WO2008075715A1

WO2008075715A1 - 液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド

Info

Publication number: WO2008075715A1
Application number: PCT/JP2007/074412
Authority: WO
Inventors: Tomoko Miyaura; Isao Doi
Original assignee: Konica Minolta Holdings, Inc.
Priority date: 2006-12-21
Filing date: 2007-12-19
Publication date: 2008-06-26

Abstract

　製造が容易で安定したインクの吐出を可能とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法を提供する。エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返す異方性エッチング方法により、孔の内壁にスカロップを有する貫通孔をＳｉ基板に形成する第１工程と、前記異方性エッチング方法のエッチングを開始した側の前記貫通孔が形成された前記Ｓｉ基板の面をエッチングすることで、前記貫通孔の開口にある前記スカロップを除去する第２工程と、を含み、前記第２工程でエッチングした面側の前記貫通孔の開口を液滴が吐出される吐出口とする。

Description

明細書

液体吐出ヘッド用ノズノレプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド

技術分野

[0001] 本発明は、液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッドに関する。

背景技術

[0002] 近年、インクジェット式プリンタは高速 '高解像度な印刷が要求されている。このプリンタに用いられるインクジェット式記録ヘッドの構成部品の形成方法には、マイクロマシン分野の微細加工技術であるシリコン基板等を対象とした半導体プロセスが用いられているものがある。これらインクジェット式記録ヘッドの構成部品の一つとして、インクジェット式記録ヘッドを構成するノズルプレートがある。このノズルプレートに、シリコン基板にエッチングを施すことにより液滴を吐出するノズル孔を形成することが知られている。

[0003] シリコン基板に垂直で選択制の高いエッチング加工を行う方法としては、側壁保護膜の形成（デポジション）とエッチングとを切り替えて交互に繰り返す異方性エツチング方法が知られている。（例えば、特許文献 1参照）。

[0004] そのような、異方性エッチング方法には、一例として「ボッシュプロセス」なる呼称で知られるものがあり、シリコン基板にノズル孔を形成する方法として、 Inductively C oupled Plasma (ICP)を用レ、るリアクティヴ .イオン .エッチング（RIE)装置なるエツチング装置を用い、シリコンの深溝形成技術としてボッシュプロセスを用いて、液滴吐出孔（ノズル孔）を形成して!/、る (例えば、特許文献 2参照）。

[0005] また、ボッシュプロセスはエッチングのステップとデポジション（deposition)のステツプを繰り返してエッチングを行うことにより孔を形成する。この形成された孔の側壁にはスカロップと呼ばれるホタテ貝の貝殻表面に認められるような波形の形状になることが知られて!/、る (特許文献 3参照）。

特許文献 1 :特開平 2— 105413号公報特許文献 2：特開 2005— 144571号公報（第 5頁）

特許文献 3：特開 2006— 130868号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] 特許文献 3に記載されて!/、るボッシュプロセスを用いて形成される孔はインクジエツト記録ヘッドのインク供給口として!/、る。この供給口の側壁面はスカロップと呼ばれる波形の形状となっており、この様子を図 7に示す。 100は Si基板、 400はエッチングマスクを示す。図 7に示すスカロップの凸部の高さに対応する aの寸法の例として 0. 2 〃111カ、ら1. C^ mを挙げている。

[0007] 上記の aが示す高さを持つスカロップの凸部は、エッチングと側壁保護膜の形成（デポジション）とを切り替えて交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いる以上は、インク供給口を形成する場合だけでなく液滴の吐出口を開口とする貫通孔を形成する場合にも勿論生じる。この凸部は貫通孔の内側に向かって次第に薄くなる脆弱な構造をしており、特に開口部分は、エッチングマスクの直下ということもあり、特に薄い。また、外部から容易に外力を受けやすい場所に位置している。この開口部分の一部が欠けると、液滴が吐出されるノズルの開口形状が変化して、その結果、吐出性能が劣化して、例えば複数の吐出孔を有する場合は、吐出性能が不揃いになり形成される画質が劣化してしまう。また、欠けた部分がノズノレ内部に入ってしまって吐出孔が詰まってしまい、液滴が吐出されなレ、と!/、う問題も生じる。

[0008] 近年の高解像度印刷の要求に対して、吐出孔の径を、例えば 5 a m程度とする微小な径にする場合、上記の問題の発生による吐出性能の劣化はより顕著となってしまう。

[0009] 本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、製造が容易で安定したインクの吐出を可能とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート、この液体吐出ヘッド用ノズルプレートを備えた液体吐出ヘッドを提供することである。

課題を解決するための手段

[0010] 上記の課題は、以下の構成により解決される。 [0011] 1. エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返す異方性エッチング方法により、孔の内壁にスカロップを有する貫通孔を Si基板に形成する第 1工程と、前記異方性エッチング方法のエッチングを開始した側の前記貫通孔が形成された前記 Si基板の面をエッチングすることで、前記貫通孔の開口にある前記スカロップを除去する第 2工程と、を含み、

前記第 2工程でエッチングした面側の前記貫通孔の開口を液滴が吐出される吐出口とすることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[0012] 2. 前記第 2工程における Si基板の面をエッチングする方法力 SF、 CHF、 CF

6 3 4

、 Arの!/、ずれか又はこれらが混合されたガスをプラズマとするドライエッチングであることを特徴とする 1に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[0013] 3. 前記第 2工程において、前記 Si基板の表面を 0. 1 m以上エッチングすることを特徴とする 1又は 2に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[0014] 4. 前記貫通孔の開口を有する Si基板の面に撥液層を設ける工程を有することを特徴とする 1乃至 3の何れか一項に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[0015] 5.内壁にスカロップを有する貫通孔が形成されたシリコン基板からなり、該貫通孔を通じて液体を吐出する液体吐出ヘッド用ノズルプレートであつて、前記シリコン基板の貫通孔の液体を吐出する側の内壁は前記スカロップの凸部が除去された形状であることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズルプレート。

[0016] 6. 5に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートを備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド。

発明の効果

[0017] 本発明によれば、 Si基板に形成した貫通孔の液滴が吐出される吐出口では、ボッシュプロセスのエッチングで貫通孔の内壁に形成されたスカロップの貫通孔の開口の部分が除去されている。

[0018] よって、開口部のスカロップの破損により吐出口の開口形状が変形したり、破損部が吐出口や貫通孔を塞!/ヽでしまうと!/、う問題が生じなレ、。

[0019] 従って、製造が容易で安定したインクの吐出を可能とする液体吐出ヘッド用ノズノレプレートの製造方法を提供できる。

[0020] また、上記の効果を備えた液体吐出ヘッド用ノズルプレートを提供することができ、更にこの液体吐出ヘッド用ノズルプレートを備えた液体吐出ヘッドを提供することができる。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]インクジェット式記録ヘッドの例を示す図である。

[図 2]インクジェット式記録ヘッドの断面を示す図である。

[図 3]ノズルプレートに形成された吐出口周辺の例を示す図である。

[図 4]大径部を形成する工程を示す図である。

[図 5]小径部を形成する工程を示す図である。

[図 6]ノズルプレートの吐出口の側の表面を除去することを説明する図である。

[図 7]ボッシュプロセスにより形成されるスカロップと呼ばれる波形形状を説明する図である。

符号の説明

[0022] 1 ノズノレプレート

3 圧電素子

11 ノズノレ

12 吐出面

13 吐出口

14 小径部

15 大径部

21 インク供給口

22 共通インク室 (、溝)

23 インク供給路 (溝)

24 圧力室 (溝）

30 Si基板

31、 32 熱酸化膜 31a, 32a 熱酸化膜パターン

34、 44 フォ卜レジス卜

44a、 34a フォトレジストノターン

45 撥液層

60 除去部分

63 凸部

A インクジェット式記録ヘッド

発明を実施するための最良の形態

[0023] 本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。

[0024] 図 1は液体吐出ヘッドの例であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッドと称する。）Aを構成している、ノズルプレート 1、ボディプレート 2、圧電素子 3を模式的に示している。

[0025] ノズルプレート 1には、インク吐出のためのノズル 11を複数配列してある。また、ボディプレート 2には、ノズルプレート 1を貼り合わせることで、圧力室となる圧力室溝 24 、インク供給路となるインク供給路溝 23及び共通インク室となる共通インク室溝 22、並びにインク供給口 21が形成されて!/、る。

[0026] そして、ノズルプレート 1のノズル 11とボディプレート 2の圧力室溝 24とが一対一で対応するようにノズルプレート 1とボディプレート 2とを貼り合わせることで流路ユニット Mを形成する。ここで、以後、上記で説明に使用した圧力室溝、供給路溝、共通インク室溝の各符号はそれぞれ圧力室、供給路、共通インク室にも使用する。

[0027] ここで、図 2は、この記録ヘッド Aにおけるノズルプレート 1の Y—Y、及びボディプレート 2の Χ— Χの位置での断面を模式的に示している。図 2が示しているように、流路ユニット Μに圧電素子 3をインク吐出用ァクチユエータとしてボディプレート 2のノズルプレート 1を接着する面と反対の各圧力室 24の底部 25の面に接着することで、記録ヘッド Αが完成する。この記録ヘッド Aの各圧電素子 3に駆動ノルス電圧が印加され、圧電素子 3から発生する振動が圧力室 24の底部 25に伝えられ、この底部 25の振動により圧力室 24内の圧力を変動させることでノズル 11からインク滴を吐出させる。 [0028] 図 3は、ノズルプレート 1が備えている一つのノズル 11の周辺部を示している。ノズノレ 11は、図 3に示す様に、ノズル 11が小径部 14と大径部 15とで構成されている。また、小径部 14の液滴を吐出する吐出口 13がある面 12には、より好ましい形態として撥液層 45が設けてある。大径部 15及び小径部 14は、その内壁にエッチングとコーティング (側壁保護膜の形成、デポジション)を繰り返してなる異方性エッチング方法を用いて形成されために見られるスカロップを模式的に示している。

[0029] Siからなるノズルプレート 1のノズル 11を製造することに関して図 4、図 5に沿って説明する。大径部 15及び小径部 14は、それぞれ Si基板 30の対向する面から形成する

[0030] まず大径部 15の形成に関して図 4に沿って説明する。 Si基板 30に大径部 15を形成する方法は、特に限定されないが、後述する小径部 14と同じくエッチングとコーテイングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いることができる。この異方性ェツチング方法によるエッチングを行う際のエッチングマスクとなる SiO力もなる熱酸化膜 32を両面に設けてある Si基板 30を準備する。

[0031] 次に大径部 15を形成する側の熱酸化膜 32の面にフォトレジスト 34を塗布（図 4 (b) )後、大径部 15を形成するためのフォトレジストパターン 34aを形成する（図 4 (c) )。フオトレジストパターン 34aをエッチングマスクとして、例えば CHFを用いたドライエッチ

3

ングにより熱酸化膜パターン 32aを形成し（図 4 (d) )、これを異方性エッチング方法におけるエッチングマスクとする。

[0032] フォトレジストパターン 34aを除去後（図 4 (e) )、エッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法より大径部 15を形成する（図 4 (f) )。異方性エツチング方法を行うエッチング装置は、 ICPを用いる RIE装置が好ましぐ例えば、エツチング時のエッチングガスとして、 6フッ化硫黄（SF )、コーティング時のデポジションガス

6

としてフッ化炭素（C F )を交互に使用する。この後、熱酸化膜パターン 32aを除去し

4 8

て大径部 15が完成する（図 4 (g) )。尚、大径部 15を形成する方法を上記ではエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法とした力 S、これに限定されない。また、大径部 15の深さ（長さ）は、所定の深さとなるように、予め大径部 15を形成する方法、装置を用いて実験等を行うことで形成条件を決めればよい。 [0033] 次に、小径部 14の形成に関して図 5に沿って説明する。小径部 14はエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いて形成する。形成方法は、上記に大径部 15の場合と同じである。

[0034] 図 5 (a)に示す大径部 15が形成された Si基板 30において、小径部 14が形成される側の熱酸化膜 31の面にフォトレジスト 44を塗布（図 5 (b) )後、小径部 14を形成するためのフォトレジストパターン 44aを形成する（図 5 (c) )。フォトレジストパターン 44a をエッチングマスクとして、熱酸化膜パターン 31aを形成し（図 5 (d) )、これを異方性エッチング方法におけるエッチングマスクとする。フォトレジストパターン 44aを除去後 (図 5 (e) )、第 1行程であるエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エツチング方法により小径部 14を大径部 15に貫通するまで形成する（図 5 (f) )。この後、熱酸化膜パターン 31aを除去する（図 5 (g) )。

[0035] 上記の通りエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いて形成された図 5 (g)に示す小径部 14の内壁には、図 6 (a)に示す様なスカロップが形成され、吐出口 13にある凸部 63は吐出口 13の内側に向かって迫り出した状態となっている。この凸部 63は、吐出口 13の内側に向かって次第に薄くなる脆弱な構造をしており、また、吐出口 13を備えたノズルプレートにおいて、外部から容易に力を受けやすい場所に位置している。従って、凸部 63は破損しやすぐ破損すると吐出口 13の形状が変化してしまったり、破損した部分が吐出口 13より小径部 14の中に入ってしまってノズルが詰まってしまう場合が発生する。この結果、液滴が安定して吐出されず印刷の品質が劣化することになる。

[0036] 上記の凸部 63により発生する問題に対応するため、第 2行程として吐出口 13がある側の Si基板 30の表面をエッチングすることによって、図 6 (b)で示す様に、この凸部 63を含む所望の厚み部分を除去部分 60として除去する。これで、ノズルプレート 1 のノズル 11が完成する。

[0037] 除去部分 60を除去するエッチング方法は特に限定しないが、 SF、 CHF、 CF、 A

6 3 4 rのいずれか又はこれらが混合されたガスをプラズマとするドライエッチングとするのが好ましい。上記のドライエッチングを用いることで、 Si基板 30の表面から所望の厚みの除去部分 60を精度良く取り除くことができる。 [0038] Si基板 30の表面から除去する除去部分 60の厚みは、 0. 1 μ m以上とするのが好ましい。除去部分 60の厚みの上限は特に限定する必要がないが、エッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法におけるエッチング及びコーティングを 1サイクルとして、これの繰り返しで形成されるスカロップの凸部の先端近傍に至る厚みは除く。更に、除去部分 60の厚みの上限は、除去のする効率の観点からェツチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法の最初の 1サイクノレで形成される孔の深さ以内が好ましぐより好ましくは最初の 1サイクルで形成される孔の深さの 70%以内である。除去部分 60を上記の範囲として凸部 63を除去することで、吐出口 13の形状が変化するような破損は生じることが無ぐまた、破損した部分でノズルが詰まることは発生しない。

[0039] 尚、小径部 14の長さは、液滴の吐出性能に影響を与える。このため、 Si基板の小径部 14の吐出口 13がある面をエッチングする場合、小径部 14の長さが短くなり、場合によっては、吐出性能に影響が生じる場合がある。このような場合には、予めエツチングで除去する厚み分を見込んでの小径部 14の形成時の長さを決めればよい。

[0040] 次に、撥液層 47に関して説明する。図 3に示すノズルプレート 1の吐出口 13が存在する面に撥液層 45を設けるのが好ましい。撥液層 45を設けることで、吐出口 13から液体が吐出面 12に馴染むことでの染み出しや広がりを抑制することができる。具体的には、例えば液体が水性であれば撥水性を有する材料が用いられ、液体が油性であれば撥油性を有する材料が用いられる力 S、一般に、 FEP (四フッ化工チレン、六フッ化プロピレン）、 PTFE (ポリテトラフロロエチレン）、フッ素シロキサン、フルォロアルキルシラン、アモルファスパーフノレオ口樹脂等のフッ素樹脂等が用いられることが多ぐ塗布や蒸着等の方法で吐出面 12に成膜されている。膜厚の厚みは、特に限定されるものではな!/、が、概ね 0· 1 H m力、ら 3 H mとするのが好まし!/ヽ。

[0041] なお、撥液層 45は、ノズルプレート 1の吐出面 12に直接成膜してもよいし、撥液層

45の密着性を向上させるために中間層を介して成膜することも可能である。

実施例

[0042] 図 3に示す小径部 14及び大径部 15から構成されるノズルを有するノズルプレート 1 を製作した。以降、図 4及び図 5に沿って説明する。 [0043] 図 4 (a)に示す様に厚み 200 mで両面に厚み 1 mの熱酸化膜（SiO ) 31、 32を有する Si基板を準備した。これに、上記で説明した様にエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いて φ 100 mの大径部 15を作製した。

[0044] まず、フォトレジスト 34を塗布した後（図 4 (b) )、フォトレジスト 34をパターンユングしフォトレジストパターン 3⁴aを形成した（図 4 (c) )。

[0045] 次に、フォトレジストパターン 34aをエッチングマスクとして熱酸化膜 32をエッチングし熱酸化膜パターン 32aを形成した（図 4 (d) )。フォトレジストパターン 44aを除去した後（図 4 (e) )、このエッチングされた熱酸化膜パターン 32aをエッチングマスクとしてエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法で Si基板 30のェツチングを行った（図 4 (f) )。この異方性エッチング方法を行う装置として、 Surface

Technology Systems Limited製 Multiplex— ICPを使用した。この際の異方性エッチング方法の条件を以下に示す。

(エッチング条件）

使用ガス： SF

6

ガス流量： 130sccm

プロセス圧力： 2. 67Pa

高周波電力： 600W

バイアス電力： 25W

1サイクル時間： 13秒

(デポジション (コーティング)条件)

使用ガス： C F

4 8

ガス流量： 85sccm

プロセス圧力： 2. 67Pa

高周波電力： 600W

バイアス電力： 0W

1サイクル時間： 5秒

膜厚：33A 上記の条件でエッチングとコーティングとを交互に繰り返すのサイクルを 180回行つて異方性エッチングを施した。これより、大径部 15の深さが 179. 4 mとした。厚み 2 00〃mの Si基板を使用しているため、残りの Si基板の厚みは 20. 6〃mとなっている。この後、熱酸化膜パターン 32aを CHFを用いたドライエッチングで除去した（図 4 (

3

g) ) o

[0046] 次に、図 5に沿って上記で作製した大径部 15を備えた Si基板 30にエッチングとコ一ティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法を用いて φ 5 mの小径部 14 を作製した。 Si基板 30の大径部 15が形成されている面の反対面の熱酸化膜 31の

[0047] 次に、フォトレジスト 44を設けた Si基板 30に両面マスクァライナーを用いて先に作製した Si基板の大径部 15の穴と同心となるように小径部 14を形成するための φ 5 μ mのフォトレジストパターン 44aを形成した（図 5 (c) )。フォトレジストパターン 44aを用いて熱酸化膜 31をエッチングし、熱酸化膜パターン 31 aを形成した（図 5 (d) )。フォトレジストパターン 44aを除去した後（図 5 (e) )、熱酸化膜パターン 31 aをエッチングマスクとしてエッチングとコーティングとを交互に繰り返す異方性エッチング方法で Si基板 30の異方性エッチングを行った。行ったボッシュプロセスの条件は上記の大径部形成条件と同じで、エッチングとコーティングとを交互に繰り返すのサイクルを 21回行つて φ 5 mの小径部は上記の大径部に貫通してノズルが完成した（図 5 (f) )。この後、熱酸化膜パターン 31 aを CHFを用いたドライエッチングで除去した（図 5 (g) )

3 。

[0048] さらに、小径部 14の形成側の Si基板 30の表面を以下のエッチング条件でエツチングして、図 6 (b)に示す様に除去部分 60の厚みを 0. 32 111として、除去部分 60を除去した。

(エッチング条件）

使用ガス： CHF及び CFを 1： 1とする混合ガス

3 4

ガス流量： 128sccm

プロセス圧力： 10· 67Pa

高周波電力： 150W

エッチングレート： 0· 064 111/分エッチング量： 0· 32 ^ 111

上記の手順により図 1で示す様なノズル 11を有するノズルプレート 1を完成させた。尚、ここでは、図 3に示す撥液槽 45は設けていない。

[0049] 次に図 1に示す様なボディプレート 2を製造した。 Si基板を用いて、公知のフォトリソグラフィ処理 (レジスト塗布、露光、現像)及び Si異方性ドライエッチング技術を用いて、ノズル 11にそれぞれ連通する複数の圧力室となる圧力室溝 24、この圧力室にそれぞれ連通する複数のインク供給路となるインク供給溝 23及びこのインク供給に連通する共通インク室となる共通インク室溝 22、並びにインク供給口 21を形成した。

[0050] 次に、図 1に示すように、これまでに用意したノズルプレート 1とボディプレート 2とを接着剤を用いて貼り合わせ、更にボディプレート 2の各圧力室 24の背面に圧力発生手段であるピエゾ素子 3を取り付けて液滴吐出ヘッド（液滴吐出ヘッド Jとする。 )とした。

[0051] 比較例として、図 6 (a)で示す Si基板の表面の除去部分 60を除去しないノズルプレートを作製した以外は上記と同じとして液滴吐出ヘッド (液滴吐出ヘッド Hとする。）を作製した。

[0052] 液滴吐出ヘッド Jと液滴吐出ヘッド Hとを用いて吐出実験を行った。ピエゾ素子 3に液滴吐出信号として、 30kHのノルス信号を 1秒間隔で 1秒間印加するサイクルを連続で 5時間行った。その後、両者のノズルプレートの吐出口の周辺部分を SEM (500 0倍）を用いて観察した。その結果、液滴吐出ヘッド Jのノズルプレートでは吐出口には変化がなかった。一方、液滴吐出ヘッド Hの吐出口は、スカロップの凸部の欠けによる開口形状の変形や小径部が欠けた凸部で詰まって!/、る様子が観察された。

[0053] また、液滴吐出ヘッド Jでの印刷状態は、実験開始直後と終了間際で差は無かった。液滴吐出ヘッド Hでの印刷状態は、実験開始直後は液滴吐出ヘッド Jの場合とほぼ同じであつたが、実験開始後しばらくすると吐出ムラによる印刷不良が発生した。

Claims

請求の範囲

[1] エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返す異方性エッチング方法により、孔の内壁にスカロップを有する貫通孔を Si基板に形成する第 1工程と、

前記異方性エッチング方法のエッチングを開始した側の前記貫通孔が形成された前記 Si基板の面をエッチングすることで、前記貫通孔の開口にある前記スカロップを除去する第 2工程と、を含み、

[2] 前記第 2工程における Si基板の面をエッチングする方法力 S、 SF、 CHF、 CF、 Ar

6 3 4 のいずれか又はこれらが混合されたガスをプラズマとするドライエッチングであることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[3] 前記第 2工程にぉレ、て、前記 Si基板の表面を 0. 1 a m以上エッチングすることを特徴とする請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[4] 前記貫通孔の開口を有する Si基板の面に撥液層を設ける工程を有することを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 3項の何れか一項に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。

[5] 内壁にスカロップを有する貫通孔が形成されたシリコン基板からなり、該貫通孔を通じて液体を吐出する液体吐出ヘッド用ノズルプレートであって、前記シリコン基板の貫通孔の液体を吐出する側の内壁は前記スカロップの凸部が除去された形状であることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズルプレート。

[6] 請求の範囲第 5項に記載の液体吐出ヘッド用ノズルプレートを備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド。