[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2011081093A1 - 実装方法及び実装装置 - Google Patents

実装方法及び実装装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2011081093A1
WO2011081093A1 PCT/JP2010/073351 JP2010073351W WO2011081093A1 WO 2011081093 A1 WO2011081093 A1 WO 2011081093A1 JP 2010073351 W JP2010073351 W JP 2010073351W WO 2011081093 A1 WO2011081093 A1 WO 2011081093A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
region
chip
mounting
liquid
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/073351
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
充一 中村
杉山　雅彦
大 篠▲崎▼
直樹 秋山
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020127019761A priority Critical patent/KR101402378B1/ko
Priority to US13/519,243 priority patent/US8749068B2/en
Priority to CN201080059770.3A priority patent/CN102696098B/zh
Publication of WO2011081093A1 publication Critical patent/WO2011081093A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/83002—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a removable or sacrificial coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83143—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83193—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Definitions

  • the present invention relates to a mounting method and a mounting apparatus for mounting an element on a substrate.
  • three-dimensional mounting technology has attracted attention as one method for integrating semiconductor devices.
  • a substrate on which an integrated circuit has been built in advance is divided into dies, and a die (Known Good Die) that has been confirmed to be a non-defective product by a non-defective product discrimination test performed from the diced die before singulation ; KGD).
  • KGD non-defective product discrimination test performed from the diced die before singulation
  • chips As a method of stacking and mounting such dies (hereinafter referred to as “chips” or “elements”) on a substrate, a method of placing a plurality of chips on the substrate at once, or a method of mounting a plurality of chips on a substrate. There is a method of mounting sequentially.
  • the electronic component mounting apparatus includes a tray that accommodates chips, a suction head that sucks and holds the chips, and a nozzle that discharges an adhesive for bonding the chips onto the substrate.
  • the electronic component mounting apparatus sucks and takes out a chip from a tray containing the chip by a suction head using a vacuum suction force, and moves the suction head above the substrate while the chip is sucked.
  • the adhesive agent is discharged and apply
  • the mounting method for sequentially mounting such a plurality of chips on a substrate has the following problems.
  • the present invention has been made in view of the above points, and when a plurality of chips are sequentially mounted on a substrate, it is not necessary to control the exact position of a suction head that sucks the chips, and the operation of the mounting apparatus
  • a mounting method and a mounting apparatus capable of shortening the time required for mounting all of a plurality of chips on a substrate while minimizing the number of times of the above are provided.
  • the present invention is characterized by taking the following means.
  • the one element taken out by the take-out portion from the housing portion containing the plurality of elements is the surface of the substrate and is liquid.
  • a mounting method including an application step of applying a liquid by the applied portion.
  • a mounting apparatus that sequentially mounts a plurality of elements on a substrate, a housing portion that houses the plurality of elements, a substrate holding portion that holds the substrate, and a single housing housed in the housing portion.
  • the take-out element is taken out, and the taken-out one element is placed on the surface of the substrate on one area where the liquid is applied, and is provided to be movable together with the take-out part.
  • the application unit for applying the liquid to a region different from the one region on the surface of the substrate and the take-out unit for taking out one element are moved together with the application unit from the container side to the substrate side.
  • a mounting apparatus having a moving unit is provided.
  • the present invention when a plurality of chips are sequentially mounted on a substrate, it is not necessary to strictly control the position of the suction head that sucks the chips, and the number of operations of the mounting apparatus is minimized, and the substrate The time for mounting all of the plurality of chips on the top can be shortened.
  • FIG. 1 It is a schematic front view including the partial cross section which shows the structure of the mounting apparatus which concerns on embodiment. It is sectional drawing which expands and shows the periphery of a suction head and a nozzle. It is the front view and perspective view which show an example of the shape of the head front-end
  • FIG. 1 is a schematic front view including a partial cross section showing the configuration of the mounting apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view showing the periphery of the suction head and the nozzle.
  • FIGS. 3A and 3B are a front view and a perspective view, respectively, showing an example of the shape of the head tip of the suction head.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the tray. 4A shows an example of the structure of the tray shown in FIG. 1, and FIG. 4B shows another example having a structure different from that of the tray shown in FIG.
  • the mounting apparatus 100 includes a processing chamber 1, a tray table 2, a stage 3, a robot 4, a suction head 5, and a nozzle 6.
  • the mounting apparatus 100 is also provided with a loading / unloading port (not shown) and a transfer machine (not shown) for transferring the tray 20 and the substrate 30.
  • the processing chamber 1 is provided so as to surround the tray base 2, the stage 3, the robot 4, the suction head 5, and the nozzle 6. Moreover, the process chamber 1 is provided so that the atmosphere and pressure inside the enclosed chamber can be controlled. Connected to the processing chamber 1 is a supply device (not shown) for introducing a gas such as clean air or nitrogen whose temperature and humidity are controlled, and a pump (not shown) capable of exhausting the inside, and the pressure of the processing chamber 1 is also adjusted according to the processing. Be controlled.
  • the tray base 2 is provided on the lower side in the processing chamber 1.
  • the tray base 2 fixes and holds the tray 20 that accommodates the plurality of chips 40.
  • the stage 3 is also provided on the lower side in the processing chamber 1 so as to be aligned with the tray base 2 in the horizontal direction.
  • the stage 3 holds the substrate 30 fixedly.
  • the tray table 2 and the stage 3 are preferably placed on the same plane as much as possible in order to minimize the operation of the robot 4.
  • the tray 20 corresponds to a storage section in the present invention.
  • the stage 3 corresponds to the substrate holding part in the present invention.
  • the chip 40 corresponds to an element in the present invention.
  • the robot 4 is provided in the processing chamber 1 so as to fix a suction head 5 and a nozzle 6 described later.
  • a suction head 5 and a nozzle 6 are fixed to the robot 4 through a spacer 7 so as to be adjacent to each other.
  • the robot 4 is moved not only in the plane direction (the direction along the plane perpendicular to the plane of FIG. 1 including the left and right direction in FIG. 1) but also in the vertical direction in FIG. 1 by the rail member 8 installed in the processing chamber 1. Can also move freely.
  • the robot 4 moves the suction head 5 integrally with the nozzle 6 from above the tray 20 to above the substrate 30 held on the stage 3.
  • the robot 4 corresponds to a moving unit in the present invention.
  • the suction head 5 is fixed to the robot 4.
  • the suction head 5 sucks the chip 40.
  • the suction head 5 sucks the chip 40 accommodated in the tray 20 above the tray 20 and removes it from the tray 20.
  • the suction head 5 releases the suction above the substrate 30 held by the stage 3.
  • the chip 40 is placed in a region 31 to be described later where water is applied to place the chip 40.
  • the suction head 5 has a head main body 51 and a head tip 52.
  • the head main body 51 is connected to an exhaust unit (not shown), and the exhaust unit evacuates the inside of the head main body 51, so that the chip is adsorbed by vacuum suction at the head tip 52.
  • the suction head 5 corresponds to the suction portion in the present invention and corresponds to the take-out portion in the present invention. Further, the suction head 5 is not limited to vacuum suction, and may be one that sucks the chip by other known suction methods such as electrostatic suction.
  • a picking head that can pick up a chip with an arm or the like and take it out from the tray, and release the chip held on the substrate and place it on the substrate may be used.
  • the takeout head also corresponds to the takeout portion in the present invention.
  • the shape of the head tip 52 may be an example as shown in FIG.
  • an exhaust hole 55 is formed at the center of the head tip 52 so that the head tip 52 communicates with an opening 54 formed in the lower surface 53 that is the tip.
  • a groove 56 is formed on the lower surface 53 in a cross shape with the opening 54 as an intersection.
  • the exhaust hole 55 is connected to the exhaust unit described above via the head main body 51.
  • the groove 56 is continuously formed up to the peripheral edge of the substantially circular lower surface 53 so that the suction force by vacuum suction of the suction head 5 is adjusted and the chip held by suction is easily dropped when the suction is released. Has been.
  • the nozzle 6 is fixed to the robot 4.
  • the nozzle 6 applies, for example, water to the surface of the substrate 30.
  • the nozzle 6 can supply not only water but also various other liquids or a gel substance having a low viscosity to some extent.
  • a dispenser can be used as the nozzle 6.
  • the nozzle 6 has a nozzle body 61 and a nozzle tip 62.
  • the nozzle body 61 stores water 63 therein.
  • the nozzle body 61 is connected to a pressure unit (not shown), and the pressure unit pressurizes the space inside the nozzle body 61 to discharge water from the nozzle tip 62.
  • the nozzle 6 corresponds to the coating portion in the present invention. Further, the nozzle 6 is not limited to a dispenser, and may apply a liquid using another known discharge method or application method such as a syringe or an inkjet head.
  • the suction head 5 and the nozzle 6 are adjacent to each other through a spacer 7.
  • the spacer 7 is provided such that when the suction head 5 is positioned above one chip, the nozzle 6 is positioned above a chip adjacent to the one chip. That is, when the nozzle 6 places one chip on the one area 31 where the suction head 5 is the surface of the substrate 30 and water is applied, the spacer 6 is placed in the area 31 adjacent to the one area. It is provided with a width dimension (dimension D shown in FIG. 2) so that water can be applied.
  • the spacer 7 has an optimum width dimension according to the size of the chip 40 to be mounted on the substrate 30 and the predetermined pitch P of each region 31 on which the plurality of chips 40 are mounted on the substrate 30. Can be exchanged for D. Thereby, the center-to-center distance L between the center position of the head tip portion 52 of the suction head 5 and the center position of the nozzle tip portion 62 of the nozzle 6 can be made substantially equal to the predetermined pitch P. That is, the nozzle 6 is provided corresponding to a predetermined pitch P so that the interval L with the suction head 5 can be changed.
  • the change of the pitch P can be realized by using a variable structure using a small ball screw, but the use of the spacer 7 is preferable from the viewpoint of simplifying the structure.
  • the tray 20 has a main body 21.
  • the main body 21 has a rectangular shape in plan view.
  • the surface of the upper wall 23 of the main body 21 is partitioned into rectangles by a partition wall 24, and a plurality of chip storage areas 25 that are areas for storing the chips 40 are formed.
  • the tray 20 is made of, for example, quartz or transparent plastic that can be manufactured at a lower cost.
  • the tray 20a has a bottom surface of the chip storage area 25a as shown in FIG. 4B so that the chip 40 can be easily taken out by vacuum suction by the suction head 5.
  • a through hole 26 penetrating through the main body 21 may be formed between the bottom of the tray 20a.
  • FIG. 5 is a flowchart for explaining the procedure of each step of the mounting method according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate and a chip prepared in advance.
  • 7A to 7D are schematic cross-sectional views showing the state of the chip and the substrate in each step of the mounting method according to the present embodiment.
  • the mounting method according to the present embodiment includes a carry-in process (step S11), a preliminary movement process (step S12), a preliminary application process (step S13), a return process (step S14), and an adsorption process ( Step S15), an extraction step (Step S16), a movement step (Step S17), a contact step (Step S18), a coating step (Step S19), and a release step (Step S20).
  • a substrate 30 having a size that can accommodate all the required number of chips, for example, semiconductor chips, in a desired layout and has sufficient rigidity to withstand the weight of the required number of chips is prepared in advance.
  • a region 31 on which the chip 40 is placed on the substrate 30 is formed on the surface of the substrate 30.
  • the size and shape of the region 31 substantially match the size and shape of the chip 40 placed thereon, respectively.
  • the region 31 has hydrophilicity.
  • a region 31 can be easily realized by using, for example, a hydrophilic silicon dioxide (SiO 2 ) film. That is, by forming a SiO 2 film (thickness is, for example, 0.1 ⁇ m) thinly on the entire mounting surface of the substrate 30 by a known method, and then selectively removing the SiO 2 film by a known etching method. Can be easily obtained.
  • SiO 2 silicon dioxide
  • the region 31 has hydrophilicity, when a small amount of water is placed on the region 31, the water becomes familiar with the entire surface of the region 31 (in other words, the entire surface of the region 31 is A thin water film (water droplet) 32 covering the entire surface is formed. Since all the regions 31 are formed in an island shape and separated from each other, the water does not flow out from the region 31 to the outside.
  • Materials that can be used as the hydrophilic region 31 include Si 3 N 4 in addition to SiO 2 , but a two-layer film of aluminum and alumina (Al / Al 2 O 3 ), two layers of tantalum and tantalum oxide. A layer film (Ta / Ta 2 O 5 ) or the like can also be used.
  • the region other than the region 31 on the surface of the substrate 30 on which the chip 40 is placed is not hydrophilic.
  • the substrate 30 itself is formed of hydrophobic single crystal silicon (Si), fluorine resin, silicone resin, Teflon (registered trademark) resin, polyimide resin, resist, wax, BCB (benzocyclobutene), or the like. Is preferred.
  • the mounting surface of the substrate 30 on which the region 31 is formed is preferably covered with polycrystalline silicon, amorphous silicon, fluorine resin, silicone resin, Teflon (registered trademark) resin, polyimide resin, resist, wax, BCB, or the like.
  • the region 31 may be selectively hydrophilized by an ink jet technique or the like.
  • the surface of the chip may be hydrophilized in advance.
  • a hydrophilic region 41 is formed on one surface of each chip 40.
  • the region 41 can be easily realized, for example, by covering the entire surface of the chip 40 with a hydrophilic SiO 2 film. Further, when the chip 40 is transferred (transferred) from the substrate 30 to another substrate on the surface opposite to the surface on which the region 41 of each chip 40 is formed, the other substrate and the chip 40 are transferred. A connection portion for electrical connection may be formed.
  • a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm can be used as the substrate 30.
  • the chip 40 for example, a square semiconductor chip formed on a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm and obtained by dicing, for example, having a side length of 5 mm can be used.
  • a through electrode having a diameter of 5 ⁇ m may be formed in the region 41 of the chip 40 and the region 31 of the substrate 30, for example.
  • step S ⁇ b> 11 the tray 20 containing the chips 40 and the substrate 30 are carried into the mounting apparatus 100.
  • FIG. 7A (a) shows the state of the chip and substrate in step S11. As shown in FIG. 7A (a), the tray 20 that houses the chips 40 and the substrate 30 on which the chips 40 are mounted and mounted are carried into the processing chamber 1 of the mounting apparatus 100.
  • the substrate 30 is fixedly held on the stage 3 as shown in FIG. 7A to 7D, the processing chamber 1, the tray table 2, and the stage 3 are not shown.
  • step S ⁇ b> 12 the suction head 5 is moved upward of the substrate 30 together with the nozzle 6.
  • FIG. 7A (b) shows the state of the chip and substrate in step S12.
  • the suction head 5 is moved integrally with the nozzle 6 by the robot 4 over the area 31-1 on the surface of the substrate 30 where the first chip 40-1 is placed.
  • Regions 30-1 to 30-n are collectively referred to as region 30.
  • step S13 water is applied to place the first chip 40-1.
  • FIG. 7A (c-1) and FIG. 7A (c-2) show the state of the chip and the substrate in step S13. As shown in FIG. 7A (c-1), water is discharged from the nozzle 6 onto the surface 31 of the substrate 30 where the first chip is placed.
  • the region 31 has been subjected to a hydrophilic treatment in advance.
  • the water discharged from the nozzle 6 spreads over the entire surface of the region 31 subjected to the hydrophilic treatment, and a thin water film 32 covering the entire surface of the region 31 is formed. Is done.
  • the water film 32 is naturally curved into a gentle convex shape by surface tension.
  • the amount of water is preferably adjusted to such an extent that a water film 32 as shown in FIG. 7A (c-2) is formed on the region 31, for example.
  • water used in the present embodiment, “ultra pure water” generally used in a conventional semiconductor manufacturing process is preferable. Further, in order to enhance the self-alignment function of the chip 40 with respect to the region 31 of the substrate 30, “ultra pure water” to which an appropriate additive for increasing the surface tension of water is added is more preferable. By strengthening the self-alignment function, the positional accuracy of the chip 40 with respect to the region 31 of the substrate 30 is improved. As described above, silicon dioxide (SiO 2 ) can be suitably used as the “hydrophilic” substance.
  • liquids such as glycerin, acetone, alcohol, and SOG (Spin On Glass) material are suitable.
  • an adhesive having an appropriate viscosity
  • a reducing liquid such as formic acid.
  • a material having “lyophilicity” with respect to such a liquid is necessary. Examples of such a material include silicon nitride (Si 3 N 4 ), various metals, Examples include thiol and alcanthiol.
  • step S ⁇ b> 14 the suction head 5 is returned to the upper side of the tray 20 integrally with the nozzle 6.
  • FIG. 7B (d) shows the state of the chip and the substrate in step S14. As shown in FIG. 7B (d), after discharging the water, the robot 4 moves so that the suction head 5 is positioned above the first chip 40-1 to be taken out on the tray 20, and the suction head 5 The nozzle 6 is returned to the upper side of the tray 20 integrally with the nozzle 6.
  • the chips 40-1 to 40-n are collectively referred to as the chip 40.
  • step S15 the suction process of step S15 is performed on the first chip 40-1.
  • step S ⁇ b> 15 the chip 40 accommodated in the tray 20 is sucked by the suction head 5.
  • FIG. 7B (e) shows the state of the chip and substrate in step S15.
  • the robot 4 lowers the suction head 5 until it comes into contact with the first chip 40-1 so as not to damage the chip 40 or the tray 20, and the suction head 5 moves the chip 40-1 over. Adsorb.
  • Whether or not it is in contact with the chip 40 may be determined in advance by controlling the positional relationship with the tray 20 by a computer, or a pressure applied to the suction head 5 when a pressure detector is provided and in contact with the chip. May be detected and determined. Further, an optical distance measuring device may be provided in the robot 4 or the suction head 5.
  • step S16 the extraction process of step S16 is performed on the first chip 40-1.
  • step S ⁇ b> 16 the chip 40 sucked by the suction head 5 is taken out from the tray 20.
  • FIG. 7B (f) shows the state of the chip and the substrate in step S16.
  • the robot 4 translates the suction head 5 from above the tray 20 to above the substrate 30. Raise to position.
  • step S17 the suction head 5 is moved integrally with the nozzle 6 from above the tray 20 to above the substrate 30.
  • FIG. 7B (g) shows the state of the chip and the substrate in step S17.
  • the suction head 5 is raised to the parallel movement position, the first chip 40-1 sucked by the suction head 5 by the robot 4 is subsequently placed on the surface of the substrate 30 and the first chip 40-1 is mounted.
  • the suction head 5 is moved integrally with the nozzle 6 so as to be positioned above the area 31-1 to be placed.
  • the position of the first chip 40-1 sucked by the moved suction head 5 may not be strictly aligned with the position of the region 31-1. That is, the position of the suction head 5 may not be adjusted strictly.
  • step S ⁇ b> 18 the suction head 5 is brought close to the substrate 30 to bring the chip 40 into contact with the water film 32.
  • step S19 a water film 32 is applied to mount the next chip 40.
  • FIG. 7B (h) shows the state of the chip and the substrate in step S18 and step S19.
  • the suction head 5 is lowered integrally with the nozzle 6 by the robot 4 to the surface of the substrate 30 and close to the area 31-1 on which the first chip 40-1 is placed. Then, the first chip 40-1 is brought into contact with the water film 32 applied to the region 31-1, close to the substrate 30.
  • the suction head 5 may be lowered by the robot 4 to such a height that the chip 40 sucked by the suction head 5 is in contact with the surface of the water film 32 applied to the region 31. Therefore, the suction head 5 does not have to be lowered until the chip 40 sucked by the suction head 5 reaches the region 31.
  • the nozzle 6 is located in the area adjacent to the area 31-1 and the next chip 40-1. -2 is discharged to the region 31-2 where the -2 is placed.
  • step S ⁇ b> 20 the suction of the suction head 5 is released and the chip 40 is placed on the substrate 30.
  • FIG. 7B (i) shows the state of the chip and the substrate in step S19 and step S20.
  • the suction of the suction head 5 is released, and the first chip 40-1 is separated from the suction head 5.
  • the first chip 40-1 released from the adsorption to the adsorption head 5 is adsorbed by the surface tension of the water film 32 on the surface 31 of the substrate 30 where the first chip 40-1 is placed. To do.
  • the water film 32 gradually evaporates, the water film 32 is not shown in FIG. 7B (i). Even after the water film 32 disappears due to evaporation, the adsorption state between the chip 40 and the corresponding region 31 on the surface of the substrate 30 is maintained.
  • the size of the chip 40 and the size of the region 31 are made to coincide with each other, so that the chip 40 self-aligns to a desired position (region 31) by the surface tension of water, as will be described later. Placed. That is, in this embodiment, it is not necessary to precisely control the position of the robot 4 to align the positions of the chip 40 and the substrate 30. For this reason, after the suction head 5 releases the suction and places the chip 40 on the substrate 30, the robot 4 can quickly shift to the operation of moving the suction head 5 and the nozzle 6 to the upper side of the tray 20. In addition, the time required for placing the chip 40 on the substrate 30 can be shortened.
  • step S19 may be performed after step S17 until the next step of step S20 is performed, and may be performed before step S18, at the same time as step S20, or immediately after step S20, not at step S18.
  • Good That is, when the suction of the suction head 5 is released and the first chip 40-1 is placed in the area 31-1, water is applied to the area 31-2 where the next chip 40-2 is placed. Good.
  • the chip 40 adsorbed by the adsorption head 5 is above the surface of the water film 32 applied to the region 31 (for example, a height of about 0.5 mm from the surface of the substrate 30).
  • the suction of the suction head 5 may be released, and the chip 40 may be dropped onto the surface of the water film 32 applied to the region 31.
  • a film of water is used to place the first chip 40-1 on the surface of the substrate 30 from the tray 20.
  • the first chip 40-1 is placed by the suction head 5 in the region (first region) 31-1 where 32 is applied. Further, when the first chip 40-1 is placed in the first area 31-1 by the suction head 5, the second chip 40-2 is placed in the area 31-2 adjacent to the first area 31-1.
  • a water film 32 is applied by the nozzle 6.
  • FIG. 7C (j) to FIG. 7C (o) show the state of the chip and the substrate in each step of Step S14 to Step S20 performed for the next chip.
  • FIGS. 7C (j) to 7C (o) are different from FIGS. 7B (d) to 7B (i), respectively, except that they are performed for the first chip and the next chip. It is the same. Further, the individual operations in each step have been described above, and will be omitted.
  • the second chip 40-2 in the area adjacent to the first area 31-1 is loaded from the tray 20.
  • the second chip 40-2 is placed by the suction head 5 in the region (second region) 31-2 where the water film 32 is applied for placement. Further, when the second chip 40-2 is placed in the second area 31-2 by the suction head 5, the area adjacent to the second area 31-2 (area where the third chip is placed).
  • a water film 32 is applied by the nozzle 6 in order to place the next chip 40.
  • FIG. 7D (p) to FIG. 7D (r) show the state of the chip and the substrate in step S17, step S18, and step S20 for the last (nth) chip, respectively.
  • FIGS. 7D (p) to 7D (r) when the last (nth) chip 40-n is placed in the last (nth) region 31-n by the suction head 5, This is because it is not necessary to apply water by the nozzle 6 in order to place the chip.
  • the first (first) chip 40-1 to the last (nth) chip 40-n arranged in one row are sequentially placed on the substrate 30 at a predetermined pitch P. Then, by repeating such a series of operations a plurality of times (m times), a plurality of chips 40 are arranged in a matrix in m rows and n columns on the substrate 30, and sequentially at a predetermined pitch P in the column direction. It is mounted so that it may be arranged in.
  • the substrate 30 on which all the chips 40 are placed is carried out of the processing chamber 1. Further, it may be carried out after being heated by a heater (not shown) provided in the stage 3 to enhance the adsorption. In addition, the tray 20 which has been emptied after placing all the chips 40 is also carried out of the processing chamber 1.
  • the mounting method according to the present embodiment can minimize the number of operations of the mounting apparatus and reduce the time for placing all of the plurality of chips on the substrate.
  • the nozzle 6 is provided integrally with the suction head 5.
  • the nozzle 6 has a predetermined pitch P when the suction head 5 places the one chip 40-1 on the water-applied region (one region) 31-1. Is provided so that water for mounting the next chip 40-2 can be applied to the adjacent region 31-2. Therefore, from the position where one chip 40-1 is placed (one area 31-1) to the position where water is applied to place the next chip 40-2 (adjacent area 31-2), The robot 4 does not need to move the suction head 5 and the nozzle 6.
  • the time required to move the suction head 5 and the nozzle 6 that have sucked one chip 40-1 together from the upper side of the tray 20 to the upper side of the substrate 30 by the robot 4 (the time required for step S17) The same) is 0.5 seconds.
  • the suction head 5 places the chip 40 the suction head 5 and the nozzle 6 are integrated with the robot 4 from the position (one region 31-1) where the suction head 5 places the chip 40.
  • the time required for the nozzle 6 to move to a position (adjacent area 31-2) for applying water to place the next chip 40-2 is 0.5 seconds.
  • the time required to move the suction head 5 after placing the chip 40 integrally with the nozzle 6 from the upper side of the substrate 30 to the upper side of the tray 20 by the robot 4 (same as the time required for step S14). Is 0.5 seconds.
  • the operation of moving the suction head 5 and the nozzle 6 integrally from the one region 31-1 to the adjacent region 31-2 by the robot 4 and the time required for the operation are reduced. be able to. Therefore, the operation of the robot 4 for mounting on the substrate 30 of one chip 40 and the time required for the operation of the robot 4 are integrated with the suction head 5 and the nozzle 6 together from the one area 31-1. This can be reduced to 2/3 of the case where the movement to the area 31-2 is included.
  • FIG. 8 is a plan view and a cross-sectional view showing a state in which the chip is placed in a self-aligned state from being in contact with the surface of water while being twisted with respect to the region.
  • FIG. 8A to FIG. 8D sequentially show changes with time.
  • the upper stage is a plan view and the lower stage is a side view.
  • FIG. 9 is a plan view and a cross-sectional view showing a state from the state where the chip is placed in a self-aligned state to the state where it is in contact with the surface of the water in a state where the chip is displaced in the horizontal direction.
  • FIG. 9A to FIG. 9D sequentially show changes with time. In each of FIGS.
  • FIG. 10 is a plan view showing a region of the chip surface that has been subjected to a hydrophilic treatment.
  • the region 41 of the chip 40 comes into contact with the region 31 of the substrate 30 in a twisted state, the water from the water film 32 formed in the region 31 is hydrophilically treated as shown in FIG. It spreads in the area 41 that has been subjected to. Thereafter, the tip 40 is rotated from FIG. 8B to FIG. 8C so that the region 31 and the region 41 designed to have the same dimensions overlap almost entirely due to the surface tension of water. Further, it moves while narrowing the distance between the region 41 and the region 31. Then, the region 41 of the chip 40 finally overlaps with the region 31 of the substrate 30 almost as shown in FIG. 8D.
  • the entire surface of the surface of the chip 40 is subjected to the hydrophilic treatment with the region 41, so the surface of the peripheral portion of the chip 40 is also subjected to the hydrophilic treatment.
  • the central portion of the chip 40a may be the region 41a, and a hydrophobic region (hydrophobic frame) 41b that is not subjected to the hydrophilization treatment may be provided on the peripheral portion of the chip 40a.
  • the chip can be accurately aligned with the area where the chip is placed.
  • the method of forming the hydrophobic frame 41b is not limited, but the hydrophobic frame 41b can be formed by making the surface of the region 41a, for example, a hydrophilic SiO 2 film and the surface of the hydrophobic frame 41b, for example, Si.
  • one chip is sucked and taken out from a tray containing a plurality of chips by the suction head, and the taken out one chip is the surface of the substrate and coated with water.
  • a placement process for placing the region is performed.
  • water is applied to the area where the next chip on the surface of the substrate is placed by a nozzle.
  • alignment is performed in a self-aligned manner between the chip and the substrate. Therefore, it is not necessary to strictly control the position of the suction head that sucks the chips, minimizing the number of operations of the mounting apparatus, and shortening the time for placing all of the plurality of chips on the substrate. .
  • Step S13 in order to place the first chip, after performing Step S13, Step S14 is performed, and the suction head is moved up and back on the tray integrally with the nozzle.
  • step S13 may be performed between step S17 and step S18.
  • the suction head is moved integrally with the nozzle.
  • the suction head can be moved together with the nozzle, and the suction head may be separated from the nozzle and may perform the same movement operation.
  • the suction head is moved integrally with the nozzle from the upper side of the tray to the upper side of the substrate.
  • the suction head can be moved integrally with the nozzle from the tray side to the substrate side.
  • the suction head may be moved from the side of the tray to the side of the substrate integrally with the nozzle, with the tray and the substrate standing vertically.
  • FIG. 11 is a flowchart for explaining the procedure of each step of the mounting method according to this modification.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing the state of the chip and the substrate in each step of the mounting method according to this modification.
  • the mounting method according to this modification is different from the mounting method according to the embodiment in that water is applied to the surface of the chip that has been subjected to a hydrophilic treatment.
  • the mounting method according to the present modification can be performed using the mounting apparatus according to the embodiment described with reference to FIG.
  • the mounting apparatus has a chip-side nozzle (not shown in FIG. 1) for applying a liquid inside the processing chamber.
  • the chip-side nozzle applies a liquid to the surface of the chip that is in contact with water applied to the area on which the chip is placed on the substrate.
  • the mounting method according to this modification includes a carry-in process (step S31), a preliminary movement process (step S32), a preliminary coating process (step S33), a return process (step S34), and an adsorption process (step S35), an extraction process (step S36), an element side application process (step S37), a movement process (step S38), a contact process (step S39), an application process (step S40), and a release process (step S41).
  • the substrate and chip prepared in advance can be the same as in the embodiment.
  • Steps S31 to S33 are performed. Steps S31 to S33 are the same as steps S11 to S13 in the embodiment. Further, the state of the chip and the substrate in step S31 and step S32 is as shown in FIGS. 7A (a) and 7A (b). Further, the state of the chip and the substrate in step S33 is as shown in FIGS. 7A (c-1) and 7A (c-2).
  • Steps S34 to S36 are performed on the first chip 40-1.
  • Steps S34 to S36 are the same as steps S14 to S16 in the embodiment.
  • the states of the chip and the substrate in steps S34 to S36 are as shown in FIGS. 12A to 12C, which are the same as those in FIGS. 7B (d) to 7B (f), respectively.
  • step S37 water is applied to the surface of the chip 40.
  • FIG. 12D shows the state of the chip and the substrate in step S37.
  • a water film on the surface of the chip 40, which is in contact with the water film 32 applied to the region 31 on which the chip 40 is placed on the surface of the substrate 30.
  • (Water droplet) 42 is applied.
  • the suction head 5 that has attracted the first chip 40-1 is moved by the robot 4 onto the chip-side nozzle provided in the processing chamber 1, and the lower surface of the first chip 40-1 that has been attracted to the suction head 5 is moved.
  • water is discharged from the tip side nozzle.
  • the region 41 on the surface of the chip 40 that comes into contact with the water film 32 applied to the region 31 has been subjected to a hydrophilic treatment in advance. For this reason, as shown in FIG. 12D, the water discharged from the chip side nozzle spreads to the surface 41 of the chip 40 and to the region 41 in contact with the water film 32 applied to the region 31. Applied.
  • step S38 is performed on the first chip 40-1.
  • the process of step S38 is the same as the process of step S17 in the embodiment. Further, the state of the chip and the substrate in step S38 is as shown in FIG.
  • step S39 the suction head 5 is brought close to the substrate 30, and the water film 42 applied to the first chip 40-1 and the water film 32 applied to the region 31 are brought into contact with each other.
  • step S40 water is applied to place the next chip 40-2.
  • FIG. 12F shows the state of the chip and the substrate in step S39 and step S40.
  • the robot 4 places the suction head 5 on the substrate 30 integrally with the nozzle 6 as shown in FIG. 12 (f).
  • the water film 42 applied to the surface of the first chip 40-1 and the water film 32 applied to the region 31-1 are brought into contact with each other by being lowered to a position (region 31-1) and close to the substrate. .
  • the nozzle 6 causes the region Water is discharged into an area 31-2 next to 31-1, where the next chip 40-2 is placed.
  • step S41 is the same as the process of step S20 in the embodiment. Further, the state of the chip and the substrate in step S41 is as shown in FIG.
  • the first chip 40-1 is placed on the first area 31-1 from the tray 20 by the suction head 5.
  • the second chip 40-2 is placed in the area 31-2 adjacent to the first area 31-1.
  • a water film 32 is applied by the nozzle 6 for placement.
  • step S40 is performed for the nth chip 40-n.
  • the first (first) chip 40-1 to the last (nth) chip 40-n arranged in one row are sequentially placed at a predetermined pitch P.
  • a plurality of chips 40 are arranged in a matrix in m rows and n columns on the substrate 30, and sequentially at a predetermined pitch P in the column direction. It is mounted so that it may be arranged in.
  • one chip is picked up and taken out from a tray containing a plurality of chips by a suction head, and the taken out one chip is placed on one surface of the substrate where water is applied.
  • a placement process is performed.
  • water is applied to the area where the next chip on the surface of the substrate is placed by a nozzle.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

　複数の素子を基板上に順次実装する実装方法は、複数の素子を収容した収容部から取出部により取り出した一の素子を、基板の表面であって液体が塗布された一の領域に載置する載置工程と、一の領域に一の素子を載置する際に、基板の表面の一の領域と異なる領域に、取出部と共に移動可能に設けられた塗布部により液体を塗布する塗布工程とを有する。

Description

実装方法及び実装装置
　本発明は、基板上に素子を実装する実装方法及び実装装置に関する。
　近年、半導体装置の集積化の手法の一つとして、三次元実装技術が注目されている。三次元実装技術では、予め集積回路を作り込んだ基板をダイに個片化し、個片化したダイから個片化前に行った良品判別試験によって良品であると確認されたダイ（Known Good Die；ＫＧＤ）を選別する。そして選別したダイを、選別した別の基板上に積層し、実装する。
　このようなダイ（以下「チップ」又は「素子」という。）を基板上に積層し、実装する方法としては、複数のチップを一括して基板に載置する方法、あるいは、複数のチップを基板上に順次実装する方法がある。
　これらのうち、複数のチップを基板上に順次実装する実装装置としては、例えば特許文献１に開示された電子部品取り付け装置がある。電子部品取り付け装置は、チップを収容したトレイと、チップを吸着して保持する吸着ヘッドと、チップを基板上に接着するための接着剤を基板上に吐出するノズルとを備えている。電子部品取り付け装置は、チップを収容したトレイから真空吸引力を利用した吸着ヘッドによりチップを吸着して取り出し、チップを吸着したまま吸着ヘッドを基板の上方に移動させる。そしてチップを基板上へ載置する前に、チップを載置する位置に、ノズルから接着剤を吐出して塗布する。その後、チップを吸着した吸着ヘッドを下降させ、基板上の接着剤が塗布された位置にチップを載置する。
特開昭６２－１８６５９１号公報
　しかしながら、このような複数のチップを基板上に順次実装する実装方法には、以下のような問題があった。
　特許文献１に開示された電子部品取り付け装置では、一つのチップを実装するために、まず、チップを吸着した吸着ヘッドとノズルとを共にトレイの上方から基板の上方に移動させる動作を行う。次に、ノズルから接着剤を吐出する動作を行う。次に、接着剤が塗布された位置に、吸着ヘッドの吸着を解除することによりチップを載置する動作を行う。次に、チップを載置した後の吸着ヘッドを基板上からトレイ上に移動する動作を行う。従って、吸着ヘッドをトレイと基板との間で移動させる動作の他に、接着剤を吐出する動作とチップを載置する動作とを行う必要がある。これらの動作を、複数のチップを順次実装する度毎に行うため、基板上に複数のチップの全てを載置するのに長い時間を要するという問題があった。
　また、チップを載置する位置に接着剤を塗布する方法では、チップを吸着した吸着ヘッドの位置を、基板に対して厳密に制御しなければならないという問題があった。
　本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、複数のチップを基板上に順次実装するときに、チップを吸着する吸着ヘッドの厳密な位置の制御を行う必要がなく、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できる実装方法及び実装装置を提供する。
　上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
　本発明の一実施例によれば、複数の素子を基板上に順次実装する実装方法において、複数の素子を収容した収容部から取出部により取り出した一の素子を、基板の表面であって液体が塗布された一の領域に載置する載置工程と、一の領域に前記一の素子を載置する際に、基板の表面の一の領域と異なる領域に、取出部と共に移動可能に設けられた塗布部により液体を塗布する塗布工程とを有する、実装方法が提供される。
　本発明の一実施例によれば、複数の素子を基板上に順次実装する実装装置において、複数の素子を収容する収容部と、基板を保持する基板保持部と、収容部に収容された一の素子を取り出し、取り出した一の素子を、基板の表面であって液体が塗布された一の領域に載置する取出部と、取出部と共に移動可能に設けられ、一の領域に一の素子を載置する際に、基板の表面の前記一の領域と異なる領域に液体を塗布する塗布部と、一の素子を取り出した取出部を、塗布部と共に、収容部側から基板側へ移動させる移動部とを有する、実装装置が提供される。
　本発明によれば、複数のチップを基板上に順次実装するときに、チップを吸着する吸着ヘッドの厳密な位置の制御を行う必要がなく、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できる。
実施の形態に係る実装装置の構成を示す一部断面を含む概略正面図である。 吸着ヘッド及びノズルの周辺を拡大して示す断面図である。 吸着ヘッドのヘッド先端部の形状の一例を示す正面図及び斜視図である。 トレイの構造を示す断面図である。 実施の形態に係る実装方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。 予め準備する基板及びチップの構成を示す断面図である。 実施の形態に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図（その１）である。 実施の形態に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図（その２）である。 実施の形態に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図（その３）である。 実施の形態に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図（その４）である。 チップが領域に対してねじれた状態で水の表面に接した状態から自己整合的に載置されるまでの状態の遷移を示す平面図及び断面図である。 チップが領域に対して水平方向にずれた状態で水の表面に接した状態から自己整合的に載置されるまでの状態の遷移を示す平面図及び断面図である。 チップの表面であって親水化処理がなされた領域を示す平面図である。 実施の形態の変形例に係る実装方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。 実施の形態の変形例に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図である。
　次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（実施の形態）
　最初に、図１～図１０を参照し、実施の形態に係る実装方法及び実装装置について説明する。
　始めに図１～図４を参照し、実装装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る実装装置の構成を示す一部断面を含む概略正面図である。図２は、吸着ヘッド及びノズルの周辺を拡大して示す断面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、それぞれ、吸着ヘッドのヘッド先端部の形状の一例を示す正面図及び斜視図である。図４は、トレイの構造を示す断面図である。図４（ａ）は、図１に示したトレイの構造の例を示し、図４（ｂ）は、図１に示したトレイとは異なる構造を有する別の例を示す。
　図１に示すように、実装装置１００は、処理室１、トレイ台２、ステージ３、ロボット４、吸着ヘッド５、ノズル６を有する。また、実装装置１００には、図示しない搬入出口並びに、トレイ２０及び基板３０を搬送するための図示しない搬送機も備えられている。
　図１に示すように、処理室１は、トレイ台２、ステージ３、ロボット４、吸着ヘッド５、及びノズル６を囲むように設けられている。また、処理室１は、その囲まれた内部の雰囲気及び圧力を制御可能に設けられている。処理室１には、温度や湿度を制御した清浄空気や窒素などの気体を導入する図示しない供給器や、内部を排気可能な図示しないポンプが接続され、処理に応じて処理室１の圧力も制御される。
　図１に示すように、トレイ台２は、処理室１内の下方側に設けられる。トレイ台２は、複数のチップ４０を収容するトレイ２０を固定して保持する。ステージ３も、処理室１内の下方側に、トレイ台２と水平方向に並ぶように配置されて設けられる。ステージ３は、基板３０を固定して保持する。トレイ台２とステージ３とは、ロボット４の動作を最小限にするために、可能な限り同一平面上に置かれることが好ましい。
　なお、トレイ２０は、本発明における収容部に相当する。また、ステージ３は、本発明における基板保持部に相当する。また、チップ４０は、本発明における素子に相当する。
　図１に示すように、ロボット４は、後述する吸着ヘッド５及びノズル６を固定するように、処理室１内に設けられる。ロボット４には、吸着ヘッド５及びノズル６が、スペーサ７を介して隣接するように固定されている。ロボット４は、処理室１内に設置されたレール部材８によって、平面方向（図１の左右方向を含み、図１の紙面と直交する平面に沿う方向）だけではなく、図１の上下方向にも自由に移動することができる。ロボット４は、吸着ヘッド５を、ノズル６と一体的に、トレイ２０の上方からステージ３に保持された基板３０の上方へと移動させる。なお、上記したロボット４の代わりに、多関節を有するアーム型のロボットを使用することも可能である。
　なお、ロボット４は、本発明における移動部に相当する。
　図１に示すように、吸着ヘッド５は、ロボット４に固定されている。吸着ヘッド５は、チップ４０を吸着する。吸着ヘッド５は、トレイ２０の上方で、トレイ２０が収容したチップ４０を吸着してトレイ２０から取り出し、ステージ３が保持した基板３０の上方で吸着を解除し、基板３０の表面であってチップ４０を載置するために水が塗布された後述する領域３１にチップ４０を載置する。
　図２に示すように、吸着ヘッド５は、ヘッド本体部５１及びヘッド先端部５２を有する。ヘッド本体部５１は、図示しない排気部に接続されており、排気部がヘッド本体部５１の内部を真空排気することにより、ヘッド先端部５２でチップを真空吸引により吸着する。
　なお、吸着ヘッド５は、本発明における吸着部に相当するとともに本発明における取出部に相当する。また、吸着ヘッド５は、真空吸着に限定されず、静電吸着等の他の公知の吸着方法によりチップを吸着するものであってもよい。
　また、吸着ヘッドに代え、例えばアーム等によりチップを掴んでトレイから取り出し、基板上で掴んでいたチップを離して基板上に載置することができる取り出し用ヘッドを用いてもよい。取り出し用ヘッドも、本発明における取出部に相当する。
　ヘッド先端部５２の形状は、図３に示すような例にしてもよい。図３に示す例では、ヘッド先端部５２は、先端である下面５３に形成された開口部５４と連通するように、ヘッド先端部５２の中心に排気孔５５が形成されている。また、下面５３には、開口部５４を交点として十字形状に溝５６が形成されている。排気孔５５は、ヘッド本体部５１を介し、前述した排気部に接続されている。吸着ヘッド５の真空吸着による吸着力を調節し、吸着を解除したときに吸着保持していたチップが落下しやすくなるように、溝５６は、略円形である下面５３の周縁まで連続して形成されている。
　図１に示すように、ノズル６は、ロボット４に固定されている。ノズル６は、基板３０の表面に例えば水を塗布する。ただし、ノズル６は、水だけでなく、その他各種の液体又はある程度粘性の低いゲル状の物質を供給することができる。本実施の形態では、一例としてノズル６が水を吐出する場合について、説明する。また、ノズル６として、例えばディスペンサを用いることができる。
　図２に示すように、ノズル６は、ノズル本体部６１及びノズル先端部６２を有する。ノズル本体部６１は、その内部に水６３を貯留している。ノズル本体部６１は、図示しない加圧部に接続されており、加圧部がノズル本体部６１の内部の空間を加圧することにより、ノズル先端部６２から水を吐出する。
　なお、ノズル６は、本発明における塗布部に相当する。また、ノズル６は、ディスペンサに限定されず、シリンジ、インクジェットヘッド等の他の公知の吐出方法又は塗布方法を用いて液体を塗布するものであってもよい。
　図１及び図２に示すように、吸着ヘッド５とノズル６とは、スペーサ７を介して隣接している。スペーサ７は、吸着ヘッド５が一のチップの上方に位置するときに、ノズル６が一のチップの隣のチップの上方に位置するように、設けられる。すなわち、スペーサ７は、ノズル６が、吸着ヘッド５が基板３０の表面であって水が塗布された一の領域３１に一のチップを載置する時に、一の領域の隣の領域３１に、水を塗布することができるような幅寸法（図２に示す寸法Ｄ）で設けられる。
　なお、スペーサ７は、基板３０に載置して実装するチップ４０の大きさ、及び基板３０上において複数のチップ４０を載置する各領域３１の所定のピッチＰに応じて、最適な幅寸法Ｄのものと交換することができる。これにより、吸着ヘッド５のヘッド先端部５２の中心位置と、ノズル６のノズル先端部６２の中心位置との間の中心間距離Ｌを、所定のピッチＰに略等しくすることができる。すなわち、ノズル６は、所定のピッチＰに対応して、吸着ヘッド５との間隔Ｌを変更可能に設けられている。なお、ピッチＰの変更は、小型のボールねじを使った可変構造を使用して実現することも可能であるが、構造を簡素化するという観点で、スペーサ７の使用が好ましい。
　図４（ａ）に示すように、トレイ２０は、本体部２１を有している。図４（ａ）では図示しないが、本体部２１は、平面視において矩形形状を有する。本体部２１の上壁２３の表面は、仕切壁２４によって矩形に仕切られ、チップ４０を収容するための領域であるチップ収容領域２５が複数個形成されている。トレイ２０は、例えば石英や、あるいは、より安価に製作が可能な透明プラスチックで形成されている。
　なお、吸着ヘッド５によりチップ４０を真空吸着して取り出す際に容易に取り出すことができるように、図４（ｂ）に示す別の例のように、トレイ２０ａには、チップ収容領域２５ａの底面とトレイ２０ａの底面との間に、本体部２１を貫通する貫通孔２６が形成されていてもよい。
　次に、図５～図７Ｄを参照し、本実施の形態に係る実装装置における実装方法について説明する。
　図５は、本実施の形態に係る実装方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図６は、予め準備する基板及びチップの構成を示す断面図である。図７Ａ～図７Ｄは、本実施の形態に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図である。
　本実施の形態に係る実装方法は、図５に示すように、搬入工程（ステップＳ１１）、予備移動工程（ステップＳ１２）、予備塗布工程（ステップＳ１３）、戻し工程（ステップＳ１４）、吸着工程（ステップＳ１５）、取出工程（ステップＳ１６）、移動工程（ステップＳ１７）、接触工程（ステップＳ１８）、塗布工程（ステップＳ１９）、及び解除工程（ステップＳ２０）を有する。
　本実施の形態では、予め、必要数の例えば半導体チップよりなるチップをすべて所望のレイアウトで収容できる大きさを持ち、且つ必要数のチップの重量に耐えられる十分な剛性を持つ基板３０を用意する。基板３０としては、例えば十分な剛性を持つガラス基板、半導体ウェハ等が使用可能である。
　図６（ａ）に示すように、基板３０の表面には、基板３０にチップ４０を載置する領域３１が形成されている。領域３１の大きさと形状は、それぞれ、その上に載置されるチップ４０の大きさと形状にほぼ一致している。
　本実施の形態では、チップ４０を位置合わせする液体であるアライメント液として「水」を用いるため、領域３１には親水性を持たせている。このような領域３１は、例えば、親水性を持つ二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜を使って容易に実現できる。すなわち、公知の方法でＳｉＯ２膜（厚さは例えば０．１μｍとする）を基板３０の搭載面全体に薄く形成した後、そのＳｉＯ２膜を公知のエッチング方法で選択的に除去することによって容易に得ることができる。このように、領域３１が親水性を持っていることから、少量の水を領域３１の上に載せると、その水は領域３１の表面全体に馴染んで（換言すれば、領域３１の表面全体が濡れて）その表面全体を覆う薄い水の膜（水滴）３２が形成されるようになっている。領域３１はいずれも、島状に形成されていて互いに分離しているため、その水は領域３１から外側には流出しない。
　親水性を持つ領域３１として使用可能な材料としては、ＳｉＯ２以外にＳｉ３Ｎ４があるが、アルミニウムとアルミナとの二層膜（Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３）、タンタルと酸化タンタルとの二層膜（Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５）等も使用可能である。
　水が領域３１から外側に流出して溜まるのをより確実に防止するためには、基板３０のチップ４０を載置する側の面であって領域３１以外の領域は親水性でない方が好ましい。例えば、基板３０それ自体を、疎水性を持つ単結晶シリコン（Ｓｉ）、弗素樹脂、シリコーン樹脂、テフロン（登録商標）樹脂、ポリイミド樹脂、レジスト、ワックス、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等で形成するのが好ましい。又は、領域３１が形成された基板３０の搭載面を、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、弗素樹脂、シリコーン樹脂、テフロン（登録商標）樹脂、ポリイミド樹脂、レジスト、ワックス、ＢＣＢ等で覆うのが好ましい。
　あるいは、インクジェット技術などによって、領域３１に、選択的に親水化処理を行ってもよい。
　また、本実施の形態に係る実装方法では、予め、チップの表面の親水化処理を行ってもよい。
　図６（ｂ）に示すように、各チップ４０の一方の表面には、親水性を持つ領域４１を形成しておく。領域４１は、例えば、チップ４０の表面全体を、親水性を持つＳｉＯ２膜で覆うことにより、容易に実現することができる。また、各チップ４０の領域４１が形成された面と反対面の表面には、チップ４０を基板３０から更に別の基板に転写（移載）する際に、その別の基板とチップ４０とを電気的に接続するための接続部が形成されていてもよい。
　本実施の形態では、基板３０として、例えば直径３００ｍｍの半導体ウェハを用いることができる。チップ４０として、例えば直径３００ｍｍの半導体ウェハに形成され、ダイシングして得られた例えば一辺の長さが５ｍｍの正方形の半導体チップを用いることができる。また、チップ４０の領域４１及び基板３０の領域３１には、例えば直径５μｍの貫通電極が形成されていてもよい。
　上記したように表面の親水化処理を行った基板３０及びチップ４０を準備した後、ステップＳ１１の搬入工程を行う。ステップＳ１１では、チップ４０を収容したトレイ２０と基板３０とを実装装置１００内に搬入する。図７Ａ（ａ）は、ステップＳ１１におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ａ（ａ）に示すように、チップ４０を収容したトレイ２０と、チップ４０を載置して実装する基板３０とが、実装装置１００の処理室１内に搬入される。基板３０は、図１に示したように、ステージ３に固定保持される。なお、図７Ａ～図７Ｄでは、処理室１、トレイ台２、ステージ３の図示を省略している。
　次に、ステップＳ１２の予備移動工程を行う。ステップＳ１２では、吸着ヘッド５をノズル６と一体的に、基板３０の上方へ移動させる。図７Ａ（ｂ）は、ステップＳ１２におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ａ（ｂ）に示すように、ロボット４により、基板３０の表面であって最初のチップ４０－１を載置する領域３１－１の上に、吸着ヘッド５をノズル６と一体的に移動させる。なお、領域３０－１～３０－ｎを総称して領域３０と称する。
　次に、ステップＳ１３の予備塗布工程を行う。ステップＳ１３では、最初のチップ４０－１を載置するために水を塗布する。図７Ａ（ｃ－１）及び図７Ａ（ｃ－２）は、ステップＳ１３におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ａ（ｃ－１）に示すように、基板３０の表面であって最初のチップを載置する領域３１－１に、ノズル６から水を吐出する。
　ここで、領域３１は、予め親水化処理を施してある。このため、ノズル６から吐出された水は、図７Ａ（ｃ－２）に示すように、親水化処理がなされた領域３１の全面に広がり、領域３１の全面を覆う薄い水の膜３２が形成される。水の膜３２は、表面張力によって自然に緩やかな凸形に湾曲する。水の量は、例えば、領域３１の上に、図７Ａ（ｃ－２）に示すような水の膜３２が形成される程度に調整するのが好ましい。
　本実施の形態で用いる「水」としては、従来の半導体製造工程で一般的に使用されている「超純水」が好ましい。また、基板３０の領域３１に対するチップ４０の自己整合機能を強化するために、水の表面張力を増加させる適当な添加材を添加した「超純水」の方がより好ましい。自己整合機能を強化することにより、基板３０の領域３１に対するチップ４０の位置精度が向上する。なお、前述したように、「親水性」を持つ物質としては、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）が好適に使用できる。
　あるいは、「水」に代えて他の無機または有機の液体を使用することもできる。例えば、グリセリン、アセトン、アルコール、ＳＯＧ（Spin On Glass）材料等の液体が好適である。さらに、適度な粘性を持つ接着剤の使用も可能であり、蟻酸などの還元性の液体の使用も可能である。この場合、領域３１を形成するためにはそのような液体に対する「親液性」を持つ材料が必要であるが、そのような材料としては、例えば窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、各種金属、チヨール、アルカンチヨール等が挙げられる。
　次に、ステップＳ１４の戻し工程を行う。ステップＳ１４では、吸着ヘッド５を、ノズル６と一体的に、トレイ２０の上方へ戻す。図７Ｂ（ｄ）は、ステップＳ１４におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ｂ（ｄ）に示すように、ロボット４は、水を吐出した後、トレイ２０上の最初に取り出すチップ４０－１の上方に吸着ヘッド５が位置するように移動し、吸着ヘッド５を、ノズル６と一体的に、トレイ２０の上方へ戻す。なお、チップ４０－１～４０－ｎを総称してチップ４０と称する。
　次に、最初のチップ４０－１に対して、ステップＳ１５の吸着工程を行う。ステップＳ１５では、トレイ２０に収容したチップ４０を吸着ヘッド５により吸着する。図７Ｂ（ｅ）は、ステップＳ１５におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ｂ（ｅ）に示すように、ロボット４により、吸着ヘッド５をチップ４０やトレイ２０を破損しないように、最初のチップ４０－１に接するまで下降させ、吸着ヘッド５によりチップ４０－１を吸着する。
　チップ４０に接したかどうかについては、予めトレイ２０との位置関係を計算機によって制御することによって判別しても良いし、吸着ヘッド５に圧力検出器を設けて、チップと接したときに加わる圧力を検出して判別しても良い。また、光学的な距離測定器をロボット４や吸着ヘッド５に設けても良い。
　次に、最初のチップ４０－１に対して、ステップＳ１６の取出工程を行う。ステップＳ１６では、吸着ヘッド５に吸着したチップ４０をトレイ２０から取り出す。図７Ｂ（ｆ）は、ステップＳ１６におけるチップ及び基板の状態を示す。吸着ヘッド５が最初のチップ４０－１を吸着保持した後、図７Ｂ（ｆ）に示すように、ロボット４により、吸着ヘッド５を、トレイ２０の上方から基板３０の上方へ平行移動する平行移動位置まで上昇させる。
　次に、ステップＳ１７の移動工程を行う。ステップＳ１７では、吸着ヘッド５を、ノズル６と一体的に、トレイ２０の上方から基板３０の上方へ移動させる。図７Ｂ（ｇ）は、ステップＳ１７におけるチップ及び基板の状態を示す。吸着ヘッド５を、平行移動位置まで上昇させた後、引き続いて、ロボット４により、吸着ヘッド５に吸着した最初のチップ４０－１が、基板３０の表面であって最初のチップ４０－１を載置する領域３１－１の上方に位置するように、吸着ヘッド５をノズル６と一体的に移動させる。このとき、移動した吸着ヘッド５が吸着している最初のチップ４０－１の位置は、領域３１－１の位置と厳密に整合していなくてもよい。すなわち、吸着ヘッド５の位置は、厳密に調整しなくてもよい。
　次に、ステップＳ１８の接触工程とステップＳ１９の塗布工程とを同時に行う。ステップＳ１８では、吸着ヘッド５を基板３０に近づけて、チップ４０を水の膜３２と接触させる。ステップＳ１９では、次のチップ４０を載置するために水の膜３２を塗布する。図７Ｂ（ｈ）は、ステップＳ１８及びステップＳ１９におけるチップ及び基板の状態を示す。
　図７Ｂ（ｈ）に示すように、ロボット４により、基板３０の表面であって最初のチップ４０－１を載置する領域３１－１の近くまで、吸着ヘッド５をノズル６と一体的に下降させて基板３０に近づけ、最初のチップ４０－１を領域３１－１に塗布された水の膜３２と接触させる。
　このとき、ロボット４により、吸着ヘッド５に吸着したチップ４０が領域３１に塗布した水の膜３２の表面に接する程度の高さまで、吸着ヘッド５を下降させればよい。従って、吸着ヘッド５に吸着したチップ４０が領域３１に到達するまで吸着ヘッド５を下降させなくてもよい。
　吸着ヘッド５に吸着した最初のチップ４０－１が領域３１－１に塗布された水と接触したのと同時に、ノズル６からは、領域３１－１の隣の領域であって、次のチップ４０－２を載置する領域３１－２に水を吐出する。
　次に、ステップＳ２０の解除工程を同時に行う。ステップＳ２０では、吸着ヘッド５の吸着を解除して基板３０にチップ４０を載置する。図７Ｂ（ｉ）は、ステップＳ１９及びステップＳ２０におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ｂ（ｉ）に示すように、吸着ヘッド５の吸着を解除し、最初のチップ４０－１を吸着ヘッド５から離す。吸着ヘッド５への吸着を解除された最初のチップ４０－１は、水の膜３２の表面張力により、基板３０の表面であって最初のチップ４０－１を載置する領域３１－１に吸着する。ただし、水の膜３２は徐々に蒸発してなくなるため、図７Ｂ（ｉ）では、水の膜３２が示されていない。なお、蒸発により水の膜３２がなくなった後も、チップ４０と、基板３０の表面上の対応する領域３１との間の吸着状態が維持される。
　この際、チップ４０の寸法と、領域３１の寸法とを一致するようにしておくことにより、後述するように、水の表面張力によって、チップ４０は所望の位置（領域３１）に自己整合的に載置される。すなわち、本実施の形態では、ロボット４を精密に位置制御してチップ４０と基板３０との位置の整合を行う必要がない。このため、吸着ヘッド５が吸着を解除してチップ４０を基板３０上に載置した後、ロボット４により、吸着ヘッド５及びノズル６をトレイ２０の上方へ移動させる動作に速やかに移行することができ、チップ４０を基板３０上に載置するのに要する時間を短縮することができる。
　なお、ステップＳ１９は、ステップＳ１７の後、ステップＳ２０の次の工程を行うまでに行えばよく、ステップＳ１８と同時ではなく、ステップＳ１８の前、ステップＳ２０と同時あるいはステップＳ２０の直後に行ってもよい。すなわち、吸着ヘッド５の吸着を解除して領域３１－１に最初のチップ４０－１を載置する際に、次のチップ４０－２を載置する領域３１－２に、水を塗布すればよい。
　また、ステップＳ１８、Ｓ２０に代え、吸着ヘッド５に吸着したチップ４０を、領域３１に塗布した水の膜３２の表面に接しない程度の上方（例えば基板３０の表面から０．５ｍｍ程度の高さの位置）まで近づけ、その状態で、吸着ヘッド５の吸着を解除し、チップ４０を領域３１に塗布した水の膜３２の表面に落下させるようにしてもよい。このときは、ステップＳ１８に代え、吸着ヘッド５を基板３０に近づけるだけでよい。
　このように、図７Ｂ（ｄ）～図７Ｂ（ｉ）に示す各工程を行うことにより、トレイ２０から、基板３０の表面であって最初のチップ４０－１を載置するために水の膜３２が塗布された領域（最初の領域）３１－１に、最初のチップ４０－１が吸着ヘッド５により載置される。また、吸着ヘッド５により最初の領域３１－１に最初のチップ４０－１を載置する際に、最初の領域３１－１の隣の領域３１－２に、２番目のチップ４０－２を載置するために、ノズル６により水の膜３２が塗布される。
　最初のチップ４０－１に対してステップＳ１４からステップＳ２０までの各工程を行った後、再びステップＳ１４に戻り、次のチップ４０－２に対してステップＳ１４からステップＳ２０までの各工程を行って、次のチップ４０－２をトレイ２０から基板３０に載置する。図７Ｃ（ｊ）～図７Ｃ（ｏ）は、次のチップに対して行うステップＳ１４～ステップＳ２０の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す。図７Ｃ（ｊ）～図７Ｃ（ｏ）は、最初のチップに対して行うか次のチップに対して行うかが相違する点を除き、図７Ｂ（ｄ）～図７Ｂ（ｉ）のそれぞれと同様である。また、各ステップにおける個々の動作は上述しているので省略する。
　このように、図７Ｃ（ｊ）～図７Ｃ（ｏ）に示す各工程を行うことにより、トレイ２０から、最初の領域３１－１の隣の領域であって２番目のチップ４０－２を載置するために水の膜３２が塗布された領域（２番目の領域）３１－２に、２番目のチップ４０－２が吸着ヘッド５により載置される。また、吸着ヘッド５により２番目の領域３１－２に２番目のチップ４０－２を載置する際に、２番目の領域３１－２の隣の領域（３番目のチップを載置する領域）に、次のチップ４０を載置するためにノズル６により水の膜３２が塗布される。
　このようにして、最初（１番目）のチップ４０－１～最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎが１列に配列するように載置する場合には、１番目のチップ４０－１からｎ－１番目のチップ４０－ｎ－１までは、以下同様に各工程を繰り返すことになる。
　ただし、その１列の最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎに対しては、ステップＳ１４からステップＳ１７まで各工程を行った後の工程が異なる。最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎに対しては、図５に示すように、ステップＳ１８～ステップＳ２０の各工程のうち、ステップＳ１９を行わず、ステップＳ１８及びステップＳ２０のみを行う。図７Ｄ（ｐ）～図７Ｄ（ｒ）は、それぞれ最後（ｎ番目）のチップに対するステップＳ１７、ステップＳ１８、ステップＳ２０におけるチップと基板の状態を示す。図７Ｄ（ｐ）～図７Ｄ（ｒ）に示すように、吸着ヘッド５により最後（ｎ番目）の領域３１－ｎに最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎを載置する際に、次のチップを載置するためにノズル６により水を塗布しなくてもよいからである。
　以上のようにして、１列に配列する最初（１番目）のチップ４０－１から最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎまでが順次所定のピッチＰで基板３０上に載置される。そして、このような一連の動作を複数回（ｍ回）繰り返すことにより、複数のチップ４０が、基板３０上にｍ行ｎ列にマトリクス状に配列し、かつ、列方向に順次所定のピッチＰで配列するように、載置される。
　このようにして、全てのチップ４０の載置工程が終了した後、全てのチップ４０を載置した基板３０は、処理室１外に搬出される。また、ステージ３内に設けられた図示しないヒーターによって加熱されて吸着を強化した後に搬出してもよい。また、全てのチップ４０を載置し終わって空になったトレイ２０も処理室１の外に搬出される。
　次に、本実施の形態に係る実装方法により、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できることについて、説明する。
　本実施の形態に係る実装装置では、ノズル６は、吸着ヘッド５と一体的に設けられている。そして、ノズル６は、吸着ヘッド５が、水が塗布された領域（一の領域）３１－１に一のチップ４０－１を載置する際に、一の領域３１－１と所定のピッチＰで設けられている隣の領域３１－２に、次のチップ４０－２を載置するための水を塗布することができるように、設けられている。従って、一のチップ４０－１を載置する位置（一の領域３１－１）から、次のチップ４０－２を載置するために水を塗布する位置（隣の領域３１－２）に、ロボット４により、吸着ヘッド５及びノズル６を移動させる必要がない。
　例えば、一のチップ４０－１を吸着した吸着ヘッド５とノズル６とを一体的に、ロボット４により、トレイ２０の上方から基板３０の上方へ移動させるのに要する時間（ステップＳ１７に要する時間と同じ）を０．５秒とする。また、吸着ヘッド５がチップ４０を載置した後、吸着ヘッド５とノズル６とを一体的に、ロボット４により、吸着ヘッド５がチップ４０を載置した位置（一の領域３１－１）からノズル６が次のチップ４０－２を載置するために水を塗布する位置（隣の領域３１－２）まで移動させるのに要する時間を０．５秒とする。また、チップ４０を載置した後の吸着ヘッド５をノズル６と一体的に、ロボット４により、基板３０の上方からトレイ２０の上方へ移動させるのに要する時間（ステップＳ１４に要する時間と同じ）を０．５秒とする。
　すると、本実施の形態では、ロボット４により、吸着ヘッド５とノズル６とを一体的に、一の領域３１－１から隣の領域３１－２まで移動させる動作及びその動作に要する時間を削減することができる。従って、１個のチップ４０の基板３０に載置するためのロボット４の動作及びロボット４の動作に要する時間を、吸着ヘッド５とノズル６とを一体的に、一の領域３１－１から隣の領域３１－２まで移動させる動作を含む場合の２／３に削減することができる。
　次に、図８～図１０を参照し、本実施の形態に係る実装方法により、液体によりチップと基板との間で自己整合的に位置合わせが行われることについて、説明する。
　図８は、チップが領域に対してねじれた状態で水の表面に接した状態から自己整合的に載置されるまでの状態を示す平面図及び断面図である。図８（ａ）～図８（ｄ）は、順番に時間の経過に伴う変化を示している。図８（ａ）～図８（ｄ）のそれぞれにおいて、上段は平面図であり、下段は側面図である。図９は、チップが領域に対して水平方向にずれた状態で水の表面に接した状態から自己整合的に載置されるまでの状態を示す平面図及び断面図である。図９（ａ）～図９（ｄ）は、順番に時間の経過に伴う変化を示している。図９（ａ）～図９（ｄ）のそれぞれにおいて、上段は平面図であり、下段は側面図である。図８及び図９では、基板は領域の周囲のみを示している。図１０は、チップの表面であって親水化処理がなされた領域を示す平面図である。
　チップ４０の領域４１が基板３０の領域３１に対してねじれた状態で接したときは、図８（ａ）に示すように、領域３１に形成された水の膜３２からの水が親水性処理を施している領域４１に濡れ拡がる。その後、チップ４０は、水の表面張力によって、同一の寸法に設計された領域３１と領域４１とがほぼ全面において重なるように、図８（ｂ）から図８（ｃ）へと回転しながら、且つ領域４１と領域３１との間隔を狭めながら移動する。そして、チップ４０の領域４１は、最終的には図８（ｄ）に示すように、基板３０の領域３１とほぼ全面において重なる。
　一方、チップ４０の領域４１が基板３０の領域３１に対して水平方向にずれた状態で接したときは、図９（ａ）に示すように、領域３１に形成された水の膜３２からの水が親水性処理を施している領域４１に濡れ拡がる。その後、チップ４０は、水の表面張力によって、同一の寸法に設計された領域４１と領域３１とがほぼ全面において重なるように、図９（ｂ）から図９（ｃ）へと平行方向に移動しながら、且つ領域４１と領域３１との間隔を狭めながら移動する。そして、チップ４０の領域４１は、最終的には図９（ｄ）に示すように、基板３０の領域３１とほぼ全面において重なる。
　通常は、図１０（ａ）に示すように、チップ４０の表面の全面を領域４１として親水化処理がなされるため、チップ４０の周縁部における表面も親水化処理がなされる。しかしながら、図１０（ｂ）に示すように、チップ４０ａの中心部を領域４１ａとし、チップ４０ａの周縁部に親水化処理を行わない疎水性の領域（疎水枠）４１ｂを設けてもよい。周縁部に疎水枠４１ｂを設けることにより、領域４１ａと疎水枠４１ｂとの境界の形状により位置合わせができる。従って、チップをダイシングして個片化する際に、ダイシングに伴うバリ等によってチップの周縁部の形状が所望の形状とずれたときも、中心部の領域４１ａの形状が維持されれば、水によりチップを載置する領域にチップを精度よく位置合わせすることができる。
　疎水枠４１ｂを形成する方法は限定されないが、領域４１ａの表面を例えば親水性を持つＳｉＯ２膜とし、疎水枠４１ｂの表面を例えばＳｉとするにより、疎水枠４１ｂを形成することができる。
　以上、本実施の形態によれば、複数のチップを収容したトレイから一のチップを吸着ヘッドにより吸着して取り出し、取り出した一のチップを、基板の表面であって水が塗布された一の領域に載置する載置工程を行う。また、一の領域に一のチップを載置する際に、基板の表面の次のチップを載置する領域に、ノズルにより水を塗布する。これにより、チップと基板との間で自己整合的に位置合わせが行われる。したがって、チップを吸着する吸着ヘッドの厳密な位置の制御を行う必要がなく、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できる。
　なお、本実施の形態では、基板の表面のチップを載置する領域に親水化処理を行う例について説明した。しかし、チップを載置する領域の周囲に、バンク、溝等の凹凸形状を形成し、その領域以外の領域に液体が拡がらないようにできるのであればよく、チップを載置する領域に親水化処理を行わなくてもよい。
　また、本実施の形態では、最初のチップを載置するために、ステップＳ１３を行った後、ステップＳ１４を行って、吸着ヘッドを、ノズルと一体的に、トレイの上方へ移動して戻す。しかし、最初のチップに対しては、ステップＳ１７とステップＳ１８との間でステップＳ１３を行うようにしてもよい。
　また、本実施の形態では、吸着ヘッドを、ノズルと一体的に移動させる例について説明した。しかしながら、吸着ヘッドを、ノズルと共に移動させることができればよく、吸着ヘッドを、ノズルと別体で、かつ、同じ移動動作をさせるものであってもよい。
　また、本実施の形態では、一の領域に一のチップを載置する際に、基板の表面の次のチップを載置する領域に、水を塗布する例について説明した。しかしながら、一の領域に一のチップを載置する際に、基板の表面の一の領域と異なる領域に、水を塗布することができればよい。例えば、一の領域に一のチップを載置する際に、基板の表面の２つ次のチップを載置する領域に、水を塗布するものでもよい。
　また、本実施の形態では、吸着ヘッドを、ノズルと一体的に、トレイの上方から基板の上方へ移動させる例について説明した。しかしながら、吸着ヘッドを、ノズルと一体的に、トレイ側から基板側へ移動させることができればよい。例えば、トレイと基板とを垂直に立てた状態として、吸着ヘッドを、ノズルと一体的に、トレイの側方から基板の側方へ移動させるものでもよい。
（実施の形態の変形例）
　次に、図１１及び図１２を参照し、実施の形態の変形例に係る実装方法について説明する。
　図１１は、本変形例に係る実装方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図１２は、本変形例に係る実装方法の各工程におけるチップ及び基板の状態を示す概略断面図である。
　本変形例に係る実装方法は、親水化処理を行ったチップの表面に、水を塗布する点で、実施の形態に係る実装方法と相違する。
　本変形に係る実装方法は、図１を用いて説明した実施の形態に係る実装装置を用いて行うことができる。ただし、実装装置は、処理室の内部に、液体を塗布する図１では図示しないチップ側ノズルを有する。チップ側ノズルは、チップの表面であって基板上のチップを載置する領域に塗布された水と接触する領域に、液体を塗布する。
　本変形例に係る実装方法は、図１１に示すように、搬入工程（ステップＳ３１）、予備移動工程（ステップＳ３２）、予備塗布工程（ステップＳ３３）、戻し工程（ステップＳ３４）、吸着工程（ステップＳ３５）、取出工程（ステップＳ３６）、素子側塗布工程（ステップＳ３７）、移動工程（ステップＳ３８）、接触工程（ステップＳ３９）、塗布工程（ステップＳ４０）、及び解除工程（ステップＳ４１）を有する。
　予め準備する基板及びチップについては、実施の形態と同様にすることができる。
　始めに、ステップＳ３１～ステップＳ３３を行う。ステップＳ３１～ステップＳ３３の各工程は、実施の形態におけるステップＳ１１～ステップＳ１３の各工程と同様である。また、ステップＳ３１及びステップＳ３２におけるチップ及び基板の状態は、図７Ａ（ａ）及び図７Ａ（ｂ）に示した通りである。また、ステップＳ３３におけるチップ及び基板の状態は、図７Ａ（ｃ－１）及び図７Ａ（ｃ－２）に示した通りである。
　次に、最初のチップ４０－１に対して、ステップＳ３４～ステップＳ３６を行う。ステップＳ３４～ステップＳ３６の各工程は、実施の形態におけるステップＳ１４～ステップＳ１６の各工程と同様である。また、ステップＳ３４～ステップＳ３６におけるチップ及び基板の状態は、図７Ｂ（ｄ）～図７Ｂ（ｆ）のそれぞれと同様である図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示す通りである。
　次に、最初のチップ４０－１に対して、ステップＳ３７の素子側塗布工程を行う。ステップＳ３７では、チップ４０の表面に水を塗布する。図１２（ｄ）は、ステップＳ３７におけるチップ及び基板の状態を示す。図１２（ｄ）に示すように、チップ４０の表面であって、基板３０の表面のチップ４０の載置する領域３１に塗布された水の膜３２と接触する領域４１に、水の膜（水滴）４２を塗布する。
　例えば処理室１内に設けられたチップ側ノズルの上に、ロボット４により、最初のチップ４０－１を吸着した吸着ヘッド５を移動させ、吸着ヘッド５に吸着した最初のチップ４０－１の下面に、チップ側ノズルから水を吐出する。実施の形態と同様に、チップ４０の表面であって、領域３１に塗布された水の膜３２と接触する領域４１は、予め親水化処理を施してある。このため、チップ側ノズルから吐出された水は、図１２（ｄ）に示すように、チップ４０の表面であって、領域３１に塗布された水の膜３２と接触する領域４１に広がるように塗布される。
　次に、最初のチップ４０－１に対して、ステップＳ３８の移動工程を行う。ステップＳ３８の工程は、実施の形態におけるステップＳ１７の工程と同様である。また、ステップＳ３８におけるチップ及び基板の状態は、図１２（ｅ）に示す通りである。
　次に、ステップＳ３９の接触工程とステップＳ４０の塗布工程とを同時に行う。ステップＳ３９では、吸着ヘッド５を基板３０に近づけて、最初のチップ４０－１に塗布された水の膜４２と、領域３１に塗布された水の膜３２とを接触させる。ステップＳ４０では、次のチップ４０－２を載置するために水を塗布する。図１２（ｆ）は、ステップＳ３９及びステップＳ４０におけるチップ及び基板の状態を示す。
　吸着ヘッド５を領域３１－１の上方まで移動させた後、引き続いて、図１２（ｆ）に示すように、ロボット４により、吸着ヘッド５を、ノズル６と一体的に基板３０上の載置位置（領域３１－１）近くまで下降させて基板に近づけ、最初のチップ４０－１の表面に塗布された水の膜４２と、領域３１－１に塗布された水の膜３２とを接触させる。
　吸着ヘッド５に吸着した最初のチップ４０－１の表面に塗布された水の膜４２と、領域３１－１に塗布された水の膜３２とが接触したのと同時に、ノズル６からは、領域３１－１の隣の領域であって次のチップ４０－２を載置する領域３１－２に、水を吐出する。
　次に、ステップＳ４１の解除工程を行う。ステップＳ４１の工程は、実施の形態におけるステップＳ２０の工程と同様である。また、ステップＳ４１におけるチップ及び基板の状態は、図１２（ｇ）に示す通りである。
　このように、図１２（ａ）～図１２（ｇ）に示す各工程を行うことにより、トレイ２０から、最初の領域３１－１に、最初のチップ４０－１が吸着ヘッド５により載置される。また、吸着ヘッド５により最初の領域３１－１に最初のチップ４０－１を載置する際に、最初の領域３１－１の隣の領域３１－２に、２番目のチップ４０－２を載置するためにノズル６により水の膜３２が塗布される。
　以降、ステップＳ３４～ステップＳ４１の各工程を、２番目のチップ４０－２からｎ－１番目のチップ４０－ｎ－１に対して繰り返し、ｎ番目のチップ４０－ｎに対してはステップＳ４０を省略して繰り返すことにより、１列に配列する最初（１番目）のチップ４０－１～最後（ｎ番目）のチップ４０－ｎが順次所定のピッチＰで載置される。そして、このような一連の動作を複数回（ｍ回）繰り返すことにより、複数のチップ４０が、基板３０上にｍ行ｎ列にマトリクス状に配列し、かつ、列方向に順次所定のピッチＰで配列するように、載置される。
　本変形例でも、複数のチップを収容したトレイから一のチップを吸着ヘッドにより吸着して取り出し、取り出した一のチップを、基板の表面であって水が塗布された一の領域に載置する載置工程を行う。また、一の領域に一のチップを載置する際に、基板の表面の次のチップを載置する領域に、ノズルにより水を塗布する。これにより、チップと基板との間で自己整合的に位置合わせが行われる。したがって、チップを吸着する吸着ヘッドの厳密な位置の制御を行う必要がなく、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できる。
　また、本変形例では、吸着ヘッドに吸着保持したチップの表面にも水を塗布する。これにより、更に確実に、チップと基板に対する位置を自己整合的に位置合わせすることができる。
　以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
　本国際出願は２００９年１２月２８日に出願した日本国特許出願２００９－２９７６２６号に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願２００９－２９７６２６号の全内容を本国際出願に援用する。
１　処理室
３　ステージ
４　ロボット
５　吸着ヘッド
６　ノズル
７　スペーサ
２０　トレイ
３０　基板
３１　領域
３２　水の膜（水滴）
４０　チップ
１００　実装装置

Claims (16)

  1. 　複数の素子を基板上に順次実装する実装方法において、
    　前記複数の素子を収容した収容部から取出部により取り出した一の素子を、前記基板の表面であって液体が塗布された一の領域に載置する載置工程と、
    　前記一の領域に前記一の素子を載置する際に、前記基板の表面の前記一の領域と異なる領域に、前記取出部と共に移動可能に設けられた塗布部により液体を塗布する塗布工程と
    を有する、実装方法。
  2. 　前記塗布工程において、前記一の素子の次の素子を載置する領域に、液体を塗布する、請求項１に記載の実装方法。
  3. 　前記取出部は、素子を吸着して取り出す吸着部であり、
    　前記載置工程において、前記一の素子を吸着した前記吸着部を前記基板に近づけて、前記一の素子を前記一の領域に塗布された液体と接触させ、前記一の素子が前記液体と接触する際に、前記吸着部の吸着を解除する、請求項１に記載の実装方法。
  4. 　前記一の素子を取り出した前記取出部を、前記塗布部と共に、前記収容部側から前記基板側へ移動させる移動工程を有する、請求項１に記載の実装方法。
  5. 　前記一の領域と、前記一の領域と異なる領域とは、親水化処理がなされている、請求項１に記載の実装方法。
  6. 　前記一の素子の表面であって前記一の領域に塗布された液体と接触する領域は、親水化処理がなされている、請求項１に記載の実装方法。
  7. 　前記載置工程において、前記一の領域に塗布された液体により前記一の素子と前記基板との位置合わせを行う、請求項１に記載の実装方法。
  8. 　前記一の素子の表面であって前記一の領域に塗布された液体と接触する領域に、液体を塗布する素子側塗布工程を有する、請求項１に記載の実装方法。
  9. 　前記実装方法は、前記複数の素子を所定のピッチで前記基板上に実装するものであり、
    　前記塗布部は、前記所定のピッチに対応して前記取出部との間隔を変更可能に設けられた、請求項１に記載の実装方法。
  10. 　複数の素子を基板上に順次実装する実装装置において、
    　前記複数の素子を収容する収容部と、
    　前記基板を保持する基板保持部と、
    　前記収容部に収容された一の素子を取り出し、取り出した前記一の素子を、前記基板の表面であって液体が塗布された一の領域に載置する取出部と、
    　前記取出部と共に移動可能に設けられ、前記一の領域に前記一の素子を載置する際に、前記基板の表面の前記一の領域と異なる領域に液体を塗布する塗布部と、
    　前記一の素子を取り出した前記取出部を、前記塗布部と共に、前記収容部側から前記基板側へ移動させる移動部と
    を有する、実装装置。
  11. 　前記塗布部は、前記一の領域に前記一の素子を載置する際に、前記一の素子の次の素子を載置する領域に、液体を塗布する、請求項１０に記載の実装装置。
  12. 　前記取出部は、素子を吸着して取り出す吸着部であり、
    　前記移動部は、前記一の素子を吸着した前記吸着部を前記基板に近づけて、前記一の素子を前記一の領域に塗布された液体と接触させ、
    　前記吸着部は、前記一の素子が前記一の領域に塗布された液体と接触する際に、吸着を解除する、請求項１０に記載の実装装置。
  13. 　前記一の領域と、前記一の領域と異なる領域とは、親水化処理がなされている、請求項１０に記載の実装装置。
  14. 　前記一の素子の表面であって前記一の領域に塗布された液体と接触する領域は、親水化処理がなされている、請求項１０に記載の実装装置。
  15. 　前記一の領域に塗布された液体により前記一の素子と前記基板との位置合わせを行う、請求項１０に記載の実装装置。
  16. 　前記実装装置は、前記複数の素子を所定のピッチで前記基板上に実装するものであり、
    　前記塗布部は、前記所定のピッチに対応して前記取出部との間隔を変更可能に設けられた、請求項１０に記載の実装装置。
PCT/JP2010/073351 2009-12-28 2010-12-24 実装方法及び実装装置 WO2011081093A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127019761A KR101402378B1 (ko) 2009-12-28 2010-12-24 실장 방법 및 실장 장치
US13/519,243 US8749068B2 (en) 2009-12-28 2010-12-24 Mounting method and mounting device
CN201080059770.3A CN102696098B (zh) 2009-12-28 2010-12-24 安装方法和安装装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009297626A JP5411689B2 (ja) 2009-12-28 2009-12-28 実装方法及び実装装置
JP2009-297626 2009-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011081093A1 true WO2011081093A1 (ja) 2011-07-07

Family

ID=44226499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/073351 WO2011081093A1 (ja) 2009-12-28 2010-12-24 実装方法及び実装装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8749068B2 (ja)
JP (1) JP5411689B2 (ja)
KR (1) KR101402378B1 (ja)
CN (1) CN102696098B (ja)
TW (1) TW201140707A (ja)
WO (1) WO2011081093A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2915183A4 (en) * 2012-10-30 2016-06-08 Cbrite Inc LED CHIP DISPERSION IN DISPLAY DEVICES AND LIGHTING PANELS WITH NEIGHBORHOOD RELATION PRESERVATION

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2889900B1 (en) * 2013-12-19 2019-11-06 IMEC vzw Method for aligning micro-electronic components using an alignment liquid and electrostatic alignment as well as corresponding assembly of aligned micro-electronic components
JP6278760B2 (ja) * 2014-03-11 2018-02-14 株式会社ディスコ チップ整列方法
WO2018131139A1 (ja) 2017-01-13 2018-07-19 ヤマハ発動機株式会社 部品実装装置
FR3063832B1 (fr) * 2017-03-08 2019-03-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'auto-assemblage de composants microelectroniques
US10937674B2 (en) * 2018-02-13 2021-03-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring micro device
US10930528B2 (en) * 2018-02-13 2021-02-23 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring micro device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60227428A (ja) * 1984-04-26 1985-11-12 Shinkawa Ltd チツプボンデイング装置
JPH07176552A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
JP2002290098A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品の実装装置
JP2007311653A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Machinery Inc 半田塗布方法および半田塗布ユニット、ダイボンダー

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62186591A (ja) 1986-05-13 1987-08-14 ティーディーケイ株式会社 電子部品取り付け装置
JPH07321495A (ja) * 1994-03-28 1995-12-08 Yamaha Motor Co Ltd 実装機のヘッドユニット
WO2004055887A2 (en) 2002-12-18 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Manipulation of micrometer-sized electronic objects with liquid droplets
JP2007311663A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Corp 発光装置の製造方法、発光装置、および発光装置の製造装置
JP2009018917A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置、基板の受け渡し方法及び塗布方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60227428A (ja) * 1984-04-26 1985-11-12 Shinkawa Ltd チツプボンデイング装置
JPH07176552A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
JP2002290098A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品の実装装置
JP2007311653A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Machinery Inc 半田塗布方法および半田塗布ユニット、ダイボンダー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2915183A4 (en) * 2012-10-30 2016-06-08 Cbrite Inc LED CHIP DISPERSION IN DISPLAY DEVICES AND LIGHTING PANELS WITH NEIGHBORHOOD RELATION PRESERVATION

Also Published As

Publication number Publication date
US8749068B2 (en) 2014-06-10
KR101402378B1 (ko) 2014-06-03
JP5411689B2 (ja) 2014-02-12
CN102696098A (zh) 2012-09-26
KR20120106876A (ko) 2012-09-26
JP2011138901A (ja) 2011-07-14
TW201140707A (en) 2011-11-16
US20120292775A1 (en) 2012-11-22
CN102696098B (zh) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011081093A1 (ja) 実装方法及び実装装置
WO2011081095A1 (ja) 実装方法及び実装装置
JP3693972B2 (ja) 貼合せ基板製造装置及び基板貼合せ方法
US10201971B2 (en) Liquid-tolerant liquid droplet ejecting apparatus
US8692358B2 (en) Image sensor chip package and method for forming the same
US7849905B2 (en) Stripping device and stripping apparatus
JP2011192663A (ja) 実装方法及び実装装置
TWI533367B (zh) 半導體裝置的製造裝置及半導體裝置的製造方法
US20070273018A1 (en) Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
US11373888B2 (en) Protective member forming method and protective member forming apparatus
KR101257569B1 (ko) 반도체 장치의 제조 장치
WO2011030753A1 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100703044B1 (ko) 검사용 프로브 카드 및 그 제조 방법
KR102093641B1 (ko) 파티클제거팁 및 그것을 이용한 인덱스형 파티클 제거장치
KR102111592B1 (ko) 분사식 웨이퍼의 웨팅 장치
KR102000079B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP4150041B2 (ja) 貼合せ基板製造装置
CN109763105A (zh) 成膜装置及零件剥离装置
KR101046381B1 (ko) 다이 픽업 장치 및 이를 이용한 반도체 칩 분리 방법
US9199396B2 (en) Substrate carrier for molding electronic devices
JP4150042B2 (ja) 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法
JP4118922B2 (ja) 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法
JP6811113B2 (ja) 衝撃力測定装置、基板処理装置、衝撃力測定方法、および基板処理方法
KR102220346B1 (ko) 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10840949

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13519243

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127019761

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10840949

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1