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WO2006041272A1 - Procede de production de silane - Google Patents

Procede de production de silane Download PDF

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Publication number
WO2006041272A1
WO2006041272A1 PCT/KZ2005/000008 KZ2005000008W WO2006041272A1 WO 2006041272 A1 WO2006041272 A1 WO 2006041272A1 KZ 2005000008 W KZ2005000008 W KZ 2005000008W WO 2006041272 A1 WO2006041272 A1 WO 2006041272A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon
silane
containing alloy
item
present method
Prior art date
Application number
PCT/KZ2005/000008
Other languages
English (en)
Inventor
Marat Fatykhovich Tamendarov
Bolat Nygmetuly Mukashev
Khabibulla Abdullaevich Abdullin
Zhaksybek Abdrakhmetovich Kulekeev
Nuraly Sultanovich Bekturganov
Boris Anatolievich Beketov
Original Assignee
The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches'
'silicon Technologies', Limited Liability Partnersship
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches', 'silicon Technologies', Limited Liability Partnersship filed Critical The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches'
Publication of WO2006041272A1 publication Critical patent/WO2006041272A1/fr

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C01B33/043—Monosilane

Definitions

  • the purpose of the invention is to create highly effective, wasteless, ecologically clean, and energy-efficient method for the manufacture of semi ⁇ conductor silicon for photoelectron and microelectronic industry from inexpensive initial raw materials, namely from the phosphoric industry wastes, available in surplus at the phosphoric industry enterprises.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

La présente invention a trait à un procédé de production de silane utilisé pour la formation des structures semi-conductrices à film minces par la technologie d'épitaxie en phase gazeuse et la fabrication de silicium monocristallin et polycristallin à diverses fins (semi-conducteurs, énergie solaire). Le procédé de la présente invention comprend la production d'un alliage silicié par réduction aluminothermique de silice obtenue à partir de déchets métallurgiques contenant du silicium, et l'interaction dudit alliage silicié avec un solution aqueuse d'acide minéral. Dans ce procédé l'acide chlorhydrique a été utilisé en tant qu'acide minéral requis. Les principaux avantages des procédés de l'invention sont les suivants: l'utilisation de matières premières peu coûteuses, une faible consommation d'énergie, le respect de l'environnement. Le rendement élevé de silane entraîne à son tour la réduction du coût du produit et permet une utilisation efficace de déchets industriels. Du ciment alumineux, qui est le sous-produit du procédé de l'invention, peut être utilisé dans l'industrie de la construction.
PCT/KZ2005/000008 2004-10-12 2005-10-12 Procede de production de silane WO2006041272A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KZ20041444 2004-10-12
KZ2004/1444.1 2004-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006041272A1 true WO2006041272A1 (fr) 2006-04-20

Family

ID=35797011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KZ2005/000008 WO2006041272A1 (fr) 2004-10-12 2005-10-12 Procede de production de silane

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