilities, such as ion implantation plants, gas phase epitaxy plants, chemical vapor deposition plants, plasma assisted settling plants.
Es ist noch ein anderes Verfahren zur Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender, und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten entwickelt worden, und zwar das so genannte Roll-to-Roll oder Rolle-zur-Rolle Verfahren. Yet another process has been developed for producing electronic and / or power-generating and / or energy-converting elements and components, the so-called roll-to-roll or roll-to-roll process.
Bei diesen Verfahren werden die Halbleiterelemente auf einen flexiblen Träger durch klassische chemische Dampfabsetzung oder nasschemische Absetzung gebracht.In these processes, the semiconductor elements are placed on a flexible support by classical chemical vapor deposition or wet chemical deposition.
Dieses Verfahren charakterisiert sich auch als sehr kostenaufwendig. Die nicht gleichmäßigen Dichten an Phasengrenzen oder Phasenübergängen reduzieren die Reproduzierbarkeit der auf solche Weise hergestellten elektronischen Elemente als auch den Wirkungsgrad der auf solche Weise hergestellten Photovoltaikelemente. This process is also characterized as very expensive. The non-uniform densities at phase boundaries or phase transitions reduce the reproducibility of the electronic elements fabricated in this way as well as the efficiency of the photovoltaic devices fabricated in this way.
Ein weiteres interessantes Verfahren ist bei Massachusetts Institute of Technology (MIT) entwickelt worden. Flüssige Halbleiterwerkstoffe der Elementengruppen II und VI wurden hergestellt und zu Transistoren verdruckt. Another interesting process has been developed at Massachusetts Institute of Technology (MIT). Liquid semiconductor materials of element groups II and VI were prepared and printed into transistors.
Bei versuchsweise hergestellten Dünnschichttransistoren wurden einzelne, sehr kleine Tropfen der hochreinen Cadmiumselenid-Lösung zwischen Basis- und Gatter-Elektroden aus einer Chrom-Gold-Legierung getropft. Bei diesen Verfahren ist die Reproduzierungsfrage sehr wesentlich. In experimentally fabricated thin film transistors, single, very small drops of the high purity cadmium selenide solution were dripped between base and gate electrodes of a chromium-gold alloy. In these methods, the question of replication is very important.
Ein anderes Verfahren beschreibt die WO2008124180 bzw. US 2009/0046362 A1 – Rolle-zur-Rolle Nanoimprint Litographie. UV-Nanoimprint ist eine Lithographietechnologie zur Fabrikation nanoskaliger Strukturen im Bereich der Nanoelektronik, Photonik und Biotechnologie. Another method describes WO2008124180 or US 2009/0046362 A1 - roll-to-roll nanoimprint lithography. UV nanoimprint is a lithography technology for the fabrication of nanoscale structures in the field of nanoelectronics, photonics and biotechnology.
Die grundlegende Idee ist die Replikation von Strukturen, welche in ein Template (Stempel) geätzt werden, und zwar durch das Eindrucken dieses Templates in einen UV-aushärtbaren Resist mit geringer Viskosität. Nach dem Auffüllen aller Holräume des Templates mit dem Lack wird mittels UV-Licht die Lackschicht ausgehärtet. Im letzten Schritt wird das Template entfernt und es verbleibt eine 3-dimensionale Replikation der Strukturen im Resistfilm. Durch weiteres anisotrophisches Ätzen können die Nanostrukturen dann in ein Substrat übertragen werden. The basic idea is the replication of structures which are etched into a template (stamp) by imprinting this template into a low viscosity UV curable resist. After filling all the hollows of the template with the paint, the lacquer layer is cured by means of UV light. In the final step, the template is removed and a 3-dimensional replication of the structures in the resist film remains. By further anisotropic etching, the nanostructures can then be transferred into a substrate.
Das Verfahren hat folgende Nachteile: Eine geringe Reproduzierbarkeit, wie alle Roll-to-Roll Verfahren, sowie die vielen technologisch komplexen Schritte, insbesondere durch das Ätzen. The process has the following disadvantages: low reproducibility, like all roll-to-roll processes, as well as the many technologically complex steps, in particular by the etching.
Es ist ein weiteres Verfahren bekannt, das die Anwendung bei der Herstellung vollfarbiger organischer Licht emittierender Dioden OLED (organisches Licht emittierende Dioden) für Bildschirme findet. Another method is known which finds application in the manufacture of full color organic light emitting diodes OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) for displays.
Die Abscheidung organischer Materialschichten auf einem Substrat durch die Anwendung des Tintenstrahldruckes. The deposition of organic material layers on a substrate by the application of inkjet printing.
Bei der Anwendung dieses Verfahrens für organische elektronische Komponenten, die durch solche Prozesse geformt werden, treten einige Probleme auf.In applying this method to organic electronic components formed by such processes, some problems arise.
Unter anderen nicht ausreichende Diffundierung des Gastmaterials in die organische aktive Schicht. Among others, insufficient diffusion of the guest material into the organic active layer.
Zu Nachteilen dieses Verfahrens gehören auch eine sehr ungleichmässige Verteilung der Gastmaterialkonzentration, nicht ausreichende Reproduzierbarkeit und ein schlechter Wirkungsgrad der auf solche Weise hergestellten Elektronik-Komponenten. Disadvantages of this method also include a very uneven distribution of the guest material concentration, insufficient reproducibility and poor efficiency of the electronic components produced in this way.
Ein weiteres bekanntes Verfahren ist ein Sprühschichtverfahren für die Herstellung organischer Photovoltaikelemente. Another known method is a spray coating method for the production of organic photovoltaic elements.
Das ist ein perspektives Verfahren, das momentan einige schwerwiegende Nachteile hat. This is a perspective process that currently has some serious drawbacks.
Zu Nachteilen gehören wesentliche Schwierigkeiten des Dotierens organischer Halbleiter.Disadvantages include substantial difficulties of doping organic semiconductors.
Alle bekannte Verfahren zur Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender, und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten umfassen auch die Erzeugung dünner Isolierschichten. Solch dünne dielektrische Schichten müssen eine sehr hohe Homogenität besitzen.All known methods for producing electronic and / or energy-generating, and / or energy-converting elements and components also include the production of thin insulating layers. Such thin dielectric layers must have a very high homogeneity.
Alle bekannte Verfahren zur Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender, und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten benötigten nachträglich einige spezielle und komplexe Sinterungsverfahren und Polymerisierungsverfahren. All known methods for producing electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components subsequently required some special and complex sintering methods and polymerization methods.
Flüssige Werkstoffe sollten ein festes und hartes oder festes und flexibles Substrat bilden. Liquid materials should form a solid and hard or firm and flexible substrate.
Das Sintern ist die Verdichtung von Grünkörpern unter bestimmten physikalischen Anwendungen, wie zum Beispiel, Wärmebehandlung durch den Diffusionstransport von Atomen. Sintering is the densification of green bodies under certain physical applications, such as heat treatment by the diffusion transport of atoms.
Die Verdichtung darf lediglich zu einer möglichst gleichmäßigen und reproduzierbaren Schwindung führen. The compaction may only lead to a uniform and reproducible shrinkage.
Entscheidende Eigenschaften für die Formgebung und/oder das Entstehen von Basiselementen und/oder Bestandteilen elektronischer und/oder energieerzeugender und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten sind die Eigenschaften der zu benutzenden Werkstoffgemische oder „Feedstocks“, wie zum Beispiel die Gemische von Nanoröhren, organischen Halbleitern und Dotierungswerkstoffen sowie das Fließverhalten und das Packungsverhalten der zu benutzende Gemische. Decisive properties for the shaping and / or the emergence of basic elements and / or components of electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components are the properties of the material mixtures or "feedstocks" to be used, such as, for example, the mixtures of nanotubes, organic semiconductors and doping materials as well as the flow behavior and the packing behavior of the mixtures to be used.
Diese Eigenschaften werden durch Volumenkräfte und Oberflächenkräfte (Anziehung und Abstoßung zwischen den zum Beispiel Pulverteilchen) bestimmt. These properties are determined by bulk forces and surface forces (attraction and repulsion between, for example, powder particles).
Je kleiner die Pulverteilchen sind, umso mehr werden die Gemischeigenschaften, und insbesondere Pulvereingenschaften durch die Oberflächenkräfte geprägt. The smaller the powder particles are, the more the mixing properties, and in particular powder properties, are characterized by the surface forces.
Auch die Erzeugung stabiler Suspensionen von Gefügewerkstoffen und Bindermittelmischungen spielt bei der Herstellung elektronischer und/oder energieerzeugender, und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten eine bedeutende Rolle. The production of stable suspensions of structural materials and binder mixtures also plays an important role in the production of electronic and / or energy-generating, and / or energy-converting elements and components.
Unter stabilen Suspensionen versteht man gut dispergierte Pulveraufschlämmungen, in denen sich die Partikel nicht zusammenlagern. Stable suspensions are understood to mean well-dispersed powder slurries in which the particles do not accumulate.
Hohe Stabilität wird erreicht, wenn die gegenseitige Annäherung von Partikeln durch Brownsche Bewegungen (thermische kinetische Energie)nicht in den Bereich der Van der Waals Anziehung führt. High stability is achieved when the mutual approach of particles by Brownian motion (thermal kinetic energy) does not lead to the Van der Waals attraction.
Zwischen Teilchen gleichen Materials wirken immer Van der Walls Anziehungskräfte; ihre Reichweite ist sehr gering. Sie bewirken ungeordnetes Zusammenhaften der Partikel und eine relativ niedrige Packungsdichte. Between particles of the same material are always Van der Walls attractions; their range is very low. They cause disordered adhesion of the particles and a relatively low packing density.
Die Formgebung elektronischer und/oder energieerzeugender und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten aus Pulvern wird durch die Anziehungskräfte und die Form der Partikel (Ecken, Kanten, Rauhigkeit)behindert. Das zeigt sich insbesondere bei feinen und trockenen Pulvern. The shaping of electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components of powders is hampered by the attractive forces and the shape of the particles (corners, edges, roughness). This is especially evident in fine and dry powders.
Die Wirkung der Van der Walls Anziehung kann vermindert oder kompensiert werden durch Aufladung der Partikel (elektrostatische Abstoßung) und/oder durch Beschichtung der Partikel mit Polymeren, die eine gegenseitige Berührung der Patrtikeloberflächen behindern (sterische Hinderung). The effect of the Van der Walls attraction can be diminished or compensated by charge of the particles (electrostatic repulsion) and / or by coating the particles with polymers that hinder mutual contact of the Patrtikeloberflächen (steric hindrance).
Die Wechselwirkungen zwischen den Partikeln werden wesentlich durch die unterschiedlichen Reichweiten der Anziehungs-, Abstoßungs- und Hinderungskräfte bestimmt. The interactions between the particles are essentially determined by the different ranges of attraction, repulsion and hindrance forces.
Festphasensintern findet bei Temperaturen statt, die unterhalb des Schmelzpunktes der am niedrigsten schmelzenden Komponente liegen. Solid phase sintering occurs at temperatures below the melting point of the lowest melting component.
Beim Flüssigphasensintern muss mindestens eine Komponente einen geringen Schmelzanteil bilden. In liquid phase sintering, at least one component must form a low melting percentage.
Eine andere Möglichkeit bietet das Sintern durch viskoses Fließen, wobei in diesem Fall ein hoher Schmelzanteil vorliegt. Another possibility is sintering by viscous flow, in which case there is a high melting percentage.
Reaktionssintern zeichnet sich dadurch aus, dass eine neue Phase (aus der Übergangsschmelze, die sich zunächst gebildet hat) entsteht. Reaction sintering is characterized by the emergence of a new phase (from the transitional melt that first formed).
Thermodynamik und Kinetik des Sinterns. Thermodynamics and kinetics of sintering.
Treibende Kraft für das Sintern, für Halswachstum, Formänderung der Poren, Schrumpfung und Kornwachstum ist die Verringerung der Oberflächen- und Grenzflächenenergie, als Teil der freien Gibb’schen Energie G The driving force for sintering, neck growth, pore shape change, shrinkage and grain growth is the reduction in surface and interfacial energy, as part of free Gibbs energy G.
δG = gs δAs + g bδAb (1),δG = gs δAs + gbδ Ab (1),
wobei gs, gb spezifische Oberflächenenergie bzw. Korngrenzenergie und As bzw. Ab die gesamte Oberfläche bzw. Korngrenzfläche des Sinterkörpers sind. wherein gs, gb specific surface energy and grain boundary energy and As and Ab are the entire surface or grain boundary surface of the sintered body.
Atomarer Transport findet statt bei Unterschieden des chemischen Potentials von Atomen bzw. Leerstellen. Atomic transport takes place with differences in the chemical potential of atoms or vacancies.
Das unterschiedliche chemische Potential Δμ im Sinterkörper ist verknüpft mit lokal unterschiedlichen Krümmungen der Körner. Mathematisch lässt sich dies formulieren als The different chemical potential Δμ in the sintered body is associated with locally different curvatures of the grains. Mathematically, this can be formulated as
Δμ = ΔK *gs Ω (2), Δμ = ΔK * gs Ω (2),
wobei ΔK der Unterschied der Oberflächenkrümmung zwischen zwei Stellen im Sinterkörper und Ω das Volumen der atomaren Spezies ist. Die Krümmung skaliert dabei mit 1/Korngröße. Das Verhältnis von chemischem Potential zum Volumen Ω ist das Sinterpotential σΣ (Einheit MPa):where ΔK is the difference in surface curvature between two sites in the sintered body and Ω is the volume of the atomic species. The curvature scales with 1 / grain size. The ratio of chemical potential to volume Ω is the sintering potential σΣ (unit MPa):
ΔΩ μ = σΣ (3).ΔΩ μ = σΣ (3).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung der genannten Art zu schaffen, das beziehungsweise die die Nachteile der vorbeschriebenen Verfahren/Vorrichtungen vermeidet. The object of the present invention is to provide a method and a device of the type mentioned which avoids the disadvantages of the above-described methods / devices.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind bei einem derartigen Verfahren/Vorrichtungen die im Anspruch 1 bzw. 16 angegebenen Merkmale vorgesehen. To solve this problem, the features specified in claim 1 and 16 are provided in such a method / devices.
Kompaktierung und Bildung von Halbleiterstrukturen – anorganischen, als auch organischen, und/oder Metallpulver-Halbleiterstrukturen und/oder Halbleiter-Keramikstrukturen und/oder Halbleiter-Polymerstrukturen, und/oder Keramikpulver-Halbleiterstrukturen, und/oder Polymer-Nanokompositstrukturen, und/oder Halbleiter-Metallpolymerstrukturen und/oder Halbleiter-Nanokompositstrukturen und/oder Halbleiter-Nanokomposit-Metallopolymerstrukturen und/oder /oder Halbleiter-Nanokomposit-Polymerstrukturen und/oder deren beliebigen Kompositionen erfolgt durch Van der Walls Kräfte oder an der Nano-Basis durch Casimir-Kräfte. Compaction and formation of semiconductor structures - inorganic, as well as organic, and / or metal powder semiconductor structures and / or semiconductor ceramic structures and / or semiconductor polymer structures, and / or ceramic powder semiconductor structures, and / or polymer nanocomposite structures, and / or semiconductor Metal polymer structures and / or semiconductor nanocomposite structures and / or semiconductor nanocomposite metallo-polymer structures and / or semiconductor nanocomposite polymer structures and / or their arbitrary compositions are made by Van der Walls forces or at the nano-base by Casimir forces.
Es ist möglich, basierend auf Quantum-mechanischen Berechnungen, zu zeigen, dass die Ausnutzung von Casimir-Kräften die Verbundkräfte keramischer als auch metallischer Teilchen als auch Nanokompositen als auch anorganischer und organischer Halbleiter als auch von Polymeren als auch Metallopolymeren sowohl bei Absetzung, Kompaktierung als auch bei Sinterung steuerbar erhöht.It is possible, based on quantum mechanical calculations, to show that the utilization of Casimir forces enhances the bond strengths of ceramic and metallic particles as well as nanocomposites as well as inorganic and organic semiconductors as well as polymers as well as metallopolymers both in settling, compaction and compaction also increased controllable at sintering.
Die Ausnutzung von Casimir-Kräften – Anziehungskräften als auch Abstoßungkräften –erfolgt durch die Aktivierung und/oder Mobilisierung und/oder Steuerung der Quantum-mechanischen und/oder Quantum-chemischen Effekten und Kräften, die durch die Anwendung spezieller Folgen an gepulsten steuerbaren Energieeinflüssen erzeugt werden. The exploitation of Casimir forces - attractions as well as repulsion forces - is accomplished by the activation and / or mobilization and / or control of the quantum mechanical and / or quantum chemical effects and forces generated by the application of special sequences to pulsed controllable energy inputs ,
Das Sintern und/oder die Kompaktierung und/oder Zusammenbindung von Werkstoffen und/oder Werkstoffkomponenten und/oder Erzeugung von Isolierschichten und/oder die Erzeugung elektroleitender Schichten und/oder Kontakten und/oder Einbringung von elektronenaktiven als auch photonenaktiven als auch phononenaktiven als auch elektroleitenden als auch elektroisolierenden Werkstoffen in die Trägewerkstoffe und/oder deren beliebigen Kombinationen kann durch die Anwendung spezieller Folgen an gepulsten steuerbaren Ehergieeinflüssen wesentlich beeinflusst und gesteuert sein. The sintering and / or the compaction and / or bonding of materials and / or material components and / or production of insulating layers and / or the production of electroconductive layers and / or contacts and / or introduction of electron-active and photon-active as well as phonon-active as well as electro-conductive Even electro-insulating materials in the support materials and / or their arbitrary combinations can be significantly influenced and controlled by the application of special consequences of pulsed controllable Ehergieeinflüssen.
Die Anwendung spezieller Folgen an gepulsten steuerbaren Energieeinflüssen wird durch Sinterprozesse als auch Kompaktierungsprozesse wesentlich beschleunigt und macht das Dotieren organischer Halbleiter deutlich einfacher.The application of special consequences to pulsed controllable energy influences is significantly accelerated by sintering processes as well as compaction processes and makes the doping of organic semiconductors much easier.
Die Anwendung spezieller Folgen an gepulsten steuerbaren Energieeinflüssen erleichtert und beschleunigt die Zusammenbindung von Werkstoffen und/oder Werkstoffkomponenten und/oder die Einbringung von elektronenaktiven als auch photonenaktiven als auch elektroleitenden als auch elektroisolierenden Werkstoffen in die Trägewerkstoffe wesentlich und macht den Prozess steuerbar. The application of special consequences of pulsed controllable energy influences significantly facilitates and accelerates the bonding of materials and / or material components and / or the incorporation of electron-active and photon-active as well as electro-conductive and electro-insulating materials in the support materials and makes the process controllable.
Das erfindungsgemäße Verfahren weist darüber hinaus weitere Vorteile im Vergleich mit den bekannten Verfahren auf. Moreover, the method according to the invention has further advantages in comparison with the known methods.
Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass durch das erfindungsgemäße Verfahren die Möglichkeit besteht, die elektronischen und/oder energieerzeugenden, und/oder energieumwandelnden Elemente und Komponenten aus mehreren verschiedenen vorher nicht zusammenzubringenden Werkstoffen mit dramatisch verschiedenen Eigenschaften und deren Kombinationen zusammen ohne zusätzliche technologische Schritte zu produzieren. A further advantage is that the method according to the invention makes it possible to produce the electronic and / or energy-generating, and / or energy-converting elements and components from a plurality of different materials previously not to be combined with dramatically different properties and combinations thereof without additional technological steps ,
Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass durch das neue erfindungsgemäße Verfahren auch die speziell nano- und mikroskopisch definierten Geometriestrukturen in die Oberfläche als auch in inneren Schichten eingeprägt werden können.A further advantage lies in the fact that the specially nano- and microscopically defined geometrical structures can be embossed into the surface as well as in inner layers by the novel process according to the invention.
Derartige Strukturen sind notwendig bei der Herstellung von Bildschirmen, integrierten Schaltkreisen, elektronischen Bauelementen als auch bei der Herstellung von Photovoltaikelementen. Such structures are necessary in the manufacture of screens, integrated circuits, electronic components as well as in the manufacture of photovoltaic elements.
Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass durch das neue erfindungsgemäße Verfahren verschiedene auswählbare Komponenten und/oder Teile der elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elementen und Komponenten unterschiedliche Härte- und/oder Festigkeitseigenschaften und/oder Elastizitätseigenschaften aufweisen können. A further advantage resides in the fact that different selectable components and / or parts of the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components can have different hardness and / or strength properties and / or elasticity properties due to the novel method according to the invention.
Zum Beispiel kann eine äußere Oberfläche eines elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elementes und/oder Komponente eine höhere Härte und höhere Kratzfestigkeit gegenüber den inneren Teil aufweisen.For example, an outer surface of an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element and / or component may have a higher hardness and higher scratch resistance relative to the inner part.
Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass durch das neue erfindungsgemäße Verfahren hergestellte biegsame flexible elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Elemente und/oder Komponenten mit sehr höheren Wirkungsgraden hoch reproduzierbar sind. A further advantage is that flexible flexible electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and / or components with very high efficiencies produced by the novel process according to the invention are highly reproducible.
Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass durch das neue erfindungsgemäße Verfahren die Herstellung biegsamer flexibler elektronischer und/oder energieerzeugender und/oder energieumwandelter Elemente und/oder Komponenten in Form von endlosen biegsamen, flexiblen dünnschichtigen Folien ermöglicht ist.A further advantage is that the novel process according to the invention makes it possible to produce flexible flexible electronic and / or energy-generating and / or energy-converted elements and / or components in the form of endless, flexible, thin-film films.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung sind der folgenden Beschreibung zu entnehmen, in der die Erfindung anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher beschrieben und erläutert ist. Further advantages and details of the invention will become apparent from the following description in which the invention with reference to the embodiment shown in the drawing is described and explained in more detail.
Die einzige Figur zeigt in schematischer Seitenansicht als ein Ausführungsbeispiel, eine Vorrichtung zum Herstellen elektronischer und/oder energieerzeugender und/oder energieumwandelnder Elemente und Komponenten durch die Benutzung einer Druckmaschine. The single FIGURE shows a schematic side view as an embodiment, an apparatus for producing electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements and components by the use of a printing press.
Ein Trägerwerkstoff, zum Beispiel in Form einer dünnschichtigen Folie, wird von einer Lieferrolle 4 durch Druckeinheiten 2 und 3 und durch Behandlungseinheiten 5 bis 11 auf die Aufnahmerolle für das fertige elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Elemente oder Komponente enthaltende Produkte, zum Beispiel einen auf einer dünnschichtigen Photovoltaikfolie oder dünnschichtigen organischen lichtemittierenden Diode (OLED) basierenden lichtstrahlenden Bildschirm gebracht. A carrier material, for example in the form of a thin film, is supplied by a supply roll 4 by printing units 2 and 3 and by treatment units 5 to 11 to the take-up roll for the finished electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements or components containing products, for example a light emitting screen based on a thin film photovoltaic film or thin film organic light emitting diode (OLED).
Die Behandlungseinheiten beinhalten gepulste steuerbare Energieeinbringungseinheiten, wie zum Beispiel ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente und/oder ein oder mehrere Megaschallstrahl-Elemente und/oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente und/oder ein oder mehrere Mikrowellenstrahl-Elemente und/oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elemente und/oder ein oder mehrere Magnetfelder erzeugende Elemente und/oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugende Elemente und/oder ein oder mehrere druckerzeugende Elemente und/oder deren beliebige Kombinationen. The treatment units include pulsed controllable energy introduction units, such as one or more ultrasound beam elements and / or one or more megasonic beam elements and / or one or more gigasound beam elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beams Elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements and / or any combinations thereof.
Die Druck erzeugenden Elemente, die dem Erzeugen gepulster Drücke dienen, könnten in verschiedener Weise ausgebildet sein, beispielweise als pneumatischer, hydraulischer, gasdynamischer gepulster Druckerzeuger, Ultraschall- oder Megaschall gepulster Druckerzeuger, gepulster Laserdruckerzeuger, gepulster magnetostriktiver Druckerzeuger, gepulster Plasmadruckerzeuger, gepulster thermostriktiver Druckerzeuger, gepulster chemischer Druckerzeuger, mikroskopischen Explosionen Druckerzeuger, Elektroentladungsdruckerzeuger.The pressure generating elements which serve to generate pulsed pressures could be designed in various ways, for example as a pneumatic, hydraulic, gas-dynamic pulsed pressure generator, ultrasonic or megasonic pulsed pressure generator, pulsed laser pressure generator, pulsed magnetostrictive pressure generator, pulsed plasma pressure generator, pulsed thermostrictive pressure generator, pulsed chemical pressure generator, microscopic explosion pressure generator, electric discharge pressure generator.
Das erfindungsgemäße Verfahren wurde ferner am Beispiel eines dünnschichtigen Photovoltaikelementes mit unterschiedlichen Werkstoffkombinationen getestet, unter anderem beispielsweise an:The inventive method was further tested using the example of a thin-film photovoltaic element with different material combinations, including, for example:
- Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid - Cu(In, Ga) Se2;- copper indium gallium diselenide - Cu (In, Ga) Se 2 ;
- Cu(In, Ga)3Se5;- Cu (In, Ga) 3 Se 5 ;
- Cu(In, Ga)5Se8;Cu (In, Ga) 5 Se 8 ;
- CU(In, Ga)(Se, S)2.- CU (In, Ga) (Se, S) 2 .
Als Trägerwerkstoffe wurden unter anderem beispielsweise eine dünnschichtige Edelstahlfolie und eine modifizierte Polyimidefolie getestet. Die Dicke der Folien war beispielsweise 1 µm und 1,5 µm.For example, a thin-layered stainless steel foil and a modified polyimide film were tested as carrier materials. The thickness of the films was, for example, 1 μm and 1.5 μm.
Dünnschichtige Photovoltaikelemente wurden erfindungsgemäß durch die Anwendung einer Offsetdruckanlage hergestellt. Thin-film photovoltaic elements were produced according to the invention by the use of an offset printing machine.
Die Versuche haben gezeigt, dass erfindungsgemäß hergestellte dünnschichtige Photovoltaikelemente mit Edelstahlfolie als Trägerwerkstoff einen Wirkungsgrad 16,8% und mit modifizierten Polyimidfolie als Trägerwerkstoff einen Wirkungsgrad von 8,6% bis 11,2% erreichen. The experiments have shown that produced according to the invention produced thin-film photovoltaic elements with stainless steel foil as the carrier material an efficiency of 16.8% and with modified polyimide as the carrier material an efficiency of 8.6% to 11.2%.
Erfindungsgemäß hergestellte Photovoltaikelemente haben gute flexible Eigenschaften gezeigt. Photovoltaic elements produced according to the invention have shown good flexibility.
Eine Qualitätsprüfung der erfindungsgemäß hergestellten Photovoltaikelemente hat die notwendige Homogenität und eine ausgezeichnete Reproduzierbarkeit ergeben.A quality test of the photovoltaic elements produced according to the invention has given the necessary homogeneity and excellent reproducibility.

Claims (25)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen und/oder energieerzeugenden und/oder energieumwandelnden Elementes, gekennzeichnet durch die Aktivierung und/oder Mobilisierung und/oder Steuerung quantummechanischer und/oder quantumchemischer Effekte und Kräfte und/oder deren beliebige Kombinationen aufgrund Anwendung bestimmter Energieeinflüsse. Method for producing an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element, characterized by the activation and / or mobilization and / or control of quantum mechanical and / or quantum chemical effects and forces and / or their arbitrary combinations due to application of certain energy influences.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Elemente ein elektronisches Schalterelement oder ein optoelektronisches Element, beispielsweise ein organisches licht-emmitiertes Diodenelement (OLEDE) und/oder ein OLED Bildschirmelement, oder ein photovoltaisches Element oder ein elektronisches Sensor-Element oder ein elektronisches Strahlungselement, beispielsweise ein Bildschirmelement, ist. A method according to claim 1, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting elements, an electronic switch element or an opto-electronic element, such as an organic light-emitting diode element (OLEDE) and / or an OLED screen element, or a photovoltaic element or an electronic sensor element or an electronic radiation element, for example a screen element, is.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Element eine feste Form oder eine flexible, biegsame Form oder eine beliebige Kombination von festen und/oder flexiblen, biegsamen Formen aufweist. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element has a solid shape or a flexible, flexible shape or any combination of solid and / or flexible, flexible shapes.
  4. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Element durch die Anwendung eines Druckverfahrens oder durch die Anwendung des Hochdruckverfahrens (zum Beispiel Flexodruckes) oder durch die Anwendung des Tiefdruckverfahrens (zum Beispiel Rotationdruckes) oder durch die Anwendung des Flachdruckverfahrens (zum Beispiel Offsetdruckes, Bogenoffsetdruckes, Rollenoffsetdruckes) oder durch die Anwendung des Durchdruckverfahrens (zum Beispiel Siebdruckes) oder durch die Anwendung des Tintenstrahldruckverfahrens oder durch die Anwendung des Pastendruckverfahrens oder durch die Anwendung des laserunterstützenden Druckverfahrens oder durch die Anwendung des Roll-to-Roll Verfahrens oder durch die Anwendung des Elektrophotographie Verfahrens oder durch die Anwendung des Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Laserbeschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Nassbeschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Plasma-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des elektrostatischen Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Verdampfungs- Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Chemischendampfabsetzung- Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Ionenstützung-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Ionenstrahl- Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Sprühbeschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Schleuderbeschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Hochgeschwindigkeitsdrahtflammspritz-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Mikrowellen-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Sol-Gel-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung des Elektrophorese-Beschichtungsverfahrens oder durch die Anwendung beliebiger Kombinationen der vorstehenden Verfahren erzeugt wird bzw. werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element by the application of a printing process or by the application of the high-pressure process (for example flexographic printing) or by the application of gravure printing (for example, rotary printing) or by the use of the planographic printing process (for example offset printing, sheetfed offset printing, web offset printing) or by the application of the throughprinting process (for example screen printing) or by the use of the ink jet printing process or by the application of the paste printing process or by the application of the laser assisting printing process or by the application of the Roll-to-roll method or by the application of the electrophotography method or by the application of the coating method or by the application of the laser coating method or by the application of the Nas coating method or by the application of the plasma coating method or by the application of the electrostatic coating method or by the application of the evaporation coating method or by the application of the chemical vapor deposition coating method or by the application of the ion support coating method or by the application of the ion beam coating method or by the use of the spray coating method or by the application of the spin coating method or by the use of the high speed wire flame spray coating method or by the application of the microwave coating method or by the application of the sol gel coating method or by the application of the electrophoresis coating method or by the use of any combinations the above method is or will be generated.
  5. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Element durch die Anwendung des selbstorganisierten Wachstums von Nanopartikeln und/oder Molekulen und/oder Atomen und/oder deren beliebigen Kombinationen erzeugt wird bzw. werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element is or are generated by the application of the self-organized growth of nanoparticles and / or molecules and / or atoms and / or their arbitrary combinations ,
  6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnden Element einschichtig oder mehrschichtig ist bzw. sind. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element is or are single-layered or multi-layered.
  7. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Element Nanowerkstoffe oder Nanocomposite oder Nanoröhren oder Fullerene oder beliebige Kompositionen von Werkstoffen und/oder Nanowerkstoffen und/oder Nanocompositen und/oder Nanoröhren und/oder Fullerenen beinhaltet bzw. beinhalten.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element nanomaterials or nanocomposites or nanotubes or fullerenes or any compositions of materials and / or nanomaterials and / or nanocomposites and / or nanotubes and / or Fullerenes include or include.
  8. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische und/oder energieerzeugende und/oder energieumwandelnde Element eine dünnschichtige biegsame Folie oder ein monolitisches Element oder ein biegsames, flexibles Element oder ein Nanoelemment oder eine beliebige Kombination von dünnschichtigen Folien und/oder monolitischen Elementen und/oder biegsamen, flexiblen Elementen und/oder Nanoelementen ist bzw. sind.Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element is a thin-layer flexible film or a monolithic element or a flexible flexible element or a nanoelemment or any combination of thin-layered films and / or monolithic elements and / or flexible flexible elements and / or nano-elements is or are.
  9. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Aktivierung und/oder Mobilisierung und/oder Steuerung der quantummechanischen und/oder quantumchemischen Effekte und Kräfte durch die Anwendung von speziellen Folgen gepulster steuerbarer Energieeinflüsse durchgeführt wird bzw. werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the activation and / or mobilization and / or control of the quantum mechanical and / or quantum chemical effects and forces is carried out by the application of special consequences of pulsed controllable energy influences.
  10. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sintern und/oder die Kompaktierung und/oder die Zusammenbindung von Werkstoffen und/oder Werkstoffkomponenten und/oder die Einbringung von elektronenaktiven als auch photonenaktiven als auch elektroleitenden als auch elektroisolierenden Werkstoffen in die Trägewerkstoffe und/oder deren beliebigen Kombinationen durch durch die Anwendung von speziellen Folgen gepulster steuerbarer Energieeinflüsse durchgeführt wird bzw. werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the sintering and / or compaction and / or bonding of materials and / or material components and / or the introduction of electron-active and photon-active as well as electro-conductive and electro-insulating materials in the support materials and / or any of their combinations is performed by the application of special sequences of pulsed controllable energy influences.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die spezielle Folgen der gepulsten steuerbaren Energieeinflüsse elektromagnetische Energie oder Ultraschallenergie oder Megaschallenergie oder Gigaschallenergie oder Mikrowellenenergie oder elektrostatische Energie oder Laserenergie von photonenstrahlendem und/oder phononenstrahlendem Laser und/oder deren Kombination oder gepulste Magnetfelderenergie oder die Energie rotierender Magnetfelder oder gepulste Magnetfelderenergie und die Energie rotierender Magnetfelder oder beliebige Kompositionen der Ultraschallenergie und/oder Megaschallenergie und/oder Gigaschallenenrgie und/oder Mikrowellenenergie und/oder Elektrostatischeenergie und/oder Laserenergie von photonenstrahlendem und/oder phononenstrahlendem Laser und/oder deren Kombination, und/oder gepulste Magnetfelderenergie, und/oder rotierenden Magnetfelder oder die beliebige Kombinationen von elektromagnetischer und mechanischer Energie beinhalten. The method of claim 9 to 10, characterized in that the specific consequences of the pulsed controllable energy influences electromagnetic energy or ultrasonic energy or megasonic or gigasonic or microwave energy or electrostatic energy or laser energy of photon emitting and / or phononenstrahlendem laser and / or their combination or pulsed magnetic field energy or Energy of rotating magnetic fields or pulsed magnetic field energy and the energy of rotating magnetic fields or any compositions of the ultrasonic energy and / or megasonic energy and / or Gigahallenenrgie and / or microwave energy and / or electrostatic energy and / or laser energy of photon emitting and / or phononenstrahlendem laser and / or their combination, and or pulsed magnetic field energy, and / or rotating magnetic fields, or any combination of electromagnetic and mechanical energy.
  12. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanische Energie unter anderen in Form von Druck- und/oder Schallenergie angewendet wird, wobei die Schallenergie Ultraschallenergie oder Megaschallenergie oder Gigaschallenergie oder eine beliebige Kombinationen von Ultraschallenergie und/oder Megaschallenergie und/oder Gigaschallenenrgie beinhaltet. Method according to at least one of claims 9 to 11, characterized in that the mechanical energy is applied among others in the form of pressure and / or sound energy, wherein the sound energy is ultrasonic energy or megasonic energy or giga-sound energy or any combination of ultrasonic energy and / or megasonic energy and / or Gigasoundergie includes.
  13. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die spezielle Folgen der gepulsten steuerbaren Energieeinflüsse mittels spezieller Folgen an elektromagnetischer Energie und mechanischer Energie und/oder deren Kombination in Form von einem oder mehreren Energieeinflussimpulsen kurzer Zeitdauer und hoher Intensität angewendet werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the special consequences of the pulsed controllable energy influences are applied by means of special sequences of electromagnetic energy and mechanical energy and / or their combination in the form of one or more energy influence pulses of short duration and high intensity.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass 1 bis 10000 Energieeinflussimpulse, besser 1 bis 5000, am besten 1 bis 500 Energieeinflussimpulse, mit einer Impulsdauer zwischen 1 Femtosec und 30 Minuten, besser von 1 µs bis 10 Minuten, am besten zwischen 1 ns und 5 Minuten, und einem Impulsabstand zwischen 1 µs bis 30 Minuten, besser von 1 ns bis 10 Minuten, am besten zwischen 100 ns und 5 Minuten angewendet werden. A method according to claim 13, characterized in that 1 to 10,000 energy-influencing pulses, more preferably 1 to 5,000, most preferably 1 to 500 energy-influencing pulses, with a pulse duration between 1 femtosec and 30 minutes, better from 1 microseconds to 10 minutes, most preferably between 1 ns and 5 minutes, and a pulse interval between 1 μs to 30 minutes, better from 1 ns to 10 minutes, preferably between 100 ns and 5 minutes.
  15. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die Herstellung solcher Elemente Halbleiterstrukturen, anorganischer als auch organischer und/oder Metallpulver-Halbleiterstrukturen und/oder Halbleiter-Keramikstrukturen und/oder Halbleiter-Polymerstrukturen und/oder Keramikpulver-Halbleiterstrukturen und/oder Polymer-Nanokompositstrukturen und/oder Halbleiter-Metallpolymerstrukturen und/oder Halbleiter-Nanokompositstrukturen und/oder Halbleiter-Nanokomposit-Metallopolymerstrukturen und/oder /oder Halbleiter-Nanokomposit-Polymerstrukturen und/oder deren beliebige Kompositionen benutzt werden. Method according to at least one of the preceding claims, characterized in that for the production of such elements semiconductor structures, inorganic and organic and / or metal powder semiconductor structures and / or semiconductor ceramic structures and / or semiconductor polymer structures and / or ceramic powder semiconductor structures and / or Polymer nanocomposite structures and / or semiconductor metal polymer structures and / or semiconductor nanocomposite structures and / or semiconductor nanocomposite metallopolymers and / or semiconductor nanocomposite polymer structures and / or their arbitrary compositions may be used.
  16. Vorrichtung zur Herstellung eines elektronischen und/oder energieerzeugenden und oder energieumwandelnden Elementes nach dem Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Druckmaschine oder eine Flachdruckanlage (zum Beispiel Bogenoffset und/oder Rollenoffset) oder eine Hochdruckanlage (zum Beispiel Flexodruck) oder eine Tiefdruckanlage oder eine Durchdruckanlage (zum Beispiel Siebdruck) oder eine Tintenstrahldruckanlage oder eine Pastendruckanlage oder eine Laserdruckanlage oder eine beliebige Kombination aus Tintenstrahldruckanlage und/oder Laserdruckanlage, und/oder Pastendruckanlage und/oder Durchdruckanlage und/oder Tiefdruckanlage und/oder Hochdruckanlage und/oder Flachdruckanlage aufweist. Device for producing an electronic and / or energy-generating and / or energy-converting element according to the method of claim 1 or one of the following, characterized in that the device is a printing press or a planographic printing machine (for example, sheetfed offset and / or web offset) or a high-pressure system (for example Flexographic printing) or a gravure printing system or a printing system (for example screen printing) or an inkjet printing system or a paste printing system or a laser printing system or any combination of inkjet printing system and / or laser printing system, and / or paste printing system and / or pressurized system and / or gravure printing system and / or high-pressure system and / or flat pressure plant has.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckmaschine ein oder mehrere Ultraschallstrahl Elemente oder ein oder mehrere Megaschallstrahl- Elemente oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Mikrowellenestrahl-Elemente oder ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elemente oder ein oder mehrere magnetfeldererzeugende Elemente oder ein oder mehrere druckerzeugende Elemente oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere beliebigen Kombinationen von einen oder mehreren Ultraschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Megaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Gigaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Mikrowellenstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Laserstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren magnetfeldererzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren elektrostatische Felder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren druckerzeugenden Elementen beinhaltet. Device according to claim 16, characterized in that the printing press comprises one or more ultrasound beam elements or one or more megasonic beam elements or one or more gigasound beam elements or one or more microwave beam elements or one or more ultrasound beam elements or one or more laser beam elements. Elements or one or more magnetic field generating elements or one or more pressure generating elements or one or more electrostatic field generating elements or one or more arbitrary combinations of one or more ultrasonic beam elements and / or one or more megasonic radiation elements and / or one or more gigasound beam Elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beam elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic fields generating elements and / or a or more pressure-generating elements.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen Drucker oder einen Tintenstrahldrucker oder einen Laserdruck oder einen Pastendrucker oder einen Elektrophotographiedrucker oder eine beliebige Kombination aus Tintenstrahldrucker und/oder Laserdrucker und/oder Pastendrucker aufweist.Apparatus according to claim 16 or 17, characterized in that the device comprises a printer or an ink jet printer or a laser print or a paste printer or an electrophotographic printer or any combination of ink jet printer and / or laser printer and / or paste printer.
  19. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Drucker ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Megaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Mikrowellenstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Magnetfelder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere druckerzeugenden Elemente oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugende Elemente oder ein oder mehrere beliebige Kombinationen aus einen oder mehreren Ultraschallstrahl Elementen und/oder einen oder mehreren Megaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Gigaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Mikrowellenstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Laserstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Magnetfelder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren elektrostatische Felder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren druckerzeugenden Elementen aufweist. Device according to at least one of claims 16 to 18, characterized in that the printer comprises one or more ultrasound beam elements or one or more megasonic beam elements or one or more gigasound beam elements or one or more microwave beam elements or one or more laser beam elements or one or more magnetic field-generating elements or one or more pressure-generating elements or one or more electrostatic field-generating elements or one or more arbitrary combinations of one or more ultrasound beam elements and / or one or more megasonic radiation elements and / or one or more gigasound beam Elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beam elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic fields generating elements and / or one or more druckerzeug having elements.
  20. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet dass, die Vorrichtung eine Beschichtungsanlage oder eine Sol-Gel Beschichtungsanlage oder eine Mikrowellen-Beschichtungsanlage oder eine Plasma-Beschichtungsanlage oder eine Sprühbeschichtungsanlage oder eine Schleuderbeschichtungsanlage oder eine Roll-to-Roll Beschichtungsanlage oder eine Ionenstrahl-Beschichtungsanlage oder eine Hochgeschwindigkeitsdrahtflammspritz-Beschichtungsanlage oder eine Ionenstützung-Beschichtungsanlage oder eine chemische Dampfabsetzungs-Beschichtungsanlage oder eine Laser-Beschichtungsanlage oder eine Nassbeschichtungsanlage oder eine elektrostatische Beschichtungsanlage oder eine Verdampfungs-Beschichtungsanlage oder eine Elektrophorese-Beschichtungsanlage oder eine beliebige Kombination aus Verdampfungsbeschichtungsanlage und/oder elektrostatische Beschichtungsanlage und/oder Nassbeschichtungsanlage und/oder Laser-Beschichtungsanlage und/oder chemische Dampfabsetzungs- Beschichtungsanlage und/oder Ionenstützung- Beschichtungsanlage und/oder Hochgeschwindigkeitsdrahtflammspritz-Beschichtungsanlage und/oder Ionenstrahl-Beschichtungsanlage und/oder Plasma-Beschichtungsanlage und/oder Mikrowellen-Beschichtungsanlage und/oder Sol-Gel-Beschichtungsanlage und/oder Schleuderbeschichtungsanlage und/oder Sprühbeschichtungsanlage und/oder Roll-to-Roll Beschichtungsanlage und/oder Elektrophorese-Beschichtungsanlage aufweist. Device according to at least one of claims 16 to 19, characterized in that the device is a coating unit or a sol-gel coating unit or a microwave coating unit or a plasma coating unit or a spray coater or a spin coater or a roll-to-roll coater or a An ion beam coating machine or a high speed wire flame spray coating machine or an ion support coating machine or a chemical vapor deposition coater or a laser coater or a wet coater or an electrostatic coater or an evaporative coater or an electrophoresis coater or any combination of evaporative coater and / or electrostatic coating system and / or wet coating system and / or laser coating system and / or chemical vapor deposition B coating installation and / or ion-supporting coating installation and / or high-speed wire flame spraying coating installation and / or ion beam coating installation and / or plasma coating installation and / or microwave coating installation and / or sol-gel coating installation and / or spin coating installation and / or spray coating installation and / or Roll-to-roll coating system and / or electrophoresis coating plant has.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtungsanlage ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Megaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Mikrowellestrahl-Elemente oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Magnetfelder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere druckerzeugenden Elemente oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugende Elemente oder ein oder mehrere beliebigen Kombinationen aus einem oder mehreren Ultraschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Megaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Gigaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Mikrowellenstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Laserstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Magnetfelder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren elektrostatischen Felder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren druckerzeugenden Elementen beinhaltet.Apparatus according to claim 20, characterized in that the coating system comprises one or more ultrasound beam elements or one or more megasonic beam elements or one or more gigasound beam elements or one or more microwave beam elements or one or more laser beam elements or one or more magnetic fields generating elements or one or more pressure-generating elements or one or more electrostatic field generating elements or one or more arbitrary combinations of one or more ultrasonic beam elements and / or one or more megasonic radiation elements and / or one or more gigasound beam elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beam elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements b einhaltet.
  22. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Laminierungsanlage beinhaltet. Device according to at least one of claims 16 to 21, characterized in that the device includes a lamination system.
  23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Laminierungsanlage ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Megaschallstrahl- Elemente oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Mikrowellestrahl-Elemente oder ein oder mehrere druckerzeugende Elemente oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elementen oder ein oder mehrere Magnetfelder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere beliebigen Kombinationen aus einem oder mehreren Ultraschallstrahl- Elementen und/oder einen oder mehreren Megaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Gigaschallstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Mikrowellenstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Laserstrahl-Elementen und/oder einen oder mehreren Magnetfelder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren elektrostatische Felder erzeugenden Elementen und/oder einen oder mehreren druckerzeugenden Elementen aufweist. Apparatus according to claim 22, characterized in that the laminating installation comprises one or more ultrasound beam elements or one or more megasonic beam elements or one or more gigasound beam elements or one or more microwave beam elements or one or more pressure-generating elements or one or more laser beam elements. Elements or one or more magnetic field generating elements or one or more electrostatic fields generating elements or one or more arbitrary combinations of one or more ultrasonic beam elements and / or one or more megasonic radiation elements and / or one or more gigasound beam elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beam elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements having.
  24. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Roll-to-Roll Anlage beinhaltet.Device according to at least one of claims 16 to 23, characterized in that the device includes a roll-to-roll system.
  25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Roll-to-Roll Anlage ein oder mehrere Ultraschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Megaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Gigaschallstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Mikrowellestrahl-Elemente oder ein oder mehrere druckerzeugende Elemente oder ein oder mehrere Laserstrahl-Elemente oder ein oder mehrere Magnetfelder erzeugenden Elemente oder ein oder mehrere elektrostatische Felder erzeugenden Elemente oder eine oder mehrere beliebige Kombinationen aus einem oder mehreren Ultraschallstrahl-Elementen und/oder einem oder mehreren Megaschallstrahl-Elementen und/oder einem oder mehreren Gigaschallstrahl-Elementen und/oder einem oder mehreren Mikrowellenstrahl-Elementen und/oder einem oder mehreren Laserstrahl-Elementen und/oder einem oder mehreren Magnetfelder erzeugenden Elementen und/oder einem oder mehreren elektrostatischen Felder erzeugenden Elementen und/oder einem oder mehreren druckerzeugenden Elementen aufweist.Apparatus according to claim 24, characterized in that the roll-to-roll system comprises one or more ultrasound beam elements or one or more megasonic beam elements or one or more gigasound beam elements or one or more microwave beam elements or one or more pressure-generating elements or one or more laser beam elements or one or more magnetic field generating elements or one or more electrostatic field generating elements or one or more arbitrary combinations of one or more ultrasonic beam elements and / or one or more megasonic radiation elements and / or one or more gigasound beam Elements and / or one or more microwave beam elements and / or one or more laser beam elements and / or one or more magnetic field generating elements and / or one or more electrostatic field generating elements and / or one or more pressure generating elements a ufweist.
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