WO2011102425A1

WO2011102425A1 - 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット

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Publication number: WO2011102425A1
Application number: PCT/JP2011/053405
Authority: WO
Inventors: 邦彦中田; 岳吉川; 吉伸中村; 晶雄鈴木; 翔平堀田
Original assignee: 住友化学株式会社; 学校法人大阪産業大学
Priority date: 2010-02-18
Filing date: 2011-02-17
Publication date: 2011-08-25

Abstract

　本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、亜鉛とチタンの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛および酸化チタンからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。本発明の酸化物焼結体または酸化物混合体を用いることにより、優れた導電性と化学的耐久性とを有する酸化亜鉛系透明導電膜を形成することができる。

Description

酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット

　本発明は、酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲットに関する。

　導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電膜は、従来、太陽電池、液晶表示素子、その他各種受光素子における電極などとして利用されているほか、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍ショーケース等における防曇用透明発熱体など、幅広い用途に利用されている。特に、低抵抗で導電性に優れた透明導電膜は、太陽電池や、液晶、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンスなどの液晶表示素子や、タッチパネルなどに好適であることが知られている。

　従来、透明導電膜としては、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ₂）系の薄膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系の薄膜、そして酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）系の薄膜が知られている。具体的には、酸化スズ系の透明導電膜としては、アンチモンをドーパントとして含むもの（ＡＴＯ）やフッ素をドーパントとして含むもの（ＦＴＯ）が知られており、酸化亜鉛系の透明導電膜としては、アルミニウムをドーパントとして含むもの（ＡＺＯ）やガリウムをドーパントとして含むもの（ＧＺＯ）が知られており、酸化インジウム系の透明導電膜としては、スズをドーパントとして含むもの（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）が知られている。中でも、最も工業的に利用されているのは酸化インジウム系の透明導電膜であり、とりわけＩＴＯ膜は、低抵抗で導電性に優れることから、幅広く実用化されている。

　このような透明導電膜を形成する際には、従来、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法、スプレー法、ゾルゲル法などが工業的に汎用されている。これらの成膜方法において膜原料として用いられるターゲットは、成膜しようとする膜を構成する金属元素を含む固体からなり、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物などの焼結体や混合体、場合によっては単結晶で形成される。

　例えば、ＩＴＯのような酸化物の膜をスパッタリング法で形成する際には、ターゲットとしては、一般に、膜を構成する金属元素からなる合金ターゲット（ＩＴＯ膜の場合にはＩｎ－Ｓｎ合金）か、もしくは膜を構成する金属元素を含む酸化物を焼結もしくは混合して得られた酸化物ターゲット（ＩＴＯ膜の場合にはＩｎ－Ｓｎ－Ｏからなる焼結体や混合体）が用いられる。ただし、合金ターゲットを用いると、形成される膜中の酸素は全て雰囲気中の酸素ガスから供給されることになるので、雰囲気中の酸素ガス量が変動しやすくなり、その結果、雰囲気中の酸素ガス量に依存する成膜速度や得られる膜の特性（比抵抗、透過率）を一定に保つことが困難になる場合がある。他方、酸化物ターゲットを用いた場合には、膜に供給される酸素の一部はターゲット自体から供給され、不足分のみが雰囲気中の酸素ガスから供給されることになるので、雰囲気中の酸素ガス量の変動は、合金ターゲットを用いる場合に比べ抑えることができ、その結果、一定の膜厚を有し一定の膜特性を有する透明導電膜を容易に製造することが可能となる。したがって、これまで、工業的に用いるターゲットとしては、酸化物ターゲット（すなわち酸化物焼結体または酸化物混合体）が用いられてきた。

　ところで、ＩＴＯ膜の如き酸化インジウム系の透明導電膜は、その必須原料であるＩｎ（インジウム）が、希少金属であるため高価で且つ資源枯渇のおそれがあり、しかも毒性を有し環境や人体に対して悪影響を及ぼす可能性があるため、近年、ＩＴＯ膜に代替し得る工業的に汎用可能な透明導電膜が要望されている。そのような中、スパッタリング法による工業的製造も可能である酸化亜鉛系透明導電膜が注目されており、その導電性能を高めるべく研究が進められている。具体的には、導電性を高めるべくＺｎＯに種々のドーパントをドープさせる試みがなされており、種々のドーパントごとに最適ドープ量と最低抵抗率が報告されている（非特許文献１）。この報告によれば、例えば、ＴｉＯ₂をドープさせる場合には、ドープ量は２ｗｔ％が最適であり、その時の最低抵抗率は５．６×１０^-4Ω・ｃｍであることが示されている。このように、酸化亜鉛系透明導電膜は、実験室レベルではＩＴＯ膜に遜色のない程度の低抵抗が得られるよう改善されてきている。しかし、これまでの酸化亜鉛系透明導電膜は、導電性の点では優れるが、耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）などの化学的耐久性に劣るという欠点を有する。

　また、酸化亜鉛系透明導電膜は、上記のように耐薬品性（耐酸性、耐アルカリ性）に乏しいため、酸化亜鉛系透明導電膜に所望の形状のパターニングを施すことが必要な場合（例えば素子などの用途に用いる場合）、適当なウェットエッチング液が存在せず、良好にパターニングできないという問題がある。詳しくは、酸化亜鉛には酸やアルカリへの溶解速度が非常に高いという性質があるため、酸化亜鉛系透明導電膜に対して酸やアルカリを用いてエッチングを行なうと、エッチングレートが非常に大きく（具体的には、ＩＴＯ膜に比べ１００倍以上）、即座に溶解してしまい、良好なパターン形状を得ることができなかったのである。一方、酸化スズ系透明導電膜は、耐薬品性（耐酸性、耐アルカリ性）に優れており、酸やアルカリに対して安定であるため、通常のエッチング液では溶解させにくく、逆の意味でウェットエッチングによるパターンニングできないという問題を有する。したがって、酸化亜鉛系透明導電膜や酸化スズ系透明導電膜は、これまで、パターニングする必要がない用途にしか利用できないという欠点を有する。そこで、酸化亜鉛系薄膜のパターニングを可能にする手段として、特定の酸をエッチング液とし、特定の元素をドープすることにより、エッチングレートを低く抑えることができることが提案されている（特許文献１）。具体的には、ＺｎＯにＴｉを６ａｔ％（ここで、「ａｔ％」は、亜鉛および添加元素の総原子個数１００に対する添加元素の原子個数）ドープした酸化亜鉛系薄膜のエッチング例と、ＺｎＯにＴｉを３ａｔ％ドープした酸化亜鉛系薄膜のエッチング例が開示されている。

　しかし、特許文献１で開示されている酸化亜鉛系薄膜では、エッチングレートの抑制効果が不十分で、エッチングレートを確実に制御することが困難になる場合がある。さらに、この薄膜をＩＴＯ膜に代替する導電性膜として利用しようとする場合、その導電性は必ずしも満足し得るレベルではない。

　また、酸化亜鉛系透明導電膜の環境や化学的な脆弱性は、異種の金属元素を添加することにより制御できることも知られている。特に、非常に強い耐久性を有する酸化チタン（ＴｉＯ₂）を酸化亜鉛中に添加することにより、酸化亜鉛系透明導電膜の耐久性が向上することが、特許文献２に記載されている。

　しかし、特許文献２では、２価の元素である亜鉛元素の結晶中サイトに４価の元素であるＴｉ元素が置換固溶しているため、電荷のバランスの崩れが大きく、結晶構造のひずみが大きいことや、イオン性不純物散乱の要因となることから、十分な導電性を発現することが困難である。

特開２００８－１５９８１４号公報特許第４２９５８１１号

月刊ディスプレイ、１９９９年９月号、ｐ１０～「ＺｎＯ系透明導電膜の動向」

　本発明の第１の課題は、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を得るのに好適な酸化物焼結体および酸化物混合体と、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲットとを提供することにある。本発明の第２の課題は、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法と、この方法により形成される酸化亜鉛系透明導電膜と、この膜を備えた透明導電性基板とを提供することにある。本発明の第３の課題は、パターニングする際のエッチングレートが十分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供することにある。

　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。
　本発明に係る酸化物焼結体の製造方法は、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を、不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中６００℃～１５００℃で焼結する方法である。
（Ａ）酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉
（Ｂ）チタン酸亜鉛化合物粉
　本発明に係る酸化物焼結体の製造方法は、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を大気雰囲気中または酸化雰囲気中６００℃～１５００℃で焼結し、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施す方法である。
（Ａ）酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉
（Ｂ）チタン酸亜鉛化合物粉
　本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛および酸化チタンからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンが原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。
　本発明に係る酸化物混合体の製造方法は、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体に大気雰囲気中、不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中５０℃以上６００℃未満でアニール処理を施す方法である。
　本発明のターゲットは、上記酸化物焼結体または上記酸化物混合体を加工して得られるターゲットである。
　本発明に係る酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法からなる群より選ばれる１種により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法である。
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜は、上記酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により形成された膜である。
　本発明の透明導電性基板は、透明基材上に、上記酸化亜鉛系透明導電膜を備える基板である。
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなる。
　本発明の第二のターゲットは、酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を加工して得られるターゲットである。
　本発明に係る第二の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、上記第二のターゲットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法である。
　本発明の透明導電性基板は、透明基材上に、上記透明導電膜の形成方法により形成された酸化亜鉛系透明導電膜を備える基板である。
　本発明に係るパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜である方法である。

　本発明によれば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＬＤ法またはＥＢ蒸着法によって、優れた導電性と化学的耐久性とを有する酸化亜鉛系透明導電膜を形成することができる。このようにして形成された透明導電膜は、希少金属であり毒性を有するインジウムを必須としないという利点も有するので、工業的に極めて有用である。さらに本発明によれば、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系透明導電膜を得ることができる。

本発明において好適に用いることができるイオンプレーティング装置の一例を示す概略図である。

　（酸化物焼結体）
　本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなるチタンドープ酸化亜鉛の焼結体である。ここで、「実質的」とは、酸化物焼結体を構成する全原子の９９％以上が亜鉛、チタンまたは酸素からなることを意味する。

　本発明の酸化物焼結体は、亜鉛とチタンの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。このＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．０２以下の場合、酸化物焼結体をターゲットとして用いて形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不十分となり、しかも、酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物が形成されにくくなるため焼結体の強度が低下し、ターゲットへの加工が困難になる。一方、Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．１を超える場合、後述するように酸化物焼結体中に含まれないことが望まれる酸化チタン結晶相が形成される可能性が高く、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が低下する傾向にある。前記原子数比は、好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２５～０．０９、より好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０９、さらに好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０８、最も好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４～０．０８である。

　本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成されるか、または、チタン酸亜鉛化合物相から構成されることが好ましい。例えば、過酷な条件（高電力など）で成膜しても、このように酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物相が含まれていると、焼結体自体の強度が増すので、クラックを生じにくい。チタン酸亜鉛化合物としては、例えば、ＺｎＴｉＯ₃やＺｎ₂ＴｉＯ₄のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶したものや、酸素欠損が導入されているものや、Ｚｎ／Ｔｉ比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも挙げられる。また、酸化亜鉛としては、例えば、ＺｎＯのほか、これにチタン元素が固溶したものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも挙げられる。酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造を有する。

　本発明の酸化物焼結体は、実質的に酸化チタンの結晶相を含有しないことが好ましい。酸化物焼結体に酸化チタンの結晶相が含有されると、得られる膜が、比抵抗のなどの物性における均一性に欠けるものとなるおそれがある。本発明の酸化物焼結体は、上述したＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．１以下であるので、通常、酸化チタンが酸化亜鉛に完全に反応し、酸化物焼結体中に酸化チタン結晶相は生じにくい。なお、酸化チタンの結晶相としては、例えば、ＴｉＯ₂、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯのほか、これらの結晶にＺｎなど他の元素が固溶された物質も挙げられる。

　本発明の酸化物焼結体は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素（以下、「添加元素」と記載する場合がある）を、さらに含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、酸化物焼結体をターゲットとして用いて形成される膜の比抵抗に加え、酸化物焼結体自体の比抵抗も低下させることができる。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存し、酸化物焼結体自体の比抵抗を下げることにより、成膜時の生産性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子比で酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して０．０５％以下であることが好ましい。添加元素の含有量が０．０５％を超えると、酸化物焼結体をターゲットとして用いて形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。

　添加元素は、酸化物の形態で酸化物焼結体中に存在していてもよいし、酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよいし、チタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび／または亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよい。

　本発明の酸化物焼結体は、亜鉛およびチタンの必須元素や添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有してもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して０．５％以下であることが好ましい。

　本発明の酸化物焼結体の比抵抗は、５ｋΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。例えば、直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存するので、酸化物焼結体の比抵抗が５ｋΩ・ｃｍを超えると、直流スパッタで安定的な成膜を行えないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、本発明の酸化物焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には１００Ω・ｃｍ以下であるのがよい。

　本発明の酸化物焼結体は、後述する本発明に係る酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、これらの製造方法により得られたものに限定されるわけではない。例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末として得られたものであってもよい。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。

　（酸化物焼結体の製造方法）
　本発明に係る酸化物焼結体の製造方法は、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上記本発明の酸化物焼結体を得る方法である。
（Ａ）酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉
（Ｂ）チタン酸亜鉛化合物粉

　原料粉末としては、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉か、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含むものであればよく、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。上述のように、例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末としても、本発明の酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。

　酸化チタン粉としては、４価のチタンからなる酸化チタン（ＴｉＯ₂）、３価のチタンからなる酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）、２価のチタンからなる酸化チタン（ＴｉＯ）等の粉末を用いることができ、特にＴｉ₂Ｏ₃の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ｔｉ₂Ｏ₃の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱型構造を有するため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいと考えることができるからである。酸化チタン粉の純度は、好ましくは９９重量％以上である。

　低原子価酸化チタンとは、ＴｉＯ（II）、Ｔｉ₂Ｏ₃（III）という整数の原子価を有するものばかりでなく、Ｔｉ₃Ｏ₅、Ｔｉ₄Ｏ₇、Ｔｉ₆Ｏ₁₁、Ｔｉ₅Ｏ₉、Ｔｉ₈Ｏ₁₅等も含む、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される範囲のものである。式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で示される低原子価酸化チタンは、低原子価酸化チタンの混合物であってもよい。通常、酸化チタン（ＴｉＯ₂）を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。この低原子価酸化チタンの構造は、Ｘ線回折装置（Ｘ－ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、　ＸＲＤ）、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、　ＸＰＳ）などの機器分析の結果によって確認することができる。

　酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱型構造のＺｎＯ等の粉末が用いられ、さらにこのＺｎＯを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。酸化亜鉛粉の純度は、好ましくは９９重量％以上である。水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶質のいずれであってもよい。チタン酸亜鉛化合物としては、ＺｎＴｉＯ₃、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄等の粉末を用いることができ、特に、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物（粉）の平均粒径は、それぞれ５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。なお、原料粉末のＢＥＴ比表面積は、特に限定されない。

　原料粉末として、混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物（粉）の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が上記の範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成（ＺｎとＴｉとの原子数比）よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となりやすいので、亜鉛の消失量が増すことになるのである（但し、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい）。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の１．０～１．０５倍程度、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の１．１～１．３倍程度とすればよい。原料粉末として各々用いる化合物（粉）は、それぞれ１種のみであってもよく、２種以上を併用してもよい。

　原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されず、例えば、原料粉末を混合し、得られた混合物を成形すればよい。混合は、例えば、ボールミル、振動ミル、アトライター、ダイノミル、ダイナミックミルなどの公知の混合方法を用いて行うことができる。湿式の場合、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを十分に混合した後、固液分離し、乾燥し、造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ＺｒＯ₂ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行えばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、１２時間～７８時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離、乾燥および造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）などの冷間成形機、一軸プレスなどを用いて１ｔｏｎ／ｃｍ²以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよく、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等が挙げられる。

　得られた成形体の焼結は、不活性雰囲気（窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等）、真空、還元雰囲気（二酸化炭素、水素、アンモニア等）、大気雰囲気および酸化雰囲気（大気よりも酸素濃度が高い雰囲気）のいずれかの雰囲気中、６００℃～１５００℃で行なう。そして、大気雰囲気中あるいは酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施すことが好ましい。この大気雰囲気中あるいは酸化雰囲気中で焼結した後に施す不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、アニール処理を施すのが好ましい。

　いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は、好ましくは６００℃～１７００℃、より好ましくは６００℃～１５００℃、さらに好ましくは１０００℃～１５００℃、最も好ましくは１０００℃～１３００℃とする。焼結温度が６００℃未満であると、焼結が十分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、１５００℃を超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失する。成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、１０００℃までは５℃／分～１０℃／分とし、１０００℃を超え１５００℃までは１℃／分～４℃／分とすることが、焼結密度を均一にする点で好ましい。

　焼結は、例えば、成形体をＺｎＯ粉体内に埋めた状態で分解を防止しながら行なうことにより、得られる焼結体の密度を、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％の高密度とすることが好ましい。高密度の焼結体からなるターゲットは、膜品質の低下、すなわち、特にｆｓ－ＰＬＤ法の場合の結晶性および表面モホロジーの低下を招く可能性のあるアブレーションプルーム内の微粒子を低減するうえで好ましい。

　焼結時間（すなわち、焼結温度での保持時間）は、好ましくは０．５～４８時間、より好ましくは３～１５時間である。

　焼結は、特に制限されるものではなく、電気炉、ガス炉、還元炉などを用いて行ってもよく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等圧プレス（ＨＩＰ）法、放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）法、冷間等圧プレス（ＣＩＰ）法など公知の方法を採用することができる。

　アニール処理を施す際の雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる雰囲気ならびに真空が挙げられる。アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空（好ましくは、２Ｐａ以下）下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。

　アニール温度（加熱温度）は、好ましくは１０００℃～１４００℃、より好ましくは１１００℃～１３００℃である。アニール時間（加熱時間）は、好ましくは７時間～１５時間、より好ましくは８時間～１２時間である。アニール温度が１０００℃未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不十分になるおそれがある。一方、１４００℃を超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成（ＺｎとＴｉとの原子数比）が所望の比率と異なってしまうおそれがある。

　（酸化物混合体）
　本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛と酸化チタンとからなる。すなわち、本発明の酸化物混合体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる混合体である。ここで、「実質的」とは、酸化物混合体を構成する全原子の９９％以上が亜鉛、チタンまたは酸素からなることを意味する。

　本発明の酸化物混合体は、亜鉛とチタンの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．０２以下の場合、この酸化物混合体をターゲットとして用いて形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不十分となる。前記原子数比は、好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２５～０．０９、より好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０９、さらに好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０８、最も好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４～０．０８である。

　酸化チタンとしては、上述の酸化チタン粉を用いることができる。酸化亜鉛は、通常、ウルツ鉱型構造を有する。本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛粉と酸化チタン粉とを混合し、これを成形、例えば一軸プレス成形等して得られる。酸化物混合体の機械的強度を増すために、成形した酸化物混合体を６００℃未満で加熱してもよい。酸化亜鉛と酸化チタンは６００℃未満であれば、焼結して複合酸化物等を生成することはない。

　酸化チタン（III）は酸素が存在する雰囲気中（大気雰囲気および酸化雰囲気）で、４００℃以上に加熱すると酸化され、酸化チタン（IV）に変化する。しかし、酸素が存在しない還元雰囲気および不活性雰囲気で、加熱温度が６００℃未満であれば、焼結せずに混合体として存在することができる。酸素が存在する雰囲気（酸化雰囲気および大気雰囲気）であれば、４００℃未満で加熱するのが好ましい。このように加熱することにより酸化物混合体の機械的強度を高くすることができる。混合体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件（高電力など）で成膜してもクラックを生じにくい。

　本発明の酸化物混合体は、上述の添加元素や不純物を含有していてもよい。添加元素や不純物の含有量は、上述の通りである。

　（酸化物混合体の製造方法）
　本発明の酸化物混合体の製造方法は、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を成形することにより、上記本発明の酸化物混合体を得る方法である。原料粉末としては、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉であればよい。好ましくは、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。これらの酸化チタン粉、酸化亜鉛粉および水酸化亜鉛粉としては、上述の酸化物焼結体と同様のものを使用することができる。

　原料粉末として酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物（粉）の種類に応じて、最終的に得られる酸化物混合体において原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が上述の範囲となるように適宜設定すればよい。

　原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されず、例えば、上記酸化物焼結体と同様の方法で行われる。

　得られた成形体は、機械的強度を高くするため、加熱してアニール処理が行われる。アニールは、常圧アニール法、ホットプレス法、ＨＩＰ法、ＳＰＳ法、ＣＩＰ法など公知の方法で行われる。例えば、大気雰囲気、不活性雰囲気、真空、還元雰囲気などの雰囲気（例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空（好ましくは２Ｐａ以下）、水素等）または酸化雰囲気（大気よりも酸素濃度が高い雰囲気）のいずれかの雰囲気中、５０℃以上６００℃未満で行なう。そして、酸化雰囲気または大気雰囲気中でアニールした場合、４００℃以下で行うことが望ましい。ＴｉＯ，Ｔｉ₂Ｏ₃がＴｉＯ₂に酸化されてしまうからである。酸化チタンとしてＴｉＯ₂を用いた場合、６００℃未満であれば、上記雰囲気のいずれでも構わない。また、製造コストの観点から、アニールは、常圧で行う方法が有利である。アニールすることにより、混合成形体の機械的強度を高めることができる。いずれの雰囲気中でアニールする際も、アニール時間（すなわち、アニール温度での保持時間）は、１時間～１５時間とすることが好ましい。アニール時間が１時間未満であると、機械的強度の向上が十分ではない。

　（ターゲット）
　本発明のターゲットは、例えば、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことを「タブレット」と称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含め「ターゲット」と記載する。さらに、真空蒸着法などの他の真空成膜法、化学気相成長法、ミストＣＶＤ法、ゾルゲル法等の一般的な成膜方法により成膜することも可能である。

　本発明のターゲットは、上述した本発明の酸化物焼結体または酸化物混合体を所定の形状および所定の寸法に加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化物焼結体または酸化物混合体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体または酸化物混合体を分割形状にならべて、大面積のターゲット（複合ターゲット）としてもよい。

　（パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法））
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、ＰＬＤ法が採用され得る。具体的手法や条件などについては、上述のターゲット（膜形成材料）を用いること以外、特に制限はなく、公知の手法や条件を適宜採用すればよい。以下、ＰＬＤ法について説明するが、これらに限定されない。

　ＰＬＤ法は、ターゲット等の膜形成材料の上にパルスレーザビームを集光させ、集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲットの表面上の膜形成材料（酸化チタン、酸化亜鉛の混合体）を融除させてプラズマを形成させ、これを基板表面上に堆積させるものである。このとき、ターゲットと基板は両方とも高真空室内に設置されており、フィードスルー機構によってその動作を制御されている。

　ＰＬＤ法で最も幅広く使用されているパルスレーザ源は、エキシマレーザである。エキシマレーザは、数ナノ秒（ｎｓ）のパルス幅と、ＵＶ領域内の波長とを備えている。その典型的なフルエンス（エネルギー範囲密度）は、典型的な１０ｍｍ²の集光スポットについて数Ｊ／ｃｍ²である。但し、ナノ秒レーザＰＬＤ法では、数ミクロンの寸法の大型液滴が発生することになるので、工業的なナノ秒ＰＬＤの幅広い使用には適さない。そこで、ＰＬＤ法で使用するアブレーションのエネルギー源（パルスレーザ源）としては、フェムト秒レーザまたは類似の超短パルスレーザを使用することが好ましい。ナノ秒レーザパルスと比べて、フェムト秒～ピコ秒のレーザパルスは、その超短のパルス幅のためにピークパワーが遥かに高く、また、アブレーション機構もナノ秒レーザアブレーションのものとは本質的に異なる。基本的な違いは、フェムト秒パルス幅中、ターゲットの内部には無視できる程度の熱伝導しか生じないため、アブレーションは基本的に非溶融状況において発生する。したがって、フェムト秒ＰＬＤ法（ｆｓ－ＰＬＤ法）を用いれば、液滴が生じない薄膜が得られるので好ましい。

　フェムト秒ＰＬＤ法により成膜を行う際には、使用するフェムト秒パルスレーザのレーザビームのパルス幅は、通常１０ｆｓ～１ｐｓとし、パルスエネルギーは通常２μＪ～１００ｍＪとする。最初に、ビームを顕微鏡で１０倍に拡大し、その後、集光レンズでターゲット表面上に集光する。これを小さく集光することで、集光スポットにおけるフルエンス（エネルギー密度）を、４００μｍ²のスポット寸法で最大２５０Ｊ／ｃｍ²まで変化できる。超短パルスの非常に高いピークパワー（＞５×１０⁶Ｗ）のために、フェムト秒レーザを使用したときの膜形成材料（Ｔｉ含有ＺｎＯ）の融除の閾値は、ナノ秒パルスレーザの場合と比べて比較的低い。Ｔｉ含有ＺｎＯターゲットを融除し、アブレーションプラズマを生成するためには、フルエンスは１Ｊ／ｃｍ²よりも高ければ十分である。しかし、プラズマプルーム中の粒子数を減少させるためには、最大５Ｊ／ｃｍ²の高いフルエンスが好ましい。

　パルスレーザ源と、パルスレーザの波長に対して透明な基板と、基板に照射して加熱するための連続波（ＣＷ）赤外線レーザと、マルチターゲットシステムとを装備している装置を用いれば、透明な基板上に透明な薄膜をパルスレーザ堆積したり、多層周期構造を直接堆積したりすることができる。例えば、基板の裏面からパルスレーザを入射し、基板を貫通してターゲット上に集光させると、ターゲットから融除された膜形成材料が、ターゲットと対向した基板の表面上に付着する。その際、基板をターゲットに対して並進移動させることで、基板からターゲットまでの距離を変更できる。基板をターゲットから遠ざければ、大面積薄膜を成膜できる。基板をターゲットに極接近させれば、基板／ターゲット間の短い距離と、その基部におけるアブレーションプルームの狭い角度分布とによって、基板上にレーザの集光スポットと同程度の寸法の微細パターンを成膜することができる。基板を横方向に並進移動させれば、パターン構造（例えば、周期的なライン、格子、ドット）を成膜できる。基板／ターゲット間の長い距離と短い距離のそれぞれにて、異なる材料を用いて、２つの成膜プロセスを交互に実施すれば、多層の周期的誘電体構造を成膜できる。

　基板は、最高９００℃にまで加熱できる基板ヒータに搭載される。そして、基板マニピュレータが基板の表面に横方向及び回転的な動作を与え、該基板マニピュレータを使用して基板とターゲットの間の距離を調整できる。また、真空系は、ターボ分子ポンプで真空排気されることにより、１．５×１０^-8Ｔｏｒｒのベース圧力で動作する。膜の成長中には、吸気口と排気口から別のガスを室に充填することもでき、例えば、室を０．１～２０ミリＴｏｒｒの酸素で充填することができる。

　レーザアブレーションは、レーザビームがターゲット表面上に集光された際に生じる。膜の成長中に、レーザ集光スポットが固定される一方で、ディスク型のターゲットがその表面垂直軸の周囲で回転されて、その表面に沿って、横方向に行ったり来たりの並進運動を行う。これは、ターゲット表面にわたるレーザビームの走査に相当する。このとき、回転の角速度は通常１ｒｅｖ／秒程度である。横方向への並進運動速度は通常０．３ｍｍ／秒程度であり、フルエンスは通常２０Ｊ／ｃｍ^-2程度である。パルス繰り返し周波数は１ｋＨｚに保つ。

　レーザビームをターゲット表面上に集光させる前には、予め、基板を最高６００℃に加熱してガスを放出させておいた後、基板を酸素プラズマで約５分間処理することにより、基板から炭化水素による汚れを除去することが好ましい。また、レーザビームをターゲット表面上に集光させる前には、予め、約２０分間かけてターゲット表面のプレアブレーション（事前融除）を行うことが好ましい。プレアブレーションの目的は、製造過程で汚れたターゲット表面を洗浄することである。プレアブレーションの最中には、ターゲットと基板の間にシャッタが挿入し、基板表面を保護する。

　（スパッタリング法）
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法が採用され得る。具体的手法や条件などについては、上述の膜形成材料を用いること以外、特に制限はなく、公知のスパッタリング法の手法や条件を適宜採用すればよい。

　スパッタリング法による成膜は、例えば、ターゲットをスパッタリング装置内に設置し、この装置内にスパッタリングガスを導入し、直流（ｄｃ）または高周波（ｒｆ）あるいは双方の電界を印可してスパッタリングを行うことにより、基板上に薄膜を形成することができる。

　スパッタリングガスとしては、通常、不活性ガス（例えば、Ａｒなど）が濃度９９．９９５％以上で用いられる。必要に応じて、酸化性ガスや還元性ガスを併用することもできる。しかし、質的に酸素を含まないことが好ましく、酸素濃度は、例えば好ましくは０．０５％未満である。スパッタリング法による成膜条件は、特に制限されないが、例えば、圧力は通常０．1～１０Ｐａ、基板温度は通常２５～３００℃で行うことができる。

　スパッタリングの方式は、特に制限されるものではなく、例えば、ＤＣスパッタリング法（直流スパッタリング法）、ＲＦスパッタリング法（高周波スパッタリング法）、ＡＣスパッタリング法（交流スパッタリング法）またはこれらを組み合わせた方法の中から、使用するターゲットの比抵抗等に応じて適宜採用することができる。例えば、ＤＣスパッタリング法は、他の方式に比べて成膜速度が速く、スパッタリング効率に優れ、しかもＤＣスパッタリング装置は、安価で、制御が容易であり、電力消費量も少ないという利点がある。しかし、これらの方法は、ターゲットが絶縁体であると採用できない。これに対して、ＲＦスパッタリング法では、ターゲットがたとえ絶縁体であっても採用することができる。

　（イオンプレーティング法）
　さらに、本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、イオンプレーティング法が採用され得る。イオンプレーティング法は、成膜室に配設した電極部としてのハース等に、膜形成材料（蒸着材料）を配置し、この蒸着材料に例えばアルゴンプラズマを照射して蒸着材料を加熱し、蒸発させ、プラズマを通過した蒸着材料の各粒子をハース等に対向する位置に置かれた基板に成膜させる方法である。イオンプレーティング法の具体的手法や条件などについては、上述の膜形成材料を用いること以外、特に制限はなく、公知のイオンプレーティング法の手法や条件を適宜採用すればよい。

　以下、イオンプレーティング法の一実施形態について図面を用いて説明する。図１は、イオンプレーティング法を実施するのに好適なイオンプレーティング装置の一例を示す。イオンプレーティング装置１０は、成膜室である真空容器１２と、真空容器１２中にプラズマビームＰＢを供給するプラズマ源であるプラズマガン（プラズマビーム発生器）１４と、真空容器１２内の底部に配置されてプラズマビームＰＢが入射する陽極部材１６と、成膜の対象である基板Ｗを保持する基板保持部材ＷＨを陽極部材１６の上方で適宜移動させる搬送機構１８とを備える。

　プラズマガン１４は、圧力勾配型であり、その本体部分は真空容器１２の側壁に備えられる。プラズマガン１４の陰極１４ａ、中間電極１４ｂ、１４ｃ、電磁石コイル１４ｄおよびステアリングコイル１４ｅへの給電を調整することにより、真空容器１２中に供給されるプラズマビームＰＢの強度や分布状態が制御される。なお、参照符号２０ａは、プラズマビームＰＢのもととなる、Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路を示す。陽極部材１６は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース１６ａと、その周囲に配置された環状の補助陽極１６ｂとからなる。

　ハース１６ａは、適当な正電位に制御されており、プラズマガン１４から出射したプラズマビームＰＢを下方に吸引する。ハース１６ａは、プラズマビームＰＢが入射する中央部に貫通孔ＴＨが形成されており、貫通孔ＴＨに蒸着材料２２が装填されている。蒸着材料２２は、柱状若しくは棒状に成形されたタブレットであり、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて昇華し、蒸着物質を生成する。ハース１６ａは蒸着材料２２を徐々に上昇させる構造を有しており、蒸着材料２２の上端は常に一定量だけハース１６ａの貫通孔ＴＨから突出している。

　補助陽極１６ｂは、ハース１６ａの周囲に同心に配置された環状の容器で構成され、容器内には、永久磁石２４ａとコイル２４ｂとが収容されている。これら永久磁石２４ａおよびコイル２４ｂは、磁場制御部材であり、ハース１６ａの直上にカスプ状磁場を形成し、これにより、ハース１６ａに入射するプラズマビームＰＢの向きが制御され、修正される。

　搬送機構１８は、搬送路１８ａ内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材ＷＨを支持する多数のコロ１８ｂと、コロ１８ｂを回転させて基板保持部材ＷＨを所定の速度で水平方向に移動させる図示しない駆動装置とを備える。基板保持部材ＷＨに基板Ｗが保持される。この場合、基板Ｗを搬送する搬送機構１８を設けることなく、真空容器１２の内部の上方に基板Ｗを固定して配置してもよい。

　真空容器１２には、酸素ガス容器１９中の酸素ガスがマスフローメータ２１によって流量を所定量に調整されながら供給される。なお、参照符号２０ｂは酸素以外の雰囲気ガスを供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｃはＡｒ等の不活性ガスをハース１６ａに供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｄは排気系を示す。

　図１のイオンプレーティング装置１０を用いたイオンプレーティング方法を説明する。まず、真空容器１２の下部に配置されたハース１６ａの貫通孔ＴＨに蒸着材料２２を装着する。一方、ハース１６ａの上方の対向する位置に基板Ｗを配置する。次に、成膜条件に応じたプロセスガスを真空容器１２の内部に導入する。プラズマガン１４の陰極１４ａおよびハース１６ａ間に直流電圧を印加する。そして、プラズマガン１４の陰極１４ａとハース１６ａとの間で放電を生じさせ、これにより、プラズマビームＰＢを生成する。プラズマビームＰＢは、ステアリングコイル１４と補助陽極１６ｂ内の永久磁石２４ａ等とによって決定される磁界に案内されてハース１６ａに到達する。この際、蒸材料２２の周囲にアルゴンガスが供給されるので、容易にプラズマビームＰＢがハース１６ａに引き寄せられる。

　プラズマに曝された蒸着材料２２は、徐々に加熱される。蒸着材料２２が十分に加熱されると、蒸着材料２２が昇華し、蒸着物質が蒸発（出射）する。蒸着物質は、プラズマビームＰＢによりイオン化され、基板Ｗに付着（入射）し、成膜される。なお、永久磁石２４ａおよびコイル２４ｂによってハース１６ａの上方の磁場を制御することにより、蒸着物質の飛行方向を制御することができるため、ハース１６ａの上方におけるプラズマの活性度分布や基板Ｗの反応性分布に合わせて基板Ｗの上の成膜速度分布を調整でき、広い面積にわたって均一な膜質の薄膜を得ることができる。

　真空容器１２の酸素分圧は、特に制限されないが、０．０１２Ｐａ以下に調整することが好ましい。また、必要に応じて、プラズマビームを複数個用意して、区画された複数の真空室で、連続的に成膜を行うこともできる。

　（エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法）
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法が採用され得る。具体的手法や条件などについては、上述の膜形成材料を用いること以外、特に制限はなく、公知のエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法の手法や条件を適宜採用すればよい。エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法では、原料ターゲット（タブレット）に電子ビームを真空中で照射することにより加熱蒸発させて、対向した透明基板上にこれを堆積させ蒸着を行い、透明導電膜を透明基板上に作製することができる。

　（酸化亜鉛系透明導電膜）
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜は、上述の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により形成されたチタンドープ酸化亜鉛からなる透明導電膜である。本発明の酸化亜鉛系透明導電膜中に含まれるチタンと亜鉛の原子数比（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ））は、上記の通りである。これにより、チタンのドープ効果により優れた導電性を発現しうるとともに、化学的耐久性にも優れた膜となる。この酸化亜鉛系透明導電膜は、チタンが酸化亜鉛のウルツ鉱の結晶構造の亜鉛サイトに置換固溶したものある。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜は、良好な透明性を有し、かつ、上述のように優れた導電性と化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）など）を兼ね備えたものである。詳しくは、本発明の酸化亜鉛系透明導電膜は、従来の酸化亜鉛系透明導電膜（すなわち、本発明の如く特定量のチタンを含有しない酸化亜鉛系透明導電膜）における最大の欠点であった化学的耐久性を、透明性および導電性を損なうことなく改善したものである。具体的には、従来の酸化亜鉛系透明導電膜は、膜厚に依存するが、耐熱性については、２００℃の大気雰囲気で３０分間加熱すると比抵抗は急激に増大し、耐湿性については、恒温恒湿雰囲気（温度６０℃、相対湿度９０％）に１０時間保持すると比抵抗が約１０倍増大し、１０００時間保持すると絶縁体になってしまうものであった。また、従来の酸化亜鉛系透明導電膜の耐薬品性は、例えば４０℃の３％塩酸水溶液や４０℃の３％水酸化ナトリウム溶液に浸漬すると１０分後には完全に消失してしまうものであった。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、好ましくは５０ｎｍ～６００ｎｍ、より好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍである。５０ｎｍ未満であると、十分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、６００ｎｍを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。

　（透明導電性基板）
　本発明の透明導電性基板は、透明基材上に、上述の酸化亜鉛系透明導電膜を備えるものである。

　透明基材は、種々の成膜方法において形状を維持しうるものであれば、特に限定されない。例えば、各種ガラス等の無機材料、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリイミドなどのプラスチック類）等の樹脂などで形成された板状物、シート状物、フィルム状物等を用いることができるが、特に、ガラス板、樹脂フィルム又は樹脂シートであるのが好ましい。透明基材の可視光透過率は、通常、９０％以上、好ましくは９５％以上であるのがよい。

　透明基材として樹脂フィルムや樹脂シートを用いる場合、成膜で受けるダメージを分散均一化するために、工業的に行われているロールツーロールの成膜方法で、巻き出し速度と巻取り速度をコントロールしながら引張応力をかけた状態で成膜することが好ましい。さらに、あらかじめ樹脂フィルムまたは樹脂シートを加熱した状態で成膜してもよいし、成膜最中に樹脂フィルムまたは樹脂シートを冷却するようにしてもよい。また、成膜でダメージを受ける時間を短縮するため、樹脂フィルムまたは樹脂シートの搬送速度の高速化（例えば１．０ｍ／分以上で）を図ることも効果的であり、この場合は、例えば成膜する樹脂フィルムまたは樹脂シートとターゲットとの距離が短くても成膜が可能となり、工業的プロセスとしては有利である。

　透明基材には、必要に応じて、単層または多層からなる絶縁層、半導体層、ガスバリア層または保護層のいずれかが形成されていてもよい。絶縁層としては、酸化珪素膜や窒化酸化珪素膜などが挙げられる。半導体層としては、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）などが挙げられ、主にガラス基板に形成される。ガスバリア層としては、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、アルミニウム酸マグネシウム膜などが挙げられ、水蒸気バリア膜などとして樹脂板もしくは樹脂フィルムに形成される。保護層は、基材の表面を傷や衝撃から守るためのものであり、Ｓｉ系、Ｔｉ系、アクリル樹脂系など各種コーティング層が挙げられる。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の比抵抗は、通常２×１０^-3Ω・ｃｍ以下、好ましくは１×１０^-4Ω・ｃｍ以下、より好ましくは８×１０^-4Ω・ｃｍ以下である。また、その表面抵抗（シート抵抗）は、用途によって異なるが、通常５～１００００Ω／□、好ましくは５～３００Ω／□、より好ましくは１０～３００Ω／□である。なお、比抵抗および表面抵抗は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の透過率は、可視光領域で、通常８５％以上、好ましくは９０％以上である。また、その全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上であり、そのヘイズ値は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下であるのがよい。なお、透過率は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。

　本発明の透明導電性基板には、必要に応じて、最外層として、保護膜、反射防止膜、フィルター等の役割や、液晶の視野角の調整、曇り止め等の機能を発揮する任意の樹脂または無機化合物の層を、１層または２層以上積層することができる。

　（酸化亜鉛系透明導電膜形成材料）
　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含む酸化物混合体または酸化物焼結体からなる。

　前記原子数比が０．０２以下の場合、この材料をターゲットとして用いて形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不十分となる。一方、前記原子数比が０．１を超える場合、チタンが亜鉛サイトに十分置換固溶できなくなり、この材料をターゲットとして用いて形成された膜の導電性や透明性が低下する傾向にある。前記原子数比は、好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２５～０．０９、より好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０９、さらに好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３～０．０８、最も好ましくはＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４～０．０８である。

　また、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合は、全金属原子数に対して０．５％以上６％以下である。ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．５％未満の場合、導電性の向上効果が不十分となる。一方、６％を超える場合、ガリウムまたはアルミニウムが亜鉛サイトに置換固溶解しきれなくなり、結晶粒界に析出し、導電性の低下、透過率の低下を招くこととなる。なお、ＡｌとＧａは、両方を用いても構わない。その場合、それらの合計量で前記した０．５％以上６％以下の条件を満たせばよい。ここでいう酸化物混合体や酸化物焼結体の製造方法としては、原料粉末として、酸化アルミニウム粉または酸化ガリウム粉をさらに加えた混合粉を用いる以外は、既に述べた酸化物混合体や酸化物焼結体の製造方法と同様である。

　また、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合は、全金属原子数に対して０．５％以上６％以下である。ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．５％未満の場合、導電性の向上効果が不十分となる。一方、６％を超える場合、ガリウムまたはアルミニウムが亜鉛サイトに置換固溶解しきれなくなり、結晶粒界に析出し、導電性の低下、透過率の低下を招くこととなる。なお、ＡｌとＧａは、両方を用いても構わない。その場合、それらの合計量で前記した１％以上６％以下の条件を満たせばよい。酸化物混合体、酸化物焼結体とは、酸化亜鉛粉と酸化チタン粉と酸化アルミニウム粉とを混合するか、または酸化亜鉛粉と酸化チタン粉と酸化ガリウム粉とを混合し、プレス成形したものである。酸化チタン粉は、上述の通りであり、３価の酸化チタン（III）または２価の酸化チタン（II）が好ましい。また、酸化チタンの結晶相とは、具体的には、Ｔｉ₂Ｏ₃（III）、ＴｉＯ（II）とする。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、上述の添加元素（但し、ガリウムおよびアルミニウムを除く）や不純物を含有していてもよい。添加元素や不純物の含有量は、上述の通りである。特に、添加元素を含有することによって、形成される透明導電膜の比抵抗が低下し、導電性を向上させることができる。添加元素の含有量が０．０５％を超える場合、得られる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料から形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。

　また、添加元素は、酸化物の形態で酸化物混合体、酸化物焼結体中に存在していてもよいし、酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよいし、酸化チタン相のチタンサイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよい。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を構成する酸化物焼結体は、好ましくは９３％以上の相対密度、より好ましくは９５％～１００％の相対密度を有する。ここで、相対密度とは、酸化物焼結体の密度を理論密度で除し、１００を掛けたものと定義される。相対密度が９３％未満であると、焼結体の特徴である、成膜速度が速いという特徴を損なわれるおそれがある。

　酸化物混合体および酸化物焼結体は、特に限定されず、例えば上述の方法で製造される。

　本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットに加工される。この加工されたターゲットを用いて、例えば、酸化亜鉛系透明導電膜が形成され、この導電膜を透明基板上に形成することにより、透明導電性基板が得られる。

　（パターニング方法）
　本発明のパターニング方法においては、以上のような酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングする。

　本発明において用いることのできるエッチング液は、酸を含むものであれば、特に制限されるものではなく、例えばＩＴＯ膜など従来の透明導電膜のパターニングに使用されるエッチング液を用いることができる。酸としては、具体的には、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、ハロゲン化水素酸（例えばヨウ化水素酸や臭化水素酸など）、これらの混合物（例えば王水など）等の無機酸や、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、コハク酸、マロン酸、酪酸、クエン酸等の有機酸が挙げられ、これらを含むエッチング液は、通常、適当な溶媒に溶解させた（水）溶液として用いられるが、酸そのものであってもよい。また、エッチング液には、例えば、硫酸アンモニウム、塩化第二鉄などの各種塩を溶解させることもできる。エッチング液は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

　前記エッチング液の濃度は、特に制限されるものではなく、所望のエッチングレートになるように、エッチング液の液温や膜の硬化レベル等に応じて、適宜設定すればよい。前記エッチング液の液温は、１０℃～１５０℃とすることが好ましく、より好ましくは２０℃～１００℃とするのがよい。エッチング液の液温が１０℃未満であると、エッチングできなくなるおそれがあり、一方、１５０℃を超えると、水等の溶媒が揮発しやすくなり、エッチング液の濃度管理が困難となるおそれがある。

　前記エッチング液を用いてエッチングを行う際の処理方法は、特に制限はなく、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜の上に所望のパターンを有するレジスト膜を形成し、該レジスト膜に覆われていない部分、すなわち該レジスト膜から露出した部分をエッチング液を用いて除去し、その後、レジスト膜を適当な溶剤（例えばメチルセロソルブアセテート等）を用いて剥離、除去することにより、所望のパターンを形成することができる。レジスト膜の形成や除去、エッチング液による露出部の除去を行う際の具体的な手法や条件については、特に制限はなく、例えば、ＩＴＯ膜など従来の透明導電膜に適用されるウェットエッチング処理における手法や条件に準じて適宜行えばよい。

　本発明によりパターニングされた薄膜は、高い導電性を有するものであり、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜を前記透明基材上に形成してパターニングすることにより得られる透明導電性基板は、比抵抗が、通常２×１０^-3Ω・ｃｍ以下、好ましくは１×１０^-3Ω・ｃｍ以下、より好ましくは８×１０^-4Ω・ｃｍ以下である。また、その表面抵抗（シート抵抗）は、用途によって異なるが、通常５～１００００Ω／□、好ましくは１０～３００Ω／□であるのが好ましい。

　本発明によりパターニングされた薄膜は、通常、透明性にも優れるものであり、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜を前記透明基材上に形成してパターニングすることにより得られる透明導電性基板は、透過率が、可視光領域で、通常８５％以上、好ましくは９０％以上である。また、その全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上であり、そのヘイズ値は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。

　本発明の酸化物焼結体もしくは酸化物混合体または本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）など）とを兼ね備えたものであるので、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、本発明の酸化物焼結体もしくは酸化物混合体または本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。

　本発明によりパターニングされた薄膜は、エッチングレートを十分に制御して得られるものであるので、形成されたパターン形状が正確である。

　以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。
　＜比抵抗＞
　比抵抗は、抵抗率計（三菱化学（株）製「ＬＯＲＥＳＴＡ－ＧＰ、ＭＣＰ－Ｔ６１０」)を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに４本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。
　＜表面抵抗＞
　表面抵抗（Ω／□）は、比抵抗（Ω・ｃｍ）を膜厚（ｃｍ）で除することにより算出した。
　＜透過率＞
　透過率は、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光（株）製「Ｖ－６７０」）を用いて測定した。
　＜耐湿性＞
　透明導電性基板を、温度６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間保持する耐湿試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐湿試験後の表面抵抗が、耐湿試験前の表面抵抗の２倍以下であると、耐湿性に優れると言える。
　＜耐熱性＞
　透明導電性基板を、温度２００℃の大気中に５時間保持する耐熱試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐熱試験後の表面抵抗が、耐熱試験前の表面抵抗の１．５倍以下であると、耐熱性に優れると言える。
　＜耐アルカリ性＞
　透明導電性基板を、３％のＮａＯＨ水溶液（４０℃）中に１０分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。
　＜耐酸性＞
　透明導電性基板を、３％のＨＣｌ水溶液（４０℃）中に１０分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。

　（実施例１）
＜酸化物混合体の製造＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（Ｔｉ₂Ｏ₃粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９４：６となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に、得られた成形体を、大気雰囲気中、３００℃にて１時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体（１）を得た。
　得られた酸化物混合体（１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９４：６であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０６）。この酸化物混合体（１）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（１）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板（石英ガラス基板）を設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９４：６であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は５．８×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１１．６Ω／□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２）
＜酸化物混合体の製造＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（Ｔｉ₂Ｏ₃粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９５：５となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に、得られた成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、５００℃で１時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体（２）を得た。
　得られた酸化物混合体（２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９５：５であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０５）。この酸化物混合体（２）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（２）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９５：５であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．９×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は９．８Ω／□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例１）
＜酸化物混合体の製造＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（Ｔｉ₂Ｏ₃粉末；純度９９．９％、平均粒径１・ｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９９：１となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に、得られた成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、５００℃で１時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体（Ｃ１）を得た。
　得られた酸化物混合体（Ｃ１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９９：１であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）。

　次に、得られた酸化物混合体（Ｃ１）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板（石英ガラス基板）を設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力１００Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９９：１であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は１．２×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は２４Ω／□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．３倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の２．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）に劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３）
＜酸化物焼結体の製造＞
　実施例１と同様にして得た円盤状成形体を、大気雰囲気中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１５００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１５００℃で５時間保持することにより焼結し、その後、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）にて１３００℃で５時間アニール処理を行い、酸化物焼結体（３）を得た。
　得られた酸化物焼結体（３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）。この酸化物焼結体（３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて実施例１と同様にして、スパッタリング法により基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態を調べところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は６．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１２．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例４）
＜酸化物焼結体の製造＞
　実施例２と同様にして得た円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（４）を得た。
　得られた酸化物焼結体（４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９４：６であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０６）。この酸化物焼結体（４）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（４）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９４：６であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は５．８×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１１．６Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例２）
＜酸化物焼結体の製造＞
　比較例１と同様にして得た円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（Ｃ２）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９８．５：１．５であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１５）。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ２）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９８．５：１．５であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は８．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１６Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．１倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．８倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）に劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例５）
＜酸化物焼結体の製造（ホットプレス法）＞
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とチタン元素の元素数比が９７．０：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（５）を得た。

　得られた酸化物焼結体（５）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）。この酸化物焼結体（５）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（５）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例６）
＜酸化物焼結体の製造（ホットプレス法）＞
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とチタン元素の元素数比が９７．０：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（６）を得た。

　得られた酸化物焼結体（６）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）。この酸化物焼結体（６）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（６）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．４×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例７）
＜酸化物焼結体の製造（ＴｉＯ（II）の常圧焼結法）＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１・ｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（ＴｉＯ（II）粉末；純度９９．９％、平均粒径１・ｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（７）を得た。
　得られた酸化物焼結体（７）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）。この酸化物焼結体（７）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（７）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　（比較例３）
＜酸化物焼結体の製造（ＴｉＯ（II）の常圧焼結法）＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（ＴｉＯ（II）粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（Ｃ３）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）。この酸化物焼結体（Ｃ３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ３）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．１×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４２０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６６％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（実施例８）
＜酸化物焼結体の製造（ＴｉＯ（II）の常圧焼結法）＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（ＴｉＯ（II）粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（８）を得た。
　得られた酸化物焼結体（８）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）。この酸化物焼結体（８）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（８）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は５．９×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１１．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例９）
＜酸化物焼結体の製造（ＴｉＯ（II）の常圧焼結法）＞
　酸化亜鉛粉（ＺｎＯ粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、和光純薬工業（株）製）および酸化チタン粉（ＴｉＯ（II）粉末；純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下、（株）高純度化学研究所製）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９１：９となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ₂ボールを用い、混合時間を１８時間として行った。
　次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力をかけて成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状成形体を得た。

　次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気（１００％Ａｒ雰囲気）中、１０００℃までを５℃／分で、１０００℃を超え１３００℃までを１℃／分で昇温し、焼結温度である１３００℃で５時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体（９）を得た。
　得られた酸化物焼結体（９）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９１：９であった（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０９）。この酸化物焼結体（９）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（９）を５０ｍｍφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例１と同様にして、スパッタリング法により膜厚５００ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、実施例１と同様にして、蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９１：９であった。また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．２×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４４．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例１と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１０）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１０１．３２５ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（１０）を得た。
　得られた酸化物混合体（１０）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物混合体（１０）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（１０）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は５．１×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１０．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１１）
　実施例１０で得た酸化物混合体（１０）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（アクリル系透明樹脂シート）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力１００Ｗ、基板温度１３０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１４.４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８８％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前のアクリル系透明樹脂シートの可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９３％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９３％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．４倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１２）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を、まず常圧（１０１．３２５ｋＰａ）の大気雰囲気下、５００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（１１）を得た。

　得られた酸化物混合体（１１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物混合体（１１）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタンの結晶相の混合物であった。
　次に、得られた酸化物混合体（１１）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力１００Ｗ、基板温度１３０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は８．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１６Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６２％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．４倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１３）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（１２）を得た。
　得られた酸化物焼結体（１２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（１２）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１２）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．４×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例４）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９９：１となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１０１．３２５ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（Ｃ４）を得た。
　得られた酸化物混合体（Ｃ４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。

　次に、得られた酸化物混合体（Ｃ４）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力１００Ｗ、基板温度１３０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．５×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１２５Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．６倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の２．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明ではあるが、高抵抗であり、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）には劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例５）
　平均粒径が１μｍの酸化亜鉛粉末９７．７重量部と、平均粒径が０．２μｍの酸化アルミニウム粉末２．３重量部とを、ポリエチレン製ポットに入れ、乾式ボールミルを用いて７２時間混合し、原料粉末の混合物を得た。得られた混合物を金型に入れ、成形圧３００ｋｇ／ｃｍ²の圧力でプレスを行い、成形体を得た。この成形体に３ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を施した後、以下の条件で焼結して、アルミニウムドープ酸化亜鉛の酸化物焼結体（Ｃ５）を得た。
　　焼結温度：１５００℃
　　昇温速度：５０℃／時間
　　保持時間：５時間
　　焼結雰囲気：大気中
　得られた酸化物焼結体（Ｃ５）は、Ｘ線回折で分析したところ、ＺｎＯとＺｎＡｌ₂Ｏ₄との２相の混合組織であった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ５）を４インチφ、６ｍｍｔの形状に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製バッキングプレートにボンディングすることにより、ターゲットを作製した。そして、このターゲットを用いて、以下の条件でスパッタリング法による成膜を行い、透明基材（石英ガラス基板）上に膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成し、透明導電性基板を得た。形成した膜中のＡｌ含有量は２．３重量％であった。
　　装置　　　　　　　　：ｄｃマグネトロンスパッタ装置
　　磁界強度　　　　　　：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
　　基板温度　　　　　　：２００℃
　　到達真空度　　　　　：５×１０^-5Ｐａ
　　スパッタリングガス　：Ａｒ
　　スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
　　ＤＣパワー　　　　　：３００Ｗ

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．６×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は２５．３Ω／□であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８８％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５５％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の３．２倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の７．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）には劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１４）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、１０００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（１３）を得た。
　得られた酸化物焼結体（１３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物混合体（１３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１３）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１５）
　実施例１４と同様にして、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（１４）を得た（ホットプレス法）。
　得られた酸化物焼結体（１４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（１４）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１４）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　（実施例１６）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（１５）を得た（ホットプレス法）。
　得られた酸化物焼結体（１５）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（１５）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１５）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　（比較例６）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（Ｃ６）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ６）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。この酸化物焼結体（Ｃ６）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ６）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかったが、結晶性は低下していた。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．２×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４４０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６６％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（比較例７）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（Ｃ７）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ７）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。この酸化物焼結体（Ｃ７）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ７）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．１×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４２０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６６％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（実施例１７）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（１６）を得た（ホットプレス法）。
　得られた酸化物焼結体（１６）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。この酸化物焼結体（１６）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１６）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は６．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１２．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１８）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（１７）を得た（ホットプレス法）。
　得られた酸化物焼結体（１７）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。この酸化物焼結体（１７）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１７）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は５．９×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１１．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例１９）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、５００℃で１時間加熱して、酸化物混合体（１８）を得た。
　得られた酸化物混合体（１８）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物混合体（１８）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（１８）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２５０℃
　　Base Pressure: ７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．４×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１４．７Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２０）
　実施例１９で得られた酸化物混合体（１８）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製した。このターゲットを用いて、実施例１９における透明基板（石英ガラス基板）をアクリル系透明樹脂シート（８０ｍｍ×８０ｍｍ×２ｍｍｔ平板）に代えるとともに、成膜条件（Substrate Temperature）を下記通り変更したこと以外は、実施例１９と同様にして、成膜時間１２０分間でＰＬＤ法により、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：１３０℃
　　Base Pressure: ７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４であった。また、この透明導電膜について、実施例１９と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は６．３×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は２１Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の樹脂シートの可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２１）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（１９）を得た。
　得られた酸化物焼結体（１９）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物焼結体（１９）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（１９）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２５０℃
　　Base Pressure: ７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　（比較例８）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９９：１となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間加熱して、酸化物混合体（Ｃ８）を得た。
　得られた酸化物混合体（Ｃ８）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。

　次に、得られた酸化物混合体（Ｃ８）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いて、実施例１９と同様にして、成膜時間１２０分間でＰＬＤ法により、膜厚３２０ｎｍの透明導電膜を形成した。
　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９９：１であった。また、この透明導電膜について、実施例１９と同様にして、Ｘ線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．３４×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は７３．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域における透過率は、実施例１９と同じである。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．４倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の２．２倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。

　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明ではあるが、抵抗が大きく導電性に劣るとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）にも劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２２）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（２０）を得た。
　得られた酸化物焼結体（２０）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（２０）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２０）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１４．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．７倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２３）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（２１）を得た。
　得られた、酸化物焼結体（２１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この、酸化物焼結体（２１）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた、酸化物焼結体（２１）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１３．３Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．７倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２４）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（２２）を得た（ホットプレス焼結）。得られた酸化物焼結体（２２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（２２）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２２）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）社製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　（実施例２５）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（ＩＩ）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（２３）を得た（ホットプレス焼結）。得られた酸化物焼結体（２３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（２３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２３）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１３．３Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．７倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。

　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２６）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（２４）を得た（ホットプレス焼結）。得られた酸化物焼結体（２４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。この酸化物焼結体（２４）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２４）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は９．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６７％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．４倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。

　（比較例９）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（ＩＩ）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（Ｃ９）を得た（ホットプレス焼結）。得られた酸化物焼結体（Ｃ３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。この酸化物焼結体（Ｃ９）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ９）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は１．１×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３６７．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（比較例１０）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（Ｃ１０）を得た（ホットプレス焼結）。得られた酸化物焼結体（Ｃ１０）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。この酸化物焼結体（Ｃ１０）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）との結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ１０）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてＰＬＤ法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、パルスレーザ蒸着装置（誠南工業（株）製「ＰＳ－２０００」）内に、上記ターゲットと、該ターゲットに対向させるように石英ガラス基板とを設置し、レーザ発光装置（ラムダ・フィジクス（株）製「Ｃｏｍｅｘ２０５型」）を用いて、下記の成膜条件下、成膜時間１２０分間で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　＜成膜条件＞
　　Laser:ArF Excimer Laser(波長＝１９３ｎｍ)
　　Laser Energy:１８ｍＪ
　　Repetition Frequency:５Ｈｚ
　　Target to substrate Distance:４０ｎｍ
　　Substrate:Corning＃１７３７
　　Substrate Temperature(℃)：２００℃
　　Base Pressure:７．２×１０^-4Ｐａ
　　Gas Pressure(酸素)：０．２５Ｐａ
　　Gas Flow Rate:８．６ｓｃｃｍ
　　Film thickness:３００ｎｍ

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．４×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８００．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（実施例２７）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１００Ｐａ）のアルゴン雰囲気下、５００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（２５）を得た。
　得られた酸化物混合体（２５）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。
　次に、得られた酸化物混合体（２５）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．３×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３６．５Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例１１）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９９：１となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１００Ｐａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（Ｃ１１）を得た。
　得られた酸化物混合体（Ｃ１１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。
　次に、得られた酸化物混合体（Ｃ１１）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚１５０ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：１５０秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９９：１であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．０×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４６７Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９１％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の３．１倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の３．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるが、高抵抗であり、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）に劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２８）
　実施例２７と同様にして得られた酸化物混合体（２５）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚５０ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：５０秒

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は８．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１６０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９１％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．８倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．５倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、膜厚が１００ｎｍ以下であっても、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例２９）
　実施例２７と同様にして得られた酸化物混合体（２５）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（２００℃以上で耐熱性を示す厚み０．３ｍｍの耐熱透明樹脂フィルム）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２００℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は８．５×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４２．５Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８５％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の耐熱透明樹脂フィルムの可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９０％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９０％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．８倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．５倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、基板が耐熱性フィルムであっても、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３０）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（２６）を得た。
　得られた酸化物焼結体（２６）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物焼結体（２６）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２６）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．８×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３９．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．５倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３１）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９６：４となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（２７）を得た。
　得られた酸化物焼結体（２７）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６：４（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。この酸化物焼結体（２７）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２７）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９６：４であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は７．３×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３６．５Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３２）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。さらに該焼結体をアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（２８）を得た。
　得られた酸化物焼結体（２８）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（２８）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２８）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は６．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３３）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、１０００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（２９）を得た。
　得られた酸化物焼結体（２９）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（２９）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（２９）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９５：５であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は６．０×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は３０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．６倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例１２）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９８．５：１．５となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、１０００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（Ｃ１２）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ１２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９８．５：１．５（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１５）であった。この酸化物焼結体（Ｃ１２）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ１２）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９８．５：１．５であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は１．２×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は６０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．６倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の２．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるが、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）に劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（比較例１３）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、１０００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（Ｃ１３）を得た。
　得られた酸化物焼結体（Ｃ１３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。この酸化物焼結体（Ｃ１３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ１３）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。
　すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力　　　　　　　：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件　　：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流　　　　　：１００Ａ
　　成膜時間　　　　　　　　　：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかったが、結晶性は低下していた。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は２．４×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１２００．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７３％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。

　（実施例３４）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃（III）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（３０）を得た。（ホットプレス）
　得られた酸化物焼結体（３０）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。この酸化物焼結体（３０）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３０）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流：１００Ａ
　　成膜時間：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は１．１×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は５５．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６７％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．４倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３５）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９３：７となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（３１）を得た。（ホットプレス焼結）
　得られた酸化物焼結体（３１）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９３：７（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０７）であった。この酸化物焼結体（３１）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３１）を２０ｍｍφの円盤状に加工することにより、タブレットを作製し、これを用いてイオンプレーティング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、イオンプレーティング装置（中外炉工業（株）製「ＳＵＰＬａＤＵＯ」）を用い、下記の条件でイオンプレーティングを行い、透明基材（厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板）上に、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
　　成膜前の基板の予備加熱温度：２５０℃
　　成膜時の圧力：０．３Ｐａ
　　成膜時の雰囲気ガス条件：アルゴン＝１６０ｓｃｃｍ、酸素＝２ｓｃｃｍ
　　成膜時の放電電流：１００Ａ
　　成膜時間：２００秒

　形成した透明導電膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９３：７であった。また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は９．４×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４７．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６７％であった。なお、成膜前のガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．４倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３６）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９３．０：２．０：５．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９５．３％であった。なお、相対密度は、下記の式から求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。
　　相対密度＝１００×[（焼結体の密度）／（理論密度）]
　但し、理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合重量比＋酸化ガリウムの単体密度×混合重量比＋酸化チタンの単体密度×混合重量比）

　得られた焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウム半田を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
　得られたスパッタリングターゲットを用い、スパッタリングにより成膜を行った。スパッタ条件は以下のとおりであり、厚さ約５００ｎｍの薄膜を得た。
　　ターゲット寸法　：５０．８ｍｍφ　３ｍｍ厚
　　スパッタリング装置　：キャノンアネルバ製　「Ｅ-２００Ｓ」
　　スパッタ方式　：ＤＣマグネトロンスパッタリング
　　到達真空度　：２．０×１０^-4Ｐａ
　　Ａｒ圧力　：０．５Ｐａ
　　基板温度　：２５０℃
　　スパッタ電力　：３０Ｗ
　　使用基板　：ソーダライムガラス（５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．５ｍｍ）

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．７×１０^-4Ωｃｍであった。表面抵抗は９．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。

　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。また、耐アルカリ性、耐酸性に優れていることから、パターニングの際には適当なエッチングレートを有することが推測される。

　（実施例３７）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９４．０：２．０：４．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、大気雰囲気中３００℃で加熱処理を行い、酸化物混合体を得た。
　得られた酸化物混合体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウム半田を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。

　得られたスパッタリングターゲットを用い、スパッタリングにより成膜を行った。スパッタ条件は以下のとおりであり、厚さ約５００ｎｍの薄膜を得た。
　　ターゲット寸法　：５０．８ｍｍφ　３ｍｍ厚
　　スパッタリング装置　：キャノンアネルバ製　「Ｅ-２００Ｓ」
　　スパッタ方式　：ＤＣマグネトロンスパッタリング
　　到達真空度　：２．０×１０^-4Ｐａ
　　Ａｒ圧力　：０．５Ｐａ
　　基板温度　：２５０℃
　　スパッタ電力　：３０Ｗ
　　使用基板　：ソーダライムガラス（５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．５ｍｍ）

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．６×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は９．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５７％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。

　（比較例１４）
　平均粒径が１μｍの酸化亜鉛粉末９７．７重量部と、平均粒径が０．２μ?の酸化アルミニウム粉末２．３重量部とを、ポリエチレン製ポットに入れ、乾式ボールミルを用いて７２時間混合し、原料粉末の混合物を得た。得られた混合物を金型に入れ、成形圧３００ｋｇ／ｃｍ²の圧力でプレスを行い、成形体を得た。この成形体に３ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を施した後、以下の条件で焼結して、アルミニウムドープ酸化亜鉛の焼結体を得た。
　　焼結温度　：１５００℃
　　昇温速度　：５０℃／時間
　　保持時間　：５時間
　　焼結雰囲気：大気中
　得られた焼結体は、Ｘ線回折で分析したところ、ＺｎＯとＺｎＡｌ₂Ｏ₄との２相の混合組織であった。

　次に、得られた焼結体を４インチφ、６ｍｍ厚の形状に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製バッキングプレートにボンディングすることにより、ターゲットを作製した。そして、このターゲットを用いて、以下の条件でスパッタリング法による成膜を行い、透明基材（石英ガラス基板）上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成し、透明導電性基板を得た。形成した膜中のＡｌ含有量は２．３重量％であった。
　　スパッタリング装置：キャノンアネルバ製　「Ｅ－２００Ｓ」
　　スパッタ方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング
　　磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
　　基板温度：２５０℃
　　到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
　　スパッタリングガス：Ａｒ
　　スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
　　ＤＣパワー：３００Ｗ

　得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は４．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．４Ω／□であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５０％であった。
　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の２．１倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の２．０倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。

　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）には劣る透明導電膜であることが明らかである。

　（実施例３８）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気中、１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．８％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．１×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は８．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例３９）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．６％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．６×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は９．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例４０）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９２．５：０．５：７．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９３．９％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、５．５×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は１１．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例４１）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．７％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、３．９×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は７．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例４２）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．５％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．４×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は８．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例４３）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９２．５：０．５：７．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．０％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍΦ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、５．３×１０^-4Ω・ｃｍであった。表面抵抗は１０．６Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．１倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。

　（実施例４４）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。（ホットプレス焼結）
　この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．３％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例４５）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とガリウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。（ホットプレス焼結）
　この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９５．６％であった。なお、相対密度は、実施例３６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例４６）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．９％であった。なお、相対密度は、下記の式から求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。
　　相対密度＝１００×[（焼結体の密度）／（理論密度）]
　但し、理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合重量比＋酸化アルミニウムの単体密度×混合重量比＋酸化チタンの単体密度×混合重量比）

　（実施例４７）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍΦジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．８％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例４８）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９２．５：０．５：７．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．２％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例４９）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．８％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例５０）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．７％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例５１）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９２．５：０．５：７．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９４．２％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例５２）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９６．５：０．５：３．０となるように秤量し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。（ホットプレス焼結）
　この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９６．６％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（実施例５３）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９４．５：０．５：５．０となるように秤量し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。（ホットプレス焼結）
　この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９５．８％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　（比較例１５）
　酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃、住友化学（株）製）、および酸化チタン（ＴｉＯ（II）、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とアルミニウム元素とチタン元素の元素数比が９０．０：７．０：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍΦジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を金型に入れ、４０ＭＰａの圧力で加圧し、円盤型の成形体を得た。これを電気炉に入れ、Ａｒ雰囲気で１３００℃で加熱処理を行い、焼結体を得た。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９３．０％であった。なお、相対密度は、実施例４６と同様にして求めている。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。

　得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ－ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ－６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
　また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製、ロレスタ）で、膜厚をＴｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、８．２×１０^-3Ω・ｃｍであった。表面抵抗は１６４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均５０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．３倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
　得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。

　以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）と耐アルカリ性、耐酸性に優れていることも兼ね備えた透明導電膜であるが、近赤外透過性が低く、高抵抗である。

　（実施例５４）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学品研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９２：８となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（０．１０１３ＭＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（３２）を得た。
　得られた酸化物混合体（３２）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９２：８（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０８）であった。この酸化物混合体（３２）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（３２）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９２：８（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０８）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は８．３×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１６．６Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　次に、形成された薄膜を３０℃の１質量％クエン酸水溶液に６０秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度（ｎｍ／秒）を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計（Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」）を用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は０．２７ｎｍ／秒であった。

　一般に、エッチング速度が０．５ｎｍ／秒以下であれば十分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。

　（実施例５５）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（３３）を得た。
　得られた酸化物焼結体（３３）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。この酸化物焼結体（３３）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３３）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０４）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は４．４×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．８Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　次に、形成された薄膜を３０℃の１質量％クエン酸水溶液に６０秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度（ｎｍ／秒）を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計（Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」）を用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は０．４０ｎｍ／秒であった。

　（比較例１６）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（Ｔｉ₂Ｏ₃；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９９：１となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（０．１０１３ＭＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（Ｃ１４）を得た。
　得られた酸化物混合体（Ｃ１４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。

　次に、得られた酸化物混合体（Ｃ１４）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力１００Ｗ、基板温度１３０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚２００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９９：１（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０１）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は２．２５×１０^-3Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１１２．５Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均７０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　次に、実施例５４と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、１．２ｎｍ／秒であった。

　この膜の場合、エッチング速度が１．０ｎｍ／秒以上であるので制御が難しく、この薄膜に対し、実施例１と同様のクエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成は困難であった。

　（比較例１７）
　酸化アルミニウムを２質量％含有した酸化亜鉛スパッタリング用ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタリング法により、アルミニウム原子をドープした酸化亜鉛薄膜を、ソーダライムガラス（厚さ０．７ｍｍ）上に形成した。なお、スパッタリングは、成膜時の電力を７５Ｗ、成膜圧力を０．５Ｐａ、酸素分圧を０Ｐａ、基板温度を室温、成膜時間を３０分間として行った。

　次に、実施例５４と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、１．５ｎｍ／秒であった。

　（実施例５６）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９２：８となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（０．１０１３ＭＰａ）のアルゴン雰囲気下、４００℃で３時間アニールして、酸化物混合体（３４）を得た。
　得られた酸化物混合体（３４）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９２：８（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０８）であった。この酸化物混合体（３４）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）の結晶相の混合物であった。

　次に、得られた酸化物混合体（３４）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９２：８（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０８）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は７．６×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は１５．２Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均９０％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６５％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例５７）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ²にて成形し、直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧（１．０１３２５×１０²ｋＰａ）のアルゴン雰囲気下、８００℃で４時間焼結して、酸化物焼結体（３５）を得た。
　得られた酸化物焼結体（３５）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３
）であった。この酸化物焼結体（３５）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３５）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は４．２×１０^-4Ω・ｃｍであり、表面抵抗は８．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　（実施例５８）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（３６）を得た。得られた酸化物焼結体（３６）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。
　この酸化物焼結体（３６）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３６）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　（比較例１８）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が８８：１２となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（Ｃ１５）を得た。得られた酸化物焼結体（Ｃ１５）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。
　この酸化物焼結体（Ｃ１５）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（Ｃ１５）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成（Ｚｎ：Ｔｉ）について、波長分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＸＲＦ－１７００ＷＳ」）を用い蛍光Ｘ線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Ｚｎ：Ｔｉ（原子数比）＝８８：１２（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．１２）であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ－ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
　得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は２．１×１０^-2Ω・ｃｍであり、表面抵抗は４２０．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
　得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）で平均６０％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ～２７００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。

　次に、形成された薄膜を３０℃の１質量％クエン酸水溶液に６０秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度（ｎｍ／秒）を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計（Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」）を用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は０．１６ｎｍ／秒であった。

　一般に、エッチング速度が０．５ｎｍ／秒以下であれば十分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。エッチングレートは十分制御可能であるが、抵抗が高かった。

　（実施例５９）
　酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ；和光純薬工業（株）製、特級）および酸化チタン粉末（ＴｉＯ（II）；（株）高純度化学研究所製、純度９９．９９％）を原料粉末とし、これらをＺｎ：Ｔｉの原子数比が９７：３となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。
　混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃、４時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体（３７）を得た。得られた酸化物焼結体（３７）をエネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ－７００Ｌ」）にて分析したところ、ＺｎとＴｉの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９７：３（Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０３）であった。
　この酸化物焼結体（３７）の結晶構造をＸ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）により調べたところ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とチタン酸亜鉛（Ｚｎ₂ＴｉＯ₄）の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。

　次に、得られた酸化物焼結体（３７）を５０ｍｍφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製「Ｅ－２００」）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの酸化亜鉛系薄膜を形成した。

　次に、形成された薄膜を２０℃の１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液に１２０秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度（ｎｍ／秒）を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計（Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」）を用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は０．３３ｎｍ／秒であった。

　（比較例１９）
　酸化アルミニウムを２質量％含有した酸化亜鉛スパッタリング用ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタリング法により、アルミニウム原子をドープした酸化亜鉛薄膜を、ソーダライムガラス（厚さ０．７ｍｍ）上に形成した。なお、スパッタリングは、成膜時の電力を７５Ｗ、成膜圧力を０．５Ｐａ、酸素分圧を０Ｐａ、基板温度を室温、成膜時間を３０分間として行った。

　次に、実施例１と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、１．５ｎｍ／秒であった。
　次に、形成された薄膜を２０℃の１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液に１２０秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度（ｎｍ／秒）を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計（Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ」）を用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は２．４２ｎｍ／秒であった。

　この膜の場合、エッチング速度が１．０ｎｍ／秒以上であるので制御が難しく、この薄膜に対し、実施例５９と同様の酢酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成は困難であった。

Claims

　実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体。
　酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成される、請求項１に記載の酸化物焼結体。
　チタン酸亜鉛化合物相から構成される、請求項１に記載の酸化物焼結体。
　実質的に酸化チタンの結晶相を含有しない、請求項１～３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
　チタンの原子価は４価未満である、請求項１～４のいずれかに記載の酸化物焼結体。
　ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素をも含有する、請求項１～５のいずれかに記載の酸化物焼結体。
　請求項１～６のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気あるいは不活性雰囲気中６００℃～１５００℃で焼結する方法。
（Ａ）酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉
（Ｂ）チタン酸亜鉛化合物粉
　請求項１～６のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を大気雰囲気中または酸化雰囲気中６００℃～１５００℃で焼結し、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施す方法。
（Ａ）酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉
（Ｂ）チタン酸亜鉛化合物粉
　前記酸化チタン粉が、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタンの粉末である、請求項７または８に記載の方法。
　前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、アンモニアおよび水素からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる雰囲気または真空である請求項８または９に記載の方法。
　酸化亜鉛および酸化チタンからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物混合体。
　前記酸化チタンにおけるチタンの原子価は、４価未満である、請求項１１に記載の酸化物混合体。
　ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素をも含有する、請求項１１または１２に記載の酸化物混合体。
　請求項１１～１３のいずれかに記載の酸化物混合体を製造する方法であって、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体に大気雰囲気中、酸化雰囲気中、不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中５０℃以上６００℃未満でアニール処理を施す方法。
　前記酸化チタン粉が、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタンの粉末である、請求項１４に記載の方法。
　前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる雰囲気または真空である、請求項１４または１５に記載の方法。
　スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、請求項１～６のいずれかに記載の酸化物焼結体または請求項１１～１３のいずれかに記載の酸化物混合体を加工して得られるターゲット。
　パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法からなる群より選ばれる１種により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法。
　前記チタンは、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである、請求項１８に記載の方法。
　前記低原子価酸化チタンは、２価のチタンからなる酸化チタン（ＴｉＯ）あるいは３価のチタンからなる酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）である、請求項１９に記載の方法。
　請求項１８～２０のいずれかに記載の方法により形成された、酸化亜鉛系透明導電膜。
　透明基材上に、請求項２１に記載の酸化亜鉛系透明導電膜を備える透明導電性基板。
　前記透明基材が、ガラス板、樹脂フィルムまたは樹脂シートである、請求項２２に記載の透明導電性基板。
　亜鉛とチタンの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
　前記低原子価酸化チタンにおけるチタンの原子価は、２価または３価である、請求項２４に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
　前記酸化物焼結体の相対密度が９３％以上である、請求項２４または２５に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
　スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、請求項２４～２６のいずれかに記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を加工して得られるターゲット。
　請求項２７に記載のターゲットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法。
　透明基材上に、請求項２８に記載の透明導電膜の形成方法により形成された酸化亜鉛系透明導電膜を備える透明導電性基板。
　酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜であるパターニング方法。
　前記酸化亜鉛系薄膜が、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られたターゲットを膜形成材料として成膜されたものである、請求項３０に記載のパターニング方法。
　前記チタンは、一般式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１～１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである、請求項３０または３１に記載のパターニング方法。
　前記低原子価酸化チタンは、２価のチタンからなる酸化チタン（ＴｉＯ）または３価のチタンからなる酸化チタン（Ｔｉ₂Ｏ₃）である、請求項３２に記載のパターニング方法。
　前記酸化亜鉛系薄膜が真空成膜法により成膜された膜である、請求項３０～３３のいずれかに記載のパターニング方法。
　前記真空成膜法がスパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法である、請求項３４に記載のパターニング方法。